電気光学装置、電子機器
【課題】データ線の配線構造に起因する寄生容量によって生ずるスジ状の系列的な表示ムラが改善された電気光学装置、この電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置としての液晶装置１００は、画像信号が供給される画像信号線１１１と、データ線６ａと、データ線６ａと画像信号線１１１との間に電気的に接続され、画像信号をデータ線６ａに供給する第１および第２トランジスターとしてのサンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）７１と、を備え、Ｓ−ＴＦＴ７１のゲート電極とデータ線６ａとが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量が異なる少なくとも２種のＳ−ＴＦＴ７１を備えた。これにより、ゲート電極とデータ線６ａとの間に寄生容量が生じ、オーバーラップ量を異ならせることで、それぞれのデータ線６ａが構造的に有する寄生容量を調整することができ、スジ状の系列的な表示ムラを改善できる。
【解決手段】電気光学装置としての液晶装置１００は、画像信号が供給される画像信号線１１１と、データ線６ａと、データ線６ａと画像信号線１１１との間に電気的に接続され、画像信号をデータ線６ａに供給する第１および第２トランジスターとしてのサンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）７１と、を備え、Ｓ−ＴＦＴ７１のゲート電極とデータ線６ａとが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量が異なる少なくとも２種のＳ−ＴＦＴ７１を備えた。これにより、ゲート電極とデータ線６ａとの間に寄生容量が生じ、オーバーラップ量を異ならせることで、それぞれのデータ線６ａが構造的に有する寄生容量を調整することができ、スジ状の系列的な表示ムラを改善できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置として、基板上において行列状に配置された画素の列ごとに配線された信号線の本数がｎ本のとき、ｎ本の信号線のそれぞれに対してＮ（Ｎは２以上の整数）本を単位として、隣り合う２本ずつの信号線間に出力端が位置するように配置されたｎ／Ｎ本のビデオ線と、ビデオ線の出力端と２本ずつの信号線との間に接続されたスイッチ手段と、スイッチ手段のオンオフを切り替えるための複数のスイッチ制御線とを備えた表示装置が知られている（特許文献１）。
【０００３】
上記特許文献１の表示装置では、スイッチ制御線のそれぞれは、それぞれに対応するスイッチ手段と接続配線とを介して接続され、かつ全ての接続配線がビデオ線にオーバーラップする状態またはオーバーラップしない状態で形成されている。これにより、配線のレイアウトの対称性を確保しようとした場合、スイッチ制御線につながる接続配線とビデオ線とのカップリング容量が均一化されるので、該カップリング容量が異なることに起因して画面上で発生する縦スジ状のノイズを防止できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−３２２９５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１の表示装置では、信号線側から見るとビデオ信号と上記スイッチ手段としてのトランジスターのゲート信号の立ち上がりのタイミングを均一化できるが、信号線の寄生容量に起因するスジ状の系列的な表示ムラを解決することはできないという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例の電気光学装置は、画像信号が供給される画像信号線と、第１のデータ線と、第２のデータ線と、前記第１のデータ線と前記画像信号線との間に電気的に接続され、前記画像信号を前記第１のデータ線に供給する第１トランジスターと、前記第２のデータ線と前記画像信号線との間に電気的に接続され、前記画像信号を前記第２のデータ線に供給する第２トランジスターと、を備え、前記第１ランジスターのゲート電極と前記第１のデータ線とが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量と、前記第２トランジスターのゲート電極と前記第２のデータ線とが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量とが異なることを特徴とする。
【０００８】
複数のデータ線は、配線としてのレイアウト（配置）によって、それぞれのデータ線に生ずる寄生容量が必ずしも一定とならないことがある。それぞれのデータ線に生ずる寄生容量に起因してそれぞれのデータ線に供給される画像信号の電位が変動すると、当該データ線に沿って配列した複数の画素電極に亘ってスジ状の系列的な表示ムラが生じることがある。
この構成によれば、第１および第２トランジスターの半導体層上においてゲート電極とそれぞれのトランジスターに対応するデータ線とを重ねることで付加的に生じさせた寄生容量により、第１および第２トランジスターのＯＮ−ＯＦＦ時に半導体層を介してゲート電極と当該データ線との間に電荷の移動が生ずるフィードスルー現象が起る。これにより、当該データ線を介して画素電極に書き込まれる画像信号に応じた電位が低下することになる。したがって、例えば上記スジ状の系列的な表示ムラを生じさせている第１のデータ線と、第１のデータ線に隣り合う第２のデータ線とにそれぞれ対応する第１および第２トランジスターのゲート電極と当該データ線とのオーバーラップ量を異ならせることで、双方のデータ線から画素電極に供給される画像信号に応じた電位の差を緩和して、上記スジ状の表示ムラを目立ち難くすることができる。つまり、上記オーバーラップ量が異なる第１および第２トランジスターを少なくとも有することで、スジ状の系列的な表示ムラを改善できる。また、各トランジスターにおけるゲート電極とデータ線とのオーバーラップ量をそれぞれのデータ線に対応させて設定すれば、それぞれのデータ線が構造的に有する寄生容量の差を緩和することができるため、スジ状の系列的な表示ムラを低減して均一な表示品質を有する電気光学装置を提供できる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例の電気光学装置において、前記画像信号線は、前記第１トランジスターに電気的に接続された第１画像信号線と、前記第２トランジスターに電気的に接続された第２画像信号線と、を有し、前記第１トランジスターのゲート電極と前記第２トランジスターのゲート電極に、同相の選択信号を供給する選択信号供給手段を備えることを特徴とする。
この構成によれば、第１および第２トランジスターが同相の選択信号によりスイッチング制御され、第１のデータ線と第２のデータ線とにほぼ同時に画像信号が供給される相展開駆動が適用された電気光学装置において、画像信号線の系列内あるいは系列間における系列的な表示ムラを低減することができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例の電気光学装置において、前記第１トランジスターのゲート電極に電気的に接続され、且つ、第１選択信号が供給される第１選択信号供給線と、前記第２トランジスターのゲート電極に電気的に接続され、且つ、前記第１選択信号とは異なるタイミングで第２選択信号が供給される第２選択信号供給線と、前記第１選択信号及び前記第２選択信号を供給する選択信号供給手段と、を備えることを特徴とする。
この構成によれば、例えばハイビジョンなどの多数の画素を備えた電気光学装置において、同一タイミングで選択信号が供給されるデータ線の系列内あるいは異なるタイミングで第１選択信号と第２選択信号とが供給される異なる系列のデータ線の構造的な寄生容量に起因する系列的な表示ムラを低減することができる。
【００１１】
［適用例４］上記適用例の電気光学装置において、走査線と、前記走査線と前記第１のデータ線との交差に応じて設けられた第１画素と、前記走査線と前記第２のデータ線との交差に応じて設けられた第２画素と、を備え、前記第１画素は、奇数行に位置し、前記第２画素は偶数行に位置することを特徴とする。
この構成によれば、奇数行の第１画素に対応する第１のデータ線と、偶数行の第２画素に対応する第２のデータ線とにおいて、それぞれの配線構造に起因する寄生容量を調整して、奇数行と偶数行とにおける系列的な表示ムラを低減することができる。
【００１２】
［適用例５］上記適用例の電気光学装置において、前記第１のデータ線は、前記第２のデータ線の下層に位置し、前記第１トランジスターのゲート電極と前記第１のデータ線とが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量は、前記第２トランジスターのゲート電極と前記第２のデータ線とが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量よりも大きいことを特徴とする。
この構成によれば、例えば基板上において下層と上層とに重畳された第１のデータ線と第２のデータ線とにおいて、基板に近い方の第１のデータ線の構造的な寄生容量は、基板から遠い方の第２のデータ線の構造的な寄生容量に比べて小さくなる。それゆえに、基板に近い方の第１のデータ線に電気的に接続される第１トランジスターにおいてゲート電極と第１のデータ線とが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量を第２トランジスターのオーバーラップ量よりも大きくすることで、第１のデータ線の構造的な寄生容量を基板から遠い方の第２のデータ線に対して補正することができる。つまり、第１のデータ線と第２のデータ線のそれぞれに供給された画像信号に基づく電位を第２のデータ線を基準として第１のデータ線側を適正化できる。
【００１３】
［適用例６］上記適用例の電気光学装置において、前記第２トランジスターのゲート電極は、前記第２のデータ線と絶縁膜を介して重ならないように形成されることを特徴とする。
この構成によれば、第２トランジスターにおけるゲート電極と第２のデータ線とのオーバーラップ量が０（ゼロ）となるため、より簡素な構成で第１のデータ線と第２のデータ線とにおける構造的な寄生容量の差を低減できる。
【００１４】
［適用例７］本適用例の電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、スジ状の系列的な表示ムラが低減され、見栄えがよい表示が可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図。
【図２】（ａ）は液晶装置の主要な回路構成を示す回路図、（ｂ）は画素回路を示す等価回路図。
【図３】（ａ）はサンプリング回路におけるトランジスターの構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線で切ったトランジスターの概略断面図。
【図４】サンプリング回路の等価回路図。
【図５】第２実施形態の液晶装置における主要な回路構成を示す回路図。
【図６】第３実施形態の液晶装置における主要な回路構成を示す回路図。
【図７】投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１７】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００１８】
（第１実施形態）
本実施形態では、電気光学装置として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００１９】
＜液晶装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図１を参照して概略の構成を説明する。図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は、同図（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図である。
【００２０】
図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０および対向基板２０は、透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。
【００２１】
素子基板１０は対向基板２０よりも一回り大きく、両基板は、額縁状に配置されたシール材４０を介して接合され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。シール材４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２２】
額縁状に配置されたシール材４０の内側には、同じく額縁状に見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、見切り部２１の内側が複数の画素Ｐを有する画素領域Ｅとなっている。なお、画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１では図示省略したが、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部が設けられている。
【００２３】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材４０と該１辺部との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４０の内側に検査回路１０３が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４０の内側に走査線駆動回路１０２が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部のシール材４０の内側には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
【００２４】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と画素領域Ｅとの間のシール材４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００２５】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（Thin Film Transistor、以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。
【００２６】
対向基板２０の液晶層５０側の表面には、見切り部２１と、これを覆うように成膜された層間膜層２２と、層間膜層２２を覆うように設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４とが設けられている。
【００２７】
見切り部２１は、図１（ａ）に示すように平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置において額縁状に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００２８】
層間膜層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような層間膜層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００２９】
共通電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、層間膜層２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３０】
画素電極１５を覆う配向膜１８および共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、液晶分子に対して略水平配向処理が施されたものや、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、液晶分子に対して略垂直配向させたものが挙げられる。
【００３１】
このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００３２】
次に、図２〜図４を参照して、液晶装置１００の電気的な構成について説明する。図２（ａ）は液晶装置の主要な回路構成を示す回路図、同図（ｂ）は画素回路を示す等価回路図、図３（ａ）はサンプリング回路におけるトランジスターの構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’線で切ったトランジスターの概略断面図、図４はサンプリング回路の等価回路図である。
【００３３】
図２（ａ）に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０上の画素領域Ｅの周辺に位置する周辺領域に形成された、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、サンプリング回路７などの駆動回路と、外部接続用端子１０４及び静電保護回路４１０を有している。さらに、外部接続用端子１０４に接続された、データ線駆動回路１０１に電源（ＶＤＤＸ、ＶＳＳＸ）を供給するためのデータ線駆動回路用電源配線９１、データ線駆動回路１０１に駆動用の信号を供給するためのデータ線駆動回路用信号配線９２、走査線駆動回路１０２に電源（ＶＤＤＹ、ＶＳＳＹ）を供給するための走査線駆動回路用電源配線９４、走査線駆動回路１０２に駆動用の信号を供給するための走査線駆動回路用信号配線９５、画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）を供給するための複数の画像信号線１１１などを含む複数の引回配線を有している。
【００３４】
データ線駆動回路１０１には、外部回路から外部接続用端子１０４及びデータ線駆動回路用信号配線９２を介してＸクロック信号ＣＬＸ（及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸＢ）、及びＸスタートパルスＤＸが供給される。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ（及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸＢ）に基づくタイミングで、選択信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを順次生成して複数の選択信号供給線１２１にそれぞれ出力する。
【００３５】
走査線駆動回路１０２には、外部回路から外部接続用端子１０４及び走査線駆動回路用信号配線９５を介してＹクロック信号ＣＬＹ（及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹＢ）、Ｙスタートパルス信号ＤＹが供給される。走査線駆動回路１０２は、これらの信号に基づいて走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍを順次生成して複数の走査線３ａにそれぞれ出力する。
【００３６】
サンプリング回路７は、Ｎチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ、もしくは相補型のＴＦＴから構成された本発明における第１および第２トランジスターとしてのサンプリングトランジスター（以降、Ｓ−ＴＦＴと称する）７１を複数備えている。互いに隣り合う６本のデータ線６ａがそれぞれ接続された６個のＳ−ＴＦＴ７１のゲートは１つに纏められて１本の選択信号供給線１２１に接続されている。つまりデータ線駆動回路１０１から各選択信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが６個のＳ−ＴＦＴ７１を１つの単位（系列）として供給される。１つの単位（系列）を構成する６個のＳ−ＴＦＴ７１のソースには６本の画像信号線１１１のうちいずれかが接続されている。Ｓ−ＴＦＴ７１のドレインにはデータ線６ａが接続されている。サンプリング回路７は、選択信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが入力されると、１つの単位（系列）を構成する６個のＳ−ＴＦＴ７１に対応するデータ線６ａに選択信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎに応じて画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）を順次供給する。
【００３７】
静電保護回路４１０は、データ線駆動回路用電源配線９１、データ線駆動回路用信号配線９２、走査線駆動回路用電源配線９４、走査線駆動回路用信号配線９５の各々の途中に形成されている。静電保護回路４１０の具体的構成としては、例えばダイオード接続されたＴＦＴを介して、或いはダイオードを介してデータ線駆動回路用電源配線９１、データ線駆動回路用信号配線９２、走査線駆動回路用電源配線９４、走査線駆動回路用信号配線９５の各々が定電位の配線に接続された形式のものなど、既存の各種形式の静電保護回路を採用可能である。
【００３８】
図２（ａ）および（ｂ）に示すように、液晶装置１００には、前述したように、素子基板１０の中央部分を占める画素領域Ｅに、マトリックス状に配列された複数の画素Ｐを有している。
【００３９】
複数の画素Ｐには、それぞれ、画素電極１５と当該画素電極１５をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０と、保持容量１６とが形成されている。画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが供給される走査線３ａが当該ＴＦＴ３０のゲートに接続されている。画素電極１５と保持容量１６の一方の電極がＴＦＴ３０のドレインに接続されている。保持容量１６の他方の電極は走査線３ａと並行して配置された容量線３ｂに接続されている。容量線３ｂは、データ線６ａと並行に配置される、もしくはマトリックス状に配置されてもよく、固定電位（例えばＬＣＣＯＭ）に接続されている。
【００４０】
サンプリング回路７の６個を１つの単位（系列）としたＳ−ＴＦＴ７１に供給される選択信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、この順に順次に供給してもよいし、隣り合う６本のデータ線６ａに対応するＳ−ＴＦＴ７１に対して、系列ごとに供給するようにしてもよい。なお、図２（ａ）に示すように、本実施形態においては、選択信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎは、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）の夫々に対応して、６本のデータ線６ａの組に対してグループ（系列）ごとに供給されるよう構成されている。画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）の相展開数（即ち、シリアル−パラレル展開される画像信号の系列数）に関しては、６相に限られるものでなく、例えば、９相、１２相、２４相など、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給されるように構成してもよい。
【００４１】
走査線３ａには走査線駆動回路１０２から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが、この順に順次印加される構成となっている。前述したように、画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，ＧｍによってＴＦＴ３０が一定期間だけＯＮ状態となり、データ線６ａから供給される画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）が画素電極１５に所定のタイミングで書き込まれる。
さらに、各画素Ｐに保持された画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）がリークするのを防ぐために、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に保持容量１６が付加されている。
【００４２】
画素電極１５を介して液晶層５０（図１（ｂ）参照）に書き込まれた所定レベルの画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）は、対向基板２０に形成された共通電極２３との間で一定期間保持される。液晶層５０は、印加される電圧レベルにより液晶分子の配向や秩序が変化することにより、液晶層５０を透過する光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少して暗表示となり、ノーマリーブラックモードであれば、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加して明表示となり、全体として液晶装置１００からは画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）に応じたコントラストをもつ表示光が射出され、表示が行われる。なお、画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）は、液晶層５０を交流駆動するために基準電位に対して正の極性を有する電位パルスと負の極性を有する電位パルスとが組み合わされて構成される。
【００４３】
上記のような液晶装置１００の駆動方式は相展開駆動方式と呼ばれている。画素領域Ｅにおいて、複数の走査線３ａや複数の容量線３ｂと交差するように配置された複数のデータ線６ａは、これらの走査線３ａや容量線３ｂとの相対的な配置関係によって構造的に必ずしも一定の寄生容量を有するとは限らない。また、複数のデータ線６ａを形成したときのそれぞれのレイアウトによっても寄生容量がばらつくおそれがある。相展開駆動方式では、特に、特許第４０４４９６１号公報の図１５のように、サンプリング回路、選択信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを供給する配線や画像信号線は、展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に応じて配線や回路がレイアウトされ、この組を単位に駆動する。したがって、この組の中で寄生容量がばらつくおそれがある。例えば、特定のデータ線６ａにおける構造的な寄生容量が隣り合うデータ線６ａに比べて電気的に著しく大きいまたは小さいと、隣り合うデータ線６ａ間で画像信号に応じて供給される電位に差が生じ、結果的に特定のデータ線６ａに沿って配列した複数の画素電極１５の列に亘って書き込まれる電位が変化するので、スジ状の系列的な表示ムラが生ずることがあった。発明者は、サンプリング回路７におけるＳ−ＴＦＴ７１の構成を工夫することで、このようなスジ状の系列的な表示ムラを改善できることを見出した。
【００４４】
以降、図３〜図４を参照して、サンプリング回路７のサンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）７１の構成について説明する。
図３（ａ）に示すように、Ｓ−ＴＦＴ７１は、平面視で略矩形状の半導体層７１ａを有している。半導体層７１ａの上面に第２絶縁膜１２ｂ（ゲート絶縁膜）を介して選択信号供給線１２１が重なり合って配置されており、半導体層７１ａと選択信号供給線１２１とが重なり合った部分がＳ−ＴＦＴ７１のゲート電極７１ｇとして機能している。データ線６ａと画像信号線１１１とは、Ｓ−ＴＦＴ７１のチャネル幅方向に沿って半導体層７１ａと重なり合うと共に、Ｓ−ＴＦＴ７１のチャネル長方向においてゲート電極７１ｇを挟むように並列に配置されている。データ線６ａは半導体層７１ａと重なる部分において線幅が本線に比して拡張されており、その一部がゲート電極７１ｇと重なり合っている。図３（ａ）および（ｂ）に示した寸法Ｌは、ゲート電極７１ｇとデータ線６ａの拡張部分とのオーバーラップ量を示している。
画像信号線１１１は、半導体層７１ａのＳ−ＴＦＴ７１のチャネル幅方向に沿って配置された複数のコンタクトホールＣＮＴ１を介して半導体層７１ａの第１ソース・ドレイン領域に接続され、半導体層７１ａと重なった部分がソース電極７２として機能している。
データ線６ａは、半導体層７１ａの同じくＳ−ＴＦＴ７１のチャネル幅方向に沿って配置された複数のコンタクトホールＣＮＴ２を介して半導体層７１ａの第２ソース・ドレイン領域に接続され、半導体層７１ａと重なった部分がドレイン電極７３として機能している。
【００４５】
図３（ｂ）に示すように、Ｓ−ＴＦＴ７１の半導体層７１ａは、素子基板１０上において、遮光部１１を覆う第１絶縁膜１２ａ上に形成されている。遮光部１１は、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄなどの高融点金属の単体、これらの高融点金属から選ばれる合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したものなどを採用することができる。第１絶縁膜１２ａは、例えばＣＶＤ法を用いて形成された酸化シリコンなどからなる無機絶縁膜である。
半導体層７１ａは、例えばポリシリコンからなり、不純物イオンを選択的に注入することで形成されたＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を採用することができる。具体的には、チャネル領域７１ｃと、チャネル領域７１ｃを挟む第１ソース・ドレイン領域７１ｓおよび第２ソース・ドレイン領域７１ｄと、第１ソース・ドレイン領域７１ｓとチャネル領域７１ｃとの間に形成された接続領域７１ｅと、チャネル領域７１ｃと第２ソース・ドレイン領域７１ｄとの間に形成された接続領域７１ｆとを有している。
【００４６】
半導体層７１ａを覆って例えば酸化シリコンなどからなる第２絶縁膜１２ｂ（ゲート絶縁膜）が形成される。第２絶縁膜１２ｂのチャネル領域７１ｃと重なるように選択信号供給線１２１が形成され、ゲート電極７１ｇとして機能している。選択信号供給線１２１は、例えばポリシリコンやＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕなどの低融点金属、Ｗ、Ｔｉなどの高融点金属の単体、これらの高融点金属から選ばれる合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したものなどを採用することができる。ゲート電極７１ｇを覆って例えば酸化シリコンなどからなる本発明における絶縁膜としての第３絶縁膜１２ｃが形成される。
【００４７】
第２絶縁膜１２ｂおよび第３絶縁膜１２ｃの第１ソース・ドレイン領域７１ｓと重なる部分にコンタクトホールＣＮＴ１が形成され、同じく第２ソース・ドレイン領域７１ｄと重なる部分にコンタクトホールＣＮＴ２が形成される。これらのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２を埋めるようにして、例えばＡｌなどの低抵抗導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ１を介して第１ソース・ドレイン領域７１ｓに電気的に接続された画像信号線１１１が形成される。同様にして、コンタクトホールＣＮＴ２を介して第２ソース・ドレイン領域７１ｄに電気的に接続されたデータ線６ａが形成される。このとき、データ線６ａは、ゲート電極７１ｇに対してオーバーラップ量Ｌを有して重なり合うようにパターニング形成される。
【００４８】
上記のように、オーバーラップ量Ｌを有してデータ線６ａとゲート電極７１ｇとを第３絶縁膜１２ｃを介して重ねることにより、図４に示すように、サンプリング回路７のＳ−ＴＦＴ７１において、データ線６ａ（ドレイン電極７３）とゲート電極７１ｇとの間に寄生容量Ｃ１を生じさせることができる。この寄生容量Ｃ１により、Ｓ−ＴＦＴ７１のＯＮ−ＯＦＦ時に半導体層７１ａを介してゲート電極７１ｇとデータ線６ａとの間に電荷の移動が生ずるフィードスルー現象が起る。これにより、データ線６ａと画素Ｐのスイッチング素子であるＴＦＴ３０とを介して画素電極１５に書き込まれる画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）に応じた電位が低下することになる。
【００４９】
したがって、例えばスジ状の系列的な表示ムラを生じさせているデータ線６ａ（第１のデータ線）と、該データ線６ａに隣り合うデータ線６ａ（第２のデータ線）とにそれぞれ対応する２つのＳ−ＴＦＴ７１のゲート電極７１ｇとデータ線６ａとのオーバーラップ量Ｌを異ならせることで、双方のデータ線６ａから画素電極１５に供給される画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）に応じた電位の差を緩和して、スジ状の系列的な表示ムラを目立ち難くすることができる。また、Ｓ−ＴＦＴ７１におけるゲート電極７１ｇとデータ線６ａとのオーバーラップ量Ｌ、つまり寄生容量Ｃ１の電気容量をそれぞれのデータ線６ａに対応させて設定すれば、それぞれのデータ線６ａが構造的に有する寄生容量の差を補って緩和することができるため、スジ状の系列的な表示ムラが低減され均一な表示品質を実現することができる。
【００５０】
例えば、ゲート電極７１ｇとして機能する選択信号供給線１２１の線幅を５μｍとしたときに、上記オーバーラップ量Ｌを０．５μｍ以上、５．０μｍ以下の寸法で設定することで、第３絶縁膜１２ｃを介して寄生容量Ｃ１が構成される。構成される寄生容量Ｃ１の値は、第３絶縁膜１２ｃの誘電率と膜厚、およびオーバーラップした面積に依存し、第３絶縁膜１２ｃは、例えば熱ＣＶＤやプラズマＣＶＤを用いて形成されたシリコン酸化膜であり、その膜厚は２００ｎｍから１μｍである。上記のような構成において、オーバーラップ量Ｌを設定することで、オーバーラップさせない場合に比べて、ゲート電極７１ｇとデータ線６ａとの間の寄生容量Ｃ１を増大させることができ、それぞれのデータ線６ａが構造的に有する寄生容量の差を補って緩和することができる。即ち、ゲート電極７１ｇ以外の配線、例えば容量線３ｂとの間の寄生容量が、他のデータ線６ａよりも小さいデータ線６ａに接続されたドレイン電極７３に、所望のオーバーラップ量Ｌを設定することで、フィードスルー現象を助長し、書込み後の電位を他のデータ線６ａと同等に揃える事が可能になる。また例えば、レイアウト上でゲート電極７１ｇの配線との寄生容量が、他のデータ線６ａよりも小さいデータ線６ａに接続されたドレイン電極７３に、所望のオーバーラップ量Ｌを設定することでも、書込み後の電位を他のデータ線６ａと同等に揃える事が可能になる。
【００５１】
なお、このようなＳ−ＴＦＴ７１における寄生容量Ｃ１の設定方法は、前述した相展開駆動における画像信号の系列（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）のそれぞれにおいて同相で駆動されるデータ線６ａに電気的に接続されるＳ−ＴＦＴ７１のうち、少なくとも１つのＳ−ＴＦＴ７１のオーバーラップ量Ｌが他のＳ−ＴＦＴ７１に対して異なるように設定すれば、その効果を引き出すことができる。言い換えれば、液晶装置１００は、ゲート電極７１ｇとデータ線６ａとが第３絶縁膜１２ｃを介して重なるオーバーラップ量Ｌが異なる少なくとも２種以上のＳ−ＴＦＴ７１を有する。
オーバーラップ量Ｌが異なるとは、一方のＳ−ＴＦＴ７１においてオーバーラップ量Ｌが「０」つまり、ゲート電極７１ｇとデータ線６ａとが重なり合っていないものも含んでいてもよい。例えば、Ｓ−ＴＦＴ７１の上記オーバーラップ量Ｌが「０」の特定のデータ線６ａにおける構造的な寄生容量を基準として、他のデータ線６ａにおける構造的な寄生容量との間に差が生じないように、他のデータ線６ａに接続されるＳ−ＴＦＴ７１の寄生容量Ｃ１の大きさを調整してもよい。
【００５２】
このようにデータ線６ａごとの構造的な寄生容量を調整する方法として、データ線６ａごとに付加容量を接続させる方法も考えられる。しかしながら、付加容量を形成するには、付加容量を形成するスペースを素子基板１０上に確保する必要がある。また、付加容量を構成する一対の電極と、該一対の電極に挟まれた誘電体層とを形成する必要があり、液晶装置１００の設計や製造が複雑になる。さらには、画素領域Ｅに延在するデータ線６ａの末端側に付加容量を形成すると、製造工程中に発生した静電気等の影響を受け易く、最悪の場合には付加容量が静電気によって破壊され、例えば電気的に短絡状態となってしまうことがある。本実施形態におけるＳ−ＴＦＴ７１に寄生容量Ｃ１を形成する構成は、上記のような付加容量の問題を回避して、データ線６ａごとの構造的な寄生容量を調整することが可能である。
【００５３】
以上に述べた前記実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）液晶装置１００は、６本を１つの単位（系列）としたデータ線６ａがサンプリング回路７の６個のＳ−ＴＦＴ７１にそれぞれ接続され、データ線６ａごとに画像信号線１１１から供給される画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）が選択的に供給される。Ｓ−ＴＦＴ７１におけるゲート電極７１ｇとデータ線６ａとのオーバーラップ量Ｌを異ならせてデータ線６ａが構造的に有する寄生容量の値を調整することが可能であるため、データ線６ａの構造的な寄生容量に起因するスジ状の系列的な表示ムラを目立たなくすることができる。つまり、スジ状の系列的な表示ムラが低減され、見栄えのよい表示品質を有する相展開駆動方式の液晶装置１００を提供することができる。
（２）Ｓ−ＴＦＴ７１のゲート電極７１ｇとデータ線６ａとの間に付加的に寄生容量Ｃ１を形成して、データ線６ａが構造的に有する寄生容量を調整可能であるため、データ線６ａごとに付加容量を接続させて構造的な寄生容量を調整する場合に比べて、簡単な構成で且つ静電気などに対して耐性を有し、効率的に且つ歩留まりよく液晶装置１００を製造することができる。
【００５４】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の液晶装置について、図５を参照して説明する。図５は第２実施形態の液晶装置における主要な回路構成を示す回路図である。第２実施形態における液晶装置は、第１実施形態の液晶装置１００に対して、複数のデータ線６ａの駆動方式を異ならせたものである。したがって、液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略するものとする。
【００５５】
図５に示すように、本実施形態の液晶装置２００は、素子基板１０側の画素領域Ｅにおいて、複数の走査線３ａと複数のデータ線６ａとにより区分され、マトリックス状に配置された複数の画素Ｐを有している。また、画素Ｐを駆動する駆動回路としての半導体集積回路（ＩＣ）２０１と、走査線駆動回路２０２と、マルチプレクサー回路２０７とを備えている。また、外部接続用端子１０４に接続された選択信号供給手段としての半導体集積回路２０１から選択信号（ＳＥＬ１〜ＳＥＬ８）が供給される複数（８本）の選択信号供給線２０８を有している。なお、図５では半導体集積回路２０１と選択信号供給線２０８とを繋ぐ配線を図示省略している。
【００５６】
マルチプレクサー回路２０７は、複数のデータ線６ａのそれぞれに対応する複数のサンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）７１を有している。複数のデータ線６ａは、選択信号供給線２０８の本数を単位としてブロック化（系列化）されている。以降、ブロック化（系列化）された複数（８本）のデータ線６ａをデータ線群６ａｇと呼ぶこととする。
【００５７】
例えば、左側のデータ線群６ａｇでは、ブロック化（系列化）された８本のデータ線６ａはそれぞれＳ−ＴＦＴ７１のドレインに接続されている。８個のＳ−ＴＦＴ７１のソースに接続された配線は１つに纏められて、半導体集積回路（以降、単にＩＣと称することもある）２０１から供給される画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤｎ）のうち画像信号ＶＩＤ１が供給される画像信号線２１１に接続されている。８個のＳ−ＴＦＴ７１のゲートのそれぞれには、選択信号供給線２０８が供給される選択信号（ＳＥＬ１〜ＳＥＬ８）の順に左側から接続されている。つまり、選択信号供給線２０８の本数を単位として、複数のデータ線６ａがブロック化（系列化）され、データ線群６ａｇごとに１の画像信号線２１１が接続されて、選択信号（ＳＥＬ１〜ＳＥＬ８）に基づいて時分割で駆動される構成となっている。なお、右側のデータ線群６ａｇにおいても同様な構成となっている。このような駆動方式は、走査線駆動回路２０２は素子基板１０に形成されているが、半導体集積回路２０１は外付けのＩＣで構成されていることから、ハイブリッド駆動方式と呼ばれている。
【００５８】
例えば、６４０×４８０の画素Ｐの構成では、６４０本のデータ線６ａと４８０本の走査線３ａとを有し、６４０本のデータ線６ａが８本ずつブロック化（系列化）されるので、画像信号線２１１の数は８０本となり、ＩＣ２０１からは画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ８０）が供給される。走査線駆動回路２０２は、ある１フレーム（第ｎフレーム）の期間にわたって走査信号Ｇ１，…，Ｇ４８０を１水平期間毎に順次排他的にＨレベル（即ち、選択電圧）とする。
【００５９】
ここで、１水平期間では、半導体集積回路２０１から供給される選択信号ＳＥＬ１〜ＳＥＬ８は、この順番で排他的にＨレベルとなり、この供給に合わせてＩＣ２０１は、画像信号線２１１に画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ８０を供給する。画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ８０は、１、２、３、…、８０番目のデータ線群６ａｇのそれぞれにおける、８系列のデータ線６ａに対応して８系列に時系列化されたデータ電圧を有する。マルチプレクサー回路２０７においては、８系列の選択信号ＳＥＬ１〜ＳＥＬ８に応じて、Ｓ−ＴＦＴ７１により画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ８０のそれぞれの時系列化されたデータ電圧はそれぞれ時分割され、各データ線群６ａｇにおける８系列のデータ線６ａに振り分けられる。
【００６０】
詳細には、ＩＣ２０１は、ｊ行目の走査信号Ｇｊ（ｊ＝１、…、４８０）がＨレベルとなる期間において、選択信号ＳＥＬ１がＨレベルとなったとき、ｊ行目走査線３ａと第１系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素Ｐの階調に応じた電圧だけ対向基板２０の共通電極２３の電位（ＬＣＣＯＭ）に対して高位または低位の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ８０）を、１、２、３、…、８０番目のデータ線群６ａｇに対応させて一斉に出力する。この際、選択信号ＳＥＬ１だけがＨレベルであるので、第１系列のデータ線６ａが選択され（即ち、第１系列のデータ線６ａに対応するＳ−ＴＦＴ７１だけがＯＮとなり）、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ８０は、それぞれ第１系列（１、９、…、６３３列目）のデータ線６ａに供給される。一方、走査信号ＧｊがＨレベルであると、ｊ行目に位置する画素Ｐのすべてにおいて、画素Ｐのスイッチング用のＴＦＴ３０がＯＮ状態となるので、第１系列のデータ線６ａに供給された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ８０は、それぞれｊ行１列、ｊ行９列、…、ｊ行６３３列の画素電極１５に印加されることになる。
【００６１】
次に、ＩＣ２０１は、選択信号ＳＥＬ２がＨレベルとなったとき、今度はｊ行目の走査線３ａと第２系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素Ｐの階調に応じた電圧の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ８０を、１、２、３、…、８０番目のデータ線群６ａｇに対応させて一斉に出力する。この際、選択信号ＳＥＬ２だけがＨレベルであるため、第２系列のデータ線６ａが選択され、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ８０は、それぞれ第２系列（２、１０、…、６３４列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｊ行２列、ｊ行１０列、…、ｊ行６３４列の画素電極１５に印加されることになる。
【００６２】
同様にして、ｊ行目の走査信号ＧｊがＨレベルとなる期間において、選択信号ＳＥＬ３〜ＳＥＬ８の選択状態に応じて、ｊ行目の走査線３ａと第３〜第８系列のデータ線６ａとの交差に対応してそれぞれの画素Ｐの階調に応じた電圧の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ８０を、それぞれ１、２、３、…、８０番目のデータ線群６ａｇに対応させて一斉に出力する。これにより、第３系列〜第８系列のデータ線６ａに順次画像信号に基づく電位が供給されて、ｊ行の対応する列の画素電極１５に印加される。
【００６３】
これにより、ｊ行目の画素Ｐに対して、階調に応じた画像信号の電圧を書き込む動作が完了する。尚、画素電極１５に印加された電圧は、走査信号ＧｊがＬレベル（非選択電圧）になっても、液晶容量によって次の第（ｎ＋１）フレームの書き込みまで保持されることになる。
【００６４】
このようなハイブリッド駆動が適用された液晶装置２００において、例えばデータ線群６ａｇの各Ｓ−ＴＦＴ７１のゲート電極７１ｇとデータ線６ａとを第３絶縁膜１２ｃを介して重ね合わせて寄生容量Ｃ１（図４参照）を形成し、系列内でオーバーラップ量Ｌを異ならせる。これにより、データ線群６ａｇが本来構造的に有する寄生容量に起因して生ずるスジ状の系列的な表示ムラを低減することができる。また例えば、走査線３ａの延在方向において隣り合うデータ線群６ａｇにおいて、ブロックの境界に位置して系列が異なるデータ線６ａに接続されるＳ−ＴＦＴ７１の上記オーバーラップ量Ｌを異ならせることにより、ブロックの境界において発生するスジ状の系列的な表示ムラを低減することができる。さらには、データ線群６ａｇを単位として上記オーバーラップ量Ｌを異ならせれば、データ線群６ａｇを単位として発生するスジ状の系列的な表示ムラに対しても改善が可能である。
【００６５】
このような液晶装置２００によれば、スジ状の系列的な表示ムラが低減され、見栄えのよい表示品質を有するハイブリッド駆動方式の液晶装置２００を提供することができる。
【００６６】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態の液晶装置について、図６を参照して説明する。図６は第３実施形態の液晶装置における主要な回路構成を示す回路図である。第３実施形態の液晶装置は、第２実施形態のハイブリッド駆動方式をハイビジョン（画素数；１９２０×１０８０）の略４倍の画素数を有する４ｋ２ｋ、所謂スーパーハイビジョンに適用した例である。ただし、図６では、主要部分の回路構成を示し、すべての画素Ｐに亘る回路構成は示されていない。第２実施形態の液晶装置２００と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。
【００６７】
図６に示すように、液晶装置３００は、素子基板１０側の画素領域において、複数の走査線と複数のデータ線とが交差して区分され、マトリックス状に配置された複数（４０９６×２１６０）の画素Ｐを有する。複数（２１６０本）の走査線は、データ線が延在する方向において奇数番の走査線３ａ１と、偶数番の走査線３ａ２とからなる。また、複数のデータ線は、奇数番の走査線３ａ１に対応して設けられた第１のデータ線６ａ１と、偶数番の走査線３ａ２に対応して設けられた第２のデータ線６ａ２とからなる。行方向（図６では走査線の延在方向）において隣り合う画素Ｐの間に、第１のデータ線６ａ１と第２のデータ線６ａ２とが延在している。列方向（図６ではデータ線の延在方向）において隣り合う画素Ｐの間に奇数番あるいは偶数番の走査線と容量線３ｂとが延在している。容量線３ｂは固定電位（例えばＬＣＣＯＭ）に接続されている。
【００６８】
複数の第１のデータ線６ａ１は、選択信号供給線の本数を単位としてブロック化（系列化）され、ブロックごとに設けられたマルチプレクサー回路３０７ａ，３０７ｃのサンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）７１にそれぞれ接続されている。例えば、マルチプレクサー回路３０７ａでは、各Ｓ−ＴＦＴ７１のドレインに第１のデータ線６ａ１がそれぞれ接続され、各Ｓ−ＴＦＴ７１のゲートに選択信号（ＳＥＬ１−１〜ＳＥＬ１−８）が供給される選択信号供給線が順に接続されている。各Ｓ−ＴＦＴ７１のソースに接続された接続配線は１つに纏められて画像信号ＶＩＤｎ−１が供給される画像信号線に接続されている。
同じく、例えば、マルチプレクサー回路３０７ｃでは、各Ｓ−ＴＦＴ７１のドレインに第１のデータ線６ａ１がそれぞれ接続され、各Ｓ−ＴＦＴ７１のゲートに選択信号（ＳＥＬ３−１〜ＳＥＬ３−８）が供給される選択信号供給線が順に接続されている。各Ｓ−ＴＦＴ７１のソースに接続された接続配線は１つに纏められて画像信号ＶＩＤ１が供給される画像信号線に接続されている。つまり、マルチプレクサー回路３０７ａとマルチプレクサー回路３０７ｃとの間には、ブロック化（系列化）された第１データ線群の数に応じたマルチプレクサー回路が設けられている。
【００６９】
第１のデータ線６ａ１と平行して延在する第２のデータ線６ａ２は、同じく選択信号供給線の本数を単位としてブロック化（系列化）され、ブロックごとに設けられたマルチプレクサー回路３０７ｂ，３０７ｄのサンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）７１にそれぞれ接続されている。例えば、マルチプレクサー回路３０７ｂでは、各Ｓ−ＴＦＴ７１のドレインに第２のデータ線６ａ２がそれぞれ接続され、各Ｓ−ＴＦＴ７１のゲートに選択信号（ＳＥＬ２−１〜ＳＥＬ２−８）が供給される選択信号供給線が順に接続されている。各Ｓ−ＴＦＴ７１のソースに接続された接続配線は１つに纏められて画像信号ＶＩＤｎが供給される画像信号線に接続されている。
同じく、例えば、マルチプレクサー回路３０７ｄでは、各Ｓ−ＴＦＴ７１のドレインに第２のデータ線６ａ２がそれぞれ接続され、各Ｓ−ＴＦＴ７１のゲートに選択信号（ＳＥＬ４−１〜ＳＥＬ４−８）が供給される選択信号供給線が順に接続されている。各Ｓ−ＴＦＴ７１のソースに接続された接続配線は１つに纏められて画像信号ＶＩＤ２が供給される画像信号線に接続されている。つまり、マルチプレクサー回路３０７ｂとマルチプレクサー回路３０７ｄとの間には、ブロック化（系列化）された第２データ線群の数に応じたマルチプレクサー回路が設けられている。
【００７０】
液晶装置３００は、上記回路構成を有し、奇数番の走査線３ａ１に対応する第１のデータ線６ａ１がブロック化（系列化）された第１データ線群を第１系列とし、偶数番の走査線３ａ２に対応する第２のデータ線６ａ２がブロック化（系列化）された第２データ線群を第２系列としてそれぞれ時系列的に駆動される。
【００７１】
液晶装置３００のマルチプレクサー回路３０７ａ，３０７ｂ，３０７ｃ，３０７ｄにおいて、図３に示したように、各サンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）７１のゲート電極７１ｇと第１のデータ線６ａ１とを第３絶縁膜１２ｃを介して平面視で重ねてオーバーラップ量Ｌを有する寄生容量Ｃ１（図４参照）を形成する。同じく、ゲート電極７１ｇと第２のデータ線６ａ２とを第３絶縁膜１２ｃを介して平面視で重ねてオーバーラップ量Ｌを有する寄生容量Ｃ１（図４参照）を形成する。
【００７２】
第１のデータ線６ａ１や第２のデータ線６ａ２がそれぞれ構造的に有する寄生容量の差を、上記オーバーラップ量Ｌを異ならせてそれぞれ調整することにより、緩和することができる。つまり、該寄生容量に起因するスジ状の系列的な表示ムラを改善できる。
【００７３】
このような第１のデータ線６ａ１や第２のデータ線６ａ２がそれぞれ構造的に有する寄生容量の差の緩和は、第２実施形態で延べたように１つのデータ線群内で上記オーバーラップ量Ｌが異なるように実施されてもよいし、隣り合うデータ線群の境に位置するデータ線において上記オーバーラップ量Ｌが異なるように実施されてもよい。また、データ線群を単位としてデータ線群間において上記オーバーラップ量Ｌが異なるように実施されてもよい。
【００７４】
さらには、液晶装置３００の場合、同一の表示列（図６ではデータ線の延在方向の列）を構成する複数の画素Ｐに対して、第１系列の第１のデータ線６ａ１と第２系列の第２のデータ線６ａ２とが対応しているため、第１系列と第２系列との間で上記オーバーラップ量Ｌが異なるように実施して、系列間におけるデータ線群の寄生容量の差を緩和することもできる。
【００７５】
また例えば、第１系列と第２系列のうちの一方の系列において上記オーバーラップ量Ｌを確保し、他方の系列では上記オーバーラップ量Ｌを「０」すなわち、ゲート電極７１ｇと当該データ線とを重ね合わせないようにして寄生容量の差を緩和してもよい。このようにすれば、第１系列と第２系列との間のデータ線群における寄生容量の差を簡便に緩和することができる。
【００７６】
また、液晶装置３００における画素領域つまり画面の大きさを一定とすると、スーパーハイビジョンの表示を行わせるにあたり画素Ｐの配置ピッチは、ハイビジョンに比べて小さくなる。配置ピッチが小さくなった隣り合う画素Ｐの隙間に、第１のデータ線６ａ１と第２のデータ線６ａ２とを配置する方法として、素子基板１０上において、例えば、先に第１のデータ線６ａ１を画素Ｐ間に配置した後に、層間絶縁膜を介して第２のデータ線６ａ２を第１のデータ線６ａ１に対して重畳（スタック）して配置する方法が挙げられる。このような第１のデータ線６ａ１と第２のデータ線６ａ２の配置によれば、第１系列と第２系列との間のデータ線群における寄生容量の差が生じ易くなる。すると、奇数番の走査線３ａ１に係る複数の画素Ｐ（第１画素）と偶数番の走査線３ａ２に係る複数の画素Ｐ（第２画素）とにおいて、それぞれのデータ線群の寄生容量の差に起因して印加される画像信号に基づく電位に差が生じ、走査線の延在方向にスジ状の系列的な表示ムラが発生する。このような場合には、素子基板１０に近い側つまり下層に位置する第１のデータ線６ａ１に接続されるＳ−ＴＦＴ７１のゲート電極７１ｇと第１のデータ線６ａ１とを重ね合わせて寄生容量Ｃ１を形成し、素子基板１０から遠い側つまり上層に位置する第２のデータ線６ａ２に接続されるＳ−ＴＦＴ７１のゲート電極７１ｇと第２のデータ線６ａ２とを重ね合わせないようにして、第１のデータ線６ａ１と第２のデータ線６ａ２との構造的な寄生容量の差を緩和することが好ましい。言い換えれば、上層に位置する第２のデータ線６ａ２に印加される画像信号に応じた電位を基準として、下層に位置する第１のデータ線６ａ１に印加される画像信号に基づいた電位を適正化することができる。これは、上層に位置する第２のデータ線６ａ２の構造に起因する寄生容量よりも、下層に位置する第１のデータ線６ａ１の構造に起因する寄生容量の方が小さいので、第１のデータ線６ａ１に接続されるＳ−ＴＦＴ７１のゲート電極７１ｇと第１のデータ線６ａ１とを重ね合わせて寄生容量Ｃ１を形成して、上記構造に起因する寄生容量を補正することが好ましいからである。
【００７７】
上記第３実施形態によれば、第１系列と第２系列のデータ線群における寄生容量に起因するスジ状の系列的な表示ムラが改善され、画素領域において均一な表示品質が得られるスーパーハイビジョンの表示が可能な液晶装置３００を提供できる。
【００７８】
（第４実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図７を参照して説明する。図７は投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００７９】
図７に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００８０】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００８１】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００８２】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００８３】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００８４】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００８５】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、スジ状の系列的な表示ムラが低減され高い表示品質を有する液晶装置１００を用いているので、見栄えのよい表示品質が実現されている。なお、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記第２実施形態の液晶装置２００や上記第３実施形態の液晶装置３００を用いることもできる。
【００８６】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置および該電気光学装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００８７】
（変形例１）半導体層７１ａ上においてゲート電極７１ｇとデータ線の一部とが重なったオーバーラップ量Ｌが異なる少なくとも２種のサンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）７１を有する相展開駆動方式の液晶装置１００、同じくハイブリッド駆動方式の液晶装置２００、ハイブリッド駆動方式のスーパーハイビションに対応した液晶装置３００の各主要回路構成は、これに限定されない。例えば、画像信号が供給される画像信号線の本数、選択信号が供給される選択信号供給線の本数などは、画素数と駆動方式とに対応して適宜選択することができる。
また、走査線の延在方向において隣り合う画素Ｐの隙間に第１のデータ線６ａ１と第２のデータ線６ａ２とを重畳（スタック）して配置する配線構造は、液晶装置３００に限定されず、液晶装置１００や液晶装置２００においても適用することができる。
【００８８】
（変形例２）半導体層７１ａ上においてゲート電極７１ｇとデータ線６ａとが重なったオーバーラップ量Ｌが異なる少なくとも２種のサンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）７１を備える液晶装置１００の構成は、透過型に限定されない。例えば、画素電極１５が光反射性を有する例えばＡｌ（アルミニウム）などから構成された反射型の液晶装置に対しても本発明を適用することができる。
【００８９】
（変形例３）半導体層７１ａ上においてゲート電極７１ｇとデータ線６ａとが重なったオーバーラップ量Ｌが異なる少なくとも２種のサンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）７１を備える電気光学装置の構成は、受光型の液晶装置１００，２００，３００に限定されない。例えばマトリックス状に配置された複数の画素Ｐに有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子などの発光素子を備えた自発光型の表示装置にも本発明を適用することができる。
【００９０】
（変形例４）液晶装置１００，２００，３００を適用可能な電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００９１】
３ａ…走査線、３ａ１…奇数番の走査線、３ａ２…偶数番の走査線、６ａ…データ線、６ａ１…第１のデータ線、６ａ２…第２のデータ線、１０…基板としての素子基板、１２ｃ…絶縁膜としての第３絶縁膜、１５…画素電極、３０…薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、７１…第１および第２トランジスターとしてのサンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）、７１ａ…半導体層、７１ｇ…ゲート電極、１００…電気光学装置としての液晶装置、１０１…選択信号供給手段としてのデータ線駆動回路、１１１…画像信号線、１２１…選択信号供給線、２００…液晶装置、２０１…半導体集積回路、２０８…選択信号供給線、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｌ…オーバーラップ量。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置として、基板上において行列状に配置された画素の列ごとに配線された信号線の本数がｎ本のとき、ｎ本の信号線のそれぞれに対してＮ（Ｎは２以上の整数）本を単位として、隣り合う２本ずつの信号線間に出力端が位置するように配置されたｎ／Ｎ本のビデオ線と、ビデオ線の出力端と２本ずつの信号線との間に接続されたスイッチ手段と、スイッチ手段のオンオフを切り替えるための複数のスイッチ制御線とを備えた表示装置が知られている（特許文献１）。
【０００３】
上記特許文献１の表示装置では、スイッチ制御線のそれぞれは、それぞれに対応するスイッチ手段と接続配線とを介して接続され、かつ全ての接続配線がビデオ線にオーバーラップする状態またはオーバーラップしない状態で形成されている。これにより、配線のレイアウトの対称性を確保しようとした場合、スイッチ制御線につながる接続配線とビデオ線とのカップリング容量が均一化されるので、該カップリング容量が異なることに起因して画面上で発生する縦スジ状のノイズを防止できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−３２２９５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１の表示装置では、信号線側から見るとビデオ信号と上記スイッチ手段としてのトランジスターのゲート信号の立ち上がりのタイミングを均一化できるが、信号線の寄生容量に起因するスジ状の系列的な表示ムラを解決することはできないという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例の電気光学装置は、画像信号が供給される画像信号線と、第１のデータ線と、第２のデータ線と、前記第１のデータ線と前記画像信号線との間に電気的に接続され、前記画像信号を前記第１のデータ線に供給する第１トランジスターと、前記第２のデータ線と前記画像信号線との間に電気的に接続され、前記画像信号を前記第２のデータ線に供給する第２トランジスターと、を備え、前記第１ランジスターのゲート電極と前記第１のデータ線とが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量と、前記第２トランジスターのゲート電極と前記第２のデータ線とが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量とが異なることを特徴とする。
【０００８】
複数のデータ線は、配線としてのレイアウト（配置）によって、それぞれのデータ線に生ずる寄生容量が必ずしも一定とならないことがある。それぞれのデータ線に生ずる寄生容量に起因してそれぞれのデータ線に供給される画像信号の電位が変動すると、当該データ線に沿って配列した複数の画素電極に亘ってスジ状の系列的な表示ムラが生じることがある。
この構成によれば、第１および第２トランジスターの半導体層上においてゲート電極とそれぞれのトランジスターに対応するデータ線とを重ねることで付加的に生じさせた寄生容量により、第１および第２トランジスターのＯＮ−ＯＦＦ時に半導体層を介してゲート電極と当該データ線との間に電荷の移動が生ずるフィードスルー現象が起る。これにより、当該データ線を介して画素電極に書き込まれる画像信号に応じた電位が低下することになる。したがって、例えば上記スジ状の系列的な表示ムラを生じさせている第１のデータ線と、第１のデータ線に隣り合う第２のデータ線とにそれぞれ対応する第１および第２トランジスターのゲート電極と当該データ線とのオーバーラップ量を異ならせることで、双方のデータ線から画素電極に供給される画像信号に応じた電位の差を緩和して、上記スジ状の表示ムラを目立ち難くすることができる。つまり、上記オーバーラップ量が異なる第１および第２トランジスターを少なくとも有することで、スジ状の系列的な表示ムラを改善できる。また、各トランジスターにおけるゲート電極とデータ線とのオーバーラップ量をそれぞれのデータ線に対応させて設定すれば、それぞれのデータ線が構造的に有する寄生容量の差を緩和することができるため、スジ状の系列的な表示ムラを低減して均一な表示品質を有する電気光学装置を提供できる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例の電気光学装置において、前記画像信号線は、前記第１トランジスターに電気的に接続された第１画像信号線と、前記第２トランジスターに電気的に接続された第２画像信号線と、を有し、前記第１トランジスターのゲート電極と前記第２トランジスターのゲート電極に、同相の選択信号を供給する選択信号供給手段を備えることを特徴とする。
この構成によれば、第１および第２トランジスターが同相の選択信号によりスイッチング制御され、第１のデータ線と第２のデータ線とにほぼ同時に画像信号が供給される相展開駆動が適用された電気光学装置において、画像信号線の系列内あるいは系列間における系列的な表示ムラを低減することができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例の電気光学装置において、前記第１トランジスターのゲート電極に電気的に接続され、且つ、第１選択信号が供給される第１選択信号供給線と、前記第２トランジスターのゲート電極に電気的に接続され、且つ、前記第１選択信号とは異なるタイミングで第２選択信号が供給される第２選択信号供給線と、前記第１選択信号及び前記第２選択信号を供給する選択信号供給手段と、を備えることを特徴とする。
この構成によれば、例えばハイビジョンなどの多数の画素を備えた電気光学装置において、同一タイミングで選択信号が供給されるデータ線の系列内あるいは異なるタイミングで第１選択信号と第２選択信号とが供給される異なる系列のデータ線の構造的な寄生容量に起因する系列的な表示ムラを低減することができる。
【００１１】
［適用例４］上記適用例の電気光学装置において、走査線と、前記走査線と前記第１のデータ線との交差に応じて設けられた第１画素と、前記走査線と前記第２のデータ線との交差に応じて設けられた第２画素と、を備え、前記第１画素は、奇数行に位置し、前記第２画素は偶数行に位置することを特徴とする。
この構成によれば、奇数行の第１画素に対応する第１のデータ線と、偶数行の第２画素に対応する第２のデータ線とにおいて、それぞれの配線構造に起因する寄生容量を調整して、奇数行と偶数行とにおける系列的な表示ムラを低減することができる。
【００１２】
［適用例５］上記適用例の電気光学装置において、前記第１のデータ線は、前記第２のデータ線の下層に位置し、前記第１トランジスターのゲート電極と前記第１のデータ線とが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量は、前記第２トランジスターのゲート電極と前記第２のデータ線とが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量よりも大きいことを特徴とする。
この構成によれば、例えば基板上において下層と上層とに重畳された第１のデータ線と第２のデータ線とにおいて、基板に近い方の第１のデータ線の構造的な寄生容量は、基板から遠い方の第２のデータ線の構造的な寄生容量に比べて小さくなる。それゆえに、基板に近い方の第１のデータ線に電気的に接続される第１トランジスターにおいてゲート電極と第１のデータ線とが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量を第２トランジスターのオーバーラップ量よりも大きくすることで、第１のデータ線の構造的な寄生容量を基板から遠い方の第２のデータ線に対して補正することができる。つまり、第１のデータ線と第２のデータ線のそれぞれに供給された画像信号に基づく電位を第２のデータ線を基準として第１のデータ線側を適正化できる。
【００１３】
［適用例６］上記適用例の電気光学装置において、前記第２トランジスターのゲート電極は、前記第２のデータ線と絶縁膜を介して重ならないように形成されることを特徴とする。
この構成によれば、第２トランジスターにおけるゲート電極と第２のデータ線とのオーバーラップ量が０（ゼロ）となるため、より簡素な構成で第１のデータ線と第２のデータ線とにおける構造的な寄生容量の差を低減できる。
【００１４】
［適用例７］本適用例の電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、スジ状の系列的な表示ムラが低減され、見栄えがよい表示が可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図。
【図２】（ａ）は液晶装置の主要な回路構成を示す回路図、（ｂ）は画素回路を示す等価回路図。
【図３】（ａ）はサンプリング回路におけるトランジスターの構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線で切ったトランジスターの概略断面図。
【図４】サンプリング回路の等価回路図。
【図５】第２実施形態の液晶装置における主要な回路構成を示す回路図。
【図６】第３実施形態の液晶装置における主要な回路構成を示す回路図。
【図７】投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１７】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００１８】
（第１実施形態）
本実施形態では、電気光学装置として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００１９】
＜液晶装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図１を参照して概略の構成を説明する。図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は、同図（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図である。
【００２０】
図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０および対向基板２０は、透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。
【００２１】
素子基板１０は対向基板２０よりも一回り大きく、両基板は、額縁状に配置されたシール材４０を介して接合され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。シール材４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２２】
額縁状に配置されたシール材４０の内側には、同じく額縁状に見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、見切り部２１の内側が複数の画素Ｐを有する画素領域Ｅとなっている。なお、画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１では図示省略したが、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部が設けられている。
【００２３】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材４０と該１辺部との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４０の内側に検査回路１０３が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４０の内側に走査線駆動回路１０２が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部のシール材４０の内側には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
【００２４】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と画素領域Ｅとの間のシール材４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００２５】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（Thin Film Transistor、以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。
【００２６】
対向基板２０の液晶層５０側の表面には、見切り部２１と、これを覆うように成膜された層間膜層２２と、層間膜層２２を覆うように設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４とが設けられている。
【００２７】
見切り部２１は、図１（ａ）に示すように平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置において額縁状に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００２８】
層間膜層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような層間膜層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００２９】
共通電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、層間膜層２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３０】
画素電極１５を覆う配向膜１８および共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、液晶分子に対して略水平配向処理が施されたものや、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、液晶分子に対して略垂直配向させたものが挙げられる。
【００３１】
このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００３２】
次に、図２〜図４を参照して、液晶装置１００の電気的な構成について説明する。図２（ａ）は液晶装置の主要な回路構成を示す回路図、同図（ｂ）は画素回路を示す等価回路図、図３（ａ）はサンプリング回路におけるトランジスターの構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’線で切ったトランジスターの概略断面図、図４はサンプリング回路の等価回路図である。
【００３３】
図２（ａ）に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０上の画素領域Ｅの周辺に位置する周辺領域に形成された、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、サンプリング回路７などの駆動回路と、外部接続用端子１０４及び静電保護回路４１０を有している。さらに、外部接続用端子１０４に接続された、データ線駆動回路１０１に電源（ＶＤＤＸ、ＶＳＳＸ）を供給するためのデータ線駆動回路用電源配線９１、データ線駆動回路１０１に駆動用の信号を供給するためのデータ線駆動回路用信号配線９２、走査線駆動回路１０２に電源（ＶＤＤＹ、ＶＳＳＹ）を供給するための走査線駆動回路用電源配線９４、走査線駆動回路１０２に駆動用の信号を供給するための走査線駆動回路用信号配線９５、画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）を供給するための複数の画像信号線１１１などを含む複数の引回配線を有している。
【００３４】
データ線駆動回路１０１には、外部回路から外部接続用端子１０４及びデータ線駆動回路用信号配線９２を介してＸクロック信号ＣＬＸ（及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸＢ）、及びＸスタートパルスＤＸが供給される。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ（及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸＢ）に基づくタイミングで、選択信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを順次生成して複数の選択信号供給線１２１にそれぞれ出力する。
【００３５】
走査線駆動回路１０２には、外部回路から外部接続用端子１０４及び走査線駆動回路用信号配線９５を介してＹクロック信号ＣＬＹ（及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹＢ）、Ｙスタートパルス信号ＤＹが供給される。走査線駆動回路１０２は、これらの信号に基づいて走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍを順次生成して複数の走査線３ａにそれぞれ出力する。
【００３６】
サンプリング回路７は、Ｎチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ、もしくは相補型のＴＦＴから構成された本発明における第１および第２トランジスターとしてのサンプリングトランジスター（以降、Ｓ−ＴＦＴと称する）７１を複数備えている。互いに隣り合う６本のデータ線６ａがそれぞれ接続された６個のＳ−ＴＦＴ７１のゲートは１つに纏められて１本の選択信号供給線１２１に接続されている。つまりデータ線駆動回路１０１から各選択信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが６個のＳ−ＴＦＴ７１を１つの単位（系列）として供給される。１つの単位（系列）を構成する６個のＳ−ＴＦＴ７１のソースには６本の画像信号線１１１のうちいずれかが接続されている。Ｓ−ＴＦＴ７１のドレインにはデータ線６ａが接続されている。サンプリング回路７は、選択信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが入力されると、１つの単位（系列）を構成する６個のＳ−ＴＦＴ７１に対応するデータ線６ａに選択信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎに応じて画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）を順次供給する。
【００３７】
静電保護回路４１０は、データ線駆動回路用電源配線９１、データ線駆動回路用信号配線９２、走査線駆動回路用電源配線９４、走査線駆動回路用信号配線９５の各々の途中に形成されている。静電保護回路４１０の具体的構成としては、例えばダイオード接続されたＴＦＴを介して、或いはダイオードを介してデータ線駆動回路用電源配線９１、データ線駆動回路用信号配線９２、走査線駆動回路用電源配線９４、走査線駆動回路用信号配線９５の各々が定電位の配線に接続された形式のものなど、既存の各種形式の静電保護回路を採用可能である。
【００３８】
図２（ａ）および（ｂ）に示すように、液晶装置１００には、前述したように、素子基板１０の中央部分を占める画素領域Ｅに、マトリックス状に配列された複数の画素Ｐを有している。
【００３９】
複数の画素Ｐには、それぞれ、画素電極１５と当該画素電極１５をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０と、保持容量１６とが形成されている。画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが供給される走査線３ａが当該ＴＦＴ３０のゲートに接続されている。画素電極１５と保持容量１６の一方の電極がＴＦＴ３０のドレインに接続されている。保持容量１６の他方の電極は走査線３ａと並行して配置された容量線３ｂに接続されている。容量線３ｂは、データ線６ａと並行に配置される、もしくはマトリックス状に配置されてもよく、固定電位（例えばＬＣＣＯＭ）に接続されている。
【００４０】
サンプリング回路７の６個を１つの単位（系列）としたＳ−ＴＦＴ７１に供給される選択信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、この順に順次に供給してもよいし、隣り合う６本のデータ線６ａに対応するＳ−ＴＦＴ７１に対して、系列ごとに供給するようにしてもよい。なお、図２（ａ）に示すように、本実施形態においては、選択信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎは、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）の夫々に対応して、６本のデータ線６ａの組に対してグループ（系列）ごとに供給されるよう構成されている。画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）の相展開数（即ち、シリアル−パラレル展開される画像信号の系列数）に関しては、６相に限られるものでなく、例えば、９相、１２相、２４相など、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給されるように構成してもよい。
【００４１】
走査線３ａには走査線駆動回路１０２から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが、この順に順次印加される構成となっている。前述したように、画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，ＧｍによってＴＦＴ３０が一定期間だけＯＮ状態となり、データ線６ａから供給される画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）が画素電極１５に所定のタイミングで書き込まれる。
さらに、各画素Ｐに保持された画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）がリークするのを防ぐために、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に保持容量１６が付加されている。
【００４２】
画素電極１５を介して液晶層５０（図１（ｂ）参照）に書き込まれた所定レベルの画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）は、対向基板２０に形成された共通電極２３との間で一定期間保持される。液晶層５０は、印加される電圧レベルにより液晶分子の配向や秩序が変化することにより、液晶層５０を透過する光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少して暗表示となり、ノーマリーブラックモードであれば、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加して明表示となり、全体として液晶装置１００からは画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）に応じたコントラストをもつ表示光が射出され、表示が行われる。なお、画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）は、液晶層５０を交流駆動するために基準電位に対して正の極性を有する電位パルスと負の極性を有する電位パルスとが組み合わされて構成される。
【００４３】
上記のような液晶装置１００の駆動方式は相展開駆動方式と呼ばれている。画素領域Ｅにおいて、複数の走査線３ａや複数の容量線３ｂと交差するように配置された複数のデータ線６ａは、これらの走査線３ａや容量線３ｂとの相対的な配置関係によって構造的に必ずしも一定の寄生容量を有するとは限らない。また、複数のデータ線６ａを形成したときのそれぞれのレイアウトによっても寄生容量がばらつくおそれがある。相展開駆動方式では、特に、特許第４０４４９６１号公報の図１５のように、サンプリング回路、選択信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを供給する配線や画像信号線は、展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に応じて配線や回路がレイアウトされ、この組を単位に駆動する。したがって、この組の中で寄生容量がばらつくおそれがある。例えば、特定のデータ線６ａにおける構造的な寄生容量が隣り合うデータ線６ａに比べて電気的に著しく大きいまたは小さいと、隣り合うデータ線６ａ間で画像信号に応じて供給される電位に差が生じ、結果的に特定のデータ線６ａに沿って配列した複数の画素電極１５の列に亘って書き込まれる電位が変化するので、スジ状の系列的な表示ムラが生ずることがあった。発明者は、サンプリング回路７におけるＳ−ＴＦＴ７１の構成を工夫することで、このようなスジ状の系列的な表示ムラを改善できることを見出した。
【００４４】
以降、図３〜図４を参照して、サンプリング回路７のサンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）７１の構成について説明する。
図３（ａ）に示すように、Ｓ−ＴＦＴ７１は、平面視で略矩形状の半導体層７１ａを有している。半導体層７１ａの上面に第２絶縁膜１２ｂ（ゲート絶縁膜）を介して選択信号供給線１２１が重なり合って配置されており、半導体層７１ａと選択信号供給線１２１とが重なり合った部分がＳ−ＴＦＴ７１のゲート電極７１ｇとして機能している。データ線６ａと画像信号線１１１とは、Ｓ−ＴＦＴ７１のチャネル幅方向に沿って半導体層７１ａと重なり合うと共に、Ｓ−ＴＦＴ７１のチャネル長方向においてゲート電極７１ｇを挟むように並列に配置されている。データ線６ａは半導体層７１ａと重なる部分において線幅が本線に比して拡張されており、その一部がゲート電極７１ｇと重なり合っている。図３（ａ）および（ｂ）に示した寸法Ｌは、ゲート電極７１ｇとデータ線６ａの拡張部分とのオーバーラップ量を示している。
画像信号線１１１は、半導体層７１ａのＳ−ＴＦＴ７１のチャネル幅方向に沿って配置された複数のコンタクトホールＣＮＴ１を介して半導体層７１ａの第１ソース・ドレイン領域に接続され、半導体層７１ａと重なった部分がソース電極７２として機能している。
データ線６ａは、半導体層７１ａの同じくＳ−ＴＦＴ７１のチャネル幅方向に沿って配置された複数のコンタクトホールＣＮＴ２を介して半導体層７１ａの第２ソース・ドレイン領域に接続され、半導体層７１ａと重なった部分がドレイン電極７３として機能している。
【００４５】
図３（ｂ）に示すように、Ｓ−ＴＦＴ７１の半導体層７１ａは、素子基板１０上において、遮光部１１を覆う第１絶縁膜１２ａ上に形成されている。遮光部１１は、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄなどの高融点金属の単体、これらの高融点金属から選ばれる合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したものなどを採用することができる。第１絶縁膜１２ａは、例えばＣＶＤ法を用いて形成された酸化シリコンなどからなる無機絶縁膜である。
半導体層７１ａは、例えばポリシリコンからなり、不純物イオンを選択的に注入することで形成されたＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を採用することができる。具体的には、チャネル領域７１ｃと、チャネル領域７１ｃを挟む第１ソース・ドレイン領域７１ｓおよび第２ソース・ドレイン領域７１ｄと、第１ソース・ドレイン領域７１ｓとチャネル領域７１ｃとの間に形成された接続領域７１ｅと、チャネル領域７１ｃと第２ソース・ドレイン領域７１ｄとの間に形成された接続領域７１ｆとを有している。
【００４６】
半導体層７１ａを覆って例えば酸化シリコンなどからなる第２絶縁膜１２ｂ（ゲート絶縁膜）が形成される。第２絶縁膜１２ｂのチャネル領域７１ｃと重なるように選択信号供給線１２１が形成され、ゲート電極７１ｇとして機能している。選択信号供給線１２１は、例えばポリシリコンやＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕなどの低融点金属、Ｗ、Ｔｉなどの高融点金属の単体、これらの高融点金属から選ばれる合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したものなどを採用することができる。ゲート電極７１ｇを覆って例えば酸化シリコンなどからなる本発明における絶縁膜としての第３絶縁膜１２ｃが形成される。
【００４７】
第２絶縁膜１２ｂおよび第３絶縁膜１２ｃの第１ソース・ドレイン領域７１ｓと重なる部分にコンタクトホールＣＮＴ１が形成され、同じく第２ソース・ドレイン領域７１ｄと重なる部分にコンタクトホールＣＮＴ２が形成される。これらのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２を埋めるようにして、例えばＡｌなどの低抵抗導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ１を介して第１ソース・ドレイン領域７１ｓに電気的に接続された画像信号線１１１が形成される。同様にして、コンタクトホールＣＮＴ２を介して第２ソース・ドレイン領域７１ｄに電気的に接続されたデータ線６ａが形成される。このとき、データ線６ａは、ゲート電極７１ｇに対してオーバーラップ量Ｌを有して重なり合うようにパターニング形成される。
【００４８】
上記のように、オーバーラップ量Ｌを有してデータ線６ａとゲート電極７１ｇとを第３絶縁膜１２ｃを介して重ねることにより、図４に示すように、サンプリング回路７のＳ−ＴＦＴ７１において、データ線６ａ（ドレイン電極７３）とゲート電極７１ｇとの間に寄生容量Ｃ１を生じさせることができる。この寄生容量Ｃ１により、Ｓ−ＴＦＴ７１のＯＮ−ＯＦＦ時に半導体層７１ａを介してゲート電極７１ｇとデータ線６ａとの間に電荷の移動が生ずるフィードスルー現象が起る。これにより、データ線６ａと画素Ｐのスイッチング素子であるＴＦＴ３０とを介して画素電極１５に書き込まれる画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）に応じた電位が低下することになる。
【００４９】
したがって、例えばスジ状の系列的な表示ムラを生じさせているデータ線６ａ（第１のデータ線）と、該データ線６ａに隣り合うデータ線６ａ（第２のデータ線）とにそれぞれ対応する２つのＳ−ＴＦＴ７１のゲート電極７１ｇとデータ線６ａとのオーバーラップ量Ｌを異ならせることで、双方のデータ線６ａから画素電極１５に供給される画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）に応じた電位の差を緩和して、スジ状の系列的な表示ムラを目立ち難くすることができる。また、Ｓ−ＴＦＴ７１におけるゲート電極７１ｇとデータ線６ａとのオーバーラップ量Ｌ、つまり寄生容量Ｃ１の電気容量をそれぞれのデータ線６ａに対応させて設定すれば、それぞれのデータ線６ａが構造的に有する寄生容量の差を補って緩和することができるため、スジ状の系列的な表示ムラが低減され均一な表示品質を実現することができる。
【００５０】
例えば、ゲート電極７１ｇとして機能する選択信号供給線１２１の線幅を５μｍとしたときに、上記オーバーラップ量Ｌを０．５μｍ以上、５．０μｍ以下の寸法で設定することで、第３絶縁膜１２ｃを介して寄生容量Ｃ１が構成される。構成される寄生容量Ｃ１の値は、第３絶縁膜１２ｃの誘電率と膜厚、およびオーバーラップした面積に依存し、第３絶縁膜１２ｃは、例えば熱ＣＶＤやプラズマＣＶＤを用いて形成されたシリコン酸化膜であり、その膜厚は２００ｎｍから１μｍである。上記のような構成において、オーバーラップ量Ｌを設定することで、オーバーラップさせない場合に比べて、ゲート電極７１ｇとデータ線６ａとの間の寄生容量Ｃ１を増大させることができ、それぞれのデータ線６ａが構造的に有する寄生容量の差を補って緩和することができる。即ち、ゲート電極７１ｇ以外の配線、例えば容量線３ｂとの間の寄生容量が、他のデータ線６ａよりも小さいデータ線６ａに接続されたドレイン電極７３に、所望のオーバーラップ量Ｌを設定することで、フィードスルー現象を助長し、書込み後の電位を他のデータ線６ａと同等に揃える事が可能になる。また例えば、レイアウト上でゲート電極７１ｇの配線との寄生容量が、他のデータ線６ａよりも小さいデータ線６ａに接続されたドレイン電極７３に、所望のオーバーラップ量Ｌを設定することでも、書込み後の電位を他のデータ線６ａと同等に揃える事が可能になる。
【００５１】
なお、このようなＳ−ＴＦＴ７１における寄生容量Ｃ１の設定方法は、前述した相展開駆動における画像信号の系列（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）のそれぞれにおいて同相で駆動されるデータ線６ａに電気的に接続されるＳ−ＴＦＴ７１のうち、少なくとも１つのＳ−ＴＦＴ７１のオーバーラップ量Ｌが他のＳ−ＴＦＴ７１に対して異なるように設定すれば、その効果を引き出すことができる。言い換えれば、液晶装置１００は、ゲート電極７１ｇとデータ線６ａとが第３絶縁膜１２ｃを介して重なるオーバーラップ量Ｌが異なる少なくとも２種以上のＳ−ＴＦＴ７１を有する。
オーバーラップ量Ｌが異なるとは、一方のＳ−ＴＦＴ７１においてオーバーラップ量Ｌが「０」つまり、ゲート電極７１ｇとデータ線６ａとが重なり合っていないものも含んでいてもよい。例えば、Ｓ−ＴＦＴ７１の上記オーバーラップ量Ｌが「０」の特定のデータ線６ａにおける構造的な寄生容量を基準として、他のデータ線６ａにおける構造的な寄生容量との間に差が生じないように、他のデータ線６ａに接続されるＳ−ＴＦＴ７１の寄生容量Ｃ１の大きさを調整してもよい。
【００５２】
このようにデータ線６ａごとの構造的な寄生容量を調整する方法として、データ線６ａごとに付加容量を接続させる方法も考えられる。しかしながら、付加容量を形成するには、付加容量を形成するスペースを素子基板１０上に確保する必要がある。また、付加容量を構成する一対の電極と、該一対の電極に挟まれた誘電体層とを形成する必要があり、液晶装置１００の設計や製造が複雑になる。さらには、画素領域Ｅに延在するデータ線６ａの末端側に付加容量を形成すると、製造工程中に発生した静電気等の影響を受け易く、最悪の場合には付加容量が静電気によって破壊され、例えば電気的に短絡状態となってしまうことがある。本実施形態におけるＳ−ＴＦＴ７１に寄生容量Ｃ１を形成する構成は、上記のような付加容量の問題を回避して、データ線６ａごとの構造的な寄生容量を調整することが可能である。
【００５３】
以上に述べた前記実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）液晶装置１００は、６本を１つの単位（系列）としたデータ線６ａがサンプリング回路７の６個のＳ−ＴＦＴ７１にそれぞれ接続され、データ線６ａごとに画像信号線１１１から供給される画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）が選択的に供給される。Ｓ−ＴＦＴ７１におけるゲート電極７１ｇとデータ線６ａとのオーバーラップ量Ｌを異ならせてデータ線６ａが構造的に有する寄生容量の値を調整することが可能であるため、データ線６ａの構造的な寄生容量に起因するスジ状の系列的な表示ムラを目立たなくすることができる。つまり、スジ状の系列的な表示ムラが低減され、見栄えのよい表示品質を有する相展開駆動方式の液晶装置１００を提供することができる。
（２）Ｓ−ＴＦＴ７１のゲート電極７１ｇとデータ線６ａとの間に付加的に寄生容量Ｃ１を形成して、データ線６ａが構造的に有する寄生容量を調整可能であるため、データ線６ａごとに付加容量を接続させて構造的な寄生容量を調整する場合に比べて、簡単な構成で且つ静電気などに対して耐性を有し、効率的に且つ歩留まりよく液晶装置１００を製造することができる。
【００５４】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の液晶装置について、図５を参照して説明する。図５は第２実施形態の液晶装置における主要な回路構成を示す回路図である。第２実施形態における液晶装置は、第１実施形態の液晶装置１００に対して、複数のデータ線６ａの駆動方式を異ならせたものである。したがって、液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略するものとする。
【００５５】
図５に示すように、本実施形態の液晶装置２００は、素子基板１０側の画素領域Ｅにおいて、複数の走査線３ａと複数のデータ線６ａとにより区分され、マトリックス状に配置された複数の画素Ｐを有している。また、画素Ｐを駆動する駆動回路としての半導体集積回路（ＩＣ）２０１と、走査線駆動回路２０２と、マルチプレクサー回路２０７とを備えている。また、外部接続用端子１０４に接続された選択信号供給手段としての半導体集積回路２０１から選択信号（ＳＥＬ１〜ＳＥＬ８）が供給される複数（８本）の選択信号供給線２０８を有している。なお、図５では半導体集積回路２０１と選択信号供給線２０８とを繋ぐ配線を図示省略している。
【００５６】
マルチプレクサー回路２０７は、複数のデータ線６ａのそれぞれに対応する複数のサンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）７１を有している。複数のデータ線６ａは、選択信号供給線２０８の本数を単位としてブロック化（系列化）されている。以降、ブロック化（系列化）された複数（８本）のデータ線６ａをデータ線群６ａｇと呼ぶこととする。
【００５７】
例えば、左側のデータ線群６ａｇでは、ブロック化（系列化）された８本のデータ線６ａはそれぞれＳ−ＴＦＴ７１のドレインに接続されている。８個のＳ−ＴＦＴ７１のソースに接続された配線は１つに纏められて、半導体集積回路（以降、単にＩＣと称することもある）２０１から供給される画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤｎ）のうち画像信号ＶＩＤ１が供給される画像信号線２１１に接続されている。８個のＳ−ＴＦＴ７１のゲートのそれぞれには、選択信号供給線２０８が供給される選択信号（ＳＥＬ１〜ＳＥＬ８）の順に左側から接続されている。つまり、選択信号供給線２０８の本数を単位として、複数のデータ線６ａがブロック化（系列化）され、データ線群６ａｇごとに１の画像信号線２１１が接続されて、選択信号（ＳＥＬ１〜ＳＥＬ８）に基づいて時分割で駆動される構成となっている。なお、右側のデータ線群６ａｇにおいても同様な構成となっている。このような駆動方式は、走査線駆動回路２０２は素子基板１０に形成されているが、半導体集積回路２０１は外付けのＩＣで構成されていることから、ハイブリッド駆動方式と呼ばれている。
【００５８】
例えば、６４０×４８０の画素Ｐの構成では、６４０本のデータ線６ａと４８０本の走査線３ａとを有し、６４０本のデータ線６ａが８本ずつブロック化（系列化）されるので、画像信号線２１１の数は８０本となり、ＩＣ２０１からは画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ８０）が供給される。走査線駆動回路２０２は、ある１フレーム（第ｎフレーム）の期間にわたって走査信号Ｇ１，…，Ｇ４８０を１水平期間毎に順次排他的にＨレベル（即ち、選択電圧）とする。
【００５９】
ここで、１水平期間では、半導体集積回路２０１から供給される選択信号ＳＥＬ１〜ＳＥＬ８は、この順番で排他的にＨレベルとなり、この供給に合わせてＩＣ２０１は、画像信号線２１１に画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ８０を供給する。画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ８０は、１、２、３、…、８０番目のデータ線群６ａｇのそれぞれにおける、８系列のデータ線６ａに対応して８系列に時系列化されたデータ電圧を有する。マルチプレクサー回路２０７においては、８系列の選択信号ＳＥＬ１〜ＳＥＬ８に応じて、Ｓ−ＴＦＴ７１により画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ８０のそれぞれの時系列化されたデータ電圧はそれぞれ時分割され、各データ線群６ａｇにおける８系列のデータ線６ａに振り分けられる。
【００６０】
詳細には、ＩＣ２０１は、ｊ行目の走査信号Ｇｊ（ｊ＝１、…、４８０）がＨレベルとなる期間において、選択信号ＳＥＬ１がＨレベルとなったとき、ｊ行目走査線３ａと第１系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素Ｐの階調に応じた電圧だけ対向基板２０の共通電極２３の電位（ＬＣＣＯＭ）に対して高位または低位の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ８０）を、１、２、３、…、８０番目のデータ線群６ａｇに対応させて一斉に出力する。この際、選択信号ＳＥＬ１だけがＨレベルであるので、第１系列のデータ線６ａが選択され（即ち、第１系列のデータ線６ａに対応するＳ−ＴＦＴ７１だけがＯＮとなり）、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ８０は、それぞれ第１系列（１、９、…、６３３列目）のデータ線６ａに供給される。一方、走査信号ＧｊがＨレベルであると、ｊ行目に位置する画素Ｐのすべてにおいて、画素Ｐのスイッチング用のＴＦＴ３０がＯＮ状態となるので、第１系列のデータ線６ａに供給された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ８０は、それぞれｊ行１列、ｊ行９列、…、ｊ行６３３列の画素電極１５に印加されることになる。
【００６１】
次に、ＩＣ２０１は、選択信号ＳＥＬ２がＨレベルとなったとき、今度はｊ行目の走査線３ａと第２系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素Ｐの階調に応じた電圧の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ８０を、１、２、３、…、８０番目のデータ線群６ａｇに対応させて一斉に出力する。この際、選択信号ＳＥＬ２だけがＨレベルであるため、第２系列のデータ線６ａが選択され、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ８０は、それぞれ第２系列（２、１０、…、６３４列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｊ行２列、ｊ行１０列、…、ｊ行６３４列の画素電極１５に印加されることになる。
【００６２】
同様にして、ｊ行目の走査信号ＧｊがＨレベルとなる期間において、選択信号ＳＥＬ３〜ＳＥＬ８の選択状態に応じて、ｊ行目の走査線３ａと第３〜第８系列のデータ線６ａとの交差に対応してそれぞれの画素Ｐの階調に応じた電圧の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ８０を、それぞれ１、２、３、…、８０番目のデータ線群６ａｇに対応させて一斉に出力する。これにより、第３系列〜第８系列のデータ線６ａに順次画像信号に基づく電位が供給されて、ｊ行の対応する列の画素電極１５に印加される。
【００６３】
これにより、ｊ行目の画素Ｐに対して、階調に応じた画像信号の電圧を書き込む動作が完了する。尚、画素電極１５に印加された電圧は、走査信号ＧｊがＬレベル（非選択電圧）になっても、液晶容量によって次の第（ｎ＋１）フレームの書き込みまで保持されることになる。
【００６４】
このようなハイブリッド駆動が適用された液晶装置２００において、例えばデータ線群６ａｇの各Ｓ−ＴＦＴ７１のゲート電極７１ｇとデータ線６ａとを第３絶縁膜１２ｃを介して重ね合わせて寄生容量Ｃ１（図４参照）を形成し、系列内でオーバーラップ量Ｌを異ならせる。これにより、データ線群６ａｇが本来構造的に有する寄生容量に起因して生ずるスジ状の系列的な表示ムラを低減することができる。また例えば、走査線３ａの延在方向において隣り合うデータ線群６ａｇにおいて、ブロックの境界に位置して系列が異なるデータ線６ａに接続されるＳ−ＴＦＴ７１の上記オーバーラップ量Ｌを異ならせることにより、ブロックの境界において発生するスジ状の系列的な表示ムラを低減することができる。さらには、データ線群６ａｇを単位として上記オーバーラップ量Ｌを異ならせれば、データ線群６ａｇを単位として発生するスジ状の系列的な表示ムラに対しても改善が可能である。
【００６５】
このような液晶装置２００によれば、スジ状の系列的な表示ムラが低減され、見栄えのよい表示品質を有するハイブリッド駆動方式の液晶装置２００を提供することができる。
【００６６】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態の液晶装置について、図６を参照して説明する。図６は第３実施形態の液晶装置における主要な回路構成を示す回路図である。第３実施形態の液晶装置は、第２実施形態のハイブリッド駆動方式をハイビジョン（画素数；１９２０×１０８０）の略４倍の画素数を有する４ｋ２ｋ、所謂スーパーハイビジョンに適用した例である。ただし、図６では、主要部分の回路構成を示し、すべての画素Ｐに亘る回路構成は示されていない。第２実施形態の液晶装置２００と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。
【００６７】
図６に示すように、液晶装置３００は、素子基板１０側の画素領域において、複数の走査線と複数のデータ線とが交差して区分され、マトリックス状に配置された複数（４０９６×２１６０）の画素Ｐを有する。複数（２１６０本）の走査線は、データ線が延在する方向において奇数番の走査線３ａ１と、偶数番の走査線３ａ２とからなる。また、複数のデータ線は、奇数番の走査線３ａ１に対応して設けられた第１のデータ線６ａ１と、偶数番の走査線３ａ２に対応して設けられた第２のデータ線６ａ２とからなる。行方向（図６では走査線の延在方向）において隣り合う画素Ｐの間に、第１のデータ線６ａ１と第２のデータ線６ａ２とが延在している。列方向（図６ではデータ線の延在方向）において隣り合う画素Ｐの間に奇数番あるいは偶数番の走査線と容量線３ｂとが延在している。容量線３ｂは固定電位（例えばＬＣＣＯＭ）に接続されている。
【００６８】
複数の第１のデータ線６ａ１は、選択信号供給線の本数を単位としてブロック化（系列化）され、ブロックごとに設けられたマルチプレクサー回路３０７ａ，３０７ｃのサンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）７１にそれぞれ接続されている。例えば、マルチプレクサー回路３０７ａでは、各Ｓ−ＴＦＴ７１のドレインに第１のデータ線６ａ１がそれぞれ接続され、各Ｓ−ＴＦＴ７１のゲートに選択信号（ＳＥＬ１−１〜ＳＥＬ１−８）が供給される選択信号供給線が順に接続されている。各Ｓ−ＴＦＴ７１のソースに接続された接続配線は１つに纏められて画像信号ＶＩＤｎ−１が供給される画像信号線に接続されている。
同じく、例えば、マルチプレクサー回路３０７ｃでは、各Ｓ−ＴＦＴ７１のドレインに第１のデータ線６ａ１がそれぞれ接続され、各Ｓ−ＴＦＴ７１のゲートに選択信号（ＳＥＬ３−１〜ＳＥＬ３−８）が供給される選択信号供給線が順に接続されている。各Ｓ−ＴＦＴ７１のソースに接続された接続配線は１つに纏められて画像信号ＶＩＤ１が供給される画像信号線に接続されている。つまり、マルチプレクサー回路３０７ａとマルチプレクサー回路３０７ｃとの間には、ブロック化（系列化）された第１データ線群の数に応じたマルチプレクサー回路が設けられている。
【００６９】
第１のデータ線６ａ１と平行して延在する第２のデータ線６ａ２は、同じく選択信号供給線の本数を単位としてブロック化（系列化）され、ブロックごとに設けられたマルチプレクサー回路３０７ｂ，３０７ｄのサンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）７１にそれぞれ接続されている。例えば、マルチプレクサー回路３０７ｂでは、各Ｓ−ＴＦＴ７１のドレインに第２のデータ線６ａ２がそれぞれ接続され、各Ｓ−ＴＦＴ７１のゲートに選択信号（ＳＥＬ２−１〜ＳＥＬ２−８）が供給される選択信号供給線が順に接続されている。各Ｓ−ＴＦＴ７１のソースに接続された接続配線は１つに纏められて画像信号ＶＩＤｎが供給される画像信号線に接続されている。
同じく、例えば、マルチプレクサー回路３０７ｄでは、各Ｓ−ＴＦＴ７１のドレインに第２のデータ線６ａ２がそれぞれ接続され、各Ｓ−ＴＦＴ７１のゲートに選択信号（ＳＥＬ４−１〜ＳＥＬ４−８）が供給される選択信号供給線が順に接続されている。各Ｓ−ＴＦＴ７１のソースに接続された接続配線は１つに纏められて画像信号ＶＩＤ２が供給される画像信号線に接続されている。つまり、マルチプレクサー回路３０７ｂとマルチプレクサー回路３０７ｄとの間には、ブロック化（系列化）された第２データ線群の数に応じたマルチプレクサー回路が設けられている。
【００７０】
液晶装置３００は、上記回路構成を有し、奇数番の走査線３ａ１に対応する第１のデータ線６ａ１がブロック化（系列化）された第１データ線群を第１系列とし、偶数番の走査線３ａ２に対応する第２のデータ線６ａ２がブロック化（系列化）された第２データ線群を第２系列としてそれぞれ時系列的に駆動される。
【００７１】
液晶装置３００のマルチプレクサー回路３０７ａ，３０７ｂ，３０７ｃ，３０７ｄにおいて、図３に示したように、各サンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）７１のゲート電極７１ｇと第１のデータ線６ａ１とを第３絶縁膜１２ｃを介して平面視で重ねてオーバーラップ量Ｌを有する寄生容量Ｃ１（図４参照）を形成する。同じく、ゲート電極７１ｇと第２のデータ線６ａ２とを第３絶縁膜１２ｃを介して平面視で重ねてオーバーラップ量Ｌを有する寄生容量Ｃ１（図４参照）を形成する。
【００７２】
第１のデータ線６ａ１や第２のデータ線６ａ２がそれぞれ構造的に有する寄生容量の差を、上記オーバーラップ量Ｌを異ならせてそれぞれ調整することにより、緩和することができる。つまり、該寄生容量に起因するスジ状の系列的な表示ムラを改善できる。
【００７３】
このような第１のデータ線６ａ１や第２のデータ線６ａ２がそれぞれ構造的に有する寄生容量の差の緩和は、第２実施形態で延べたように１つのデータ線群内で上記オーバーラップ量Ｌが異なるように実施されてもよいし、隣り合うデータ線群の境に位置するデータ線において上記オーバーラップ量Ｌが異なるように実施されてもよい。また、データ線群を単位としてデータ線群間において上記オーバーラップ量Ｌが異なるように実施されてもよい。
【００７４】
さらには、液晶装置３００の場合、同一の表示列（図６ではデータ線の延在方向の列）を構成する複数の画素Ｐに対して、第１系列の第１のデータ線６ａ１と第２系列の第２のデータ線６ａ２とが対応しているため、第１系列と第２系列との間で上記オーバーラップ量Ｌが異なるように実施して、系列間におけるデータ線群の寄生容量の差を緩和することもできる。
【００７５】
また例えば、第１系列と第２系列のうちの一方の系列において上記オーバーラップ量Ｌを確保し、他方の系列では上記オーバーラップ量Ｌを「０」すなわち、ゲート電極７１ｇと当該データ線とを重ね合わせないようにして寄生容量の差を緩和してもよい。このようにすれば、第１系列と第２系列との間のデータ線群における寄生容量の差を簡便に緩和することができる。
【００７６】
また、液晶装置３００における画素領域つまり画面の大きさを一定とすると、スーパーハイビジョンの表示を行わせるにあたり画素Ｐの配置ピッチは、ハイビジョンに比べて小さくなる。配置ピッチが小さくなった隣り合う画素Ｐの隙間に、第１のデータ線６ａ１と第２のデータ線６ａ２とを配置する方法として、素子基板１０上において、例えば、先に第１のデータ線６ａ１を画素Ｐ間に配置した後に、層間絶縁膜を介して第２のデータ線６ａ２を第１のデータ線６ａ１に対して重畳（スタック）して配置する方法が挙げられる。このような第１のデータ線６ａ１と第２のデータ線６ａ２の配置によれば、第１系列と第２系列との間のデータ線群における寄生容量の差が生じ易くなる。すると、奇数番の走査線３ａ１に係る複数の画素Ｐ（第１画素）と偶数番の走査線３ａ２に係る複数の画素Ｐ（第２画素）とにおいて、それぞれのデータ線群の寄生容量の差に起因して印加される画像信号に基づく電位に差が生じ、走査線の延在方向にスジ状の系列的な表示ムラが発生する。このような場合には、素子基板１０に近い側つまり下層に位置する第１のデータ線６ａ１に接続されるＳ−ＴＦＴ７１のゲート電極７１ｇと第１のデータ線６ａ１とを重ね合わせて寄生容量Ｃ１を形成し、素子基板１０から遠い側つまり上層に位置する第２のデータ線６ａ２に接続されるＳ−ＴＦＴ７１のゲート電極７１ｇと第２のデータ線６ａ２とを重ね合わせないようにして、第１のデータ線６ａ１と第２のデータ線６ａ２との構造的な寄生容量の差を緩和することが好ましい。言い換えれば、上層に位置する第２のデータ線６ａ２に印加される画像信号に応じた電位を基準として、下層に位置する第１のデータ線６ａ１に印加される画像信号に基づいた電位を適正化することができる。これは、上層に位置する第２のデータ線６ａ２の構造に起因する寄生容量よりも、下層に位置する第１のデータ線６ａ１の構造に起因する寄生容量の方が小さいので、第１のデータ線６ａ１に接続されるＳ−ＴＦＴ７１のゲート電極７１ｇと第１のデータ線６ａ１とを重ね合わせて寄生容量Ｃ１を形成して、上記構造に起因する寄生容量を補正することが好ましいからである。
【００７７】
上記第３実施形態によれば、第１系列と第２系列のデータ線群における寄生容量に起因するスジ状の系列的な表示ムラが改善され、画素領域において均一な表示品質が得られるスーパーハイビジョンの表示が可能な液晶装置３００を提供できる。
【００７８】
（第４実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図７を参照して説明する。図７は投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００７９】
図７に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００８０】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００８１】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００８２】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００８３】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００８４】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００８５】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、スジ状の系列的な表示ムラが低減され高い表示品質を有する液晶装置１００を用いているので、見栄えのよい表示品質が実現されている。なお、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記第２実施形態の液晶装置２００や上記第３実施形態の液晶装置３００を用いることもできる。
【００８６】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置および該電気光学装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００８７】
（変形例１）半導体層７１ａ上においてゲート電極７１ｇとデータ線の一部とが重なったオーバーラップ量Ｌが異なる少なくとも２種のサンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）７１を有する相展開駆動方式の液晶装置１００、同じくハイブリッド駆動方式の液晶装置２００、ハイブリッド駆動方式のスーパーハイビションに対応した液晶装置３００の各主要回路構成は、これに限定されない。例えば、画像信号が供給される画像信号線の本数、選択信号が供給される選択信号供給線の本数などは、画素数と駆動方式とに対応して適宜選択することができる。
また、走査線の延在方向において隣り合う画素Ｐの隙間に第１のデータ線６ａ１と第２のデータ線６ａ２とを重畳（スタック）して配置する配線構造は、液晶装置３００に限定されず、液晶装置１００や液晶装置２００においても適用することができる。
【００８８】
（変形例２）半導体層７１ａ上においてゲート電極７１ｇとデータ線６ａとが重なったオーバーラップ量Ｌが異なる少なくとも２種のサンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）７１を備える液晶装置１００の構成は、透過型に限定されない。例えば、画素電極１５が光反射性を有する例えばＡｌ（アルミニウム）などから構成された反射型の液晶装置に対しても本発明を適用することができる。
【００８９】
（変形例３）半導体層７１ａ上においてゲート電極７１ｇとデータ線６ａとが重なったオーバーラップ量Ｌが異なる少なくとも２種のサンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）７１を備える電気光学装置の構成は、受光型の液晶装置１００，２００，３００に限定されない。例えばマトリックス状に配置された複数の画素Ｐに有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子などの発光素子を備えた自発光型の表示装置にも本発明を適用することができる。
【００９０】
（変形例４）液晶装置１００，２００，３００を適用可能な電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００９１】
３ａ…走査線、３ａ１…奇数番の走査線、３ａ２…偶数番の走査線、６ａ…データ線、６ａ１…第１のデータ線、６ａ２…第２のデータ線、１０…基板としての素子基板、１２ｃ…絶縁膜としての第３絶縁膜、１５…画素電極、３０…薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、７１…第１および第２トランジスターとしてのサンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）、７１ａ…半導体層、７１ｇ…ゲート電極、１００…電気光学装置としての液晶装置、１０１…選択信号供給手段としてのデータ線駆動回路、１１１…画像信号線、１２１…選択信号供給線、２００…液晶装置、２０１…半導体集積回路、２０８…選択信号供給線、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｌ…オーバーラップ量。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像信号が供給される画像信号線と、
第１のデータ線と、
第２のデータ線と、
前記第１のデータ線と前記画像信号線との間に電気的に接続され、前記画像信号を前記第１のデータ線に供給する第１トランジスターと、
前記第２のデータ線と前記画像信号線との間に電気的に接続され、前記画像信号を前記第２のデータ線に供給する第２トランジスターと、
を備え、
前記第１トランジスターのゲート電極と前記第１のデータ線とが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量と、前記第２トランジスターのゲート電極と前記第２のデータ線とが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量とが異なることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記画像信号線は、前記第１トランジスターに電気的に接続された第１画像信号線と、前記第２トランジスターに電気的に接続された第２画像信号線と、を有し、
前記第１トランジスターのゲート電極と前記第２トランジスターのゲート電極に、同相の選択信号を供給する選択信号供給手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１トランジスターのゲート電極に電気的に接続され、且つ、第１選択信号が供給される第１選択信号供給線と、
前記第２トランジスターのゲート電極に電気的に接続され、且つ、前記第１選択信号とは異なるタイミングで第２選択信号が供給される第２選択信号供給線と、
前記第１選択信号及び前記第２選択信号を供給する選択信号供給手段と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
走査線と、前記走査線と前記第１のデータ線との交差に応じて設けられた第１画素と、前記走査線と前記第２のデータ線との交差に応じて設けられた第２画素と、を備え、
前記第１画素は、奇数行に位置し、前記第２画素は偶数行に位置することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１のデータ線は、前記第２のデータ線の下層に位置し、
前記第１トランジスターのゲート電極と前記第１のデータ線とが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量は、前記第２トランジスターのゲート電極と前記第２のデータ線とが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第２トランジスターのゲート電極は、前記第２のデータ線と絶縁膜を介して重ならないように形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
画像信号が供給される画像信号線と、
第１のデータ線と、
第２のデータ線と、
前記第１のデータ線と前記画像信号線との間に電気的に接続され、前記画像信号を前記第１のデータ線に供給する第１トランジスターと、
前記第２のデータ線と前記画像信号線との間に電気的に接続され、前記画像信号を前記第２のデータ線に供給する第２トランジスターと、
を備え、
前記第１トランジスターのゲート電極と前記第１のデータ線とが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量と、前記第２トランジスターのゲート電極と前記第２のデータ線とが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量とが異なることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記画像信号線は、前記第１トランジスターに電気的に接続された第１画像信号線と、前記第２トランジスターに電気的に接続された第２画像信号線と、を有し、
前記第１トランジスターのゲート電極と前記第２トランジスターのゲート電極に、同相の選択信号を供給する選択信号供給手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１トランジスターのゲート電極に電気的に接続され、且つ、第１選択信号が供給される第１選択信号供給線と、
前記第２トランジスターのゲート電極に電気的に接続され、且つ、前記第１選択信号とは異なるタイミングで第２選択信号が供給される第２選択信号供給線と、
前記第１選択信号及び前記第２選択信号を供給する選択信号供給手段と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
走査線と、前記走査線と前記第１のデータ線との交差に応じて設けられた第１画素と、前記走査線と前記第２のデータ線との交差に応じて設けられた第２画素と、を備え、
前記第１画素は、奇数行に位置し、前記第２画素は偶数行に位置することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１のデータ線は、前記第２のデータ線の下層に位置し、
前記第１トランジスターのゲート電極と前記第１のデータ線とが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量は、前記第２トランジスターのゲート電極と前記第２のデータ線とが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第２トランジスターのゲート電極は、前記第２のデータ線と絶縁膜を介して重ならないように形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１３−８００３７（Ｐ２０１３−８００３７Ａ）
【公開日】平成２５年５月２日（２０１３．５．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２１８９７５（Ｐ２０１１−２１８９７５）
【出願日】平成２３年１０月３日（２０１１．１０．３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２日（２０１３．５．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月３日（２０１１．１０．３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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