【課題】表示部周辺の引き回し線が多層構造となっている液晶表示装置において、走査線
とソース配線との繋ぎ換え配線部の配置を見直すことにより、より狭額縁化を達成するこ
とができる液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】表示領域の周辺部の額縁領域ＰＦに、ゲート絶縁膜の下部に形成された複数
のゲート配線４１と、ゲート絶縁膜の上に形成された複数のソース配線４２と、を備え、
前記ゲート配線４１とソース配線４２との間の電気的接続を行う繋ぎ換え配線部５０を前
記コモン配線４０に形成した切り欠き部５４内に配置する。 （もっと読む）

【課題】 信号線に起因して生ずる光漏れを抑制し、コントラストに優れた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 アレイ基板２と対向基板３間に液晶層が挟持され、アレイ基板２上に各画素に対応してスイッチング素子が形成されるとともに、これらスイッチング素子に接続される信号線が形成されてなる液晶表示装置である。信号線の側壁の傾斜角度が画素領域と周辺回路領域とで異なり、画素領域における信号線２１の側壁２１Ａの傾斜角度θ１と、周辺回路領域における信号線３１の側壁３１Ａの傾斜角度θ２とが、θ１＜θ２なる関係にある。また、傾斜角度θ１は７５°以下、傾斜角度θ２は９０°以下である。 （もっと読む）

【課題】基板の大きさが大きくなっても信号遅延による問題が少なく、カラーフィルタが安定的に埋め込められる薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板は、絶縁基板と、絶縁基板上に形成され、ゲート電極を含むゲート線と、有機物質で形成され縦部を含む隔壁と、隔壁によって区画された領域に形成されたカラーフィルタと、ゲート電極を含み一部が隔壁上に形成される薄膜トランジスタと、ゲート線に交差し隔壁上で隔壁の縦部に沿って形成されるデータ線を含む。 （もっと読む）

【課題】視野角特性が改善され、開口率の向上が見込める液晶表示装置を提供する。
【解決手段】縦横方向に間隙を隔ててタイル状に配列された矩形状の表示電極８１、８２，８３と、上記矩形状の表示電極に対して信号を供給するための信号線７１，７２，７３とを有する駆動電極構造において、上記タイル状に配列された表示電極には、隣接する上記各表示電極間で互いに逆極性の信号が印加されている。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画像信号に乗る電磁ノイズを低減して高品位の画像表示を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板上に、走査線と、走査線と交差するデータ線と、画素毎に設けられた画素電極と、（ｉ）走査線に接続されたゲート電極、並びに（ｉｉ）データ線に接続されたソース領域、画素電極に接続されたドレイン領域、及びチャネル領域を有する半導体層を有する薄膜トランジスタと、半導体層及び画素電極間に積層され、ドレイン領域及び画素電極間を中継接続する中継配線と、データ線及び中継配線間に積層され、所定電位に保持される第１シールド層と、画素電極及び中継配線間に積層され、所定電位に保持される第２シールド層とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の表示品質を向上することが可能なアレイ基板、このアレイ基板の製造方法、及びこれを有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】アレイ基板は、互いに電気絶縁状態で交差するゲートライン及びデータラインと、ゲートライン及びデータラインに接続されるスイッチング素子とが形成される基板と、データライン及びゲートラインに沿って上側に形成されたアウトライン部と、データライン及びゲートラインと交差する方向に各々延長されてアウトライン部に接続され、アウトライン部によって定義された画素領域を複数のドメインに分割する複数の接続部と、各ドメインにおいて接続部の側面から突出されてアウトライン部に接続される複数のスリット部を含む画素電極と、データライン及びゲートラインの上部において、アウトライン部に沿って形成されてデータライン及びゲートラインを覆うように（ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ）、データラインとアウトライン部との間に形成された遮蔽電極とを含む （もっと読む）

【課題】高開口率化及び高精細化に対応した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】複数の走査線１２と、走査線を覆って形成した絶縁膜２１と、各走査線１２に交差する交差部１３Ｄを有する複数の信号線１３と、走査線と信号線とに隣接して配設した画素電極と、半導体層、ゲート絶縁膜、前記走査線に接続したゲート電極と、ドレイン電極１４ｂ及びソース電極１４ａの何れかで信号線に接続された一方の電極と、画素電極に接続されたドレイン電極及びソース電極の他方の電極と、ドレイン電極及びソース電極が信号線に沿う方向に直線状に配置された複数の薄膜トランジスタ１４と、第１の重ね合わせ部１７ａが交差部１３Ｄ上に重なり第２の重ね合わせ部１７ｃが一方の電極上に重なり一方の電極と信号線とを接続する複数の中継電極１７と、を具備し、中継電極の第１の重ね合せ部は走査線１２の幅方向の両側端部１２ｂ、１２ｃに対応する絶縁膜２１の段差部１３Ｅ，１３Ｄを覆う長さを有する。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗を低減しながらも、その製造工程数を低減する。
【解決手段】複数の配線１３の少なくとも一部は、金属ナノ粒子からなる第１導電層３１と、少なくとも一部が第１導電層３１に直接に積層された第２導電層３２とにより構成され、第２導電層３２は、第１導電層３１に接触して設けられたバリア層３３と、該バリア層３３に直接に積層された金属層３４とを有している。 （もっと読む）

【課題】層間載せ換え部の断線の恐れを軽減させた表示装置を提供すること
【解決手段】表示装置は、第１の電極膜が形成される第１の導電層と、第１の導電層上に設けられる第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に設けられ第２の電極膜が形成される第２の導電層と、第２の導電層上に設けられる第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層及び前記第１の絶縁層を貫通して前記第１の電極膜に至る１または複数の第１の孔と、前記第２の絶縁層を貫通して前記第２の電極膜に至る１または複数の第２の孔とを含む。前記第１の孔と前記第２の孔はあわせて少なくとも３つ以上であり、前記第１の孔及び前記第２の孔の前記少なくとも３つを接続する前記第２の絶縁層上の領域に導電膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】工程を単純化することのできる水平電界薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明による液晶表示装置は、基板上に形成されたゲートライン１０２と、ゲートライン１０２とゲート絶縁膜とを介して交差され画素領域を定義するデータライン１０４と、ゲート電極とソース電極とドレイン電極１１２及びソース電極とドレイン電極との間にチャネルを定義する半導体層を含む薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、基板上に形成された共通ライン１２０と、画素領域に形成された共通電極１２２及び画素領域に共通電極１２２と水平電界を形成するための画素電極１１８を含み、データライン１０４とソース電極及びドレイン電極が不透明導電パターン及び透明導電パターンを備え、画素電極１１８はドレイン電極の透明導電パターンが伸張され形成され、保護膜が透明導電パターンと境界を成し、透明導電パターンを除いた残りの領域に形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板とアレイ基板の断線修復方法に関する。
【解決手段】アレイ基板は、ゲートラインとデータラインに画成された幾つかの画素領域を備え、各画素領域は薄膜トランジスタと画素電極とを有し、隣接する画素領域の間に少なくとも２つのクロススティックが形成される。前記クロススティックは、一端が１つの画素領域における画素電極と重なり、他端がもう１つの画素領域における画素電極と重なり、中部がゲートラインと／又はデータラインと重なる。液晶ディスプレイ断線修復方法は、前記ゲートライン断点両側のゲートライン、又はデータライン断点両側のデータラインをクロススティックと画素電極を介して連結するステップと、レーザ切断方法により、前記画素電極に対応する薄膜トランジスタを失効させるステップとを備える。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】剥離しない上部配線膜を形成する。
【解決手段】
下部配線膜１１とコンタクトする部分や、ＳｉＮ層１２の表面に、インクジェット法によってＩｎ微粒子が分散された第一の印刷液を塗布し、焼成して酸化Ｉｎから成る無機接着膜１３を形成し、無機接着膜１３の表面にＡｇ微粒子が分散された第二の印刷液を塗布し、焼成して上部配線膜１４を形成する。無機接着膜１３は、下部配線膜１１表面のＭｏＮ層２３及びガラス基板１０上のＳｉＮ層１２と、上部配線膜１４と接着性が高いので、上部配線膜１４が剥離しない。 （もっと読む）

【課題】遮光膜の内部に発生する応力を原因とする不具合の発生を極力防止することによって、良好な動作を続行し得る電気光学装置を提供する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板上に、ＴＦＴ（３０）を構成する半導体層（１ａ）と、走査線及びデータ線と、走査線の上層側に積層され且つ半導体層を上側から覆う上側遮光膜（４００）と、半導体層に電気的に接続された画素電極（９ａ）と、二つの電極及びこれに挟持される誘電体膜からなる蓄積容量とを備えており、上側遮光膜は前記二つの電極の一方に共通電位を供給する容量配線としての機能を有するとともに走査線又はデータ線の延びる方向に沿って断続的に配置された島状部からなる（スリット４００Ｓ参照。）。 （もっと読む）

【課題】回位の発生を抑制し開口率及び透過率を向上させるフリンジフィールドスイッチングモードの液晶表示装置用アレイ基板及びこれを含むフリンジフィールドスイッチングモードの液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明のフリンジフィールドスイッチングモードの液晶表示装置用アレイ基板は、多数の開口部各々は、データ配線に平行な長軸とゲート配線に平行な短軸を有し、各開口部の中央部は、画素電極と重なって、各開口部の長軸の短側面の少なくとも一端は、画素電極の外側へと突出されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な表示品位を維持することが可能な信頼性の高い液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 アレイ基板２００は、アクティブエリア１２０に配置された第１信号配線ＳＧ１及び第１信号配線とは異なる電位の第２信号配線ＳＧ２を含む信号配線と、シール材１１０で囲まれた内側のアクティブエリア外の変換部ＴＬにおいて第１信号配線及び第２信号配線とそれぞれ電気的に接続された第１接続配線ＣＮ１及び第２接続配線ＣＮ２を含む接続配線と、を備えている。対向基板３００は、アクティブエリア外に延在し第１接続配線と第２接続配線とで挟まれる領域に対向する切欠部ＣＴが形成された対向電極３３０と、アクティブエリア外に配置され樹脂によって形成された遮光層ＢＭＸと、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】層間載せ換え部の断線の恐れを軽減させた表示装置を提供すること
【解決手段】表示装置は、第１の電極膜が形成される第１の導電層と、第１の導電層上に設けられる第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に設けられるとともに、第１の電極膜とは平面的に異なる位置に第２の電極膜が形成される第２の導電層と、第２の導電層上に設けられる第２の絶縁層とを含む。第２の絶縁層の表面には、第１の電極膜が露呈する第１の領域、第２の電極膜が露呈する第２の領域、及び第１の領域と第２の領域とを連絡する第３の領域をその内部に備える凹部が形成され、少なくとも第１から第３の領域に導電膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板側にＣＦを有するＬＣＤ用基板におけるＣＦの残渣や剥離を抑制して導通不良をなくす。
【解決手段】複数の画素領域にそれぞれ形成された画素電極とその画素電極を駆動するＴＦＴ２との間に形成されるパッシベーション膜１４を、ＳｉＮ層１４ａ，１４ｂ、ＳｉＯ層１４ｃの積層構造とし、その最上層をＳｉＯ層１４ｃとする。このような積層構造のパッシベーション膜１４上に樹脂ＣＦ層１５を形成する。樹脂ＣＦ層１５は、ＳｉＯ層１４ｃ上に直接形成されることにより、その密着力の低下が抑制され、樹脂ＣＦ層１５形成時にはＣＦの剥離が発生し難くなり、樹脂ＣＦ層１５へのコンタクトホール形成時にはＣＦの残渣が発生し難くなる。それにより、導通不良が抑制され、表示特性に優れた信頼性の高いＴＦＴ基板１およびＬＣＤが実現される。 （もっと読む）

【課題】純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金配線と半導体層との間のバリアメタル層を省略することが可能なダイレクトコンタクト技術であって、幅広いプロセスマージンの範囲においてＡｌ系合金配線を半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金膜とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Ａｌ系合金膜との間に、基板側から順に、窒素、炭素、およびフッ素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層と、ＡｌおよびＳｉを含むＡｌ−Ｓｉ拡散層との積層構造を含んでおり、且つ、前記（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層を構成する窒素、炭素、およびフッ素のいずれかの元素は、前記半導体層のＳｉと結合している。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜が対向電極から剥がれてしまうのを防止した液晶表示装置の提供。
【解決手段】いわゆるＩＰＳ型の液晶表示装置であって、
前記対向電極は、前記ゲート信号線、ドレイン信号線、および薄膜トランジスタを被って形成される有機絶縁膜上の少なくとも前記画素領域に形成された面状電極から構成され、
前記画素電極は、前記対向電極を被って形成されたシリコン窒化膜上の前記画素領域に前記対向電極に重畳されて並設する複数の線状電極から構成され、
前記シリコン窒化膜上に前記対向電極の一部を露出させて形成した孔をも被って前記シリコン窒化膜より透湿性のある材料層が形成され、
この材料層は、平面的に観た場合、前記ドレイン信号線と重ねられた部分を有して形成されている。 （もっと読む）

【課題】コンタクトおよび配線形成時の合わせマージンがゼロであり、集積度を大幅に向上し、パターンレイアウトの自由度の拡大を可能とする薄膜半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明絶縁性基板１０上に形成され、第１導電型の不純物を含むソース領域及びドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜及びゲート電極１８、前記ソース領域又はドレイン領域の表面に形成された高融点金属と半導体との化合物からなる層、前記島状半導体層及びゲート電極を覆う層間絶縁膜２９、及び前記ソース領域又はドレイン領域に接続された局所配線２８を具備し、前記局所配線２８は、前記ソース領域又はドレイン領域の表面に形成された前記化合物層と高融点金属層との２層構造、及び前記ソース領域又はドレイン領域の外側に形成された前記高融点金属層の延長からなることを特徴とする。 （もっと読む）