半導体装置
【課題】金属酸化物中の酸素欠損を低減し、電気的特性の安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第１の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第１の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化物半導体を用いた半導体装置に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。本明細書中のトランジスタは半導体装置であり、該トランジスタを含む電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置に含まれる。
【背景技術】
【０００３】
液晶表示装置や発光表示装置に代表されるフラットパネルディスプレイの多くに用いられているトランジスタは、ガラス基板上に形成されたアモルファスシリコン、単結晶シリコンまたは多結晶シリコンなどのシリコン半導体によって構成されている。また、該シリコン半導体を用いたトランジスタは、集積回路（ＩＣ）などにも利用されている。
【０００４】
上記シリコン半導体に代わって、半導体特性を示す金属酸化物をトランジスタに用いる技術が注目されている。なお、本明細書中では、半導体特性を示す金属酸化物を「酸化物半導体」とも呼ぶ。例えば、酸化物半導体として、Ｚｎ−Ｏ系酸化物、又はＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物を用いてトランジスタを作製し、該トランジスタを表示装置の画素のスイッチング素子などに用いる技術が開示されている（特許文献１および特許文献２を参照。）。
【０００５】
ところで、酸化物半導体においては、水素がキャリアの供給源となることが指摘されている。そのため、酸化物半導体の形成時に水素が混入しないような措置を講じることが求められる。また、酸化物半導体のみならず、酸化物半導体に接するゲート絶縁膜の水素を低減することで、しきい値電圧の変動を低減している（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１２３８６１号公報
【特許文献２】特開２００７−９６０５５号公報
【特許文献３】特開２００９−２２４４７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
さらに、金属酸化物において、キャリアの供給源は水素のほかに、金属酸化物中の酸素欠損が挙げられる。金属酸化物における酸素欠損の一部はドナーとなり、金属酸化物中にキャリアである電子を生成する。トランジスタのチャネル形成領域を含む金属酸化物に酸素欠損が多く存在すると、チャネル形成領域中に電子を生じさせてしまい、トランジスタのしきい値電圧をマイナス方向に変動させる要因となる。
【０００８】
また、チャネル形成領域を含む金属酸化物膜と接して設けられている絶縁膜によっても、トランジスタのしきい値電圧は左右される。例えば、不結合酸素の酸素イオンなどの負の固定電荷が絶縁膜中に含まれることにより、トランジスタのしきい値電圧をプラスシフトさせることができる。しかし、該絶縁膜から酸素が脱離して外部に放出されてしまうと、負の固定電荷が減少してしまい、トランジスタのしきい値電圧がマイナス方向に変動してしまうおそれがある。
【０００９】
そこで、本発明の一態様は、チャネル形成領域を含む金属酸化物中の酸素欠損を低減し、また、該金属酸化物と接する絶縁膜に含まれる酸素が外部へ放出されることを防ぐことによって、良好な電気的特性および電気的特性の安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
金属酸化物を用いたトランジスタにおいて、金属酸化物中の酸素欠損を低減するために、金属酸化物中に酸素を供給することが挙げられる。そこで、本発明の一態様では、チャネル形成領域を含む金属酸化物膜に接して、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜を設けることとした。これにより、熱処理時に脱離した酸素が金属酸化物中に供給され、酸素欠損を低減することができる。
【００１１】
また、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜（第１の絶縁膜とも記す）は、熱処理時に脱離した酸素が外方拡散するため、金属酸化物に酸素を十分に供給することができない場合もある。そこで、本発明の一態様では、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜に接して、チャネル形成領域を含む金属酸化物膜（第１の金属酸化物膜とも記す）とは別の金属酸化物膜（第２の金属酸化物膜とも記す）を設けることとした。第２の金属酸化物膜は、酸素の透過を防止することができるため、第２の金属酸化物膜を設けることによって、熱処理時に脱離した酸素が外方拡散することを防止することができる。そのため、第１の金属酸化物膜へ酸素を十分に供給することができ、さらに絶縁膜中に含まれる酸素が、外部へ脱離することを防ぐことができる。
【００１２】
また、酸素の透過を防止するための第２の金属酸化物膜に酸素欠損が生じている場合もある。しかし、本発明の一態様では、第２の金属酸化物膜を、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜（第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜）により挟んで設けることとしているため、十分に第２の金属酸化物膜の酸素欠損を補償することができる。
【００１３】
本発明の一態様は、ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第１の絶縁膜、第２の金属酸化物膜、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。
【００１４】
本発明の他の一態様は、ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、ゲート絶縁膜は、第２の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第１の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。
【００１５】
上記各構成において、第１の絶縁膜は、第２の絶縁膜より厚い半導体装置である。
【００１６】
本発明の他の一態様において、半導体装置は、下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、第１の金属酸化物膜、ソース電極、及びドレイン電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して第１の金属酸化物膜上に設けられたゲート電極と、を有し、下地絶縁膜は、第１の絶縁膜、第２の金属酸化物膜、第２の絶縁膜とが順に積層されている。
【００１７】
本発明の他の一態様において、半導体装置は、下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、第１の金属酸化物膜、ソース電極、及びドレイン電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して第１の金属酸化物膜上に設けられたゲート電極と、を有し、ゲート絶縁膜は、第２の絶縁膜、第２の金属酸化物膜、第１の絶縁膜とが順に積層されている。
【００１８】
上記各構成において、第１の絶縁膜は、第２の絶縁膜より薄いことが好ましい。
【００１９】
また、上記各構成において、第１の金属酸化物膜は、第２の金属酸化物膜より厚い半導体装置である。なお、金属酸化物膜は、５ｎｍ程度あれば酸素の透過を防止することができる。また、金属酸化物膜は比誘電率が高いため、チャネル形成領域を含む金属酸化物膜以外に金属酸化物膜を用いる場合、膜厚が厚すぎると寄生容量が増加してしまうおそれがある。したがって、第２の金属酸化物膜の膜厚は、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２０】
上記各構成において、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜を用いることが好ましい。
【００２１】
上記各構成において、第１の金属酸化物膜及び第２の金属酸化物膜は、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた二種以上の元素を含んでいることが好ましい。また、上記各構成において、第１の金属酸化物膜に含まれる元素と、第２の金属酸化物膜に含まれる元素とが同じであってもよいし、異なっていてもよい。例えば、第１の金属酸化物膜及び第２の金属酸化物膜として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いてもよいし、第１の金属酸化物膜として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用い、第２の金属酸化物膜として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ−Ｎ系の材料を用いてもよい。
【００２２】
また、金属酸化物膜は、水素や酸素欠損の量に応じて、導体であったり、半導体であったり、絶縁体であったりする。例えば、金属酸化物膜の抵抗率は、金属酸化物膜に含まれる水素や酸素欠損の量によって変化する。
【００２３】
金属酸化物膜を挟む絶縁膜の両方に、熱処理により酸素が脱離しない絶縁膜を用いて、熱処理を行うと、金属酸化物膜は電気的に導体となる。また、金属酸化物膜を挟む絶縁膜の両方に、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜を用いて、熱処理を行うと、金属酸化物膜は電気的に絶縁体となる。金属酸化物膜の抵抗率で示すと、抵抗率が１０［Ω・ｃｍ］以下では導体となり、抵抗率が１×１０８［Ω・ｃｍ］以上だと絶縁体となる。
【００２４】
また、第１の金属酸化物膜を半導体とするためには、導体となる抵抗率と絶縁体となる抵抗率の間の値をとればよいため、第１の金属酸化物膜は、抵抗率が、１０［Ω・ｃｍ］を超えて１×１０８［Ω・ｃｍ］未満となるように形成すればよい。
【００２５】
なお、第１の金属酸化物膜及び第２の金属酸化物膜は、非晶質であってもよく、結晶性を有していてもよい。例えば、第１の金属酸化物膜は、非単結晶であり、詳細には、該非単結晶のａｂ面に垂直な方向から見て、三角形、六角形、正三角形、又は正六角形の原子配列を有し、且つ、ｃ軸に垂直な方向から見て、金属原子が層状、又は金属原子と酸素原子が層状に配列した相を含む金属酸化物とすることが好ましい。なお、本明細書では、該金属酸化物膜をＣＡＡＣ−ＯＳ膜：Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒとよぶこととする。
【００２６】
第１の金属酸化物膜をＣＡＡＣ−ＯＳ膜とすることで、可視光または紫外光の照射、および熱やバイアスなどが加わることによるトランジスタの電気特性の変動を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の一態様により、金属酸化物中の酸素欠損を低減し、また、該金属酸化物と接する絶縁膜に含まれる酸素が外部へ放出されることを防ぐことによって、良好な電気的特性および電気的特性の安定した半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一態様に係る半導体装置の一例を示す上面図および断面図。
【図２】本発明の一態様に係る半導体装置を示す図。
【図３】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す図。
【図４】本発明の一態様に係る半導体装置の一例を示す上面図および断面図。
【図５】本発明の一態様に係る半導体装置を示す図。
【図６】本発明の一態様に係る半導体装置の一例を示す断面図および回路図。
【図７】本発明の一態様に係る半導体装置の回路図。
【図８】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す図。
【図９】電子機器を示す図。
【図１０】耐圧測定の結果を示す図。
【図１１】耐圧測定の結果を示す図。
【図１２】耐圧測定の結果を示す図。
【図１３】Ｃ−Ｖ測定の結果を示す図。
【図１４】Ｃ−Ｖ測定の結果を示す図。
【図１５】Ｃ−Ｖ測定の結果を示す図。
【図１６】ＴＤＳの結果を示す図。
【図１７】実施例３に係る試料の構造を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には、同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３０】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、膜の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
【００３１】
また、本明細書等にて用いる第１、第２、第３などの用語は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」または「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。
【００３２】
「ソース」や「ドレイン」の機能は、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等においては、「ソース」や「ドレイン」の用語は、入れ替えて用いることができるものとする。
【００３３】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置、及びその作製方法について、図１乃至図３を用いて説明する。
【００３４】
〈半導体装置の構成例〉
図１に、本発明の一態様に係る半導体装置の一例として、トランジスタ２００の平面図及び断面図を示す。ここで、図１（Ａ）は平面図であり、図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）はそれぞれ図１（Ａ）におけるＡ１−Ａ２断面、Ｂ１−Ｂ２断面に係る断面図である。なお、図１（Ａ）では、煩雑になることを避けるため、トランジスタ２００の構成要素の一部（例えば、ゲート絶縁膜１０４など）を省略している。
【００３５】
図１に示すトランジスタ２００は、基板１００上に、ゲート電極１０２と、ゲート電極１０２上に設けられたゲート絶縁膜１０４と、ゲート絶縁膜１０４上に設けられた金属酸化物膜１０６ａと、金属酸化物膜１０６ａに接して設けられたソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂと、を有する。なお、金属酸化物膜１０６ａは、半導体特性を示すため、酸化物半導体とも記す。
【００３６】
また、図１に示すトランジスタ２００はボトムゲート構造のトランジスタであり、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂは、金属酸化物膜１０６ａの上面に接するトップコンタクト構造である。なお、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂは、金属酸化物膜１０６ａの下面に接するボトムコンタクト構造であってもよい。
【００３７】
金属酸化物膜１０６ａとゲート電極１０２とが重畳する領域は、チャネル形成領域として機能する。
【００３８】
金属酸化物膜１０６ａは、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた二種以上の元素を含む金属酸化物である。なお、該金属酸化物は、バンドギャップが２ｅＶ以上６ｅＶ未満、好ましくは２．５ｅＶ以上５．５ｅＶ以下、より好ましくは３ｅＶ以上５ｅＶ以下とするとよい。このように、バンドギャップの広い金属酸化物を用いることで、トランジスタ２００のオフ電流を低減することができる。
【００３９】
また、金属酸化物膜１０６ａ、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂ上には、パッシベーション膜１１０が設けられている。パッシベーション膜１１０は、金属酸化物膜１０６ａと接するように設けられている。図１に示すトランジスタ２００において、パッシベーション膜１１０は、絶縁膜１１２、金属酸化物膜１１４、及び絶縁膜１１６を有する。ここで、絶縁膜１１２及び絶縁膜１１６は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜が用いられている。
【００４０】
本明細書等において、「熱処理により酸素が脱離する」とは、ＴＤＳ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：昇温脱離ガス分光法）分析にて、酸素原子に換算した酸素の脱離量（又は放出量）が１．０×１０１８ｃｍ−３以上、好ましくは３．０×１０２０ｃｍ−３以上であることをいう。また、「熱処理により酸素が脱離しない」とは、ＴＤＳ分析にて、酸素原子に換算した酸素の脱離量（又は放出量）が１．０×１０１８ｃｍ−３未満であることをいう。
【００４１】
以下、酸素の放出量をＴＤＳ分析で酸素原子に換算して定量する方法について説明する。
【００４２】
ＴＤＳ分析したときの気体の脱離量は、イオン強度の積分値に比例する。このため、測定したイオン強度の積分値と、標準試料の基準値との比とにより、気体の脱離量を計算することができる。標準試料の基準値とは、所定の密度の原子を含む試料において、当該原子に相当するイオン強度の積分値に対する原子の密度の割合である。
【００４３】
例えば、標準試料である所定の密度の水素を含むシリコンウェハのＴＤＳ分析結果、および絶縁膜のＴＤＳ分析結果から、絶縁膜の酸素分子の脱離量（ＮＯ２）は、数式１で求めることができる。ここで、ＴＤＳ分析で得られる質量数３２で検出されるガスの全てが酸素分子由来と仮定する。質量数３２のものとしてＣＨ３ＯＨがあるが、存在する可能性が低いものとしてここでは考慮しない。また、酸素原子の同位体である質量数１７の酸素原子及び質量数１８の酸素原子を含む酸素分子についても、自然界における存在比率が極微量であるため考慮しない。
【００４４】
ＮＯ２＝ＮＨ２／ＳＨ２×ＳＯ２×α （数式１）
【００４５】
ＮＨ２は、標準試料から脱離した水素分子を密度で換算した値である。ＳＨ２は、標準試料をＴＤＳ分析したときのイオン強度の積分値である。ここで、標準試料の基準値を、ＮＨ２／ＳＨ２とする。ＳＯ２は、絶縁膜をＴＤＳ分析したときのイオン強度の積分値である。αは、ＴＤＳ分析におけるイオン強度に影響する係数である。数式１の詳細に関しては、特開平６−２７５６９７公報を参照できる。なお、上記した酸素の脱離量の数値は、電子科学株式会社製の昇温脱離分析装置ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓ／Ｗを用い、標準試料として１×１０１６ｃｍ−３の水素原子を含むシリコンウェハを用いて測定した数値である。
【００４６】
また、ＴＤＳ分析において、酸素の一部は酸素原子として検出される。酸素分子と酸素原子の比率は、酸素分子のイオン化率から算出することができる。なお、上述のαは酸素分子のイオン化率を含むため、酸素分子の脱離量を評価することで、酸素原子の脱離量についても見積もることができる。
【００４７】
なお、ＮＯ２は酸素分子の脱離量である。絶縁膜においては、酸素原子に換算したときの酸素の脱離量は、酸素分子の脱離量の２倍となる。
【００４８】
熱処理により酸素が脱離する膜の一例として、酸素が過剰な酸化シリコン（ＳｉＯｘ（ｘ＞２））がある。酸素が過剰な酸化シリコン（ＳｉＯｘ（ｘ＞２））とは、シリコン原子数の２倍より多い酸素原子を単位体積当たりに含むものである。単位体積当たりのシリコン原子数および酸素原子数は、ラザフォード後方散乱法により測定した値である。
【００４９】
金属酸化物膜１０６ａは、ゲート絶縁膜１０４と絶縁膜１１２との間に設けられている。絶縁膜１１２は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜が用いられ、ゲート絶縁膜１０４は、熱処理により酸素が脱離しない絶縁膜が用いられている。熱処理を行うことより絶縁膜１１２から、酸素が脱離し、金属酸化物膜１０６ａに供給される。
【００５０】
また、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜には、不結合酸素の酸素イオンのような負の固定電荷が多く含まれている。チャネル形成領域を含む金属酸化物膜に接して、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜を設けることにより、トランジスタのしきい値電圧をプラスシフトさせることができるため好ましい。
【００５１】
しかしながら、熱処理時に、絶縁膜から脱離する酸素は、外方拡散するため、金属酸化物膜１０６ａに酸素を十分に供給することができない場合もある。さらに、酸素が外方拡散することによって、絶縁膜中の負の固定電荷が減少してしまう。負の固定電荷が減少してしまうことに伴い、トランジスタのしきい値電圧がマイナスシフトするおそれがある。
【００５２】
そこで、本発明の一態様では、絶縁膜１１２上に接して、金属酸化物膜１０６ａとは別の金属酸化物膜１１４を設けることとする。金属酸化物膜は、酸素の透過を防止することができるため、熱処理時に絶縁膜１１２に含まれる酸素が脱離し、外方拡散されてしまうことを防止することができる。
【００５３】
また、金属酸化物膜１１４に酸素欠損が生じている場合もある。本発明の一態様では、金属酸化物膜１１４を、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜（絶縁膜１１２及び絶縁膜１１６）により挟んで設けることとする。
【００５４】
金属酸化物膜は、膜厚が５ｎｍ程度の極薄膜であっても、酸素の透過を防止することができる。また、金属酸化物膜は、比誘電率が高い（例えば、１５）ため、チャネル形成領域を含む金属酸化物膜以外に金属酸化物膜を用いる場合、膜厚が１５ｎｍを超えてしまうと寄生容量が増加してしまうおそれがある。したがって、金属酸化物膜１１４の膜厚は、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが好ましい。また、金属酸化物膜１１４を上記のように極薄膜とすることで、パッシベーション膜の一部に金属酸化物膜１１４が用いられない場合と比較しても寄生容量の顕著な増加を防止することができる。
【００５５】
酸素の外方拡散を防止するために設ける金属酸化物膜１１４が、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜１１２及び絶縁膜１１６によって挟まれることにより、熱処理時に、絶縁膜１１２及び絶縁膜１１６から酸素が脱離し、金属酸化物膜１１４に供給され、酸素欠損が補償されることによって絶縁化する（絶縁性を示す）。これにより、金属酸化物膜１１４がパッシベーション膜１１０の一部として用いられる場合であっても、トランジスタ２００の電気的特性に影響を与えなくて済む。
【００５６】
また、金属酸化物膜１０６ａに効率よく酸素を供給するためには、金属酸化物膜１０６ａと接する絶縁膜１１２の膜厚は、金属酸化物膜１１４に接する絶縁膜１１６の膜厚より厚いことが好ましい。絶縁膜１１２及び絶縁膜１１６の膜厚は、パッシベーション膜１１０の膜厚により適宜設定すればよい。
【００５７】
絶縁膜１１２として、熱処理により酸素が脱離する膜を用いることで、絶縁膜１１２から金属酸化物膜１０６ａに酸素を供給し、絶縁膜１１２と金属酸化物膜１０６ａとの界面準位を低減できる。従って、トランジスタ２００の動作に起因して生じうる電荷などが、絶縁膜１１２と金属酸化物膜１０６ａとの界面に捕獲されることを抑制でき、トランジスタ２００を電気特性の劣化の少ないトランジスタとすることができる。
【００５８】
また、絶縁膜１１２に接して金属酸化物膜１１４を設けることにより、酸素の外方拡散を防止することができるため、チャネル形成領域を含む金属酸化物膜１０６ａの酸素欠損を十分に補償することができる。これにより、トランジスタのしきい値電圧がマイナスシフトすることを抑制することができる。また、絶縁膜１１２中の負の固定電荷が減少することを防止することができる。これにより、負の固定電荷の減少に伴いトランジスタのしきい値電圧がマイナスシフトすることを抑制することができる。
【００５９】
また、金属酸化物膜１０６ａおよび金属酸化物膜１１４の水素濃度は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。金属酸化物膜１０６ａからなるチャネル形成領域において、水素濃度が低減されていることにより、光照射の前後およびＢＴ（熱・バイアス）ストレス試験前後において、しきい値電圧の変動が小さいことから安定した電気特性を有し、信頼性の高いトランジスタとすることができる。また、半導体ではなく、絶縁体として用いる金属酸化物膜１１４の水素濃度は、より低い濃度であることが好ましい。
【００６０】
金属酸化物膜１１４は、金属酸化物膜１０６ａと同様に、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた二種以上の元素を含む金属酸化物である。ここで、金属酸化物膜１１４に含まれる元素と、金属酸化物膜１０６ａに含まれる元素とが同じであってもよいし、異なっていてもよい。例えば、金属酸化物膜１０６ａ及び金属酸化物膜１１４として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いてもよいし、金属酸化物膜１０６ａとして、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用い、金属酸化物膜１１４として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ−Ｎ系の材料を用いてもよい。
【００６１】
〈半導体装置の応用例〉
図２（Ａ）乃至図２（Ｃ）に、トランジスタ２００とは異なる構成のトランジスタの断面構造を示す。
【００６２】
図２（Ａ）に示すトランジスタ２１０は、基板１００上に、ゲート電極１０２、ゲート電極１０２上に設けられたゲート絶縁膜１２０と、ゲート絶縁膜１２０上に設けられた金属酸化物膜１０６ａと、金属酸化物膜１０６ａに接して設けられたソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂと、を有する。
【００６３】
トランジスタ２００と、トランジスタ２１０との相違は、ゲート絶縁膜１２０の一部に、酸素の外方拡散を防止するための金属酸化物膜が設けられている点にある。つまり、ゲート絶縁膜１２０は、絶縁膜１２２、金属酸化物膜１２４、及び絶縁膜１２６の３層構造である。また、金属酸化物膜１０６ａ、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂ上には、パッシベーション膜として、絶縁膜１１８が設けられている。ここで、絶縁膜１２２、絶縁膜１２６は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜が用いられている。また、絶縁膜１１８は、熱処理により酸素が脱離しない絶縁膜が用いられている。
【００６４】
また、金属酸化物膜１０６ａに効率よく酸素を供給するためには、金属酸化物膜１０６ａと接する絶縁膜１２２は、金属酸化物膜１２４と接する絶縁膜１２６より厚いことが好ましい。絶縁膜１２２及び絶縁膜１２６の膜厚は、ゲート絶縁膜１２０の膜厚により適宜設定すればよい。また、金属酸化物膜１２４も、少なくとも５ｎｍ以上あれば、酸素が透過することを防止することができるため、ゲート絶縁膜１２０の膜厚に応じて適宜設定すればよい。
【００６５】
図２（Ｂ）に示すトランジスタ２２０は、基板１００上に、ゲート電極１０２、ゲート電極１０２上に設けられたゲート絶縁膜１２０と、ゲート絶縁膜１２０上に設けられた金属酸化物膜１０６ａと、金属酸化物膜１０６ａに接して設けられたソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂと、を有する。また、金属酸化物膜１０６ａ、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂ上には、パッシベーション膜１１０が設けられている。
【００６６】
トランジスタ２２０において、ゲート絶縁膜１２０及びパッシベーション膜１１０については、トランジスタ２００及びトランジスタ２１０の記載を参酌することができるため、詳細な説明は省略する。
【００６７】
また、トランジスタ２００、トランジスタ２１０、及びトランジスタ２２０において、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂが、金属酸化物膜１０６ａの上面に接するトップコンタクト構造について説明した。本発明の一態様に係るトランジスタでは、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂが、金属酸化物膜１０６ａの下面に接するボトムコンタクト構造も採用することができる。ボトムコンタクト構造の一例を図２（Ｃ）に示す。
【００６８】
図２（Ｃ）に示すトランジスタ２３０は、基板１００上に、ゲート電極１０２と、ゲート電極１０２上に設けられたゲート絶縁膜１０４と、ゲート絶縁膜１０４上に設けられたソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂと、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂに接して設けられた金属酸化物膜１０６ａと、を有する。また、金属酸化物膜１０６ａ上には、トランジスタ２００と同様にパッシベーション膜１１０が設けられている。
【００６９】
パッシベーション膜１１０は、金属酸化物膜１０６ａの全体を覆うように設けられているため、金属酸化物膜１０６ａに効率よく酸素を供給することができる。
【００７０】
なお、ボトムコンタクト構造のトランジスタにおいても、ゲート絶縁膜の一部に酸素の外方拡散を防止するための金属酸化物膜を設けてもよいし、ゲート絶縁膜の一部及びパッシベーション膜の一部に酸素の外方拡散を防止するための金属酸化物膜を設けてもよい。
【００７１】
以上説明したように、本発明の一態様では、チャネル形成領域を含む金属酸化物膜（第１の金属酸化物膜）の酸素欠損を低減するために、第１の金属酸化物膜に接して熱処理により酸素が脱離する絶縁膜（第１の絶縁膜）を設けている。また、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜（第１の絶縁膜）に接して、第１の金属酸化物膜とは別の金属酸化物膜（第２の金属酸化物膜）を設けている。さらに、第２の金属酸化物膜を、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜（第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜）に挟んで設けている。
【００７２】
加熱により酸素が脱離する絶縁膜１１２（または絶縁膜１２２）を、金属酸化物膜１０６ａと金属酸化物膜１１４（または金属酸化物膜１２４）とで挟んで設けることにより、熱処理時に絶縁膜１１２（または絶縁膜１２２）から脱離した酸素が外部へ放出されることを防ぐことができ、金属酸化物膜１０６ａの酸素欠損を十分に補償することができる。また、絶縁膜１１２（または絶縁膜１２２）に含まれる負の固定電荷が減少することを防止することができる。つまり、本発明の一態様により、金属酸化物膜１０６ａ中の酸素欠損を低減し、また、金属酸化物膜１０６ａと接する絶縁膜１１２（または絶縁膜１２２）に含まれる酸素が外部へ放出されることを防ぐことによって、良好な電気的特性および電気的特性の安定した半導体装置を提供することができる。
【００７３】
〈半導体装置の作製方法〉
次に、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法の一例として、トランジスタ２００の作製方法について、図３を参照して説明する。
【００７４】
まず、基板１００上にゲート電極に適用できる導電膜を成膜した後、フォトリソグラフィ工程により、該導電膜上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて導電膜を所望の形状にエッチングし、ゲート電極１０２を形成する。その後、ゲート電極１０２上にゲート絶縁膜１０４を成膜する（図３（Ａ）参照）。
【００７５】
基板１００として、絶縁表面を有する基板を用いることができる。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などの基板を用いることができる。また、絶縁表面を有していれば、シリコンや炭化シリコンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基板、ＳＯＩ基板などを適用することも可能であり、これらの基板に半導体素子が設けられていてもよい。基板１００に使用することができる基板に大きな制限はないが、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。本実施の形態では、基板１００として、ガラス基板を用いる。
【００７６】
また、基板１００として、可撓性基板を用いることもできる。基板１００として可撓性基板を用いる場合、可撓性基板上にトランジスタを直接作製してもよいし、他の作製基板にトランジスタ２００を作製し、その後、剥離、転置してもよい。なお、作製基板から可撓性基板に剥離、転置するために、作製基板上に剥離層及び絶縁膜を設け、その上にトランジスタ２００を作製すればよい。
【００７７】
ゲート電極１０２に適用できる導電材料として、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンからなる単体金属、またはこれを主成分とする合金を用いることができる。また、ゲート電極１０２に適用できる導電膜は、上述の導電材料を用いて、単層構造または積層構造として形成する。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、タングステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上に重ねてアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造などがある。なお、酸化インジウム、及び酸化インジウムに酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。
【００７８】
ゲート電極１０２に適用できる導電膜は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法等により、膜厚５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下として形成する。その後、フォトリソグラフィ工程により、導電膜上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、導電膜を所望の形状にエッチングすることにより、ゲート電極１０２を形成する。なお、レジストマスクとして、フォトリソグラフィ工程の他にインクジェット法、印刷法等を適宜用いることができる。また、エッチング工程として、ドライエッチング、ウェットエッチング、またはドライエッチング及びウェットエッチングを組み合わせて行うことができる。本実施の形態では、導電膜として、スパッタリング法により、膜厚１５０ｎｍでタングステンを形成する。
【００７９】
ゲート絶縁膜１０４として、酸化シリコン、酸化ガリウム、もしくは酸化アルミニウムなどの酸化物絶縁膜、または窒化シリコン、もしくは窒化アルミニウムなどの窒化物絶縁膜、または酸化窒化シリコン、酸化窒化アルミニウム、もしくは窒化酸化シリコンなどから選ばれる絶縁膜を用いることができる。上述の材料に加えて、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙｘ＞０、ｙ＞０））、窒素が添加されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯｘＮｙ（ｘ＞０、ｙ＞０））、ハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌｘＯｙ（ｘ＞０、ｙ＞０））、などのｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることができる。なお、ゲート絶縁膜１０４は、該ｈｉｇｈ−ｋ材料を単層構造で形成してもよいし、上記の材料からなる絶縁膜との積層構造で形成してもよい。
【００８０】
ゲート絶縁膜１０４は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法等により、膜厚５ｎｍ以上３００ｎｍ以下として成膜する。ゲート絶縁膜１０４として、上述のｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることにより、電気的な（例えば、酸化シリコン膜換算の）ゲート絶縁膜の厚さを変えないまま、物理的なゲート絶縁膜を厚くすることができるため、ゲートリーク電流を低減できる。
【００８１】
本実施の形態では、ゲート絶縁膜１０４として、プラズマＣＶＤ法により、酸化窒化シリコン膜を成膜する。プラズマＣＶＤ法により成膜された酸化シリコン膜は、熱処理により酸素が脱離しない膜である。
【００８２】
次に、ゲート絶縁膜１０４上に金属酸化物膜１０６を成膜する（図３（Ｂ）参照）。
【００８３】
金属酸化物膜１０６の材料として、Ｉｎ、Ｇａ、ＺｎおよびＳｎから選ばれた二種以上を含む金属酸化物材料を用いることができる。例えば、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料や、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系の材料や、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｍｇ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系の材料や、Ｉｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｏ系の材料、Ｚｎ−Ｏ系の材料などを用いればよい。ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料とは、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）を有する酸化物、という意味であり、その組成比は特に問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の元素を含んでいてもよい。このとき、金属酸化物膜の化学量論比に対し、酸素を過剰にすることが好ましい。酸素を過剰にすることにより金属酸化物膜の酸素欠損に起因するキャリアの生成を抑制することができる。
【００８４】
金属酸化物膜１０６の材料として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いる場合、ターゲットの一例として、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ数比］の組成比を有するものがある。さらに、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するターゲット、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：４［ｍｏｌ数比］の組成比を有するターゲット、またはＩｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝２：１：８［ｍｏｌ数比］の組成比を有するターゲットを用いることもできる。
【００８５】
または、金属酸化物膜１０６の材料としてＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いる場合、原子数比で、Ｉｎ：Ｚｎ＝０．５以上５０以下：１、好ましくはＩｎ：Ｚｎ＝１以上２０以下：１、さらに好ましくはＩｎ：Ｚｎ＝３以上３０以下：２とする。Ｚｎの原子数比を前述の範囲とすることで、トランジスタ２００の電界効果移動度を向上させることができる。ここで、化合物の原子数比がＩｎ：Ｚｎ：Ｏ＝Ｘ：Ｙ：Ｚのとき、Ｚ＞１．５Ｘ＋Ｙとすると好ましい。
【００８６】
金属酸化物膜１０６として、化学式ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される材料を用いてもよい。ここで、Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、ＭｎおよびＣｏから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えば、Ｍとして、Ｇａ、ＧａおよびＡｌ、ＧａおよびＭｎまたはＧａおよびＣｏなどを用いてもよい。
【００８７】
金属酸化物膜１０６は、スパッタリング法、分子線エピタキシー法、原子層堆積法またはパルスレーザー蒸着法により成膜することができる。また、金属酸化物膜１０６の膜厚は、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下とする。なお、該金属酸化物膜は、成膜した直後は半導体である。
【００８８】
また、金属酸化物膜１０６は、非晶質であってもよく、結晶性を有していてもよい。例えば、金属酸化物膜１０６は、非単結晶であり、詳細には、該非単結晶のａｂ面に垂直な方向から見て、三角形、六角形、正三角形、又は正六角形の原子配列を有し、且つ、ｃ軸に垂直な方向から見て、金属原子が層状、又は金属原子と酸素原子が層状に配列した相を含む金属酸化物である。なお、本明細書では、該金属酸化物膜をＣＡＡＣ−ＯＳ膜と呼ぶ。また、トランジスタ２００のチャネル形成領域を含む膜として、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を用いることで、可視光または紫外光の照射、および熱やバイアスなどが加わることによるトランジスタ２００の電気特性の変動を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００８９】
金属酸化物膜１０６をＣＡＡＣ−ＯＳ膜とするには、例えば以下の２種類の方法がある。１つの方法は、金属酸化物膜１０６の成膜を、基板を加熱しながら行う方法であり、もう１つの方法は、金属酸化物膜１０６の成膜を２回に分け、１度目の成膜の後、２度目の成膜の後のそれぞれに熱処理を行う方法である。
【００９０】
基板を加熱しながら金属酸化物膜１０６の成膜を１回で行う場合には、基板温度は、例えば、１５０℃以上４５０℃以下、好ましくは基板温度が２５０℃以上３５０℃以下とする。なお、金属酸化物膜１０６の成膜時に、基板１００を加熱する温度を高くすることで、非晶質な部分に対して結晶部分の占める割合の多いＣＡＡＣ−ＯＳ膜とすることができる。
【００９１】
また、金属酸化物膜１０６の成膜を２回に分ける場合には、基板１００を基板温度１００℃以上４５０℃以下に保ちながら、ゲート絶縁膜１０４の上に１層目の金属酸化物膜を形成し、窒素、酸素、希ガス、または乾燥空気の雰囲気下で、５５０℃以上基板の歪み点未満の熱処理を行う。該熱処理によって、１層目の金属酸化物膜の表面を含む領域に結晶領域（板状結晶を含む）が形成される。そして、２層目の金属酸化物膜を１層目の金属酸化物膜よりも厚く形成する。その後、再び５５０℃以上基板の歪み点未満の熱処理を行い、表面を含む領域に、結晶領域（板状結晶を含む）が形成された１層目の金属酸化物膜を結晶成長の種として、上方に結晶成長させ、２層目の金属酸化物膜の全体を結晶化させる。なお、１層目の酸化物半導体膜は１ｎｍ以上１０ｎｍ以下で成膜することが好ましい。
【００９２】
スパッタリング法を用いて、金属酸化物膜１０６を成膜する際、できる限り金属酸化物膜１０６に含まれる水素濃度を低減させることが好ましい。水素濃度を低減させるには、スパッタリング装置の処理室内に供給する雰囲気ガスとして、水素、水、水酸基を含む化合物または水素化物などの不純物が除去された高純度の希ガス（代表的にはアルゴン）、酸素、および希ガスと酸素との混合ガスを適宜用いる。さらには、該処理室の排気は、水の排気能力の高いクライオポンプおよび水素の排気能力の高いスパッタイオンポンプを組み合わせて用いればよい。
【００９３】
上記のようにすることで、水素の混入が低減された金属酸化物膜１０６を成膜することができる。なお、上記スパッタリング装置を用いても、金属酸化物膜１０６には少なからず窒素を含んで形成される。例えば、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で測定される金属酸化物膜１０６の窒素濃度は、５×１０１８ｃｍ−３未満となる。
【００９４】
金属酸化物膜１０６を成膜する際または成膜後において、金属酸化物膜１０６の酸素欠損に起因して電荷が生じる場合がある。一般に金属酸化物膜における酸素欠損は、その酸素欠損の一部がドナーとなりキャリアである電子を生じる。つまり、トランジスタ２００においても、金属酸化物膜１０６の酸素欠損の一部はドナーとなり、キャリアである電子が生じることで、トランジスタ２００のしきい値電圧がマイナス方向に変動してしまう。そして、金属酸化物膜１０６において、該電子の生成は、金属酸化物膜１０６とゲート絶縁膜１０４との界面近傍で生じる酸素欠損において顕著である。
【００９５】
そこで、金属酸化物膜１０６を成膜後に、第１の熱処理を行う。
【００９６】
第１の熱処理は、金属酸化物膜から水素（水、水酸基を含む化合物）を放出させるために行う。つまり、第１の熱処理は金属酸化物膜１０６から、不安定なキャリア源である水素を脱離させることによって、トランジスタ２００のしきい値電圧がマイナス方向へ変動することを抑制させることができる。さらに、トランジスタ２００の信頼性を向上させることができる。
【００９７】
第１の熱処理の温度は、例えば、１５０℃以上基板歪み点温度未満、好ましくは２５０℃以上４５０℃以下、さらに好ましくは３００℃以上４５０℃以下とし、酸化性雰囲気または不活性雰囲気で行う。ここで、酸化性雰囲気は、酸素、オゾンまたは窒化酸素などの酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上含有する雰囲気をいう。また、不活性雰囲気は、前述の酸化性ガスが１０ｐｐｍ未満であり、その他、窒素または希ガスで充填された雰囲気をいう。処理時間は３分〜２４時間とする。２４時間を超える熱処理は生産性の低下を招くため好ましくない。
【００９８】
第１の熱処理に用いる加熱装置に特別な限定はなく、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を備えていてもよい。例えば、電気炉や、ＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置、ＧＲＴＡ（Ｇａｓ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置等のＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置を用いることができる。ＬＲＴＡ装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光（電磁波）の輻射により、被処理物を加熱する装置である。ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて熱処理を行う装置である。
【００９９】
次に、フォトリソグラフィ工程により金属酸化物膜１０６上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、金属酸化物膜１０６を所望の形状にエッチングし、島状の金属酸化物膜１０６ａを形成する（図３（Ｃ）参照）。なお、該レジストマスクは、フォトリソグラフィ工程の他にインクジェット法、印刷法等を適宜用いることができる。該エッチングは、金属酸化物膜１０６ａの端部がテーパ形状となるようにエッチングすることが好ましい。島状の金属酸化物膜１０６ａの端部をテーパ形状とすることで、本工程以降のトランジスタ２００の作製において、形成される膜の被覆性を向上させることができ、該膜の断切れを防止することができる。テーパ形状は、該レジストマスクを後退させつつエッチングすることで形成することができる。
【０１００】
エッチング工程は、ドライエッチングまたはウェットエッチングを用いればよく、これらを組み合わせて行ってもよい。ウェットエッチングに用いるエッチング液としては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液、アンモニア過水（３１重量％過酸化水素水：２８重量％アンモニア水：水＝５：２：２（体積比））などを用いることができる。また、ＩＴＯ−０７Ｎ（関東化学社製）を用いてもよい。
【０１０１】
ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素を含むガス（塩素系ガス、例えば塩素（Ｃｌ２）、三塩化硼素（ＢＣｌ３）、四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）など）が好ましい。また、フッ素を含むガス（フッ素系ガス、例えば四弗化炭素（ＣＦ４）、六弗化硫黄（ＳＦ６）、三弗化窒素（ＮＦ３）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）など）、臭化水素（ＨＢｒ）、酸素（Ｏ２）、これらのガスにヘリウム（Ｈｅ）やアルゴン（Ａｒ）などの希ガスを添加したガス、などを用いることができる。
【０１０２】
ドライエッチングとしては、平行平板型ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法や、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用いることができる。所望の形状に加工できるように、エッチング条件（コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度など）を適宜調節する。
【０１０３】
次に、金属酸化物膜１０６ａ上にソース電極及びドレイン電極に適用できる導電膜を成膜した後、フォトリソグラフィ工程により、該導電膜上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて導電膜を所望の形状にエッチングし、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂを形成する（図３（Ｄ）参照）。ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂに適用できる導電材料として、ゲート電極１０２に適用できる導電材料と同様の導電材料を用いることができる。
【０１０４】
本実施の形態では、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂとして、スパッタリング法により、膜厚５０ｎｍのチタン膜、膜厚１００ｎｍのアルミニウム膜、膜厚５０ｎｍのチタン膜を成膜した後、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより形成する。
【０１０５】
次に、金属酸化物膜１０６ａ、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂ上にパッシベーション膜１１０を成膜する（図３（Ｅ）参照）。本実施の形態では、パッシベーション膜１１０として、絶縁膜１１２、金属酸化物膜１１４、絶縁膜１１６を順に成膜する。
【０１０６】
絶縁膜１１２及び絶縁膜１１６は、酸化シリコン、酸化ガリウム、もしくは酸化アルミニウム、酸化窒化シリコン、酸化窒化アルミニウムなどから選ばれる絶縁膜を用いることができる。なお、絶縁膜１１２及び絶縁膜１１６の成膜方法は、ゲート絶縁膜１０４と同様の成膜方法を適用すればよい。
【０１０７】
金属酸化物膜１１４は、金属酸化物膜１０６と同様の材料及び成膜方法を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
【０１０８】
パッシベーション膜１１０の膜厚は、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすればよい。
【０１０９】
本実施の形態では、絶縁膜１１２として、スパッタリング法により、膜厚２００ｎｍで酸化シリコン膜を成膜し、金属酸化物膜１１４として、スパッタリング法により、膜厚５ｎｍで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を成膜し、絶縁膜１１６として、膜厚５０ｎｍでスパッタリング法により、酸化シリコン膜を成膜する。
【０１１０】
なお、スパッタリング法を用いて、絶縁膜１１２、絶縁膜１１６を成膜する場合、できる限り、絶縁膜１１２、絶縁膜１１６に含まれる水素濃度を低減することが好ましい。水素濃度を低減させるには、スパッタリング装置の処理室内に供給する雰囲気ガスとして、水素、水、水酸基を含む化合物などの不純物が除去された高純度の希ガス（代表的にはアルゴン）、酸素、および希ガスと酸素との混合ガスを適宜用いる。さらには、該処理室の排気は、水の排気能力の高いクライオポンプおよび水素の排気能力の高いスパッタイオンポンプを組み合わせて用いればよい。
【０１１１】
第１の熱処理の際、金属酸化物膜１０６ａから水素を放出させると共に、金属酸化物膜１０６ａの上面からは酸素が外部へ脱離してしまうおそれがある。これにより、金属酸化物膜１０６ａにおいて、酸素欠損が生じる場合がある。新たに生じた酸素欠損を補償するために、パッシベーション膜１１０を成膜した後に、第２の熱処理を行うことが好ましい。
【０１１２】
第２の熱処理の条件及び装置は、第１の熱処理の条件及び装置を適宜用いればよいため、詳細な説明は省略する。
【０１１３】
第２の熱処理を行うことにより、絶縁膜１１２から酸素が脱離し、金属酸化物膜１０６ａに供給される。また、絶縁膜１１２上には、酸素の外方拡散を防止するための金属酸化物膜１１４が設けられているため、第２の熱処理時に、絶縁膜１１２に含まれる酸素の外方拡散を防止することができ、効率的に金属酸化物膜１０６ａに酸素を供給することができる。また、金属酸化物膜１１４は、絶縁膜１１２及び絶縁膜１１６から酸素が供給されることにより、酸素欠損が補償されることにより抵抗が上がるため、絶縁体となる（絶縁性を示す）。これにより、金属酸化物膜１１４がパッシベーション膜１１０の一部として用いられる場合であっても、トランジスタ２００の電気的特性に影響を与えなくて済む。
【０１１４】
第１の熱処理及び第２の熱処理を行うことによって、金属酸化物膜１０６ａ及び金属酸化物膜１１４は膜中の水素濃度が低減され、高純度化された金属酸化物となる。また、金属酸化物膜１０６ａ及び金属酸化物膜１１４の水素濃度は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となる。また、半導体ではなく、絶縁体として用いる金属酸化物膜１１４の水素濃度は、より低い濃度であることが好ましい。なお、金属酸化物膜１０６ａ及び金属酸化物膜１１４中の水素濃度は、ＳＩＭＳ分析で測定されるものである。
【０１１５】
第１の熱処理及び第２の熱処理によって、水素濃度が十分に低減されて高純度化され、且つ十分な酸素が供給されて酸素欠損に起因するエネルギーギャップ中の欠陥準位が低減された金属酸化物膜１０６ａを用いることで、トランジスタ２００のオフ電流を低減させることができる。具体的には、室温（２５℃）でのオフ電流（ここでは、単位チャネル幅（１μｍ）あたりの値）は１００ｚＡ（１ｚＡ（ゼプトアンペア）は１×１０−２１Ａ）以下、望ましくは１０ｚＡ以下となる。
【０１１６】
また、リチウム（Ｌｉ）やナトリウム（Ｎａ）などのアルカリ金属は、金属酸化物膜１０６ａ及び金属酸化物膜１１４にとっては、不純物であるため含有量を少なくすることが好ましい。金属酸化物膜１０６ａ及び金属酸化物膜１１４に含まれるアルカリ金属の濃度は、２×１０１６ｃｍ−３以下、好ましくは、１×１０１５ｃｍ−３以下とすることが好ましい。さらに、アルカリ土類金属も不純物であるため含有量を少なくすることが好ましい。
【０１１７】
また、金属酸化物膜は、水素や酸素欠損の量に応じて、導体であったり、半導体であったり、絶縁体であったりする。例えば、金属酸化物膜の抵抗率は、金属酸化物膜に含まれる水素や酸素欠損の量によって変化する。
【０１１８】
金属酸化物膜を挟む絶縁膜の両方に、熱処理により酸素が脱離しない絶縁膜を用いて、熱処理（例えば、３５０℃）を行うと、金属酸化物膜の抵抗率は、１０［Ω・ｃｍ］以下となるため、金属酸化物膜は導体となる。また、金属酸化物膜を挟む絶縁膜の両方に、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜を用いて、熱処理（例えば、３５０℃）を行うと、抵抗率は１×１０８［Ω・ｃｍ］以上となるため、金属酸化物膜は絶縁体となる（絶縁性を示す）。したがって、金属酸化物膜１１４を絶縁体とするためには、抵抗率が、１×１０８［Ω・ｃｍ］以上となるように形成すればよい。
【０１１９】
また、金属酸化物膜１０６ａを半導体とするためには、導体となる抵抗率と絶縁体となる抵抗率の間の値をとればよいため、金属酸化物膜１０６ａは、抵抗率が、１０［Ω・ｃｍ］を超えて１×１０８［Ω・ｃｍ］未満となるように形成すればよい。
【０１２０】
以上の工程によって、トランジスタ２００を作製することができる（図３（Ｅ）参照）。
【０１２１】
チャネル形成領域を含む金属酸化物膜（酸化物半導体）に接して、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜を設け、絶縁膜に接して、酸素の外方拡散を防止するための金属酸化物膜を設けることにより、該絶縁膜から酸素の外方拡散を抑制し、チャネル形成領域を含む金属酸化物膜に効率よく酸素を供給することができる。これにより、チャネル形成領域を含む金属酸化物膜の酸素欠損を低減させることができるため、キャリアである電子の生成を抑制し、トランジスタのしきい値電圧がマイナス方向に変動することを抑制することができる。
【０１２２】
また、酸素の外方拡散を防止するための金属酸化物膜は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜で挟み、熱処理を行うことで、酸素の外方拡散を防止するための金属酸化物膜についても酸素欠損が低減し、絶縁化することが可能である。
【０１２３】
〈半導体装置の応用例の作製方法〉
図２（Ａ）に示すトランジスタ２１０を作製する場合は、以下の通りに作製すればよい。
【０１２４】
基板１００上にゲート電極１０２を形成した後、ゲート絶縁膜１２０を形成する。ゲート絶縁膜１２０は、絶縁膜１２６、金属酸化物膜１２４、絶縁膜１２２の順で成膜する。
【０１２５】
絶縁膜１２６及び絶縁膜１２２の材料及び成膜方法は、絶縁膜１１６及び絶縁膜１１２の材料及び成膜方法と同様である。また、金属酸化物膜１２４の材料及び成膜方法は、金属酸化物膜１１４と同様である。
【０１２６】
次に、ゲート絶縁膜１２０を成膜した後、第１の熱処理を行うことが好ましい。ここで、金属酸化物膜１２４は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜１２６及び絶縁膜１２２に挟まれているため、金属酸化物膜１２４は絶縁体となる（絶縁性を示す）。その後、ゲート絶縁膜１２０上に金属酸化物膜を形成し、該金属酸化物膜にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより、金属酸化物膜１０６ａを形成する。
【０１２７】
次に、金属酸化物膜１０６ａ上に導電膜を成膜した後、該導電膜にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂを形成する。
【０１２８】
次に、金属酸化物膜１０６ａ、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂ上に絶縁膜１１８を形成する。絶縁膜１１８は、絶縁膜１１２の材料及び成膜方法と同様である。その後、第２の熱処理を行っても良い。
【０１２９】
以上により、トランジスタ２１０を作製することができる。
【０１３０】
図２（Ｂ）に示すトランジスタ２２０を作製する場合は、以下の通りに作製すればよい。
【０１３１】
基板１００上にゲート電極１０２を形成した後、ゲート絶縁膜１２０を形成する。
【０１３２】
次に、ゲート絶縁膜１２０上に金属酸化物膜を成膜した後、該金属酸化物膜にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより、金属酸化物膜１０６ａを形成する。その後、第１の熱処理を行う。これにより、絶縁膜１２６から脱離した酸素は、金属酸化物膜１２４に供給され、絶縁膜１２２から脱離した酸素は、金属酸化物膜１２４及び１０６ａに供給される。また、金属酸化物膜１０６ａに含まれる水素や水などを低減することができる。
【０１３３】
次に、金属酸化物膜１０６ａ上に、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂ、パッシベーション膜１１０を形成する。その後、第２の熱処理を行う。
【０１３４】
以上により、トランジスタ２２０を作製することができる。
【０１３５】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１３６】
（実施の形態２）
本実施の形態では、先の実施の形態で示すトランジスタとは異なる構造のトランジスタについて説明する。
【０１３７】
図４に、本発明の一態様に係る半導体装置の一例として、トランジスタ４００の平面図及び断面図を示す。ここで、図４（Ａ）は平面図であり、図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）はそれぞれ図４（Ａ）におけるＡ１−Ａ２断面、Ｂ１−Ｂ２断面に係る断面図である。なお、図４（Ａ）では、煩雑になることを避けるため、トランジスタ４００の構成要素の一部（例えば、ゲート絶縁膜３０４など）を省略している。
【０１３８】
図４（Ａ）に示すトランジスタ４００は、基板３００上に、下地絶縁膜３１０を介して金属酸化物膜３０６ａと、金属酸化物膜３０６ａに接して設けられたソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂと、金属酸化物膜３０６ａ、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂ上に設けられたゲート絶縁膜３０４と、ゲート絶縁膜３０４上に金属酸化物膜３０６ａと重畳するように設けられたゲート電極３０２と、を有する。
【０１３９】
なお、基板３００は、基板１００と同様のものを用いればよい。また、金属酸化物膜３０６ａは、金属酸化物膜１０６ａと同様の材料及び同様の方法により形成されたものを用いればよい。また、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂは、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂと同様の材料及び同様の方法により形成されたものを用いればよい。また、ゲート絶縁膜３０４は、ゲート絶縁膜１０４と同様の材料及び同様の方法により形成されたものを用いればよい。また、ゲート電極３０２は、ゲート電極１０２と同様の材料及び同様の方法により形成されたものを用いればよい。
【０１４０】
また、図４に示すトランジスタ４００は、トップゲート構造のトランジスタであり、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂは、金属酸化物膜３０６ａの上面に接するトップコンタクト構造である。なお、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂは、金属酸化物膜３０６ａの下面に接するボトムコンタクト構造であってもよい。
【０１４１】
金属酸化物膜３０６ａと、ゲート電極３０２とが重畳する領域は、チャネル形成領域として機能する。
【０１４２】
また、基板３００上には、下地絶縁膜３１０が設けられている。下地絶縁膜３１０は、金属酸化物膜３０６ａと接するように設けられている。図４に示すトランジスタ４００において、下地絶縁膜３１０は、絶縁膜３１２、金属酸化物膜３１４、及び絶縁膜３１６を有する。ここで、絶縁膜３１２及び絶縁膜３１６は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜が用いられている。なお、ゲート絶縁膜３０４については、熱処理により酸素が脱離しない絶縁膜が用いられている。
【０１４３】
金属酸化物膜３０６ａは、ゲート絶縁膜３０４と絶縁膜３１２との間に設けられている。絶縁膜３１２は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜が用いられている。熱処理を行うことにより、絶縁膜３１２から、酸素が脱離し、金属酸化物膜３０６ａに供給される。
【０１４４】
また、本発明の一態様では、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜３１２に接して酸素の外方拡散を防止するための金属酸化物膜３１４が設けられている。これにより、熱処理時に絶縁膜３１２に含まれる酸素が脱離し、外方拡散することを防止することができる。
【０１４５】
さらに、本発明の一態様では、酸素の外方拡散を防止するために設ける金属酸化物膜３１４は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜３１２、絶縁膜３１６によって挟まれている。これにより、熱処理時に、絶縁膜３１６からも酸素が脱離し、金属酸化物膜３１４に供給される。金属酸化物膜３１４は、絶縁膜３１２及び絶縁膜３１６から酸素が供給されることにより、酸素欠損が補償されるため絶縁体となる（絶縁性を示す）。これにより、金属酸化物膜３１４が下地絶縁膜３１０の一部として用いられる場合であっても、トランジスタ４００の電気的特性に影響を与えなくて済む。
【０１４６】
また、金属酸化物膜３０６ａに効率良く酸素を供給するためには、金属酸化物膜３０６ａと接する絶縁膜３１２は、金属酸化物膜３１４に接する絶縁膜３１６より厚いことが好ましい。絶縁膜３１２及び絶縁膜３１６の膜厚は、下地絶縁膜３１０の膜厚により適宜設定すればよい。
【０１４７】
なお、絶縁膜３１２は、絶縁膜１１２と同様の材料及び同様の方法により形成されたものを用いればよい。また、金属酸化物膜３１４は、金属酸化物膜１１４と同様の材料及び同様の方法により形成されたものを用いればよい。また、絶縁膜３１６は、絶縁膜１１６と同様の材料及び同様の方法により形成されたものを用いればよい。
【０１４８】
絶縁膜３１２として、熱処理により酸素が脱離する膜を用いることで、絶縁膜３１２から金属酸化物膜３０６ａに酸素を供給し、絶縁膜３１２と金属酸化物膜３０６ａとの界面準位を低減できる。従って、トランジスタ４００の動作に起因して生じうる電荷などが、絶縁膜３１２と金属酸化物膜３０６ａとの界面に捕獲されることを抑制でき、トランジスタ４００を電気特性の劣化の少ないトランジスタとすることができる。
【０１４９】
金属酸化物膜３１４は、金属酸化物膜３０６ａと同様に、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた二種以上の元素を含む金属酸化物である。ここで、金属酸化物膜３１４に含まれる元素と、金属酸化物膜３０６ａに含まれる元素とが同じであってもよいし、異なっていてもよい。例えば、金属酸化物膜３０６ａ及び金属酸化物膜３１４として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いてもよいし、金属酸化物膜３０６ａとして、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用い、金属酸化物膜３１４として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ−Ｎ系の材料を用いてもよい。
【０１５０】
〈半導体装置の応用例〉
図５（Ａ）乃至図５（Ｃ）に、トランジスタ４００とは異なる構成のトランジスタの断面構造を示す。
【０１５１】
図５（Ａ）に示すトランジスタ４１０は、基板３００上に、下地絶縁膜として絶縁膜３１８を設け、該絶縁膜３１８上の金属酸化物膜３０６ａと、金属酸化物膜３０６ａに接して設けられたソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂと、金属酸化物膜３０６ａ、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂ上に設けられたゲート絶縁膜３２０と、ゲート絶縁膜３２０上に金属酸化物膜３０６ａのチャネル形成領域と重畳するように設けられたゲート電極３０２と、を有する。
【０１５２】
トランジスタ４００と、トランジスタ４１０との相違は、ゲート絶縁膜３２０の一部に、酸素の外方拡散を防止するための金属酸化物膜が設けられている点にある。つまり、ゲート絶縁膜３２０は、絶縁膜３２２、金属酸化物膜３２４、及び絶縁膜３２６の３層構造である。また、下地絶縁膜として、絶縁膜３１８が設けられている。ここで、絶縁膜３２６、３２２、及び絶縁膜３１８は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜が用いられている。
【０１５３】
また、金属酸化物膜３０６ａに効率よく酸素を供給するためには、金属酸化物膜３０６ａと接する絶縁膜３２２は、金属酸化物膜３２４と接する絶縁膜３２６より厚いことが好ましい。絶縁膜３２２及び絶縁膜３２６の膜厚は、ゲート絶縁膜３２０の膜厚により適宜設定すればよい。また、金属酸化物膜３２４も、少なくとも５ｎｍ以上あれば、酸素が透過することを防止できるため、ゲート絶縁膜３２０の膜厚に応じて適宜設定すればよい。
【０１５４】
図５（Ｂ）に示すトランジスタ４２０は、基板３００上に、下地絶縁膜３１０を介して金属酸化物膜３０６ａと、金属酸化物膜３０６ａに接して設けられたソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂと、金属酸化物膜３０６ａ、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂ上に設けられたゲート絶縁膜３２０と、ゲート絶縁膜３２０上に金属酸化物膜３０６ａのチャネル形成領域と重畳するように設けられたゲート電極３０２と、を有する。
【０１５５】
トランジスタ４２０において、下地絶縁膜３１０及びゲート絶縁膜３２０については、トランジスタ４００及びトランジスタ４１０の記載を参酌することができるため、詳細な説明は省略する。
【０１５６】
また、トランジスタ４００、トランジスタ４１０、及びトランジスタ４２０において、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂが、金属酸化物膜３０６ａの上面に接するトップコンタクト構造について説明した。本発明の一態様に係るトランジスタでは、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂが、金属酸化物膜３０６ａの下面に接するボトムコンタクト構造も採用することができる。ボトムコンタクト構造の一例を図５（Ｃ）に示す。
【０１５７】
図５（Ｃ）に示すトランジスタ４３０は、基板３００上に、設けられた下地絶縁膜３１０と、下地絶縁膜３１０上に設けられたソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂと、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂに接して設けられた金属酸化物膜３０６ａと、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂ、及び金属酸化物膜３０６ａ上に設けられたゲート絶縁膜３０４と、金属酸化物膜３０６ａのチャネル形成領域と重畳するように設けられたゲート電極３０２と、を有する。
【０１５８】
以上のように、本発明の一態様に係るトランジスタは、様々な態様をとることが可能である。
【０１５９】
また、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０１６０】
（実施の形態３）
本実施の形態では、先の実施の形態に示すトランジスタを用いた半導体装置及びその作製方法、並びに回路構成および動作の例について、図６乃至図８を参照して説明する。また、本実施の形態では、いわゆるＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）に相当する構成の半導体装置の一例について説明する。なお、回路図においては、酸化物半導体を用いたトランジスタであることを示すために、ＯＳの符号を併せて付す場合がある。
【０１６１】
〈半導体装置の断面構成〉
はじめに、半導体装置の断面構成の一例について、図６（Ａ）を参照して説明する。図６（Ａ）に示す半導体装置は、トランジスタ４００と、容量素子４０２とを有する。
【０１６２】
図６（Ａ）におけるトランジスタ４００は、本発明の一態様であるトランジスタが適用される。トランジスタ４００は、基板３００上に、下地絶縁膜３１０を介して金属酸化物膜３０６ａと、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂと、ゲート絶縁膜３０４と、ゲート電極３０２ａと、を有する。下地絶縁膜３１０は、絶縁膜３１２と、金属酸化物膜３１４と、絶縁膜３１６と、を有する。
【０１６３】
図６（Ａ）における容量素子４０２は、ゲート絶縁膜３０４、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、電極３０２ｂと、を有する。ソース電極又はドレイン電極３０８ａは、容量素子４０２の一方の電極として機能し、電極３０２ｂは、容量素子４０２の他方の電極として機能する。
【０１６４】
また、トランジスタ４００および容量素子４０２を覆うように絶縁膜３３０が設けられている。そして、絶縁膜３３０に設けられた開口を介してソース電極又はドレイン電極３０８ｂと、配線３３２とが接続されている。
【０１６５】
〈基本回路〉
次に、図６（Ａ）で示した半導体装置の基本的な回路構成およびその動作について、図６（Ｂ）を参照して説明する。図６（Ｂ）に示す半導体装置において、第１の配線（１ｓｔ Ｌｉｎｅ）とトランジスタ４００のソース電極またはドレイン電極とは、電気的に接続され、第２の配線（２ｎｄ Ｌｉｎｅ）とトランジスタ４００のゲート電極とは、電気的に接続され、容量素子４０２の電極の一方とトランジスタ４００のドレイン電極またはソース電極とは、電気的に接続されている。また、第３の配線（３ｒｄ Ｌｉｎｅ）と容量素子４０２の電極の他方とは、電気的に接続されている。
【０１６６】
ここで、トランジスタ４００には、例えば、酸化物半導体を用いたトランジスタが適用される。酸化物半導体を用いたトランジスタは、オフ電流が極めて小さいという特徴を有している。このため、トランジスタ４００をオフ状態とすることで、容量素子４０２に与えられた電位を、極めて長時間にわたって保持することが可能である。
【０１６７】
図６（Ｂ）に示す半導体装置では、容量素子４０２に与えられた電位が保持可能という特徴を生かすことで、次のように、情報の書き込み、保持、読み出しが可能である。
【０１６８】
次に、情報の書き込みおよび保持について説明する。ここでは簡単のため、第３の配線の電位は固定されているものとする。まず、第２の配線の電位を、トランジスタ４００がオン状態となる電位にして、トランジスタ４００をオン状態とする。これにより、第１の配線の電位が、容量素子４０２の電極の一方に与えられる。すなわち、容量素子４０２には、所定の電荷が与えられる（書き込み）。その後、第２の配線の電位を、トランジスタ４００がオフ状態となる電位にして、トランジスタ４００をオフ状態とすることにより、容量素子４０２に与えられた電荷が保持される（保持）。トランジスタ４００は上述のとおり、極めてオフ電流が小さいので、長時間にわたって電荷を保持できる。
【０１６９】
次に、情報の読み出しについて説明する。第１の配線に所定の電位（定電位）を与えた状態で、第２の配線の電位を、トランジスタ４００がオン状態となる電位にすると、容量素子４０２に保持されている電荷量に応じて、第１の配線は異なる電位をとる。このため、第１の配線の電位を検出することで、保持されている情報を読み出すことができる。
【０１７０】
次に、情報の書き換えについて説明する。情報の書き換えは、上記情報の書き込みおよび保持と同様に行われる。つまり、第２の配線の電位を、トランジスタ４００がオン状態となる電位にして、トランジスタ４００をオン状態とする。これにより、第１の配線の電位（新たな情報に係る電位）が、容量素子４０２の電極の一方に与えられる。その後、第２の配線の電位を、トランジスタ４００がオフ状態となる電位にして、トランジスタ４００をオフ状態とすることにより、容量素子４０２は、新たな情報に係る電荷が与えられた状態となる。
【０１７１】
このように、本発明の一態様に係る半導体装置は、再度の情報の書き込みによって直接的に情報を書き換えることが可能である。このため、半導体装置の高速動作が実現される。
【０１７２】
なお、上記説明は、電子をキャリアとするｎ型トランジスタ（ｎチャネル型トランジスタ）を用いる場合についてのものであるが、ｎ型トランジスタに代えて、正孔を多数キャリアとするｐ型トランジスタを用いることができるのはいうまでもない。
【０１７３】
図７に、（ｍ×ｎ）個のメモリセル４５０を有する半導体装置の回路図の一例を示す。図７中のメモリセル４５０の構成は、図６と同様である。すなわち、図６における第１の配線が図７におけるビット線ＢＬに相当し、図６における第２の配線が図７におけるワード線ＷＬに相当し、図６における第３の配線が図７におけるソース線ＳＬに相当する（図７参照）。
【０１７４】
図７に示す半導体装置は、ｎ本のビット線ＢＬと、ｍ本のワード線ＷＬと、メモリセル４５０が縦ｍ個（行）×横ｎ個（列）のマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、ｎ本のビット線ＢＬに接続する第１の駆動回路４６１と、ｍ本のワード線ＷＬに接続する第２の駆動回路４６２と、を有する。
【０１７５】
メモリセル４５０は、トランジスタ４００と、容量素子４０２と、から構成されている。トランジスタ４００のゲート電極は、ワード線ＷＬと接続されている。また、トランジスタ４００のソース電極またはドレイン電極の一方は、ビット線ＢＬと接続されており、トランジスタ４００のソース電極またはドレイン電極の他方は、容量素子４０２の電極の一方と接続されている。また、容量素子４０２の電極の他方はソース線ＳＬと接続され、一定の電位が与えられている。トランジスタ４００には、先の実施の形態に示すトランジスタが適用される。
【０１７６】
本発明の一態様である半導体装置は、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いるトランジスタであるため、単結晶シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタに比べてオフ電流が小さいという特徴を有する。このため、いわゆるＤＲＡＭとして認識されている図７に示す半導体装置に当該トランジスタを適用する場合、リフレッシュ期間のきわめて長いメモリを得ることが可能である。
【０１７７】
〈半導体装置の作製方法〉
次に、図６に示す半導体装置の作製方法について、図８を参照して説明する。
【０１７８】
まず、基板３００上に、下地絶縁膜３１０として機能する絶縁膜３１２、金属酸化物膜３１４、絶縁膜３１６を順に成膜する（図８（Ａ）参照）。なお、基板３００は、基板１００と同様の材料を用いることができるため詳細な説明は省略する。また、絶縁膜３１２及び絶縁膜３１６はそれぞれ、絶縁膜１１２及び絶縁膜１１６の記載を参酌することができる。
【０１７９】
次に、下地絶縁膜３１０上に、金属酸化物膜３０６ａを形成する（図８（Ｂ）参照）。金属酸化物膜３０６ａは、金属酸化物膜１０６ａの記載を参酌することができる。
【０１８０】
次に、金属酸化物膜３０６ａと接するソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂを形成した後、金属酸化物膜３０６ａ、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂ上にゲート絶縁膜３０４を成膜する。その後、ゲート絶縁膜３０４上に、金属酸化物膜３０６ａのチャネル形成領域と重畳する領域にゲート電極３０２ａを形成すると共に、ソース電極又はドレイン電極３０８ａと重畳する領域に電極３０２ｂを形成する（図８（Ｃ）参照）。ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂは、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂの記載を参酌することができる。
【０１８１】
次に、ゲート絶縁膜３０４、ゲート電極３０２ａ、及び電極３０２ｂを覆うように層間絶縁膜として機能する絶縁膜３３０を成膜する。その後、絶縁膜３３０及びゲート絶縁膜３０４に開口を形成し、絶縁膜３３０上に配線３３２を形成することで、ソース電極又はドレイン電極３０８ｂと配線３３２とを電気的に接続する。
【０１８２】
層間絶縁膜として機能する絶縁膜３３０として、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、感光性又は非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン）、珪素（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む、又は置換基にフッ素、アルキル基、又は芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料、いわゆるシロキサン、及びそれらの積層構造を用いることができる。
【０１８３】
また、配線３３２は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法などを用いて導電膜を成膜した後、当該導電膜にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより形成される。導電膜の材料としては、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた元素や、上述した元素を成分とする合金等を用いることができる。マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、ネオジム、スカンジウムのいずれか、またはこれらを複数組み合わせた材料を用いてもよい。詳細は、ゲート電極１０２などと同様である。
【０１８４】
以上の工程により、トランジスタ４００及び容量素子４０２を有する半導体装置を作製することができる（図８（Ｄ）参照）。
【０１８５】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０１８６】
（実施の形態４）
本発明の一態様に係る半導体装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む）に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。上記実施の形態で説明した半導体装置を具備する電子機器の例について説明する。
【０１８７】
図９（Ａ）は、ノート型のパーソナルコンピュータであり、本体３００１、筐体３００２、表示部３００３、キーボード３００４などによって構成されている。実施の形態１及び２に示す半導体装置を表示部３００３に適用することができる。また、実施の形態３に示す半導体装置を、筐体３００２の内部に含まれるメモリ回路に適用することができる。実施の形態１乃至３に係る半導体装置は、電気的特性の変動が抑制されているため、信頼性の高いノート型のパーソナルコンピュータとすることができる。
【０１８８】
図９（Ｂ）は、携帯情報端末（ＰＤＡ）であり、本体３０２１には表示部３０２３と、外部インターフェイス３０２５と、操作ボタン３０２４等が設けられている。また操作用の付属品としてスタイラス３０２２がある。実施の形態１及び２に示す半導体装置を表示部３０２３に適用することができる。また、実施の形態３に示す半導体装置を、本体３０２１の内部に含まれるメモリ回路に適用することができる。実施の形態１乃至３に係る半導体装置は、電気的特性の変動が抑制されているため、信頼性の高い携帯情報端末（ＰＤＡ）とすることができる。
【０１８９】
図９（Ｃ）は、電子書籍の一例を示している。例えば、電子書籍は、筐体２７０１および筐体２７０３の２つの筐体で構成されている。筐体２７０１および筐体２７０３は、軸部２７１１により一体とされており、該軸部２７１１を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。
【０１９０】
筐体２７０１には表示部２７０５が組み込まれ、筐体２７０３には表示部２７０７が組み込まれている。表示部２７０５および表示部２７０７は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部（図９（Ｃ）では表示部２７０５）に文章を表示し、左側の表示部（図９（Ｃ）では表示部２７０７）に画像を表示することができる。実施の形態１及び２に示す半導体装置を表示部２７０５、表示部２７０７に適用することができる。また、実施の形態３に示す半導体装置を、筐体２７０１、２７０３の内部に含まれるメモリ回路に適用することができる。実施の形態１乃至３に係る半導体装置は、電気的特性の変動が抑制されているため、信頼性の高い電子書籍とすることができる。
【０１９１】
また、図９（Ｃ）では、筐体２７０１に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体２７０１において、電源２７２１、操作キー２７２３、スピーカー２７２５などを備えている。操作キー２７２３により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子など）、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。
【０１９２】
また、電子書籍は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。
【０１９３】
図９（Ｄ）は、携帯電話であり、筐体２８００及び筐体２８０１の二つの筐体で構成されている。筐体２８０１には、表示パネル２８０２、スピーカー２８０３、マイクロフォン２８０４、ポインティングデバイス２８０６、カメラ用レンズ２８０７、外部接続端子２８０８などを備えている。また、筐体２８００には、携帯電話の充電を行う太陽電池セル２８１０、外部メモリスロット２８１１などを備えている。また、アンテナは筐体２８０１内部に内蔵されている。実施の形態１及び２に示す半導体装置を表示パネル２８０２に適用することができる。また、実施の形態３の示す半導体装置を、筐体２８００、２８０１の内部に含まれるメモリ回路に適用することができる。実施の形態１乃至３に係る半導体装置は、電気的特性の変動が抑制されているため、信頼性の高い携帯電話とすることができる。
【０１９４】
また、表示パネル２８０２はタッチパネルを備えており、図９（Ｄ）には映像表示されている複数の操作キー２８０５を点線で示している。なお、太陽電池セル２８１０で出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。
【０１９５】
表示パネル２８０２は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル２８０２と同一面上にカメラ用レンズ２８０７を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー２８０３及びマイクロフォン２８０４は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体２８００と筐体２８０１は、スライドし、図９（Ｄ）のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。
【０１９６】
外部接続端子２８０８はＡＣアダプタ及びＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット２８１１に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応できる。
【０１９７】
また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。
【０１９８】
図９（Ｅ）は、デジタルビデオカメラであり、本体３０５１、表示部（Ａ）３０５７、接眼部３０５３、操作スイッチ３０５４、表示部（Ｂ）３０５５、バッテリー３０５６などによって構成されている。実施の形態１及び２に示す半導体装置を表示部（Ａ）３０５７、表示部（Ｂ）３０５５に適用することができる。また、実施の形態３に示す半導体装置を、本体３０５１の内部に含まれるメモリ回路に適用することができる。実施の形態１乃至３に係る半導体装置は、電気的特性の変動が抑制されているため、信頼性の高いデジタルビデオカメラとすることができる。
【０１９９】
図９（Ｆ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置９６００は、筐体９６０１に表示部９６０３が組み込まれている。表示部９６０３により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド９６０５により筐体９６０１を支持した構成を示している。実施の形態１及び２に示す半導体装置を表示部９６０３に適用することができる。また、実施の形態３に示す半導体装置を、筐体９６０１の内部に含まれるメモリ回路に適用することができる。実施の形態１乃至３に係る半導体装置は、電気的特性の変動が抑制されているため、信頼性の高いテレビジョン装置とすることができる。
【０２００】
テレビジョン装置９６００の操作は、筐体９６０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
【０２０１】
なお、テレビジョン装置９６００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０２０２】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【実施例１】
【０２０３】
本実施例では、ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）基板を作製し、耐圧測定及びＣ−Ｖ（Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ−Ｖｏｌｔａｇｅ）測定を行った結果について、図１０乃至図１５を参照して説明する。
【０２０４】
まず、本実施例で用いた試料の作製方法について説明する。
【０２０５】
試料Ａとして、シリコン基板上に、第１の絶縁膜として、スパッタリング法により、膜厚５０ｎｍで酸化シリコン膜を成膜した。次に、該酸化シリコン膜上に、金属酸化物膜として、スパッタリング法により、膜厚１０ｎｍでＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ−Ｎ系の金属酸化物膜を成膜した。次に、該Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ―Ｎ系の金属酸化物膜上に、第２の絶縁膜として、スパッタリング法により、膜厚５０ｎｍで酸化シリコン膜を成膜した。
【０２０６】
試料Ｂは、試料Ａにおける金属酸化物膜として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ−Ｎ系の金属酸化物膜に換えて、スパッタリング法により、膜厚１０ｎｍでＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を成膜した。その他の構成及び作製方法については試料Ａと同じである。
【０２０７】
試料Ｃとして、シリコン基板上に、第１の絶縁膜として、プラズマＣＶＤ法により、膜厚５０ｎｍで酸化窒化シリコン膜を形成した。次に、該酸化窒化シリコン膜上に、スパッタリング法により、膜厚１０ｎｍでＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を形成した。その後、該Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜上に、第２の絶縁膜として、プラズマＣＶＤ法により、膜厚５０ｎｍで酸化窒化シリコン膜を形成した。
【０２０８】
試料Ｄは、試料Ａにおける酸化シリコン膜（第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜）に換えて、プラズマＣＶＤ法により、膜厚５０ｎｍで酸化窒化シリコン膜を成膜した。その他の構成及び作製方法については試料Ａと同様である。
【０２０９】
試料Ｅとして、シリコン基板上に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍで酸化シリコン膜を形成した。
【０２１０】
次に、試料Ａ乃至試料Ｅに対し熱処理を行った。熱処理の条件として、窒素雰囲気、温度３００℃にて１時間で行った。
【０２１１】
次に、試料Ａ乃至試料Ｅのそれぞれについて、第２の絶縁膜上に、スパッタリング法により、膜厚４００ｎｍでアルミニウムチタン合金膜からなる電極（電極面積０．７８５ｍｍ２）を形成した。
【０２１２】
最後に、試料Ａ乃至試料Ｅに対し、窒素雰囲気、温度２５０℃にて、１時間の熱処理を行った。
【０２１３】
以上により得られた試料Ａ乃至試料ＥのＭＯＳ基板の構造について、表１に示す。
【０２１４】
【表１】
【０２１５】
次に、試料Ａ乃至試料Ｅについて、電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性を測定した。各試料について１３点ずつ測定を行った。
【０２１６】
耐圧測定の結果を、図１０乃至図１２に示す。図１０（Ａ）は試料Ａの結果であり、図１０（Ｂ）は試料Ｂの結果であり、図１１（Ａ）は試料Ｃの結果であり、図１１（Ｂ）は試料Ｄの結果であり、図１２は試料Ｅの結果である。図１０乃至図１２において、横軸は電圧を示し、縦軸は電流を示す。
【０２１７】
図１１（Ａ）に示す試料Ｃ及び図１１（Ｂ）に示す試料Ｄにおいては、電流の立ち上がりが早く、耐圧が悪いことがわかった。これに対し、図１０（Ａ）に示す試料Ａ及び図１０（Ｂ）に示す試料Ｂにおいては、試料Ｃ及び試料Ｄと比較して、電流の立ち上がりが遅く、耐圧が良いことがわかった。また、図１２に示す試料Ｅは、試料Ａ及び試料Ｂと同等の耐圧を有することがわかった。
【０２１８】
つぎに、試料Ａ乃至試料ＥについてＣ−Ｖ測定を行った。各試料について４点ずつ測定を行った。
【０２１９】
Ｃ−Ｖ測定の結果を、図１３乃至図１５に示す。図１３（Ａ）は試料Ａの結果であり、図１３（Ｂ）は試料Ｂの結果であり、図１４（Ａ）は、試料Ｃの結果であり、図１４（Ｂ）は試料Ｄの結果であり、図１５は試料Ｅの結果である。図１３乃至図１５において、横軸は電圧を示し、縦軸は容量値を示す。
【０２２０】
図１４（Ａ）に示す試料Ｃ及び図１４（Ｂ）に示す試料Ｄにおいては，Ｃ−Ｖカーブを得ることはできなかった。これは、図１１の結果からもわかるように、試料Ｃ及び試料Ｄにおける絶縁膜の耐圧が十分で無く、容量を保つことができなかったためであると考えられる。これに対し、図１３（Ａ）に示す試料Ａ、図１３（Ｂ）に示す試料Ｂ及び図１５に示す試料Ｅにおいては、良好なＣ−Ｖカーブを得ることができた。
【０２２１】
さらに、試料Ａ及び試料ＢのＣＶカーブは、試料ＥのＣ−Ｖカーブと比較して、プラス方向にシフトしていることがわかった。これは、試料Ｅに比べて、試料Ａ及び試料Ｂに負の固定電荷が多く存在しているためであり、このような絶縁膜をトランジスタのチャネル形成領域を含む金属酸化物膜と接して形成することによって、トランジスタのしきい値電圧をプラス方向にシフトさせることができることが示唆された。
【０２２２】
試料Ｃ及び試料Ｄは、金属酸化物膜を間に挟む絶縁膜に、プラズマＣＶＤ法による酸化窒化シリコン膜が用いられている。プラズマＣＶＤ法に成膜された酸化窒化シリコン膜からは、熱処理による酸素脱離が無い。そのため、絶縁膜から金属酸化物膜に酸素が供給されず、金属酸化物膜を絶縁化できなかったと考えられる。これに対し、試料Ａ及び試料Ｂは、金属酸化物膜を挟む絶縁膜に、スパッタリング法による酸化シリコン膜が用いられている。スパッタリング法により成膜された酸化シリコン膜は、熱処理により酸素が脱離し、金属酸化物膜に酸素が十分に供給され、金属酸化物膜を絶縁化できたと考えられる。これにより、試料Ａ及び試料Ｂの耐圧が向上したものと考えられる。
【０２２３】
以上の結果から、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜の間に金属酸化物膜を設ける場合、金属酸化物膜は絶縁膜として機能することが示された。
【実施例２】
【０２２４】
本実施例では、ＴＤＳ分析により、熱処理により酸素放出する絶縁膜上に金属酸化物膜を形成させる構造において、該絶縁膜から酸素が金属酸化物膜を透過して外方拡散する量について調べた結果について説明する。
【０２２５】
まず、本実施例で用いた試料Ｆ乃至試料Ｉについて説明する。
【０２２６】
試料Ｆとして、ガラス基板上に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍで酸化シリコン膜を形成した。次に、該酸化シリコン膜上に、スパッタリング法により、膜厚５ｎｍでＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を形成した。
【０２２７】
試料Ｇとして、ガラス基板上に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍで酸化シリコン膜を形成した。次に、該酸化シリコン膜上に、スパッタリング法により、膜厚１０ｎｍでＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を形成した。
【０２２８】
試料Ｈとして、ガラス基板上に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍで酸化シリコン膜を形成した。次に、該酸化シリコン膜上に、スパッタリング法により、膜厚１５ｎｍでＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を形成した。
【０２２９】
試料Ｉとして、ガラス基板上に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍで酸化シリコン膜を形成した。
【０２３０】
次に、試料Ｆ乃至試料Ｉに対してＴＤＳ分析を行った。本実施例では、酸素の脱離量の数値は、電子科学株式会社製の昇温脱離分析装置ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓ／Ｗを使用した。
【０２３１】
図１６に、試料Ｆ乃至試料ＩのＴＤＳ分析結果について示す。
【０２３２】
図１６に示すように、酸化シリコン膜のみが成膜された試料Ｉについては、２００℃付近でピークが高くなった。これに対し、酸化シリコン膜上に金属酸化物膜が成膜された試料Ｆ乃至試料Ｈについては、ピークがほぼ検出されなかった。
【０２３３】
図１６の結果より、酸化シリコン膜上に金属酸化物膜が形成されていることによって、酸化シリコン膜に含まれる酸素が外に放出されないことがわかった。また、金属酸化物膜が少なくとも５ｎｍ成膜されていれば、酸化シリコン膜に含まれる酸素が外に放出されないことが示された。以上の結果から、金属酸化物膜は、酸素の透過を防止できることが証明された。
【実施例３】
【０２３４】
本実施例では、金属酸化物膜の抵抗率について調査した結果について、図１７を参照して説明する。
【０２３５】
まず、本実施例で用いた試料について、図１７を参照して説明する。
【０２３６】
（条件１）
金属酸化物膜５０６を挟む絶縁膜の両方に、熱処理により、酸素が脱離しない絶縁膜を用いた場合を、条件１とする。
【０２３７】
まず、ガラス基板５００上に、絶縁膜５０２として、プラズマＣＶＤ法により、膜厚１００ｎｍで酸化窒化シリコン膜を成膜した。
【０２３８】
次に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍでタングステン膜を成膜した。その後、タングステン膜にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行い、電極５０４ａ、５０４ｂを形成した。
【０２３９】
次に、金属酸化物膜５０６として、スパッタリング法により、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を成膜した。金属酸化物膜の成膜条件は、組成比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１のターゲットを用い、Ａｒ／Ｏ２＝３０／１５ｓｃｃｍ、圧力０．４Ｐａ、電源０．５ｋＷ、基板温度２００℃、膜厚３０ｎｍとした。その後、金属酸化物膜５０６に、窒素雰囲気下、４５０℃、１時間として熱処理を行った。
【０２４０】
次に、絶縁膜５０８として、プラズマＣＶＤ法により、膜厚１００ｎｍで酸化窒化シリコン膜を成膜した。
【０２４１】
次に、絶縁膜５０８及び金属酸化物膜５０６にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより電極５０４ａ及び電極５０４ｂが露出するように開口を形成した。
【０２４２】
最後に、試料に対して、窒素雰囲気下、３５０℃、１時間として熱処理を行った。
【０２４３】
（条件２）
金属酸化物膜５０６を挟む絶縁膜の両方に、熱処理により、酸素が脱離する絶縁膜を用いた場合を、条件２とする。
【０２４４】
まず、ガラス基板５００上に、絶縁膜５０２として、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍで酸化シリコン膜を成膜した。
【０２４５】
次に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍでタングステン膜を成膜した。その後、タングステン膜にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行い、電極５０４ａ、５０４ｂを形成した。
【０２４６】
次に、金属酸化物膜５０６として、スパッタリング法により、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を成膜した。金属酸化物膜の成膜条件は、組成比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１のターゲットを用い、Ａｒ／Ｏ２＝３０／１５ｓｃｃｍ、圧力０．４Ｐａ、電源０．５ｋＷ、基板温度２００℃、膜厚３０ｎｍとした。その後、金属酸化物膜５０６に、窒素雰囲気下、４５０℃、１時間として熱処理を行った。
【０２４７】
次に、絶縁膜５０８として、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍで酸化シリコン膜を成膜した。
【０２４８】
次に、絶縁膜５０８及び金属酸化物膜５０６にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより電極５０４ａ及び電極５０４ｂが露出するように開口を形成した。
【０２４９】
最後に、試料に対して、窒素雰囲気下、３５０℃、１時間として熱処理を行った。
【０２５０】
（条件３）
絶縁膜５０２に、熱処理により、酸素が脱離する絶縁膜を用い、絶縁膜５０８に熱処理により、酸素が脱離しない絶縁膜を用いた場合を、条件３とする。
【０２５１】
まず、ガラス基板５００上に、絶縁膜５０２として、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍで酸化シリコン膜を成膜した。
【０２５２】
次に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍでタングステン膜を成膜した。その後、タングステン膜にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行い、電極５０４ａ、５０４ｂを形成した。
【０２５３】
次に、金属酸化物膜５０６として、スパッタリング法により、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を成膜した。金属酸化物膜の成膜条件は、組成比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１のターゲットを用い、Ａｒ／Ｏ２＝３０／１５ｓｃｃｍ、圧力０．４Ｐａ、電源０．５ｋＷ、基板温度２００℃、膜厚３０ｎｍとした。その後、金属酸化物膜５０６に、窒素雰囲気下、４５０℃、１時間として熱処理を行った。
【０２５４】
次に、絶縁膜５０８として、プラズマＣＶＤ法により、膜厚１００ｎｍで酸化窒化シリコン膜を成膜した。
【０２５５】
次に、絶縁膜５０８及び金属酸化物膜５０６にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより電極５０４ａ及び電極５０４ｂが露出するように開口を形成した。
【０２５６】
最後に、試料に対して、窒素雰囲気下、３５０℃、１時間として熱処理を行った。
【０２５７】
（条件４）
絶縁膜５０２に、熱処理により、酸素が脱離しない絶縁膜を用い、絶縁膜５０８として、熱処理により、酸素が脱離する絶縁膜を用いた場合を、条件４とする。
【０２５８】
まず、ガラス基板５００上に、絶縁膜５０２として、プラズマＣＶＤ法により、膜厚１００ｎｍで酸化窒化シリコン膜を成膜した。
【０２５９】
次に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍでタングステン膜を成膜した。その後、タングステン膜にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行い、電極５０４ａ、５０４ｂを形成した。
【０２６０】
次に、金属酸化物膜５０６として、スパッタリング法により、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を成膜した。金属酸化物膜の成膜条件は、組成比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１のターゲットを用い、Ａｒ／Ｏ２＝３０／１５ｓｃｃｍ、圧力０．４Ｐａ、電源０．５ｋＷ、基板温度２００℃、膜厚３０ｎｍとした。その後、金属酸化物膜５０６に、窒素雰囲気下、４５０℃、１時間として熱処理を行った。
【０２６１】
次に、絶縁膜５０８として、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍで酸化シリコン膜を成膜した。
【０２６２】
次に、絶縁膜５０８及び金属酸化物膜５０６にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより電極５０４ａ及び電極５０４ｂが露出するように開口を形成した。
【０２６３】
最後に、試料に対して、窒素雰囲気下、３５０℃、１時間として熱処理を行った。
【０２６４】
次に、条件１乃至条件４で説明した試料それぞれについて４点ずつ、導電率σを測定した。測定した導電率σから抵抗率ρを求めた結果について、４点の平均値を算出したものを、表２に示す。
【０２６５】
【表２】
【０２６６】
表２に示すように、条件１における金属酸化物膜の抵抗率ρは、１．４×１０―２［Ω・ｃｍ］と求めることができた。また、条件２における金属酸化物膜の抵抗率ρは、７．４×１０９［Ω・ｃｍ］と求めることができた。また、条件３における金属酸化物膜の抵抗率ρは、８．６×１０３［Ω・ｃｍ］と求めることができた。また、条件４における金属酸化物膜の抵抗率ρは、８．５×１０６［Ω・ｃｍ］と求めることができた。
【０２６７】
条件１の結果より、金属酸化物膜５０６の成膜後の熱処理によって下がった金属酸化物膜５０６の抵抗は、絶縁膜５０８の成膜後に熱処理を行っても変化せず、低いままとなることがわかった。その結果、金属酸化物膜５０６は導体の特性となることがわかった。
【０２６８】
また、条件２の結果より、金属酸化物膜５０６成膜後の熱処理によって下がった金属酸化物膜５０６の抵抗は、絶縁膜５０８成膜後の熱処理を行うことによって上がることがわかった。これは、絶縁膜５０２及び絶縁膜５０８からの酸素供給によって、金属酸化物膜に生成した酸素欠損が補償されるためであると考えられる。その結果、金属酸化物膜５０６は絶縁体となる（絶縁性を示す）ことがわかった。
【０２６９】
また、条件３及び条件４の結果より、絶縁膜５０８の成膜後の熱処理によって、金属酸化物膜５０６の抵抗は、条件１よりも高く、条件２よりも低い値となる。その結果、金属酸化物膜５０６は半導体となることがわかった。
【０２７０】
以上の結果から、金属酸化物膜と接する絶縁膜の種類（または絶縁膜から脱離する酸素の量）によって、金属酸化物膜の抵抗を調整できることが示された。
【符号の説明】
【０２７１】
１００ 基板
１０２ ゲート電極
１０４ ゲート絶縁膜
１０６ 金属酸化物膜
１０６ａ 金属酸化物膜
１０８ａ ソース電極又はドレイン電極
１０８ｂ ソース電極又はドレイン電極
１１０ パッシベーション膜
１１２ 絶縁膜
１１４ 金属酸化物膜
１１６ 絶縁膜
１１８ 絶縁膜
１２０ ゲート絶縁膜
１２２ 絶縁膜
１２４ 金属酸化物膜
１２６ 絶縁膜
２００ トランジスタ
２１０ トランジスタ
２２０ トランジスタ
２３０ トランジスタ
３００ 基板
３０２ ゲート電極
３０４ ゲート絶縁膜
３０６ａ 金属酸化物膜
３０８ａ ソース電極又はドレイン電極
３０８ｂ ソース電極又はドレイン電極
３１０ 下地絶縁膜
３１２ 絶縁膜
３１４ 金属酸化物膜
３１６ 絶縁膜
３１８ 絶縁膜
３２０ ゲート絶縁膜
３２２ 絶縁膜
３２４ 金属酸化物膜
３２６ 絶縁膜
３３０ 絶縁膜
３３２ 配線
４００ トランジスタ
４０２ 容量素子
４１０ トランジスタ
４２０ トランジスタ
４３０ トランジスタ
４５０ メモリセル
４６１ 駆動回路
４６２ 駆動回路
５００ ガラス基板
５０２ 絶縁膜
５０４ａ 電極
５０４ｂ 電極
５０６ 金属酸化物膜
５０８ 絶縁膜
２７０１ 筐体
２７０３ 筐体
２７０５ 表示部
２７０７ 表示部
２７１１ 軸部
２７２１ 電源
２７２３ 操作キー
２７２５ スピーカー
２８００ 筐体
２８０１ 筐体
２８０２ 表示パネル
２８０３ スピーカー
２８０４ マイクロフォン
２８０５ 操作キー
２８０６ ポインティングデバイス
２８０７ カメラ用レンズ
２８０８ 外部接続端子
２８１０ 太陽電池セル
２８１１ 外部メモリスロット
３００１ 本体
３００２ 筐体
３００３ 表示部
３００４ キーボード
３０２１ 本体
３０２２ スタイラス
３０２３ 表示部
３０２４ 操作ボタン
３０２５ 外部インターフェイス
３０２ａ ゲート電極
３０２ｂ 電極
３０５１ 本体
３０５３ 接眼部
３０５４ 操作スイッチ
３０５５ 表示部（Ｂ）
３０５６ バッテリー
３０５７ 表示部（Ａ）
９６００ テレビジョン装置
９６０１ 筐体
９６０３ 表示部
９６０５ スタンド
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化物半導体を用いた半導体装置に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。本明細書中のトランジスタは半導体装置であり、該トランジスタを含む電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置に含まれる。
【背景技術】
【０００３】
液晶表示装置や発光表示装置に代表されるフラットパネルディスプレイの多くに用いられているトランジスタは、ガラス基板上に形成されたアモルファスシリコン、単結晶シリコンまたは多結晶シリコンなどのシリコン半導体によって構成されている。また、該シリコン半導体を用いたトランジスタは、集積回路（ＩＣ）などにも利用されている。
【０００４】
上記シリコン半導体に代わって、半導体特性を示す金属酸化物をトランジスタに用いる技術が注目されている。なお、本明細書中では、半導体特性を示す金属酸化物を「酸化物半導体」とも呼ぶ。例えば、酸化物半導体として、Ｚｎ−Ｏ系酸化物、又はＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物を用いてトランジスタを作製し、該トランジスタを表示装置の画素のスイッチング素子などに用いる技術が開示されている（特許文献１および特許文献２を参照。）。
【０００５】
ところで、酸化物半導体においては、水素がキャリアの供給源となることが指摘されている。そのため、酸化物半導体の形成時に水素が混入しないような措置を講じることが求められる。また、酸化物半導体のみならず、酸化物半導体に接するゲート絶縁膜の水素を低減することで、しきい値電圧の変動を低減している（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１２３８６１号公報
【特許文献２】特開２００７−９６０５５号公報
【特許文献３】特開２００９−２２４４７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
さらに、金属酸化物において、キャリアの供給源は水素のほかに、金属酸化物中の酸素欠損が挙げられる。金属酸化物における酸素欠損の一部はドナーとなり、金属酸化物中にキャリアである電子を生成する。トランジスタのチャネル形成領域を含む金属酸化物に酸素欠損が多く存在すると、チャネル形成領域中に電子を生じさせてしまい、トランジスタのしきい値電圧をマイナス方向に変動させる要因となる。
【０００８】
また、チャネル形成領域を含む金属酸化物膜と接して設けられている絶縁膜によっても、トランジスタのしきい値電圧は左右される。例えば、不結合酸素の酸素イオンなどの負の固定電荷が絶縁膜中に含まれることにより、トランジスタのしきい値電圧をプラスシフトさせることができる。しかし、該絶縁膜から酸素が脱離して外部に放出されてしまうと、負の固定電荷が減少してしまい、トランジスタのしきい値電圧がマイナス方向に変動してしまうおそれがある。
【０００９】
そこで、本発明の一態様は、チャネル形成領域を含む金属酸化物中の酸素欠損を低減し、また、該金属酸化物と接する絶縁膜に含まれる酸素が外部へ放出されることを防ぐことによって、良好な電気的特性および電気的特性の安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
金属酸化物を用いたトランジスタにおいて、金属酸化物中の酸素欠損を低減するために、金属酸化物中に酸素を供給することが挙げられる。そこで、本発明の一態様では、チャネル形成領域を含む金属酸化物膜に接して、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜を設けることとした。これにより、熱処理時に脱離した酸素が金属酸化物中に供給され、酸素欠損を低減することができる。
【００１１】
また、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜（第１の絶縁膜とも記す）は、熱処理時に脱離した酸素が外方拡散するため、金属酸化物に酸素を十分に供給することができない場合もある。そこで、本発明の一態様では、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜に接して、チャネル形成領域を含む金属酸化物膜（第１の金属酸化物膜とも記す）とは別の金属酸化物膜（第２の金属酸化物膜とも記す）を設けることとした。第２の金属酸化物膜は、酸素の透過を防止することができるため、第２の金属酸化物膜を設けることによって、熱処理時に脱離した酸素が外方拡散することを防止することができる。そのため、第１の金属酸化物膜へ酸素を十分に供給することができ、さらに絶縁膜中に含まれる酸素が、外部へ脱離することを防ぐことができる。
【００１２】
また、酸素の透過を防止するための第２の金属酸化物膜に酸素欠損が生じている場合もある。しかし、本発明の一態様では、第２の金属酸化物膜を、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜（第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜）により挟んで設けることとしているため、十分に第２の金属酸化物膜の酸素欠損を補償することができる。
【００１３】
本発明の一態様は、ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第１の絶縁膜、第２の金属酸化物膜、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。
【００１４】
本発明の他の一態様は、ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、ゲート絶縁膜は、第２の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第１の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。
【００１５】
上記各構成において、第１の絶縁膜は、第２の絶縁膜より厚い半導体装置である。
【００１６】
本発明の他の一態様において、半導体装置は、下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、第１の金属酸化物膜、ソース電極、及びドレイン電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して第１の金属酸化物膜上に設けられたゲート電極と、を有し、下地絶縁膜は、第１の絶縁膜、第２の金属酸化物膜、第２の絶縁膜とが順に積層されている。
【００１７】
本発明の他の一態様において、半導体装置は、下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、第１の金属酸化物膜、ソース電極、及びドレイン電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して第１の金属酸化物膜上に設けられたゲート電極と、を有し、ゲート絶縁膜は、第２の絶縁膜、第２の金属酸化物膜、第１の絶縁膜とが順に積層されている。
【００１８】
上記各構成において、第１の絶縁膜は、第２の絶縁膜より薄いことが好ましい。
【００１９】
また、上記各構成において、第１の金属酸化物膜は、第２の金属酸化物膜より厚い半導体装置である。なお、金属酸化物膜は、５ｎｍ程度あれば酸素の透過を防止することができる。また、金属酸化物膜は比誘電率が高いため、チャネル形成領域を含む金属酸化物膜以外に金属酸化物膜を用いる場合、膜厚が厚すぎると寄生容量が増加してしまうおそれがある。したがって、第２の金属酸化物膜の膜厚は、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２０】
上記各構成において、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜を用いることが好ましい。
【００２１】
上記各構成において、第１の金属酸化物膜及び第２の金属酸化物膜は、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた二種以上の元素を含んでいることが好ましい。また、上記各構成において、第１の金属酸化物膜に含まれる元素と、第２の金属酸化物膜に含まれる元素とが同じであってもよいし、異なっていてもよい。例えば、第１の金属酸化物膜及び第２の金属酸化物膜として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いてもよいし、第１の金属酸化物膜として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用い、第２の金属酸化物膜として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ−Ｎ系の材料を用いてもよい。
【００２２】
また、金属酸化物膜は、水素や酸素欠損の量に応じて、導体であったり、半導体であったり、絶縁体であったりする。例えば、金属酸化物膜の抵抗率は、金属酸化物膜に含まれる水素や酸素欠損の量によって変化する。
【００２３】
金属酸化物膜を挟む絶縁膜の両方に、熱処理により酸素が脱離しない絶縁膜を用いて、熱処理を行うと、金属酸化物膜は電気的に導体となる。また、金属酸化物膜を挟む絶縁膜の両方に、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜を用いて、熱処理を行うと、金属酸化物膜は電気的に絶縁体となる。金属酸化物膜の抵抗率で示すと、抵抗率が１０［Ω・ｃｍ］以下では導体となり、抵抗率が１×１０８［Ω・ｃｍ］以上だと絶縁体となる。
【００２４】
また、第１の金属酸化物膜を半導体とするためには、導体となる抵抗率と絶縁体となる抵抗率の間の値をとればよいため、第１の金属酸化物膜は、抵抗率が、１０［Ω・ｃｍ］を超えて１×１０８［Ω・ｃｍ］未満となるように形成すればよい。
【００２５】
なお、第１の金属酸化物膜及び第２の金属酸化物膜は、非晶質であってもよく、結晶性を有していてもよい。例えば、第１の金属酸化物膜は、非単結晶であり、詳細には、該非単結晶のａｂ面に垂直な方向から見て、三角形、六角形、正三角形、又は正六角形の原子配列を有し、且つ、ｃ軸に垂直な方向から見て、金属原子が層状、又は金属原子と酸素原子が層状に配列した相を含む金属酸化物とすることが好ましい。なお、本明細書では、該金属酸化物膜をＣＡＡＣ−ＯＳ膜：Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒとよぶこととする。
【００２６】
第１の金属酸化物膜をＣＡＡＣ−ＯＳ膜とすることで、可視光または紫外光の照射、および熱やバイアスなどが加わることによるトランジスタの電気特性の変動を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の一態様により、金属酸化物中の酸素欠損を低減し、また、該金属酸化物と接する絶縁膜に含まれる酸素が外部へ放出されることを防ぐことによって、良好な電気的特性および電気的特性の安定した半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一態様に係る半導体装置の一例を示す上面図および断面図。
【図２】本発明の一態様に係る半導体装置を示す図。
【図３】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す図。
【図４】本発明の一態様に係る半導体装置の一例を示す上面図および断面図。
【図５】本発明の一態様に係る半導体装置を示す図。
【図６】本発明の一態様に係る半導体装置の一例を示す断面図および回路図。
【図７】本発明の一態様に係る半導体装置の回路図。
【図８】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す図。
【図９】電子機器を示す図。
【図１０】耐圧測定の結果を示す図。
【図１１】耐圧測定の結果を示す図。
【図１２】耐圧測定の結果を示す図。
【図１３】Ｃ−Ｖ測定の結果を示す図。
【図１４】Ｃ−Ｖ測定の結果を示す図。
【図１５】Ｃ−Ｖ測定の結果を示す図。
【図１６】ＴＤＳの結果を示す図。
【図１７】実施例３に係る試料の構造を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には、同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３０】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、膜の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
【００３１】
また、本明細書等にて用いる第１、第２、第３などの用語は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」または「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。
【００３２】
「ソース」や「ドレイン」の機能は、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等においては、「ソース」や「ドレイン」の用語は、入れ替えて用いることができるものとする。
【００３３】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置、及びその作製方法について、図１乃至図３を用いて説明する。
【００３４】
〈半導体装置の構成例〉
図１に、本発明の一態様に係る半導体装置の一例として、トランジスタ２００の平面図及び断面図を示す。ここで、図１（Ａ）は平面図であり、図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）はそれぞれ図１（Ａ）におけるＡ１−Ａ２断面、Ｂ１−Ｂ２断面に係る断面図である。なお、図１（Ａ）では、煩雑になることを避けるため、トランジスタ２００の構成要素の一部（例えば、ゲート絶縁膜１０４など）を省略している。
【００３５】
図１に示すトランジスタ２００は、基板１００上に、ゲート電極１０２と、ゲート電極１０２上に設けられたゲート絶縁膜１０４と、ゲート絶縁膜１０４上に設けられた金属酸化物膜１０６ａと、金属酸化物膜１０６ａに接して設けられたソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂと、を有する。なお、金属酸化物膜１０６ａは、半導体特性を示すため、酸化物半導体とも記す。
【００３６】
また、図１に示すトランジスタ２００はボトムゲート構造のトランジスタであり、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂは、金属酸化物膜１０６ａの上面に接するトップコンタクト構造である。なお、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂは、金属酸化物膜１０６ａの下面に接するボトムコンタクト構造であってもよい。
【００３７】
金属酸化物膜１０６ａとゲート電極１０２とが重畳する領域は、チャネル形成領域として機能する。
【００３８】
金属酸化物膜１０６ａは、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた二種以上の元素を含む金属酸化物である。なお、該金属酸化物は、バンドギャップが２ｅＶ以上６ｅＶ未満、好ましくは２．５ｅＶ以上５．５ｅＶ以下、より好ましくは３ｅＶ以上５ｅＶ以下とするとよい。このように、バンドギャップの広い金属酸化物を用いることで、トランジスタ２００のオフ電流を低減することができる。
【００３９】
また、金属酸化物膜１０６ａ、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂ上には、パッシベーション膜１１０が設けられている。パッシベーション膜１１０は、金属酸化物膜１０６ａと接するように設けられている。図１に示すトランジスタ２００において、パッシベーション膜１１０は、絶縁膜１１２、金属酸化物膜１１４、及び絶縁膜１１６を有する。ここで、絶縁膜１１２及び絶縁膜１１６は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜が用いられている。
【００４０】
本明細書等において、「熱処理により酸素が脱離する」とは、ＴＤＳ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：昇温脱離ガス分光法）分析にて、酸素原子に換算した酸素の脱離量（又は放出量）が１．０×１０１８ｃｍ−３以上、好ましくは３．０×１０２０ｃｍ−３以上であることをいう。また、「熱処理により酸素が脱離しない」とは、ＴＤＳ分析にて、酸素原子に換算した酸素の脱離量（又は放出量）が１．０×１０１８ｃｍ−３未満であることをいう。
【００４１】
以下、酸素の放出量をＴＤＳ分析で酸素原子に換算して定量する方法について説明する。
【００４２】
ＴＤＳ分析したときの気体の脱離量は、イオン強度の積分値に比例する。このため、測定したイオン強度の積分値と、標準試料の基準値との比とにより、気体の脱離量を計算することができる。標準試料の基準値とは、所定の密度の原子を含む試料において、当該原子に相当するイオン強度の積分値に対する原子の密度の割合である。
【００４３】
例えば、標準試料である所定の密度の水素を含むシリコンウェハのＴＤＳ分析結果、および絶縁膜のＴＤＳ分析結果から、絶縁膜の酸素分子の脱離量（ＮＯ２）は、数式１で求めることができる。ここで、ＴＤＳ分析で得られる質量数３２で検出されるガスの全てが酸素分子由来と仮定する。質量数３２のものとしてＣＨ３ＯＨがあるが、存在する可能性が低いものとしてここでは考慮しない。また、酸素原子の同位体である質量数１７の酸素原子及び質量数１８の酸素原子を含む酸素分子についても、自然界における存在比率が極微量であるため考慮しない。
【００４４】
ＮＯ２＝ＮＨ２／ＳＨ２×ＳＯ２×α （数式１）
【００４５】
ＮＨ２は、標準試料から脱離した水素分子を密度で換算した値である。ＳＨ２は、標準試料をＴＤＳ分析したときのイオン強度の積分値である。ここで、標準試料の基準値を、ＮＨ２／ＳＨ２とする。ＳＯ２は、絶縁膜をＴＤＳ分析したときのイオン強度の積分値である。αは、ＴＤＳ分析におけるイオン強度に影響する係数である。数式１の詳細に関しては、特開平６−２７５６９７公報を参照できる。なお、上記した酸素の脱離量の数値は、電子科学株式会社製の昇温脱離分析装置ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓ／Ｗを用い、標準試料として１×１０１６ｃｍ−３の水素原子を含むシリコンウェハを用いて測定した数値である。
【００４６】
また、ＴＤＳ分析において、酸素の一部は酸素原子として検出される。酸素分子と酸素原子の比率は、酸素分子のイオン化率から算出することができる。なお、上述のαは酸素分子のイオン化率を含むため、酸素分子の脱離量を評価することで、酸素原子の脱離量についても見積もることができる。
【００４７】
なお、ＮＯ２は酸素分子の脱離量である。絶縁膜においては、酸素原子に換算したときの酸素の脱離量は、酸素分子の脱離量の２倍となる。
【００４８】
熱処理により酸素が脱離する膜の一例として、酸素が過剰な酸化シリコン（ＳｉＯｘ（ｘ＞２））がある。酸素が過剰な酸化シリコン（ＳｉＯｘ（ｘ＞２））とは、シリコン原子数の２倍より多い酸素原子を単位体積当たりに含むものである。単位体積当たりのシリコン原子数および酸素原子数は、ラザフォード後方散乱法により測定した値である。
【００４９】
金属酸化物膜１０６ａは、ゲート絶縁膜１０４と絶縁膜１１２との間に設けられている。絶縁膜１１２は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜が用いられ、ゲート絶縁膜１０４は、熱処理により酸素が脱離しない絶縁膜が用いられている。熱処理を行うことより絶縁膜１１２から、酸素が脱離し、金属酸化物膜１０６ａに供給される。
【００５０】
また、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜には、不結合酸素の酸素イオンのような負の固定電荷が多く含まれている。チャネル形成領域を含む金属酸化物膜に接して、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜を設けることにより、トランジスタのしきい値電圧をプラスシフトさせることができるため好ましい。
【００５１】
しかしながら、熱処理時に、絶縁膜から脱離する酸素は、外方拡散するため、金属酸化物膜１０６ａに酸素を十分に供給することができない場合もある。さらに、酸素が外方拡散することによって、絶縁膜中の負の固定電荷が減少してしまう。負の固定電荷が減少してしまうことに伴い、トランジスタのしきい値電圧がマイナスシフトするおそれがある。
【００５２】
そこで、本発明の一態様では、絶縁膜１１２上に接して、金属酸化物膜１０６ａとは別の金属酸化物膜１１４を設けることとする。金属酸化物膜は、酸素の透過を防止することができるため、熱処理時に絶縁膜１１２に含まれる酸素が脱離し、外方拡散されてしまうことを防止することができる。
【００５３】
また、金属酸化物膜１１４に酸素欠損が生じている場合もある。本発明の一態様では、金属酸化物膜１１４を、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜（絶縁膜１１２及び絶縁膜１１６）により挟んで設けることとする。
【００５４】
金属酸化物膜は、膜厚が５ｎｍ程度の極薄膜であっても、酸素の透過を防止することができる。また、金属酸化物膜は、比誘電率が高い（例えば、１５）ため、チャネル形成領域を含む金属酸化物膜以外に金属酸化物膜を用いる場合、膜厚が１５ｎｍを超えてしまうと寄生容量が増加してしまうおそれがある。したがって、金属酸化物膜１１４の膜厚は、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが好ましい。また、金属酸化物膜１１４を上記のように極薄膜とすることで、パッシベーション膜の一部に金属酸化物膜１１４が用いられない場合と比較しても寄生容量の顕著な増加を防止することができる。
【００５５】
酸素の外方拡散を防止するために設ける金属酸化物膜１１４が、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜１１２及び絶縁膜１１６によって挟まれることにより、熱処理時に、絶縁膜１１２及び絶縁膜１１６から酸素が脱離し、金属酸化物膜１１４に供給され、酸素欠損が補償されることによって絶縁化する（絶縁性を示す）。これにより、金属酸化物膜１１４がパッシベーション膜１１０の一部として用いられる場合であっても、トランジスタ２００の電気的特性に影響を与えなくて済む。
【００５６】
また、金属酸化物膜１０６ａに効率よく酸素を供給するためには、金属酸化物膜１０６ａと接する絶縁膜１１２の膜厚は、金属酸化物膜１１４に接する絶縁膜１１６の膜厚より厚いことが好ましい。絶縁膜１１２及び絶縁膜１１６の膜厚は、パッシベーション膜１１０の膜厚により適宜設定すればよい。
【００５７】
絶縁膜１１２として、熱処理により酸素が脱離する膜を用いることで、絶縁膜１１２から金属酸化物膜１０６ａに酸素を供給し、絶縁膜１１２と金属酸化物膜１０６ａとの界面準位を低減できる。従って、トランジスタ２００の動作に起因して生じうる電荷などが、絶縁膜１１２と金属酸化物膜１０６ａとの界面に捕獲されることを抑制でき、トランジスタ２００を電気特性の劣化の少ないトランジスタとすることができる。
【００５８】
また、絶縁膜１１２に接して金属酸化物膜１１４を設けることにより、酸素の外方拡散を防止することができるため、チャネル形成領域を含む金属酸化物膜１０６ａの酸素欠損を十分に補償することができる。これにより、トランジスタのしきい値電圧がマイナスシフトすることを抑制することができる。また、絶縁膜１１２中の負の固定電荷が減少することを防止することができる。これにより、負の固定電荷の減少に伴いトランジスタのしきい値電圧がマイナスシフトすることを抑制することができる。
【００５９】
また、金属酸化物膜１０６ａおよび金属酸化物膜１１４の水素濃度は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。金属酸化物膜１０６ａからなるチャネル形成領域において、水素濃度が低減されていることにより、光照射の前後およびＢＴ（熱・バイアス）ストレス試験前後において、しきい値電圧の変動が小さいことから安定した電気特性を有し、信頼性の高いトランジスタとすることができる。また、半導体ではなく、絶縁体として用いる金属酸化物膜１１４の水素濃度は、より低い濃度であることが好ましい。
【００６０】
金属酸化物膜１１４は、金属酸化物膜１０６ａと同様に、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた二種以上の元素を含む金属酸化物である。ここで、金属酸化物膜１１４に含まれる元素と、金属酸化物膜１０６ａに含まれる元素とが同じであってもよいし、異なっていてもよい。例えば、金属酸化物膜１０６ａ及び金属酸化物膜１１４として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いてもよいし、金属酸化物膜１０６ａとして、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用い、金属酸化物膜１１４として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ−Ｎ系の材料を用いてもよい。
【００６１】
〈半導体装置の応用例〉
図２（Ａ）乃至図２（Ｃ）に、トランジスタ２００とは異なる構成のトランジスタの断面構造を示す。
【００６２】
図２（Ａ）に示すトランジスタ２１０は、基板１００上に、ゲート電極１０２、ゲート電極１０２上に設けられたゲート絶縁膜１２０と、ゲート絶縁膜１２０上に設けられた金属酸化物膜１０６ａと、金属酸化物膜１０６ａに接して設けられたソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂと、を有する。
【００６３】
トランジスタ２００と、トランジスタ２１０との相違は、ゲート絶縁膜１２０の一部に、酸素の外方拡散を防止するための金属酸化物膜が設けられている点にある。つまり、ゲート絶縁膜１２０は、絶縁膜１２２、金属酸化物膜１２４、及び絶縁膜１２６の３層構造である。また、金属酸化物膜１０６ａ、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂ上には、パッシベーション膜として、絶縁膜１１８が設けられている。ここで、絶縁膜１２２、絶縁膜１２６は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜が用いられている。また、絶縁膜１１８は、熱処理により酸素が脱離しない絶縁膜が用いられている。
【００６４】
また、金属酸化物膜１０６ａに効率よく酸素を供給するためには、金属酸化物膜１０６ａと接する絶縁膜１２２は、金属酸化物膜１２４と接する絶縁膜１２６より厚いことが好ましい。絶縁膜１２２及び絶縁膜１２６の膜厚は、ゲート絶縁膜１２０の膜厚により適宜設定すればよい。また、金属酸化物膜１２４も、少なくとも５ｎｍ以上あれば、酸素が透過することを防止することができるため、ゲート絶縁膜１２０の膜厚に応じて適宜設定すればよい。
【００６５】
図２（Ｂ）に示すトランジスタ２２０は、基板１００上に、ゲート電極１０２、ゲート電極１０２上に設けられたゲート絶縁膜１２０と、ゲート絶縁膜１２０上に設けられた金属酸化物膜１０６ａと、金属酸化物膜１０６ａに接して設けられたソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂと、を有する。また、金属酸化物膜１０６ａ、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂ上には、パッシベーション膜１１０が設けられている。
【００６６】
トランジスタ２２０において、ゲート絶縁膜１２０及びパッシベーション膜１１０については、トランジスタ２００及びトランジスタ２１０の記載を参酌することができるため、詳細な説明は省略する。
【００６７】
また、トランジスタ２００、トランジスタ２１０、及びトランジスタ２２０において、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂが、金属酸化物膜１０６ａの上面に接するトップコンタクト構造について説明した。本発明の一態様に係るトランジスタでは、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂが、金属酸化物膜１０６ａの下面に接するボトムコンタクト構造も採用することができる。ボトムコンタクト構造の一例を図２（Ｃ）に示す。
【００６８】
図２（Ｃ）に示すトランジスタ２３０は、基板１００上に、ゲート電極１０２と、ゲート電極１０２上に設けられたゲート絶縁膜１０４と、ゲート絶縁膜１０４上に設けられたソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂと、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂに接して設けられた金属酸化物膜１０６ａと、を有する。また、金属酸化物膜１０６ａ上には、トランジスタ２００と同様にパッシベーション膜１１０が設けられている。
【００６９】
パッシベーション膜１１０は、金属酸化物膜１０６ａの全体を覆うように設けられているため、金属酸化物膜１０６ａに効率よく酸素を供給することができる。
【００７０】
なお、ボトムコンタクト構造のトランジスタにおいても、ゲート絶縁膜の一部に酸素の外方拡散を防止するための金属酸化物膜を設けてもよいし、ゲート絶縁膜の一部及びパッシベーション膜の一部に酸素の外方拡散を防止するための金属酸化物膜を設けてもよい。
【００７１】
以上説明したように、本発明の一態様では、チャネル形成領域を含む金属酸化物膜（第１の金属酸化物膜）の酸素欠損を低減するために、第１の金属酸化物膜に接して熱処理により酸素が脱離する絶縁膜（第１の絶縁膜）を設けている。また、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜（第１の絶縁膜）に接して、第１の金属酸化物膜とは別の金属酸化物膜（第２の金属酸化物膜）を設けている。さらに、第２の金属酸化物膜を、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜（第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜）に挟んで設けている。
【００７２】
加熱により酸素が脱離する絶縁膜１１２（または絶縁膜１２２）を、金属酸化物膜１０６ａと金属酸化物膜１１４（または金属酸化物膜１２４）とで挟んで設けることにより、熱処理時に絶縁膜１１２（または絶縁膜１２２）から脱離した酸素が外部へ放出されることを防ぐことができ、金属酸化物膜１０６ａの酸素欠損を十分に補償することができる。また、絶縁膜１１２（または絶縁膜１２２）に含まれる負の固定電荷が減少することを防止することができる。つまり、本発明の一態様により、金属酸化物膜１０６ａ中の酸素欠損を低減し、また、金属酸化物膜１０６ａと接する絶縁膜１１２（または絶縁膜１２２）に含まれる酸素が外部へ放出されることを防ぐことによって、良好な電気的特性および電気的特性の安定した半導体装置を提供することができる。
【００７３】
〈半導体装置の作製方法〉
次に、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法の一例として、トランジスタ２００の作製方法について、図３を参照して説明する。
【００７４】
まず、基板１００上にゲート電極に適用できる導電膜を成膜した後、フォトリソグラフィ工程により、該導電膜上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて導電膜を所望の形状にエッチングし、ゲート電極１０２を形成する。その後、ゲート電極１０２上にゲート絶縁膜１０４を成膜する（図３（Ａ）参照）。
【００７５】
基板１００として、絶縁表面を有する基板を用いることができる。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などの基板を用いることができる。また、絶縁表面を有していれば、シリコンや炭化シリコンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基板、ＳＯＩ基板などを適用することも可能であり、これらの基板に半導体素子が設けられていてもよい。基板１００に使用することができる基板に大きな制限はないが、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。本実施の形態では、基板１００として、ガラス基板を用いる。
【００７６】
また、基板１００として、可撓性基板を用いることもできる。基板１００として可撓性基板を用いる場合、可撓性基板上にトランジスタを直接作製してもよいし、他の作製基板にトランジスタ２００を作製し、その後、剥離、転置してもよい。なお、作製基板から可撓性基板に剥離、転置するために、作製基板上に剥離層及び絶縁膜を設け、その上にトランジスタ２００を作製すればよい。
【００７７】
ゲート電極１０２に適用できる導電材料として、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンからなる単体金属、またはこれを主成分とする合金を用いることができる。また、ゲート電極１０２に適用できる導電膜は、上述の導電材料を用いて、単層構造または積層構造として形成する。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、タングステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上に重ねてアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造などがある。なお、酸化インジウム、及び酸化インジウムに酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。
【００７８】
ゲート電極１０２に適用できる導電膜は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法等により、膜厚５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下として形成する。その後、フォトリソグラフィ工程により、導電膜上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、導電膜を所望の形状にエッチングすることにより、ゲート電極１０２を形成する。なお、レジストマスクとして、フォトリソグラフィ工程の他にインクジェット法、印刷法等を適宜用いることができる。また、エッチング工程として、ドライエッチング、ウェットエッチング、またはドライエッチング及びウェットエッチングを組み合わせて行うことができる。本実施の形態では、導電膜として、スパッタリング法により、膜厚１５０ｎｍでタングステンを形成する。
【００７９】
ゲート絶縁膜１０４として、酸化シリコン、酸化ガリウム、もしくは酸化アルミニウムなどの酸化物絶縁膜、または窒化シリコン、もしくは窒化アルミニウムなどの窒化物絶縁膜、または酸化窒化シリコン、酸化窒化アルミニウム、もしくは窒化酸化シリコンなどから選ばれる絶縁膜を用いることができる。上述の材料に加えて、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙｘ＞０、ｙ＞０））、窒素が添加されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯｘＮｙ（ｘ＞０、ｙ＞０））、ハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌｘＯｙ（ｘ＞０、ｙ＞０））、などのｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることができる。なお、ゲート絶縁膜１０４は、該ｈｉｇｈ−ｋ材料を単層構造で形成してもよいし、上記の材料からなる絶縁膜との積層構造で形成してもよい。
【００８０】
ゲート絶縁膜１０４は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法等により、膜厚５ｎｍ以上３００ｎｍ以下として成膜する。ゲート絶縁膜１０４として、上述のｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることにより、電気的な（例えば、酸化シリコン膜換算の）ゲート絶縁膜の厚さを変えないまま、物理的なゲート絶縁膜を厚くすることができるため、ゲートリーク電流を低減できる。
【００８１】
本実施の形態では、ゲート絶縁膜１０４として、プラズマＣＶＤ法により、酸化窒化シリコン膜を成膜する。プラズマＣＶＤ法により成膜された酸化シリコン膜は、熱処理により酸素が脱離しない膜である。
【００８２】
次に、ゲート絶縁膜１０４上に金属酸化物膜１０６を成膜する（図３（Ｂ）参照）。
【００８３】
金属酸化物膜１０６の材料として、Ｉｎ、Ｇａ、ＺｎおよびＳｎから選ばれた二種以上を含む金属酸化物材料を用いることができる。例えば、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料や、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系の材料や、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｍｇ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系の材料や、Ｉｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｏ系の材料、Ｚｎ−Ｏ系の材料などを用いればよい。ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料とは、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）を有する酸化物、という意味であり、その組成比は特に問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の元素を含んでいてもよい。このとき、金属酸化物膜の化学量論比に対し、酸素を過剰にすることが好ましい。酸素を過剰にすることにより金属酸化物膜の酸素欠損に起因するキャリアの生成を抑制することができる。
【００８４】
金属酸化物膜１０６の材料として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いる場合、ターゲットの一例として、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ数比］の組成比を有するものがある。さらに、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するターゲット、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：４［ｍｏｌ数比］の組成比を有するターゲット、またはＩｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝２：１：８［ｍｏｌ数比］の組成比を有するターゲットを用いることもできる。
【００８５】
または、金属酸化物膜１０６の材料としてＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いる場合、原子数比で、Ｉｎ：Ｚｎ＝０．５以上５０以下：１、好ましくはＩｎ：Ｚｎ＝１以上２０以下：１、さらに好ましくはＩｎ：Ｚｎ＝３以上３０以下：２とする。Ｚｎの原子数比を前述の範囲とすることで、トランジスタ２００の電界効果移動度を向上させることができる。ここで、化合物の原子数比がＩｎ：Ｚｎ：Ｏ＝Ｘ：Ｙ：Ｚのとき、Ｚ＞１．５Ｘ＋Ｙとすると好ましい。
【００８６】
金属酸化物膜１０６として、化学式ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される材料を用いてもよい。ここで、Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、ＭｎおよびＣｏから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えば、Ｍとして、Ｇａ、ＧａおよびＡｌ、ＧａおよびＭｎまたはＧａおよびＣｏなどを用いてもよい。
【００８７】
金属酸化物膜１０６は、スパッタリング法、分子線エピタキシー法、原子層堆積法またはパルスレーザー蒸着法により成膜することができる。また、金属酸化物膜１０６の膜厚は、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下とする。なお、該金属酸化物膜は、成膜した直後は半導体である。
【００８８】
また、金属酸化物膜１０６は、非晶質であってもよく、結晶性を有していてもよい。例えば、金属酸化物膜１０６は、非単結晶であり、詳細には、該非単結晶のａｂ面に垂直な方向から見て、三角形、六角形、正三角形、又は正六角形の原子配列を有し、且つ、ｃ軸に垂直な方向から見て、金属原子が層状、又は金属原子と酸素原子が層状に配列した相を含む金属酸化物である。なお、本明細書では、該金属酸化物膜をＣＡＡＣ−ＯＳ膜と呼ぶ。また、トランジスタ２００のチャネル形成領域を含む膜として、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を用いることで、可視光または紫外光の照射、および熱やバイアスなどが加わることによるトランジスタ２００の電気特性の変動を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００８９】
金属酸化物膜１０６をＣＡＡＣ−ＯＳ膜とするには、例えば以下の２種類の方法がある。１つの方法は、金属酸化物膜１０６の成膜を、基板を加熱しながら行う方法であり、もう１つの方法は、金属酸化物膜１０６の成膜を２回に分け、１度目の成膜の後、２度目の成膜の後のそれぞれに熱処理を行う方法である。
【００９０】
基板を加熱しながら金属酸化物膜１０６の成膜を１回で行う場合には、基板温度は、例えば、１５０℃以上４５０℃以下、好ましくは基板温度が２５０℃以上３５０℃以下とする。なお、金属酸化物膜１０６の成膜時に、基板１００を加熱する温度を高くすることで、非晶質な部分に対して結晶部分の占める割合の多いＣＡＡＣ−ＯＳ膜とすることができる。
【００９１】
また、金属酸化物膜１０６の成膜を２回に分ける場合には、基板１００を基板温度１００℃以上４５０℃以下に保ちながら、ゲート絶縁膜１０４の上に１層目の金属酸化物膜を形成し、窒素、酸素、希ガス、または乾燥空気の雰囲気下で、５５０℃以上基板の歪み点未満の熱処理を行う。該熱処理によって、１層目の金属酸化物膜の表面を含む領域に結晶領域（板状結晶を含む）が形成される。そして、２層目の金属酸化物膜を１層目の金属酸化物膜よりも厚く形成する。その後、再び５５０℃以上基板の歪み点未満の熱処理を行い、表面を含む領域に、結晶領域（板状結晶を含む）が形成された１層目の金属酸化物膜を結晶成長の種として、上方に結晶成長させ、２層目の金属酸化物膜の全体を結晶化させる。なお、１層目の酸化物半導体膜は１ｎｍ以上１０ｎｍ以下で成膜することが好ましい。
【００９２】
スパッタリング法を用いて、金属酸化物膜１０６を成膜する際、できる限り金属酸化物膜１０６に含まれる水素濃度を低減させることが好ましい。水素濃度を低減させるには、スパッタリング装置の処理室内に供給する雰囲気ガスとして、水素、水、水酸基を含む化合物または水素化物などの不純物が除去された高純度の希ガス（代表的にはアルゴン）、酸素、および希ガスと酸素との混合ガスを適宜用いる。さらには、該処理室の排気は、水の排気能力の高いクライオポンプおよび水素の排気能力の高いスパッタイオンポンプを組み合わせて用いればよい。
【００９３】
上記のようにすることで、水素の混入が低減された金属酸化物膜１０６を成膜することができる。なお、上記スパッタリング装置を用いても、金属酸化物膜１０６には少なからず窒素を含んで形成される。例えば、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で測定される金属酸化物膜１０６の窒素濃度は、５×１０１８ｃｍ−３未満となる。
【００９４】
金属酸化物膜１０６を成膜する際または成膜後において、金属酸化物膜１０６の酸素欠損に起因して電荷が生じる場合がある。一般に金属酸化物膜における酸素欠損は、その酸素欠損の一部がドナーとなりキャリアである電子を生じる。つまり、トランジスタ２００においても、金属酸化物膜１０６の酸素欠損の一部はドナーとなり、キャリアである電子が生じることで、トランジスタ２００のしきい値電圧がマイナス方向に変動してしまう。そして、金属酸化物膜１０６において、該電子の生成は、金属酸化物膜１０６とゲート絶縁膜１０４との界面近傍で生じる酸素欠損において顕著である。
【００９５】
そこで、金属酸化物膜１０６を成膜後に、第１の熱処理を行う。
【００９６】
第１の熱処理は、金属酸化物膜から水素（水、水酸基を含む化合物）を放出させるために行う。つまり、第１の熱処理は金属酸化物膜１０６から、不安定なキャリア源である水素を脱離させることによって、トランジスタ２００のしきい値電圧がマイナス方向へ変動することを抑制させることができる。さらに、トランジスタ２００の信頼性を向上させることができる。
【００９７】
第１の熱処理の温度は、例えば、１５０℃以上基板歪み点温度未満、好ましくは２５０℃以上４５０℃以下、さらに好ましくは３００℃以上４５０℃以下とし、酸化性雰囲気または不活性雰囲気で行う。ここで、酸化性雰囲気は、酸素、オゾンまたは窒化酸素などの酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上含有する雰囲気をいう。また、不活性雰囲気は、前述の酸化性ガスが１０ｐｐｍ未満であり、その他、窒素または希ガスで充填された雰囲気をいう。処理時間は３分〜２４時間とする。２４時間を超える熱処理は生産性の低下を招くため好ましくない。
【００９８】
第１の熱処理に用いる加熱装置に特別な限定はなく、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を備えていてもよい。例えば、電気炉や、ＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置、ＧＲＴＡ（Ｇａｓ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置等のＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置を用いることができる。ＬＲＴＡ装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光（電磁波）の輻射により、被処理物を加熱する装置である。ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて熱処理を行う装置である。
【００９９】
次に、フォトリソグラフィ工程により金属酸化物膜１０６上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、金属酸化物膜１０６を所望の形状にエッチングし、島状の金属酸化物膜１０６ａを形成する（図３（Ｃ）参照）。なお、該レジストマスクは、フォトリソグラフィ工程の他にインクジェット法、印刷法等を適宜用いることができる。該エッチングは、金属酸化物膜１０６ａの端部がテーパ形状となるようにエッチングすることが好ましい。島状の金属酸化物膜１０６ａの端部をテーパ形状とすることで、本工程以降のトランジスタ２００の作製において、形成される膜の被覆性を向上させることができ、該膜の断切れを防止することができる。テーパ形状は、該レジストマスクを後退させつつエッチングすることで形成することができる。
【０１００】
エッチング工程は、ドライエッチングまたはウェットエッチングを用いればよく、これらを組み合わせて行ってもよい。ウェットエッチングに用いるエッチング液としては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液、アンモニア過水（３１重量％過酸化水素水：２８重量％アンモニア水：水＝５：２：２（体積比））などを用いることができる。また、ＩＴＯ−０７Ｎ（関東化学社製）を用いてもよい。
【０１０１】
ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素を含むガス（塩素系ガス、例えば塩素（Ｃｌ２）、三塩化硼素（ＢＣｌ３）、四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）など）が好ましい。また、フッ素を含むガス（フッ素系ガス、例えば四弗化炭素（ＣＦ４）、六弗化硫黄（ＳＦ６）、三弗化窒素（ＮＦ３）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）など）、臭化水素（ＨＢｒ）、酸素（Ｏ２）、これらのガスにヘリウム（Ｈｅ）やアルゴン（Ａｒ）などの希ガスを添加したガス、などを用いることができる。
【０１０２】
ドライエッチングとしては、平行平板型ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法や、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用いることができる。所望の形状に加工できるように、エッチング条件（コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度など）を適宜調節する。
【０１０３】
次に、金属酸化物膜１０６ａ上にソース電極及びドレイン電極に適用できる導電膜を成膜した後、フォトリソグラフィ工程により、該導電膜上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて導電膜を所望の形状にエッチングし、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂを形成する（図３（Ｄ）参照）。ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂに適用できる導電材料として、ゲート電極１０２に適用できる導電材料と同様の導電材料を用いることができる。
【０１０４】
本実施の形態では、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂとして、スパッタリング法により、膜厚５０ｎｍのチタン膜、膜厚１００ｎｍのアルミニウム膜、膜厚５０ｎｍのチタン膜を成膜した後、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより形成する。
【０１０５】
次に、金属酸化物膜１０６ａ、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂ上にパッシベーション膜１１０を成膜する（図３（Ｅ）参照）。本実施の形態では、パッシベーション膜１１０として、絶縁膜１１２、金属酸化物膜１１４、絶縁膜１１６を順に成膜する。
【０１０６】
絶縁膜１１２及び絶縁膜１１６は、酸化シリコン、酸化ガリウム、もしくは酸化アルミニウム、酸化窒化シリコン、酸化窒化アルミニウムなどから選ばれる絶縁膜を用いることができる。なお、絶縁膜１１２及び絶縁膜１１６の成膜方法は、ゲート絶縁膜１０４と同様の成膜方法を適用すればよい。
【０１０７】
金属酸化物膜１１４は、金属酸化物膜１０６と同様の材料及び成膜方法を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
【０１０８】
パッシベーション膜１１０の膜厚は、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすればよい。
【０１０９】
本実施の形態では、絶縁膜１１２として、スパッタリング法により、膜厚２００ｎｍで酸化シリコン膜を成膜し、金属酸化物膜１１４として、スパッタリング法により、膜厚５ｎｍで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を成膜し、絶縁膜１１６として、膜厚５０ｎｍでスパッタリング法により、酸化シリコン膜を成膜する。
【０１１０】
なお、スパッタリング法を用いて、絶縁膜１１２、絶縁膜１１６を成膜する場合、できる限り、絶縁膜１１２、絶縁膜１１６に含まれる水素濃度を低減することが好ましい。水素濃度を低減させるには、スパッタリング装置の処理室内に供給する雰囲気ガスとして、水素、水、水酸基を含む化合物などの不純物が除去された高純度の希ガス（代表的にはアルゴン）、酸素、および希ガスと酸素との混合ガスを適宜用いる。さらには、該処理室の排気は、水の排気能力の高いクライオポンプおよび水素の排気能力の高いスパッタイオンポンプを組み合わせて用いればよい。
【０１１１】
第１の熱処理の際、金属酸化物膜１０６ａから水素を放出させると共に、金属酸化物膜１０６ａの上面からは酸素が外部へ脱離してしまうおそれがある。これにより、金属酸化物膜１０６ａにおいて、酸素欠損が生じる場合がある。新たに生じた酸素欠損を補償するために、パッシベーション膜１１０を成膜した後に、第２の熱処理を行うことが好ましい。
【０１１２】
第２の熱処理の条件及び装置は、第１の熱処理の条件及び装置を適宜用いればよいため、詳細な説明は省略する。
【０１１３】
第２の熱処理を行うことにより、絶縁膜１１２から酸素が脱離し、金属酸化物膜１０６ａに供給される。また、絶縁膜１１２上には、酸素の外方拡散を防止するための金属酸化物膜１１４が設けられているため、第２の熱処理時に、絶縁膜１１２に含まれる酸素の外方拡散を防止することができ、効率的に金属酸化物膜１０６ａに酸素を供給することができる。また、金属酸化物膜１１４は、絶縁膜１１２及び絶縁膜１１６から酸素が供給されることにより、酸素欠損が補償されることにより抵抗が上がるため、絶縁体となる（絶縁性を示す）。これにより、金属酸化物膜１１４がパッシベーション膜１１０の一部として用いられる場合であっても、トランジスタ２００の電気的特性に影響を与えなくて済む。
【０１１４】
第１の熱処理及び第２の熱処理を行うことによって、金属酸化物膜１０６ａ及び金属酸化物膜１１４は膜中の水素濃度が低減され、高純度化された金属酸化物となる。また、金属酸化物膜１０６ａ及び金属酸化物膜１１４の水素濃度は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となる。また、半導体ではなく、絶縁体として用いる金属酸化物膜１１４の水素濃度は、より低い濃度であることが好ましい。なお、金属酸化物膜１０６ａ及び金属酸化物膜１１４中の水素濃度は、ＳＩＭＳ分析で測定されるものである。
【０１１５】
第１の熱処理及び第２の熱処理によって、水素濃度が十分に低減されて高純度化され、且つ十分な酸素が供給されて酸素欠損に起因するエネルギーギャップ中の欠陥準位が低減された金属酸化物膜１０６ａを用いることで、トランジスタ２００のオフ電流を低減させることができる。具体的には、室温（２５℃）でのオフ電流（ここでは、単位チャネル幅（１μｍ）あたりの値）は１００ｚＡ（１ｚＡ（ゼプトアンペア）は１×１０−２１Ａ）以下、望ましくは１０ｚＡ以下となる。
【０１１６】
また、リチウム（Ｌｉ）やナトリウム（Ｎａ）などのアルカリ金属は、金属酸化物膜１０６ａ及び金属酸化物膜１１４にとっては、不純物であるため含有量を少なくすることが好ましい。金属酸化物膜１０６ａ及び金属酸化物膜１１４に含まれるアルカリ金属の濃度は、２×１０１６ｃｍ−３以下、好ましくは、１×１０１５ｃｍ−３以下とすることが好ましい。さらに、アルカリ土類金属も不純物であるため含有量を少なくすることが好ましい。
【０１１７】
また、金属酸化物膜は、水素や酸素欠損の量に応じて、導体であったり、半導体であったり、絶縁体であったりする。例えば、金属酸化物膜の抵抗率は、金属酸化物膜に含まれる水素や酸素欠損の量によって変化する。
【０１１８】
金属酸化物膜を挟む絶縁膜の両方に、熱処理により酸素が脱離しない絶縁膜を用いて、熱処理（例えば、３５０℃）を行うと、金属酸化物膜の抵抗率は、１０［Ω・ｃｍ］以下となるため、金属酸化物膜は導体となる。また、金属酸化物膜を挟む絶縁膜の両方に、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜を用いて、熱処理（例えば、３５０℃）を行うと、抵抗率は１×１０８［Ω・ｃｍ］以上となるため、金属酸化物膜は絶縁体となる（絶縁性を示す）。したがって、金属酸化物膜１１４を絶縁体とするためには、抵抗率が、１×１０８［Ω・ｃｍ］以上となるように形成すればよい。
【０１１９】
また、金属酸化物膜１０６ａを半導体とするためには、導体となる抵抗率と絶縁体となる抵抗率の間の値をとればよいため、金属酸化物膜１０６ａは、抵抗率が、１０［Ω・ｃｍ］を超えて１×１０８［Ω・ｃｍ］未満となるように形成すればよい。
【０１２０】
以上の工程によって、トランジスタ２００を作製することができる（図３（Ｅ）参照）。
【０１２１】
チャネル形成領域を含む金属酸化物膜（酸化物半導体）に接して、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜を設け、絶縁膜に接して、酸素の外方拡散を防止するための金属酸化物膜を設けることにより、該絶縁膜から酸素の外方拡散を抑制し、チャネル形成領域を含む金属酸化物膜に効率よく酸素を供給することができる。これにより、チャネル形成領域を含む金属酸化物膜の酸素欠損を低減させることができるため、キャリアである電子の生成を抑制し、トランジスタのしきい値電圧がマイナス方向に変動することを抑制することができる。
【０１２２】
また、酸素の外方拡散を防止するための金属酸化物膜は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜で挟み、熱処理を行うことで、酸素の外方拡散を防止するための金属酸化物膜についても酸素欠損が低減し、絶縁化することが可能である。
【０１２３】
〈半導体装置の応用例の作製方法〉
図２（Ａ）に示すトランジスタ２１０を作製する場合は、以下の通りに作製すればよい。
【０１２４】
基板１００上にゲート電極１０２を形成した後、ゲート絶縁膜１２０を形成する。ゲート絶縁膜１２０は、絶縁膜１２６、金属酸化物膜１２４、絶縁膜１２２の順で成膜する。
【０１２５】
絶縁膜１２６及び絶縁膜１２２の材料及び成膜方法は、絶縁膜１１６及び絶縁膜１１２の材料及び成膜方法と同様である。また、金属酸化物膜１２４の材料及び成膜方法は、金属酸化物膜１１４と同様である。
【０１２６】
次に、ゲート絶縁膜１２０を成膜した後、第１の熱処理を行うことが好ましい。ここで、金属酸化物膜１２４は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜１２６及び絶縁膜１２２に挟まれているため、金属酸化物膜１２４は絶縁体となる（絶縁性を示す）。その後、ゲート絶縁膜１２０上に金属酸化物膜を形成し、該金属酸化物膜にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより、金属酸化物膜１０６ａを形成する。
【０１２７】
次に、金属酸化物膜１０６ａ上に導電膜を成膜した後、該導電膜にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂを形成する。
【０１２８】
次に、金属酸化物膜１０６ａ、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂ上に絶縁膜１１８を形成する。絶縁膜１１８は、絶縁膜１１２の材料及び成膜方法と同様である。その後、第２の熱処理を行っても良い。
【０１２９】
以上により、トランジスタ２１０を作製することができる。
【０１３０】
図２（Ｂ）に示すトランジスタ２２０を作製する場合は、以下の通りに作製すればよい。
【０１３１】
基板１００上にゲート電極１０２を形成した後、ゲート絶縁膜１２０を形成する。
【０１３２】
次に、ゲート絶縁膜１２０上に金属酸化物膜を成膜した後、該金属酸化物膜にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより、金属酸化物膜１０６ａを形成する。その後、第１の熱処理を行う。これにより、絶縁膜１２６から脱離した酸素は、金属酸化物膜１２４に供給され、絶縁膜１２２から脱離した酸素は、金属酸化物膜１２４及び１０６ａに供給される。また、金属酸化物膜１０６ａに含まれる水素や水などを低減することができる。
【０１３３】
次に、金属酸化物膜１０６ａ上に、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂ、パッシベーション膜１１０を形成する。その後、第２の熱処理を行う。
【０１３４】
以上により、トランジスタ２２０を作製することができる。
【０１３５】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１３６】
（実施の形態２）
本実施の形態では、先の実施の形態で示すトランジスタとは異なる構造のトランジスタについて説明する。
【０１３７】
図４に、本発明の一態様に係る半導体装置の一例として、トランジスタ４００の平面図及び断面図を示す。ここで、図４（Ａ）は平面図であり、図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）はそれぞれ図４（Ａ）におけるＡ１−Ａ２断面、Ｂ１−Ｂ２断面に係る断面図である。なお、図４（Ａ）では、煩雑になることを避けるため、トランジスタ４００の構成要素の一部（例えば、ゲート絶縁膜３０４など）を省略している。
【０１３８】
図４（Ａ）に示すトランジスタ４００は、基板３００上に、下地絶縁膜３１０を介して金属酸化物膜３０６ａと、金属酸化物膜３０６ａに接して設けられたソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂと、金属酸化物膜３０６ａ、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂ上に設けられたゲート絶縁膜３０４と、ゲート絶縁膜３０４上に金属酸化物膜３０６ａと重畳するように設けられたゲート電極３０２と、を有する。
【０１３９】
なお、基板３００は、基板１００と同様のものを用いればよい。また、金属酸化物膜３０６ａは、金属酸化物膜１０６ａと同様の材料及び同様の方法により形成されたものを用いればよい。また、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂは、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂと同様の材料及び同様の方法により形成されたものを用いればよい。また、ゲート絶縁膜３０４は、ゲート絶縁膜１０４と同様の材料及び同様の方法により形成されたものを用いればよい。また、ゲート電極３０２は、ゲート電極１０２と同様の材料及び同様の方法により形成されたものを用いればよい。
【０１４０】
また、図４に示すトランジスタ４００は、トップゲート構造のトランジスタであり、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂは、金属酸化物膜３０６ａの上面に接するトップコンタクト構造である。なお、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂは、金属酸化物膜３０６ａの下面に接するボトムコンタクト構造であってもよい。
【０１４１】
金属酸化物膜３０６ａと、ゲート電極３０２とが重畳する領域は、チャネル形成領域として機能する。
【０１４２】
また、基板３００上には、下地絶縁膜３１０が設けられている。下地絶縁膜３１０は、金属酸化物膜３０６ａと接するように設けられている。図４に示すトランジスタ４００において、下地絶縁膜３１０は、絶縁膜３１２、金属酸化物膜３１４、及び絶縁膜３１６を有する。ここで、絶縁膜３１２及び絶縁膜３１６は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜が用いられている。なお、ゲート絶縁膜３０４については、熱処理により酸素が脱離しない絶縁膜が用いられている。
【０１４３】
金属酸化物膜３０６ａは、ゲート絶縁膜３０４と絶縁膜３１２との間に設けられている。絶縁膜３１２は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜が用いられている。熱処理を行うことにより、絶縁膜３１２から、酸素が脱離し、金属酸化物膜３０６ａに供給される。
【０１４４】
また、本発明の一態様では、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜３１２に接して酸素の外方拡散を防止するための金属酸化物膜３１４が設けられている。これにより、熱処理時に絶縁膜３１２に含まれる酸素が脱離し、外方拡散することを防止することができる。
【０１４５】
さらに、本発明の一態様では、酸素の外方拡散を防止するために設ける金属酸化物膜３１４は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜３１２、絶縁膜３１６によって挟まれている。これにより、熱処理時に、絶縁膜３１６からも酸素が脱離し、金属酸化物膜３１４に供給される。金属酸化物膜３１４は、絶縁膜３１２及び絶縁膜３１６から酸素が供給されることにより、酸素欠損が補償されるため絶縁体となる（絶縁性を示す）。これにより、金属酸化物膜３１４が下地絶縁膜３１０の一部として用いられる場合であっても、トランジスタ４００の電気的特性に影響を与えなくて済む。
【０１４６】
また、金属酸化物膜３０６ａに効率良く酸素を供給するためには、金属酸化物膜３０６ａと接する絶縁膜３１２は、金属酸化物膜３１４に接する絶縁膜３１６より厚いことが好ましい。絶縁膜３１２及び絶縁膜３１６の膜厚は、下地絶縁膜３１０の膜厚により適宜設定すればよい。
【０１４７】
なお、絶縁膜３１２は、絶縁膜１１２と同様の材料及び同様の方法により形成されたものを用いればよい。また、金属酸化物膜３１４は、金属酸化物膜１１４と同様の材料及び同様の方法により形成されたものを用いればよい。また、絶縁膜３１６は、絶縁膜１１６と同様の材料及び同様の方法により形成されたものを用いればよい。
【０１４８】
絶縁膜３１２として、熱処理により酸素が脱離する膜を用いることで、絶縁膜３１２から金属酸化物膜３０６ａに酸素を供給し、絶縁膜３１２と金属酸化物膜３０６ａとの界面準位を低減できる。従って、トランジスタ４００の動作に起因して生じうる電荷などが、絶縁膜３１２と金属酸化物膜３０６ａとの界面に捕獲されることを抑制でき、トランジスタ４００を電気特性の劣化の少ないトランジスタとすることができる。
【０１４９】
金属酸化物膜３１４は、金属酸化物膜３０６ａと同様に、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた二種以上の元素を含む金属酸化物である。ここで、金属酸化物膜３１４に含まれる元素と、金属酸化物膜３０６ａに含まれる元素とが同じであってもよいし、異なっていてもよい。例えば、金属酸化物膜３０６ａ及び金属酸化物膜３１４として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いてもよいし、金属酸化物膜３０６ａとして、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用い、金属酸化物膜３１４として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ−Ｎ系の材料を用いてもよい。
【０１５０】
〈半導体装置の応用例〉
図５（Ａ）乃至図５（Ｃ）に、トランジスタ４００とは異なる構成のトランジスタの断面構造を示す。
【０１５１】
図５（Ａ）に示すトランジスタ４１０は、基板３００上に、下地絶縁膜として絶縁膜３１８を設け、該絶縁膜３１８上の金属酸化物膜３０６ａと、金属酸化物膜３０６ａに接して設けられたソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂと、金属酸化物膜３０６ａ、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂ上に設けられたゲート絶縁膜３２０と、ゲート絶縁膜３２０上に金属酸化物膜３０６ａのチャネル形成領域と重畳するように設けられたゲート電極３０２と、を有する。
【０１５２】
トランジスタ４００と、トランジスタ４１０との相違は、ゲート絶縁膜３２０の一部に、酸素の外方拡散を防止するための金属酸化物膜が設けられている点にある。つまり、ゲート絶縁膜３２０は、絶縁膜３２２、金属酸化物膜３２４、及び絶縁膜３２６の３層構造である。また、下地絶縁膜として、絶縁膜３１８が設けられている。ここで、絶縁膜３２６、３２２、及び絶縁膜３１８は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜が用いられている。
【０１５３】
また、金属酸化物膜３０６ａに効率よく酸素を供給するためには、金属酸化物膜３０６ａと接する絶縁膜３２２は、金属酸化物膜３２４と接する絶縁膜３２６より厚いことが好ましい。絶縁膜３２２及び絶縁膜３２６の膜厚は、ゲート絶縁膜３２０の膜厚により適宜設定すればよい。また、金属酸化物膜３２４も、少なくとも５ｎｍ以上あれば、酸素が透過することを防止できるため、ゲート絶縁膜３２０の膜厚に応じて適宜設定すればよい。
【０１５４】
図５（Ｂ）に示すトランジスタ４２０は、基板３００上に、下地絶縁膜３１０を介して金属酸化物膜３０６ａと、金属酸化物膜３０６ａに接して設けられたソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂと、金属酸化物膜３０６ａ、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂ上に設けられたゲート絶縁膜３２０と、ゲート絶縁膜３２０上に金属酸化物膜３０６ａのチャネル形成領域と重畳するように設けられたゲート電極３０２と、を有する。
【０１５５】
トランジスタ４２０において、下地絶縁膜３１０及びゲート絶縁膜３２０については、トランジスタ４００及びトランジスタ４１０の記載を参酌することができるため、詳細な説明は省略する。
【０１５６】
また、トランジスタ４００、トランジスタ４１０、及びトランジスタ４２０において、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂが、金属酸化物膜３０６ａの上面に接するトップコンタクト構造について説明した。本発明の一態様に係るトランジスタでは、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂが、金属酸化物膜３０６ａの下面に接するボトムコンタクト構造も採用することができる。ボトムコンタクト構造の一例を図５（Ｃ）に示す。
【０１５７】
図５（Ｃ）に示すトランジスタ４３０は、基板３００上に、設けられた下地絶縁膜３１０と、下地絶縁膜３１０上に設けられたソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂと、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂに接して設けられた金属酸化物膜３０６ａと、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂ、及び金属酸化物膜３０６ａ上に設けられたゲート絶縁膜３０４と、金属酸化物膜３０６ａのチャネル形成領域と重畳するように設けられたゲート電極３０２と、を有する。
【０１５８】
以上のように、本発明の一態様に係るトランジスタは、様々な態様をとることが可能である。
【０１５９】
また、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０１６０】
（実施の形態３）
本実施の形態では、先の実施の形態に示すトランジスタを用いた半導体装置及びその作製方法、並びに回路構成および動作の例について、図６乃至図８を参照して説明する。また、本実施の形態では、いわゆるＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）に相当する構成の半導体装置の一例について説明する。なお、回路図においては、酸化物半導体を用いたトランジスタであることを示すために、ＯＳの符号を併せて付す場合がある。
【０１６１】
〈半導体装置の断面構成〉
はじめに、半導体装置の断面構成の一例について、図６（Ａ）を参照して説明する。図６（Ａ）に示す半導体装置は、トランジスタ４００と、容量素子４０２とを有する。
【０１６２】
図６（Ａ）におけるトランジスタ４００は、本発明の一態様であるトランジスタが適用される。トランジスタ４００は、基板３００上に、下地絶縁膜３１０を介して金属酸化物膜３０６ａと、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂと、ゲート絶縁膜３０４と、ゲート電極３０２ａと、を有する。下地絶縁膜３１０は、絶縁膜３１２と、金属酸化物膜３１４と、絶縁膜３１６と、を有する。
【０１６３】
図６（Ａ）における容量素子４０２は、ゲート絶縁膜３０４、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、電極３０２ｂと、を有する。ソース電極又はドレイン電極３０８ａは、容量素子４０２の一方の電極として機能し、電極３０２ｂは、容量素子４０２の他方の電極として機能する。
【０１６４】
また、トランジスタ４００および容量素子４０２を覆うように絶縁膜３３０が設けられている。そして、絶縁膜３３０に設けられた開口を介してソース電極又はドレイン電極３０８ｂと、配線３３２とが接続されている。
【０１６５】
〈基本回路〉
次に、図６（Ａ）で示した半導体装置の基本的な回路構成およびその動作について、図６（Ｂ）を参照して説明する。図６（Ｂ）に示す半導体装置において、第１の配線（１ｓｔ Ｌｉｎｅ）とトランジスタ４００のソース電極またはドレイン電極とは、電気的に接続され、第２の配線（２ｎｄ Ｌｉｎｅ）とトランジスタ４００のゲート電極とは、電気的に接続され、容量素子４０２の電極の一方とトランジスタ４００のドレイン電極またはソース電極とは、電気的に接続されている。また、第３の配線（３ｒｄ Ｌｉｎｅ）と容量素子４０２の電極の他方とは、電気的に接続されている。
【０１６６】
ここで、トランジスタ４００には、例えば、酸化物半導体を用いたトランジスタが適用される。酸化物半導体を用いたトランジスタは、オフ電流が極めて小さいという特徴を有している。このため、トランジスタ４００をオフ状態とすることで、容量素子４０２に与えられた電位を、極めて長時間にわたって保持することが可能である。
【０１６７】
図６（Ｂ）に示す半導体装置では、容量素子４０２に与えられた電位が保持可能という特徴を生かすことで、次のように、情報の書き込み、保持、読み出しが可能である。
【０１６８】
次に、情報の書き込みおよび保持について説明する。ここでは簡単のため、第３の配線の電位は固定されているものとする。まず、第２の配線の電位を、トランジスタ４００がオン状態となる電位にして、トランジスタ４００をオン状態とする。これにより、第１の配線の電位が、容量素子４０２の電極の一方に与えられる。すなわち、容量素子４０２には、所定の電荷が与えられる（書き込み）。その後、第２の配線の電位を、トランジスタ４００がオフ状態となる電位にして、トランジスタ４００をオフ状態とすることにより、容量素子４０２に与えられた電荷が保持される（保持）。トランジスタ４００は上述のとおり、極めてオフ電流が小さいので、長時間にわたって電荷を保持できる。
【０１６９】
次に、情報の読み出しについて説明する。第１の配線に所定の電位（定電位）を与えた状態で、第２の配線の電位を、トランジスタ４００がオン状態となる電位にすると、容量素子４０２に保持されている電荷量に応じて、第１の配線は異なる電位をとる。このため、第１の配線の電位を検出することで、保持されている情報を読み出すことができる。
【０１７０】
次に、情報の書き換えについて説明する。情報の書き換えは、上記情報の書き込みおよび保持と同様に行われる。つまり、第２の配線の電位を、トランジスタ４００がオン状態となる電位にして、トランジスタ４００をオン状態とする。これにより、第１の配線の電位（新たな情報に係る電位）が、容量素子４０２の電極の一方に与えられる。その後、第２の配線の電位を、トランジスタ４００がオフ状態となる電位にして、トランジスタ４００をオフ状態とすることにより、容量素子４０２は、新たな情報に係る電荷が与えられた状態となる。
【０１７１】
このように、本発明の一態様に係る半導体装置は、再度の情報の書き込みによって直接的に情報を書き換えることが可能である。このため、半導体装置の高速動作が実現される。
【０１７２】
なお、上記説明は、電子をキャリアとするｎ型トランジスタ（ｎチャネル型トランジスタ）を用いる場合についてのものであるが、ｎ型トランジスタに代えて、正孔を多数キャリアとするｐ型トランジスタを用いることができるのはいうまでもない。
【０１７３】
図７に、（ｍ×ｎ）個のメモリセル４５０を有する半導体装置の回路図の一例を示す。図７中のメモリセル４５０の構成は、図６と同様である。すなわち、図６における第１の配線が図７におけるビット線ＢＬに相当し、図６における第２の配線が図７におけるワード線ＷＬに相当し、図６における第３の配線が図７におけるソース線ＳＬに相当する（図７参照）。
【０１７４】
図７に示す半導体装置は、ｎ本のビット線ＢＬと、ｍ本のワード線ＷＬと、メモリセル４５０が縦ｍ個（行）×横ｎ個（列）のマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、ｎ本のビット線ＢＬに接続する第１の駆動回路４６１と、ｍ本のワード線ＷＬに接続する第２の駆動回路４６２と、を有する。
【０１７５】
メモリセル４５０は、トランジスタ４００と、容量素子４０２と、から構成されている。トランジスタ４００のゲート電極は、ワード線ＷＬと接続されている。また、トランジスタ４００のソース電極またはドレイン電極の一方は、ビット線ＢＬと接続されており、トランジスタ４００のソース電極またはドレイン電極の他方は、容量素子４０２の電極の一方と接続されている。また、容量素子４０２の電極の他方はソース線ＳＬと接続され、一定の電位が与えられている。トランジスタ４００には、先の実施の形態に示すトランジスタが適用される。
【０１７６】
本発明の一態様である半導体装置は、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いるトランジスタであるため、単結晶シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタに比べてオフ電流が小さいという特徴を有する。このため、いわゆるＤＲＡＭとして認識されている図７に示す半導体装置に当該トランジスタを適用する場合、リフレッシュ期間のきわめて長いメモリを得ることが可能である。
【０１７７】
〈半導体装置の作製方法〉
次に、図６に示す半導体装置の作製方法について、図８を参照して説明する。
【０１７８】
まず、基板３００上に、下地絶縁膜３１０として機能する絶縁膜３１２、金属酸化物膜３１４、絶縁膜３１６を順に成膜する（図８（Ａ）参照）。なお、基板３００は、基板１００と同様の材料を用いることができるため詳細な説明は省略する。また、絶縁膜３１２及び絶縁膜３１６はそれぞれ、絶縁膜１１２及び絶縁膜１１６の記載を参酌することができる。
【０１７９】
次に、下地絶縁膜３１０上に、金属酸化物膜３０６ａを形成する（図８（Ｂ）参照）。金属酸化物膜３０６ａは、金属酸化物膜１０６ａの記載を参酌することができる。
【０１８０】
次に、金属酸化物膜３０６ａと接するソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂを形成した後、金属酸化物膜３０６ａ、ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂ上にゲート絶縁膜３０４を成膜する。その後、ゲート絶縁膜３０４上に、金属酸化物膜３０６ａのチャネル形成領域と重畳する領域にゲート電極３０２ａを形成すると共に、ソース電極又はドレイン電極３０８ａと重畳する領域に電極３０２ｂを形成する（図８（Ｃ）参照）。ソース電極又はドレイン電極３０８ａ、３０８ｂは、ソース電極又はドレイン電極１０８ａ、１０８ｂの記載を参酌することができる。
【０１８１】
次に、ゲート絶縁膜３０４、ゲート電極３０２ａ、及び電極３０２ｂを覆うように層間絶縁膜として機能する絶縁膜３３０を成膜する。その後、絶縁膜３３０及びゲート絶縁膜３０４に開口を形成し、絶縁膜３３０上に配線３３２を形成することで、ソース電極又はドレイン電極３０８ｂと配線３３２とを電気的に接続する。
【０１８２】
層間絶縁膜として機能する絶縁膜３３０として、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、感光性又は非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン）、珪素（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む、又は置換基にフッ素、アルキル基、又は芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料、いわゆるシロキサン、及びそれらの積層構造を用いることができる。
【０１８３】
また、配線３３２は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法などを用いて導電膜を成膜した後、当該導電膜にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより形成される。導電膜の材料としては、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた元素や、上述した元素を成分とする合金等を用いることができる。マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、ネオジム、スカンジウムのいずれか、またはこれらを複数組み合わせた材料を用いてもよい。詳細は、ゲート電極１０２などと同様である。
【０１８４】
以上の工程により、トランジスタ４００及び容量素子４０２を有する半導体装置を作製することができる（図８（Ｄ）参照）。
【０１８５】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０１８６】
（実施の形態４）
本発明の一態様に係る半導体装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む）に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。上記実施の形態で説明した半導体装置を具備する電子機器の例について説明する。
【０１８７】
図９（Ａ）は、ノート型のパーソナルコンピュータであり、本体３００１、筐体３００２、表示部３００３、キーボード３００４などによって構成されている。実施の形態１及び２に示す半導体装置を表示部３００３に適用することができる。また、実施の形態３に示す半導体装置を、筐体３００２の内部に含まれるメモリ回路に適用することができる。実施の形態１乃至３に係る半導体装置は、電気的特性の変動が抑制されているため、信頼性の高いノート型のパーソナルコンピュータとすることができる。
【０１８８】
図９（Ｂ）は、携帯情報端末（ＰＤＡ）であり、本体３０２１には表示部３０２３と、外部インターフェイス３０２５と、操作ボタン３０２４等が設けられている。また操作用の付属品としてスタイラス３０２２がある。実施の形態１及び２に示す半導体装置を表示部３０２３に適用することができる。また、実施の形態３に示す半導体装置を、本体３０２１の内部に含まれるメモリ回路に適用することができる。実施の形態１乃至３に係る半導体装置は、電気的特性の変動が抑制されているため、信頼性の高い携帯情報端末（ＰＤＡ）とすることができる。
【０１８９】
図９（Ｃ）は、電子書籍の一例を示している。例えば、電子書籍は、筐体２７０１および筐体２７０３の２つの筐体で構成されている。筐体２７０１および筐体２７０３は、軸部２７１１により一体とされており、該軸部２７１１を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。
【０１９０】
筐体２７０１には表示部２７０５が組み込まれ、筐体２７０３には表示部２７０７が組み込まれている。表示部２７０５および表示部２７０７は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部（図９（Ｃ）では表示部２７０５）に文章を表示し、左側の表示部（図９（Ｃ）では表示部２７０７）に画像を表示することができる。実施の形態１及び２に示す半導体装置を表示部２７０５、表示部２７０７に適用することができる。また、実施の形態３に示す半導体装置を、筐体２７０１、２７０３の内部に含まれるメモリ回路に適用することができる。実施の形態１乃至３に係る半導体装置は、電気的特性の変動が抑制されているため、信頼性の高い電子書籍とすることができる。
【０１９１】
また、図９（Ｃ）では、筐体２７０１に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体２７０１において、電源２７２１、操作キー２７２３、スピーカー２７２５などを備えている。操作キー２７２３により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子など）、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。
【０１９２】
また、電子書籍は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。
【０１９３】
図９（Ｄ）は、携帯電話であり、筐体２８００及び筐体２８０１の二つの筐体で構成されている。筐体２８０１には、表示パネル２８０２、スピーカー２８０３、マイクロフォン２８０４、ポインティングデバイス２８０６、カメラ用レンズ２８０７、外部接続端子２８０８などを備えている。また、筐体２８００には、携帯電話の充電を行う太陽電池セル２８１０、外部メモリスロット２８１１などを備えている。また、アンテナは筐体２８０１内部に内蔵されている。実施の形態１及び２に示す半導体装置を表示パネル２８０２に適用することができる。また、実施の形態３の示す半導体装置を、筐体２８００、２８０１の内部に含まれるメモリ回路に適用することができる。実施の形態１乃至３に係る半導体装置は、電気的特性の変動が抑制されているため、信頼性の高い携帯電話とすることができる。
【０１９４】
また、表示パネル２８０２はタッチパネルを備えており、図９（Ｄ）には映像表示されている複数の操作キー２８０５を点線で示している。なお、太陽電池セル２８１０で出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。
【０１９５】
表示パネル２８０２は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル２８０２と同一面上にカメラ用レンズ２８０７を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー２８０３及びマイクロフォン２８０４は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体２８００と筐体２８０１は、スライドし、図９（Ｄ）のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。
【０１９６】
外部接続端子２８０８はＡＣアダプタ及びＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット２８１１に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応できる。
【０１９７】
また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。
【０１９８】
図９（Ｅ）は、デジタルビデオカメラであり、本体３０５１、表示部（Ａ）３０５７、接眼部３０５３、操作スイッチ３０５４、表示部（Ｂ）３０５５、バッテリー３０５６などによって構成されている。実施の形態１及び２に示す半導体装置を表示部（Ａ）３０５７、表示部（Ｂ）３０５５に適用することができる。また、実施の形態３に示す半導体装置を、本体３０５１の内部に含まれるメモリ回路に適用することができる。実施の形態１乃至３に係る半導体装置は、電気的特性の変動が抑制されているため、信頼性の高いデジタルビデオカメラとすることができる。
【０１９９】
図９（Ｆ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置９６００は、筐体９６０１に表示部９６０３が組み込まれている。表示部９６０３により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド９６０５により筐体９６０１を支持した構成を示している。実施の形態１及び２に示す半導体装置を表示部９６０３に適用することができる。また、実施の形態３に示す半導体装置を、筐体９６０１の内部に含まれるメモリ回路に適用することができる。実施の形態１乃至３に係る半導体装置は、電気的特性の変動が抑制されているため、信頼性の高いテレビジョン装置とすることができる。
【０２００】
テレビジョン装置９６００の操作は、筐体９６０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
【０２０１】
なお、テレビジョン装置９６００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０２０２】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【実施例１】
【０２０３】
本実施例では、ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）基板を作製し、耐圧測定及びＣ−Ｖ（Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ−Ｖｏｌｔａｇｅ）測定を行った結果について、図１０乃至図１５を参照して説明する。
【０２０４】
まず、本実施例で用いた試料の作製方法について説明する。
【０２０５】
試料Ａとして、シリコン基板上に、第１の絶縁膜として、スパッタリング法により、膜厚５０ｎｍで酸化シリコン膜を成膜した。次に、該酸化シリコン膜上に、金属酸化物膜として、スパッタリング法により、膜厚１０ｎｍでＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ−Ｎ系の金属酸化物膜を成膜した。次に、該Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ―Ｎ系の金属酸化物膜上に、第２の絶縁膜として、スパッタリング法により、膜厚５０ｎｍで酸化シリコン膜を成膜した。
【０２０６】
試料Ｂは、試料Ａにおける金属酸化物膜として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ−Ｎ系の金属酸化物膜に換えて、スパッタリング法により、膜厚１０ｎｍでＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を成膜した。その他の構成及び作製方法については試料Ａと同じである。
【０２０７】
試料Ｃとして、シリコン基板上に、第１の絶縁膜として、プラズマＣＶＤ法により、膜厚５０ｎｍで酸化窒化シリコン膜を形成した。次に、該酸化窒化シリコン膜上に、スパッタリング法により、膜厚１０ｎｍでＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を形成した。その後、該Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜上に、第２の絶縁膜として、プラズマＣＶＤ法により、膜厚５０ｎｍで酸化窒化シリコン膜を形成した。
【０２０８】
試料Ｄは、試料Ａにおける酸化シリコン膜（第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜）に換えて、プラズマＣＶＤ法により、膜厚５０ｎｍで酸化窒化シリコン膜を成膜した。その他の構成及び作製方法については試料Ａと同様である。
【０２０９】
試料Ｅとして、シリコン基板上に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍで酸化シリコン膜を形成した。
【０２１０】
次に、試料Ａ乃至試料Ｅに対し熱処理を行った。熱処理の条件として、窒素雰囲気、温度３００℃にて１時間で行った。
【０２１１】
次に、試料Ａ乃至試料Ｅのそれぞれについて、第２の絶縁膜上に、スパッタリング法により、膜厚４００ｎｍでアルミニウムチタン合金膜からなる電極（電極面積０．７８５ｍｍ２）を形成した。
【０２１２】
最後に、試料Ａ乃至試料Ｅに対し、窒素雰囲気、温度２５０℃にて、１時間の熱処理を行った。
【０２１３】
以上により得られた試料Ａ乃至試料ＥのＭＯＳ基板の構造について、表１に示す。
【０２１４】
【表１】
【０２１５】
次に、試料Ａ乃至試料Ｅについて、電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性を測定した。各試料について１３点ずつ測定を行った。
【０２１６】
耐圧測定の結果を、図１０乃至図１２に示す。図１０（Ａ）は試料Ａの結果であり、図１０（Ｂ）は試料Ｂの結果であり、図１１（Ａ）は試料Ｃの結果であり、図１１（Ｂ）は試料Ｄの結果であり、図１２は試料Ｅの結果である。図１０乃至図１２において、横軸は電圧を示し、縦軸は電流を示す。
【０２１７】
図１１（Ａ）に示す試料Ｃ及び図１１（Ｂ）に示す試料Ｄにおいては、電流の立ち上がりが早く、耐圧が悪いことがわかった。これに対し、図１０（Ａ）に示す試料Ａ及び図１０（Ｂ）に示す試料Ｂにおいては、試料Ｃ及び試料Ｄと比較して、電流の立ち上がりが遅く、耐圧が良いことがわかった。また、図１２に示す試料Ｅは、試料Ａ及び試料Ｂと同等の耐圧を有することがわかった。
【０２１８】
つぎに、試料Ａ乃至試料ＥについてＣ−Ｖ測定を行った。各試料について４点ずつ測定を行った。
【０２１９】
Ｃ−Ｖ測定の結果を、図１３乃至図１５に示す。図１３（Ａ）は試料Ａの結果であり、図１３（Ｂ）は試料Ｂの結果であり、図１４（Ａ）は、試料Ｃの結果であり、図１４（Ｂ）は試料Ｄの結果であり、図１５は試料Ｅの結果である。図１３乃至図１５において、横軸は電圧を示し、縦軸は容量値を示す。
【０２２０】
図１４（Ａ）に示す試料Ｃ及び図１４（Ｂ）に示す試料Ｄにおいては，Ｃ−Ｖカーブを得ることはできなかった。これは、図１１の結果からもわかるように、試料Ｃ及び試料Ｄにおける絶縁膜の耐圧が十分で無く、容量を保つことができなかったためであると考えられる。これに対し、図１３（Ａ）に示す試料Ａ、図１３（Ｂ）に示す試料Ｂ及び図１５に示す試料Ｅにおいては、良好なＣ−Ｖカーブを得ることができた。
【０２２１】
さらに、試料Ａ及び試料ＢのＣＶカーブは、試料ＥのＣ−Ｖカーブと比較して、プラス方向にシフトしていることがわかった。これは、試料Ｅに比べて、試料Ａ及び試料Ｂに負の固定電荷が多く存在しているためであり、このような絶縁膜をトランジスタのチャネル形成領域を含む金属酸化物膜と接して形成することによって、トランジスタのしきい値電圧をプラス方向にシフトさせることができることが示唆された。
【０２２２】
試料Ｃ及び試料Ｄは、金属酸化物膜を間に挟む絶縁膜に、プラズマＣＶＤ法による酸化窒化シリコン膜が用いられている。プラズマＣＶＤ法に成膜された酸化窒化シリコン膜からは、熱処理による酸素脱離が無い。そのため、絶縁膜から金属酸化物膜に酸素が供給されず、金属酸化物膜を絶縁化できなかったと考えられる。これに対し、試料Ａ及び試料Ｂは、金属酸化物膜を挟む絶縁膜に、スパッタリング法による酸化シリコン膜が用いられている。スパッタリング法により成膜された酸化シリコン膜は、熱処理により酸素が脱離し、金属酸化物膜に酸素が十分に供給され、金属酸化物膜を絶縁化できたと考えられる。これにより、試料Ａ及び試料Ｂの耐圧が向上したものと考えられる。
【０２２３】
以上の結果から、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜の間に金属酸化物膜を設ける場合、金属酸化物膜は絶縁膜として機能することが示された。
【実施例２】
【０２２４】
本実施例では、ＴＤＳ分析により、熱処理により酸素放出する絶縁膜上に金属酸化物膜を形成させる構造において、該絶縁膜から酸素が金属酸化物膜を透過して外方拡散する量について調べた結果について説明する。
【０２２５】
まず、本実施例で用いた試料Ｆ乃至試料Ｉについて説明する。
【０２２６】
試料Ｆとして、ガラス基板上に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍで酸化シリコン膜を形成した。次に、該酸化シリコン膜上に、スパッタリング法により、膜厚５ｎｍでＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を形成した。
【０２２７】
試料Ｇとして、ガラス基板上に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍで酸化シリコン膜を形成した。次に、該酸化シリコン膜上に、スパッタリング法により、膜厚１０ｎｍでＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を形成した。
【０２２８】
試料Ｈとして、ガラス基板上に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍで酸化シリコン膜を形成した。次に、該酸化シリコン膜上に、スパッタリング法により、膜厚１５ｎｍでＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を形成した。
【０２２９】
試料Ｉとして、ガラス基板上に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍで酸化シリコン膜を形成した。
【０２３０】
次に、試料Ｆ乃至試料Ｉに対してＴＤＳ分析を行った。本実施例では、酸素の脱離量の数値は、電子科学株式会社製の昇温脱離分析装置ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓ／Ｗを使用した。
【０２３１】
図１６に、試料Ｆ乃至試料ＩのＴＤＳ分析結果について示す。
【０２３２】
図１６に示すように、酸化シリコン膜のみが成膜された試料Ｉについては、２００℃付近でピークが高くなった。これに対し、酸化シリコン膜上に金属酸化物膜が成膜された試料Ｆ乃至試料Ｈについては、ピークがほぼ検出されなかった。
【０２３３】
図１６の結果より、酸化シリコン膜上に金属酸化物膜が形成されていることによって、酸化シリコン膜に含まれる酸素が外に放出されないことがわかった。また、金属酸化物膜が少なくとも５ｎｍ成膜されていれば、酸化シリコン膜に含まれる酸素が外に放出されないことが示された。以上の結果から、金属酸化物膜は、酸素の透過を防止できることが証明された。
【実施例３】
【０２３４】
本実施例では、金属酸化物膜の抵抗率について調査した結果について、図１７を参照して説明する。
【０２３５】
まず、本実施例で用いた試料について、図１７を参照して説明する。
【０２３６】
（条件１）
金属酸化物膜５０６を挟む絶縁膜の両方に、熱処理により、酸素が脱離しない絶縁膜を用いた場合を、条件１とする。
【０２３７】
まず、ガラス基板５００上に、絶縁膜５０２として、プラズマＣＶＤ法により、膜厚１００ｎｍで酸化窒化シリコン膜を成膜した。
【０２３８】
次に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍでタングステン膜を成膜した。その後、タングステン膜にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行い、電極５０４ａ、５０４ｂを形成した。
【０２３９】
次に、金属酸化物膜５０６として、スパッタリング法により、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を成膜した。金属酸化物膜の成膜条件は、組成比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１のターゲットを用い、Ａｒ／Ｏ２＝３０／１５ｓｃｃｍ、圧力０．４Ｐａ、電源０．５ｋＷ、基板温度２００℃、膜厚３０ｎｍとした。その後、金属酸化物膜５０６に、窒素雰囲気下、４５０℃、１時間として熱処理を行った。
【０２４０】
次に、絶縁膜５０８として、プラズマＣＶＤ法により、膜厚１００ｎｍで酸化窒化シリコン膜を成膜した。
【０２４１】
次に、絶縁膜５０８及び金属酸化物膜５０６にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより電極５０４ａ及び電極５０４ｂが露出するように開口を形成した。
【０２４２】
最後に、試料に対して、窒素雰囲気下、３５０℃、１時間として熱処理を行った。
【０２４３】
（条件２）
金属酸化物膜５０６を挟む絶縁膜の両方に、熱処理により、酸素が脱離する絶縁膜を用いた場合を、条件２とする。
【０２４４】
まず、ガラス基板５００上に、絶縁膜５０２として、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍで酸化シリコン膜を成膜した。
【０２４５】
次に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍでタングステン膜を成膜した。その後、タングステン膜にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行い、電極５０４ａ、５０４ｂを形成した。
【０２４６】
次に、金属酸化物膜５０６として、スパッタリング法により、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を成膜した。金属酸化物膜の成膜条件は、組成比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１のターゲットを用い、Ａｒ／Ｏ２＝３０／１５ｓｃｃｍ、圧力０．４Ｐａ、電源０．５ｋＷ、基板温度２００℃、膜厚３０ｎｍとした。その後、金属酸化物膜５０６に、窒素雰囲気下、４５０℃、１時間として熱処理を行った。
【０２４７】
次に、絶縁膜５０８として、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍで酸化シリコン膜を成膜した。
【０２４８】
次に、絶縁膜５０８及び金属酸化物膜５０６にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより電極５０４ａ及び電極５０４ｂが露出するように開口を形成した。
【０２４９】
最後に、試料に対して、窒素雰囲気下、３５０℃、１時間として熱処理を行った。
【０２５０】
（条件３）
絶縁膜５０２に、熱処理により、酸素が脱離する絶縁膜を用い、絶縁膜５０８に熱処理により、酸素が脱離しない絶縁膜を用いた場合を、条件３とする。
【０２５１】
まず、ガラス基板５００上に、絶縁膜５０２として、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍで酸化シリコン膜を成膜した。
【０２５２】
次に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍでタングステン膜を成膜した。その後、タングステン膜にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行い、電極５０４ａ、５０４ｂを形成した。
【０２５３】
次に、金属酸化物膜５０６として、スパッタリング法により、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を成膜した。金属酸化物膜の成膜条件は、組成比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１のターゲットを用い、Ａｒ／Ｏ２＝３０／１５ｓｃｃｍ、圧力０．４Ｐａ、電源０．５ｋＷ、基板温度２００℃、膜厚３０ｎｍとした。その後、金属酸化物膜５０６に、窒素雰囲気下、４５０℃、１時間として熱処理を行った。
【０２５４】
次に、絶縁膜５０８として、プラズマＣＶＤ法により、膜厚１００ｎｍで酸化窒化シリコン膜を成膜した。
【０２５５】
次に、絶縁膜５０８及び金属酸化物膜５０６にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより電極５０４ａ及び電極５０４ｂが露出するように開口を形成した。
【０２５６】
最後に、試料に対して、窒素雰囲気下、３５０℃、１時間として熱処理を行った。
【０２５７】
（条件４）
絶縁膜５０２に、熱処理により、酸素が脱離しない絶縁膜を用い、絶縁膜５０８として、熱処理により、酸素が脱離する絶縁膜を用いた場合を、条件４とする。
【０２５８】
まず、ガラス基板５００上に、絶縁膜５０２として、プラズマＣＶＤ法により、膜厚１００ｎｍで酸化窒化シリコン膜を成膜した。
【０２５９】
次に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍでタングステン膜を成膜した。その後、タングステン膜にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行い、電極５０４ａ、５０４ｂを形成した。
【０２６０】
次に、金属酸化物膜５０６として、スパッタリング法により、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を成膜した。金属酸化物膜の成膜条件は、組成比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１のターゲットを用い、Ａｒ／Ｏ２＝３０／１５ｓｃｃｍ、圧力０．４Ｐａ、電源０．５ｋＷ、基板温度２００℃、膜厚３０ｎｍとした。その後、金属酸化物膜５０６に、窒素雰囲気下、４５０℃、１時間として熱処理を行った。
【０２６１】
次に、絶縁膜５０８として、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍで酸化シリコン膜を成膜した。
【０２６２】
次に、絶縁膜５０８及び金属酸化物膜５０６にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより電極５０４ａ及び電極５０４ｂが露出するように開口を形成した。
【０２６３】
最後に、試料に対して、窒素雰囲気下、３５０℃、１時間として熱処理を行った。
【０２６４】
次に、条件１乃至条件４で説明した試料それぞれについて４点ずつ、導電率σを測定した。測定した導電率σから抵抗率ρを求めた結果について、４点の平均値を算出したものを、表２に示す。
【０２６５】
【表２】
【０２６６】
表２に示すように、条件１における金属酸化物膜の抵抗率ρは、１．４×１０―２［Ω・ｃｍ］と求めることができた。また、条件２における金属酸化物膜の抵抗率ρは、７．４×１０９［Ω・ｃｍ］と求めることができた。また、条件３における金属酸化物膜の抵抗率ρは、８．６×１０３［Ω・ｃｍ］と求めることができた。また、条件４における金属酸化物膜の抵抗率ρは、８．５×１０６［Ω・ｃｍ］と求めることができた。
【０２６７】
条件１の結果より、金属酸化物膜５０６の成膜後の熱処理によって下がった金属酸化物膜５０６の抵抗は、絶縁膜５０８の成膜後に熱処理を行っても変化せず、低いままとなることがわかった。その結果、金属酸化物膜５０６は導体の特性となることがわかった。
【０２６８】
また、条件２の結果より、金属酸化物膜５０６成膜後の熱処理によって下がった金属酸化物膜５０６の抵抗は、絶縁膜５０８成膜後の熱処理を行うことによって上がることがわかった。これは、絶縁膜５０２及び絶縁膜５０８からの酸素供給によって、金属酸化物膜に生成した酸素欠損が補償されるためであると考えられる。その結果、金属酸化物膜５０６は絶縁体となる（絶縁性を示す）ことがわかった。
【０２６９】
また、条件３及び条件４の結果より、絶縁膜５０８の成膜後の熱処理によって、金属酸化物膜５０６の抵抗は、条件１よりも高く、条件２よりも低い値となる。その結果、金属酸化物膜５０６は半導体となることがわかった。
【０２７０】
以上の結果から、金属酸化物膜と接する絶縁膜の種類（または絶縁膜から脱離する酸素の量）によって、金属酸化物膜の抵抗を調整できることが示された。
【符号の説明】
【０２７１】
１００ 基板
１０２ ゲート電極
１０４ ゲート絶縁膜
１０６ 金属酸化物膜
１０６ａ 金属酸化物膜
１０８ａ ソース電極又はドレイン電極
１０８ｂ ソース電極又はドレイン電極
１１０ パッシベーション膜
１１２ 絶縁膜
１１４ 金属酸化物膜
１１６ 絶縁膜
１１８ 絶縁膜
１２０ ゲート絶縁膜
１２２ 絶縁膜
１２４ 金属酸化物膜
１２６ 絶縁膜
２００ トランジスタ
２１０ トランジスタ
２２０ トランジスタ
２３０ トランジスタ
３００ 基板
３０２ ゲート電極
３０４ ゲート絶縁膜
３０６ａ 金属酸化物膜
３０８ａ ソース電極又はドレイン電極
３０８ｂ ソース電極又はドレイン電極
３１０ 下地絶縁膜
３１２ 絶縁膜
３１４ 金属酸化物膜
３１６ 絶縁膜
３１８ 絶縁膜
３２０ ゲート絶縁膜
３２２ 絶縁膜
３２４ 金属酸化物膜
３２６ 絶縁膜
３３０ 絶縁膜
３３２ 配線
４００ トランジスタ
４０２ 容量素子
４１０ トランジスタ
４２０ トランジスタ
４３０ トランジスタ
４５０ メモリセル
４６１ 駆動回路
４６２ 駆動回路
５００ ガラス基板
５０２ 絶縁膜
５０４ａ 電極
５０４ｂ 電極
５０６ 金属酸化物膜
５０８ 絶縁膜
２７０１ 筐体
２７０３ 筐体
２７０５ 表示部
２７０７ 表示部
２７１１ 軸部
２７２１ 電源
２７２３ 操作キー
２７２５ スピーカー
２８００ 筐体
２８０１ 筐体
２８０２ 表示パネル
２８０３ スピーカー
２８０４ マイクロフォン
２８０５ 操作キー
２８０６ ポインティングデバイス
２８０７ カメラ用レンズ
２８０８ 外部接続端子
２８１０ 太陽電池セル
２８１１ 外部メモリスロット
３００１ 本体
３００２ 筐体
３００３ 表示部
３００４ キーボード
３０２１ 本体
３０２２ スタイラス
３０２３ 表示部
３０２４ 操作ボタン
３０２５ 外部インターフェイス
３０２ａ ゲート電極
３０２ｂ 電極
３０５１ 本体
３０５３ 接眼部
３０５４ 操作スイッチ
３０５５ 表示部（Ｂ）
３０５６ バッテリー
３０５７ 表示部（Ａ）
９６００ テレビジョン装置
９６０１ 筐体
９６０３ 表示部
９６０５ スタンド
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、
前記第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、
前記パッシベーション膜は、第１の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、
前記第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、第２の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第１の絶縁膜とが順に積層された半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜より厚い半導体装置。
【請求項４】
下地絶縁膜と、
前記下地絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、
前記第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記第１の金属酸化物膜、前記ソース電極及びドレイン電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第１の金属酸化物膜上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記下地絶縁膜は、第１の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置。
【請求項５】
下地絶縁膜と、
前記下地絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、
前記第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記第１の金属酸化物膜、前記ソース電極及びドレイン電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第１の金属酸化物膜上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、第２の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第１の絶縁膜とが順に積層された半導体装置。
【請求項６】
請求項４又は５において、
前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜より薄い半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の金属酸化物膜は、前記第２の金属酸化物膜より厚い半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第２の金属酸化物膜の膜厚は、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記第１の金属酸化物膜及び前記第２の金属酸化物膜は、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた二種以上の元素を含む半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記第１の金属酸化物膜に含まれる元素と、前記第２の金属酸化物膜に含まれる元素とが同じである半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記第１の金属酸化物膜に含まれる元素と、前記第２の金属酸化物膜に含まれる元素とが異なる半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
前記第１の金属酸化物膜は半導体特性を有し、前記第２の金属酸化物膜は絶縁性を有する半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜である半導体装置。
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、
前記第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、
前記パッシベーション膜は、第１の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、
前記第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、第２の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第１の絶縁膜とが順に積層された半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜より厚い半導体装置。
【請求項４】
下地絶縁膜と、
前記下地絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、
前記第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記第１の金属酸化物膜、前記ソース電極及びドレイン電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第１の金属酸化物膜上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記下地絶縁膜は、第１の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置。
【請求項５】
下地絶縁膜と、
前記下地絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、
前記第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記第１の金属酸化物膜、前記ソース電極及びドレイン電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第１の金属酸化物膜上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、第２の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第１の絶縁膜とが順に積層された半導体装置。
【請求項６】
請求項４又は５において、
前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜より薄い半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の金属酸化物膜は、前記第２の金属酸化物膜より厚い半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第２の金属酸化物膜の膜厚は、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記第１の金属酸化物膜及び前記第２の金属酸化物膜は、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた二種以上の元素を含む半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記第１の金属酸化物膜に含まれる元素と、前記第２の金属酸化物膜に含まれる元素とが同じである半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記第１の金属酸化物膜に含まれる元素と、前記第２の金属酸化物膜に含まれる元素とが異なる半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
前記第１の金属酸化物膜は半導体特性を有し、前記第２の金属酸化物膜は絶縁性を有する半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜である半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１２−２１６８３４（Ｐ２０１２−２１６８３４Ａ）
【公開日】平成２４年１１月８日（２０１２．１１．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−７９４６０（Ｐ２０１２−７９４６０）
【出願日】平成２４年３月３０日（２０１２．３．３０）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月８日（２０１２．１１．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年３月３０日（２０１２．３．３０）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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