【課題】低抵抗の微細配線構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】第１配線４２０は、半導体基板１００上に設けられている。第１ビア４４０は、第１配線４２０上に設けられている。また、第１ビア４４０の底面は、第１配線４２０に接している。第１絶縁層３３０は、半導体基板１００上に設けられ、少なくとも第１配線４２０の上面および第１ビア４４０の側面と接している。第１配線４２０および第１ビア４４０のうち各々の側面の少なくとも一部は、各々の金属の結晶粒を分断している。 （もっと読む）

【課題】良好な電気的特性が得られる不揮発性記憶素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の配線１０３と、第１の配線１０３上に形成され、第１の配線１０３に接続される第１のプラグ１０７及び第２のプラグ１０８と、第１電極１０９、第２電極１１３、及び抵抗変化層１１２を有し、第１のプラグ１０７上に形成され、第１電極１０９が第１のプラグ１０７と電気的に接続されている抵抗変化素子１１４と、抵抗変化素子１１４上に形成され、第２電極１１３と電気的に接続されている第２の配線１１９と、第２のプラグ１０８上に形成され、第２のプラグ１０８と電気的に接続されている第３の配線１２１とを備え、第１のプラグ１０７の上面と第２のプラグ１０８の上面とが略同一平面内に形成され、かつ第２の配線１１９の上面と第３の配線１２１の上面とが略同一平面内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】第１の溝への絶縁膜の埋設性が向上させて、埋設不良を軽減する。アライメントマークにおける埋設不良個所での応力集中がもたらす基板へのクラックを軽減する。
【解決手段】基板の第１の主面に、第１の溝、および前記第１の主面に対向して見た形状が環状となりかつ前記第１の溝よりも深い第２の溝を形成する工程と、第１の溝と第２の溝とを埋め込むように絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を形成する工程の後、基板の第１の主面にフォトレジスト膜を形成する工程と、絶縁膜で埋め込まれた第１の溝の基板上での位置を基準として位置合わせした第１のパターンをフォトレジスト膜に転写する工程と、絶縁膜で埋め込まれた環状の第２の溝の内側に位置する基板に、基板を厚さ方向に貫通する貫通電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜に、底面及び側面の形状を良好に保って配線溝を形成する技術が望まれている。
【解決手段】 基板の上に、仮のパターンを形成する。仮のパターンを囲むように、基板の上に層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜を形成した後、仮のパターンを除去する。仮のパターンが除去されることによって現れた凹部の側面及び底面に、第１のバリア膜及びシード膜を形成する。シード膜の上に、配線材料を堆積させることにより、凹部を配線材料で埋め込む。 （もっと読む）

【課題】微細な貫通孔を有する膜を形成することが可能な膜の製造方法、およびこの方法を用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、第１パターンの膜を基材へ形成する第１転写工程と、第１パターンの膜上に第２パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２転写工程とを備えた膜の製造方法。基板に、ＴＦＴ，絶縁膜および有機ＥＬ素子を順に形成する工程を含み、絶縁膜を形成する工程は、第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、第１パターンの膜を基材へ形成する第１転写工程と、第１パターンの膜上に第２パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２転写工程とを備えた表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線間の間隙又は配線の下面と基板の上面との間隙に、絶縁膜を埋設することが困難であった。
【解決手段】半導体装置１００の製造方法は、次の工程を含む。すなわち、基板上に絶縁層（絶縁層１０６）を形成する工程。絶縁層１０６の一部を選択的に除去して凹部（配線溝１０７及び配線溝１１０）を形成し、当該凹部内にバリアメタル膜１１２と金属膜１１４とをこの順で埋め込むことにより配線（配線１１５ａ、１１５ｂ）を形成する工程。配線（配線１１５ａ、１１５ｂ）を残しつつ、絶縁層１０６を除去する工程。絶縁層１０６を除去する前記工程後、下記の溶液を用いて、配線（配線１１５ａ、１１５ｂ）の周囲を埋設する層間絶縁層１１８を形成する工程。溶液は、シラン化合物と、界面活性剤からなるポロジェンと、シラン化合物の溶質濃度の増加に応じて、アルコールと比較して、シラン化合物を表面に析出させやすく、かつ増粘しにくいシーター溶媒（アルコール及び水を除く）と、を含むことにより特定される。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕめっきを用いることなくＰＶＤのみでトレンチまたはホールＣｕを埋め込んでＣｕ配線を形成すること。
【解決手段】ウエハＷに形成されたトレンチ２０３を有する層間絶縁膜２０２の全面にバリア膜２０４を形成する工程と、バリア膜２０４の上にＲｕ膜２０５を形成する工程と、Ｒｕ膜２０５の上にＰＶＤによりＣｕがマイグレーションする条件でトレンチ２０３内に第１のＣｕ膜２０６を形成する工程と、第１のＣｕ膜２０６の上に、第１のＣｕ膜２０６よりも大きな成膜速度でＰＶＤにより第２のＣｕ膜２０７を形成する工程と、ＣＭＰにより全面を研磨する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】段差を有する膜構造を高精度にエッチングするプラズマ処理装置またはドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空容器１０７と、この真空容器内部の処理室内に配置されその上面にエッチング対象のウェハ１１２が載せられる下部電極１１３と、下部電極１１３にバイアス電位を形成するための高周波電力を供給するバイアス印加装置１１８，１２０と、前記処理室内に反応性ガスを導入するガス供給手段１１１と、前記処理室内にプラズマを生成するための電界を供給する電界供給手段１０１〜１０３と、前記高周波電力により前記ウェハ１１２に入射する前記プラズマ中のイオンのエネルギーの分布を調節する調節装置１２７とを備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ合金層と半導体層との間に通常設けられるバリアメタル層を省略しても優れた低接触抵抗を発揮し得、さらに半導体層との密着性に優れており、且つ電気抵抗率が低減された配線構造を提供すること。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、Ｃｕ合金層とを備えた配線構造であって、前記Ｃｕ合金層は、基板側から順に、合金成分としてＭｎと、Ｘ（Ｘは、Ａｇ、Ａｕ、Ｃ、Ｗ、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｌ、ＳｎおよびＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種）を含有する第一層と、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって前記第一層よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなる第二層、とを含む積層構造である。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題
とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリン
ト技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形
状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶
縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成する
のではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太
さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール内にめっき層から成るコンタクト層を埋め込んで上下層の電気的接続を行うときの、コンタクト層の埋め込み性を良好にする構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】配線層１２，１６と、少なくとも底部において、三角形の平面形状であるコンタクトホール１４と、めっき層から成り、コンタクトホール１４の内部を埋めて形成され、配線層１２，１６に接続されたコンタクト層１５とを含む、半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】微細なトレンチまたはホール等の凹部にボイドを発生させずに確実にＣｕを埋め込むことができ、かつ低抵抗のＣｕ配線を形成すること。
【解決手段】ウエハＷに形成されたトレンチ２０３を有する層間絶縁膜２０２において、トレンチ２０３の表面にバリア膜２０４を形成する工程と、バリア膜２０４の上にＲｕ膜２０５を形成する工程と、Ｒｕ膜２０５の上に、加熱しつつ、ＰＶＤによりＣｕがマイグレーションするようにＣｕ膜２０６を形成してトレンチ２０３を埋める工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、銅合金配線とビアとの接続面に、窒素を含むバリヤメタル膜が形成されている構造を有する半導体装置であって、銅合金配線とビアとの間における電気抵抗の上昇を抑制することができる半導体装置等を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置では、第一の層間絶縁膜内に配設されており、主成分であるＣｕにＡｌを添加した第一の銅合金配線と、第一の層間絶縁膜上に形成される第二の層間絶縁膜と、第二の層間絶縁膜内に配設されており、主成分であるＣｕにＡｌを添加した第二の銅合金配線とを、備えている。そして、第二の銅合金配線のＡｌの濃度は、第一の銅合金配線の前記Ａｌの濃度未満である。 （もっと読む）

【課題】封止される被対象物に段差部を備えているが、封止部を設けた際に該段差部に起因したボイドの発生が抑制され、ひいては優れた耐食性を備える半導体装置と、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１は、導電性を有する剛体からなる基板２と、該基板の少なくとも一方の面に絶縁部３を介して配された導電部５と、該絶縁部及び該導電部を覆うように配された感光性樹脂からなるフィルム６と、を備えている。前記基板２は、一方の面に開口する凹部及び／又は貫通孔２ａを備え、該凹部及び／又は該貫通孔はその内部が略全域にわたって、前記フィルム６により充填されている形態をなす。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の金属配線を高信頼性化する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体装置は、第１の配線材、開口部、及び電極端子部が設けられる。第１の配線材は、半導体基板上の第１の層間絶縁膜上に設けられ、配線層として用いられる。開口部は、第１の配線材上に設けられた第２の層間絶縁膜をエッチングして形成される。電極端子部は、開口部及び開口部周囲の第２の層間絶縁膜上に設けられ、第１の配線材に接するバリアメタル膜、シードメタル膜、及び第２の配線材が開口部を覆うように積層形成され、第２の配線材の上部及び側面に被覆メタル膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、以上の点に鑑み、異種金属からなる導電層間に介在されるような場合でも十分なバリア性能を発揮し得るバリア層を生産性よく形成することができるバリア層の形成方法を提供する。
【解決手段】 バリア層ＢＭは、処理対象物Ｗを一方の導電層ＣＬ１を有するものとし、この処理対象物と、例えばＴｉ製のターゲット２とを真空処理室１ａ内に配置し、真空処理室内に希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして一方の導電層表面に第１金属層を形成し、真空処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、第１金属層の表面を酸窒化処理すると共に、ターゲットをもプラズマ雰囲気に曝して当該ターゲット表面を酸窒化し、真空処理室内に希ガスを更に導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第２金属層を形成してなる。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ法によって、Ｍ（ＢＨ_４）_４（Ｍは、Ｚｒ又はＨｆを意味する）を原料としてＭ／Ｚｒ比が適正範囲内で良質なＭＢ_ｘ膜（Ｍは前記と同じ意味を有し、ｘは１．８〜２．５の数を意味する）を成膜する。
【解決手段】ガス供給源１９から、ガス供給配管１５ａを介してＨ_２ガスを原料容器２１内に供給する。原料容器２１内では、導入されたＨ_２ガスとの接触によって、固体原料のＺｒ（ＢＨ_４）_４が気化する。そして、成膜ガスとしてのＨ_２ガスとＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスの混合ガスが、ガス供給配管１５ｃ，１５ｃ１、シャワーヘッド１１のガス拡散空間１２及びガス吐出孔１３を介して処理容器１内に導入され、ウエハＷ上の絶縁膜の表面を覆うように、ＺｒＢ_ｘ膜の薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】下層配線層と配線シード層との密着性を低下させないで高く維持することが可能な配線形成方法を提供する。
【解決手段】下層配線層４と絶縁性バリヤ層６と層間絶縁膜８と上層配線層が順次積層された被処理体に対して上層配線層と、連通配線層１６とを形成する配線形成方法において、絶縁性バリヤ層を残した状態で連通ホール９Ｂを形成し、連通ホール内に犠牲膜を埋め込み、トレンチ９Ａを形成するパターンマスク６２を形成する前処理工程と、トレンチを形成するトレンチ形成工程と、犠牲膜６０とパターンマスクとをアッシングするアッシング工程と、トレンチ内と連通ホール内に熱処理によりバリヤ層１０を形成するバリヤ層形成工程と、異方性エッチングにより連通ホールの底部のバリヤ層と絶縁性バリヤ層とを除去する異方性エッチング工程と、配線シード層１２を形成する配線シード層形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の歩留まりと信頼性を向上させる。
【解決手段】配線凹部に埋め込まれた部分以外のバリアメタル膜３ｂ上のＣｕ膜５ｂを化学機械研磨によって除去する。そして配線凹部内のＣｕ膜５ｂ上に、添加元素からなる層６ｂを形成する。添加元素を層６ｂからＣｕ膜５ｂ中に拡散させて、Ｃｕ表面、及びＣｕ結晶粒の粒界及び該粒界近傍の位置においてＣｕ結晶粒内部よりも添加元素の濃度が高い界面及びその近傍を形成するとともに、Ｃｕ膜５ｂ中の酸素を層６ｂにゲッタリングさせる。その後、余剰な層６ｂを除去し、さらに絶縁膜上のバリアメタル膜３ｂを除去する。 （もっと読む）

【課題】基材の内部に空隙を形成するための方法を提供する。
【解決手段】基材を用意する工程；少なくとも１つの犠牲材料前駆体の堆積によって犠牲材料を堆積する工程；複合層を堆積する工程；該複合層中のポロゲン材料を除去して多孔質層を形成する工程；及び積層基材を除去媒体と接触させて前記犠牲材料を実質的に除去し、前記基材の内部に空隙を与える工程を含み、前記少なくとも１つの犠牲材料前駆体が、有機ポロゲン、シリコン、極性溶媒に可溶な金属酸化物、及びそれらの混合物からなる群より選択される方法が提供される。 （もっと読む）