【課題】短絡が発生せず光の漏れ現象が効率的に防止され、画質を向上する。
【解決手段】絶縁第１基板と、走査信号を伝達するゲート線と、画像信号を伝達するデータ線と、第１基板と対向している第２基板と、第１基板と第２基板との間に注入されている液晶物質と、ゲート線とデータ線とによって区分される画素と、各画素を区画するブラックマトリックスと、画素ごとに別途に形成されている画素電極とを含み、画素電極と前段のゲート線との間で維持容量を形成する液晶表示装置において、第１画素行の各画素の開口率は他の画素行の各画素の開口率と異なるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】画素ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現し、信頼性と生産性を向上させる技術を提供することを課題とする。
【解決手段】画素領域に形成する画素ＴＦＴをチャネルエッチ型の逆スタガ型ＴＦＴで基板上に形成し、ソース領域及びドレイン領域のパターニングと画素電極のパターニングを同じフォトマスクで行う。また、ソース配線を画素電極と同じ材料である導電膜で覆い、基板全体を外部の静電気等から保護する構造とする。このような構成とすることで、製造工程において製造装置と絶縁体基板との摩擦による静電気の発生を防止することができる。特に、製造工程で行われる液晶配向処理のラビング時に発生する静電気からＴＦＴ等を保護することができる。 （もっと読む）

【課題】各種回路に配置される薄膜トランジスタの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、かつ、低消費電力化を図ると共に、工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現することを目的とする。
【解決手段】薄膜トランジスタのＬＤＤ領域を、テーパー部を有するゲート電極及びテーパー部を有するゲート絶縁膜に対応させて設ける。具体的には、第１のＬＤＤ領域はゲート電極のテーパー部の下に設けられ、第２のＬＤＤ領域はゲート絶縁膜のテーパー部の下に設けられる。 （もっと読む）

【課題】視野角制御用サブ画素を備えた液晶表示パネルにおいて、視野角制御用サブ画素
の液晶層以外の誘電体を増加させて、ＴＶ特性の急峻を緩和し、できるだけ表示用サブ画
素のＴＶ特性に近似させることにより、階調表示を容易にさせ、コスト面を向上させた液
晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】液晶層ＬＣを挟持して対向配置された第１基板ＡＲ及び第２基板をＣＦ有し
、１画素毎に表示用サブ画素１４Ａと視野角制御用サブ画素１５Ａが隣接配置され、視野
角制御用サブ画素１５Ａには一対の電極２５、３０Ａと、前記一対の電極２５、３０Ａ間
に液晶層ＬＣを挟む一対の配向膜２７、３４が形成されている液晶表示パネル１０Ａであ
って、視野角制御用サブ画素１５Ａには一対の電極２５、３０Ａ間に液晶層ＬＣ及び配向
膜２７、３４とは異なるオーバーコート層３３からなる誘電体膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜前にゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減した後、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行った後、酸素雰囲気下において徐冷する。ゲート絶縁層中、及び酸化物半導体膜中に加え、上下に接して設けられる膜と酸化物半導体膜の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】液晶分子を配向させる配向膜の形成工程を合理化可能な液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶層４０６を介して対向配置される第１基板１０１及び第２基板３０１を備え、第１基板側１０１に、少なくとも各画素内に面状又は複数の線状に形成された第１電極と、第１電極の上層に絶縁層を介して形成され、画素毎に第１電極に重畳して形成される線状の複数の第２電極とを有し、第１電極と第２電極とで生じる電界で液晶層を駆動する液晶表示装置であって、基板１０１及び３０１の内の少なくとも一方の基板の対向面側に、配向膜１１２を形成する工程と、その工程で形成される配向膜の周縁部と表示領域との間の領域に形成される配向膜を所定幅で除去し、表示領域を囲む溝部Ａを形成する工程と、溝部にシール材４０４を塗布し、基板１０１と３０１とを固着する共に液晶層４０６を密封する工程とからなる液晶表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好な電気的接続を確保できる信号線引き回し配線と走査線引き回し配線との間
の透明導電性部材を用いたブリッジ接続を提供すること。
【解決手段】第１引き回し配線１６ａと第２引き回し配線１６ｂとの配線切り替え領域に
おいて、第１絶縁膜１７と第２絶縁膜２０を貫通して第１引き回し配線１６ａの表面を露
出させるコンタクトホールが複数個配設された第１コンタクトホール群２４と、第２絶縁
膜４を貫通して信号線引き回し配線１６ｂの表面を露出させるコンタクトホールが複数個
配設されてなる第２コンタクトホール群２５とを形成し、それらコンタクトホール群２４
、２５を被覆する接続電極２３で第１引き回し配線１６ａと第２引き回し配線１６ｂとを
ブリッジ接続する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の簡略化を達成しつつ、基板表面の凹凸を低減させることが可能な液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】
複数のゲート線と、前記ゲート線に交差する複数のドレイン線と、前記ゲート線と前記ドレイン線との交差部付近にそれぞれ形成された薄膜トランジスタと、隣接する一対の前記ゲート線と隣接する一対の前記ドレイン線とで囲まれた画素領域毎に形成された着色膜とを備え、隣接する画素の着色膜の端部を重ねてなる領域が前記ドレイン線に重畳して形成される液晶表示装置であって、前記ゲート線と前記ドレイン線とを電気的に分離する層間絶縁膜が前記薄膜トランジスタの上層に形成され、前記ドレイン線の形成領域に沿って前記層間絶縁膜に凹部が形成され、該凹部に前記ドレイン線が形成されてなる液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の表示装置においては、回路を構成する薄膜トランジスタの電気特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。従って、逆スタガ型の薄膜トランジスタに水素を徹底的に排除した酸化物半導体膜を用い、電気特性のバラツキを低減する。
【解決手段】課題を解決するため、大気に触れることなくゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、チャネル保護膜との三層をスパッタ法により連続成膜を行う。また、酸化物半導体層の成膜は、酸素が流量比で５０％以上１００％以下含まれる雰囲気中で行う。また、酸化物半導体層のチャネル形成領域の上層及び下層が、窒素含有量が３原子％以上３０原子％以下の酸化窒化珪素膜であることを特徴的な構造とする。 （もっと読む）

【課題】遮光領域を抑制することにより、開口率の低下を防止するとともに、製造工程を簡素化することができる多層配線基板及びそれを備えた半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＴＦＴ基板１は、第１コンタクトホール１１が形成された第１絶縁膜８と、第１絶縁膜８の表面及び第１コンタクトホール１１の表面に形成された第１配線層１４と、第２コンタクトホール１５が形成された第２絶縁膜９と、第２絶縁膜９上に積層されるとともに、第２絶縁膜９の表面及び第２コンタクトホール１５の表面に形成され、第１配線層１４と導通された第２配線層１６とを備えている。そして、第１及び第２コンタクトホール１１，１５が、ＴＦＴ基板１の上下方向Ｘにおいて重なった状態で直線的に配置され、第１コンタクトホール１１において、第１配線層１４上に絶縁性樹脂２５が充填されている。 （もっと読む）

【課題】セルギャップが均一化された液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１の基板と、第１の基板に対向する第２の基板と、第１の基板及び第２の基板の間に挟持された液晶層と、第１の基板の一方の面上に設けられた薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを覆う有機膜からなる層間絶縁膜と、第２の基板上に設けられた、表面が平坦な反射層と、反射層に設けられたカラーフィルターと、カラーフィルターを覆うオーバーコート層と、第１及び第２の基板を均一な間隔で保持するスペーサとを有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置において、ディスクリネーションを低減する。
【解決手段】第１及び第２の走査線と第１及び第２の信号線とによって囲まれた領域に設けられた第１の画素電極と、第２及び第３の走査線と第１及び第２の信号線とによって囲まれた領域に設けられた第２の画素電極と、第１及び第２の画素電極の上方に設けられた対向電極を有し、第１の画素電極は、中央で最大の面積を占める平坦面と、第１乃至第４の端部を有し、第１の端部は第１の走査線に沿って設けられ、第２の端部は第１の信号線に沿って設けられ、第３の端部は第２の走査線に沿って設けられ、第４の端部は第２の信号線に沿って設けられ、第２及び第４の端部は前記平坦面と同じ高さに設けられ、第１及び第３の端部は平坦面より０．５μｍ以上高く設けられた液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】移動度の大きな結晶性半導体層をチャネル層とし、動作速度を向上させた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】レーザアニール時に、非晶質シリコン層１０６ａに吸収されたレーザ光は熱に変換される。変換された熱は、非晶質シリコン層１０６ａを溶融させるとともに、輻射熱としてゲート電極１５０に与えられる。しかし、レーザアニール時には、ゲート電極１５０はゲート配線３０と分離されているので、与えられた熱はゲート電極１５０からゲート配線３０に熱伝導によって放熱されることはなく、ゲート電極１５０の温度を上昇させる。このため、ゲート電極１５０上の非晶質シリコン層１０６ａで発生した熱は、主に非晶質シリコン層１０６ａを溶融させて結晶化するために使われ、微結晶シリコン層１０６ｂの結晶粒径が大きくなり、移動度も大きくなる。 （もっと読む）

【課題】光によるＴＦＴのオフ電流の増加を抑制する。
【解決手段】基板１０ａに設けられたゲート電極１１ａａと、ゲート電極１１ａａを覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上にゲート電極１１ａａに重なるように島状に設けられた半導体層１３ａと、半導体層１３ａ上にゲート電極１１ａａにそれぞれ重なるように設けられたソース電極１４ａａ及びドレイン電極１４ｂａとを備えた薄膜トランジスタ５ａが画素Ｇ毎に設けられた薄膜トランジスタ基板２０であって、半導体層１３ａの周端は、ゲート電極１１ａａの周端よりも平面視で内側に位置している。 （もっと読む）

【課題】被処理基板上にトランジスター等の素子を歩留まりよく形成可能な電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被処理基板１０１の第１面１０１ａにＴＦＴ素子が形成される液晶装置１１の製造方法であって、第１面１０１ａから第２面１０１ｂに亘って導電膜７０を形成する工程と、第１面１０１ａの素子領域８２にレジストパターン８３を形成する工程と、レジストパターン８３をマスクとして、素子領域８２を除く領域の導電膜７０をエッチングして除去する工程と、レジストパターン８３を除去した後、残った導電膜７０をパターニングしてゲート電極を形成する工程と、を有し、エッチングして除去する工程は、第１面１０１ａの素子領域８２と重ならない領域に複数の支持部材８１を当接させて被処理基板１０１を支持しエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が低いながらも接触特性が良い接触部を含み、優れた接触特性を有する接触部を含む薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板と、ゲート線と、ゲート絶縁層と、半導体層と、データ線と、前記データ線と分離されているドレーン電極と、前記半導体層を覆っていて前記ドレーン電極を露出する第１接触孔、前記ゲート線の一部を露出する第２接触孔、前記データ線の一部を露出する第３接触孔を有する保護膜と、前記第１接触孔を通じて前記ドレーン電極と連結される画素電極と、前記第２接触孔を通じて前記ゲート線と連結されているゲート接触補助部材と、前記第３接触孔を通じて前記データ線に連結されるデータ接触補助部材とを含み、前記データ接触補助部材は凹凸を有することを特徴とする薄膜トランジスタ表示板を提供する。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造で表示ムラを低減することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１基板と、第１基板の一面側に設けられた複数の第１電極と、各々が複数の第１電極のいずれかと接続しており、第１基板の一面側に設けられた複数の第１配線と、一面側を第１基板の一面側と対向させて配置された第２基板と、第２基板の一面側に設けられた複数の第２電極と、各々が複数の第２電極のいずれかと接続しており、第２基板の一面側に設けられた複数の第２配線と、第１基板と第２基板との間に設けられた液晶層と、を含み、複数の第１配線31a,31bのうちのいずれか１つ以上の第１配線と複数の第２配線32a,32b,32cのうちの少なくとも１つ以上の第２配線とが平面視において部分的に重なることにより１つ以上の交差箇所が構成された、液晶表示装置1である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線の断線の修復が可能であり、かつ、配線の上の異物を除去した場合にも対応できるようにすることを目的とする。
【解決手段】表示装置は、隣同士の間隔をあけて並列する第１配線２４及び第２配線２６と、第１配線２４及び第２配線２６と重なる位置に配置された導電層３０と、第１配線２４及び第２配線２６と導電層３０との間に介在する絶縁層３２と、を有する。導電層３０は、第１配線２４と重なる第１重複部３６と、第２配線２６と重なる第２重複部３８と、第１重複部３６と第２重複部３８の間で第１重複部３６及び第２重複部３８を接続する接続部４０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗を維持しつつ、絶縁膜を構成するＳｉＮ膜や半導体膜におけるＳｉＮ層との密着性に優れると共に、エッチング時に良好にテーパ状にエッチングできるＣｕ合金膜を提供する。
【解決手段】絶縁膜および／または半導体膜と直接接触する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、上記ＳｉＮ膜やＳｉＮ層と直接接触する第一層と、該第一層上に形成される第二層とを含み、前記第一層は、窒素を０．４原子％以上５．０原子％未満含むと共に、Ｎｉ、Ａｌ、Ｚｎ、ＭｎおよびＦｅよりなる群から選択される１種以上の元素（Ｘ元素）を０．１〜０．５原子％、および／または、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｎｂ、ＭｏおよびＷよりなる群から選択される１種以上の元素（Ｚ元素）を０．１〜０．３原子％含み、かつ前記第一層の膜厚が２〜１００ｎｍである表示装置用Ｃｕ合金膜。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が高く、オン電流が大きい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に、ゲート電極と重畳して設けられた半導体層と、半導体層上の一部に設けられてソース領域及びドレイン領域を形成する不純物半導体層と、不純物半導体層上に設けられた配線層と、を有し、ソース領域及びドレイン領域の幅は、半導体層の幅よりも小さく、半導体層の幅は、少なくともソース領域とドレイン領域の間において拡大された薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）