【課題】ＴＦＴ型に適したコレステリック液晶表示素子の駆動方法およびコレステリック液晶装置の実現。
【解決手段】コレステリック液晶材料を含むアクティブマトリクス型液晶表示素子10と、液晶表示素子の画素に表示データに応じた電圧を印加する書込みを行う駆動制御回路21-23と、液晶表示素子の温度を検出する温度センサ35と、を有し、駆動制御回路は、表示データに対応する書込みを少なくとも１回行ない、同一の表示データの書込み回数を、検出した液晶表示素子の温度に応じて変化させる液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】結晶性の優れた酸化物半導体層を形成して電気特性の優れたトランジスタを製造
可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを目的の一つとす
る。
【解決手段】第１の加熱処理で第１の酸化物半導体層を結晶化し、その上部に第２の酸化
物半導体層を形成し、温度と雰囲気の異なる条件で段階的に行われる第２の加熱処理によ
って表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層の形成と酸素
欠損の補填を効率良く行い、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加
熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に再度酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素
を含む窒化物絶縁層を形成し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導
体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを
目的の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層に対して、窒素、または希ガス（アルゴン、ヘリウムなど）
の不活性気体雰囲気下、或いは減圧下で脱水化、又は脱水素化処理のための加熱処理を行
い、酸素、酸素及び窒素、又は大気（好ましくは露点−４０℃以下、より好ましくは−５
０℃以下）雰囲気下で加酸化処理のための冷却工程を行うことで高純度化及びＩ型化した
酸化物半導体層を形成する。該酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する半導体装
置を作製する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく
作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層、ソース領域及びドレイン領域を酸化物半
導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層
の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のため
の加熱処理）を行う。 （もっと読む）

【課題】ドレイン線と画素電極とが同層に形成されるＩＰＳ方式の液晶表示装置の開口率を向上させることが可能な技術を提供する。
【解決手段】映像信号が入力される複数のドレイン線と、走査信号が入力される複数のゲート線と、前記ドレイン線と同層に形成される画素電極と、前記走査信号に同期して前記映像信号を前記画素電極に供給する薄膜トランジスタと、を有する液晶表示装置であって、前記ゲート線は、走査ライン毎に２つの異なる前記走査タイミングの走査信号を出力する第１及び第２のゲート線からなり、前記第１及び第２のゲート線と前記ドレイン線とに囲まれる領域に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の３つの画素が並設されてなるカラー表示用の単位画素が形成され、前記単位画素毎に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の前記３つの画素がマトリクス状に配置される。 （もっと読む）

【課題】より高コントラスト化を可能とするブルー相を示す液晶材料を用いた液晶表示装置を提供することを目的の一とする。また、ブルー相を示す液晶を用いた液晶表示装置において、より低消費電力化を達成することを目的の一とする。
【解決手段】第１の基板と第２の基板とでブルー相を示す液晶層を挟持する液晶表示装置において、層間膜を介して画素電極層はトランジスタのドレイン電極層と、共通電極層はドレイン電極層と同工程で形成される導電層と電気的に接続する。画素電極層と共通電極層との間の層間膜は選択的に除去されて開口が形成されている。該開口には液晶が充填され液晶層が形成される。よって、液晶層において、画素電極層と共通電極層との間と、ドレイン電極層と導電層との間の開口の領域にも広く電界を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、安定した電気特性を有する信頼性のよい薄膜トランジスタを提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタのチャネル長が１．５μｍ以上１００μｍ以下、好ましくは３μｍ以上１０μｍ以下の範囲において、−２５℃以上１５０℃以下の動作温度範囲で、チャネル幅が１μｍあたりのオフ電流の値を１×１０^−１２Ａ以下とすることで、安定した電気特性を有する半導体装置を作製することができる。特に半導体装置の一態様である表示装置において、オフ電流の変動に起因する消費電力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】画像信号の入力頻度の向上を図ること。
【解決手段】液晶表示装置の画素部を複数の領域に分割し、該複数の領域毎に画像信号の入力を制御する。そのため、当該液晶表示装置は、同時に複数本の走査線を選択することが可能である。すなわち、当該液晶表示装置は、マトリクス状に配設された画素のうち、複数行に配設された画素に対して同時に画像信号を供給することが可能である。これにより、当該液晶表示装置が有するトランジスタなどの応答速度を変化させることなく、各画素に対する画像信号の入力頻度を向上させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極およびドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、該金属酸化膜を通過してハロゲン元素を導入（添加）し、加熱処理を行う。このハロゲン元素導入および加熱工程によって、水素、水分、水酸基または水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設けることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発生するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極及びドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、加熱処理を行う。この加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設けることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発生することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】横電界モードの液晶表示装置であって、表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板の上方に配置された画素電極及び対向電極と、を備えた第１基板と、第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板の前記第１基板と向かい合う側において前記第２絶縁基板の基板端部よりも内側で額縁状に形成された額縁部を有する第１遮光層と、前記第２絶縁基板の前記第１基板と向かい合う側に配置され前記第１遮光層から離間し前記第２絶縁基板の基板端部まで延在した第２遮光層と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、前記第１遮光層と前記第２遮光層との間を遮光する第３遮光層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】青色相液晶が封入される液晶層を有する液晶表示装置において、コントラスト比を向上させる。
【解決手段】第１の偏光板１４および第２の偏光板１５と、第１の偏光板１４および第２の偏光板１５の間に配置される第１の基板１２と、第１の偏光板１４および第２の偏光板１５の間に配置されて、第１の基板１２よりも第２の偏光板１５側に配置される第２の基板１３と、第１の基板１２および第２の基板１３の間に、青色相液晶が封入された液晶層２９と、液晶層に電圧を印加するための第１の電極および第２の電極と、を有し、液晶層２９は、電圧無印加時に旋光性を示し、液晶層２９の電圧無印加時における旋光角αは、０°＜｜α｜≦１５°を満たす、ことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】マルチギャップ構造を設けることなく反射表示及び透過表示が可能であるＴＢＡモードの液晶表示装置を提供する。
【解決手段】互いに対向配置された第一基板及び第二基板と、第一基板及び第二基板間に挟持された液晶層とを備え、画素領域内に、反射表示を行う反射領域と、透過表示を行う透過領域とが設けられた液晶表示装置であって、第一基板は、第一電極と、画素領域内において第一電極と平行に対向して配置された第二電極とを有し、液晶層は、ｐ型ネマチック液晶を含むとともに、第一電極及び第二電極間に生じる電界によって駆動され、ｐ型ネマチック液晶は、電圧無印加時に、第一基板及び第二基板面に対して垂直に配向し、反射領域における液晶層の厚みは、透過領域における液晶層の厚みと実質的に同じであり、反射領域における第一電極及び第二電極の間隔は、透過領域における第一電極及び第二電極の間隔と異なる液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】より高コントラスト化を可能とするブルー相を示す液晶材料を用いた液晶表示装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ブルー相を示す液晶層を含む液晶表示装置において、ブルー相を示す液晶層を対向する開口パターン（スリット）を有する第１の共通電極層及び第２の共通電極層と、開口パターンを有する画素電極層とで挟持する。画素電極層は第１の基板の液晶層側の面から液晶層に突出して設けられた構造体の上部に形成され、液晶層中において画素電極層は第１の共通電極層と第２の共通電極層との間に配置される。液晶表示装置のセルギャップを５μｍ未満（好ましくは１μｍ以上）とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタへの外部光の入射を遮光できるとともに、画素の開口率の向上を図った液晶表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置の画素領域における薄膜トランジスタＴＦＴはゲート電極ＧＴと前記ゲート電極ＧＴの上方に配置した半導体層ＡＳと、前記半導体層ＡＳの上層に配置したドレイン電極ＤＴおよびソース電極を有し、前記半導体層ＡＳは、ドレイン信号線ＤＬの延在方向においてゲート電極ＧＴの形成領域からはみ出して形成される延在部を有し、前記ゲート電極ＧＴは、ゲート信号線の延在方向において前記半導体形成領域からはみ出して形成されている。 （もっと読む）

【課題】高解像度による画素サイズの変化や各画素の既存ストレージ容量の変化によって補助ストレージ容量を形成することによって、全体的なストレージ容量を維持するか、または増加させて、画素品質を効果的に改善することができるＦＦＳモード液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下部基板と、上部基板と、前記基板の間に挿入された液晶層とを含み、下部基板にはゲートラインＧとデータライン６００によって各単位画素領域が規定され、交差部には、スイッチング素子が配置されており、液晶層に電界を掛けて光透過量を調節するために、画素領域内には、透明画素電極４００と、透明共通電極８００とを備え、また、透明補助容量電極１５０を備え、前記透明補助容量電極は、所定のコンタクトホールを介して前記下部基板外郭の非表示領域に形成された共通バスラインと電気的に接続され、共通バスラインには、前記透明共通電極が接続されている。 （もっと読む）

【課題】各画素毎に、液晶分子のチルト方向が異なる２つの領域が定常的に所定の面積比で形成されるようにし、安定した広い視野角を得る。
【解決手段】複数の画素電極3及びTFTを設けた第1基板1に、各画素電極3に夫々対応し、画素電極3の縁部の間に、画素電極3の一方の側と反対側とで逆向きの横電界e1,e2が生じる横電界生成電極12を設け、対向電極16を設けた第2基板2に、各画素30に夫々対応し、画素30を一方の側の第1領域31と反対側の第2領域32に区分するべく画素30の全長に延伸して直線状に形成し、画素電極3と対向電極16間に印加する電界強度を第1領域31と第2領域32の境界部で低下させる電界減衰手段19を設け、各画素30毎に書込み電界E1,E2の向きを、第1領域31で画素電極3から対向電極16に向かって一方の側に傾いた方向に歪ませ、第2領域32で画素電極3から対向電極16に向かって反対側に傾いた方向に歪ませる。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第１方向に並んだ各画素にそれぞれ配置された画素電極を備えたアレイ基板と、複数の画素電極に向かい合う対向電極を備えた対向基板と、アレイ基板と対向基板との間に保持され画素電極と対向電極との間に電界が形成されていない状態では基板主面に対して略垂直に配向する液晶分子を含む液晶層と、第１方向に隣接する２つの画素の間に配置され第１方向に直交する第２方向に延出するとともに２画素置きに配置された配向制御手段と、配向制御手段を挟む２つの画素の各々の画素電極に対して対向電極電位を基準として同極性の電圧を印加する電圧印加手段と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】幅広なコモン配線を採用してフォトリソグラフィー法によりスリットを形成して
も、コモン配線上に位置するスリット状開口が結合したり、隣接するスリット間に位置す
る帯状画素電極部分が細くなったり、切断されることがなくなるようにしたＦＦＳモード
の液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】コモン配線１７と平面視で重なる画素電極２２の重複部分２２Ａを挟んで隣
接する２つのスリット状開口間２２ＳＡ間の最短距離Ｌ１を、コモン配線１７と平面視で
重ならない画素電極２２部分の任意の２つの隣接するスリット状開口２２ＳＡないし２２
ＳＢ間の最短距離Ｌ２よりも長く（Ｌ１>Ｌ２）形成する。 （もっと読む）

【課題】開口率が向上した水平電界型液晶ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施例は水平電界型液晶ディスプレイ装置およびその製造方法に関し、第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟まれた液晶層、及び前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられた複数のスペーサーと、を備える当該水平電界型液晶ディスプレイ装置において、前記第１の基板は、複数の薄膜トランジスターと、前記複数の薄膜トランジスターを駆動するゲートライン及びデータラインを備え、前記第２の基板は、複数の画像電極、及び前記画像電極と対応し且つ水平電界を形成する共通電極を備え、前記スペーサーは前記第１の基板上の各前記画像電極と、第２の基板上の相応した各前記薄膜トランジスターをそれぞれ電気的に接続する導電スペーサーである。 （もっと読む）