【課題】本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、高い表示品位を有する液晶表示装置を製造できる。
【解決手段】液晶表示装置の製造方法は、第２基板22の主面21ａ上に遮光膜BMを形成する工程と、遮光膜BMを覆うように第１絶縁膜226を形成する工程と、第１絶縁膜226上に透光性の導体層100を形成する工程と、導体層100上にレジストREを形成する工程と、第２基板22の反対主面22ｂ側から、遮光膜BMと重ならない部分のレジストREを露光する工程と、レジストRE上にマスクPMを配置して、レジストREのうち遮光膜BMの形成領域上に位置するレジストREの一部をマスクPM側から露光する工程と、導体層100の一部を露出させる工程
と、導体層100の露出した一部をエッチングし、レジストを除去して、遮光膜BMの形成領
域上に信号電極228および共通電極227を形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シュリンク技術を利用して、コンタクトホールとして利用できる複数の凹部を１回のレジストマスク工程で異なる深さ寸法に形成することのできるコンタクトホールの形成方法、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板１０上にコンタクトホールを形成するにあたって、まず、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂを備えたレジストマスク１７を層間絶縁膜４２の表面に形成した後、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂから層間絶縁膜４２および絶縁膜４９をエッチングする。その後、シュリンク工程において、レジストマスク１７を変形させて第２開口部１７ｂを塞ぐ一方、第１開口部１７ａの開口面積を狭める。次に、第１開口部１７ａから層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】 第１方向に延出した第１補助容量線及び第２補助容量線と、第１補助容量線と第２補助容量線との間に位置し第１方向にゲート配線と、画素の略中央でゲート配線の上方に位置する半導体層と、半導体層とコンタクトし第２方向にソース配線と、半導体層にコンタクトし第１補助容量線及び第２補助容量線の上方に延出したドレイン電極と、ドレイン電極と電気的に接続され第１補助容量線と対向し第１方向に延出した第１主画素電極及びドレイン電極と電気的に接続され第２補助容量線と対向し第１方向に延出した第２主画素電極を備えた画素電極と、を備えた第１基板と、第１主画素電極を挟んだ両側及び第２主画素電極を挟んだ両側に位置し第１方向に延出した主共通電極を備えた共通電極を備えた第２基板と、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜の水素濃度および酸素欠損を低減する。また、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】下地絶縁膜と下地絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜に重畳して設けられたゲート電極と、を有し、下地絶縁膜は、電子スピン共鳴にてｇ値が２．０１で信号を表し、酸化物半導体膜は、電子スピン共鳴にてｇ値が１．９３で信号を表さない半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】配線間の短絡等を発生させずに、複数の配線が並列する配線領域の幅寸法を狭めることのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｅと画素電極配列領域１０ｐとの間で複数の配線１０５が並列する配線領域１１は、一部の配線１０５と他の配線１０５とが異なる層に位置する第２配線領域１１ｂとを備えており、かかる第２配線領域１１ｂでは、異なる層に位置する配線１０５の間に平面視で広い隙間を設けなくても短絡等の問題が発生しない。このため、第２配線領域１１ｂについては、配線１０５間の短絡等を発生させず、幅方向の寸法を第１配線領域１１ａより狭くすることができる。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】走査線ＧＬと、走査線ＧＬと交差する信号線ＳＬと、信号線ＳＬが延びる方向に延び走査線ＧＬが延びる方向に並んで配置された複数の櫛歯画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３を含む画素電極ＰＥと、複数の櫛歯画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３の間において信号線ＳＬが延びる方向に延び、櫛歯画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３と所定のスペースを置いて配置された複数の櫛歯共通電極ＣＥ１〜ＣＥ４を含む共通電極ＣＥと、少なくとも信号線ＳＬと信号線ＳＬの近傍に配置された櫛歯画素電極ＰＥ１、ＰＥ３との間に配置され、共通電極ＣＥと同じ電圧が印加された遮光部ＣＯＭ１と、を備えた第１基板１０１と、第１基板１０１と対向して配置された第２基板１０２と、第１基板１０１と第２基板１０２との間に挟持された液晶層ＬＱと、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体の組成若しくは欠陥制御をすることを目的の一とし、また、薄膜ト
ランジスタの電界効果移動度を高め、オフ電流を抑えつつ十分なオンオフ比を得ることを
他の目的の一とする。
【解決手段】ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｎ（Ｍ＝Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ及びＡｌから
選ばれた一又は複数の元素、ｎは１以上５０未満の非整数）でありさらに水素を含む。こ
の場合において、Ｚｎの濃度がＩｎ及びＭ（Ｍ＝Ｆｅ、Ｇａ、Ｎｉ及びＡｌから選ばれた
一又は複数の元素）よりも低くする。また、当該酸化物半導体はアモルファス構造を有し
ている。ここでｎの値は、好ましくは１以上５０未満の非整数、より好ましくは１０未満
の非整数とする。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、保持容量を十分に確保することができ、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】ゲート電極３０ｇと電気的に接続された走査線３ａと、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと電気的に接続されたデータ線６ａと、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと電気的に接続された画素電極２７と、容量線３ｂに電気的に接続された第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａと対向して設けられた第２容量電極１６ｃと、第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとに挟持された誘電体層１６ｂと、を有する容量素子１６と、を備え、層間絶縁膜１１ｅに設けられた複数の第１コンタクトホールＣＮＴ４を介して第１容量電極１６ａと容量線３ｂとは電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置及び配向膜、並びにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】配向膜は、基板上のポリシロキサンに結合した第１プレチルト官能基、第２プレチルト官能基及び第１垂直配向性官能基を含む。環状化合物を含む前記第１垂直配向性官能基３３は、前記基板１９１に対して実質的に垂直方向に配列する。前記第２プレチルト官能基と架橋した前記第１プレチルト官能基３５ａは、前記基板に対して傾くように配列する。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線Ｇ２と、ゲート配線Ｇ２と交差するように延びたソース配線Ｓ１と、ソース配線Ｓ１と略平行に延びた主画素電極ＰＡを備えた画素電極ＰＥと、ゲート配線Ｇ２とソース配線Ｓ１とが交差した位置に配置されたスイッチング素子ＳＷと、を備えた第１基板ＡＲと、主画素電極ＰＡを挟んだ両側で主画素電極ＰＡと略平行に延びた共通電極ＣＥを有する第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に保持された液晶分子ＬＭを含む液晶層ＬＱと、を備え、スイッチング素子ＳＷは、前記画素電極と電気的に接続され前記ゲート線と重なるように配置されたドレイン配線ＥＤを含む、液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタにおいて、高いゲート電圧がゲート電極層に印加される場合、ドレイン電極層の端部近傍（及びソース電極層の端部近傍）に生じる恐れのある電界集中を緩和し、スイッチング特性の劣化を抑え、信頼性が向上された構造を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状を、テーパ形状とし、チャネル形成領域上に重なる絶縁層の膜厚は、０．３μｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上０．１μｍ以下とする。チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状の下端部のテーパ角θを６０°以下、好ましくは４５°以下、さらに好ましくは３０°以下とする。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤの影響を効果的に抑制する保護回路を提供すること。またＥＳＤの影響が効果的に抑制された半導体装置を提供すること。
【解決手段】保護回路は、少なくとも２つの保護ダイオードを有し、当該保護ダイオードを、チャネルを形成する半導体層を挟んで対向する２つのゲートを有するトランジスタで構成する。さらに当該トランジスタのゲートの一方に、固定電位が入力される構成とすればよい。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、保持容量を十分に確保することができ、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】ゲート電極３０ｇと電気的に接続された走査線３ａと、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと電気的に接続されたデータ線６ａと、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと電気的に接続された画素電極２７と、容量線３ｂに電気的に接続された第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａと対向して設けられた第２容量電極１６ｃと、第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとに挟持された誘電体層１６ｂと、を有する容量素子１６と、を備え、トランジスター３０と走査線３ａとデータ線６ａとが設けられた層と、画素電極２７が設けられた層との間において、第１容量電極１６ａは、誘電体層１６ｂ及び第２容量電極１６ｃに覆われて配置されている。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】第１方向に沿って延出した第１ゲート配線及び第２ゲート配線と、前記第１ゲート配線と前記第２ゲート配線との間の略中間に位置した補助容量線と、第２方向に沿って延出した第１ソース配線及び第２ソース配線と、前記第１ソース配線及び前記第２ソース配線と同一材料によって形成された画素電極であって、前記補助容量線の上方に位置する副画素電極、前記副画素電極の前記第１ソース配線側に繋がり第２方向に沿って延出した第１主画素電極、及び、前記副画素電極の前記第２ソース配線側に繋がり第２方向に沿って延出した第２主画素電極を備えた画素電極と、を備えた第１基板と、前記第１主画素電極と前記第２主画素電極との間、前記第１ソース配線の上方、及び、前記第２ソース配線の上方にそれぞれ位置し第２方向に沿ってそれぞれ延出した主共通電極を備えた共通電極を備えた第２基板と、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】画素領域の平坦性が改善され、画素領域で液晶分子が均一に配向し、表示ムラのない、良好な表示品質の電気光学装置を提供する。
【解決手段】第１の絶縁膜１３と、第１の絶縁膜１３の上に形成され、保持容量電極が配置された保持容量領域Ｓと、第１の絶縁膜１３と保持容量電極とを覆って形成された第２の絶縁膜１４と、第２の絶縁膜１４の上に配置された複数の画素電極１５とを備え、第１の絶縁膜１３に凹部９を形成し、凹部９の底面９ａに保持容量領域Ｓを形成する。第２の絶縁膜１４の前駆体膜１４ａでは、下層の保持容量１６の形状が反映した、保持容量領域Ｓで広範囲に盛り上がった凸形状が軽微になる。平坦化処理を施すことで、広範囲に盛り上がった凸形状は解消され、平坦な表面の第２の絶縁膜１４を得ることができる。従って、画素領域Ｅでは液晶分子が均一に配向し、表示ムラのない、良好な表示品質の電気光学装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】液晶装置において、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】液晶装置１００は、素子基板と対向基板とに挟持された液晶層と、素子基板に設けられたＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０と電気的に接続された容量電極１６ａと誘電体層１６ｂと画素電極１６ｃとを有する容量素子１６とを備え、容量電極１６ａは、平面的に隣り合う画素電極１６ｃ間の領域に窪み５５を有する。 （もっと読む）

【課題】微細化を実現し、トランジスタとして十分に機能できる電気的特性を付与された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、該半導体層としてインジウム、ガリウム、亜鉛、及び酸素の４元素を少なくとも含み、該４元素の組成を原子百分率で表したとき、インジウムの割合が、ガリウムの割合及び亜鉛の割合の２倍以上である酸化物半導体膜を用いる。該半導体装置において、酸化物半導体膜は作製工程において酸素が導入され、酸素を多く（過剰に）含む膜であり、トランジスタを覆う酸化アルミニウム膜を含む絶縁層が設けられる。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを含むアクティブエリアＡＣＴと、画素ＰＸに配置された画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥ上に配置され配向処理が成された第１配向膜ＡＬ１と、を備えた第１基板ＡＲと、画素電極ＰＥを挟んだ両側に配置された共通電極ＣＥと、共通電極ＣＥ上に配置され配向処理が成された第２配向膜ＡＬ２と、を備えた第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に保持された液晶分子ＬＭを含む液晶層ＬＱと、を備え、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との配向処理方向は互いに平行であって、画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥは、配向処理方向に対して鋭角に傾いた方向に延びている液晶表示装置。 （もっと読む）