電気光学装置および電子機器
【課題】画素を透過する光の透過率が高く、光源から発する光を有効に利用可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、第１基板としての素子基板が、複数の画素電極を有し、第２基板としての対向基板２０が、第１透光性導電層２３ａと、第１透光性導電層２３ａの複数の画素電極と対向する第１領域Ｅ１に配置された第２透光性導電層２３ｃと、第１透光性導電層２３ａと第２透光性導電層２３ｃとの間に配置された第１絶縁膜２３ｂと、を有し、対向基板２０の第１領域Ｅ１を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲でほぼフラットとなるように、第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃの膜厚がそれぞれ設定されている。素子基板と対向基板２０とを接着するシール材４０が設けられる対向基板２０の第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａが配置されている。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、第１基板としての素子基板が、複数の画素電極を有し、第２基板としての対向基板２０が、第１透光性導電層２３ａと、第１透光性導電層２３ａの複数の画素電極と対向する第１領域Ｅ１に配置された第２透光性導電層２３ｃと、第１透光性導電層２３ａと第２透光性導電層２３ｃとの間に配置された第１絶縁膜２３ｂと、を有し、対向基板２０の第１領域Ｅ１を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲でほぼフラットとなるように、第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃの膜厚がそれぞれ設定されている。素子基板と対向基板２０とを接着するシール材４０が設けられる対向基板２０の第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａが配置されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置およびこれを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置として、例えば液晶プロジェクターの光変調手段（ライトバルブ）として用いられるアクティブ駆動型の液晶装置が挙げられる。該液晶装置の画素は、画素電極と、画素電極をスイッチング制御するトランジスターと、画素電極に書き込まれた画像信号を保持するための蓄積容量とを含む画素回路を有している。
【０００３】
このような液晶装置では、より優れた表示品位を実現するために、例えば画素数を増やすことが試みられている。液晶装置の大きさを変えずに画素数を増やすことは画素の高精細化に繋がり、トランジスターの小型化はもちろんのこと、所定の電気容量を有する蓄積容量をどのように確保するかが課題となっている。
【０００４】
上記課題を解決するため、表示領域のうち光が透過可能な開口領域において、トランジスター素子の上層に設けられた透明導電膜と、該透明導電膜上に形成された誘電体層と、該透明導電膜と該誘電体層と共に蓄積容量を構成し、該トランジスター素子に電気的に接続された透明な画素電極とを備えた電気光学装置が開示されている（特許文献１）。
上記電気光学装置によれば、開口領域に蓄積容量を構成しているので、非開口領域に蓄積容量を形成する場合に比べて、画素が高精細になっても、蓄積容量における所望の電気容量を確保できるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１７６１１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、透光性の誘電体層を挟んで透明導電膜と画素電極とを単純に重ねただけでは、必ずしも画素における所望の透過率を得ることができないおそれがあった。とりわけ、液晶層を挟む一対の基板のうち、画素電極に対向する対向電極を備えた基板の透過率に与える影響について、上記特許文献１には記載されていない。言い換えれば、画素の透過率を考慮して、対向電極を有する基板の構成についても検討する必要があるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例の電気光学装置は、第１基板と第２基板との間に挟持された電気光学物質を有する電気光学装置であって、前記第１基板は、複数の画素電極を有し、前記第２基板は、第１透光性導電層と、前記第１透光性導電層の前記複数の画素電極と対向する第１領域に配置された第２透光性導電層と、前記第１透光性導電層と前記第２透光性導電層との間に配置された第１絶縁膜と、を有し、前記第２基板の前記第１領域を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲でほぼフラットとなるように、前記第１透光性導電層、前記第１絶縁膜、前記第２透光性導電層の膜厚がそれぞれ設定されていることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、複数の画素電極に対向する第２基板側の第１領域を透過する光の分光分布が可視光波長範囲でほぼフラットになると、フラットでない場合に比べて実質的に第１領域つまり表示領域を透過する光の透過率が向上する。つまり、明るい表示が可能な電気光学装置を提供できる。
なお、本明細書において「分光分布が可視光波長範囲でほぼフラットとなる」とは、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において、透過光の透過率が９０％以上となっていることを含む。また、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において透過率が９５％以上となっていることが好ましく、９８％以上となっていることがより好ましい。
【００１０】
［適用例２］上記適用例の電気光学装置において、前記第１透光性導電層は、前記第１領域の外側に第２領域を有し、前記第２領域を透過する紫外光の透過率が８５％以上となるように、前記第１透光性導電層の膜厚が設定されていることを特徴とする。
この構成によれば、第１領域の外側の第２領域に、紫外線硬化型のシール材を配置して第１基板と第２基板とを接合させたときに、第２基板の第２領域は、紫外光の透過率が８５％以上となっているので、当該シール材を十分に硬化させることができる。
言い換えれば、第１領域に含まれる表示領域における明るい表示と、第２領域における紫外光の透過率の確保とを両立させることができる。
なお、本明細書において「紫外光」とは、波長が３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満の光を指す。
【００１１】
［適用例３］本適用例の他の電気光学装置は、第１基板と第２基板との間に挟持された電気光学物質を有する電気光学装置であって、前記第１基板は、複数の画素電極を有し、前記第２基板は、第１透光性導電層と、前記第１透光性導電層の前記複数の画素電極と対向する第１領域に配置された第２透光性導電層および第３透光性導電層と、前記第１透光性導電層と前記第２透光性導電層との間に配置された第１絶縁膜と、前記第２透光性導電層と前記第３透光性導電層との間に配置された第２絶縁膜と、を有し、前記第２基板の前記第１領域を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲でほぼフラットとなるように、前記第１透光性導電層、前記第１絶縁膜、前記第２透光性導電層、前記第２絶縁膜、前記第３透光性導電層の膜厚がそれぞれ設定されていることを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、第１領域における薄膜の積層構造を第１透光性導電層、第１絶縁膜、第２透光性導電層とする場合に比べて、可視光波長範囲における分光分布をよりフラットな状態とすることができる。つまり、より明るい表示が可能な電気光学装置を提供できる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例の他の電気光学装置において、前記第１透光性導電層は、前記第１領域の外側に第２領域を有し、前記第２領域には、前記第１透光性導電層、前記第２透光性導電層、前記第３透光性導電層が順に積層されており、前記第２基板の前記第２領域を透過する紫外光の透過率が８５％以上となるように、前記第１透光性導電層、前記第２透光性導電層、前記第３透光性導電層の膜厚がそれぞれ設定されていることを特徴とする。
この構成によれば、第１領域から第２領域に亘って、第１透光性導電層、第１絶縁膜、第２透光性導電層、第２絶縁膜、第３透光性導電層の積層構造を維持する場合に比べて、第２領域における紫外光の透過率を容易に８５％以上とすることができる。
【００１４】
［適用例５］本適用例の電子機器は、上記適用例の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
この構成によれば、明るく見栄えのよい表示が可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）は第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図。
【図２】第１実施形態の液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】第１実施形態の液晶装置における画素の配置を示す概略平面図。
【図４】（ａ）は画素における薄膜トランジスターと信号線の配置を示す概略平面図、（ｂ）は画素における蓄積容量の一対の透光性電極と画素電極の配置を示す概略平面図。
【図５】図４のＡ−Ａ’線で切った画素の構造を示す概略断面図。
【図６】図３のＢ−Ｂ’線で切った画素の構造を示す概略断面図。
【図７】第１実施形態における液晶装置の対向基板の構成を示す概略図。
【図８】第２実施形態の液晶装置における対向基板の構成を示す概略図。
【図９】素子基板の開口領域における透過光の分光分布を示すグラフ。
【図１０】（ａ）および（ｂ）は実施例の対向基板における透光性導電層や絶縁膜の膜厚を示す表、（ｃ）は比較例の対向基板における透光性導電層や絶縁膜の膜厚を示す表。
【図１１】実施例１〜３、比較例１の対向基板における透過光の分光分布を示すグラフ。
【図１２】実施例４〜６、比較例１の対向基板における透過光の分光分布を示すグラフ。
【図１３】実施例４、比較例２、比較例３の対向基板における透過光の分光分布を示すグラフ。
【図１４】電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１５】変形例の液晶装置における素子基板の構造を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１７】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００１８】
（第１実施形態）
＜液晶装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図１および図２を参照して説明する。図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図、図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００１９】
図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置１００は、対向配置された第１基板としての素子基板１０および第２基板としての対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された電気光学物質としての液晶層５０とを有する。素子基板１０および対向基板２０は、透明な例えば石英基板やガラス基板などが用いられている。
【００２０】
素子基板１０は対向基板２０よりも一回り大きく、両基板間に配置されたシール材４０を介して接合されている。シール材４０には注入口が形成されており、例えば真空注入法により注入口から正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。一対の基板間への液晶の注入（充填）は、真空注入法に限らない。例えば、一対の基板のうちの一方の基板にシール材４０を額縁状に配置し、配置されたシール材４０を土手として、減圧下でその内側に所定量の液晶を滴下する。そして、同じく減圧下で一方の基板と他方の基板と貼り合わせるＯＤＦ（One Drop Fill）方式を採用してもよい。
シール材４０は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２１】
額縁状に配置されたシール材４０の内側には、同じく額縁状に遮光膜２１が設けられている。遮光膜２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜２１の内側が表示領域Ｅとなっている。表示領域Ｅには、マトリックス状に画素Ｐが複数配置されている。表示領域Ｅは、表示に寄与する有効な複数の画素Ｐを囲むように配置された複数のダミー画素を含んでいるとしてもよい。なお、図１では図示省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部が設けられている。
【００２２】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４０の内側に検査回路１０３が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４０の内側に走査線駆動回路１０２が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部のシール材４０の内側には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。
以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
【００２３】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極１５およびスイッチング素子としての薄膜トランジスター（ＴＦＴ；Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴとも称する）３０と、信号配線と、複数の画素電極１５を覆う配向膜１８とが形成されている。
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射して光リーク電流が流れ、不適切なスイッチング動作となることを防ぐ遮光構造が採用されている。
【００２４】
対向基板２０の液晶層５０側の表面には、遮光膜２１と、これを覆うように成膜された層間絶縁膜２２と、少なくとも表示領域Ｅに亘って層間絶縁膜２２を覆うように設けられた対向電極２３と、対向電極２３を覆う配向膜２４とが設けられている。
【００２５】
遮光膜２１は、図１（ａ）に示すように平面的にデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置において額縁状に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００２６】
層間絶縁膜２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜２１を覆うように設けられている。また、層間絶縁膜２２は、遮光膜２１によって基板上に生ずる凹凸を緩和する平坦化層としても機能している。このような層間絶縁膜２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００２７】
対向電極２３は、例えばＩＴＯなどの透明導電膜（透光性導電層）からなり、層間絶縁膜２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００２８】
画素電極１５を覆う配向膜１８および対向電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施されたものや、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法を用いて成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向処理が施されたものが挙げられる。
【００２９】
図２に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、走査線３ａに対して平行する容量線３ｂとを有する。
【００３０】
走査線３ａとデータ線６ａとにより区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３１】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００３２】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された対向電極２３との間で一定期間保持される。
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と対向電極２３との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１６が接続されている。蓄積容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。詳しくは後述するが、本実施形態では、蓄積容量１６を構成する一対の透光性電極のうちの一方が容量線３ｂとして機能している。
【００３３】
なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では省略している。また、検査回路１０３は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００３４】
このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードや、非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が配置されて用いられる。
【００３５】
次に、画素Ｐの平面的な配置と構造について、図３〜図６を参照して説明する。図３は液晶装置における画素の配置を示す概略平面図、図４（ａ）は画素における薄膜トランジスターと信号線の配置を示す概略平面図、同図（ｂ）は画素における蓄積容量の一対の透光性電極と画素電極の配置を示す概略平面図、図５は図４のＡ−Ａ’線で切った画素の構造を示す概略断面図、図６は図３のＢ−Ｂ’線で切った画素の構造を示す概略断面図である。
【００３６】
図３に示すように、液晶装置１００における画素Ｐは、例えば平面的に略四角形（略正方形）の開口領域を有する。開口領域は、Ｘ方向とＹ方向とに延在し格子状に設けられた遮光性の非開口領域により囲まれている。
【００３７】
Ｘ方向に延在する非開口領域には、図２に示した走査線３ａが設けられている。走査線３ａは遮光性の導電部材が用いられており、走査線３ａによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
【００３８】
同じく、Ｙ方向に延在する非開口領域には、図２に示したデータ線６ａが設けられている。データ線６ａも遮光性の導電部材が用いられており、これらによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
【００３９】
非開口領域は、素子基板１０側に設けられた上記信号線類によって構成されるだけでなく、対向基板２０側において格子状にパターニングされた遮光膜２１によっても構成されている。
【００４０】
非開口領域の交差部付近には、図２に示したＴＦＴ３０が設けられている。遮光性を有する非開口領域の交差部付近にＴＦＴ３０を設けることにより、ＴＦＴ３０の光誤動作を防止すると共に、開口領域における開口率を確保している。詳しい画素Ｐの構造については後述するが、交差部付近にＴＦＴ３０を設ける関係上、交差部付近の非開口領域の幅は、他の部分に比べて広くなっている。
【００４１】
次に、図４〜図６を参照して画素Ｐの画素回路における薄膜トランジスターなどの各構成要素について説明する。
図４に示すように、画素Ｐは、走査線３ａとデータ線６ａの交差部に設けられたＴＦＴ３０を有している。ＴＦＴ３０は、データ線側ソース・ドレイン領域３０ｓと、チャネル領域３０ｃと、画素電極側ソース・ドレイン領域３０ｄと、データ線側ソース・ドレイン領域３０ｓとチャネル領域３０ｃとの間に設けられた接合領域３０ｅと、チャネル領域３０ｃと画素電極側ソース・ドレイン領域３０ｄとの間に設けられた接合領域３０ｆとを有するＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造の半導体層３０ａを有している。半導体層３０ａは上記交差部を通過して、走査線３ａと重なるように配置されている。
【００４２】
走査線３ａはデータ線６ａとの交差部において、Ｘ，Ｙ方向に拡張された平面視で四角形の拡張部を有している。当該拡張部に平面的に重なると共に接合領域３０ｆおよび画素電極側ソース・ドレイン領域３０ｄと重ならない開口部を有する折れ曲がった形状のゲート電極３０ｇが設けられている。
【００４３】
ゲート電極３０ｇは、Ｙ方向に延在した部分が平面的にチャネル領域３０ｃと重なっている。また、チャネル領域３０ｃと重なった部分から折り曲げられてＸ方向に延在し、互いに対向する部分がそれぞれ走査線３ａの拡張部との間に設けられたコンタクトホールＣＮＴ３，ＣＮＴ４によって、走査線３ａと電気的に接続している。
【００４４】
コンタクトホールＣＮＴ３，ＣＮＴ４は、平面視でＸ方向が長い矩形状（長方形）であって、半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと接合領域３０ｆとに沿って接合領域３０ｆを挟むように両側に設けられている。
【００４５】
データ線６ａは、Ｙ方向に延在すると共に、走査線３ａとの交差部において同じく四角形の拡張部を有し、当該拡張部からＸ方向に突出した突出部６ｃに設けられたコンタクトホールＣＮＴ１によってデータ線側ソース・ドレイン領域３０ｓと電気的に接続している。コンタクトホールＣＮＴ１を含む部分がソース電極３１となっている。一方、画素電極側ソース・ドレイン領域３０ｄの端部にもコンタクトホールＣＮＴ２が設けられており、コンタクトホールＣＮＴ２を含む部分がドレイン電極３２となっている。
走査線３ａの延在方向（Ｘ方向）において、コンタクトホールＣＮＴ２に隣り合うようにコンタクトホールＣＮＴ６，ＣＮＴ５，ＣＮＴ７が設けられている。コンタクトホールＣＮＴ２とコンタクトホールＣＮＴ５とは島状に設けられた第１中継電極６ｂを介して電気的に接続されている。コンタクトホールＣＮＴ６とコンタクトホールＣＮＴ７とは同じく島状に設けられた第２中継電極７ｂを介して電気的に接続されている。
【００４６】
図４（ｂ）に示すように、画素電極１５は、前述した開口領域（図３参照）と平面的に重なると共に外縁部が非開口領域（図３参照）に掛かるように配置されている。また、画素電極１５はコンタクトホールＣＮＴ７との電気的な接続を図るための突出部１５ａを有している。つまり、画素電極１５は画素Ｐごとに設けられた略四角形（略正方形）の島状となっている。
蓄積容量１６は、一対の透光性電極としての第１電極１６ａと第２電極１６ｃとを有している。第１電極１６ａは前述した開口領域（図３参照）において画素電極１５と平面的に重なるように画素Ｐごとに設けられている。第１電極１６ａはコンタクトホールＣＮＴ６との電気的な接続を図るための突出部１６ａａを有している。つまり、第１電極１６ａは、画素電極１５と同じく略四角形（略正方形）の島状となっている。
【００４７】
これに対して、第２電極１６ｃは、Ｘ方向およびＹ方向にマトリックス状に配置された複数の画素Ｐに跨るように設けられている。また、第１電極１６ａが電気的に接続されるコンタクトホールＣＮＴ６や画素電極１５が電気的に接続されるコンタクトホールＣＮＴ７と第２電極１６ｃとが重ならないように開口された開口部１６ｃｈを有している。つまり、第２電極１６ｃは、表示領域Ｅに亘るように設けられ、複数の画素Ｐに共通する容量線３ｂの機能を有している。第２電極１６ｃの一部が表示領域Ｅの外側に引き出されて、固定電位が供給される配線に電気的に接続されている。
【００４８】
図５に示すように、素子基板１０上には、まず走査線３ａが形成される。走査線３ａは、半導体層３０ａを遮光する遮光膜を兼ねており、例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏなどの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。
【００４９】
走査線３ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる下地絶縁膜１０ａが形成され、下地絶縁膜１０ａ上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、前述したデータ線側ソース・ドレイン領域３０ｓ、接合領域３０ｅ、チャネル領域３０ｃ、接合領域３０ｆ、画素電極側ソース・ドレイン領域３０ｄを有するＬＤＤ構造が形成されている。
【００５０】
半導体層３０ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ａが形成される。さらに第１絶縁膜１１ａを挟んでチャネル領域３０ｃに対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。ゲート電極３０ｇは例えば多結晶シリコン膜を用いて形成することができ、同時に下地絶縁膜１０ａと第１絶縁膜１１ａとを貫通して走査線３ａ（拡張部）とゲート電極３０ｇとを電気的に接続するコンタクトホールＣＮＴ３，ＣＮＴ４（図示省略）も形成される。
【００５１】
ゲート電極３０ｇと第１絶縁膜１１ａとを覆うようにして例えば酸化シリコンなどからなる第２絶縁膜１１ｂが形成される。半導体層３０ａのデータ線側ソース・ドレイン領域３０ｓに重なる第１絶縁膜１１ａと第２絶縁膜１１ｂとを貫通するコンタクトホールＣＮＴ１が形成される。同じく、半導体層３０ａの画素電極側ソース・ドレイン領域３０ｄに重なる第１絶縁膜１１ａと第２絶縁膜１１ｂとを貫通するコンタクトホールＣＮＴ２が形成される。続いて、第２絶縁膜１１ｂを覆うように例えばＡｌなどの遮光性の金属からなる導電膜を成膜してパターニングすることにより、データ線側ソース・ドレイン領域３０ｓにコンタクトホールＣＮＴ１を介して電気的に接続されるデータ線６ａが形成される。同時に、画素電極側ソース・ドレイン領域３０ｄにコンタクトホールＣＮＴ２を介して電気的に接続される第１中継電極６ｂが形成される。
【００５２】
続いて、データ線６ａおよび第１中継電極６ｂを覆うように第１層間絶縁膜１２が形成される。第１層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物や窒化物あるいは酸窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chamical Mechanical Polishing；ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。
【００５３】
第１中継電極６ｂと重なる位置に第１層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＮＴ５が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ５を被覆すると共に第１層間絶縁膜１２を覆うように例えばＡｌなどの遮光性の金属からなる導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、配線７ａと、コンタクトホールＣＮＴ５を介して第１中継電極６ｂに電気的に接続される第２中継電極７ｂとが形成される。
配線７ａは、平面的にＴＦＴ３０の半導体層３０ａやデータ線６ａと重なるように形成され、固定電位が与えられてシールド層として機能するものである。
【００５４】
配線７ａと第２中継電極７ｂとを覆うように第２層間絶縁膜１３が形成される。第２層間絶縁膜１３も、例えばシリコンの酸化物や窒化物あるいは酸窒化物を用いて形成することができ、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。
【００５５】
次に、第２中継電極７ｂと重なる位置に第２層間絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールＣＮＴ６が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ６を被覆すると共に第２層間絶縁膜１３を覆うように、例えばＩＴＯなどの透明導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、突出部１６ａａを有する第１電極１６ａが形成される。第１電極１６ａは突出部１６ａａおよびコンタクトホールＣＮＴ６を介して第２中継電極７ｂと電気的に接続される。
【００５６】
第１電極１６ａのうち少なくとも第２電極１６ｃと対向する部分に誘電体層１６ｂが成膜される。誘電体層１６ｂとしては、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの単層膜、またはこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いることができる。厚みは、電気容量を考慮して２０ｎｍ〜３０ｎｍとする。誘電体層１６ｂは、このように極薄い薄膜であり、可視光に対して高い透明性を有している。
【００５７】
誘電体層１６ｂを覆うように例えばＩＴＯなどの透明導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、容量線３ｂとして機能する第２電極１６ｃが形成される。第２電極１６ｃはパターニングされた誘電体層１６ｂの側面を含めた表面を覆うように形成される。また、前述したように少なくとも複数の画素Ｐが含まれる表示領域Ｅに亘って形成されると共に、第２中継電極７ｂと平面的に重なる部分に開口部１６ｃｈが形成される。
これによって、誘電体層１６ｂを挟んで第１電極１６ａと第２電極１６ｃとが対向配置され、透光性の蓄積容量１６が構成される。
【００５８】
蓄積容量１６を覆って第３層間絶縁膜１４が形成される。第３層間絶縁膜１４も例えばシリコンの酸化物を用いて形成することができ、ＣＭＰ処理などの平坦化処理を施してもよい。加えて、この後にフォトリソグラフィ法を用いて形成される画素電極１５の形成工程で、第３層間絶縁膜１４が変質したり、膜厚が変動することが無いように、化学的に安定なボロンがドープされた酸化シリコン膜で覆うことが好ましい。つまり、第３層間絶縁膜１４は、蓄積容量１６側の第１酸化シリコン膜と、第１酸化シリコン膜に積層され、ボロンがドープされた第２酸化シリコン膜とから構成されている。
【００５９】
次に、第２中継電極７ｂと重なる位置に第２層間絶縁膜１３および第３層間絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールＣＮＴ７が形成される。コンタクトホールＣＮＴ７を被覆すると共に、第３層間絶縁膜１４を覆う例えばＩＴＯなどの透明導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ７を介して第２中継電極７ｂに電気的に接続される画素電極１５が形成される。
【００６０】
このような素子基板１０の配線構造によれば、ＴＦＴ３０のドレイン電極３２は、第１中継電極６ｂ、コンタクトホールＣＮＴ５、第２中継電極７ｂ、コンタクトホールＣＮＴ７を介して画素電極１５と電気的に接続される。また、第１中継電極６ｂ、コンタクトホールＣＮＴ５、第２中継電極７ｂ、コンタクトホールＣＮＴ６を介して蓄積容量１６の第１電極１６ａと電気的に接続される。
【００６１】
図６に示すように、画素Ｐの開口領域には、透明な素子基板１０上において順に形成された、下地絶縁膜１０ａ、第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜１３、透光性の蓄積容量１６、第３層間絶縁膜１４、画素電極１５が設けられている。
【００６２】
素子基板１０における下地絶縁膜１０ａ、第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜１３などの絶縁膜は、前述したようにシリコンの酸化物（酸化シリコン膜）または窒化物あるいは酸窒化物からなるため、素子基板１０を構成するところの例えば石英基板とほぼ同じ屈折率（可視光領域で１．４〜１．５）を有している。したがって、屈折率がほぼ同じであるため、これらの層（膜）を透過する可視光は、層（膜）の界面で反射したり、屈折したりすることがほとんどないので、その光強度（透過率）が減衰し難い。
これに対して、蓄積容量１６から画素電極１５までの構造は、透明導電膜（ＩＴＯならば可視光波長領域で屈折率が１．５〜１．９）からなる第１電極１６ａと第２電極１６ｃとの間に誘電体層１６ｂが挟まれ、同じく透明導電膜からなる第２電極１６ｃと画素電極１５との間に第３層間絶縁膜１４が挟まれた構造となっている。つまり、透明導電膜の間に透明導電膜に対して屈折率が異なる（低い）誘電体層１６ｂや第３層間絶縁膜１４を挟んだ構造となっているので、これらの層（膜）を透過する可視光は、層（膜）の界面で反射したり、屈折したりして、その光強度（透過率）が減衰するおそれがある。なお、誘電体層１６ｂは、前述したように電気容量を確保する観点から膜厚を２０ｎｍ〜３０ｎｍとしている。この膜厚の範囲では、開口領域における光の透過率に対してほとんど影響を及ぼさないので、無視することができる。
【００６３】
本実施形態では、素子基板１０の開口領域を透過する光（透過光）の分光分布が、少なくとも赤の波長範囲（６００ｎｍ〜７００ｎｍ）、緑の波長範囲（５００ｎｍ〜６００ｎｍ）、青の波長範囲（４００ｎｍ〜５００ｎｍ）に対応してそれぞれ透過率のピークを有するように、画素電極１５、一対の透光性電極としての第１電極１６ａおよび第２電極１６ｃ、第３層間絶縁膜１４のそれぞれの膜厚が設定されている。具体的には、画素電極１５、第１電極１６ａ、第２電極１６ｃは、いずれもＩＴＯ膜を用いて膜厚が１４０ｎｍとなるように形成されている。また、第３層間絶縁膜１４は、第１酸化シリコン膜とボロンがドープされた第２酸化シリコン膜とからなり、膜厚が１７５ｎｍとなるように形成されている。
【００６４】
また、液晶層５０を挟んで素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、前述した遮光膜２１や層間絶縁膜２２に加えて、透光性導電層と絶縁膜とが積層された構造となっており、表示領域Ｅを透過する光（透過光）の分光分布が、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）でほぼフラットとなるように、上記透光性導電層および上記絶縁膜の膜厚がそれぞれ設定されている。以降、対向基板２０の具体的な構成について、図７を参照して説明する。
【００６５】
図７は、第１実施形態における液晶装置の対向基板の構成を示す概略図である。なお、図７では、対向基板２０に設けられた遮光膜２１や層間絶縁膜２２の図示を省略している。図７に示すように、対向基板２０は、第１領域Ｅ１と、第１領域Ｅ１を囲むように設けられた第２領域Ｅ２とを有している。第１領域Ｅ１は、素子基板１０における複数の画素電極１５がマトリックス状に配置された領域に対向する部分である。つまり、第１領域Ｅ１は、少なくとも表示領域Ｅを含むものである。第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２は、シール材４０が配置される領域を含んでいる。
【００６６】
対向基板２０の液晶層５０に面する側には、第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２とに跨って例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなる第１透光性導電層２３ａが設けられている。第１透光性導電層２３ａは層間絶縁膜２２（図１（ｂ）参照）を覆って設けられている。第１透光性導電層２３ａの第１領域Ｅ１に例えば酸化シリコン膜からなる透光性の第１絶縁膜２３ｂが設けられている。また、第１絶縁膜２３ｂに対して例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなる第２透光性導電層２３ｃが積層されている。第２透光性導電層２３ｃは第１領域Ｅ１内において例えばコンタクトホールなどの接続部を介して第１透光性導電層２３ａに電気的に接続されている。したがって、第１絶縁膜２３ｂを挟んで対向配置された第１透光性導電層２３ａと第２透光性導電層２３ｃとを含む積層体２３Ｆが実質的に対向電極２３（図１（ｂ）参照）として機能するものである。
配向膜２４は、第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２とに跨って、第１透光性導電層２３ａおよび第２透光性導電層２３ｃを覆うように設けられている。なお、図７では詳細な図示を省略したが、配向膜２４は積層体２３Ｆの側面部分も覆っている。
【００６７】
このように第１領域Ｅ１に屈折率が異なる透光性導電層と絶縁膜とが積層された積層体２３Ｆを配置することで、第１透光性導電層２３ａだけを設けた場合に比べて、薄膜の光干渉作用により、第１領域Ｅ１を透過する光の可視光波長範囲における透過率を高めることができる。その一方で、第２領域Ｅ２に第１透光性導電層２３ａを残し、第１絶縁膜２３ｂおよび第２透光性導電層２３ｃが無い状態とすることで、第１領域Ｅ１に比べて第２領域Ｅ２における紫外光の透過率を高めることができる。
【００６８】
上記実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）素子基板１０は画素Ｐの開口領域に透光性の蓄積容量１６と画素電極１５とを有し、開口領域を透過する光の分光分布が、少なくとも赤、緑、青の各波長範囲に対応して透過率のピークを有するように、画素電極１５、一対の透光性電極としての第１電極１６ａおよび第２電極１６ｃ、第３層間絶縁膜１４のそれぞれの膜厚が設定されている。これに加えて、液晶層５０を挟んで素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、第１領域Ｅ１において屈折率が異なる透光性導電層と絶縁膜とが順に積層された３層構造の積層体２３Ｆを有している。そして、第１領域Ｅ１を透過する光の可視光波長領域における分光分布がほぼフラットとなるように、第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃの膜厚がそれぞれ設定されている。ゆえに、透過光の透過率が高い複数の画素Ｐを備え、光源から発せられる光の利用効率を高め、明るい表示が可能な液晶装置１００を提供することができる。
（２）対向基板２０の第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａが残され、第１絶縁膜２３ｂおよび第２透光性導電層２３ｃが無い状態となっている。これにより第１領域Ｅ１に比べて第２領域Ｅ２における紫外光の透過率が高い状態となっているので、第２領域Ｅ２に例えば紫外線硬化型のシール材４０が配置されても、十分に硬化させることができる。
【００６９】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の液晶装置について、図８を参照して説明する。第２実施形態の液晶装置は、第１実施形態に対して、対向基板２０の構成を異ならせたものである。したがって、第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。図８は第２実施形態の液晶装置における対向基板の構成を示す概略図である。
【００７０】
図８に示すように、第２実施形態における対向基板２０は、第１実施形態と同様に、第１領域Ｅ１と、第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２とを有している。第１領域Ｅ１は、素子基板１０における複数の画素電極１５がマトリックス状に配置された領域に対向する部分である。つまり、第１領域Ｅ１は、少なくとも表示領域Ｅを含むものである。
【００７１】
対向基板２０の液晶層５０に面する側には、第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２とに跨って例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなる第１透光性導電層２３ａが設けられている。第１透光性導電層２３ａの第１領域Ｅ１に例えば酸化シリコン膜からなる透光性の第１絶縁膜２３ｂが設けられている。また、第１絶縁膜２３ｂに対して例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなる第２透光性導電層２３ｃと、例えば酸化シリコン膜からなる第２絶縁膜２３ｄと、例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなる第３透光性導電層２３ｅとが順に積層されている。
第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａ、第２透光性導電層２３ｃ、第３透光性導電層２３ｅが順に積層された積層体２３ｈが配置されている。
第２透光性導電層２３ｃおよび第３透光性導電層２３ｅは第１領域Ｅ１内において例えばコンタクトホールなどの接続部を介して第１透光性導電層２３ａに電気的に接続されている。したがって、順に積層された第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃ、第２絶縁膜２３ｄ、第３透光性導電層２３ｅとを含む積層体２３Ｇと上記積層体２３ｈとが実質的に対向電極２３（図１（ｂ）参照）として機能するものである。
配向膜２４は、第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２とに跨って、第３透光性導電層２３ｅを覆うように設けられている。また、図８には詳細な図示を省略したが、配向膜２４は積層体２３Ｇや積層体２３ｈの側面部分も覆うように設けられている。
そして、対向基板２０の第１領域Ｅ１を透過する光の可視光波長領域の分光分布がほぼフラットとなるように、第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃ、第２絶縁膜２３ｄ、第３透光性導電層２３ｅのそれぞれの膜厚が設定されている。
【００７２】
上記実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）第１領域Ｅ１に屈折率が異なる透光性導電層と絶縁膜とが順に積層された５層構造の積層体２３Ｇを配置することで、第１透光性導電層２３ａだけを設けた場合に比べて、あるいは第１実施形態に比べて、薄膜の光干渉作用により、第１領域Ｅ１を透過する光の透過率をより高めることができる。その一方で、第２領域Ｅ２には第１透光性導電層２３ａ、第２透光性導電層２３ｃ、第３透光性導電層２３ｅが順に積層された積層体２３ｈを残し、第１絶縁膜２３ｂおよび第２絶縁膜２３ｄが無い状態とすることで、第１領域Ｅ１に比べて第２領域Ｅ２における紫外光の透過率を高めることができる。つまり、第２領域Ｅ２に例えば紫外線硬化型のシール材４０が配置されても、十分に硬化させることができる。
【００７３】
以降、具体的な実施例や比較例を挙げて説明する。図９は素子基板の開口領域における透過光の分光分布を示すグラフ、図１０（ａ）および（ｂ）は実施例の対向基板における透光性導電層や絶縁膜の膜厚を示す表、同図（ｃ）は比較例の対向基板における透光性導電層や絶縁膜の膜厚を示す表、図１１は実施例１〜３、比較例１の対向基板における透過光の分光分布を示すグラフ、図１２は実施例４〜６、比較例１の対向基板における透過光の分光分布を示すグラフ、図１３は実施例４、比較例２、比較例３の対向基板における透過光の分光分布を示すグラフである。
【００７４】
図９に示すように、素子基板１０の開口領域における透過光の分光分布は、少なくとも赤の波長範囲（６００ｎｍ〜７００ｎｍ）、緑の波長範囲（５００ｎｍ〜６００ｎｍ）、青の波長範囲（４００ｎｍ〜５００ｎｍ）のそれぞれにおいて、透過率のピークを有している。言い換えれば、当該透過率のピークを有するように、蓄積容量１６のＩＴＯ膜からなる第１電極１６ａ、第２電極１６ｃ、画素電極１５の膜厚がそれぞれ１４０ｎｍに設定され、第２電極１６ｃと画素電極１５の間の第３層間絶縁膜１４の膜厚が１７５ｎｍに設定されている。第１電極１６ａと第２電極１６ｃとの間にも誘電体層１６ｂが設けられている。したがって、開口領域において屈折率が異なる透明導電膜（透光性導電層）と絶縁膜とが順に積層された状態となっており、薄膜の光干渉作用により、可視光波長範囲に亘って高い透過率が得られている。なお、図９における分光分布において、縦軸は、赤の波長範囲（６００ｎｍ〜７００ｎｍ）における透過率のピークを「１」として指数化されている。
【００７５】
以下、図１０（ａ）〜（ｃ）を参照して、対向基板２０における実施例１〜実施例６、比較例１〜比較例３の透光性導電層、絶縁膜について説明する。なお、実施例１〜実施例６、比較例１〜比較例３において、対向基板２０には酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる無機の配向膜２４が設けられ、その膜厚はいずれも７５ｎｍに設定されている。
（実施例１）
実施例１では、第１領域Ｅ１に第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃが順に積層されている。第１透光性導電層２３ａおよび第２透光性導電層２３ｃはＩＴＯ膜からなり、膜厚がそれぞれ２０ｎｍに設定されている。第１絶縁膜２３ｂは酸化シリコン膜からなり、膜厚が８０ｎｍに設定されている。
第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａが配置されている。
【００７６】
（実施例２）
実施例２は、実施例１に対して第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃの膜厚をそれぞれ１０％ずつ薄くしたものである。すなわち、第１透光性導電層２３ａおよび第２透光性導電層２３ｃは膜厚がそれぞれ１８ｎｍに設定されている。第１絶縁膜２３ｂは膜厚が７２ｎｍに設定されている。
【００７７】
（実施例３）
実施例３は、実施例１に対して第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃの膜厚をそれぞれ１０％ずつ厚くしたものである。すなわち、第１透光性導電層２３ａおよび第２透光性導電層２３ｃは膜厚がそれぞれ２２ｎｍに設定されている。第１絶縁膜２３ｂは膜厚が８８ｎｍに設定されている。
【００７８】
（実施例４）
実施例４では、第１領域Ｅ１に第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃ、第２絶縁膜２３ｄ、第３透光性導電層２３ｅが順に積層されている。第１透光性導電層２３ａおよび第３透光性導電層２３ｅはＩＴＯ膜からなり、膜厚はそれぞれ２０ｎｍに設定されている。第２透光性導電層２３ｃはＩＴＯ膜からなり、膜厚が４０ｎｍに設定されている。第１絶縁膜２３ｂおよび第２絶縁膜２３ｄは酸化シリコン膜からなり、膜厚がそれぞれ５０ｎｍに設定されている。
第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａと第２透光性導電層２３ｃと第３透光性導電層２３ｅとが配置されている。つまり、積層体２３ｈの膜厚は８０ｎｍとなる。
【００７９】
（実施例５）
実施例５は、実施例４に対して、第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃ、第２絶縁膜２３ｄ、第３透光性導電層２３ｅのそれぞれの膜厚を１０％ずつ薄くしたものである。すなわち、第１透光性導電層２３ａおよび第３透光性導電層２３ｅは膜厚がそれぞれ１８ｎｍに設定されている。第２透光性導電層２３ｃは膜厚が３６ｎｍに設定されている。第１絶縁膜２３ｂおよび第２絶縁膜２３ｄは膜厚がそれぞれ４５ｎｍに設定されている。
第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａと第２透光性導電層２３ｃと第３透光性導電層２３ｅとが配置されている。つまり、積層体２３ｈの膜厚は７２ｎｍとなる。
【００８０】
（実施例６）
実施例６は、実施例４に対して、第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃ、第２絶縁膜２３ｄ、第３透光性導電層２３ｅのそれぞれの膜厚を１０％ずつ厚くしたものである。すなわち、第１透光性導電層２３ａおよび第３透光性導電層２３ｅは膜厚がそれぞれ２２ｎｍに設定されている。第２透光性導電層２３ｃは膜厚が４４ｎｍに設定されている。第１絶縁膜２３ｂおよび第２絶縁膜２３ｄは膜厚がそれぞれ５５ｎｍに設定されている。
第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａと第２透光性導電層２３ｃと第３透光性導電層２３ｅとが配置されている。つまり、積層体２３ｈの膜厚は８８ｎｍとなる。
【００８１】
（比較例１）
比較例１は、第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２とに亘ってＩＴＯ膜からなる第１透光性導電層２３ａが配置され、膜厚が１４０ｎｍに設定されている。
【００８２】
（比較例２）
比較例２は、第１領域Ｅ１に第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃ、第２絶縁膜２３ｄ、第３透光性導電層２３ｅが順に積層されている。第１透光性導電層２３ａおよび第３透光性導電層２３ｅはＩＴＯ膜からなり、膜厚はそれぞれ４０ｎｍに設定されている。第２透光性導電層２３ｃはＩＴＯ膜からなり、膜厚が８０ｎｍに設定されている。第１絶縁膜２３ｂおよび第２絶縁膜２３ｄは酸化シリコン膜からなり、膜厚がそれぞれ５０ｎｍに設定されている。第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａが配置されている。つまり、比較例２は、実施例４に対して、第１領域Ｅ１における第１透光性導電層２３ａ、第２透光性導電層２３ｃ、第３透光性導電層２３ｅの膜厚をそれぞれ倍に設定し、第２領域Ｅ２に第１透光性導電層２３ａだけを配置したものである。
【００８３】
（比較例３）
比較例３は、比較例２に対して、ＩＴＯ膜からなる第１透光性導電層２３ａ、第２透光性導電層２３ｃ、第３透光性導電層２３ｅの膜厚をそれぞれ１４０ｎｍに設定したものである。第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａが配置されている。
【００８４】
実施例１〜３は、上記第１実施形態に対応させた実施例であり、実施例４〜６は上記第２実施形態に対応させた実施例である。比較例１は上記第１実施形態の実施例１〜３と対比させる比較例である。比較例２および比較例３は、上記第２実施形態の実施例４〜６と対比させる比較例である。
【００８５】
以下、実施例１〜実施例６、比較例１〜比較例３について、第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２における透過光の分光分布を光学的なシミュレーションによって求めた。また、図１１〜図１３に示す分光分布のグラフは、比較例１における赤の波長範囲（６００ｎｍ〜７００ｎｍ）における透過率のピークの値を「１」として指数化したものである。なお、透過光の分光分布を求める光学的なシミュレーションは、各実施例および比較例の膜厚構成に相当するサンプル（試作品）の分光特性を実際に測定して得られた結果と比較して、シミュレーション結果の妥当性が確認されている。
【００８６】
図１１に示すように、実施例１の第１領域Ｅ１を透過する光の分光分布は、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において透過率が９０％以上の数値を示し、５００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲で透過率が９９％以上の値で安定しており、ほぼフラットな状態となっている。一方で実施例１の第１領域Ｅ１における紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）では、急激に透過率が低下している。ちなみに３５０ｎｍでは、透過率が７５％を下回っている。これに対して、実施例１の第２領域Ｅ２を透過する光の分光分布は、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において第１領域Ｅ１よりも透過率が低下するものの、紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）では、透過率が８５％を上回っており、第１領域Ｅ１よりも高い透過率となっている。
【００８７】
実施例１に対して透光性導電層や絶縁膜の膜厚をそれぞれ１０％薄くした実施例２は、第１領域Ｅ１を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において、透過率が９５％以上の数値を示し、実施例１よりもさらにフラットな状態となっている。実施例２の第１領域Ｅ１における紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）では、実施例１と同様に急激に透過率が低下している。これに対して、実施例２の第２領域Ｅ２を透過する光の分光分布は、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において第１領域Ｅ１よりも透過率が低下するものの、紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）では、透過率が９０％を上回っており、第１領域Ｅ１よりも高い透過率となっている。
【００８８】
実施例１に対して透光性導電層や絶縁膜の膜厚をそれぞれ１０％厚くした実施例３は、第１領域Ｅ１を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において、透過率が実施例１よりもやや低下するものの８５％以上の数値を示し、５００ｎｍ〜７００ｎｍの波長範囲では透過率が９８％以上の数値を示しフラットな状態となっている。実施例３の第１領域Ｅ１における紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）では、実施例１と同様に急激に透過率が低下している。これに対して、実施例３の第２領域Ｅ２を透過する光の分光分布は、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において第１領域Ｅ１よりも透過率が低下するものの、紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）では、透過率が８５％を上回っており、第１領域Ｅ１よりも高い透過率となっている。
実施例３は実施例１に比べて、第１領域Ｅ１における４００ｎｍ〜４５０ｎｍの波長範囲の光の透過率が低下しているものの、液晶装置１００を後述する投射型表示装置における液晶ライトバルブとして用いる場合には、耐光性を考慮して紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）を含む例えば４３０ｎｍ未満の波長の光をカットして使用されるので、実用上は問題がないと言える。
【００８９】
一方、第１領域Ｅ１および第２領域Ｅ２に膜厚が１４０ｎｍの第１透光性導電層２３ａを配置した比較例１では、第１領域Ｅ１および第２領域Ｅ２を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において、透過率が８５％以上の数値を示してはいるものの、赤の波長範囲（６００ｎｍ〜７００ｎｍ）で実施例１〜３に比べてやや透過率が低下している。また、青の波長範囲（４００ｎｍ〜５００ｎｍ）において実施例１や実施例２に比べて透過率が低下している。つまり、比較例１は実施例１〜３に比べて分光分布が可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において大きく変動しており、ほぼフラットな状態とは言い難い。
【００９０】
上記第１実施形態の対向基板２０における積層体２３Ｆが適用された実施例１〜３によれば、第１透光性導電層２３ａおよび第２透光性導電層２３ｃの膜厚を２０ｎｍに設定し、第１絶縁膜２３ｂの膜厚を８０ｎｍに設定した上で、各膜厚の設定値に対して±１０％の範囲で積層体２３Ｆを形成すれば、第１領域Ｅ１の可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）における分光分布をほぼフラットな状態とすることができる。また、第２領域Ｅ２の紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）の透過率を８５％以上とすることができる。
【００９１】
図１２に示すように、実施例４および実施例４に対して積層体２３Ｇの各薄膜の膜厚を１０％薄くした実施例５は、第１領域Ｅ１を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において透過率が９８％以上の数値を示し、且つ安定してフラットな状態となっている。一方で上記分光分布における紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）では、やはり急激に透過率が低下している。これに対して、実施例４および実施例５の第２領域Ｅ２を透過する光の分光分布は、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において第１領域Ｅ１よりも透過率が低下するものの、紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）では、透過率が９０％を上回っており、実施例１〜３よりも高い透過率となっている。
【００９２】
また、実施例４に対して積層体２３Ｇの各薄膜の膜厚を１０％厚くした実施例６は、第１領域Ｅ１を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）における短波長側で透過率が実施例４や実施例５に比べてやや低下するものの、４３０ｎｍ〜７００ｎｍの波長範囲で９８％以上の値を示して安定しており、フラットな状態となっている。上記分光分布における紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）では、やはり急激に透過率が低下している。一方、実施例６の第２領域Ｅ２を透過する光の分光分布は、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において第１領域Ｅ１よりも透過率が低下するものの、紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）では、透過率が９０％を上回り、且つ実施例４や実施例５よりも高い透過率となっている。
したがって、実施例４〜６は、第１領域Ｅ１において４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長範囲で、比較例１は元より実施例１〜３よりも高い光の透過率が得られる。また、第２領域Ｅ２において３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満の紫外光波長領域で、比較例１は元より実施例１〜３よりも高い光の透過率が得られる。
【００９３】
図１３に示すように、実施例４に対して、第１透光性導電層２３ａ、第２透光性導電層２３ｃ、第３透光性導電層２３ｅの膜厚をそれぞれ倍にした比較例２では、第１領域Ｅ１の分光分布において可視光波長範囲のうち５５０ｎｍ〜７００ｎｍでは、透過率が９８％以上で安定しているものの、５５０ｎｍ未満の波長範囲では急激に透過率が低下している。比較例２の第２領域Ｅ２の分光分布では、紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）の透過率が８５％を下回る部分がある。
【００９４】
また、実施例４に対して、第１透光性導電層２３ａ、第２透光性導電層２３ｃ、第３透光性導電層２３ｅの膜厚をそれぞれ１４０ｎｍに設定した比較例３では、第１領域Ｅ１の分光分布において可視光波長範囲のうち青から緑の波長範囲（４００ｎｍ〜６００ｎｍ）では、９０％以上の透過率が得られるものの、赤の波長範囲（６００ｎｍ〜７００ｎｍ）では、実施例４よりも透過率が低下しており安定していない。比較例３の第２領域Ｅ２の分光分布では、紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）の透過率が８５％を下回っている。
すなわち、比較例２や比較例３は、実施例４よりも第１領域Ｅ１および第２領域Ｅ２における３５０ｎｍ〜７００ｎｍの透過光の透過率は低く、不安定な状態となっている。
【００９５】
上記第２実施形態の対向基板２０における積層体２３Ｇが適用された実施例４〜６によれば、第１透光性導電層２３ａおよび第３透光性導電層２３ｅの膜厚を２０ｎｍに設定し、第２透光性導電層２３ｃの膜厚を４０ｎｍに設定し、第１絶縁膜２３ｂおよび第２絶縁膜２３ｄの膜厚を５０ｎｍに設定した上で、それぞれの膜厚設定に対して±１０％の範囲で積層体２３Ｇおよび積層体２３ｈを形成すれば、第１領域Ｅ１の可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）における分光分布をフラットな状態とすることができる。また、第２領域Ｅ２の紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）の透過率を９０％以上とすることができる。
【００９６】
（第３実施形態）
＜電子機器＞
図１４は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。図１４に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００９７】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００９８】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００９９】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１００】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１０１】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した第１実施形態または第２実施形態の液晶装置が適用されたものである。当該液晶装置は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１０２】
このような投射型表示装置１０００によれば、素子基板１０および対向基板２０の表示領域Ｅにおいて透過光の透過率が高い当該液晶装置を液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として用いているので、偏光照明装置１１００から発する光を有効に利用して明るい表示品位が実現されている。
【０１０３】
また、素子基板１０および対向基板２０の表示領域Ｅにおいて高い透過率が得られるということは、表示領域Ｅを透過する光の反射率が低下することを意味している。そうすると、反射した光が再び液晶層５０を透過する確率が減るので、当該液晶装置を液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として用いたときの耐光性寿命（例えば液晶層５０や配向膜１８，２４の光劣化）が改善される。
【０１０４】
なお、光源としての偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、青色光（Ｂ）の分光分布における光強度のピーク波長に対して、画素Ｐを透過する光の透過率のピーク波長がほぼ合致するように、当該液晶装置における第１電極１６ａ、第２電極１６ｃ、画素電極１５、第３層間絶縁膜１４の膜厚とその範囲をそれぞれ設定して用いることが好ましい。これによれば、光の利用効率をさらに高められる。なお、「ほぼ合致」とは、光源から発する色光の光強度のピーク波長に対して±５％以内の波長範囲に画素Ｐを透過する色光の透過率のピークが現れている状態を言う。
また例えば、青色光（Ｂ）の分光分布を４３０ｎｍよりも波長が短い紫外光をカットして４３０ｎｍ〜５００ｎｍとし、当該液晶装置の耐光性寿命をさらに改善する場合には、当該波長範囲（４３０ｎｍ〜５００ｎｍ）に透過率のピークが来るように、第１電極１６ａ、第２電極１６ｃ、画素電極１５、第３層間絶縁膜１４の膜厚とその範囲をそれぞれ設定する。
【０１０５】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置および当該液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１０６】
（変形例１）上記第１実施形態および上記第２実施形態の対向基板２０が適用される液晶装置における素子基板１０の構造は、これに限定されない。図１５は変形例の液晶装置における素子基板の構造を示す概略断面図である。詳しくは、図３に示したＢ−Ｂ’線に沿って切ったときの断面図である。例えば、図１５に示すように、素子基板１０の非開口領域において、データ線６ａの上層に誘電体層６０ｂを挟んだ一対の電極６０ａ，６０ｃからなる蓄積容量６０を設ける構成としてもよい。この場合、例えばＩＴＯ膜を用いて画素電極１５を形成し、その膜厚を１４０ｎｍまたは２０ｎｍとする。これにより、第１領域Ｅ１における可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）の透過光の分光分布は、図１１に示した比較例１の分光分布とほぼ同じ状態とすることができる。図９に示した素子基板１０の分光分布と比べれば可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）における透過率が低下するものの、本発明における対向基板２０の構成を適用することによって、前述した特許文献１の電気光学装置よりも表示領域Ｅにおける高い光の透過率を実現できる。また、第２領域Ｅ２における紫外光の高い透過率を得ることができる。
さらには、上記第１実施形態および上記第２実施形態の対向基板２０を適用可能な液晶装置は、透過型であることに限定されず、図１５における画素電極１５を例えばＡｌなどの光反射性を有する金属材料を用いて形成した反射型の液晶装置においても適用可能である。反射型の液晶装置における画素の光反射率（画素への入射光に対する画素からの反射光の強度の割り合い）を向上させることができる。
【０１０７】
（変形例２）上記第１実施形態および上記第２実施形態の対向基板２０の構成は、これに限定されない。例えば、第１領域Ｅ１における透光性導電層と絶縁膜との積層構造は、第１実施形態の３層構造や第２実施形態の５層構造に限定されず、さらに屈折率が異なる透光性導電層と絶縁膜とを積層させた多層構造としてもよい。
【０１０８】
（変形例３）上記第１実施形態および上記第２実施形態の液晶装置における配向膜１８，２４は、酸化シリコンからなる無機配向膜であることに限定されない。ポリイミド樹脂などからなる有機配向膜を用いても本発明を適用することができる。また、シール材４０が配置される第２領域Ｅ２において、配向膜１８，２４が配置されない構成としてもよい。特に有機配向膜を用いた場合、シール材４０の材料選択によっては第２領域Ｅ２に有機配向膜を設けないほうが被接着物に対する接着性や密着性に優れる場合がある。
【０１０９】
（変形例４）素子基板１０における蓄積容量１６の一対の透光性電極である第１電極１６ａおよび第２電極１６ｃ、ならびに画素電極１５は、透明導電膜としてＩＴＯ膜を用いることに限定されず、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）を用いてもよい。同様に、対向基板２０における第１透光性導電層２３ａ、第２透光性導電層２３ｃ、第３透光性導電層２３ｅもＩＴＯ膜を用いることに限定されず、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）を用いてもよい。また、すべての透光性導電層を同一の透明導電膜で形成することに限定されず、少なくとも１つの透光性導電層を異なる透明導電膜を用いて形成してもよい。
【０１１０】
（変形例５）対向基板２０の第１絶縁膜２３ｂおよび第２絶縁膜２３ｄは、酸化シリコン膜であることに限定されず、酸窒化シリコン膜であるとしてもよい。
【０１１１】
（変形例６）上記液晶装置におけるＴＦＴ３０の半導体層３０ａは、走査線３ａと重なるように配置されることに限定されない。例えば、データ線６ａと重ねる配置や半導体層３０ａを途中で折り曲げて、走査線３ａとデータ線６ａとに重ねるように配置したとしても、素子基板１０における蓄積容量１６、第３層間絶縁膜１４、画素電極１５の構成を適用することができる。
【０１１２】
（変形例７）本発明を適用可能な電気光学装置は、液晶装置に限定されない。例えば、素子基板１０の画素電極１５上に発光層を含む機能層を設け、素子基板１０と反対側に機能層から光を発するトップエミッション方式の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置にも適用することができる。具体的には、対向基板２０の対向電極２３を陰極とし、素子基板１０の機能層を覆うように対向基板２０を配置して、対向基板２０を封止基板として用いる構成が挙げられる。
【０１１３】
（変形例８）上記液晶装置１００が適用される電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。また、適用に際しては、透過型の上記実施形態の液晶装置を照明する光源の光の分光分布における少なくとも赤、緑、青の光強度のピーク波長に対して、画素Ｐを透過する光の透過率のピークが適合するように、第１電極１６ａ、第２電極１６ｃ、画素電極１５、第３層間絶縁膜１４の膜厚とその範囲をそれぞれ設定して用いることが好ましい。
【符号の説明】
【０１１４】
１０…第１基板としての素子基板、１５…画素電極、２０…第２基板としての対向基板、２３…対向電極、２３ａ…第１透光性導電層、２３ｂ…第１絶縁膜、２３ｃ…第２透光性導電層、２３ｄ…第２絶縁膜、２３ｅ…第３透光性導電層、２４…配向膜、５０…電気光学物質としての液晶層、１００…液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｅ…表示領域、Ｅ１…第１領域、Ｅ２…第２領域。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置およびこれを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置として、例えば液晶プロジェクターの光変調手段（ライトバルブ）として用いられるアクティブ駆動型の液晶装置が挙げられる。該液晶装置の画素は、画素電極と、画素電極をスイッチング制御するトランジスターと、画素電極に書き込まれた画像信号を保持するための蓄積容量とを含む画素回路を有している。
【０００３】
このような液晶装置では、より優れた表示品位を実現するために、例えば画素数を増やすことが試みられている。液晶装置の大きさを変えずに画素数を増やすことは画素の高精細化に繋がり、トランジスターの小型化はもちろんのこと、所定の電気容量を有する蓄積容量をどのように確保するかが課題となっている。
【０００４】
上記課題を解決するため、表示領域のうち光が透過可能な開口領域において、トランジスター素子の上層に設けられた透明導電膜と、該透明導電膜上に形成された誘電体層と、該透明導電膜と該誘電体層と共に蓄積容量を構成し、該トランジスター素子に電気的に接続された透明な画素電極とを備えた電気光学装置が開示されている（特許文献１）。
上記電気光学装置によれば、開口領域に蓄積容量を構成しているので、非開口領域に蓄積容量を形成する場合に比べて、画素が高精細になっても、蓄積容量における所望の電気容量を確保できるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１７６１１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、透光性の誘電体層を挟んで透明導電膜と画素電極とを単純に重ねただけでは、必ずしも画素における所望の透過率を得ることができないおそれがあった。とりわけ、液晶層を挟む一対の基板のうち、画素電極に対向する対向電極を備えた基板の透過率に与える影響について、上記特許文献１には記載されていない。言い換えれば、画素の透過率を考慮して、対向電極を有する基板の構成についても検討する必要があるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例の電気光学装置は、第１基板と第２基板との間に挟持された電気光学物質を有する電気光学装置であって、前記第１基板は、複数の画素電極を有し、前記第２基板は、第１透光性導電層と、前記第１透光性導電層の前記複数の画素電極と対向する第１領域に配置された第２透光性導電層と、前記第１透光性導電層と前記第２透光性導電層との間に配置された第１絶縁膜と、を有し、前記第２基板の前記第１領域を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲でほぼフラットとなるように、前記第１透光性導電層、前記第１絶縁膜、前記第２透光性導電層の膜厚がそれぞれ設定されていることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、複数の画素電極に対向する第２基板側の第１領域を透過する光の分光分布が可視光波長範囲でほぼフラットになると、フラットでない場合に比べて実質的に第１領域つまり表示領域を透過する光の透過率が向上する。つまり、明るい表示が可能な電気光学装置を提供できる。
なお、本明細書において「分光分布が可視光波長範囲でほぼフラットとなる」とは、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において、透過光の透過率が９０％以上となっていることを含む。また、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において透過率が９５％以上となっていることが好ましく、９８％以上となっていることがより好ましい。
【００１０】
［適用例２］上記適用例の電気光学装置において、前記第１透光性導電層は、前記第１領域の外側に第２領域を有し、前記第２領域を透過する紫外光の透過率が８５％以上となるように、前記第１透光性導電層の膜厚が設定されていることを特徴とする。
この構成によれば、第１領域の外側の第２領域に、紫外線硬化型のシール材を配置して第１基板と第２基板とを接合させたときに、第２基板の第２領域は、紫外光の透過率が８５％以上となっているので、当該シール材を十分に硬化させることができる。
言い換えれば、第１領域に含まれる表示領域における明るい表示と、第２領域における紫外光の透過率の確保とを両立させることができる。
なお、本明細書において「紫外光」とは、波長が３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満の光を指す。
【００１１】
［適用例３］本適用例の他の電気光学装置は、第１基板と第２基板との間に挟持された電気光学物質を有する電気光学装置であって、前記第１基板は、複数の画素電極を有し、前記第２基板は、第１透光性導電層と、前記第１透光性導電層の前記複数の画素電極と対向する第１領域に配置された第２透光性導電層および第３透光性導電層と、前記第１透光性導電層と前記第２透光性導電層との間に配置された第１絶縁膜と、前記第２透光性導電層と前記第３透光性導電層との間に配置された第２絶縁膜と、を有し、前記第２基板の前記第１領域を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲でほぼフラットとなるように、前記第１透光性導電層、前記第１絶縁膜、前記第２透光性導電層、前記第２絶縁膜、前記第３透光性導電層の膜厚がそれぞれ設定されていることを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、第１領域における薄膜の積層構造を第１透光性導電層、第１絶縁膜、第２透光性導電層とする場合に比べて、可視光波長範囲における分光分布をよりフラットな状態とすることができる。つまり、より明るい表示が可能な電気光学装置を提供できる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例の他の電気光学装置において、前記第１透光性導電層は、前記第１領域の外側に第２領域を有し、前記第２領域には、前記第１透光性導電層、前記第２透光性導電層、前記第３透光性導電層が順に積層されており、前記第２基板の前記第２領域を透過する紫外光の透過率が８５％以上となるように、前記第１透光性導電層、前記第２透光性導電層、前記第３透光性導電層の膜厚がそれぞれ設定されていることを特徴とする。
この構成によれば、第１領域から第２領域に亘って、第１透光性導電層、第１絶縁膜、第２透光性導電層、第２絶縁膜、第３透光性導電層の積層構造を維持する場合に比べて、第２領域における紫外光の透過率を容易に８５％以上とすることができる。
【００１４】
［適用例５］本適用例の電子機器は、上記適用例の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
この構成によれば、明るく見栄えのよい表示が可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）は第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図。
【図２】第１実施形態の液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】第１実施形態の液晶装置における画素の配置を示す概略平面図。
【図４】（ａ）は画素における薄膜トランジスターと信号線の配置を示す概略平面図、（ｂ）は画素における蓄積容量の一対の透光性電極と画素電極の配置を示す概略平面図。
【図５】図４のＡ−Ａ’線で切った画素の構造を示す概略断面図。
【図６】図３のＢ−Ｂ’線で切った画素の構造を示す概略断面図。
【図７】第１実施形態における液晶装置の対向基板の構成を示す概略図。
【図８】第２実施形態の液晶装置における対向基板の構成を示す概略図。
【図９】素子基板の開口領域における透過光の分光分布を示すグラフ。
【図１０】（ａ）および（ｂ）は実施例の対向基板における透光性導電層や絶縁膜の膜厚を示す表、（ｃ）は比較例の対向基板における透光性導電層や絶縁膜の膜厚を示す表。
【図１１】実施例１〜３、比較例１の対向基板における透過光の分光分布を示すグラフ。
【図１２】実施例４〜６、比較例１の対向基板における透過光の分光分布を示すグラフ。
【図１３】実施例４、比較例２、比較例３の対向基板における透過光の分光分布を示すグラフ。
【図１４】電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１５】変形例の液晶装置における素子基板の構造を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１７】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００１８】
（第１実施形態）
＜液晶装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図１および図２を参照して説明する。図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図、図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００１９】
図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置１００は、対向配置された第１基板としての素子基板１０および第２基板としての対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された電気光学物質としての液晶層５０とを有する。素子基板１０および対向基板２０は、透明な例えば石英基板やガラス基板などが用いられている。
【００２０】
素子基板１０は対向基板２０よりも一回り大きく、両基板間に配置されたシール材４０を介して接合されている。シール材４０には注入口が形成されており、例えば真空注入法により注入口から正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。一対の基板間への液晶の注入（充填）は、真空注入法に限らない。例えば、一対の基板のうちの一方の基板にシール材４０を額縁状に配置し、配置されたシール材４０を土手として、減圧下でその内側に所定量の液晶を滴下する。そして、同じく減圧下で一方の基板と他方の基板と貼り合わせるＯＤＦ（One Drop Fill）方式を採用してもよい。
シール材４０は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２１】
額縁状に配置されたシール材４０の内側には、同じく額縁状に遮光膜２１が設けられている。遮光膜２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜２１の内側が表示領域Ｅとなっている。表示領域Ｅには、マトリックス状に画素Ｐが複数配置されている。表示領域Ｅは、表示に寄与する有効な複数の画素Ｐを囲むように配置された複数のダミー画素を含んでいるとしてもよい。なお、図１では図示省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部が設けられている。
【００２２】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４０の内側に検査回路１０３が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４０の内側に走査線駆動回路１０２が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部のシール材４０の内側には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。
以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
【００２３】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極１５およびスイッチング素子としての薄膜トランジスター（ＴＦＴ；Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴとも称する）３０と、信号配線と、複数の画素電極１５を覆う配向膜１８とが形成されている。
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射して光リーク電流が流れ、不適切なスイッチング動作となることを防ぐ遮光構造が採用されている。
【００２４】
対向基板２０の液晶層５０側の表面には、遮光膜２１と、これを覆うように成膜された層間絶縁膜２２と、少なくとも表示領域Ｅに亘って層間絶縁膜２２を覆うように設けられた対向電極２３と、対向電極２３を覆う配向膜２４とが設けられている。
【００２５】
遮光膜２１は、図１（ａ）に示すように平面的にデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置において額縁状に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００２６】
層間絶縁膜２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜２１を覆うように設けられている。また、層間絶縁膜２２は、遮光膜２１によって基板上に生ずる凹凸を緩和する平坦化層としても機能している。このような層間絶縁膜２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００２７】
対向電極２３は、例えばＩＴＯなどの透明導電膜（透光性導電層）からなり、層間絶縁膜２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００２８】
画素電極１５を覆う配向膜１８および対向電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施されたものや、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法を用いて成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向処理が施されたものが挙げられる。
【００２９】
図２に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、走査線３ａに対して平行する容量線３ｂとを有する。
【００３０】
走査線３ａとデータ線６ａとにより区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３１】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００３２】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された対向電極２３との間で一定期間保持される。
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と対向電極２３との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１６が接続されている。蓄積容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。詳しくは後述するが、本実施形態では、蓄積容量１６を構成する一対の透光性電極のうちの一方が容量線３ｂとして機能している。
【００３３】
なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では省略している。また、検査回路１０３は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００３４】
このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードや、非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が配置されて用いられる。
【００３５】
次に、画素Ｐの平面的な配置と構造について、図３〜図６を参照して説明する。図３は液晶装置における画素の配置を示す概略平面図、図４（ａ）は画素における薄膜トランジスターと信号線の配置を示す概略平面図、同図（ｂ）は画素における蓄積容量の一対の透光性電極と画素電極の配置を示す概略平面図、図５は図４のＡ−Ａ’線で切った画素の構造を示す概略断面図、図６は図３のＢ−Ｂ’線で切った画素の構造を示す概略断面図である。
【００３６】
図３に示すように、液晶装置１００における画素Ｐは、例えば平面的に略四角形（略正方形）の開口領域を有する。開口領域は、Ｘ方向とＹ方向とに延在し格子状に設けられた遮光性の非開口領域により囲まれている。
【００３７】
Ｘ方向に延在する非開口領域には、図２に示した走査線３ａが設けられている。走査線３ａは遮光性の導電部材が用いられており、走査線３ａによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
【００３８】
同じく、Ｙ方向に延在する非開口領域には、図２に示したデータ線６ａが設けられている。データ線６ａも遮光性の導電部材が用いられており、これらによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
【００３９】
非開口領域は、素子基板１０側に設けられた上記信号線類によって構成されるだけでなく、対向基板２０側において格子状にパターニングされた遮光膜２１によっても構成されている。
【００４０】
非開口領域の交差部付近には、図２に示したＴＦＴ３０が設けられている。遮光性を有する非開口領域の交差部付近にＴＦＴ３０を設けることにより、ＴＦＴ３０の光誤動作を防止すると共に、開口領域における開口率を確保している。詳しい画素Ｐの構造については後述するが、交差部付近にＴＦＴ３０を設ける関係上、交差部付近の非開口領域の幅は、他の部分に比べて広くなっている。
【００４１】
次に、図４〜図６を参照して画素Ｐの画素回路における薄膜トランジスターなどの各構成要素について説明する。
図４に示すように、画素Ｐは、走査線３ａとデータ線６ａの交差部に設けられたＴＦＴ３０を有している。ＴＦＴ３０は、データ線側ソース・ドレイン領域３０ｓと、チャネル領域３０ｃと、画素電極側ソース・ドレイン領域３０ｄと、データ線側ソース・ドレイン領域３０ｓとチャネル領域３０ｃとの間に設けられた接合領域３０ｅと、チャネル領域３０ｃと画素電極側ソース・ドレイン領域３０ｄとの間に設けられた接合領域３０ｆとを有するＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造の半導体層３０ａを有している。半導体層３０ａは上記交差部を通過して、走査線３ａと重なるように配置されている。
【００４２】
走査線３ａはデータ線６ａとの交差部において、Ｘ，Ｙ方向に拡張された平面視で四角形の拡張部を有している。当該拡張部に平面的に重なると共に接合領域３０ｆおよび画素電極側ソース・ドレイン領域３０ｄと重ならない開口部を有する折れ曲がった形状のゲート電極３０ｇが設けられている。
【００４３】
ゲート電極３０ｇは、Ｙ方向に延在した部分が平面的にチャネル領域３０ｃと重なっている。また、チャネル領域３０ｃと重なった部分から折り曲げられてＸ方向に延在し、互いに対向する部分がそれぞれ走査線３ａの拡張部との間に設けられたコンタクトホールＣＮＴ３，ＣＮＴ４によって、走査線３ａと電気的に接続している。
【００４４】
コンタクトホールＣＮＴ３，ＣＮＴ４は、平面視でＸ方向が長い矩形状（長方形）であって、半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと接合領域３０ｆとに沿って接合領域３０ｆを挟むように両側に設けられている。
【００４５】
データ線６ａは、Ｙ方向に延在すると共に、走査線３ａとの交差部において同じく四角形の拡張部を有し、当該拡張部からＸ方向に突出した突出部６ｃに設けられたコンタクトホールＣＮＴ１によってデータ線側ソース・ドレイン領域３０ｓと電気的に接続している。コンタクトホールＣＮＴ１を含む部分がソース電極３１となっている。一方、画素電極側ソース・ドレイン領域３０ｄの端部にもコンタクトホールＣＮＴ２が設けられており、コンタクトホールＣＮＴ２を含む部分がドレイン電極３２となっている。
走査線３ａの延在方向（Ｘ方向）において、コンタクトホールＣＮＴ２に隣り合うようにコンタクトホールＣＮＴ６，ＣＮＴ５，ＣＮＴ７が設けられている。コンタクトホールＣＮＴ２とコンタクトホールＣＮＴ５とは島状に設けられた第１中継電極６ｂを介して電気的に接続されている。コンタクトホールＣＮＴ６とコンタクトホールＣＮＴ７とは同じく島状に設けられた第２中継電極７ｂを介して電気的に接続されている。
【００４６】
図４（ｂ）に示すように、画素電極１５は、前述した開口領域（図３参照）と平面的に重なると共に外縁部が非開口領域（図３参照）に掛かるように配置されている。また、画素電極１５はコンタクトホールＣＮＴ７との電気的な接続を図るための突出部１５ａを有している。つまり、画素電極１５は画素Ｐごとに設けられた略四角形（略正方形）の島状となっている。
蓄積容量１６は、一対の透光性電極としての第１電極１６ａと第２電極１６ｃとを有している。第１電極１６ａは前述した開口領域（図３参照）において画素電極１５と平面的に重なるように画素Ｐごとに設けられている。第１電極１６ａはコンタクトホールＣＮＴ６との電気的な接続を図るための突出部１６ａａを有している。つまり、第１電極１６ａは、画素電極１５と同じく略四角形（略正方形）の島状となっている。
【００４７】
これに対して、第２電極１６ｃは、Ｘ方向およびＹ方向にマトリックス状に配置された複数の画素Ｐに跨るように設けられている。また、第１電極１６ａが電気的に接続されるコンタクトホールＣＮＴ６や画素電極１５が電気的に接続されるコンタクトホールＣＮＴ７と第２電極１６ｃとが重ならないように開口された開口部１６ｃｈを有している。つまり、第２電極１６ｃは、表示領域Ｅに亘るように設けられ、複数の画素Ｐに共通する容量線３ｂの機能を有している。第２電極１６ｃの一部が表示領域Ｅの外側に引き出されて、固定電位が供給される配線に電気的に接続されている。
【００４８】
図５に示すように、素子基板１０上には、まず走査線３ａが形成される。走査線３ａは、半導体層３０ａを遮光する遮光膜を兼ねており、例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏなどの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。
【００４９】
走査線３ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる下地絶縁膜１０ａが形成され、下地絶縁膜１０ａ上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、前述したデータ線側ソース・ドレイン領域３０ｓ、接合領域３０ｅ、チャネル領域３０ｃ、接合領域３０ｆ、画素電極側ソース・ドレイン領域３０ｄを有するＬＤＤ構造が形成されている。
【００５０】
半導体層３０ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ａが形成される。さらに第１絶縁膜１１ａを挟んでチャネル領域３０ｃに対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。ゲート電極３０ｇは例えば多結晶シリコン膜を用いて形成することができ、同時に下地絶縁膜１０ａと第１絶縁膜１１ａとを貫通して走査線３ａ（拡張部）とゲート電極３０ｇとを電気的に接続するコンタクトホールＣＮＴ３，ＣＮＴ４（図示省略）も形成される。
【００５１】
ゲート電極３０ｇと第１絶縁膜１１ａとを覆うようにして例えば酸化シリコンなどからなる第２絶縁膜１１ｂが形成される。半導体層３０ａのデータ線側ソース・ドレイン領域３０ｓに重なる第１絶縁膜１１ａと第２絶縁膜１１ｂとを貫通するコンタクトホールＣＮＴ１が形成される。同じく、半導体層３０ａの画素電極側ソース・ドレイン領域３０ｄに重なる第１絶縁膜１１ａと第２絶縁膜１１ｂとを貫通するコンタクトホールＣＮＴ２が形成される。続いて、第２絶縁膜１１ｂを覆うように例えばＡｌなどの遮光性の金属からなる導電膜を成膜してパターニングすることにより、データ線側ソース・ドレイン領域３０ｓにコンタクトホールＣＮＴ１を介して電気的に接続されるデータ線６ａが形成される。同時に、画素電極側ソース・ドレイン領域３０ｄにコンタクトホールＣＮＴ２を介して電気的に接続される第１中継電極６ｂが形成される。
【００５２】
続いて、データ線６ａおよび第１中継電極６ｂを覆うように第１層間絶縁膜１２が形成される。第１層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物や窒化物あるいは酸窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chamical Mechanical Polishing；ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。
【００５３】
第１中継電極６ｂと重なる位置に第１層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＮＴ５が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ５を被覆すると共に第１層間絶縁膜１２を覆うように例えばＡｌなどの遮光性の金属からなる導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、配線７ａと、コンタクトホールＣＮＴ５を介して第１中継電極６ｂに電気的に接続される第２中継電極７ｂとが形成される。
配線７ａは、平面的にＴＦＴ３０の半導体層３０ａやデータ線６ａと重なるように形成され、固定電位が与えられてシールド層として機能するものである。
【００５４】
配線７ａと第２中継電極７ｂとを覆うように第２層間絶縁膜１３が形成される。第２層間絶縁膜１３も、例えばシリコンの酸化物や窒化物あるいは酸窒化物を用いて形成することができ、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。
【００５５】
次に、第２中継電極７ｂと重なる位置に第２層間絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールＣＮＴ６が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ６を被覆すると共に第２層間絶縁膜１３を覆うように、例えばＩＴＯなどの透明導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、突出部１６ａａを有する第１電極１６ａが形成される。第１電極１６ａは突出部１６ａａおよびコンタクトホールＣＮＴ６を介して第２中継電極７ｂと電気的に接続される。
【００５６】
第１電極１６ａのうち少なくとも第２電極１６ｃと対向する部分に誘電体層１６ｂが成膜される。誘電体層１６ｂとしては、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの単層膜、またはこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いることができる。厚みは、電気容量を考慮して２０ｎｍ〜３０ｎｍとする。誘電体層１６ｂは、このように極薄い薄膜であり、可視光に対して高い透明性を有している。
【００５７】
誘電体層１６ｂを覆うように例えばＩＴＯなどの透明導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、容量線３ｂとして機能する第２電極１６ｃが形成される。第２電極１６ｃはパターニングされた誘電体層１６ｂの側面を含めた表面を覆うように形成される。また、前述したように少なくとも複数の画素Ｐが含まれる表示領域Ｅに亘って形成されると共に、第２中継電極７ｂと平面的に重なる部分に開口部１６ｃｈが形成される。
これによって、誘電体層１６ｂを挟んで第１電極１６ａと第２電極１６ｃとが対向配置され、透光性の蓄積容量１６が構成される。
【００５８】
蓄積容量１６を覆って第３層間絶縁膜１４が形成される。第３層間絶縁膜１４も例えばシリコンの酸化物を用いて形成することができ、ＣＭＰ処理などの平坦化処理を施してもよい。加えて、この後にフォトリソグラフィ法を用いて形成される画素電極１５の形成工程で、第３層間絶縁膜１４が変質したり、膜厚が変動することが無いように、化学的に安定なボロンがドープされた酸化シリコン膜で覆うことが好ましい。つまり、第３層間絶縁膜１４は、蓄積容量１６側の第１酸化シリコン膜と、第１酸化シリコン膜に積層され、ボロンがドープされた第２酸化シリコン膜とから構成されている。
【００５９】
次に、第２中継電極７ｂと重なる位置に第２層間絶縁膜１３および第３層間絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールＣＮＴ７が形成される。コンタクトホールＣＮＴ７を被覆すると共に、第３層間絶縁膜１４を覆う例えばＩＴＯなどの透明導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ７を介して第２中継電極７ｂに電気的に接続される画素電極１５が形成される。
【００６０】
このような素子基板１０の配線構造によれば、ＴＦＴ３０のドレイン電極３２は、第１中継電極６ｂ、コンタクトホールＣＮＴ５、第２中継電極７ｂ、コンタクトホールＣＮＴ７を介して画素電極１５と電気的に接続される。また、第１中継電極６ｂ、コンタクトホールＣＮＴ５、第２中継電極７ｂ、コンタクトホールＣＮＴ６を介して蓄積容量１６の第１電極１６ａと電気的に接続される。
【００６１】
図６に示すように、画素Ｐの開口領域には、透明な素子基板１０上において順に形成された、下地絶縁膜１０ａ、第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜１３、透光性の蓄積容量１６、第３層間絶縁膜１４、画素電極１５が設けられている。
【００６２】
素子基板１０における下地絶縁膜１０ａ、第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜１３などの絶縁膜は、前述したようにシリコンの酸化物（酸化シリコン膜）または窒化物あるいは酸窒化物からなるため、素子基板１０を構成するところの例えば石英基板とほぼ同じ屈折率（可視光領域で１．４〜１．５）を有している。したがって、屈折率がほぼ同じであるため、これらの層（膜）を透過する可視光は、層（膜）の界面で反射したり、屈折したりすることがほとんどないので、その光強度（透過率）が減衰し難い。
これに対して、蓄積容量１６から画素電極１５までの構造は、透明導電膜（ＩＴＯならば可視光波長領域で屈折率が１．５〜１．９）からなる第１電極１６ａと第２電極１６ｃとの間に誘電体層１６ｂが挟まれ、同じく透明導電膜からなる第２電極１６ｃと画素電極１５との間に第３層間絶縁膜１４が挟まれた構造となっている。つまり、透明導電膜の間に透明導電膜に対して屈折率が異なる（低い）誘電体層１６ｂや第３層間絶縁膜１４を挟んだ構造となっているので、これらの層（膜）を透過する可視光は、層（膜）の界面で反射したり、屈折したりして、その光強度（透過率）が減衰するおそれがある。なお、誘電体層１６ｂは、前述したように電気容量を確保する観点から膜厚を２０ｎｍ〜３０ｎｍとしている。この膜厚の範囲では、開口領域における光の透過率に対してほとんど影響を及ぼさないので、無視することができる。
【００６３】
本実施形態では、素子基板１０の開口領域を透過する光（透過光）の分光分布が、少なくとも赤の波長範囲（６００ｎｍ〜７００ｎｍ）、緑の波長範囲（５００ｎｍ〜６００ｎｍ）、青の波長範囲（４００ｎｍ〜５００ｎｍ）に対応してそれぞれ透過率のピークを有するように、画素電極１５、一対の透光性電極としての第１電極１６ａおよび第２電極１６ｃ、第３層間絶縁膜１４のそれぞれの膜厚が設定されている。具体的には、画素電極１５、第１電極１６ａ、第２電極１６ｃは、いずれもＩＴＯ膜を用いて膜厚が１４０ｎｍとなるように形成されている。また、第３層間絶縁膜１４は、第１酸化シリコン膜とボロンがドープされた第２酸化シリコン膜とからなり、膜厚が１７５ｎｍとなるように形成されている。
【００６４】
また、液晶層５０を挟んで素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、前述した遮光膜２１や層間絶縁膜２２に加えて、透光性導電層と絶縁膜とが積層された構造となっており、表示領域Ｅを透過する光（透過光）の分光分布が、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）でほぼフラットとなるように、上記透光性導電層および上記絶縁膜の膜厚がそれぞれ設定されている。以降、対向基板２０の具体的な構成について、図７を参照して説明する。
【００６５】
図７は、第１実施形態における液晶装置の対向基板の構成を示す概略図である。なお、図７では、対向基板２０に設けられた遮光膜２１や層間絶縁膜２２の図示を省略している。図７に示すように、対向基板２０は、第１領域Ｅ１と、第１領域Ｅ１を囲むように設けられた第２領域Ｅ２とを有している。第１領域Ｅ１は、素子基板１０における複数の画素電極１５がマトリックス状に配置された領域に対向する部分である。つまり、第１領域Ｅ１は、少なくとも表示領域Ｅを含むものである。第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２は、シール材４０が配置される領域を含んでいる。
【００６６】
対向基板２０の液晶層５０に面する側には、第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２とに跨って例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなる第１透光性導電層２３ａが設けられている。第１透光性導電層２３ａは層間絶縁膜２２（図１（ｂ）参照）を覆って設けられている。第１透光性導電層２３ａの第１領域Ｅ１に例えば酸化シリコン膜からなる透光性の第１絶縁膜２３ｂが設けられている。また、第１絶縁膜２３ｂに対して例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなる第２透光性導電層２３ｃが積層されている。第２透光性導電層２３ｃは第１領域Ｅ１内において例えばコンタクトホールなどの接続部を介して第１透光性導電層２３ａに電気的に接続されている。したがって、第１絶縁膜２３ｂを挟んで対向配置された第１透光性導電層２３ａと第２透光性導電層２３ｃとを含む積層体２３Ｆが実質的に対向電極２３（図１（ｂ）参照）として機能するものである。
配向膜２４は、第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２とに跨って、第１透光性導電層２３ａおよび第２透光性導電層２３ｃを覆うように設けられている。なお、図７では詳細な図示を省略したが、配向膜２４は積層体２３Ｆの側面部分も覆っている。
【００６７】
このように第１領域Ｅ１に屈折率が異なる透光性導電層と絶縁膜とが積層された積層体２３Ｆを配置することで、第１透光性導電層２３ａだけを設けた場合に比べて、薄膜の光干渉作用により、第１領域Ｅ１を透過する光の可視光波長範囲における透過率を高めることができる。その一方で、第２領域Ｅ２に第１透光性導電層２３ａを残し、第１絶縁膜２３ｂおよび第２透光性導電層２３ｃが無い状態とすることで、第１領域Ｅ１に比べて第２領域Ｅ２における紫外光の透過率を高めることができる。
【００６８】
上記実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）素子基板１０は画素Ｐの開口領域に透光性の蓄積容量１６と画素電極１５とを有し、開口領域を透過する光の分光分布が、少なくとも赤、緑、青の各波長範囲に対応して透過率のピークを有するように、画素電極１５、一対の透光性電極としての第１電極１６ａおよび第２電極１６ｃ、第３層間絶縁膜１４のそれぞれの膜厚が設定されている。これに加えて、液晶層５０を挟んで素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、第１領域Ｅ１において屈折率が異なる透光性導電層と絶縁膜とが順に積層された３層構造の積層体２３Ｆを有している。そして、第１領域Ｅ１を透過する光の可視光波長領域における分光分布がほぼフラットとなるように、第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃの膜厚がそれぞれ設定されている。ゆえに、透過光の透過率が高い複数の画素Ｐを備え、光源から発せられる光の利用効率を高め、明るい表示が可能な液晶装置１００を提供することができる。
（２）対向基板２０の第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａが残され、第１絶縁膜２３ｂおよび第２透光性導電層２３ｃが無い状態となっている。これにより第１領域Ｅ１に比べて第２領域Ｅ２における紫外光の透過率が高い状態となっているので、第２領域Ｅ２に例えば紫外線硬化型のシール材４０が配置されても、十分に硬化させることができる。
【００６９】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の液晶装置について、図８を参照して説明する。第２実施形態の液晶装置は、第１実施形態に対して、対向基板２０の構成を異ならせたものである。したがって、第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。図８は第２実施形態の液晶装置における対向基板の構成を示す概略図である。
【００７０】
図８に示すように、第２実施形態における対向基板２０は、第１実施形態と同様に、第１領域Ｅ１と、第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２とを有している。第１領域Ｅ１は、素子基板１０における複数の画素電極１５がマトリックス状に配置された領域に対向する部分である。つまり、第１領域Ｅ１は、少なくとも表示領域Ｅを含むものである。
【００７１】
対向基板２０の液晶層５０に面する側には、第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２とに跨って例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなる第１透光性導電層２３ａが設けられている。第１透光性導電層２３ａの第１領域Ｅ１に例えば酸化シリコン膜からなる透光性の第１絶縁膜２３ｂが設けられている。また、第１絶縁膜２３ｂに対して例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなる第２透光性導電層２３ｃと、例えば酸化シリコン膜からなる第２絶縁膜２３ｄと、例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなる第３透光性導電層２３ｅとが順に積層されている。
第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａ、第２透光性導電層２３ｃ、第３透光性導電層２３ｅが順に積層された積層体２３ｈが配置されている。
第２透光性導電層２３ｃおよび第３透光性導電層２３ｅは第１領域Ｅ１内において例えばコンタクトホールなどの接続部を介して第１透光性導電層２３ａに電気的に接続されている。したがって、順に積層された第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃ、第２絶縁膜２３ｄ、第３透光性導電層２３ｅとを含む積層体２３Ｇと上記積層体２３ｈとが実質的に対向電極２３（図１（ｂ）参照）として機能するものである。
配向膜２４は、第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２とに跨って、第３透光性導電層２３ｅを覆うように設けられている。また、図８には詳細な図示を省略したが、配向膜２４は積層体２３Ｇや積層体２３ｈの側面部分も覆うように設けられている。
そして、対向基板２０の第１領域Ｅ１を透過する光の可視光波長領域の分光分布がほぼフラットとなるように、第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃ、第２絶縁膜２３ｄ、第３透光性導電層２３ｅのそれぞれの膜厚が設定されている。
【００７２】
上記実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）第１領域Ｅ１に屈折率が異なる透光性導電層と絶縁膜とが順に積層された５層構造の積層体２３Ｇを配置することで、第１透光性導電層２３ａだけを設けた場合に比べて、あるいは第１実施形態に比べて、薄膜の光干渉作用により、第１領域Ｅ１を透過する光の透過率をより高めることができる。その一方で、第２領域Ｅ２には第１透光性導電層２３ａ、第２透光性導電層２３ｃ、第３透光性導電層２３ｅが順に積層された積層体２３ｈを残し、第１絶縁膜２３ｂおよび第２絶縁膜２３ｄが無い状態とすることで、第１領域Ｅ１に比べて第２領域Ｅ２における紫外光の透過率を高めることができる。つまり、第２領域Ｅ２に例えば紫外線硬化型のシール材４０が配置されても、十分に硬化させることができる。
【００７３】
以降、具体的な実施例や比較例を挙げて説明する。図９は素子基板の開口領域における透過光の分光分布を示すグラフ、図１０（ａ）および（ｂ）は実施例の対向基板における透光性導電層や絶縁膜の膜厚を示す表、同図（ｃ）は比較例の対向基板における透光性導電層や絶縁膜の膜厚を示す表、図１１は実施例１〜３、比較例１の対向基板における透過光の分光分布を示すグラフ、図１２は実施例４〜６、比較例１の対向基板における透過光の分光分布を示すグラフ、図１３は実施例４、比較例２、比較例３の対向基板における透過光の分光分布を示すグラフである。
【００７４】
図９に示すように、素子基板１０の開口領域における透過光の分光分布は、少なくとも赤の波長範囲（６００ｎｍ〜７００ｎｍ）、緑の波長範囲（５００ｎｍ〜６００ｎｍ）、青の波長範囲（４００ｎｍ〜５００ｎｍ）のそれぞれにおいて、透過率のピークを有している。言い換えれば、当該透過率のピークを有するように、蓄積容量１６のＩＴＯ膜からなる第１電極１６ａ、第２電極１６ｃ、画素電極１５の膜厚がそれぞれ１４０ｎｍに設定され、第２電極１６ｃと画素電極１５の間の第３層間絶縁膜１４の膜厚が１７５ｎｍに設定されている。第１電極１６ａと第２電極１６ｃとの間にも誘電体層１６ｂが設けられている。したがって、開口領域において屈折率が異なる透明導電膜（透光性導電層）と絶縁膜とが順に積層された状態となっており、薄膜の光干渉作用により、可視光波長範囲に亘って高い透過率が得られている。なお、図９における分光分布において、縦軸は、赤の波長範囲（６００ｎｍ〜７００ｎｍ）における透過率のピークを「１」として指数化されている。
【００７５】
以下、図１０（ａ）〜（ｃ）を参照して、対向基板２０における実施例１〜実施例６、比較例１〜比較例３の透光性導電層、絶縁膜について説明する。なお、実施例１〜実施例６、比較例１〜比較例３において、対向基板２０には酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる無機の配向膜２４が設けられ、その膜厚はいずれも７５ｎｍに設定されている。
（実施例１）
実施例１では、第１領域Ｅ１に第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃが順に積層されている。第１透光性導電層２３ａおよび第２透光性導電層２３ｃはＩＴＯ膜からなり、膜厚がそれぞれ２０ｎｍに設定されている。第１絶縁膜２３ｂは酸化シリコン膜からなり、膜厚が８０ｎｍに設定されている。
第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａが配置されている。
【００７６】
（実施例２）
実施例２は、実施例１に対して第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃの膜厚をそれぞれ１０％ずつ薄くしたものである。すなわち、第１透光性導電層２３ａおよび第２透光性導電層２３ｃは膜厚がそれぞれ１８ｎｍに設定されている。第１絶縁膜２３ｂは膜厚が７２ｎｍに設定されている。
【００７７】
（実施例３）
実施例３は、実施例１に対して第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃの膜厚をそれぞれ１０％ずつ厚くしたものである。すなわち、第１透光性導電層２３ａおよび第２透光性導電層２３ｃは膜厚がそれぞれ２２ｎｍに設定されている。第１絶縁膜２３ｂは膜厚が８８ｎｍに設定されている。
【００７８】
（実施例４）
実施例４では、第１領域Ｅ１に第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃ、第２絶縁膜２３ｄ、第３透光性導電層２３ｅが順に積層されている。第１透光性導電層２３ａおよび第３透光性導電層２３ｅはＩＴＯ膜からなり、膜厚はそれぞれ２０ｎｍに設定されている。第２透光性導電層２３ｃはＩＴＯ膜からなり、膜厚が４０ｎｍに設定されている。第１絶縁膜２３ｂおよび第２絶縁膜２３ｄは酸化シリコン膜からなり、膜厚がそれぞれ５０ｎｍに設定されている。
第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａと第２透光性導電層２３ｃと第３透光性導電層２３ｅとが配置されている。つまり、積層体２３ｈの膜厚は８０ｎｍとなる。
【００７９】
（実施例５）
実施例５は、実施例４に対して、第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃ、第２絶縁膜２３ｄ、第３透光性導電層２３ｅのそれぞれの膜厚を１０％ずつ薄くしたものである。すなわち、第１透光性導電層２３ａおよび第３透光性導電層２３ｅは膜厚がそれぞれ１８ｎｍに設定されている。第２透光性導電層２３ｃは膜厚が３６ｎｍに設定されている。第１絶縁膜２３ｂおよび第２絶縁膜２３ｄは膜厚がそれぞれ４５ｎｍに設定されている。
第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａと第２透光性導電層２３ｃと第３透光性導電層２３ｅとが配置されている。つまり、積層体２３ｈの膜厚は７２ｎｍとなる。
【００８０】
（実施例６）
実施例６は、実施例４に対して、第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃ、第２絶縁膜２３ｄ、第３透光性導電層２３ｅのそれぞれの膜厚を１０％ずつ厚くしたものである。すなわち、第１透光性導電層２３ａおよび第３透光性導電層２３ｅは膜厚がそれぞれ２２ｎｍに設定されている。第２透光性導電層２３ｃは膜厚が４４ｎｍに設定されている。第１絶縁膜２３ｂおよび第２絶縁膜２３ｄは膜厚がそれぞれ５５ｎｍに設定されている。
第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａと第２透光性導電層２３ｃと第３透光性導電層２３ｅとが配置されている。つまり、積層体２３ｈの膜厚は８８ｎｍとなる。
【００８１】
（比較例１）
比較例１は、第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２とに亘ってＩＴＯ膜からなる第１透光性導電層２３ａが配置され、膜厚が１４０ｎｍに設定されている。
【００８２】
（比較例２）
比較例２は、第１領域Ｅ１に第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃ、第２絶縁膜２３ｄ、第３透光性導電層２３ｅが順に積層されている。第１透光性導電層２３ａおよび第３透光性導電層２３ｅはＩＴＯ膜からなり、膜厚はそれぞれ４０ｎｍに設定されている。第２透光性導電層２３ｃはＩＴＯ膜からなり、膜厚が８０ｎｍに設定されている。第１絶縁膜２３ｂおよび第２絶縁膜２３ｄは酸化シリコン膜からなり、膜厚がそれぞれ５０ｎｍに設定されている。第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａが配置されている。つまり、比較例２は、実施例４に対して、第１領域Ｅ１における第１透光性導電層２３ａ、第２透光性導電層２３ｃ、第３透光性導電層２３ｅの膜厚をそれぞれ倍に設定し、第２領域Ｅ２に第１透光性導電層２３ａだけを配置したものである。
【００８３】
（比較例３）
比較例３は、比較例２に対して、ＩＴＯ膜からなる第１透光性導電層２３ａ、第２透光性導電層２３ｃ、第３透光性導電層２３ｅの膜厚をそれぞれ１４０ｎｍに設定したものである。第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａが配置されている。
【００８４】
実施例１〜３は、上記第１実施形態に対応させた実施例であり、実施例４〜６は上記第２実施形態に対応させた実施例である。比較例１は上記第１実施形態の実施例１〜３と対比させる比較例である。比較例２および比較例３は、上記第２実施形態の実施例４〜６と対比させる比較例である。
【００８５】
以下、実施例１〜実施例６、比較例１〜比較例３について、第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２における透過光の分光分布を光学的なシミュレーションによって求めた。また、図１１〜図１３に示す分光分布のグラフは、比較例１における赤の波長範囲（６００ｎｍ〜７００ｎｍ）における透過率のピークの値を「１」として指数化したものである。なお、透過光の分光分布を求める光学的なシミュレーションは、各実施例および比較例の膜厚構成に相当するサンプル（試作品）の分光特性を実際に測定して得られた結果と比較して、シミュレーション結果の妥当性が確認されている。
【００８６】
図１１に示すように、実施例１の第１領域Ｅ１を透過する光の分光分布は、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において透過率が９０％以上の数値を示し、５００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲で透過率が９９％以上の値で安定しており、ほぼフラットな状態となっている。一方で実施例１の第１領域Ｅ１における紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）では、急激に透過率が低下している。ちなみに３５０ｎｍでは、透過率が７５％を下回っている。これに対して、実施例１の第２領域Ｅ２を透過する光の分光分布は、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において第１領域Ｅ１よりも透過率が低下するものの、紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）では、透過率が８５％を上回っており、第１領域Ｅ１よりも高い透過率となっている。
【００８７】
実施例１に対して透光性導電層や絶縁膜の膜厚をそれぞれ１０％薄くした実施例２は、第１領域Ｅ１を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において、透過率が９５％以上の数値を示し、実施例１よりもさらにフラットな状態となっている。実施例２の第１領域Ｅ１における紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）では、実施例１と同様に急激に透過率が低下している。これに対して、実施例２の第２領域Ｅ２を透過する光の分光分布は、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において第１領域Ｅ１よりも透過率が低下するものの、紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）では、透過率が９０％を上回っており、第１領域Ｅ１よりも高い透過率となっている。
【００８８】
実施例１に対して透光性導電層や絶縁膜の膜厚をそれぞれ１０％厚くした実施例３は、第１領域Ｅ１を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において、透過率が実施例１よりもやや低下するものの８５％以上の数値を示し、５００ｎｍ〜７００ｎｍの波長範囲では透過率が９８％以上の数値を示しフラットな状態となっている。実施例３の第１領域Ｅ１における紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）では、実施例１と同様に急激に透過率が低下している。これに対して、実施例３の第２領域Ｅ２を透過する光の分光分布は、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において第１領域Ｅ１よりも透過率が低下するものの、紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）では、透過率が８５％を上回っており、第１領域Ｅ１よりも高い透過率となっている。
実施例３は実施例１に比べて、第１領域Ｅ１における４００ｎｍ〜４５０ｎｍの波長範囲の光の透過率が低下しているものの、液晶装置１００を後述する投射型表示装置における液晶ライトバルブとして用いる場合には、耐光性を考慮して紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）を含む例えば４３０ｎｍ未満の波長の光をカットして使用されるので、実用上は問題がないと言える。
【００８９】
一方、第１領域Ｅ１および第２領域Ｅ２に膜厚が１４０ｎｍの第１透光性導電層２３ａを配置した比較例１では、第１領域Ｅ１および第２領域Ｅ２を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において、透過率が８５％以上の数値を示してはいるものの、赤の波長範囲（６００ｎｍ〜７００ｎｍ）で実施例１〜３に比べてやや透過率が低下している。また、青の波長範囲（４００ｎｍ〜５００ｎｍ）において実施例１や実施例２に比べて透過率が低下している。つまり、比較例１は実施例１〜３に比べて分光分布が可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において大きく変動しており、ほぼフラットな状態とは言い難い。
【００９０】
上記第１実施形態の対向基板２０における積層体２３Ｆが適用された実施例１〜３によれば、第１透光性導電層２３ａおよび第２透光性導電層２３ｃの膜厚を２０ｎｍに設定し、第１絶縁膜２３ｂの膜厚を８０ｎｍに設定した上で、各膜厚の設定値に対して±１０％の範囲で積層体２３Ｆを形成すれば、第１領域Ｅ１の可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）における分光分布をほぼフラットな状態とすることができる。また、第２領域Ｅ２の紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）の透過率を８５％以上とすることができる。
【００９１】
図１２に示すように、実施例４および実施例４に対して積層体２３Ｇの各薄膜の膜厚を１０％薄くした実施例５は、第１領域Ｅ１を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において透過率が９８％以上の数値を示し、且つ安定してフラットな状態となっている。一方で上記分光分布における紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）では、やはり急激に透過率が低下している。これに対して、実施例４および実施例５の第２領域Ｅ２を透過する光の分光分布は、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において第１領域Ｅ１よりも透過率が低下するものの、紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）では、透過率が９０％を上回っており、実施例１〜３よりも高い透過率となっている。
【００９２】
また、実施例４に対して積層体２３Ｇの各薄膜の膜厚を１０％厚くした実施例６は、第１領域Ｅ１を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）における短波長側で透過率が実施例４や実施例５に比べてやや低下するものの、４３０ｎｍ〜７００ｎｍの波長範囲で９８％以上の値を示して安定しており、フラットな状態となっている。上記分光分布における紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）では、やはり急激に透過率が低下している。一方、実施例６の第２領域Ｅ２を透過する光の分光分布は、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において第１領域Ｅ１よりも透過率が低下するものの、紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）では、透過率が９０％を上回り、且つ実施例４や実施例５よりも高い透過率となっている。
したがって、実施例４〜６は、第１領域Ｅ１において４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長範囲で、比較例１は元より実施例１〜３よりも高い光の透過率が得られる。また、第２領域Ｅ２において３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満の紫外光波長領域で、比較例１は元より実施例１〜３よりも高い光の透過率が得られる。
【００９３】
図１３に示すように、実施例４に対して、第１透光性導電層２３ａ、第２透光性導電層２３ｃ、第３透光性導電層２３ｅの膜厚をそれぞれ倍にした比較例２では、第１領域Ｅ１の分光分布において可視光波長範囲のうち５５０ｎｍ〜７００ｎｍでは、透過率が９８％以上で安定しているものの、５５０ｎｍ未満の波長範囲では急激に透過率が低下している。比較例２の第２領域Ｅ２の分光分布では、紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）の透過率が８５％を下回る部分がある。
【００９４】
また、実施例４に対して、第１透光性導電層２３ａ、第２透光性導電層２３ｃ、第３透光性導電層２３ｅの膜厚をそれぞれ１４０ｎｍに設定した比較例３では、第１領域Ｅ１の分光分布において可視光波長範囲のうち青から緑の波長範囲（４００ｎｍ〜６００ｎｍ）では、９０％以上の透過率が得られるものの、赤の波長範囲（６００ｎｍ〜７００ｎｍ）では、実施例４よりも透過率が低下しており安定していない。比較例３の第２領域Ｅ２の分光分布では、紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）の透過率が８５％を下回っている。
すなわち、比較例２や比較例３は、実施例４よりも第１領域Ｅ１および第２領域Ｅ２における３５０ｎｍ〜７００ｎｍの透過光の透過率は低く、不安定な状態となっている。
【００９５】
上記第２実施形態の対向基板２０における積層体２３Ｇが適用された実施例４〜６によれば、第１透光性導電層２３ａおよび第３透光性導電層２３ｅの膜厚を２０ｎｍに設定し、第２透光性導電層２３ｃの膜厚を４０ｎｍに設定し、第１絶縁膜２３ｂおよび第２絶縁膜２３ｄの膜厚を５０ｎｍに設定した上で、それぞれの膜厚設定に対して±１０％の範囲で積層体２３Ｇおよび積層体２３ｈを形成すれば、第１領域Ｅ１の可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）における分光分布をフラットな状態とすることができる。また、第２領域Ｅ２の紫外光波長範囲（３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満）の透過率を９０％以上とすることができる。
【００９６】
（第３実施形態）
＜電子機器＞
図１４は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。図１４に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００９７】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００９８】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００９９】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１００】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１０１】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した第１実施形態または第２実施形態の液晶装置が適用されたものである。当該液晶装置は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１０２】
このような投射型表示装置１０００によれば、素子基板１０および対向基板２０の表示領域Ｅにおいて透過光の透過率が高い当該液晶装置を液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として用いているので、偏光照明装置１１００から発する光を有効に利用して明るい表示品位が実現されている。
【０１０３】
また、素子基板１０および対向基板２０の表示領域Ｅにおいて高い透過率が得られるということは、表示領域Ｅを透過する光の反射率が低下することを意味している。そうすると、反射した光が再び液晶層５０を透過する確率が減るので、当該液晶装置を液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として用いたときの耐光性寿命（例えば液晶層５０や配向膜１８，２４の光劣化）が改善される。
【０１０４】
なお、光源としての偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、青色光（Ｂ）の分光分布における光強度のピーク波長に対して、画素Ｐを透過する光の透過率のピーク波長がほぼ合致するように、当該液晶装置における第１電極１６ａ、第２電極１６ｃ、画素電極１５、第３層間絶縁膜１４の膜厚とその範囲をそれぞれ設定して用いることが好ましい。これによれば、光の利用効率をさらに高められる。なお、「ほぼ合致」とは、光源から発する色光の光強度のピーク波長に対して±５％以内の波長範囲に画素Ｐを透過する色光の透過率のピークが現れている状態を言う。
また例えば、青色光（Ｂ）の分光分布を４３０ｎｍよりも波長が短い紫外光をカットして４３０ｎｍ〜５００ｎｍとし、当該液晶装置の耐光性寿命をさらに改善する場合には、当該波長範囲（４３０ｎｍ〜５００ｎｍ）に透過率のピークが来るように、第１電極１６ａ、第２電極１６ｃ、画素電極１５、第３層間絶縁膜１４の膜厚とその範囲をそれぞれ設定する。
【０１０５】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置および当該液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１０６】
（変形例１）上記第１実施形態および上記第２実施形態の対向基板２０が適用される液晶装置における素子基板１０の構造は、これに限定されない。図１５は変形例の液晶装置における素子基板の構造を示す概略断面図である。詳しくは、図３に示したＢ−Ｂ’線に沿って切ったときの断面図である。例えば、図１５に示すように、素子基板１０の非開口領域において、データ線６ａの上層に誘電体層６０ｂを挟んだ一対の電極６０ａ，６０ｃからなる蓄積容量６０を設ける構成としてもよい。この場合、例えばＩＴＯ膜を用いて画素電極１５を形成し、その膜厚を１４０ｎｍまたは２０ｎｍとする。これにより、第１領域Ｅ１における可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）の透過光の分光分布は、図１１に示した比較例１の分光分布とほぼ同じ状態とすることができる。図９に示した素子基板１０の分光分布と比べれば可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）における透過率が低下するものの、本発明における対向基板２０の構成を適用することによって、前述した特許文献１の電気光学装置よりも表示領域Ｅにおける高い光の透過率を実現できる。また、第２領域Ｅ２における紫外光の高い透過率を得ることができる。
さらには、上記第１実施形態および上記第２実施形態の対向基板２０を適用可能な液晶装置は、透過型であることに限定されず、図１５における画素電極１５を例えばＡｌなどの光反射性を有する金属材料を用いて形成した反射型の液晶装置においても適用可能である。反射型の液晶装置における画素の光反射率（画素への入射光に対する画素からの反射光の強度の割り合い）を向上させることができる。
【０１０７】
（変形例２）上記第１実施形態および上記第２実施形態の対向基板２０の構成は、これに限定されない。例えば、第１領域Ｅ１における透光性導電層と絶縁膜との積層構造は、第１実施形態の３層構造や第２実施形態の５層構造に限定されず、さらに屈折率が異なる透光性導電層と絶縁膜とを積層させた多層構造としてもよい。
【０１０８】
（変形例３）上記第１実施形態および上記第２実施形態の液晶装置における配向膜１８，２４は、酸化シリコンからなる無機配向膜であることに限定されない。ポリイミド樹脂などからなる有機配向膜を用いても本発明を適用することができる。また、シール材４０が配置される第２領域Ｅ２において、配向膜１８，２４が配置されない構成としてもよい。特に有機配向膜を用いた場合、シール材４０の材料選択によっては第２領域Ｅ２に有機配向膜を設けないほうが被接着物に対する接着性や密着性に優れる場合がある。
【０１０９】
（変形例４）素子基板１０における蓄積容量１６の一対の透光性電極である第１電極１６ａおよび第２電極１６ｃ、ならびに画素電極１５は、透明導電膜としてＩＴＯ膜を用いることに限定されず、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）を用いてもよい。同様に、対向基板２０における第１透光性導電層２３ａ、第２透光性導電層２３ｃ、第３透光性導電層２３ｅもＩＴＯ膜を用いることに限定されず、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）を用いてもよい。また、すべての透光性導電層を同一の透明導電膜で形成することに限定されず、少なくとも１つの透光性導電層を異なる透明導電膜を用いて形成してもよい。
【０１１０】
（変形例５）対向基板２０の第１絶縁膜２３ｂおよび第２絶縁膜２３ｄは、酸化シリコン膜であることに限定されず、酸窒化シリコン膜であるとしてもよい。
【０１１１】
（変形例６）上記液晶装置におけるＴＦＴ３０の半導体層３０ａは、走査線３ａと重なるように配置されることに限定されない。例えば、データ線６ａと重ねる配置や半導体層３０ａを途中で折り曲げて、走査線３ａとデータ線６ａとに重ねるように配置したとしても、素子基板１０における蓄積容量１６、第３層間絶縁膜１４、画素電極１５の構成を適用することができる。
【０１１２】
（変形例７）本発明を適用可能な電気光学装置は、液晶装置に限定されない。例えば、素子基板１０の画素電極１５上に発光層を含む機能層を設け、素子基板１０と反対側に機能層から光を発するトップエミッション方式の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置にも適用することができる。具体的には、対向基板２０の対向電極２３を陰極とし、素子基板１０の機能層を覆うように対向基板２０を配置して、対向基板２０を封止基板として用いる構成が挙げられる。
【０１１３】
（変形例８）上記液晶装置１００が適用される電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。また、適用に際しては、透過型の上記実施形態の液晶装置を照明する光源の光の分光分布における少なくとも赤、緑、青の光強度のピーク波長に対して、画素Ｐを透過する光の透過率のピークが適合するように、第１電極１６ａ、第２電極１６ｃ、画素電極１５、第３層間絶縁膜１４の膜厚とその範囲をそれぞれ設定して用いることが好ましい。
【符号の説明】
【０１１４】
１０…第１基板としての素子基板、１５…画素電極、２０…第２基板としての対向基板、２３…対向電極、２３ａ…第１透光性導電層、２３ｂ…第１絶縁膜、２３ｃ…第２透光性導電層、２３ｄ…第２絶縁膜、２３ｅ…第３透光性導電層、２４…配向膜、５０…電気光学物質としての液晶層、１００…液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｅ…表示領域、Ｅ１…第１領域、Ｅ２…第２領域。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板との間に挟持された電気光学物質を有する電気光学装置であって、
前記第１基板は、複数の画素電極を有し、
前記第２基板は、第１透光性導電層と、
前記第１透光性導電層の前記複数の画素電極と対向する第１領域に配置された第２透光性導電層と、
前記第１透光性導電層と前記第２透光性導電層との間に配置された第１絶縁膜と、を有し、
前記第２基板の前記第１領域を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲でほぼフラットとなるように、前記第１透光性導電層、前記第１絶縁膜、前記第２透光性導電層の膜厚がそれぞれ設定されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１透光性導電層は、前記第１領域の外側に第２領域を有し、
前記第２領域を透過する紫外光の透過率が８５％以上となるように、前記第１透光性導電層の膜厚が設定されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
第１基板と第２基板との間に挟持された電気光学物質を有する電気光学装置であって、
前記第１基板は、複数の画素電極を有し、
前記第２基板は、第１透光性導電層と、
前記第１透光性導電層の前記複数の画素電極と対向する第１領域に配置された第２透光性導電層および第３透光性導電層と、
前記第１透光性導電層と前記第２透光性導電層との間に配置された第１絶縁膜と、
前記第２透光性導電層と前記第３透光性導電層との間に配置された第２絶縁膜と、を有し、
前記第２基板の前記第１領域を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲でほぼフラットとなるように、前記第１透光性導電層、前記第１絶縁膜、前記第２透光性導電層、前記第２絶縁膜、前記第３透光性導電層の膜厚がそれぞれ設定されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
前記第１透光性導電層は、前記第１領域の外側に第２領域を有し、
前記第２領域には、前記第１透光性導電層、前記第２透光性導電層、前記第３透光性導電層が順に積層されており、
前記第２基板の前記第２領域を透過する紫外光の透過率が８５％以上となるように、前記第１透光性導電層、前記第２透光性導電層、前記第３透光性導電層の膜厚がそれぞれ設定されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
第１基板と第２基板との間に挟持された電気光学物質を有する電気光学装置であって、
前記第１基板は、複数の画素電極を有し、
前記第２基板は、第１透光性導電層と、
前記第１透光性導電層の前記複数の画素電極と対向する第１領域に配置された第２透光性導電層と、
前記第１透光性導電層と前記第２透光性導電層との間に配置された第１絶縁膜と、を有し、
前記第２基板の前記第１領域を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲でほぼフラットとなるように、前記第１透光性導電層、前記第１絶縁膜、前記第２透光性導電層の膜厚がそれぞれ設定されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１透光性導電層は、前記第１領域の外側に第２領域を有し、
前記第２領域を透過する紫外光の透過率が８５％以上となるように、前記第１透光性導電層の膜厚が設定されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
第１基板と第２基板との間に挟持された電気光学物質を有する電気光学装置であって、
前記第１基板は、複数の画素電極を有し、
前記第２基板は、第１透光性導電層と、
前記第１透光性導電層の前記複数の画素電極と対向する第１領域に配置された第２透光性導電層および第３透光性導電層と、
前記第１透光性導電層と前記第２透光性導電層との間に配置された第１絶縁膜と、
前記第２透光性導電層と前記第３透光性導電層との間に配置された第２絶縁膜と、を有し、
前記第２基板の前記第１領域を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲でほぼフラットとなるように、前記第１透光性導電層、前記第１絶縁膜、前記第２透光性導電層、前記第２絶縁膜、前記第３透光性導電層の膜厚がそれぞれ設定されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
前記第１透光性導電層は、前記第１領域の外側に第２領域を有し、
前記第２領域には、前記第１透光性導電層、前記第２透光性導電層、前記第３透光性導電層が順に積層されており、
前記第２基板の前記第２領域を透過する紫外光の透過率が８５％以上となるように、前記第１透光性導電層、前記第２透光性導電層、前記第３透光性導電層の膜厚がそれぞれ設定されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１３−２５１３９（Ｐ２０１３−２５１３９Ａ）
【公開日】平成２５年２月４日（２０１３．２．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１６０７１９（Ｐ２０１１−１６０７１９）
【出願日】平成２３年７月２２日（２０１１．７．２２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月４日（２０１３．２．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月２２日（２０１１．７．２２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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