【課題】ドレインバスラインの断線を補修することができ、補修用配線に起因する寄生容量を低減することができる薄膜トランジスタ基板及び断線の補修方法の提供。
【解決手段】
ドレインバスライン６と透明画素電極９との間に遮光性導電膜２ａがゲートバスライン２と同層に形成される構造において、ドレインバスライン６に遮光性導電膜２ａに向かって突出する突起部６ａを複数設け、遮光性導電膜２ａをドレインバスライン６とは突起部６ａのみで重なるように形成し、ドレインバスライン６に断線が発生した場合に、断線部分１２の両側の突起部６ａにレーザ光を照射して突起部６ａと遮光性導電膜２ａとを溶融接続して迂回経路を形成する。この構造では突起部６ａの形状は制限されないためレーザパワーを上げたとしてもレーザ照射部１０に新たな断線が生じることなく、また、寄生容量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 高い開口率を得ながら十分な保持容量（Ｃｓ）を確保し、また同時に容量配線の負荷(画素書き込み電流)を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 ゲート電極１０６と異なる層に走査線１０２を形成し、容量配線１０７が信号線１０９と平行になるよう配置する。各画素はそれぞれ独立した容量配線１０７に誘電体を介して接続されているため隣接画素の書き込み電流による容量配線電位の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

ソース電極配線、ドレイン電極配線、及び、信号線を囲むように、平坦化層を形成し、ソース電極配線、ドレイン電極配線、及び、信号線が実質上平坦化層と同一平面を形成するようにしたアクティブマトリクス表示装置。 （もっと読む）

接続抵抗を低くし腐蝕防止を図ることのできる端子構造及びこれに基づく電子装置を提供することを目的とする。基板８に支持される透明導電層１０と、透明導電層１０上に延在し透明導電層１０よりも抵抗率の低い材質の金属層２０とを有し、透明導電層１０は、金属層２０よりも耐酸化性が高く、周辺回路（５０）と接続するための端子１０Ｔを形成する、電子装置。金属層２０は、透明導電層１０の端子１０Ｔ外の延在部１０Ｌ上、及び／又は透明導電層１０の端子１０Ｔの領域内において透明導電層１０を外部へ露出させるべき結合領域１１の周辺又は近傍に延在し、透明導電層１０の端子１０Ｔの少なくとも一部及び金属層２０全体を被覆し透明導電層１０の端子１０Ｔの領域内において結合領域１１を除く領域に延在する電気的絶縁層３０が設けられている。

（もっと読む）

【課題】　配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号の書き込み不良や階調不良などを防止し、より高画質のＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】　本発明はＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置に用いられる電極や配線として、Ｃｕを有する配線を設ける。また、該配線のＣｕを主成分とする導電膜は、マスクを用いたスパッタ法により形成する。このような構成により、電圧降下や信号のなまりを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタアレイだけに突出部とスリットとを形成されたマルチドメイン垂直配向型液晶ディスプレイを提供することである。
【解決手段】 複数の薄膜トランジスタと複数の突出部と複数の画素電極とを有する第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に配設された液晶層とを少なくとも備え、前記突出部上に形成された画素電極は複数のスリットを有し、第１の基板は突出部及びスリット上に平坦化された誘電体層を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 共通電極配線の低抵抗化を図る。
【解決手段】 一対の基板と、前記一対の基板のうちの一方の基板上の表示領域に形成される複数のアクティブ素子と、前記一方の基板上に行方向に形成され行方向のそれぞれのアクティブ素子に走査信号を印加する複数の走査信号線と、前記一方の基板上に列方向に配列されたドレイン信号線を介して映像信号が印加される画素電極と、前記一方の基板上に行方向に配列されている共通電極信号線とを有する液晶表示装置において、前記各共通電極信号線は、その両端部が共通電極配線によって接続されると共に、前記共通電極信号線の一端に接続された共通電極配線と他端に接続された共通電極配線で配線層数が異なる。 （もっと読む）

【課題】 ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】 本発明では、チャネル・エッチ型のボトムゲートＴＦＴ構造を採用し、ソース領域１１９及びドレイン領域１２０のパターニングとソース配線１２１及び画素電極１２２のパターニングを同じフォトマスクで行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性を有する多結晶シリコン膜を備えた半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 石英ガラスや無アルカリガラスなどの基板１上に、非晶質シリコン膜２ａを形成する。その非晶質シリコン膜２ａ上にＷシリサイド膜（導電膜）４ｂを形成する。そして、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂに対し、高周波やＹＡＧレーザービームなどの電磁波を照射することにより、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂを発熱させ、この熱を利用して、非晶質シリコン膜２ａを多結晶シリコン膜２に変える。 （もっと読む）

【課題】斜めからの入射光１１０、及び入射光１１０が乱反射を起こすことにより間接的に入射する光についても、遮光可能な薄膜トランジスタの構造及びその構造を工程数を増やすことなく簡易なプロセスで製造可能な製造方法を提供する。
【解決手段】 活性層となるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１０４の両側のそれぞれにおいて、ゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５及び下地ＳｉＯ２膜１０３を遮光ＷＳｉ２膜１０２が露出するまで選択的異方性エッチングし、コンタクト開口部１０６を形成する。その後、ゲートＷＳｉ２層１０７をスパッタ成膜し、さらに、フォトレジスト１０８をマスクとしてドライエッチングを実施し、ゲートＷＳｉ２電極１１１とＷＳｉ２からなるサイドウォール１０９を同時に形成する。これにより、サイドウォール１０９の下端を遮光ＷＳｉ２膜１０２に接触させ上端をゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５上面とほぼ同一高さに位置させる。 （もっと読む）

【課題】 付加容量の容量値のバラツキが小さく、表示品位の優れた液晶表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の液晶表示装置の付加容量１０は、絶縁性基板１１上に形成された第１導電層１２と、第１導電層１２上に形成され、第１導電層１２の一部を露出する開口部１４を有する第１絶縁層１３と、少なくとも開口部１４内に位置する第１導電層１２上に形成された第２導電層１７ａと、第２導電層１７ａを覆う第２絶縁層１８と、少なくとも開口部１４内に位置する第２絶縁層１８を覆う、第３導電層１９ａとから形成されている。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板上にグラフォエピタキシャル成長させた単結晶シリコン層を能動領域に用いるトップゲート型の薄膜絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（トップゲート型にはスタガー型とコプラナー型が含まれる。）と受動領域を有する液晶表示装置などに好適な構造及び方法を提供する。
【解決手段】 基板１に形成した段差４をシードにして、多結晶シリコン又はアモルファスシリコンを溶解した低融点金属層６（６Ａ）からグラフォエピタキシャル成長により単結晶シリコン層７を形成し、これを表示部−周辺駆動回路一体型のＬＣＤなどの電気光学装置のトップゲート型ＭＯＳＴＦＴに用いる。 （もっと読む）

【課題】 銀を利用する低抵抗配線構造を提供する。
【解決手段】
絶縁基板上に、ゲート配線が形成され、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆っており、ゲート絶縁膜上に半導体パターン半導体が形成されている。半導体パターン半導体及びゲート絶縁膜の上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結されている画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、接着層、Ａｇ層、及び保護層の３重層からなっており、接着層はクロムやクロム合金、チタニウムやチタニウム合金、モリブデンやモリブデン合金、タリウムやタリウム合金のうちのいずれか一つからなり、Ａｇ層は銀や銀合金からなり、保護層はＩＺＯ、モリブデンやモリブデン合金、クロムやクロム合金のうちのいずれか一つからなっている。 （もっと読む）