【課題】耐圧および電流コラプス抑制性能をさらに向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】この電界効果トランジスタによれば、ゲート絶縁膜２０を、ストイキオメトリなシリコン窒化膜よりもシリコンの比率が高いシリコン窒化膜で作製されたコラプス抑制膜１８と上記コラプス抑制膜１８上に形成されたＳｉＯ_２絶縁膜１７とを有する複層構造とすることにより、耐圧を向上できるだけでなく、電流コラプスも抑制できる。 （もっと読む）

【課題】低温分散系機能性材料を用いて、微細空間内に空隙、隙間、または空洞のない機能部分を形成する方法を提供する。
【解決手段】熱溶解性を有する機能性微粉末５２を、液状分散媒５１中に分散させた分散系機能性材料５を、微細空間３内に充填する。次に、微細空間３内の液状分散媒５１を蒸発させる。次に、熱処理により機能性微粉末５２を熱溶解させた後、加圧しながら冷却する。 （もっと読む）

【課題】 高い導電性を実現できるとともに、基材上に形成された導体パターンの線幅の太りを低減することができる加熱硬化型導電性ペースト組成物を低コストで提供する。
【解決手段】 本発明に係る加熱硬化型導電性ペースト組成物は、（Ａ）銀粉末と、（Ｂ）加熱硬化性成分と、（Ｃ）硬化剤と、（Ｄ）溶剤と、必要に応じて（Ｅ）添加剤とを含有しており、さらに、レオメータで測定した貯蔵弾性率が１００Ｐａ〜４００Ｐａとなっている。これにより、高い導電性を実現しつつ高精細な導体パターンを低コストで形成することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】物理的な版を必要とせず、微細な導電パターンを形成でき、パターン変更に対して柔軟に対応できる配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明では、基板上に、エネルギー付与によって臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する工程と、前記濡れ性変化層に選択的にレーザ光を照射して、前記濡れ性変化層の臨界表面張力が高くなるように変化させた高表面エネルギー領域部を前記濡れ性変化層に形成する工程と、前記高表面エネルギー領域部に導電性インクを塗布し、前記高表面エネルギー領域部上に配線を形成する工程と、を有し、前記濡れ性変化層と前記高表面エネルギー領域部とには段差がなく、前記配線は前記高表面エネルギー領域部上に形成されていることを特徴とする配線の形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 高い導電性を実現できるとともに、基材上に形成された導体パターンの線幅の太りを低減することができ、より細線化に対応可能な加熱硬化型導電性ペースト組成物を低コストで提供する。
【解決手段】 本発明に係る加熱硬化型導電性ペースト組成物は、（Ａ）銀粉末、（Ｂ）加熱硬化性成分、（Ｃ）硬化剤および（Ｄ）溶剤を含有し、（Ｄ）溶剤として、（Ｄ−ａ）主溶剤のジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートと、１種類以上の（Ｄ−ｂ）副溶剤とを混合して成る混合溶剤が用いられ、（Ｄ−ｂ）副溶剤の沸点が２００℃〜３００℃の範囲内にあり、かつ、その溶解度パラメータが７．５〜１２．０の範囲内にある溶剤であり、混合溶剤の溶解度パラメータが８．０〜９．５の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】ナノインクに変質が生じ難く、ナノリスクが生じない、ナノインク塗布装置を提供する。
【解決手段】本発明のナノインク塗布装置１は、金属ナノ粒子または半導体ナノ粒子を合成する合成部２と、合成部２で合成された金属ナノ粒子または半導体ナノ粒子を精製し、金属ナノ粒子または半導体ナノ粒子を含むナノインクを調製する調製部３と、調製部３からナノインクが供給され、対象物にナノインクを塗布する塗布部４と、を備え、合成部２は、マイクロチャネルが形成されたマイクロリアクターを備え、塗布部４は、外気を遮断する筐体１５に覆われている。 （もっと読む）

【課題】基材との密着性が高く、かつ10^-6Ωcmオーダーの低い電気抵抗率を有する電極/配線を300℃以下の低温焼成で形成することができる導電性ガラスペーストを提供する。また、該導電性ガラスペーストを用いて電極/配線が形成された電気電子部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る導電性ガラスペーストは、無鉛ガラス粒子とAg粒子と有機溶剤とを含有する導電性ガラスペーストであって、前記導電性ガラスペーストは、更にAg₂O粒子を含有し、前記無鉛ガラス粒子は、成分を酸化物で表したときに、V₂O₅とAg₂OとTeO₂とを少なくとも含有し、軟化点が300℃以下であることを特徴とする。前記導電性ガラスペーストにおける配合割合は、Ag粒子100質量部に対して、Ag₂O粒子を10〜70質量部とし、無鉛ガラス粒子を10〜50質量部とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフで動作するとともに、高い耐圧と低いオン抵抗を具備した半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１では、ドレイン電極２１が第１ヘテロ接合面３２に形成される２次元電子ガス層に対して電気的に接続可能に構成されており、ソース電極２９が第１ヘテロ接合面３２に形成される２次元電子ガス層から電気的に絶縁可能に構成されているとともに第２ヘテロ接合面３４に形成される２次元電子ガス層に対して電気的に接続可能に構成されており、ゲート部２８が第２ヘテロ接合面３４に対向しており、導通電極２５が第１ヘテロ接合面３２及び第２ヘテロ接合面３４に形成される２次元電子ガス層の双方に対して電気的に接続可能に構成されている。第１ヘテロ接合面３２に形成される２次元電子ガス層の電子濃度は、第２ヘテロ接合面３４に形成される２次元電子ガス層の電子濃度よりも濃い。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性の向上を図る。
【解決手段】本発明の半導体装置は、（ａ）素子分離領域ＳＴＩにより囲まれた半導体領域３よりなる活性領域Ａｃに配置されたＭＩＳＦＥＴと、（ｂ）活性領域Ａｃの下部に配置された絶縁層ＢＯＸとを有する。さらに、（ｃ）活性領域Ａｃの下部において、絶縁層ＢＯＸを介して配置されたｐ型の半導体領域１Ｗと、（ｄ）ｐ型の半導体領域１Ｗの下部に配置されたｐ型と逆導電型であるｎ型の第２半導体領域２Ｗと、を有する。そして、ｐ型の半導体領域１Ｗは、絶縁層ＢＯＸの下部から延在する接続領域ＣＡを有し、ｐ型の半導体領域１Ｗと、ＭＩＳＦＥＴのゲート電極Ｇとは、ゲート電極Ｇの上部から接続領域ＣＡの上部まで延在する一体の導電性膜であるシェアードプラグＳＰ１により接続されている。 （もっと読む）

【課題】狭スペースへのシリコン膜の埋め込み性の向上を図る。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン膜の形成方法は、凹部２０の開口側からボトム側に向けてくぼんだくぼみ４０を有するアンドープの第１のシリコン膜３２を凹部２０に形成する工程を含む。また、前記シリコン膜の形成方法は、凹部２０内の第１のシリコン膜３２の一部を塩素を含むガスを用いてエッチングし、第１のシリコン膜３２に凹部２０のボトム側よりも開口側で幅が広い隙間４１を形成する工程を含む。また、前記シリコン膜の形成方法は、隙間４１に面する第１のシリコン膜３２の内壁に不純物を添加する工程を含む。また、前記シリコン膜の形成方法は、不純物の添加後、隙間４１を埋める第２のシリコン膜３３を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】電極と半導体基板が良好にオーミック接合している半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の電極形成面に、単原子の金属イオンを注入するイオン注入工程と、金属イオンが注入された半導体基板をアニール処理して半導体基板にシリサイド層を形成するアニール工程と、アニール工程の後に、半導体基板の電極形成面に電極を形成する電極形成工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】透明電極層との密着性に優れ且つ接触抵抗が小さい電極構造、及びその電極構造を備えた太陽電池等を提供する。
【解決手段】透明電極層５上にパターン状に設けられて導電性粒子及び高分子化合物を有する第１導電層６ａと、第１導電層６ａ上に設けられてバインダーとしての高分子化合物を有さずに導電性粒子を有する第２導電層６ｂとを備える電極構造６によって、上記課題を解決した。第２導電層６ｂは、粒径分布の異なる少なくとも２種類の導電性粒子群を含み、かつ該導電性粒子群の含有率が９９．０質量％超であることが好ましい。高分子化合物を１２０℃以上１８０℃未満で硬化する硬化剤とすることにより、カルコパイライト化合物半導体層を有する太陽電池の集電電極として好ましく用いることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体基板の裏面電極は、低コンタクト抵抗を実現するために、ニッケル等のシリサイド形成用メタル膜を堆積後、ＰＤＡとして摂氏１０００度程度の熱処理を必要とする。この熱処理を通常の熱処理やＲＴＡで実行する場合には、ウエハの表面側がアルミニウム等の融点を超えるため、アルミニウム膜等の形成前に実施しなければならないという制約がある。また、既存の紫外線レーザを用いたレーザアニールでは、コンタクト抵抗を十分に下げられないという問題がある。
【解決手段】本願の一つの発明は、ＳｉＣ基板の表面側にアルミニウム系メタル膜が形成された状態で、裏面にシリサイド形成用メタル膜を成膜し、この裏面に対してレーザビームによってシリサイド化処理を実行する半導体装置の製造方法であって、このレーザビームを、前記シリサイド形成用メタル膜を実質的に透過しない波長域に属する可視光とするものである。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減させ、オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】絶縁表面上の一対の電極と、一対の電極と接して設けられる酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含む半導体装置とする。さらに、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含ませる方法として、フッ素を含む雰囲気におけるプラズマ処理を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】高温環境下で半導体装置に長時間逆バイアスを与えた場合であってもリーク電流が増加したり耐圧が低下したりすることのない、スーパージャンクション構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ⁻型半導体層（第１導電型の半導体層）１１４と、活性領域Ｒ１に形成された複数の柱状埋込層１１８と、活性領域Ｒ１に形成されたショットキーバリアメタル層（第１電極層）１３２と、耐圧領域Ｒ２に形成された複数のガードリング層（環状柱状埋込層）１２４と、耐圧領域Ｒ２及び周辺領域Ｒ３に形成された絶縁層１３０とを備える、スーパージャンクション構造を有する半導体装置であって、周辺領域Ｒ３に形成された第２ガードリング層（第２環状柱状埋込層）１３６と、周辺領域Ｒ３に形成された環状導電層１４２とをさらに備える、スーパージャンクション構造を有する半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】 横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む半導体構造体を提供する。
【解決手段】 ＣＭＯＳ構造体などの半導体構造体が、横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む。横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極は、角度傾斜イオン注入法又は逐次積層法を用いて形成することができる。横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極は、非ドープ・チャネルの電界効果トランジスタ・デバイスに向上した電気的性能をもたらす。 （もっと読む）