液晶装置および電子機器
【課題】イオン性不純物に起因する表示不具合が改善された液晶装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、一方の面側に複数の画素電極１５が配列する画素領域Ｅが設けられた第１基板としての素子基板１０と、共通電位が印加される共通電極２３が設けられた第２基板としての対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わすシール材４０と、シール材４０で囲まれた領域内に保持された液晶層５０と、を備え、素子基板１０は、平面視で画素領域Ｅとシール材４０との間において、共通電位より低電位の第１の電位が印加された第１配線層としての定電位配線１２１ｓと、定電位配線１２１ｓと液晶層５０との間に設けられると共に、平面視で定電位配線１２１ｓの少なくとも一部と重なって設けられ、共通電位より高電位である第２の電位が印加された第２配線層としての周辺電極１４１と、を含んでいる。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、一方の面側に複数の画素電極１５が配列する画素領域Ｅが設けられた第１基板としての素子基板１０と、共通電位が印加される共通電極２３が設けられた第２基板としての対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わすシール材４０と、シール材４０で囲まれた領域内に保持された液晶層５０と、を備え、素子基板１０は、平面視で画素領域Ｅとシール材４０との間において、共通電位より低電位の第１の電位が印加された第１配線層としての定電位配線１２１ｓと、定電位配線１２１ｓと液晶層５０との間に設けられると共に、平面視で定電位配線１２１ｓの少なくとも一部と重なって設けられ、共通電位より高電位である第２の電位が印加された第２配線層としての周辺電極１４１と、を含んでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置および液晶装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、一対の基板間に挟持された正または負の誘電異方性を有する液晶層を有している。例えば、一対の基板のそれぞれに電極を形成し、液晶層を挟んだ電極間に駆動電圧を印加して液晶層を構成する液晶分子の配向状態を電界効果により変化させることで、液晶層に入射する光を画像信号に基づいて光学的に変調することができる。液晶層の厚みは例えば数μｍ程度であって高い絶縁性を有している。ところが、液晶層にイオン性不純物が含まれていると、液晶層の全体あるいは局部において絶縁性が低下して所望の駆動電圧が印加されないため表示むらや焼き付きなどの表示不具合が生ずるおそれがあった。
【０００３】
イオン性不純物に起因する上記表示不具合を改善すべく、例えば特許文献１には、一対の基板のうち一方の基板のシール材の内側において、表示領域の外側にイオン性不純物吸着電極を備えた液晶表示装置が開示されている。
上記特許文献１には、上記イオン性不純物吸着電極が、複数の画素電極とこれらの画素電極にそれぞれ接続された薄膜トランジスターとが設けられたアクティブマトリクス基板に配置され、コモン電圧に対して正または負の直流電圧を印加して、イオン性不純物を吸着させる例が示されている。
また、上記イオン性不純物吸着電極をデータ信号ラインまたは走査信号ラインあるいは補助容量ラインに電気的に接続する例も示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１９６３５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１のアクティブマトリクス基板の表示領域の外側には、データ信号ライン、走査信号ライン、補助容量ラインの他にも電位が与えられた配線が配置されることがある。したがって、電位が与えられた配線と上記イオン性不純物吸着電極との相対的な位置関係を考慮する必要がある。例えば上記イオン性不純物吸着電極よりも電位が与えられた配線が画素電極の近傍に存在すると該配線と画素電極との間に生ずる電界によって液晶中のイオン性不純物が引き寄せられ表示領域に偏在して、上記イオン性不純物吸着電極に電位を与えてもイオン性不純物がまったくあるいは効率的に吸着できないことが考えられる。つまり、アクティブマトリクス基板の表示領域の外側に上記イオン性不純物吸着電極を配置しても所望の効果が得られないおそれがあるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例の液晶装置は、一方の面側に複数の画素電極が配列する画素領域が設けられた第１基板と、共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わすシール材と、前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、を備え、前記第１基板は、平面視で前記画素領域と前記シール材との間において、前記第１基板の基材と前記液晶層との間に設けられ、前記共通電位より低電位の第１の電位が印加された第１配線層と、前記第１配線層と前記液晶層との間に設けられると共に、平面視で前記第１配線層の少なくとも一部と重なって設けられ、前記共通電位より高電位である第２の電位が印加された第２配線層と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、画素電極と、共通電位よりも低電位の第１の電位が印加された第１配線層との間に第１の電界が生ずる。また、画素電極と、第１基板の共通電位よりも高電位の第２の電位が印加された第２配線層との間に第２の電界が生ずる。第１の電界の方向に対して第２の電界の方向は逆向きとなり、且つ第２配線層は平面視で第１配線層の少なくとも一部と重なって設けられているので、第１配線層と画素電極との間に生ずる第１の電界を弱めることになる。したがって、第１配線層と画素電極との間に生ずる第１の電界によって引き寄せられる液晶層中の正のイオン性不純物を第２配線層と画素電極との間に生ずる第２の電界によって跳ね返し液晶層中に分散させることができる。よって、正のイオン性不純物が局所的に偏在することによる表示むらや焼き付きなどの表示不具合が低減され、安定した表示状態が維持される高い信頼性を有する液晶装置を提供できる。
【０００９】
［適用例２］本適用例の他の液晶装置は、一方の面側に複数の画素電極が配列する画素領域が設けられた第１基板と、共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わすシール材と、前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、を備え、前記第１基板は、平面視で前記画素領域と前記シール材との間において、前記第１基板の基材と前記液晶層との間に設けられ、前記共通電位より高電位の第１の電位が印加された第１配線層と、前記第１配線層と前記液晶層との間に設けられると共に、平面視で前記第１配線層の少なくとも一部と重なって設けられ、前記共通電位より低電位である第２の電位が印加された第２配線層と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、画素電極と、共通電位よりも高電位の第１の電位が印加された第１配線層との間に第１の電界が生ずる。また、画素電極と、第１基板の共通電位よりも低電位の第２の電位が印加された第２配線層との間に第２の電界が生ずる。第１の電界の方向に対して第２の電界の方向は逆向きとなり、且つ第２配線層は平面視で第１配線層の少なくとも一部と重なって設けられているので、第１配線層と画素電極との間に生ずる第１の電界を弱めることになる。したがって、第１配線層と画素電極との間に生ずる第１の電界によって引き寄せられる液晶層中の負のイオン性不純物を第２配線層と画素電極との間に生ずる第２の電界によって跳ね返し液晶層中に分散させることができる。よって、負のイオン性不純物が局所的に偏在することによる表示むらや焼き付きなどの表示不具合が低減され、安定した表示状態が維持される高い信頼性を有する液晶装置を提供できる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例の液晶装置において、前記第１基板は、前記画素電極に対応したトランジスターと、前記トランジスターに電気的に接続される走査線と、前記走査線に駆動信号を供給する走査線駆動回路とを有し、前記第１配線層は、前記走査線駆動回路に定電位を供給する定電位配線であることを特徴とする。
この構成によれば、走査線駆動回路に定電位を供給する定電位配線は、例えばＧＮＤ電位などの共通電位よりも低い基準固定電位を供給する配線や、共通電位よりも高い駆動固定電位を供給する配線が挙げられる。このような定電位配線と画素電極との間の第１の電界によって引き寄せられる正または負のイオン性不純物を画素電極と第２配線層との間の第２の電界によって跳ね返して液晶中に分散させることができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例の液晶装置において、前記第１基板は、前記第１基板の基材と前記液晶層との間に設けられ、且つ平面視で前記第２配線層と前記画素電極との間において前記画素電極と隣り合って設けられ、前記共通電位が印加された第３配線層を有することを特徴とする。
画素電極には、共通電位を基準として極性が異なる交流の電位が印加されるも平均すればほぼ共通電位となる。この構成によれば、第２配線層と画素電極との間に共通電位が印加される第３配線層を有しているので、第３配線層が無い場合に比べて画素電極と第２配線層との間に生ずる第２の電界の強度が強化される。すなわち、表示不具合を引き起こす要因となる正または負のイオン性不純物をより効果的に液晶層中に分散させることができる。
【００１３】
［適用例５］上記適用例の液晶装置において、前記第３配線層は、前記第１配線層と前記第２配線層との間に設けられ、平面視で前記第２配線層と重ならない前記第１配線層の領域の少なくとも一部と重なるように配置されていることが好ましい。
この構成によれば、正または負のイオン性不純物を引き寄せる画素電極と第１配線層との間に生ずる第１の電界を第３配線層により遮ることができる。
【００１４】
［適用例６］上記適用例の液晶装置において、前記第２配線層は、平面視で前記第１配線層を覆うように重なっていることが好ましい。
本適用例によっても、正または負のイオン性不純物を引き寄せる画素電極と第１配線層との間に生ずる第１の電界を第２配線層により確実に遮ることができる。
【００１５】
［適用例７］上記適用例の液晶装置において、前記第２配線層は、前記画素電極と同じ配線層に形成されていることが好ましい。
この構成によれば、第２配線層が画素電極と同層に形成されているので、同層でない場合に比べて、画素電極と第２配線層との間に生ずる第２の電界の強度を強化できる。
【００１６】
［適用例８］上記適用例の液晶装置において、前記第２配線層は、前記画素領域の少なくとも角部に沿った部分に配置されていることが好ましい。
この構成によれば、液晶層のＯＮ−ＯＦＦによって第１配線層側に引き寄せられる正または負のイオン性不純物が画素領域の角部に偏在することを低減することができる。
【００１７】
［適用例９］上記適用例の液晶装置において、前記第１基板は、前記画素電極と同層において平面視で前記第２配線層と前記画素電極との間に前記共通電位が印加された第４配線層を有するとしてもよい。
この構成によれば、画素電極と第２配線層との間に生ずる第２の電界の強度をより強化できる。つまり、第１配線層側に引き寄せられる正または負のイオン性不純物を液晶中に分散させることができる。
【００１８】
［適用例１０］上記適用例の液晶装置において、前記第１基板は、前記画素電極と同層において平面視で前記第２配線層と前記シール材との間に前記共通電位が印加された第５配線層を有するとしてもよい。
この構成によれば、第２配線層と第５配線層との間に第３の電界が生ずる。第３の電界によって、シール材に含まれた正または負のイオン性不純物が画素領域側の液晶中に拡散することを低減することができる。
【００１９】
［適用例１１］上記適用例の液晶装置において、前記第１基板は、前記画素電極と同層において、平面視で前記第２配線層と前記画素電極との間に前記共通電位が印加された第４配線層と、平面視で前記第２配線層と前記シール材との間に前記共通電位が印加された第５配線層とを有するとしてもよい。
この構成によれば、第１配線層側に引き寄せられる正または負のイオン性不純物を液晶中に分散させることができると共に、シール材に含まれた正または負のイオン性不純物が画素領域側の液晶中に拡散することを低減することができる。つまり、正または負のイオン性不純物に起因する表示不具合の発生がより低減された液晶装置を提供できる。
【００２０】
［適用例１２］上記適用例の液晶装置において、前記第２の電位は、前記共通電位を基準として前記液晶層におけるＯＮ−ＯＦＦ時の透過率の変化の割合を１００％とするとき変化の割合が５０％となる電位以下であることが好ましい。
この構成によれば、第２の電位を第２配線層に印加したとしても、第２配線層と画素電極との間、あるいは第２配線層と共通電極との間で生ずる電界によって液晶層における液晶分子の配向が乱れて、例えばノーマリーブラックモードにおける光漏れなどの不具合が生ずることを回避できる。
【００２１】
［適用例１３］上記適用例の液晶装置において、前記第２の電位は、前記共通電位を基準として前記液晶層におけるＯＮ−ＯＦＦ時の透過率の変化の割合を１００％とするとき変化の割合が１０％となる電位以下であることがより好ましい。
この構成によれば、第２の電位を第２配線層に印加したとしても、第２配線層と画素電極との間、あるいは第２配線層と共通電極との間で生ずる電界によって液晶層における液晶分子の配向が乱れて、例えばノーマリーブラックモードにおける光漏れなどの不具合が生ずることをより確実に回避できる。
【００２２】
［適用例１４］本適用例の他の液晶装置は、一方の面側に複数の画素電極が配列する画素領域が設けられた第１基板と、共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わすシール材と、前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、を備え、前記第１基板は、平面視で前記画素領域と前記シール材との間において前記第１基板の基材と前記液晶層との間に設けられ、前記共通電位より低電位の第１の電位が印加された第１配線層と、前記第１配線層と前記液晶層との間に設けられると共に、平面視で前記第１配線層の少なくとも一部と重なって設けられ、前記第１配線層と電気的に接続された第２配線層と、を含むことを特徴とする。
【００２３】
この構成によれば、共通電位よりも低電位の第１の電位が印加された第１配線層に電気的に接続された第２配線層を介して画素電極との間に負のイオン性不純物を跳ね返す電界が生ずる。つまり、第２配線層に外部から共通電位よりも低電位の電位を与える必要が無く、液晶装置における第１配線層を利用して第２配線層に電位を与えて、負のイオン性不純物の偏在に起因する表示不具合を低減できる。
【００２４】
［適用例１５］本適用例の他の液晶装置は、一方の面側に複数の画素電極が配列する画素領域が設けられた第１基板と、共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わすシール材と、前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、を備え、前記第１基板は、平面視で前記画素領域と前記シール材との間において前記第１基板の基材と前記液晶層との間に設けられ、前記共通電位より高電位の第１の電位が印加された第１配線層と、前記第１配線層と前記液晶層との間に設けられると共に、平面視で前記第１配線層の少なくとも一部と重なって設けられ、前記第１配線層と電気的に接続された第２配線層と、を含むことを特徴とする。
【００２５】
この構成によれば、共通電位よりも高電位の第１の電位が印加された第１配線層に電気的に接続された第２配線層を介して画素電極との間に正のイオン性不純物を跳ね返す電界が生ずる。つまり、第２配線層に外部から共通電位よりも高電位の電位を与える必要が無く、液晶装置における第１配線層を利用して第２配線層に電位を与えて、正のイオン性不純物の偏在に起因する表示不具合を低減できる。
【００２６】
［適用例１６］上記適用例の他の液晶装置において、前記第１基板は、前記画素電極に対応したトランジスターと、前記トランジスターに電気的に接続される走査線と、前記走査線に駆動信号を供給する走査線駆動回路とを有し、前記第１配線層は、前記走査線駆動回路に定電位を供給する定電位配線であることを特徴とする。
この構成によれば、走査線駆動回路に基準電位を供給する定電位配線や駆動電位を供給する定電位配線を利用して第２配線層に共通電位よりも低いまたは高い電位を与えることができる。
【００２７】
［適用例１７］本適用例の電子機器は、上記適用例に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、正または負のイオン性不純物の偏在に起因する表示不具合が低減され高い信頼性を有する電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った液晶装置の構造を示す概略断面図。
【図２】液晶装置の電気的な構成を示す回路図。
【図３】画素の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置における画素の構造を示す概略断面図。
【図５】無機材料の斜め蒸着方向とイオン性不純物に起因する表示不具合との関係を示す概略平面図。
【図６】実施例に示される配線構造の平面的な位置を示す概略平面図。
【図７】（ａ）は実施例１の素子基板における配線構造を示す概略断面図、（ｂ）は実施例１の周辺電極および接続配線の配置における変形例を示す概略断面図。
【図８】液晶装置における駆動電圧と画素の透過率との関係を示すＶ−Ｔ曲線。
【図９】実施例２の素子基板における配線構造を示す概略断面図。
【図１０】実施例３の素子基板における配線構造を示す概略断面図。
【図１１】実施例４の素子基板の配線構造を示す概略断面図。
【図１２】実施例５の素子基板の配線構造を示す概略断面図。
【図１３】実施例６の素子基板の配線構造を示す概略断面図。
【図１４】投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１５】変形例の周辺電極の配置を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００３０】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００３１】
（第１実施形態）
本実施形態では、薄膜トランジスターを画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００３２】
＜液晶装置＞
まず、本実施形態の液晶装置について図１〜図３を参照して説明する。図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った液晶装置の構造を示す概略断面図、図２は液晶装置の電気的な構成を示す回路図、図３は画素の電気的な構成を示す等価回路図、図４は液晶装置における画素の構造を示す概略断面図である。
【００３３】
図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された第１基板としての素子基板１０および第２基板としての対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０および対向基板２０は、基材１０ｓ，２０ｓとして透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。
【００３４】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材４０を介して接合され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。シール材４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００３５】
シール材４０の内側に複数の画素Ｐが配列した画素領域Ｅが設けられている。また、シール材４０と画素領域Ｅとの間に画素領域Ｅを取り囲んで見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。なお、画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１では図示省略したが、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００３６】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材４０と該１辺部との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４０と画素領域Ｅとの間に検査回路１０３が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４０と画素領域Ｅとの間に走査線駆動回路１０２が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材４０と検査回路１０３との間には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
【００３７】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１に沿ったシール材４０と画素領域Ｅとの間に設けてもよい。
【００３８】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（Thin Film Transistor、以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における第１基板としての素子基板１０は、少なくとも基材１０ｓと、基材１０ｓ上に形成された画素電極１５、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜１８を含むものである。
【００３９】
対向基板２０の液晶層５０側の表面には、見切り部２１と、これを覆うように成膜された平坦化層２２と、平坦化層２２を覆うように設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４とが設けられている。本発明における第２基板としての対向基板２０は、少なくとも基材２０ｓと、基材２０ｓ上に形成された見切り部２１、共通電極２３、配向膜２４を含むものである。
【００４０】
見切り部２１は、図１（ａ）に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００４１】
平坦化層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００４２】
共通電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００４３】
画素電極１５を覆う配向膜１８および共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。本実施形態では、配向膜１８および配向膜２４として上記無機配向膜が採用されている。
【００４４】
このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。本実施形態ではノーマリーブラックモードが採用されている。
【００４５】
次に、図２および図３を参照して、液晶装置１００の電気的な構成について説明する。図２に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０上の画素領域Ｅの周辺に位置する周辺領域に形成された、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、サンプリング回路７０などの駆動回路と、複数の外部接続用端子１０４と、を有している。さらに、外部接続用端子１０４に接続された、データ線駆動回路１０１に電源（ＶＤＤＸ、ＶＳＳＸ）や駆動用の信号（ＤＸ、ＣＬＸなど）を供給するためのデータ線駆動回路用配線１１４、走査線駆動回路１０２に電源（ＶＤＤＹ、ＶＳＳＹ）や駆動用の信号（ＤＹ、ＣＬＹなど）を供給するための走査線駆動回路用配線１２１、画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）をサンプリング回路７０を介してデータ線６ａに供給するための複数の画像信号線１１１などを含む複数の引き回し配線を有している。
【００４６】
データ線駆動回路１０１には、外部回路から外部接続用端子１０４及びデータ線駆動回路用配線１１４を介してＸクロック信号ＣＬＸ（及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸ）、及びＸスタートパルスＤＸが供給される。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ（及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸ）に基づくタイミングで、選択信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎを順次生成して複数の選択信号供給線１１３にそれぞれ出力する。
【００４７】
走査線駆動回路１０２には、外部回路から外部接続用端子１０４及び走査線駆動回路用配線１２１を介してＹクロック信号ＣＬＹ（及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹ）、Ｙスタートパルス信号ＤＹが供給される。走査線駆動回路１０２は、これらの信号に基づいて走査信号Ｇ１，Ｇ２，・・・，Ｇｍを順次生成して複数の走査線３ａにそれぞれ出力する。
【００４８】
サンプリング回路７０は、Ｎチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ、もしくは相補型のＴＦＴから構成されたサンプリングトランジスター（以降、Ｓ−ＴＦＴと称する）７１を複数備えている。互いに隣り合う６本のデータ線６ａがそれぞれ接続された６個のＳ−ＴＦＴ７１のゲートは１つに纏められて１本の選択信号供給線１１３に接続されている。つまりデータ線駆動回路１０１から各選択信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎが６個のＳ−ＴＦＴ７１を１つの単位（系列）として供給される。１つの単位（系列）を構成する６個のＳ−ＴＦＴ７１のソースには６本の画像信号線１１１のうちいずれかが接続配線１１２を経由して接続されている。Ｓ−ＴＦＴ７１のドレインにはデータ線６ａが接続されている。サンプリング回路７０は、選択信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎが入力されると、１つの単位（系列）を構成する６個のＳ−ＴＦＴ７１に対応するデータ線６ａに選択信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎに応じて画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）を順次供給する。
【００４９】
図２に示すように、液晶装置１００には、前述したように、素子基板１０の中央部分を占める画素領域Ｅに、マトリックス状に配列された複数の画素Ｐを有している。
【００５０】
図３に示すように、複数の画素Ｐには、それぞれ、画素電極１５と当該画素電極１５をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０と、保持容量１６とが形成されている。画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。走査信号Ｇ１，Ｇ２，・・・，Ｇｍが供給される走査線３ａが当該ＴＦＴ３０のゲートに接続されている。画素電極１５と保持容量１６の一方の電極がＴＦＴ３０のドレインに接続されている。保持容量１６の他方の電極は走査線３ａと並行して配置された容量線３ｂに接続されている。
【００５１】
容量線３ｂは、図２に示すようにＸ方向において画素領域Ｅの外側まで引き出され、容量線３ｂの両端が走査線駆動回路１０２と画素領域Ｅとの間においてＹ方向に延在する一対の接続配線１３１に電気的に接続されている。一対の接続配線１３１のそれぞれは、対向基板２０の角部に設けられた４つの上下導通部１０６のうちＸ方向において対峙する上下導通部１０６同士を電気的に接続する一対の接続配線１３２に電気的に接続されている。
一対の接続配線１３２同士は、上下導通部１０６と電気的に接続された対向基板２０の共通電極２３を介して電気的に接続される。さらに一対の接続配線１３２のうちの外部接続用端子１０４側に位置する接続配線１３２は、共通電位（ＬＣＣＯＭ）が供給される外部接続用端子１０４に接続された引き回し配線１３３に接続されている。つまり、容量線３ｂには、共通電位（ＬＣＣＯＭ）が印加される。
【００５２】
サンプリング回路７０の６個を１つの単位（系列）としたＳ−ＴＦＴ７１に供給される選択信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎは、この順に順次に供給してもよいし、隣り合う６本のデータ線６ａに対応するＳ−ＴＦＴ７１に対して、系列ごとに供給するようにしてもよい。なお、図２に示すように、本実施形態においては、選択信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎは、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）の夫々に対応して、６本のデータ線６ａの組に対してグループ（系列）ごとに供給されるよう構成されている。画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）の相展開数（即ち、シリアル−パラレル展開される画像信号の系列数）に関しては、６相に限られるものでなく、例えば、９相、１２相、２４相など、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給されるように構成してもよい。
【００５３】
走査線３ａには走査線駆動回路１０２から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが、この順に順次印加される構成となっている。前述したように、画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，ＧｍによってＴＦＴ３０が一定期間だけＯＮ状態となり、データ線６ａから供給される画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）が画素電極１５に所定のタイミングで書き込まれる。
さらに、各画素Ｐに保持された画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）がリークするのを防ぐために、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に保持容量１６が付加されている。
【００５４】
画素電極１５を介して液晶層５０（図１（ｂ）参照）に書き込まれた所定レベルの画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）は、対向基板２０に形成された共通電極２３との間で一定期間保持される。液晶層５０は印加される電圧レベルにより液晶分子の配向や秩序が変化して、液晶層５０を透過する光が変調され、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少して暗表示となり、ノーマリーブラックモードであれば、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加して明表示となり、全体として液晶装置１００からは画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）に応じたコントラストをもつ表示光が射出され、表示が行われる。なお、画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）は、液晶層５０を交流駆動するために共通電位（ＬＣＣＯＭ）に対して正の極性を有する電位パルスと負の極性を有する電位パルスとが組み合わされて構成される。上記のような液晶装置１００の駆動方式は相展開駆動方式と呼ばれている。なお、液晶装置１００の駆動方式は、相展開駆動方式に限定されるものではない。
【００５５】
図２に戻り、素子基板１０には、共通電位（ＬＣＣＯＭ）が供給される外部接続用端子１０４に接続した接続配線１３１の近傍に本発明における第２配線層としての周辺電極１４１が画素領域Ｅを囲んで設けられている。周辺電極１４１は、素子基板１０のＸ方向における両端側においてＹ方向に延在する一対の引き回し配線１４２にそれぞれ接続されている。一対の引き回し配線１４２のそれぞれは、Ｘ方向に配列した複数の外部接続用端子１０４のうち両端側に位置する共通電位（ＬＣＣＯＭ）が供給される外部接続用端子１０４と、本発明の第１の電位としての駆動電位（ＶＤＤＹ）が供給される外部接続用端子１０４との間に配置された本発明の第２の電位（ＣＥ）が供給される外部接続用端子１０４に接続されている。素子基板１０における周辺電極１４１の詳しい配置については、後述する実施例において説明する。
【００５６】
次に、図４を参照して液晶装置１００の画素Ｐにおける構造、特に素子基板１０の詳しい配線構造と液晶分子の配向状態について説明する。
図４に示すように、素子基板１０の基材１０ｓ上には、まず走査線３ａが形成される。走査線３ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。
【００５７】
走査線３ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる第１絶縁膜（下地絶縁膜）１１ａが形成され、第１絶縁膜１１ａ上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、第１ソース・ドレイン領域、接合領域、チャネル領域、接合領域、第２ソース・ドレイン領域を有するＬＤＤ構造が形成されている。
【００５８】
半導体層３０ａを覆うように第２絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｂが形成される。さらに第２絶縁膜１１ｂを挟んでチャネル領域に対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。
【００５９】
ゲート電極３０ｇと第２絶縁膜１１ｂとを覆うようにして第３絶縁膜１１ｃが形成され、半導体層３０ａのそれぞれの端部と重なる位置に第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃを貫通する２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２が形成される。
【００６０】
そして、２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２を埋めると共に第３絶縁膜１１ｃを覆うようにＡｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性の導電部材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ１を介して第１ソース・ドレイン領域に繋がるソース電極３１ならびにデータ線６ａが形成される。同時にコンタクトホールＣＮＴ２を介して第２ソース・ドレイン領域に繋がるドレイン電極３２（第１中継電極６ｂ）が形成される。
【００６１】
次に、データ線６ａおよび第１中継電極６ｂと第３絶縁膜１１ｃを覆って第１層間絶縁膜１２が形成される。第１層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。
【００６２】
第１中継電極６ｂと重なる位置に第１層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＮＴ３が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ３を被覆すると共に第１層間絶縁膜１２を覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性の金属からなる導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、配線７ａと、コンタクトホールＣＮＴ３を介して第１中継電極６ｂに電気的に接続される第２中継電極７ｂとが形成される。
配線７ａは、平面的にＴＦＴ３０の半導体層３０ａやデータ線６ａと重なるように形成され、固定電位が与えられてシールド層として機能するものである。
【００６３】
配線７ａと第２中継電極７ｂとを覆うように第２層間絶縁膜１３ａが形成される。第２層間絶縁膜１３ａも、例えばシリコンの酸化物や窒化物あるいは酸窒化物を用いて形成することができ、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。
【００６４】
第２層間絶縁膜１３ａの第２中継電極７ｂと重なる位置にコンタクトホールＣＮＴ４が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ４を被覆すると共に第２層間絶縁膜１３ａを覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性の金属からなる導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第１容量電極１６ａと第３中継電極１６ｄとが形成される。
【００６５】
第１容量電極１６ａのうち、後に形成される誘電体層１６ｂを介して第２容量電極１６ｃと対向する部分の外縁を覆うように絶縁膜１３ｂがパターニング形成される。また、第３中継電極１６ｄのうちコンタクトホールＣＮＴ５と重なる部分を除いた外縁を覆うように絶縁膜１３ｂがパターニング形成される。
【００６６】
絶縁膜１３ｂと第１容量電極１６ａを覆って誘電体層１６ｂが成膜される。誘電体層１６ｂとしては、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの単層膜、またはこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。平面的に第３中継電極１６ｄと重なる部分の誘電体層１６ｂはエッチング等により除かれる。誘電体層１６ｂを覆うように例えばＴｉＮ（窒化チタン）などの導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第１容量電極１６ａに対向配置され、第３中継電極１６ｄに繋がる第２容量電極１６ｃが形成される。誘電体層１６ｂと、誘電体層１６ｂを挟んで対向配置された第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとにより保持容量１６が構成される。
【００６７】
次に、第２容量電極１６ｃと誘電体層１６ｂとを覆う第３層間絶縁膜１４が形成される。第３層間絶縁膜１４も例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。第２容量電極１６ｃが第３中継電極１６ｄと接した部分に到達するように第３層間絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールＣＮＴ５が形成される。
【００６８】
このコンタクトホールＣＮＴ５を被覆し、第３層間絶縁膜１４を覆うようにＩＴＯなどの透明導電膜（電極膜）が成膜される。この透明導電膜（電極膜）をパターニングしてコンタクトホールＣＮＴ５を介して第２容量電極１６ｃおよび第３中継電極１６ｄと電気的に繋がる画素電極１５が形成される。
【００６９】
第２容量電極１６ｃは第３中継電極１６ｄ、コンタクトホールＣＮＴ４、第２中継電極７ｂ、コンタクトホールＣＮＴ３、第１中継電極６ｂを介してＴＦＴ３０のドレイン電極３２と電気的に接続すると共に、コンタクトホールＣＮＴ５を介して画素電極１５と電気的に接続している。
【００７０】
第１容量電極１６ａは複数の画素Ｐに跨るように形成され、等価回路（図３参照）における容量線３ｂとして機能している。これにより、ＴＦＴ３０のドレイン電極３２を介して画素電極１５に与えられた電位を第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとの間において保持することができる。
【００７１】
このように素子基板１０の基材１０ｓ上には、複数の配線層が形成されており、配線層間を絶縁する絶縁膜や層間絶縁膜の符号を用いて配線層を表すこととする。すなわち、第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃを括って配線層１１と呼ぶ。配線層１１の代表的な配線はゲート電極３０ｇである。配線層１２の代表的な配線はデータ線６ａである。第２層間絶縁膜１３ａ、絶縁膜１３ｂ、誘電体層１６ｂを括って配線層１３と呼び、代表的な配線は配線７ａである。同じく、配線層１４の代表的な配線は、第１容量電極１６ａ（容量線３ｂ）である。
【００７２】
画素電極１５を覆うように配向膜１８が形成され、液晶層５０を介して素子基板１０に対向配置される対向基板２０の共通電極２３を覆うように配向膜２４が形成される。前述したように、配向膜１８，２４は無機配向膜であって、酸化シリコンなどの無機材料を所定の方向から例えば斜め蒸着して柱状に成長したカラム１８ａ，２４ａの集合体からなる。このような配向膜１８，２４に対して負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣは、配向膜面の法線方向に対してカラム１８ａ，２４ａの傾斜方向に３度〜５度のプレチルト角度θｐを有して略垂直配向する。画素電極１５と共通電極２３との間に交流電位を与えて液晶層５０を駆動することによって液晶分子ＬＣは画素電極１５と共通電極２３との間に生ずる電界方向に傾くように挙動（振動）する。
【００７３】
図５は無機材料の斜め蒸着方向とイオン性不純物に起因する表示不具合との関係を示す概略平面図である。カラム１８ａ，２４ａを形成するところの無機材料の斜め蒸着方向は、図５に示すように、例えば素子基板１０側では、破線の矢印で示したように右上から左下に向かって所定の方位角度θａでＹ方向と交差する方向である。素子基板１０に対して対向配置される対向基板２０側では、実線の矢印で示したように左下から右上に向かって所定の方位角度θａでＹ方向と交差する方向である。所定の角度θａは例えば４５度である。なお、図５に示した斜め蒸着方向は、液晶装置１００を対向基板２０側から見たときの方向である。
【００７４】
液晶層５０を駆動することにより、液晶分子ＬＣの挙動（振動）が生じ、液晶層５０と配向膜１８，２４との界面近傍に図５に示した破線あるいは実線の矢印で示した斜め蒸着方向に液晶分子ＬＣのフロー（流れ）が生ずる。仮に液晶層５０に正または負のイオン性不純物が含まれていると、イオン性不純物は液晶分子ＬＣのフロー（流れ）に沿って画素領域Ｅの角部に向かって誘導され偏在するおそれがある。イオン性不純物の偏在により角部に位置する画素Ｐにおいて液晶層５０の絶縁抵抗が低下すると、当該画素Ｐにおいて駆動電位の低下を招き、図５に示すような表示ムラや通電による焼き付き現象が顕著となる。
【００７５】
本実施形態の液晶装置１００は、図２に示した素子基板１０の第２配線層としての周辺電極１４１に直流電位を与えて、上記表示ムラや焼き付き現象を招く要因となる正または負のイオン性不純物の偏在を改善するものである。前述したように素子基板１０は、複数の配線層を有しており、シール材４０と画素領域Ｅとの間の周辺領域には、所定の電位が与えられた各種の配線が存在する。周辺電極１４１の機能を十分に発揮させるには、他の配線の電位の影響を受け難くする必要があり、周辺電極１４１と他の配線との相対的な配置を適正化する必要がある。以降、本実施形態の素子基板１０の配線構造に基づいた実施例を挙げて説明する。
【００７６】
図６は実施例に示される配線構造の平面的な位置を示す概略平面図である。図６に示すように画素領域Ｅは、表示に寄与する画素ＰがＸ方向およびＹ方向に配列した表示領域Ｅ１と、表示領域Ｅ１を囲んで複数のダミーの画素Ｐが配置されたダミー画素領域Ｅ２とを含んでいる。画素領域Ｅを囲むシール材４０と画素領域Ｅとの間の領域を周辺領域Ｅ３と呼ぶ。以降の各実施例では、図６に示すように周辺領域Ｅ３を囲むシール材４０の左辺を横断し表示領域Ｅ１の左下角部に位置する画素Ｐに至るＡ−Ａ’線で切った液晶装置１００の概略断面図を示して説明する。シール材４０の左辺に沿った周辺領域Ｅ３の部分における素子基板１０の配線構造に対して、シール材４０の右辺に沿った周辺領域Ｅ３の部分における素子基板１０の配線構造は基本的にＸ方向において対称な構造となっている。なお、図６において画素領域Ｅの上辺に沿った周辺領域Ｅ３の部分と、画素領域Ｅの下辺に沿った周辺領域Ｅ３の部分には、走査線駆動回路１０２に定電位を供給する本発明における第１配線層のうち共通電位（ＬＣＣＯＭ）よりも低電位の基準電位（ＶＳＳ）を供給する配線は配置されていない。共通電位（ＬＣＣＯＭ）と同電位または共通電位（ＬＣＣＯＭ）よりも高電位の配線が配置されている。なお、本実施形態における定電位配線は、走査線駆動回路１０２のバッファ回路の最終段に電源としての駆動電位（ＶＤＤＹ）や基準電位（ＶＳＳＹ）を供給する配線である。
【００７７】
本実施形態の液晶装置１００における走査線駆動回路１０２に供給される電源（定電位）は、例えば駆動電位（ＶＤＤＹ）が１５．５ｖ、基準電位（ＶＳＳＹ）が０ｖ（ＧＮＤ）である。容量線３ｂや対向基板２０の共通電極２３に印加される共通電位（ＬＣＣＯＭ）は例えば６ｖである。表示用の画素Ｐにおける画素電極１５には、画像信号の階調度合いに応じて、共通電位（ＬＣＣＯＭ）を基準として±５ｖの範囲の矩形状の交流電位が駆動周波数に基づくフレームに対応して印加される。
【００７８】
以降の実施例における素子基板１０の配線構造において、「同層」とは、同じ配線層において同じ配線材料を用いて同じ膜厚で形成された配線を言う。同一の配線層であれば、接続先が異なる配線同士を例えばフォトリソグラフィ法により同時に形成することができる。なお、上記配線同士を同時に形成することに限定されず、異なるタイミングで形成してもよい。
【００７９】
（実施例１）
図７（ａ）は実施例１の素子基板における配線構造を示す概略断面図、図７（ｂ）は実施例１の周辺電極および接続配線の配置における変形例を示す概略断面図である。
図７（ａ）に示すように、実施例１では、周辺領域Ｅ３の配線層１２に、基準電位（ＶＳＳＹ）が供給（印加）される走査線駆動回路用配線１２１ｓ（以降、定電位配線１２１ｓと呼ぶ）と、駆動電位（ＶＤＤＹ）が供給（印加）される走査線駆動回路用配線１２１ｄ（以降、定電位配線１２１ｄと呼ぶ）とが配置されている。定電位配線１２１ｓとダミー画素領域Ｅ２との間の配線層１３に共通電位（ＬＣＣＯＭ）が供給（印加）される接続配線１３１が配置されている。画素電極１５と同層において、配線層１２の定電位配線１２１ｓと重なる位置に周辺電極１４１が配置されている。実施例１では、本発明における第１配線層の例が定電位配線１２１ｓ，１２１ｄであり、本発明における第２配線層の例が周辺電極１４１であり、本発明における第３配線層の例が接続配線１３１である。
【００８０】
図８は液晶装置における駆動電圧と画素の透過率との関係を示すＶ−Ｔ曲線である。例えば、ノーマリーブラックの場合、表示領域Ｅ１の画素電極１５には、前述したように画像信号に基づいた交流電位が与えられ、画素Ｐの透過率は図８のＶ−Ｔ曲線が示すように０％〜１００％の間で変化する。液晶装置１００が駆動されているとき、ダミー画素領域Ｅ２の画素電極１５には光漏れが生じない程度の例えば、透過率が５０％以下の電位Ｖ５０以下、好ましくは透過率が１０％以下のＶ１０以下の電位が液晶層５０のＯＮ−ＯＦＦに係らず与えられる。具体的には、Ｖ５０は共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）を基準として±２．５ｖであり、Ｖ１０は共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）を基準として±１ｖ程度である。
【００８１】
まず、実施例１の周辺電極１４１が無い場合について説明する。周辺領域Ｅ３には共通電位（ＬＣＣＯＭ）が印加される接続配線１３１よりも低電位である基準電位（ＶＳＳＹ）が供給される定電位配線１２１ｓが定電位配線１２１ｄと接続配線１３１との間に配置されているので、定電位配線１２１ｓよりも高電位のダミー画素領域Ｅ２の画素電極１５から定電位配線１２１ｓに向かう第１の電界が生ずる。液晶層５０中に正のイオン性不純物が含まれていた場合には、正のイオン性不純物は接続配線１３１（共通電位；６ｖ）よりもさらに低電位（０ｖ）な定電位配線１２１ｓに引き寄せられる。したがって、図５に示したようなイオン性不純物の偏在に起因する表示ムラが生じ易くなる。なお、負のイオン性不純物は定電位配線１２１ｓと画素電極１５との第１の電界の影響を受けて定電位配線１２１ｓに引き寄せられずむしろ表示領域Ｅ１側に跳ね返される。
【００８２】
これに対して、実施例１では、画素電極１５と同層に設けられた周辺電極１４１に共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）よりも高電位な第２の電位として例えば＋７ｖの直流電位を印加する。そうすると、図７（ａ）の実線の矢印で示したように、周辺電極１４１から画素電極１５に向かうと共に、周辺電極１４１から共通電極２３に向かう第２の電界が生ずる。このような第２の電界は、前述した第１の電界と逆向きであって、第１の電界によって引き寄せられる正のイオン性不純物を表示領域Ｅ１側に跳ね返し、液晶層５０中に分散させることができる。つまり、正のイオン性不純物が画素領域Ｅの角部に偏在することによる表示ムラを低減できる。一方で、負のイオン性不純物は定電位配線１２１ｓよりも強く周辺電極１４１に引き寄せて吸着されることになる。負のイオン性不純物が周辺電極１４１に吸着されて、液晶分子の配向に影響したとしても、周辺領域Ｅ３は、図１に示したように見切り部２１によって遮光されているので、負のイオン性不純物の偏在に起因する表示ムラは目立たない。
【００８３】
実施例１における第１配線層としての定電位配線１２１ｓ，１２１ｄの配置や周辺電極１４１に印加される電位は、これに限定されない。例えば、図７（ａ）において括弧書きで示すように、定電位配線１２１ｓ，１２１ｄの位置を入れ替えて、定電位配線１２１ｓと接続配線１３１との間に駆動電位（ＶＤＤＹ）が印加される定電位配線１２１ｄが配置されていてもよい。その場合、周辺領域Ｅ３には共通電位（ＬＣＣＯＭ）が印加される接続配線１３１よりも高電位である駆動電位（ＶＤＤＹ）が供給される定電位配線１２１ｄが定電位配線１２１ｓと接続配線１３１との間に配置されるので、定電位配線１２１ｄから定電位配線１２１ｄよりも低電位のダミー画素領域Ｅ２の画素電極１５に向かう第１の電界が生ずる。液晶層５０中に負のイオン性不純物が含まれていた場合には、負のイオン性不純物は接続配線１３１（共通電位；６ｖ）よりもさらに高電位（１５．５ｖ）な定電位配線１２１ｄに引き寄せられる。したがって、画素電極１５と同層に定電位配線１２１ｄと平面視で重なるよう周辺電極１４１を設け、周辺電極１４１に共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）よりも低電位な第２の電位として例えば＋５ｖの直流電位を印加する。そうすると図７（ａ）の破線の矢印で示したように、画素電極１５から周辺電極１４１に向かうと共に、共通電極２３から周辺電極１４１に向かう第２の電界が生ずる。よって、定電位配線１２１ｄと画素電極１５との間の第１の電界で引き寄せられる負のイオン性不純物を表示領域Ｅ１側に跳ね返し、液晶層５０中に分散させることができる。つまり、負のイオン性不純物が画素領域Ｅの角部に偏在することによる表示ムラを低減できる。一方で、正のイオン性不純物は定電位配線１２１ｄよりも強く周辺電極１４１に引き寄せて吸着することになる。正のイオン性不純物が周辺電極１４１に吸着されて、液晶分子の配向に影響したとしても、周辺領域Ｅ３は、図１に示したように見切り部２１によって遮光されているので、正のイオン性不純物の偏在に起因する表示ムラは目立たない。
【００８４】
イオン性不純物は、液晶装置１００を構成するところの材料に含まれていたり、あるいは別の部材や薬品類など液晶装置１００を製造する工程において侵入するものと考えられる。したがって、液晶層５０中に含まれるイオン性不純物は、正と負の両方の極性を示すものが含まれる可能性があるものの、正と負のイオン性不純物の量が同じであることは極めて少ない。図５に示したような表示ムラや焼き付き現象を呈する製品を解析することより、液晶層５０中に含まれるイオン性不純物の極性を調べることができる。支配的なイオン性不純物の極性に応じて、実施例１のように周辺電極１４１を配置して対応する直流電位を印加すれば、支配的なイオン性不純物の偏在による表示ムラや焼き付き現象を低減することができる。
【００８５】
周辺電極１４１に与えられる第２の電位の大きさは、ダミー画素領域Ｅ２における液晶分子の配向状態を乱して光漏れなどの不具合が生じないように、共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）に対してＶ５０以下の電位、好ましくはＶ１０以下の電位とする。
【００８６】
また、図７（ｂ）に示すように、配線層１２に設けられた定電位配線１２１ｓ（定電位配線１２１ｄ）と配線層１３に設けられた接続配線１３１とが平面視で重なっているとき、周辺電極１４１は、接続配線１３１と重なっていない定電位配線１２１ｓ（定電位配線１２１ｄ）の部分と重なるように配置することが好ましい。言い換えれば、定電位配線１２１ｓ（定電位配線１２１ｄ）に周辺電極１４１で覆われていない領域があるとき、接続配線１３１は、平面視で周辺電極１４１と重ならない定電位配線１２１ｓ（定電位配線１２１ｄ）の領域の少なくとも一部と重なるように配置されていることが好ましい。これによれば、定電位配線１２１ｓ（定電位配線１２１ｄ）と画素電極１５との間に生ずる第１の電界を第３配線層としての接続配線１３１によって遮って、正または負のイオン性不純物が定電位配線１２１ｓ（定電位配線１２１ｄ）に向かって引き寄せられることを低減できる。
【００８７】
（実施例２）
図９は実施例２の素子基板における配線構造を示す概略断面図である。実施例２は、実施例１に対して周辺電極１４１が設けられる範囲を異ならせたものである。具体的には、図９に示すように、実施例２の周辺電極１４１は、配線層１２に設けられた定電位配線１２１ｓ，１２１ｄと、配線層１３に設けられた接続配線１３１とに平面的に重なるように、画素電極１５と同層に形成されている。
【００８８】
実施例２によれば、定電位配線１２１ｓ，１２１ｄと画素電極１５との間に生ずる第１の電界を遮り、周辺電極１４１と画素電極１５との間に生ずる第２の電界の強度を強化できる。周辺電極１４１に与える直流電位によって、正または負のイオン性不純物のうち一方は跳ね返されて液晶層５０中に分散し、他方は実施例１よりも面積が大きくなった周辺電極１４１に吸着される。つまり、正または負のイオン性不純物が画素領域Ｅの角部に偏在することによる表示ムラや焼き付き現象をより低減することができる。
【００８９】
実施例２における定電位配線１２１ｓ，１２１ｄの配置はこれに限定されず、実施例１と同様に、場所を入れ替えて配置してもよい。周辺電極１４１に与える直流電位についても実施例１と同じであり、液晶層５０に支配的に含まれるイオン性不純物の極性に応じた直流電位を印加する。
また、周辺電極１４１は平面視で第１配線層としての定電位配線１２１ｓ，１２１ｄと重なっていればよく、共通電位（ＬＣＣＯＭ）が印加される接続配線１３１のすべてに重ならなくてもよい。
【００９０】
（実施例３）
図１０は実施例３の素子基板における配線構造を示す概略断面図である。図１０に示すように、実施例３は、実施例１に対して、画素電極１５と同層において、周辺電極１４１とダミー画素領域Ｅ２の画素電極１５との間に共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）が印加される第２の周辺電極１５１を設けたものである。
【００９１】
実施例３によれば、共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）よりも高いまたは低い直流電位が印加される周辺電極１４１と、共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）を基準とした交流電位が印加されるダミー画素領域Ｅ２の画素電極１５との間に、直流の共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）が印加される第２の周辺電極１５１を配置することよって、周辺電極１４１と画素電極１５との間に生ずる（実線または破線で示した）第２の電界の強度を強化できる。
【００９２】
また、周辺電極１４１に正または負のイオン性不純物を吸着させた場合には、画素電極１５との間に第２の周辺電極１５１を配置することによって、直流電位が印加された電極が並列することになり、周辺電極１４１に吸着させたイオン性不純物が画素電極１５側に拡散し難くなる。
【００９３】
第２の周辺電極１５１の平面的な配置は、周辺電極１４１と画素領域Ｅとの間であって、画素領域Ｅを囲むように配置してもよいし、図５に示した表示ムラの発生状況を考慮して、図６における画素領域Ｅの左辺と右辺とに沿って、接続配線１３１と平面視で重なるように直線的に配置してもよい。第２の周辺電極１５１に共通電位（ＬＣＣＯＭ）を与える方法としては、図２に示したＸ方向に延在する接続配線１３２と重なる位置においてコンタクトホールを設けて、第２の周辺電極１５１と接続配線１３２とを電気的に接続する方法が挙げられる。
【００９４】
（実施例４）
図１１は実施例４の素子基板の配線構造を示す概略断面図である。図１１に示すように、実施例４は、実施例３に対して、周辺電極１４１とシール材４０との間において、共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）が印加される第３の周辺電極１５２をさらに設けたものである。
シール材４０は、シール材４０自体や液晶装置１００の製造工程において微量の金属イオンや未硬化物などのイオン性不純物を含むおそれがある。
実施例４によれば、周辺領域Ｅ３においてシール材４０と周辺電極１４１との間に共通電位が印加される第３の周辺電極１５２が配置されている。また、第３の周辺電極１５２は、平面視で第１配線層としての定電位配線１２１ｄ（定電位配線１２１ｓ）と重なるように配置されている。
したがって、共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）よりも高いまたは低い直流電位が印加される周辺電極１４１と、共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）が印加される第３の周辺電極１５２との間に第３の電界が生ずる。実線あるいは破線で示した第３の電界の方向により、シール材４０から液晶層５０中に拡散しようとする正または負のイオン性不純物をシール材４０側に跳ね返して表示領域Ｅ１側に拡散することを低減することができる。
つまり、実施例４は、液晶層５０中に含まれるイオン性不純物だけでなく、シール材４０中に含まれるイオン性不純物に起因する表示不具合も同時に改善することができる。
【００９５】
（実施例５）
図１２は実施例５の素子基板の配線構造を示す概略断面図である。図１２に示すように、実施例５は、素子基板１０の基材１０ｓ上において、第１配線層としての定電位配線１２１ｄ，１２１ｓと画素電極１５との間の配線層１４に第２配線層としての周辺電極１６１が形成されている。周辺電極１６１は、下層の配線層１３に形成された中継電極１３４を介して基準電位（ＶＳＳＹ；０ｖ）が印加される定電位配線１２１ｓに電気的に接続されている。また、平面視で第１配線層としての定電位配線１２１ｄ，１２１ｓと第３配線層としての接続配線１３１と重なるように配置されている。なお、周辺電極１６１は実施例１の周辺電極１４１と同様に平面的には画素領域Ｅを囲むように配線層１４において形成されている。また、平面視で少なくとも第１配線層としての定電位配線１２１ｄ，１２１ｓに重なるように配置されていればよく、接続配線１３１のすべてと重ならなくてもよい。
【００９６】
実施例５によれば、図１２の破線の矢印で示すように、周辺電極１６１とダミー画素領域Ｅ２の画素電極１５との間に画素電極１５から周辺電極１６１に向かう電界が生ずる。また、周辺電極１６１と共通電極２３との間に共通電極２３から周辺電極１６１に向かう電界が生ずる。このような電界を第４の電界とすると、第４の電界により液晶層５０中に含まれる正のイオン性不純物は周辺電極１６１に引き寄せられ、負のイオン性不純物は跳ね返される。第４の電界の強度は、周辺電極１６１と液晶層５０との間の第３層間絶縁膜１４の材質と膜厚とによって決まる。例えば、第３層間絶縁膜１４をＮＳＧとＢＳＧの積層膜として膜厚をおよそ６００ｎｍとすれば、周辺電極１６１が設けられた配線層１４の液晶層５０に面する表面における直流電位をおよそ＋１ｖとすることができる。
つまり、実施例１のように画素電極１５と同層に周辺電極１４１を設けなくても、周辺電極１４１と同様な効果を得ることができる。加えて、周辺電極１４１の場合は、外部接続用端子１０４を介して外部から共通電位（ＬＣＣＯＭ）よりも低い電位が印加されるが、実施例５では、液晶装置１００における走査線駆動回路１０２に電源（定電位）を供給する定電位配線１２１ｓの電位を利用して周辺電極１６１に共通電位（ＬＣＣＯＭ）よりも低い電位を与えることができる。すなわち、外部から電位を供給しなくてよいので、外部接続用端子１０４を増やすことなく有効利用できる。
【００９７】
（実施例６）
図１３は実施例６の素子基板の配線構造を示す概略断面図である。図１３に示すように、実施例６は、実施例５に対して第２配線層としての周辺電極１６１が電気的に接続される第１配線層を駆動電位（ＶＤＤＹ）が供給される定電位配線１２１ｄとしたものである。
素子基板１０の基材１０ｓ上において、第１配線層としての定電位配線１２１ｓ，１２１ｄと画素電極１５との間の配線層１４に周辺電極１６１が形成されている。周辺電極１６１は、下層の配線層１３に形成された中継電極１３４を介して駆動電位（ＶＤＤＹ；１５．５ｖ）が印加される定電位配線１２１ｄに電気的に接続されている。また、平面視で第１配線層としての定電位配線１２１ｓ，１２１ｄと第３配線層としての接続配線１３１と重なるように配置されている。周辺電極１６１は実施例１の周辺電極１４１と同様に平面的には画素領域Ｅを囲むように配線層１４において形成されている。また、平面視で少なくとも第１配線層としての定電位配線１２１ｓ，１２１ｄに重なるように配置されていればよく、接続配線１３１のすべてと重ならなくてもよい。
【００９８】
実施例６によれば、図１３の実線の矢印で示すように、周辺電極１６１とダミー画素領域Ｅ２の画素電極１５との間に周辺電極１６１から画素電極１５に向かう電界が生ずる。また、周辺電極１６１と共通電極２３との間に周辺電極１６１から共通電極２３に向かう電界が生ずる。このような電界を第５の電界とすると、第５の電界により液晶層５０中に含まれる負のイオン性不純物は周辺電極１６１に引き寄せられ、正のイオン性不純物は跳ね返される。第５の電界の強度もまた、周辺電極１６１と液晶層５０との間の第３層間絶縁膜１４の材質と膜厚とによって決まる。例えば、第３層間絶縁膜１４をＮＳＧとＢＳＧの積層膜として膜厚をおよそ６００ｎｍとすれば、周辺電極１６１が設けられた配線層１４の液晶層５０に面する表面における直流電位をおよそ＋１４．５ｖとすることができる。
つまり、実施例１のように画素電極１５と同層に周辺電極１４１を設けなくても、周辺電極１４１と同様な効果を得ることができる。加えて、周辺電極１４１の場合は、外部接続用端子１０４を介して外部から共通電位（ＬＣＣＯＭ）よりも高い電位が印加されるが、実施例６では、液晶装置１００における走査線駆動回路１０２に電源（定電位）を供給する定電位配線１２１ｄの電位を利用して周辺電極１６１に共通電位（ＬＣＣＯＭ）よりも高い電位を与えることができる。すなわち、外部から電位を供給しなくてよいので、外部接続用端子１０４を増やすことなく有効利用できる。
【００９９】
以上、本実施形態の液晶装置１００において、実施例１〜実施例６に示すように、画素領域Ｅの周辺領域Ｅ３に、走査線駆動回路１０２のバッファ回路の最終段に電源（定電位）を供給する定電位配線１２１ｓ，１２１ｄや、共通電位（ＬＣＣＯＭ）が印加される接続配線１３１の配置を考慮して周辺電極１４１（周辺電極１６１）を配置する。そして、周辺電極１４１（周辺電極１６１）に直流電位を印加することにより、液晶層５０中あるいはシール材４０中に含まれるイオン性不純物が画素領域Ｅの角部に偏在することに起因する表示ムラや焼き付き現象を低減することができる。
【０１００】
（第２実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図１４を参照して説明する。図１４は投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【０１０１】
図１４に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【０１０２】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１０３】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１０４】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１０５】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１０６】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１０７】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、イオン性不純物に起因する表示ムラや焼き付き現象などが低減された液晶装置１００を用いているので、見栄えのよい表示品質と高い信頼性とが実現されている。
【０１０８】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置１００および該液晶装置１００を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１０９】
（変形例１）上記液晶装置１００における第２配線層としての周辺電極１４１（周辺電極１６１）は、画素領域Ｅを囲むように配置されることに限定されない。図１５は変形例の周辺電極の配置を示す概略平面図である。図１５に示すように、液晶分子の挙動によるフローの発生で、イオン性不純物が偏在し易い画素領域Ｅの対角に位置する角部に対応して、当該角部に沿った部分に一対の周辺電極１４１Ａと周辺電極１４１Ｂとを配置してもよい。なお、周辺電極１４１Ａ，１４１Ｂは実施例１〜実施例４のように画素電極１５と同層に形成してもよいし、実施例５および実施例６のように配線層１４に形成して第１配線層と電気的に接続させてもよい。
【０１１０】
（変形例２）上記液晶装置１００の実施例４では、画素電極１５と同層においてシール材４０と画素領域Ｅとの間に、画素領域Ｅ側から第２の周辺電極１５１、周辺電極１４１、第３の周辺電極１５２を隣り合って配置した。図５に示したような表示ムラや焼き付き現象が主にシール材４０に含まれるイオン性不純物に起因する場合には、実施例４の第２の周辺電極１５１を削除した構成も採用することができる。
【０１１１】
（変形例３）上記液晶装置１００における配向処理は、ＶＡ（Vertical Alignment）方式に限定されない。例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）方式やＯＣＢ（Optically Compensated Bend）方式においても周辺電極１４１（周辺電極１６１）を適用して、イオン性不純物に起因する表示不具合を改善することができる。
【０１１２】
（変形例４）周辺電極１４１（周辺電極１６１）が適用される液晶装置１００は、透過型に限定されない。画素電極１５が光反射性を有する反射型の液晶装置においても適用することができる。
【０１１３】
（変形例５）液晶装置１００を適用可能な電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１１４】
３ａ…走査線、１０…第１基板としての素子基板、１５…画素電極、２０…第２基板としての対向基板、２３…共通電極、３０…薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、４０…シール材、５０…液晶層、１００…液晶装置、１０２…走査線駆動回路、１２１ｓ，１２１ｄ…第１配線層および走査線駆動回路に定電位を供給する定電位配線、１３１…第３配線層としての接続配線、１４１，１６１…第２配線層としての周辺電極、１５１…第４配線層としての第２の周辺電極、１５２…第５配線層としての第３の周辺電極、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｅ…画素領域。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置および液晶装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、一対の基板間に挟持された正または負の誘電異方性を有する液晶層を有している。例えば、一対の基板のそれぞれに電極を形成し、液晶層を挟んだ電極間に駆動電圧を印加して液晶層を構成する液晶分子の配向状態を電界効果により変化させることで、液晶層に入射する光を画像信号に基づいて光学的に変調することができる。液晶層の厚みは例えば数μｍ程度であって高い絶縁性を有している。ところが、液晶層にイオン性不純物が含まれていると、液晶層の全体あるいは局部において絶縁性が低下して所望の駆動電圧が印加されないため表示むらや焼き付きなどの表示不具合が生ずるおそれがあった。
【０００３】
イオン性不純物に起因する上記表示不具合を改善すべく、例えば特許文献１には、一対の基板のうち一方の基板のシール材の内側において、表示領域の外側にイオン性不純物吸着電極を備えた液晶表示装置が開示されている。
上記特許文献１には、上記イオン性不純物吸着電極が、複数の画素電極とこれらの画素電極にそれぞれ接続された薄膜トランジスターとが設けられたアクティブマトリクス基板に配置され、コモン電圧に対して正または負の直流電圧を印加して、イオン性不純物を吸着させる例が示されている。
また、上記イオン性不純物吸着電極をデータ信号ラインまたは走査信号ラインあるいは補助容量ラインに電気的に接続する例も示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１９６３５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１のアクティブマトリクス基板の表示領域の外側には、データ信号ライン、走査信号ライン、補助容量ラインの他にも電位が与えられた配線が配置されることがある。したがって、電位が与えられた配線と上記イオン性不純物吸着電極との相対的な位置関係を考慮する必要がある。例えば上記イオン性不純物吸着電極よりも電位が与えられた配線が画素電極の近傍に存在すると該配線と画素電極との間に生ずる電界によって液晶中のイオン性不純物が引き寄せられ表示領域に偏在して、上記イオン性不純物吸着電極に電位を与えてもイオン性不純物がまったくあるいは効率的に吸着できないことが考えられる。つまり、アクティブマトリクス基板の表示領域の外側に上記イオン性不純物吸着電極を配置しても所望の効果が得られないおそれがあるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例の液晶装置は、一方の面側に複数の画素電極が配列する画素領域が設けられた第１基板と、共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わすシール材と、前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、を備え、前記第１基板は、平面視で前記画素領域と前記シール材との間において、前記第１基板の基材と前記液晶層との間に設けられ、前記共通電位より低電位の第１の電位が印加された第１配線層と、前記第１配線層と前記液晶層との間に設けられると共に、平面視で前記第１配線層の少なくとも一部と重なって設けられ、前記共通電位より高電位である第２の電位が印加された第２配線層と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、画素電極と、共通電位よりも低電位の第１の電位が印加された第１配線層との間に第１の電界が生ずる。また、画素電極と、第１基板の共通電位よりも高電位の第２の電位が印加された第２配線層との間に第２の電界が生ずる。第１の電界の方向に対して第２の電界の方向は逆向きとなり、且つ第２配線層は平面視で第１配線層の少なくとも一部と重なって設けられているので、第１配線層と画素電極との間に生ずる第１の電界を弱めることになる。したがって、第１配線層と画素電極との間に生ずる第１の電界によって引き寄せられる液晶層中の正のイオン性不純物を第２配線層と画素電極との間に生ずる第２の電界によって跳ね返し液晶層中に分散させることができる。よって、正のイオン性不純物が局所的に偏在することによる表示むらや焼き付きなどの表示不具合が低減され、安定した表示状態が維持される高い信頼性を有する液晶装置を提供できる。
【０００９】
［適用例２］本適用例の他の液晶装置は、一方の面側に複数の画素電極が配列する画素領域が設けられた第１基板と、共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わすシール材と、前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、を備え、前記第１基板は、平面視で前記画素領域と前記シール材との間において、前記第１基板の基材と前記液晶層との間に設けられ、前記共通電位より高電位の第１の電位が印加された第１配線層と、前記第１配線層と前記液晶層との間に設けられると共に、平面視で前記第１配線層の少なくとも一部と重なって設けられ、前記共通電位より低電位である第２の電位が印加された第２配線層と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、画素電極と、共通電位よりも高電位の第１の電位が印加された第１配線層との間に第１の電界が生ずる。また、画素電極と、第１基板の共通電位よりも低電位の第２の電位が印加された第２配線層との間に第２の電界が生ずる。第１の電界の方向に対して第２の電界の方向は逆向きとなり、且つ第２配線層は平面視で第１配線層の少なくとも一部と重なって設けられているので、第１配線層と画素電極との間に生ずる第１の電界を弱めることになる。したがって、第１配線層と画素電極との間に生ずる第１の電界によって引き寄せられる液晶層中の負のイオン性不純物を第２配線層と画素電極との間に生ずる第２の電界によって跳ね返し液晶層中に分散させることができる。よって、負のイオン性不純物が局所的に偏在することによる表示むらや焼き付きなどの表示不具合が低減され、安定した表示状態が維持される高い信頼性を有する液晶装置を提供できる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例の液晶装置において、前記第１基板は、前記画素電極に対応したトランジスターと、前記トランジスターに電気的に接続される走査線と、前記走査線に駆動信号を供給する走査線駆動回路とを有し、前記第１配線層は、前記走査線駆動回路に定電位を供給する定電位配線であることを特徴とする。
この構成によれば、走査線駆動回路に定電位を供給する定電位配線は、例えばＧＮＤ電位などの共通電位よりも低い基準固定電位を供給する配線や、共通電位よりも高い駆動固定電位を供給する配線が挙げられる。このような定電位配線と画素電極との間の第１の電界によって引き寄せられる正または負のイオン性不純物を画素電極と第２配線層との間の第２の電界によって跳ね返して液晶中に分散させることができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例の液晶装置において、前記第１基板は、前記第１基板の基材と前記液晶層との間に設けられ、且つ平面視で前記第２配線層と前記画素電極との間において前記画素電極と隣り合って設けられ、前記共通電位が印加された第３配線層を有することを特徴とする。
画素電極には、共通電位を基準として極性が異なる交流の電位が印加されるも平均すればほぼ共通電位となる。この構成によれば、第２配線層と画素電極との間に共通電位が印加される第３配線層を有しているので、第３配線層が無い場合に比べて画素電極と第２配線層との間に生ずる第２の電界の強度が強化される。すなわち、表示不具合を引き起こす要因となる正または負のイオン性不純物をより効果的に液晶層中に分散させることができる。
【００１３】
［適用例５］上記適用例の液晶装置において、前記第３配線層は、前記第１配線層と前記第２配線層との間に設けられ、平面視で前記第２配線層と重ならない前記第１配線層の領域の少なくとも一部と重なるように配置されていることが好ましい。
この構成によれば、正または負のイオン性不純物を引き寄せる画素電極と第１配線層との間に生ずる第１の電界を第３配線層により遮ることができる。
【００１４】
［適用例６］上記適用例の液晶装置において、前記第２配線層は、平面視で前記第１配線層を覆うように重なっていることが好ましい。
本適用例によっても、正または負のイオン性不純物を引き寄せる画素電極と第１配線層との間に生ずる第１の電界を第２配線層により確実に遮ることができる。
【００１５】
［適用例７］上記適用例の液晶装置において、前記第２配線層は、前記画素電極と同じ配線層に形成されていることが好ましい。
この構成によれば、第２配線層が画素電極と同層に形成されているので、同層でない場合に比べて、画素電極と第２配線層との間に生ずる第２の電界の強度を強化できる。
【００１６】
［適用例８］上記適用例の液晶装置において、前記第２配線層は、前記画素領域の少なくとも角部に沿った部分に配置されていることが好ましい。
この構成によれば、液晶層のＯＮ−ＯＦＦによって第１配線層側に引き寄せられる正または負のイオン性不純物が画素領域の角部に偏在することを低減することができる。
【００１７】
［適用例９］上記適用例の液晶装置において、前記第１基板は、前記画素電極と同層において平面視で前記第２配線層と前記画素電極との間に前記共通電位が印加された第４配線層を有するとしてもよい。
この構成によれば、画素電極と第２配線層との間に生ずる第２の電界の強度をより強化できる。つまり、第１配線層側に引き寄せられる正または負のイオン性不純物を液晶中に分散させることができる。
【００１８】
［適用例１０］上記適用例の液晶装置において、前記第１基板は、前記画素電極と同層において平面視で前記第２配線層と前記シール材との間に前記共通電位が印加された第５配線層を有するとしてもよい。
この構成によれば、第２配線層と第５配線層との間に第３の電界が生ずる。第３の電界によって、シール材に含まれた正または負のイオン性不純物が画素領域側の液晶中に拡散することを低減することができる。
【００１９】
［適用例１１］上記適用例の液晶装置において、前記第１基板は、前記画素電極と同層において、平面視で前記第２配線層と前記画素電極との間に前記共通電位が印加された第４配線層と、平面視で前記第２配線層と前記シール材との間に前記共通電位が印加された第５配線層とを有するとしてもよい。
この構成によれば、第１配線層側に引き寄せられる正または負のイオン性不純物を液晶中に分散させることができると共に、シール材に含まれた正または負のイオン性不純物が画素領域側の液晶中に拡散することを低減することができる。つまり、正または負のイオン性不純物に起因する表示不具合の発生がより低減された液晶装置を提供できる。
【００２０】
［適用例１２］上記適用例の液晶装置において、前記第２の電位は、前記共通電位を基準として前記液晶層におけるＯＮ−ＯＦＦ時の透過率の変化の割合を１００％とするとき変化の割合が５０％となる電位以下であることが好ましい。
この構成によれば、第２の電位を第２配線層に印加したとしても、第２配線層と画素電極との間、あるいは第２配線層と共通電極との間で生ずる電界によって液晶層における液晶分子の配向が乱れて、例えばノーマリーブラックモードにおける光漏れなどの不具合が生ずることを回避できる。
【００２１】
［適用例１３］上記適用例の液晶装置において、前記第２の電位は、前記共通電位を基準として前記液晶層におけるＯＮ−ＯＦＦ時の透過率の変化の割合を１００％とするとき変化の割合が１０％となる電位以下であることがより好ましい。
この構成によれば、第２の電位を第２配線層に印加したとしても、第２配線層と画素電極との間、あるいは第２配線層と共通電極との間で生ずる電界によって液晶層における液晶分子の配向が乱れて、例えばノーマリーブラックモードにおける光漏れなどの不具合が生ずることをより確実に回避できる。
【００２２】
［適用例１４］本適用例の他の液晶装置は、一方の面側に複数の画素電極が配列する画素領域が設けられた第１基板と、共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わすシール材と、前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、を備え、前記第１基板は、平面視で前記画素領域と前記シール材との間において前記第１基板の基材と前記液晶層との間に設けられ、前記共通電位より低電位の第１の電位が印加された第１配線層と、前記第１配線層と前記液晶層との間に設けられると共に、平面視で前記第１配線層の少なくとも一部と重なって設けられ、前記第１配線層と電気的に接続された第２配線層と、を含むことを特徴とする。
【００２３】
この構成によれば、共通電位よりも低電位の第１の電位が印加された第１配線層に電気的に接続された第２配線層を介して画素電極との間に負のイオン性不純物を跳ね返す電界が生ずる。つまり、第２配線層に外部から共通電位よりも低電位の電位を与える必要が無く、液晶装置における第１配線層を利用して第２配線層に電位を与えて、負のイオン性不純物の偏在に起因する表示不具合を低減できる。
【００２４】
［適用例１５］本適用例の他の液晶装置は、一方の面側に複数の画素電極が配列する画素領域が設けられた第１基板と、共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わすシール材と、前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、を備え、前記第１基板は、平面視で前記画素領域と前記シール材との間において前記第１基板の基材と前記液晶層との間に設けられ、前記共通電位より高電位の第１の電位が印加された第１配線層と、前記第１配線層と前記液晶層との間に設けられると共に、平面視で前記第１配線層の少なくとも一部と重なって設けられ、前記第１配線層と電気的に接続された第２配線層と、を含むことを特徴とする。
【００２５】
この構成によれば、共通電位よりも高電位の第１の電位が印加された第１配線層に電気的に接続された第２配線層を介して画素電極との間に正のイオン性不純物を跳ね返す電界が生ずる。つまり、第２配線層に外部から共通電位よりも高電位の電位を与える必要が無く、液晶装置における第１配線層を利用して第２配線層に電位を与えて、正のイオン性不純物の偏在に起因する表示不具合を低減できる。
【００２６】
［適用例１６］上記適用例の他の液晶装置において、前記第１基板は、前記画素電極に対応したトランジスターと、前記トランジスターに電気的に接続される走査線と、前記走査線に駆動信号を供給する走査線駆動回路とを有し、前記第１配線層は、前記走査線駆動回路に定電位を供給する定電位配線であることを特徴とする。
この構成によれば、走査線駆動回路に基準電位を供給する定電位配線や駆動電位を供給する定電位配線を利用して第２配線層に共通電位よりも低いまたは高い電位を与えることができる。
【００２７】
［適用例１７］本適用例の電子機器は、上記適用例に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、正または負のイオン性不純物の偏在に起因する表示不具合が低減され高い信頼性を有する電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った液晶装置の構造を示す概略断面図。
【図２】液晶装置の電気的な構成を示す回路図。
【図３】画素の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置における画素の構造を示す概略断面図。
【図５】無機材料の斜め蒸着方向とイオン性不純物に起因する表示不具合との関係を示す概略平面図。
【図６】実施例に示される配線構造の平面的な位置を示す概略平面図。
【図７】（ａ）は実施例１の素子基板における配線構造を示す概略断面図、（ｂ）は実施例１の周辺電極および接続配線の配置における変形例を示す概略断面図。
【図８】液晶装置における駆動電圧と画素の透過率との関係を示すＶ−Ｔ曲線。
【図９】実施例２の素子基板における配線構造を示す概略断面図。
【図１０】実施例３の素子基板における配線構造を示す概略断面図。
【図１１】実施例４の素子基板の配線構造を示す概略断面図。
【図１２】実施例５の素子基板の配線構造を示す概略断面図。
【図１３】実施例６の素子基板の配線構造を示す概略断面図。
【図１４】投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１５】変形例の周辺電極の配置を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００３０】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００３１】
（第１実施形態）
本実施形態では、薄膜トランジスターを画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００３２】
＜液晶装置＞
まず、本実施形態の液晶装置について図１〜図３を参照して説明する。図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った液晶装置の構造を示す概略断面図、図２は液晶装置の電気的な構成を示す回路図、図３は画素の電気的な構成を示す等価回路図、図４は液晶装置における画素の構造を示す概略断面図である。
【００３３】
図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された第１基板としての素子基板１０および第２基板としての対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０および対向基板２０は、基材１０ｓ，２０ｓとして透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。
【００３４】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材４０を介して接合され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。シール材４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００３５】
シール材４０の内側に複数の画素Ｐが配列した画素領域Ｅが設けられている。また、シール材４０と画素領域Ｅとの間に画素領域Ｅを取り囲んで見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。なお、画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１では図示省略したが、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００３６】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材４０と該１辺部との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４０と画素領域Ｅとの間に検査回路１０３が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４０と画素領域Ｅとの間に走査線駆動回路１０２が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材４０と検査回路１０３との間には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
【００３７】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１に沿ったシール材４０と画素領域Ｅとの間に設けてもよい。
【００３８】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（Thin Film Transistor、以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における第１基板としての素子基板１０は、少なくとも基材１０ｓと、基材１０ｓ上に形成された画素電極１５、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜１８を含むものである。
【００３９】
対向基板２０の液晶層５０側の表面には、見切り部２１と、これを覆うように成膜された平坦化層２２と、平坦化層２２を覆うように設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４とが設けられている。本発明における第２基板としての対向基板２０は、少なくとも基材２０ｓと、基材２０ｓ上に形成された見切り部２１、共通電極２３、配向膜２４を含むものである。
【００４０】
見切り部２１は、図１（ａ）に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００４１】
平坦化層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００４２】
共通電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００４３】
画素電極１５を覆う配向膜１８および共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。本実施形態では、配向膜１８および配向膜２４として上記無機配向膜が採用されている。
【００４４】
このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。本実施形態ではノーマリーブラックモードが採用されている。
【００４５】
次に、図２および図３を参照して、液晶装置１００の電気的な構成について説明する。図２に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０上の画素領域Ｅの周辺に位置する周辺領域に形成された、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、サンプリング回路７０などの駆動回路と、複数の外部接続用端子１０４と、を有している。さらに、外部接続用端子１０４に接続された、データ線駆動回路１０１に電源（ＶＤＤＸ、ＶＳＳＸ）や駆動用の信号（ＤＸ、ＣＬＸなど）を供給するためのデータ線駆動回路用配線１１４、走査線駆動回路１０２に電源（ＶＤＤＹ、ＶＳＳＹ）や駆動用の信号（ＤＹ、ＣＬＹなど）を供給するための走査線駆動回路用配線１２１、画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）をサンプリング回路７０を介してデータ線６ａに供給するための複数の画像信号線１１１などを含む複数の引き回し配線を有している。
【００４６】
データ線駆動回路１０１には、外部回路から外部接続用端子１０４及びデータ線駆動回路用配線１１４を介してＸクロック信号ＣＬＸ（及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸ）、及びＸスタートパルスＤＸが供給される。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ（及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸ）に基づくタイミングで、選択信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎを順次生成して複数の選択信号供給線１１３にそれぞれ出力する。
【００４７】
走査線駆動回路１０２には、外部回路から外部接続用端子１０４及び走査線駆動回路用配線１２１を介してＹクロック信号ＣＬＹ（及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹ）、Ｙスタートパルス信号ＤＹが供給される。走査線駆動回路１０２は、これらの信号に基づいて走査信号Ｇ１，Ｇ２，・・・，Ｇｍを順次生成して複数の走査線３ａにそれぞれ出力する。
【００４８】
サンプリング回路７０は、Ｎチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ、もしくは相補型のＴＦＴから構成されたサンプリングトランジスター（以降、Ｓ−ＴＦＴと称する）７１を複数備えている。互いに隣り合う６本のデータ線６ａがそれぞれ接続された６個のＳ−ＴＦＴ７１のゲートは１つに纏められて１本の選択信号供給線１１３に接続されている。つまりデータ線駆動回路１０１から各選択信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎが６個のＳ−ＴＦＴ７１を１つの単位（系列）として供給される。１つの単位（系列）を構成する６個のＳ−ＴＦＴ７１のソースには６本の画像信号線１１１のうちいずれかが接続配線１１２を経由して接続されている。Ｓ−ＴＦＴ７１のドレインにはデータ線６ａが接続されている。サンプリング回路７０は、選択信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎが入力されると、１つの単位（系列）を構成する６個のＳ−ＴＦＴ７１に対応するデータ線６ａに選択信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎに応じて画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）を順次供給する。
【００４９】
図２に示すように、液晶装置１００には、前述したように、素子基板１０の中央部分を占める画素領域Ｅに、マトリックス状に配列された複数の画素Ｐを有している。
【００５０】
図３に示すように、複数の画素Ｐには、それぞれ、画素電極１５と当該画素電極１５をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０と、保持容量１６とが形成されている。画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。走査信号Ｇ１，Ｇ２，・・・，Ｇｍが供給される走査線３ａが当該ＴＦＴ３０のゲートに接続されている。画素電極１５と保持容量１６の一方の電極がＴＦＴ３０のドレインに接続されている。保持容量１６の他方の電極は走査線３ａと並行して配置された容量線３ｂに接続されている。
【００５１】
容量線３ｂは、図２に示すようにＸ方向において画素領域Ｅの外側まで引き出され、容量線３ｂの両端が走査線駆動回路１０２と画素領域Ｅとの間においてＹ方向に延在する一対の接続配線１３１に電気的に接続されている。一対の接続配線１３１のそれぞれは、対向基板２０の角部に設けられた４つの上下導通部１０６のうちＸ方向において対峙する上下導通部１０６同士を電気的に接続する一対の接続配線１３２に電気的に接続されている。
一対の接続配線１３２同士は、上下導通部１０６と電気的に接続された対向基板２０の共通電極２３を介して電気的に接続される。さらに一対の接続配線１３２のうちの外部接続用端子１０４側に位置する接続配線１３２は、共通電位（ＬＣＣＯＭ）が供給される外部接続用端子１０４に接続された引き回し配線１３３に接続されている。つまり、容量線３ｂには、共通電位（ＬＣＣＯＭ）が印加される。
【００５２】
サンプリング回路７０の６個を１つの単位（系列）としたＳ−ＴＦＴ７１に供給される選択信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎは、この順に順次に供給してもよいし、隣り合う６本のデータ線６ａに対応するＳ−ＴＦＴ７１に対して、系列ごとに供給するようにしてもよい。なお、図２に示すように、本実施形態においては、選択信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎは、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）の夫々に対応して、６本のデータ線６ａの組に対してグループ（系列）ごとに供給されるよう構成されている。画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）の相展開数（即ち、シリアル−パラレル展開される画像信号の系列数）に関しては、６相に限られるものでなく、例えば、９相、１２相、２４相など、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給されるように構成してもよい。
【００５３】
走査線３ａには走査線駆動回路１０２から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが、この順に順次印加される構成となっている。前述したように、画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，ＧｍによってＴＦＴ３０が一定期間だけＯＮ状態となり、データ線６ａから供給される画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）が画素電極１５に所定のタイミングで書き込まれる。
さらに、各画素Ｐに保持された画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）がリークするのを防ぐために、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に保持容量１６が付加されている。
【００５４】
画素電極１５を介して液晶層５０（図１（ｂ）参照）に書き込まれた所定レベルの画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）は、対向基板２０に形成された共通電極２３との間で一定期間保持される。液晶層５０は印加される電圧レベルにより液晶分子の配向や秩序が変化して、液晶層５０を透過する光が変調され、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少して暗表示となり、ノーマリーブラックモードであれば、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加して明表示となり、全体として液晶装置１００からは画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）に応じたコントラストをもつ表示光が射出され、表示が行われる。なお、画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）は、液晶層５０を交流駆動するために共通電位（ＬＣＣＯＭ）に対して正の極性を有する電位パルスと負の極性を有する電位パルスとが組み合わされて構成される。上記のような液晶装置１００の駆動方式は相展開駆動方式と呼ばれている。なお、液晶装置１００の駆動方式は、相展開駆動方式に限定されるものではない。
【００５５】
図２に戻り、素子基板１０には、共通電位（ＬＣＣＯＭ）が供給される外部接続用端子１０４に接続した接続配線１３１の近傍に本発明における第２配線層としての周辺電極１４１が画素領域Ｅを囲んで設けられている。周辺電極１４１は、素子基板１０のＸ方向における両端側においてＹ方向に延在する一対の引き回し配線１４２にそれぞれ接続されている。一対の引き回し配線１４２のそれぞれは、Ｘ方向に配列した複数の外部接続用端子１０４のうち両端側に位置する共通電位（ＬＣＣＯＭ）が供給される外部接続用端子１０４と、本発明の第１の電位としての駆動電位（ＶＤＤＹ）が供給される外部接続用端子１０４との間に配置された本発明の第２の電位（ＣＥ）が供給される外部接続用端子１０４に接続されている。素子基板１０における周辺電極１４１の詳しい配置については、後述する実施例において説明する。
【００５６】
次に、図４を参照して液晶装置１００の画素Ｐにおける構造、特に素子基板１０の詳しい配線構造と液晶分子の配向状態について説明する。
図４に示すように、素子基板１０の基材１０ｓ上には、まず走査線３ａが形成される。走査線３ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。
【００５７】
走査線３ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる第１絶縁膜（下地絶縁膜）１１ａが形成され、第１絶縁膜１１ａ上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、第１ソース・ドレイン領域、接合領域、チャネル領域、接合領域、第２ソース・ドレイン領域を有するＬＤＤ構造が形成されている。
【００５８】
半導体層３０ａを覆うように第２絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｂが形成される。さらに第２絶縁膜１１ｂを挟んでチャネル領域に対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。
【００５９】
ゲート電極３０ｇと第２絶縁膜１１ｂとを覆うようにして第３絶縁膜１１ｃが形成され、半導体層３０ａのそれぞれの端部と重なる位置に第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃを貫通する２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２が形成される。
【００６０】
そして、２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２を埋めると共に第３絶縁膜１１ｃを覆うようにＡｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性の導電部材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ１を介して第１ソース・ドレイン領域に繋がるソース電極３１ならびにデータ線６ａが形成される。同時にコンタクトホールＣＮＴ２を介して第２ソース・ドレイン領域に繋がるドレイン電極３２（第１中継電極６ｂ）が形成される。
【００６１】
次に、データ線６ａおよび第１中継電極６ｂと第３絶縁膜１１ｃを覆って第１層間絶縁膜１２が形成される。第１層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。
【００６２】
第１中継電極６ｂと重なる位置に第１層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＮＴ３が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ３を被覆すると共に第１層間絶縁膜１２を覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性の金属からなる導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、配線７ａと、コンタクトホールＣＮＴ３を介して第１中継電極６ｂに電気的に接続される第２中継電極７ｂとが形成される。
配線７ａは、平面的にＴＦＴ３０の半導体層３０ａやデータ線６ａと重なるように形成され、固定電位が与えられてシールド層として機能するものである。
【００６３】
配線７ａと第２中継電極７ｂとを覆うように第２層間絶縁膜１３ａが形成される。第２層間絶縁膜１３ａも、例えばシリコンの酸化物や窒化物あるいは酸窒化物を用いて形成することができ、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。
【００６４】
第２層間絶縁膜１３ａの第２中継電極７ｂと重なる位置にコンタクトホールＣＮＴ４が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ４を被覆すると共に第２層間絶縁膜１３ａを覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性の金属からなる導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第１容量電極１６ａと第３中継電極１６ｄとが形成される。
【００６５】
第１容量電極１６ａのうち、後に形成される誘電体層１６ｂを介して第２容量電極１６ｃと対向する部分の外縁を覆うように絶縁膜１３ｂがパターニング形成される。また、第３中継電極１６ｄのうちコンタクトホールＣＮＴ５と重なる部分を除いた外縁を覆うように絶縁膜１３ｂがパターニング形成される。
【００６６】
絶縁膜１３ｂと第１容量電極１６ａを覆って誘電体層１６ｂが成膜される。誘電体層１６ｂとしては、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの単層膜、またはこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。平面的に第３中継電極１６ｄと重なる部分の誘電体層１６ｂはエッチング等により除かれる。誘電体層１６ｂを覆うように例えばＴｉＮ（窒化チタン）などの導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第１容量電極１６ａに対向配置され、第３中継電極１６ｄに繋がる第２容量電極１６ｃが形成される。誘電体層１６ｂと、誘電体層１６ｂを挟んで対向配置された第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとにより保持容量１６が構成される。
【００６７】
次に、第２容量電極１６ｃと誘電体層１６ｂとを覆う第３層間絶縁膜１４が形成される。第３層間絶縁膜１４も例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。第２容量電極１６ｃが第３中継電極１６ｄと接した部分に到達するように第３層間絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールＣＮＴ５が形成される。
【００６８】
このコンタクトホールＣＮＴ５を被覆し、第３層間絶縁膜１４を覆うようにＩＴＯなどの透明導電膜（電極膜）が成膜される。この透明導電膜（電極膜）をパターニングしてコンタクトホールＣＮＴ５を介して第２容量電極１６ｃおよび第３中継電極１６ｄと電気的に繋がる画素電極１５が形成される。
【００６９】
第２容量電極１６ｃは第３中継電極１６ｄ、コンタクトホールＣＮＴ４、第２中継電極７ｂ、コンタクトホールＣＮＴ３、第１中継電極６ｂを介してＴＦＴ３０のドレイン電極３２と電気的に接続すると共に、コンタクトホールＣＮＴ５を介して画素電極１５と電気的に接続している。
【００７０】
第１容量電極１６ａは複数の画素Ｐに跨るように形成され、等価回路（図３参照）における容量線３ｂとして機能している。これにより、ＴＦＴ３０のドレイン電極３２を介して画素電極１５に与えられた電位を第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとの間において保持することができる。
【００７１】
このように素子基板１０の基材１０ｓ上には、複数の配線層が形成されており、配線層間を絶縁する絶縁膜や層間絶縁膜の符号を用いて配線層を表すこととする。すなわち、第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃを括って配線層１１と呼ぶ。配線層１１の代表的な配線はゲート電極３０ｇである。配線層１２の代表的な配線はデータ線６ａである。第２層間絶縁膜１３ａ、絶縁膜１３ｂ、誘電体層１６ｂを括って配線層１３と呼び、代表的な配線は配線７ａである。同じく、配線層１４の代表的な配線は、第１容量電極１６ａ（容量線３ｂ）である。
【００７２】
画素電極１５を覆うように配向膜１８が形成され、液晶層５０を介して素子基板１０に対向配置される対向基板２０の共通電極２３を覆うように配向膜２４が形成される。前述したように、配向膜１８，２４は無機配向膜であって、酸化シリコンなどの無機材料を所定の方向から例えば斜め蒸着して柱状に成長したカラム１８ａ，２４ａの集合体からなる。このような配向膜１８，２４に対して負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣは、配向膜面の法線方向に対してカラム１８ａ，２４ａの傾斜方向に３度〜５度のプレチルト角度θｐを有して略垂直配向する。画素電極１５と共通電極２３との間に交流電位を与えて液晶層５０を駆動することによって液晶分子ＬＣは画素電極１５と共通電極２３との間に生ずる電界方向に傾くように挙動（振動）する。
【００７３】
図５は無機材料の斜め蒸着方向とイオン性不純物に起因する表示不具合との関係を示す概略平面図である。カラム１８ａ，２４ａを形成するところの無機材料の斜め蒸着方向は、図５に示すように、例えば素子基板１０側では、破線の矢印で示したように右上から左下に向かって所定の方位角度θａでＹ方向と交差する方向である。素子基板１０に対して対向配置される対向基板２０側では、実線の矢印で示したように左下から右上に向かって所定の方位角度θａでＹ方向と交差する方向である。所定の角度θａは例えば４５度である。なお、図５に示した斜め蒸着方向は、液晶装置１００を対向基板２０側から見たときの方向である。
【００７４】
液晶層５０を駆動することにより、液晶分子ＬＣの挙動（振動）が生じ、液晶層５０と配向膜１８，２４との界面近傍に図５に示した破線あるいは実線の矢印で示した斜め蒸着方向に液晶分子ＬＣのフロー（流れ）が生ずる。仮に液晶層５０に正または負のイオン性不純物が含まれていると、イオン性不純物は液晶分子ＬＣのフロー（流れ）に沿って画素領域Ｅの角部に向かって誘導され偏在するおそれがある。イオン性不純物の偏在により角部に位置する画素Ｐにおいて液晶層５０の絶縁抵抗が低下すると、当該画素Ｐにおいて駆動電位の低下を招き、図５に示すような表示ムラや通電による焼き付き現象が顕著となる。
【００７５】
本実施形態の液晶装置１００は、図２に示した素子基板１０の第２配線層としての周辺電極１４１に直流電位を与えて、上記表示ムラや焼き付き現象を招く要因となる正または負のイオン性不純物の偏在を改善するものである。前述したように素子基板１０は、複数の配線層を有しており、シール材４０と画素領域Ｅとの間の周辺領域には、所定の電位が与えられた各種の配線が存在する。周辺電極１４１の機能を十分に発揮させるには、他の配線の電位の影響を受け難くする必要があり、周辺電極１４１と他の配線との相対的な配置を適正化する必要がある。以降、本実施形態の素子基板１０の配線構造に基づいた実施例を挙げて説明する。
【００７６】
図６は実施例に示される配線構造の平面的な位置を示す概略平面図である。図６に示すように画素領域Ｅは、表示に寄与する画素ＰがＸ方向およびＹ方向に配列した表示領域Ｅ１と、表示領域Ｅ１を囲んで複数のダミーの画素Ｐが配置されたダミー画素領域Ｅ２とを含んでいる。画素領域Ｅを囲むシール材４０と画素領域Ｅとの間の領域を周辺領域Ｅ３と呼ぶ。以降の各実施例では、図６に示すように周辺領域Ｅ３を囲むシール材４０の左辺を横断し表示領域Ｅ１の左下角部に位置する画素Ｐに至るＡ−Ａ’線で切った液晶装置１００の概略断面図を示して説明する。シール材４０の左辺に沿った周辺領域Ｅ３の部分における素子基板１０の配線構造に対して、シール材４０の右辺に沿った周辺領域Ｅ３の部分における素子基板１０の配線構造は基本的にＸ方向において対称な構造となっている。なお、図６において画素領域Ｅの上辺に沿った周辺領域Ｅ３の部分と、画素領域Ｅの下辺に沿った周辺領域Ｅ３の部分には、走査線駆動回路１０２に定電位を供給する本発明における第１配線層のうち共通電位（ＬＣＣＯＭ）よりも低電位の基準電位（ＶＳＳ）を供給する配線は配置されていない。共通電位（ＬＣＣＯＭ）と同電位または共通電位（ＬＣＣＯＭ）よりも高電位の配線が配置されている。なお、本実施形態における定電位配線は、走査線駆動回路１０２のバッファ回路の最終段に電源としての駆動電位（ＶＤＤＹ）や基準電位（ＶＳＳＹ）を供給する配線である。
【００７７】
本実施形態の液晶装置１００における走査線駆動回路１０２に供給される電源（定電位）は、例えば駆動電位（ＶＤＤＹ）が１５．５ｖ、基準電位（ＶＳＳＹ）が０ｖ（ＧＮＤ）である。容量線３ｂや対向基板２０の共通電極２３に印加される共通電位（ＬＣＣＯＭ）は例えば６ｖである。表示用の画素Ｐにおける画素電極１５には、画像信号の階調度合いに応じて、共通電位（ＬＣＣＯＭ）を基準として±５ｖの範囲の矩形状の交流電位が駆動周波数に基づくフレームに対応して印加される。
【００７８】
以降の実施例における素子基板１０の配線構造において、「同層」とは、同じ配線層において同じ配線材料を用いて同じ膜厚で形成された配線を言う。同一の配線層であれば、接続先が異なる配線同士を例えばフォトリソグラフィ法により同時に形成することができる。なお、上記配線同士を同時に形成することに限定されず、異なるタイミングで形成してもよい。
【００７９】
（実施例１）
図７（ａ）は実施例１の素子基板における配線構造を示す概略断面図、図７（ｂ）は実施例１の周辺電極および接続配線の配置における変形例を示す概略断面図である。
図７（ａ）に示すように、実施例１では、周辺領域Ｅ３の配線層１２に、基準電位（ＶＳＳＹ）が供給（印加）される走査線駆動回路用配線１２１ｓ（以降、定電位配線１２１ｓと呼ぶ）と、駆動電位（ＶＤＤＹ）が供給（印加）される走査線駆動回路用配線１２１ｄ（以降、定電位配線１２１ｄと呼ぶ）とが配置されている。定電位配線１２１ｓとダミー画素領域Ｅ２との間の配線層１３に共通電位（ＬＣＣＯＭ）が供給（印加）される接続配線１３１が配置されている。画素電極１５と同層において、配線層１２の定電位配線１２１ｓと重なる位置に周辺電極１４１が配置されている。実施例１では、本発明における第１配線層の例が定電位配線１２１ｓ，１２１ｄであり、本発明における第２配線層の例が周辺電極１４１であり、本発明における第３配線層の例が接続配線１３１である。
【００８０】
図８は液晶装置における駆動電圧と画素の透過率との関係を示すＶ−Ｔ曲線である。例えば、ノーマリーブラックの場合、表示領域Ｅ１の画素電極１５には、前述したように画像信号に基づいた交流電位が与えられ、画素Ｐの透過率は図８のＶ−Ｔ曲線が示すように０％〜１００％の間で変化する。液晶装置１００が駆動されているとき、ダミー画素領域Ｅ２の画素電極１５には光漏れが生じない程度の例えば、透過率が５０％以下の電位Ｖ５０以下、好ましくは透過率が１０％以下のＶ１０以下の電位が液晶層５０のＯＮ−ＯＦＦに係らず与えられる。具体的には、Ｖ５０は共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）を基準として±２．５ｖであり、Ｖ１０は共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）を基準として±１ｖ程度である。
【００８１】
まず、実施例１の周辺電極１４１が無い場合について説明する。周辺領域Ｅ３には共通電位（ＬＣＣＯＭ）が印加される接続配線１３１よりも低電位である基準電位（ＶＳＳＹ）が供給される定電位配線１２１ｓが定電位配線１２１ｄと接続配線１３１との間に配置されているので、定電位配線１２１ｓよりも高電位のダミー画素領域Ｅ２の画素電極１５から定電位配線１２１ｓに向かう第１の電界が生ずる。液晶層５０中に正のイオン性不純物が含まれていた場合には、正のイオン性不純物は接続配線１３１（共通電位；６ｖ）よりもさらに低電位（０ｖ）な定電位配線１２１ｓに引き寄せられる。したがって、図５に示したようなイオン性不純物の偏在に起因する表示ムラが生じ易くなる。なお、負のイオン性不純物は定電位配線１２１ｓと画素電極１５との第１の電界の影響を受けて定電位配線１２１ｓに引き寄せられずむしろ表示領域Ｅ１側に跳ね返される。
【００８２】
これに対して、実施例１では、画素電極１５と同層に設けられた周辺電極１４１に共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）よりも高電位な第２の電位として例えば＋７ｖの直流電位を印加する。そうすると、図７（ａ）の実線の矢印で示したように、周辺電極１４１から画素電極１５に向かうと共に、周辺電極１４１から共通電極２３に向かう第２の電界が生ずる。このような第２の電界は、前述した第１の電界と逆向きであって、第１の電界によって引き寄せられる正のイオン性不純物を表示領域Ｅ１側に跳ね返し、液晶層５０中に分散させることができる。つまり、正のイオン性不純物が画素領域Ｅの角部に偏在することによる表示ムラを低減できる。一方で、負のイオン性不純物は定電位配線１２１ｓよりも強く周辺電極１４１に引き寄せて吸着されることになる。負のイオン性不純物が周辺電極１４１に吸着されて、液晶分子の配向に影響したとしても、周辺領域Ｅ３は、図１に示したように見切り部２１によって遮光されているので、負のイオン性不純物の偏在に起因する表示ムラは目立たない。
【００８３】
実施例１における第１配線層としての定電位配線１２１ｓ，１２１ｄの配置や周辺電極１４１に印加される電位は、これに限定されない。例えば、図７（ａ）において括弧書きで示すように、定電位配線１２１ｓ，１２１ｄの位置を入れ替えて、定電位配線１２１ｓと接続配線１３１との間に駆動電位（ＶＤＤＹ）が印加される定電位配線１２１ｄが配置されていてもよい。その場合、周辺領域Ｅ３には共通電位（ＬＣＣＯＭ）が印加される接続配線１３１よりも高電位である駆動電位（ＶＤＤＹ）が供給される定電位配線１２１ｄが定電位配線１２１ｓと接続配線１３１との間に配置されるので、定電位配線１２１ｄから定電位配線１２１ｄよりも低電位のダミー画素領域Ｅ２の画素電極１５に向かう第１の電界が生ずる。液晶層５０中に負のイオン性不純物が含まれていた場合には、負のイオン性不純物は接続配線１３１（共通電位；６ｖ）よりもさらに高電位（１５．５ｖ）な定電位配線１２１ｄに引き寄せられる。したがって、画素電極１５と同層に定電位配線１２１ｄと平面視で重なるよう周辺電極１４１を設け、周辺電極１４１に共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）よりも低電位な第２の電位として例えば＋５ｖの直流電位を印加する。そうすると図７（ａ）の破線の矢印で示したように、画素電極１５から周辺電極１４１に向かうと共に、共通電極２３から周辺電極１４１に向かう第２の電界が生ずる。よって、定電位配線１２１ｄと画素電極１５との間の第１の電界で引き寄せられる負のイオン性不純物を表示領域Ｅ１側に跳ね返し、液晶層５０中に分散させることができる。つまり、負のイオン性不純物が画素領域Ｅの角部に偏在することによる表示ムラを低減できる。一方で、正のイオン性不純物は定電位配線１２１ｄよりも強く周辺電極１４１に引き寄せて吸着することになる。正のイオン性不純物が周辺電極１４１に吸着されて、液晶分子の配向に影響したとしても、周辺領域Ｅ３は、図１に示したように見切り部２１によって遮光されているので、正のイオン性不純物の偏在に起因する表示ムラは目立たない。
【００８４】
イオン性不純物は、液晶装置１００を構成するところの材料に含まれていたり、あるいは別の部材や薬品類など液晶装置１００を製造する工程において侵入するものと考えられる。したがって、液晶層５０中に含まれるイオン性不純物は、正と負の両方の極性を示すものが含まれる可能性があるものの、正と負のイオン性不純物の量が同じであることは極めて少ない。図５に示したような表示ムラや焼き付き現象を呈する製品を解析することより、液晶層５０中に含まれるイオン性不純物の極性を調べることができる。支配的なイオン性不純物の極性に応じて、実施例１のように周辺電極１４１を配置して対応する直流電位を印加すれば、支配的なイオン性不純物の偏在による表示ムラや焼き付き現象を低減することができる。
【００８５】
周辺電極１４１に与えられる第２の電位の大きさは、ダミー画素領域Ｅ２における液晶分子の配向状態を乱して光漏れなどの不具合が生じないように、共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）に対してＶ５０以下の電位、好ましくはＶ１０以下の電位とする。
【００８６】
また、図７（ｂ）に示すように、配線層１２に設けられた定電位配線１２１ｓ（定電位配線１２１ｄ）と配線層１３に設けられた接続配線１３１とが平面視で重なっているとき、周辺電極１４１は、接続配線１３１と重なっていない定電位配線１２１ｓ（定電位配線１２１ｄ）の部分と重なるように配置することが好ましい。言い換えれば、定電位配線１２１ｓ（定電位配線１２１ｄ）に周辺電極１４１で覆われていない領域があるとき、接続配線１３１は、平面視で周辺電極１４１と重ならない定電位配線１２１ｓ（定電位配線１２１ｄ）の領域の少なくとも一部と重なるように配置されていることが好ましい。これによれば、定電位配線１２１ｓ（定電位配線１２１ｄ）と画素電極１５との間に生ずる第１の電界を第３配線層としての接続配線１３１によって遮って、正または負のイオン性不純物が定電位配線１２１ｓ（定電位配線１２１ｄ）に向かって引き寄せられることを低減できる。
【００８７】
（実施例２）
図９は実施例２の素子基板における配線構造を示す概略断面図である。実施例２は、実施例１に対して周辺電極１４１が設けられる範囲を異ならせたものである。具体的には、図９に示すように、実施例２の周辺電極１４１は、配線層１２に設けられた定電位配線１２１ｓ，１２１ｄと、配線層１３に設けられた接続配線１３１とに平面的に重なるように、画素電極１５と同層に形成されている。
【００８８】
実施例２によれば、定電位配線１２１ｓ，１２１ｄと画素電極１５との間に生ずる第１の電界を遮り、周辺電極１４１と画素電極１５との間に生ずる第２の電界の強度を強化できる。周辺電極１４１に与える直流電位によって、正または負のイオン性不純物のうち一方は跳ね返されて液晶層５０中に分散し、他方は実施例１よりも面積が大きくなった周辺電極１４１に吸着される。つまり、正または負のイオン性不純物が画素領域Ｅの角部に偏在することによる表示ムラや焼き付き現象をより低減することができる。
【００８９】
実施例２における定電位配線１２１ｓ，１２１ｄの配置はこれに限定されず、実施例１と同様に、場所を入れ替えて配置してもよい。周辺電極１４１に与える直流電位についても実施例１と同じであり、液晶層５０に支配的に含まれるイオン性不純物の極性に応じた直流電位を印加する。
また、周辺電極１４１は平面視で第１配線層としての定電位配線１２１ｓ，１２１ｄと重なっていればよく、共通電位（ＬＣＣＯＭ）が印加される接続配線１３１のすべてに重ならなくてもよい。
【００９０】
（実施例３）
図１０は実施例３の素子基板における配線構造を示す概略断面図である。図１０に示すように、実施例３は、実施例１に対して、画素電極１５と同層において、周辺電極１４１とダミー画素領域Ｅ２の画素電極１５との間に共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）が印加される第２の周辺電極１５１を設けたものである。
【００９１】
実施例３によれば、共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）よりも高いまたは低い直流電位が印加される周辺電極１４１と、共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）を基準とした交流電位が印加されるダミー画素領域Ｅ２の画素電極１５との間に、直流の共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）が印加される第２の周辺電極１５１を配置することよって、周辺電極１４１と画素電極１５との間に生ずる（実線または破線で示した）第２の電界の強度を強化できる。
【００９２】
また、周辺電極１４１に正または負のイオン性不純物を吸着させた場合には、画素電極１５との間に第２の周辺電極１５１を配置することによって、直流電位が印加された電極が並列することになり、周辺電極１４１に吸着させたイオン性不純物が画素電極１５側に拡散し難くなる。
【００９３】
第２の周辺電極１５１の平面的な配置は、周辺電極１４１と画素領域Ｅとの間であって、画素領域Ｅを囲むように配置してもよいし、図５に示した表示ムラの発生状況を考慮して、図６における画素領域Ｅの左辺と右辺とに沿って、接続配線１３１と平面視で重なるように直線的に配置してもよい。第２の周辺電極１５１に共通電位（ＬＣＣＯＭ）を与える方法としては、図２に示したＸ方向に延在する接続配線１３２と重なる位置においてコンタクトホールを設けて、第２の周辺電極１５１と接続配線１３２とを電気的に接続する方法が挙げられる。
【００９４】
（実施例４）
図１１は実施例４の素子基板の配線構造を示す概略断面図である。図１１に示すように、実施例４は、実施例３に対して、周辺電極１４１とシール材４０との間において、共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）が印加される第３の周辺電極１５２をさらに設けたものである。
シール材４０は、シール材４０自体や液晶装置１００の製造工程において微量の金属イオンや未硬化物などのイオン性不純物を含むおそれがある。
実施例４によれば、周辺領域Ｅ３においてシール材４０と周辺電極１４１との間に共通電位が印加される第３の周辺電極１５２が配置されている。また、第３の周辺電極１５２は、平面視で第１配線層としての定電位配線１２１ｄ（定電位配線１２１ｓ）と重なるように配置されている。
したがって、共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）よりも高いまたは低い直流電位が印加される周辺電極１４１と、共通電位（ＬＣＣＯＭ；６ｖ）が印加される第３の周辺電極１５２との間に第３の電界が生ずる。実線あるいは破線で示した第３の電界の方向により、シール材４０から液晶層５０中に拡散しようとする正または負のイオン性不純物をシール材４０側に跳ね返して表示領域Ｅ１側に拡散することを低減することができる。
つまり、実施例４は、液晶層５０中に含まれるイオン性不純物だけでなく、シール材４０中に含まれるイオン性不純物に起因する表示不具合も同時に改善することができる。
【００９５】
（実施例５）
図１２は実施例５の素子基板の配線構造を示す概略断面図である。図１２に示すように、実施例５は、素子基板１０の基材１０ｓ上において、第１配線層としての定電位配線１２１ｄ，１２１ｓと画素電極１５との間の配線層１４に第２配線層としての周辺電極１６１が形成されている。周辺電極１６１は、下層の配線層１３に形成された中継電極１３４を介して基準電位（ＶＳＳＹ；０ｖ）が印加される定電位配線１２１ｓに電気的に接続されている。また、平面視で第１配線層としての定電位配線１２１ｄ，１２１ｓと第３配線層としての接続配線１３１と重なるように配置されている。なお、周辺電極１６１は実施例１の周辺電極１４１と同様に平面的には画素領域Ｅを囲むように配線層１４において形成されている。また、平面視で少なくとも第１配線層としての定電位配線１２１ｄ，１２１ｓに重なるように配置されていればよく、接続配線１３１のすべてと重ならなくてもよい。
【００９６】
実施例５によれば、図１２の破線の矢印で示すように、周辺電極１６１とダミー画素領域Ｅ２の画素電極１５との間に画素電極１５から周辺電極１６１に向かう電界が生ずる。また、周辺電極１６１と共通電極２３との間に共通電極２３から周辺電極１６１に向かう電界が生ずる。このような電界を第４の電界とすると、第４の電界により液晶層５０中に含まれる正のイオン性不純物は周辺電極１６１に引き寄せられ、負のイオン性不純物は跳ね返される。第４の電界の強度は、周辺電極１６１と液晶層５０との間の第３層間絶縁膜１４の材質と膜厚とによって決まる。例えば、第３層間絶縁膜１４をＮＳＧとＢＳＧの積層膜として膜厚をおよそ６００ｎｍとすれば、周辺電極１６１が設けられた配線層１４の液晶層５０に面する表面における直流電位をおよそ＋１ｖとすることができる。
つまり、実施例１のように画素電極１５と同層に周辺電極１４１を設けなくても、周辺電極１４１と同様な効果を得ることができる。加えて、周辺電極１４１の場合は、外部接続用端子１０４を介して外部から共通電位（ＬＣＣＯＭ）よりも低い電位が印加されるが、実施例５では、液晶装置１００における走査線駆動回路１０２に電源（定電位）を供給する定電位配線１２１ｓの電位を利用して周辺電極１６１に共通電位（ＬＣＣＯＭ）よりも低い電位を与えることができる。すなわち、外部から電位を供給しなくてよいので、外部接続用端子１０４を増やすことなく有効利用できる。
【００９７】
（実施例６）
図１３は実施例６の素子基板の配線構造を示す概略断面図である。図１３に示すように、実施例６は、実施例５に対して第２配線層としての周辺電極１６１が電気的に接続される第１配線層を駆動電位（ＶＤＤＹ）が供給される定電位配線１２１ｄとしたものである。
素子基板１０の基材１０ｓ上において、第１配線層としての定電位配線１２１ｓ，１２１ｄと画素電極１５との間の配線層１４に周辺電極１６１が形成されている。周辺電極１６１は、下層の配線層１３に形成された中継電極１３４を介して駆動電位（ＶＤＤＹ；１５．５ｖ）が印加される定電位配線１２１ｄに電気的に接続されている。また、平面視で第１配線層としての定電位配線１２１ｓ，１２１ｄと第３配線層としての接続配線１３１と重なるように配置されている。周辺電極１６１は実施例１の周辺電極１４１と同様に平面的には画素領域Ｅを囲むように配線層１４において形成されている。また、平面視で少なくとも第１配線層としての定電位配線１２１ｓ，１２１ｄに重なるように配置されていればよく、接続配線１３１のすべてと重ならなくてもよい。
【００９８】
実施例６によれば、図１３の実線の矢印で示すように、周辺電極１６１とダミー画素領域Ｅ２の画素電極１５との間に周辺電極１６１から画素電極１５に向かう電界が生ずる。また、周辺電極１６１と共通電極２３との間に周辺電極１６１から共通電極２３に向かう電界が生ずる。このような電界を第５の電界とすると、第５の電界により液晶層５０中に含まれる負のイオン性不純物は周辺電極１６１に引き寄せられ、正のイオン性不純物は跳ね返される。第５の電界の強度もまた、周辺電極１６１と液晶層５０との間の第３層間絶縁膜１４の材質と膜厚とによって決まる。例えば、第３層間絶縁膜１４をＮＳＧとＢＳＧの積層膜として膜厚をおよそ６００ｎｍとすれば、周辺電極１６１が設けられた配線層１４の液晶層５０に面する表面における直流電位をおよそ＋１４．５ｖとすることができる。
つまり、実施例１のように画素電極１５と同層に周辺電極１４１を設けなくても、周辺電極１４１と同様な効果を得ることができる。加えて、周辺電極１４１の場合は、外部接続用端子１０４を介して外部から共通電位（ＬＣＣＯＭ）よりも高い電位が印加されるが、実施例６では、液晶装置１００における走査線駆動回路１０２に電源（定電位）を供給する定電位配線１２１ｄの電位を利用して周辺電極１６１に共通電位（ＬＣＣＯＭ）よりも高い電位を与えることができる。すなわち、外部から電位を供給しなくてよいので、外部接続用端子１０４を増やすことなく有効利用できる。
【００９９】
以上、本実施形態の液晶装置１００において、実施例１〜実施例６に示すように、画素領域Ｅの周辺領域Ｅ３に、走査線駆動回路１０２のバッファ回路の最終段に電源（定電位）を供給する定電位配線１２１ｓ，１２１ｄや、共通電位（ＬＣＣＯＭ）が印加される接続配線１３１の配置を考慮して周辺電極１４１（周辺電極１６１）を配置する。そして、周辺電極１４１（周辺電極１６１）に直流電位を印加することにより、液晶層５０中あるいはシール材４０中に含まれるイオン性不純物が画素領域Ｅの角部に偏在することに起因する表示ムラや焼き付き現象を低減することができる。
【０１００】
（第２実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図１４を参照して説明する。図１４は投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【０１０１】
図１４に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【０１０２】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１０３】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１０４】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１０５】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１０６】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１０７】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、イオン性不純物に起因する表示ムラや焼き付き現象などが低減された液晶装置１００を用いているので、見栄えのよい表示品質と高い信頼性とが実現されている。
【０１０８】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置１００および該液晶装置１００を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１０９】
（変形例１）上記液晶装置１００における第２配線層としての周辺電極１４１（周辺電極１６１）は、画素領域Ｅを囲むように配置されることに限定されない。図１５は変形例の周辺電極の配置を示す概略平面図である。図１５に示すように、液晶分子の挙動によるフローの発生で、イオン性不純物が偏在し易い画素領域Ｅの対角に位置する角部に対応して、当該角部に沿った部分に一対の周辺電極１４１Ａと周辺電極１４１Ｂとを配置してもよい。なお、周辺電極１４１Ａ，１４１Ｂは実施例１〜実施例４のように画素電極１５と同層に形成してもよいし、実施例５および実施例６のように配線層１４に形成して第１配線層と電気的に接続させてもよい。
【０１１０】
（変形例２）上記液晶装置１００の実施例４では、画素電極１５と同層においてシール材４０と画素領域Ｅとの間に、画素領域Ｅ側から第２の周辺電極１５１、周辺電極１４１、第３の周辺電極１５２を隣り合って配置した。図５に示したような表示ムラや焼き付き現象が主にシール材４０に含まれるイオン性不純物に起因する場合には、実施例４の第２の周辺電極１５１を削除した構成も採用することができる。
【０１１１】
（変形例３）上記液晶装置１００における配向処理は、ＶＡ（Vertical Alignment）方式に限定されない。例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）方式やＯＣＢ（Optically Compensated Bend）方式においても周辺電極１４１（周辺電極１６１）を適用して、イオン性不純物に起因する表示不具合を改善することができる。
【０１１２】
（変形例４）周辺電極１４１（周辺電極１６１）が適用される液晶装置１００は、透過型に限定されない。画素電極１５が光反射性を有する反射型の液晶装置においても適用することができる。
【０１１３】
（変形例５）液晶装置１００を適用可能な電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１１４】
３ａ…走査線、１０…第１基板としての素子基板、１５…画素電極、２０…第２基板としての対向基板、２３…共通電極、３０…薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、４０…シール材、５０…液晶層、１００…液晶装置、１０２…走査線駆動回路、１２１ｓ，１２１ｄ…第１配線層および走査線駆動回路に定電位を供給する定電位配線、１３１…第３配線層としての接続配線、１４１，１６１…第２配線層としての周辺電極、１５１…第４配線層としての第２の周辺電極、１５２…第５配線層としての第３の周辺電極、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｅ…画素領域。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面側に複数の画素電極が配列する画素領域が設けられた第１基板と、
共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わすシール材と、
前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、を備え、
前記第１基板は、平面視で前記画素領域と前記シール材との間において、前記第１基板の基材と前記液晶層との間に設けられ、前記共通電位より低電位の第１の電位が印加された第１配線層と、前記第１配線層と前記液晶層との間に設けられると共に、平面視で前記第１配線層の少なくとも一部と重なって設けられ、前記共通電位より高電位である第２の電位が印加された第２配線層と、を含むことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
一方の面側に複数の画素電極が配列する画素領域が設けられた第１基板と、
共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わすシール材と、
前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、を備え、
前記第１基板は、平面視で前記画素領域と前記シール材との間において、前記第１基板の基材と前記液晶層との間に設けられ、前記共通電位より高電位の第１の電位が印加された第１配線層と、前記第１配線層と前記液晶層との間に設けられると共に、平面視で前記第１配線層の少なくとも一部と重なって設けられ、前記共通電位より低電位である第２の電位が印加された第２配線層と、を含むことを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
前記第１基板は、前記画素電極に対応したトランジスターと、前記トランジスターに電気的に接続される走査線と、前記走査線に駆動信号を供給する走査線駆動回路とを有し、
前記第１配線層は、前記走査線駆動回路に定電位を供給する定電位配線であることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第１基板は、前記第１基板の基材と前記液晶層との間に設けられ、且つ平面視で前記第２配線層と前記画素電極との間において前記画素電極と隣り合って設けられ、前記共通電位が印加された第３配線層を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記第３配線層は、前記第１配線層と前記第２配線層との間に設けられ、平面視で前記第２配線層と重ならない前記第１配線層の領域の少なくとも一部と重なるように配置されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第２配線層は、平面視で前記第１配線層を覆うように重なっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記第２配線層は、前記画素電極と同じ配線層に形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記第２配線層は、前記画素領域の少なくとも角部に沿った部分に配置されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記第１基板は、前記画素電極と同層において平面視で前記第２配線層と前記画素電極との間に前記共通電位が印加された第４配線層を有することを特徴とする請求項７または８に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記第１基板は、前記画素電極と同層において平面視で前記第２配線層と前記シール材との間に前記共通電位が印加された第５配線層を有することを特徴とする請求項７または８に記載の液晶装置。
【請求項１１】
前記第１基板は、前記画素電極と同層において、平面視で前記第２配線層と前記画素電極との間に前記共通電位が印加された第４配線層と、平面視で前記第２配線層と前記シール材との間に前記共通電位が印加された第５配線層とを有することを特徴とする請求項７または８に記載の液晶装置。
【請求項１２】
前記第２の電位は、前記共通電位を基準として前記液晶層におけるＯＮ−ＯＦＦ時の透過率の変化の割合を１００％とするとき変化の割合が５０％となる電位以下であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１３】
前記第２の電位は、前記共通電位を基準として前記液晶層におけるＯＮ−ＯＦＦ時の透過率の変化の割合を１００％とするとき変化の割合が１０％となる電位以下であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１４】
一方の面側に複数の画素電極が配列する画素領域が設けられた第１基板と、
共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わすシール材と、
前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、を備え、
前記第１基板は、平面視で前記画素領域と前記シール材との間において前記第１基板の基材と前記液晶層との間に設けられ、前記共通電位より低電位の第１の電位が印加された第１配線層と、前記第１配線層と前記液晶層との間に設けられると共に、平面視で前記第１配線層の少なくとも一部と重なって設けられ、前記第１配線層と電気的に接続された第２配線層と、を含むことを特徴とする液晶装置。
【請求項１５】
一方の面側に複数の画素電極が配列する画素領域が設けられた第１基板と、
共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わすシール材と、
前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、を備え、
前記第１基板は、平面視で前記画素領域と前記シール材との間において前記第１基板の基材と前記液晶層との間に設けられ、前記共通電位より高電位の第１の電位が印加された第１配線層と、前記第１配線層と前記液晶層との間に設けられると共に、平面視で前記第１配線層の少なくとも一部と重なって設けられ、前記第１配線層と電気的に接続された第２配線層と、を含むことを特徴とする液晶装置。
【請求項１６】
前記第１基板は、前記画素電極に対応したトランジスターと、前記トランジスターに電気的に接続される走査線と、前記走査線に駆動信号を供給する走査線駆動回路とを有し、
前記第１配線層は、前記走査線駆動回路に定電位を供給する定電位配線であることを特徴とする請求項１４または１５に記載の液晶装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
一方の面側に複数の画素電極が配列する画素領域が設けられた第１基板と、
共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わすシール材と、
前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、を備え、
前記第１基板は、平面視で前記画素領域と前記シール材との間において、前記第１基板の基材と前記液晶層との間に設けられ、前記共通電位より低電位の第１の電位が印加された第１配線層と、前記第１配線層と前記液晶層との間に設けられると共に、平面視で前記第１配線層の少なくとも一部と重なって設けられ、前記共通電位より高電位である第２の電位が印加された第２配線層と、を含むことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
一方の面側に複数の画素電極が配列する画素領域が設けられた第１基板と、
共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わすシール材と、
前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、を備え、
前記第１基板は、平面視で前記画素領域と前記シール材との間において、前記第１基板の基材と前記液晶層との間に設けられ、前記共通電位より高電位の第１の電位が印加された第１配線層と、前記第１配線層と前記液晶層との間に設けられると共に、平面視で前記第１配線層の少なくとも一部と重なって設けられ、前記共通電位より低電位である第２の電位が印加された第２配線層と、を含むことを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
前記第１基板は、前記画素電極に対応したトランジスターと、前記トランジスターに電気的に接続される走査線と、前記走査線に駆動信号を供給する走査線駆動回路とを有し、
前記第１配線層は、前記走査線駆動回路に定電位を供給する定電位配線であることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第１基板は、前記第１基板の基材と前記液晶層との間に設けられ、且つ平面視で前記第２配線層と前記画素電極との間において前記画素電極と隣り合って設けられ、前記共通電位が印加された第３配線層を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記第３配線層は、前記第１配線層と前記第２配線層との間に設けられ、平面視で前記第２配線層と重ならない前記第１配線層の領域の少なくとも一部と重なるように配置されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第２配線層は、平面視で前記第１配線層を覆うように重なっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記第２配線層は、前記画素電極と同じ配線層に形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記第２配線層は、前記画素領域の少なくとも角部に沿った部分に配置されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記第１基板は、前記画素電極と同層において平面視で前記第２配線層と前記画素電極との間に前記共通電位が印加された第４配線層を有することを特徴とする請求項７または８に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記第１基板は、前記画素電極と同層において平面視で前記第２配線層と前記シール材との間に前記共通電位が印加された第５配線層を有することを特徴とする請求項７または８に記載の液晶装置。
【請求項１１】
前記第１基板は、前記画素電極と同層において、平面視で前記第２配線層と前記画素電極との間に前記共通電位が印加された第４配線層と、平面視で前記第２配線層と前記シール材との間に前記共通電位が印加された第５配線層とを有することを特徴とする請求項７または８に記載の液晶装置。
【請求項１２】
前記第２の電位は、前記共通電位を基準として前記液晶層におけるＯＮ−ＯＦＦ時の透過率の変化の割合を１００％とするとき変化の割合が５０％となる電位以下であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１３】
前記第２の電位は、前記共通電位を基準として前記液晶層におけるＯＮ−ＯＦＦ時の透過率の変化の割合を１００％とするとき変化の割合が１０％となる電位以下であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１４】
一方の面側に複数の画素電極が配列する画素領域が設けられた第１基板と、
共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わすシール材と、
前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、を備え、
前記第１基板は、平面視で前記画素領域と前記シール材との間において前記第１基板の基材と前記液晶層との間に設けられ、前記共通電位より低電位の第１の電位が印加された第１配線層と、前記第１配線層と前記液晶層との間に設けられると共に、平面視で前記第１配線層の少なくとも一部と重なって設けられ、前記第１配線層と電気的に接続された第２配線層と、を含むことを特徴とする液晶装置。
【請求項１５】
一方の面側に複数の画素電極が配列する画素領域が設けられた第１基板と、
共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わすシール材と、
前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、を備え、
前記第１基板は、平面視で前記画素領域と前記シール材との間において前記第１基板の基材と前記液晶層との間に設けられ、前記共通電位より高電位の第１の電位が印加された第１配線層と、前記第１配線層と前記液晶層との間に設けられると共に、平面視で前記第１配線層の少なくとも一部と重なって設けられ、前記第１配線層と電気的に接続された第２配線層と、を含むことを特徴とする液晶装置。
【請求項１６】
前記第１基板は、前記画素電極に対応したトランジスターと、前記トランジスターに電気的に接続される走査線と、前記走査線に駆動信号を供給する走査線駆動回路とを有し、
前記第１配線層は、前記走査線駆動回路に定電位を供給する定電位配線であることを特徴とする請求項１４または１５に記載の液晶装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１３−１０９１９２（Ｐ２０１３−１０９１９２Ａ）
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２５４７０６（Ｐ２０１１−２５４７０６）
【出願日】平成２３年１１月２２日（２０１１．１１．２２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月２２日（２０１１．１１．２２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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