【課題】 本発明は、ドープされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品及びドープされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品の作製プロセスを提供する。
【解決手段】 ドープされた金属酸化物誘電体材料及びこの材料で作られた電子部品が明らかにされている。金属酸化物はＩＩＩ族又はＶ族金属酸化物（たとえば、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５またはＶ_２Ｏ_５）で、金属ドーパントはＩＶ族元素（Ｚｒ、Ｓｉ、ＴｉおよびＨｆ）である。金属酸化物は約０．１重量パーセントないし約３０重量パーセントのドーパントを含む。本発明のドープされた金属酸化物誘電体は、多くの異なる電子部品及びデバイス中で用いられる。たとえば、ドープされた金属酸化物誘電体は、ＭＯＳデバイスのゲート誘電体として用いられる。ドープされた金属酸化物誘電体はまた、フラッシュメモリデバイスのポリ間誘電体材料としても用いられる。 （もっと読む）

【課題】水分による電気特性劣化が抑制された半導体装置および半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】トランジスタを覆う層間絶縁層に接して金属酸化物層が位置する構造とし、金属酸化物層を、アモルファス構造を有する第１の金属酸化物層と、多結晶構造を有する第２の金属酸化物層を含む積層構造とする。アモルファス構造を有する第１の金属酸化物層は結晶粒界が存在せず、また、結晶状態の金属酸化物層と比較して格子間隔が広いため格子間に水分をトラップしやすい。多結晶構造を有する第２の金属酸化物層は、結晶粒界部分を除く結晶部分については緻密な構造を有しており、水分の透過性が非常に低い。このため、第１の金属酸化物層および第２の金属酸化物層を含む金属酸化物層が層間絶縁層に接する構造とすることにより、トランジスタ中への水分の侵入を効果的に防止できる。 （もっと読む）

【課題】インクジェット方式の画像形成装置等に備えられ、上部電極、下部電極ともにテニウム酸ストロンチウム（ＳＲＯ）を用い、経時的に安定した駆動力を得る電気−機械変換素子、これを備えインク等の液滴を吐出するヘッド、これを備えた液滴吐出装置、これらを備えたかかる画像形成装置の提供。
【解決手段】電気−機械変換素子１０が、電極１４と、電極１４上に形成されＳＲＯからなる電極１５と、電極１５上に形成されたＰＺＴからなる電気−機械変換膜１６と、電気−機械変換膜１６上に形成されＳＲＯからなる個別電極１７と、電極１７上に形成された個別電極１８とを有し、厚さ方向におけるＳｒの分布を、ＳＩＭＳを用いた２次イオン強度比を用いて表したとき、ＰＺＴの厚さの１／２の位置でのＳｒの同強度を、電極１５のＳＲＯの厚さの１／２の位置でのＳｒの同強度で除すると、０．０１以下である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。また、現在実用化されている量産技術からの膜構成、プロセス条件、または生産装置等の変更が少なく、半導体装置に安定した電気特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有し、ゲート絶縁膜は、窒化酸化シリコン膜と、窒化酸化シリコン膜上に形成された酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成された金属酸化膜と、を含み、金属酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。 （もっと読む）

【課題】電気特性の制御された酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５上にシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン層９１０が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６には、バリア層として機能する酸化シリコン層９０９を介して、窒化シリコン層９１０が設けられる。そのため、酸化物半導体層９０５には、酸化物半導体層９０６よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５の抵抗値が、薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６の抵抗値よりも低くなる。 （もっと読む）

【課題】ＥＯＴの低減及びリーク電流の低減を両立できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】被処理体上に第１の高誘電率絶縁膜を成膜する第１の成膜工程と、前記第１の高誘電率絶縁膜を、６５０℃以上で６０秒未満の間熱処理する結晶化熱処理工程と、前記第１の高誘電率絶縁膜上に、前記第１の高誘電率絶縁膜の金属元素のイオン半径よりも小さいイオン半径を有する金属元素を有し、前記第１の高誘電率絶縁膜よりも比誘電率が大きい、第２の高誘電率絶縁膜を成膜する第２の成膜工程と、を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】higher-k材料であるチタン酸化膜の半導体基板との界面を安定化でき、さらなる微細化に対応できるゲート構造を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１の上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを備えている。ゲート絶縁膜は、アナターゼ型酸化チタンを主成分とする高誘電率絶縁膜５であり、ゲート電極は、第１の金属膜６又は第２の金属膜８を含む導電膜から構成されている。 （もっと読む）

【課題】水素フリーで緻密で硬質なダイヤモンドライクカーボン膜を容易に形成することができる炭素薄膜成膜法を提供する。
【解決手段】この炭素被膜成膜方法は、マグネトロンスパッタ法により試料基板電極上に配置された試料基板表面に炭素被膜を堆積させる炭素被膜成膜装置を用い、炭素ターゲット基板電極と試料電極に対し、下記１〜４の条件でそれぞれ電圧を印加させることを特徴とする。
１．ターゲット基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が４０％以下であること。
２．ターゲット基板電極に印加するパルス電圧のパルス時間が２０μｓ〜２００μｓであること。
３．試料基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が５０％以下であること。
４．試料基板電極に印加する負パルス電圧の大きさが−２０Ｖ〜−２００Ｖであること。 （もっと読む）

【課題】光照射時の素子特性を安定化する。
【解決手段】酸化物半導体を主体とする半導体膜を成膜する第一工程と、第一工程後に、半導体膜の面上に第一の絶縁膜を成膜する第二工程と、第二工程後に、酸化性雰囲気中で熱処理する第三工程と、第三工程後に、第一の絶縁膜の面上に第二の絶縁膜を成膜する第四工程と、を有し、第二工程と前記第三工程の際に、第一の絶縁膜の厚みをＺ（ｎｍ）とし、第三工程での熱処理温度をＴ（℃）とし、前記第一の絶縁膜及び前記半導体膜中への酸素の拡散距離をＬ（ｎｍ）としたとき、０＜Ｚ＜Ｌ＝８×１０^−６×Ｔ^３−０．００９２×Ｔ^２＋３．６×Ｔ−４６８±０．１の関係式を満たすように第一の絶縁膜の厚みと熱処理温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、ソースとドレインの間にリーク電流が生じにくく、コンタクト抵抗が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜により形成されるトランジスタの電極膜上に酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、及び第２の絶縁膜を積層して形成し、第２の絶縁膜上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクの開口部と重畳する部分の第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をエッチングして電極膜を露出する開口部を形成し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部をアルゴンプラズマに曝し、エッチングマスクを除去し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部に導電膜を形成し、第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、第２の絶縁膜は第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、第１の絶縁膜よりもガス透過性が低い。または逆スパッタリングを行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層の保護膜側界面のキャリア密度がゲート絶縁層側のキャリア密度より小さく、および酸化物半導体層の膜厚が最適化された薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層上に保護膜として酸化物絶縁体を形成する際に、酸化性ガスが含まれる雰囲気で成膜し、酸化物半導体の界面付近のキャリア密度を絶縁層側のキャリア密度より小さくする。また、酸化物半導体膜の設計膜厚を３０ｎｍ±１５ｎｍにすることにより、電界効果移動度μ、Ｏｎ／Ｏｆｆ比、Ｓ値を最適化する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜を形成する際に、界面準位を低減しつつ、ＥＯＴのさらなる低減が実現可能な金属酸化物高誘電体エピタキシャル膜の製造方法、および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】単結晶領域１０２を有する基板１０１上に、金属膜であって、該金属膜の酸化物の誘電率が酸化シリコン膜よりも高く、かつ金属膜の酸化物が単結晶領域１０２とエピタキシャル関係を有する金属膜１０３を、単結晶領域１０２と金属膜１０３とが界面反応しない基板温度で形成する（図１（ｂ））。金属膜１０３が形成された基板１０１を、上記界面反応しない基板温度で、単結晶領域１０２と金属膜１０３とが界面反応しない酸素分圧の酸素ガス雰囲気に暴露する（図１（ｃ））。酸素ガス雰囲気に暴露された基板１０３を、上記酸素分圧の酸素ガス雰囲気に保持し、金属膜の酸化物である金属酸化物高誘電体膜が結晶化する基板温度で熱処理する（図１（ｄ）。 （もっと読む）

【課題】ＤＣスパッタリング法を用いて、酸化ガリウム膜を成膜する成膜方法を提供する
ことを課題の一つとする。トランジスタのゲート絶縁層などの絶縁層として、酸化ガリウ
ム膜を用いる半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化ガリウム（ＧａＯｘとも表記する）からなる酸化物ターゲットを用いて
、ＤＣスパッタリング法、またはＤＣパルススパッタ方式により絶縁膜を形成する。酸化
物ターゲットは、ＧａＯｘからなり、Ｘが１．５未満、好ましくは０．０１以上０．５以
下、さらに好ましくは０．１以上０．２以下とする。この酸化物ターゲットは導電性を有
し、酸素ガス雰囲気下、或いは、酸素ガスとアルゴンなどの希ガスとの混合雰囲気下でス
パッタリングを行う。 （もっと読む）

【課題】結晶粒のサイズを制御し、誘電体膜を貫通する結晶粒界やクラックの発生を抑制することによって、リーク電流の少ない高性能のキャパシタを提供する。
【解決手段】電極３，５の間に誘電体膜４が挟持されてなるキャパシタであって、誘電体膜４は、アルカリ土類金属と遷移金属との酸化物に、アルカリ土類金属の炭酸塩を０．１〜１０ｍｏｌ％の範囲で含む。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＯ_２／ＳｉＣ界面における界面準位自体を低減することが出来るＳｉＣ半導体を用いたＭＯＳ構造、およびその酸化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 ＳｉＣ半導体基板１を処理炉内に用意し、処理炉内を比較的低い７００℃に設定して、ＳｉＣ半導体基板１の基板表面を酸素ガス雰囲気中にさらす。この熱酸化により、ＳｉＣ半導体基板１の基板表面には、ＳｉＯ_２から成る中間層２が約１ｎｍの極薄い厚さで形成される。次に、中間層２上にＳｉＯ_２膜を約５０ｎｍの厚さに堆積して、ＳｉＯ_２から成る堆積層３を形成する。次に、ＳｉＣ半導体基板１が酸化しない温度および時間で、堆積層３をアニーリングする。このアニーリングは、赤外線ランプなどの急速加熱装置により、ＳｉＯ_２膜の融点である１２００℃に近い、この１２００℃の融点よりも低い例えば１０００〜１１００℃程度の温度で、短時間に急速に行われる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体が持っている高移動度、高特性を低下させることが無く、長時間安定して駆動でき、高精細で画像欠陥が少ない画像を表示する表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、発光層４１３と、これを挟む一対の電極４０８、４１３と、一対の電極４０８、４１３を介して発光層４１３を駆動し、かつ、ソース電極及びドレイン電極４１０、ゲート電極４０６、及び活性層４０９を有するＴＦＴと、マトリックス配線部を構成する走査電極線４０７、信号電極線４０３、第１の絶縁層４０４とを有する。活性層４０９は、少なくとも一部が非晶質であるＩｎとＺｎとを含む酸化物からなる。活性層４０９と第１の絶縁層４０４との間に、含有水素量が３×１０^２１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）未満である第２の絶縁層４０８を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層の表面の酸素欠陥の形成が防止されて、酸素欠陥に起因したキャリアの生成が低減された半導体装置を提供する。
【解決手段】本明細書に開示する半導体装置は、絶縁体基板１１と、絶縁体基板１１上に配置されたチャネル層１５と、チャネル層１５上に間隔をあけて配置されたソース電極１６及びドレイン電極１７と、ソース電極１６とドレイン電極１７との間のチャネル層１５上に配置されたゲート絶縁体層１８と、ゲート絶縁体層１８上に配置されたゲート電極１９と、を備え、チャネル層１５は、亜鉛を含む酸化物半導体層１３と、酸化物半導体層１３の一方の面に積層された亜鉛を含む酸化物絶縁体層１２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置を提供すること。また、安定した電気的特性が付与された、信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】絶縁層に凸状構造体を形成し、該凸状構造体に接して酸化物半導体層のチャネル形成領域を設けることで、チャネル形成領域を３次元方向（基板垂直方向）に延長させる。これによって、トランジスタの微細化を達成しつつ、実効的なチャネル長を延長させることができる。また、凸状構造体の上面と側面とが交わる上端コーナー部に曲面を形成し、酸化物半導体層が当該曲面に垂直なｃ軸を有する結晶を含むように形成する。これによって、酸化物半導体層の可視光や紫外光の照射による電気的特性の変化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを低減し、ドレイン電流を増大しながら、ゲートリーク電流を減少できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、基板１と、基板１の上に形成されたIII族窒化物からなる半導体層２、３と、半導体層２、３の上に、それぞれ形成されたソース電極５、ゲート電極７及びドレイン電極６と、半導体層２、３の上に、ゲート電極７の下部及び半導体層２、３と接し、且つ、ソース電極５及びドレイン電極６と離間するように形成されたシリコンを含まない第１保護膜８と、半導体層２、３の上に、半導体層２、３と接し且つゲート電極７の下部と離間するように形成され、第１保護膜８と組成が異なり且つ窒素を含む第２保護膜９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が向上した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】１３族元素および酸素を含む第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜と一部が接する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜とゲート電極の間の、酸化物半導体膜と一部が接する第２の絶縁膜と、を有する半導体装置である。また、１３族元素および酸素を含む第１の絶縁膜には、化学量論的組成比より酸素が多い領域が含まれる構成とする。 （もっと読む）