半導体装置

【課題】開口率の高い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた半導体層と、半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の導電層と第２の導電層とで積層されたゲート電極を含むゲート配線と、半導体層と前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、半導体層と電気的に接続され、第３の導電層と第４の導電層とで積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第１の導電層で形成され、ゲート配線は、第１の導電層と第２の導電層で形成され、ソース電極は、第３の導電層で形成され、ソース配線は、第３の導電層と第４の導電層で形成されている。

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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁面を有する基板上に設けられた半導体層と、
前記半導体層と電気的に接続された第１の電極又はドレイン電極を含む第１の配線と、
前記半導体層と前記第１の電極又はドレイン電極を覆うように形成された絶縁膜と、
前記半導体層上に前記絶縁膜を介して設けられた第２の電極を含む第２の配線とを有し、
前記第１の電極は、第１の導電層を有し、
前記第１の配線は、前記第１の導電層と第２の導電層を有し、
前記第２の電極は、第３の導電層を有し、
前記第２の配線は、前記第３の導電層と第４の導電層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁面を有する基板上に設けられた半導体層と、
前記半導体層と接続された第１の電極を含む第１の配線と、
前記半導体層と前記第１の電極を覆うように形成された絶縁膜と、
前記半導体層上に前記絶縁膜を介して設けられた第２の電極を含む第２の配線と、
第３の配線とを有し、
前記第１の電極は、第１の導電層を有し、
前記第１の配線は、前記第１の導電層と第２の導電層を有し、
前記第２の電極は、第３の導電層を有し、
前記第２の配線は、前記第３の導電層と第４の導電層を有し、
第３の配線は、第５の導電層と第６の導電層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の導電層及び前記第３の導電層は、透光性を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の導電層及び前記第４の導電層は、前記第１の導電層及び前記第３の導電層よりも導電率が高い半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２の導電層及び前記第４の導電層は、遮光性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第２の導電層は、前記第４の導電層とは異なる材料で形成されている半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第２の導電層はアルミニウム、タングステン、チタン、タンタル、モリブデン、ニッケル、白金、銅、金、銀、マンガン、ネオジム、クロム、アンチモン、ニオブ、セリウムから選ばれた一つ又は複数の元素を含む金属材料、金属化合物若しくは合金、又は該金属の窒化物で形成されている半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第４の導電層はアルミニウム、タングステン、チタン、タンタル、モリブデン、ニッケル、白金、銅、金、銀、マンガン、ネオジム、クロム、アンチモン、ニオブ、セリウムから選ばれた一つ又は複数の元素を含む金属材料、金属化合物若しくは合金、又は該金属の窒化物で形成されている半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記半導体層は、インジウム、ガリウム及び亜鉛を含む半導体装置。
【請求項１０】
絶縁面を有する基板上に、半導体層を形成し、
前記半導体層上に、第１の導電膜と第２の導電膜とを形成し、
前記第２の導電膜上に第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを用いて、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜を第１のエッチング工程によりエッチングして、第１の導電層と第２の導電層とを形成し、
前記第１のマスクをアッシングして第２のマスクを形成し、
前記第２のマスクを用いて、前記第２の導電層を第２のエッチング工程によりエッチングして、前記第１の導電層の一部を露出させ、
前記第１の導電層と、前記第２の導電層と、前記半導体層を覆うように絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第３の導電膜と第４の導電膜とを形成し、
前記第４の導電膜上に第３のマスクを形成し、
前記３のマスクを用いて、前記第３の導電膜と前記第４の導電膜を第３のエッチング工程によりエッチングして、第３の導電層と第４の導電層とを形成し、
前記第３のマスクをアッシングして第４のマスクを形成し、
前記第４のマスクを用いて、前記第４の導電層を第４のエッチング工程によりエッチングして、前記第３の導電層の一部を露出させる半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第１の導電層及び前記第３の導電層は、透光性を有する材料で形成する半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１において、
前記第２の導電層及び前記第４の導電層は、前記第１の導電層及び前記第３の導電層よりも導電率が高い材料で形成する半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一において、
前記第２の導電層及び前記第４の導電層は、遮光性を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

【図１】