半導体装置の作製方法
【課題】信頼性が高く、ソースとドレインの間にリーク電流が生じにくく、コンタクト抵抗が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜により形成されるトランジスタの電極膜上に酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、及び第２の絶縁膜を積層して形成し、第２の絶縁膜上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクの開口部と重畳する部分の第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をエッチングして電極膜を露出する開口部を形成し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部をアルゴンプラズマに曝し、エッチングマスクを除去し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部に導電膜を形成し、第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、第２の絶縁膜は第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、第１の絶縁膜よりもガス透過性が低い。または逆スパッタリングを行ってもよい。
【解決手段】酸化物半導体膜により形成されるトランジスタの電極膜上に酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、及び第２の絶縁膜を積層して形成し、第２の絶縁膜上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクの開口部と重畳する部分の第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をエッチングして電極膜を露出する開口部を形成し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部をアルゴンプラズマに曝し、エッチングマスクを除去し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部に導電膜を形成し、第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、第２の絶縁膜は第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、第１の絶縁膜よりもガス透過性が低い。または逆スパッタリングを行ってもよい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の作製方法に関する。なお、半導体装置とは、半導体素子自体または半導体素子を含むものをいい、このような半導体素子として、例えばトランジスタが挙げられる。液晶表示装置などの表示装置も半導体装置に含まれる。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置は、人間の生活に欠かせないものとなっている。このような半導体装置に含まれるトランジスタは、基板上に膜を形成し、該膜をエッチングなどにより所望の形状に加工することで作製される。
【０００３】
このような半導体装置の作製方法においては、例えば、第１の導電膜を形成し、該第１の導電膜を覆って絶縁膜を形成し、該絶縁膜に前記第１の導電膜と重畳する開口部を形成し、該開口部を介して前記第１の導電膜と接続する第２の導電膜を形成すればよい。このようにして、異なる導電膜により設けられた複数の配線を縦横に配して、複数の素子がマトリクス状に設けられた素子基板を作製することができる。
【０００４】
このような開口部は、その断面形状のみならず開口部表面の状態なども形成時のエッチング条件に左右される。例えば、開口部にエッチング残渣が存在する場合も多い。このようなエッチング残渣が開口部に存在すると、複数の導電膜の接続を阻害することがある。このような開口部の残渣を除去することができる方法として、逆スパッタリングが挙げられる（例えば、特許文献１）。
【０００５】
一方で、近年、半導体特性を示す金属酸化物（以下、酸化物半導体と呼ぶ。）が注目されている。酸化物半導体は、トランジスタに適用することができる（特許文献２及び特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３０５５７６号公報
【特許文献２】特開２００７−１２３８６１号公報
【特許文献３】特開２００７−０９６０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
酸化物半導体膜をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、シリコン膜をチャネル形成領域に用いた半導体装置よりも非常に高い電界効果移動度を有するなどの良好な電気的特性を有する。しかし、現在のところ、信頼性の面において課題がある。信頼性を低下させる要因の一つとして、酸化物半導体膜に含まれる水及び水素が挙げられる。従って、酸化物半導体膜における水及び水素の含有量は、極力少なくする必要がある。
【０００８】
一方で、このようなトランジスタに用いられる酸化物半導体膜に酸素欠損が多いと、酸素欠損の存在する領域が低抵抗化し、ソースとドレインの間にリーク電流を生じさせる原因となる。従って、酸化物半導体膜中の酸素欠損は少ないほうがよく、酸素欠損を少なくするためには外部から十分な酸素を供給するとよい。
【０００９】
酸化物半導体膜中の水及び水素の含有量を少なくし、酸素を供給する手段の一つとして、酸化物半導体膜に接して下地膜が設けられた状態で行う加熱処理が挙げられる。下地膜中の水及び水素を少なくし、酸素を多くして加熱処理すると、酸化物半導体膜への水及び水素の混入を抑制しつつ、酸化物半導体膜に酸素を供給することができる。
【００１０】
下地膜中の水及び水素を少なくするためには、下地膜をＣＶＤ法またはスパッタリング法などにより形成した後酸化物半導体膜を形成する前に加熱処理を行えばよい。しかし、加熱処理を行うと、水及び水素とともに酸素も脱離してしまう。
【００１１】
このような酸素の脱離を防ぐためには、加熱処理時のバリア膜として酸化アルミニウム膜が設けられているとよい。しかし、酸化アルミニウムは化学的な反応性に乏しいため、エッチングに時間がかかる。そのため、開口部が形成される絶縁膜が例えば多層膜である場合に、一部の層が酸化アルミニウムにより形成されていると、開口部の形成に時間がかかり、開口部には多くのエッチング残渣が生じることになる。このようなエッチング残渣は、開口部がコンタクトホールである場合には、コンタクト抵抗を上昇させる要因となる。
【００１２】
本発明の一態様は、信頼性が高く、ソースとドレインの間にリーク電流が生じにくく、コンタクト抵抗が小さい半導体装置とその作製方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様は、チャネル形成領域が酸化物半導体膜に形成されるトランジスタを形成し、前記トランジスタの電極膜上に前記酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をこの順に積層して形成し、前記第２の絶縁膜上に開口部を有するエッチングマスクを形成し、前記エッチングマスクの前記開口部と重畳する部分の前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜をエッチングして前記電極膜を露出する開口部を形成し、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の前記開口部をアルゴンプラズマに曝し、前記エッチングマスクを除去し、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の前記開口部に導電膜を形成し、前記第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、前記第１の絶縁膜よりもガスバリア性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１４】
本発明の一態様は、チャネル形成領域が酸化物半導体膜に形成されるトランジスタを形成し、前記トランジスタの電極膜上に前記酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をこの順に積層して形成し、前記第２の絶縁膜上に開口部を有するエッチングマスクを形成し、前記エッチングマスクの前記開口部と重畳する部分の前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜をエッチングして前記電極膜を露出する開口部を形成し、前記エッチングマスクを除去し、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の前記開口部に逆スパッタリングを行い、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の前記開口部に導電膜をスパッタリング法により形成し、前記第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、前記第１の絶縁膜よりもガスバリア性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１５】
前記構成において、前記第１の絶縁膜が酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜であり、前記第２の絶縁膜が酸化アルミニウム膜であることが好ましい。
【００１６】
本発明の一態様は、チャネル形成領域が酸化物半導体膜に形成されるトランジスタを形成し、前記トランジスタの電極膜上に前記酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜をこの順に積層して形成し、前記第３の絶縁膜上に開口部を有するエッチングマスクを形成し、前記エッチングマスクの前記開口部と重畳する部分の前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜をエッチングして前記電極膜を露出する開口部を形成し、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜の前記開口部をアルゴンプラズマに曝し、前記エッチングマスクを除去し、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜の前記開口部に導電膜を形成し、前記第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、前記第１の絶縁膜よりもガスバリア性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１７】
本発明の一態様は、チャネル形成領域が酸化物半導体膜に形成されるトランジスタを形成し、前記トランジスタの電極膜上に前記酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜をこの順に積層して形成し、前記第３の絶縁膜上に開口部を有するエッチングマスクを形成し、前記エッチングマスクの前記開口部と重畳する部分の前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜をエッチングして前記電極膜を露出する開口部を形成し、前記エッチングマスクを除去し、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜の前記開口部に逆スパッタリングを行い、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜の前記開口部に導電膜をスパッタリング法により形成し、前記第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、前記第１の絶縁膜よりもガスバリア性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１８】
前記構成において、前記第１の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜が、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜であり、前記第２の絶縁膜が酸化アルミニウム膜であることが好ましい。
【００１９】
前記構成において、前記第３の絶縁膜が前記第１の絶縁膜よりも厚いとよい。
【００２０】
なお、本明細書中において、「電極膜」とは、ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極のいずれかとなる導電膜を総括したものをいう。すなわち、「電極膜」と記載する場合には、ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極のいずれかとして機能する導電膜であって、その機能は問わない。
【００２１】
なお、本明細書中において、「ガスバリア性」は、少なくとも酸素ガスに対するものであり、「ガスバリア性が高い」場合には酸素ガスの透過性が低く、「ガスバリア性が低い」場合には酸素ガスの透過性が高いものとなる。
【００２２】
なお、本明細書中において、「エッチングマスク」とは、該エッチングマスク下に形成された膜がエッチングされることを防止するために形成されるマスクをいう。エッチングマスクとしては、例えばレジストマスクが挙げられる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の一態様によれば、信頼性が高く、ソースとドレインの間にリーク電流が生じにくく、コンタクト抵抗が小さい半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一態様である半導体装置の作製方法を説明する図。
【図２】本発明の一態様である半導体装置の作製方法を説明する図。
【図３】本発明の一態様である半導体装置の作製方法を説明する図。
【図４】本発明の一態様である半導体装置の作製方法を説明する図。
【図５】本発明の一態様である半導体装置の作製方法を説明する図。
【図６】本発明の一態様に適用可能な酸化物材料の構造を説明する図。
【図７】本発明の一態様に適用可能な酸化物材料の構造を説明する図。
【図８】本発明の一態様に適用可能な酸化物材料の構造を説明する図。
【図９】本発明の一態様である半導体装置の作製方法を説明する図。
【図１０】本発明の一態様である半導体装置の作製方法を説明する図。
【図１１】実施例と比較例の開口部を示す断面ＳＴＥＭ像。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２６】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置の作製方法について説明する。本実施の形態では、開口部が形成される積層絶縁膜が２層構造である。
【００２７】
まず、基板１００上に下地絶縁膜１０２と第１の導電膜１０４を形成し、第１の導電膜１０４上に第１のエッチングマスク１０６を形成する（図１（Ａ））。
【００２８】
基板１００は、特定のものに限定されず、半導体装置の作製工程における十分な耐熱性及び耐薬品性を有するものであればよい。基板１００としては、ガラス基板、石英基板、セラミック基板またはプラスチック基板などを例示列挙することができる。プラスチック基板の材料としては、屈折率異方性の小さいプラスチック材料を用いることが好ましい。屈折率異方性の小さいプラスチック材料としては、ポリエーテルサルフォン、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリビニルフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、アクリル樹脂、またはプリプレグなどを例示列挙することができる。
【００２９】
下地絶縁膜１０２は、酸素供給源として機能する絶縁性酸化物により形成すればよい。従って、下地絶縁膜１０２は、化学量論比よりも多くの酸素を含み、酸素の一部が加熱処理により脱離する絶縁性酸化物により形成すればよい。このような絶縁性酸化物として、例えば、ＳｉＯｘにおいてｘ＞２である酸化シリコンが挙げられる。
【００３０】
ただし、下地絶縁膜１０２の材料はこれに限定されず、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ハフニウムまたは酸化イットリウムなどであってもよい。
【００３１】
なお、「窒化酸化シリコン」とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものをいい、「酸化窒化シリコン」とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものをいう。
【００３２】
なお、下地絶縁膜１０２は単層構造であってもよいし、複数の層が積層された構造であってもよい。複数の層が積層された構造としては、例えば、窒化シリコン膜上に酸化シリコン膜が設けられた積層構造が挙げられる。
【００３３】
下地絶縁膜１０２の厚さは、５０ｎｍ以上、好ましくは２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下とするとよい。特に、前記範囲内で厚くすると、加熱処理により酸化物半導体膜に多くの酸素を拡散させることができ、下地絶縁膜１０２と酸化物半導体膜の界面における欠陥（酸素欠損）を低減することができるため、好ましい。
【００３４】
ところで、化学量論比よりも多くの酸素を含む絶縁性酸化物では、酸素の一部が加熱処理により脱離しやすい。酸素の一部が加熱処理により脱離しやすいときのＴＤＳ分析による酸素の脱離量（酸素原子に換算した値）は、１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、好ましくは１．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、より好ましくは３．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であるとよい。
【００３５】
ここで、ＴＤＳ分析における酸素の脱離量（酸素原子に換算した値）は、電子科学株式会社製の昇温脱離分析装置ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓ／Ｗを用いて測定し、標準試料として１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の水素原子を含むシリコンウェハを用いて算出した場合の値である。
【００３６】
ここで、ＴＤＳ分析について説明する。ＴＤＳ分析における気体の脱離量は、イオン強度の時間積分値に比例する。このため、気体の脱離量は、絶縁性酸化物におけるイオン強度の時間積分値と標準試料の基準値から計算することができる。標準試料の基準値は、ある特定の原子を含む試料（標準試料）におけるスペクトルの積分値に対する原子密度の割合である。
【００３７】
例えば、絶縁性酸化物におけるイオン強度と、標準試料である所定の密度の水素を含むシリコンウェハにおけるイオン強度から、絶縁性酸化物の酸素分子（Ｏ２）の脱離量（ＮＯ２）は、以下の式（１）で求めることができる。
【００３８】
[数１]
ＮＯ２＝ＮＨ２／ＳＨ２×ＳＯ２×α （１）
【００３９】
ＮＨ２は、標準試料から脱離した水素分子（Ｈ２）を密度に換算した値である。ＳＨ２は、標準試料の水素分子（Ｈ２）のイオン強度の時間積分値である。すなわち、ＮＨ２／ＳＨ２を標準試料の基準値とする。ＳＯ２は、絶縁性酸化物の酸素分子（Ｏ２）のイオン強度の時間積分値である。αは、イオン強度に影響する係数である。式（１）の詳細に関しては、特開平０６−２７５６９７号公報を参照されたい。
【００４０】
なお、ＴＤＳ分析において、酸素の一部は酸素原子として検出される。酸素分子と酸素原子の比率は、酸素分子のイオン化率から算出することができる。なお、前記係数αは酸素分子のイオン化率を含んでいるため、酸素分子の放出量を評価することで酸素原子の放出量も算出することができる。
【００４１】
なお、ＮＯ２は酸素分子（Ｏ２）の脱離量であるため、酸素原子で換算した酸素の脱離量は、酸素分子（Ｏ２）の脱離量の２倍である。
【００４２】
下地絶縁膜１０２の形成は、スパッタリング法またはＣＶＤ法などにより行えばよい。ＣＶＤ法を用いる場合には、下地絶縁膜１０２を形成した後に加熱処理により水素などを脱離させて除去するとよい。
【００４３】
下地絶縁膜１０２を酸化シリコンによりスパッタリング法を用いて形成する場合には、ターゲットとして石英（好ましくは合成石英）ターゲット、スパッタリングガスとしてアルゴンガスを用いればよい。または、ターゲットとしてシリコンターゲット、スパッタリングガスとして酸素を含むガスを用いてもよい。なお、酸素を含むガスとしては、酸素ガスのみを用いてもよいし、アルゴンガスと酸素ガスの混合ガスを用いてもよい。
【００４４】
第１の導電膜１０４は、導電性材料により形成すればよい。ここで、導電性材料としては、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、マンガン、マグネシウム、ベリリウム若しくはジルコニウムなどの金属、または前記金属の一種若しくは複数種を成分として含む合金を例示列挙することができる。なお、第１の導電膜１０４は、単層構造でもよいし、積層構造であってもよい。
【００４５】
なお、第１の導電膜１０４を銅により形成すると、第１の導電膜１０４により形成される配線を低抵抗にすることができるため好ましい。ここで、第１の導電膜１０４が積層構造である場合には、少なくとも一層が銅により形成されていればよい。
【００４６】
または、第１の導電膜１０４は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物または酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料により形成してもよい。
【００４７】
または、第１の導電膜１０４は、前記透光性を有する導電性材料膜と前記金属膜を積層して形成してもよい。
【００４８】
第１の導電膜１０４の厚さは、例えば１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすればよい。
【００４９】
第１の導電膜１０４の形成は、例えば、スパッタリング法またはＣＶＤ法などにより行えばよい。
【００５０】
第１のエッチングマスク１０６は、レジスト材料により形成すればよい。ただし、これに限定されず、第１の導電膜１０４の加工時にマスクとして機能するものであればよい。
【００５１】
ここで、下地絶縁膜１０２の形成後、第１の導電膜１０４の形成前に、下地絶縁膜１０２に含まれる水素を除去する加熱処理を行うとよい。または、第１の導電膜１０４の形成後、第１のエッチングマスク１０６の形成前に、下地絶縁膜１０２に含まれる水素を除去する加熱処理を行ってもよい。
【００５２】
次に、第１のエッチングマスク１０６を用いて第１の導電膜１０４を加工することで第１の導電膜１０８を形成する（図１（Ｂ））。
【００５３】
第１の導電膜１０４の加工は、ドライエッチングにより行えばよい。ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素ガス、または三塩化ホウ素ガスと塩素ガスの混合ガスを例示列挙することができる。ただし、これに限定されず、ウエットエッチングを用いてもよいし、他の手段を用いてもよい。
【００５４】
第１の導電膜１０８は、少なくともソース電極及びドレイン電極として機能する。
【００５５】
次に、第１のエッチングマスク１０６を除去し、下地絶縁膜１０２と第１の導電膜１０８上に接して酸化物半導体膜１１０を形成する（図１（Ｃ））。
【００５６】
ここで、第１のエッチングマスク１０６の除去後、酸化物半導体膜１１０の形成前に、下地絶縁膜１０２に含まれる水素を除去する加熱処理を行ってもよい。
【００５７】
第１のエッチングマスク１０６の除去は、第１のエッチングマスク１０６がレジスト材料により形成されている場合には、酸素プラズマを用いたアッシングにより行えばよい。または、レジスト剥離液を用いてもよい。または、これらの双方を用いてもよい。
【００５８】
酸化物半導体膜１１０は、少なくともインジウム（Ｉｎ）または亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。特にＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。
【００５９】
また、酸化物半導体膜１１０を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを低減するスタビライザーとして、それらに加えてガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）及びアルミニウム（Ａｌ）のいずれか一種または複数種を有することが好ましい。
【００６０】
また、他のスタビライザーとして、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）のいずれか一種または複数種を有していてもよい。
【００６１】
例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、二元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物、三元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物（ＩＧＺＯとも表記する）、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、四元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。
【００６２】
なお、ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎ以外の金属元素が含まれていてもよい。
【００６３】
例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１（＝１／３：１／３：１／３）若しくはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１（＝２／５：２／５：１／５）の原子比のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いることができる。または、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝１：１：１（＝１／３：１／３：１／３）、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：３（＝１／３：１／６：１／２）若しくはＩｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：５（＝１／４：１／８：５／８）の原子比のＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いるとよい。
【００６４】
しかし、これに限定されず、必要とする半導体特性（移動度、しきい値、ばらつきなど）に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とする半導体特性を得るために、キャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間結合距離または密度などを適切なものとすることが好ましい。
【００６５】
酸化物半導体膜１１０は、単結晶でもよいし、非単結晶でもよい。非単結晶の場合には、アモルファスでもよいし、多結晶でもよい。または、アモルファス中に結晶性を有する部分を含む構造でもよいし、非アモルファスでもよい。
【００６６】
ここで、酸化物半導体膜１１０の好ましい形態の一について説明する。酸化物半導体膜１１０の好ましい形態の一は、ｃ軸配向し、かつａｂ面、表面または界面の方向から見て三角形状または六角形状の原子配列を有し、ｃ軸においては金属原子が層状または金属原子と酸素原子とが層状に配列しており、ａｂ面においてはａ軸またはｂ軸の向きが異なる（ｃ軸を中心に回転した）結晶（ＣＡＡＣ：Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）を含む酸化物である。以下、このような酸化物を単にＣＡＡＣと呼ぶこととする。
【００６７】
ＣＡＡＣは、非単結晶であって、そのａｂ面に垂直な方向から見て、三角形、六角形、正三角形または正六角形の原子配列を有し、かつｃ軸方向に垂直な方向から見て、金属原子が層状、または金属原子と酸素原子が層状に配列した相を含む。
【００６８】
ＣＡＡＣは単結晶ではないが、非晶質のみから形成されているものでもない。また、ＣＡＡＣは結晶化した部分（結晶部分）を含むが、１つの結晶部分と他の結晶部分の境界を明確に判別できないこともある。
【００６９】
ＣＡＡＣに酸素が含まれる場合、酸素の一部は窒素で置換されていてもよい。また、ＣＡＡＣを構成する個々の結晶部分のｃ軸は一定の方向（例えば、ＣＡＡＣが形成される基板面、ＣＡＡＣの表面などに垂直な方向）に揃っていてもよい。または、ＣＡＡＣを構成する個々の結晶部分のａｂ面の法線は一定の方向（例えば、ＣＡＡＣが形成される基板面、ＣＡＡＣの表面などに垂直な方向）を向いていてもよい。
【００７０】
ＣＡＡＣは、導体であってもよいし、半導体であってもよいし、絶縁体であってもよい。また、可視光に対して透明であってもよいし、不透明であってもよい。
【００７１】
このようなＣＡＡＣの例として、膜状に形成され、膜表面または形成される基板面に垂直な方向から観察すると三角形または六角形の原子配列が認められ、かつその膜断面を観察すると金属原子または金属原子と酸素原子（または窒素原子）の層状配列が認められる酸化物が挙げられる。
【００７２】
ＣＡＡＣについて図６乃至図８を用いて説明する。なお、原則として、図６乃至図８は上方向をｃ軸方向とし、ｃ軸方向と直交する面をａｂ面とする。なお、単に上半分、下半分という場合には、ａｂ面を境とする。また、図６において、丸で囲まれたＯは４配位のＯを示し、二重丸で囲まれたＯは３配位のＯを示す。
【００７３】
図６（Ａ）には、１個の６配位のＩｎと、Ｉｎに近接する６個の４配位の酸素原子（４配位のＯ）と、を有する構造を示す。ここでは、金属原子１個に対して、近接する酸素原子のみ示した構造を小グループと呼ぶ。図６（Ａ）の構造は、八面体構造をとるが、簡単のため平面構造で示している。なお、図６（Ａ）の上半分及び下半分には、それぞれ３個ずつ４配位のＯがある。図６（Ａ）に示す小グループの電荷は０である。
【００７４】
図６（Ｂ）には、１個の５配位のＧａと、Ｇａに近接する３個の３配位の酸素原子（３配位のＯ）と、Ｇａに近接する２個の４配位のＯと、を有する構造を示す。３配位のＯは、いずれもａｂ面に存在する。図６（Ｂ）の上半分及び下半分には、それぞれ１個ずつ４配位のＯがある。また、Ｉｎも５配位をとるため、図６（Ｂ）に示す構造をとりうる。図６（Ｂ）に示す小グループの電荷は０である。
【００７５】
図６（Ｃ）には、１個の４配位のＺｎと、Ｚｎに近接する４個の４配位のＯと、を有する構造を示す。図６（Ｃ）の上半分には１個の４配位のＯがあり、下半分には３個の４配位のＯがある。または、図６（Ｃ）の上半分に３個の４配位のＯがあり、下半分に１個の４配位のＯがあってもよい。図６（Ｃ）に示す小グループの電荷は０である。
【００７６】
図６（Ｄ）には、１個の６配位のＳｎと、Ｓｎに近接する６個の４配位のＯと、を有する構造を示す。図６（Ｄ）の上半分には３個の４配位のＯがあり、下半分には３個の４配位のＯがある。図６（Ｄ）に示す小グループの電荷は＋１である。
【００７７】
図６（Ｅ）には、２個のＺｎを含む小グループを示す。図６（Ｅ）の上半分には１個の４配位のＯがあり、下半分には１個の４配位のＯがある。図６（Ｅ）に示す小グループは電荷が−１となる。
【００７８】
ここでは、複数の小グループの集合体を中グループと呼び、複数の中グループの集合体を大グループ（ユニットセルともいう。）と呼ぶ。
【００７９】
ここで、これらの小グループ同士が結合する規則について説明する。図６（Ａ）に示す６配位のＩｎの上半分の３個のＯは下方向にそれぞれ３個の近接するＩｎを有し、下半分の３個のＯは上方向にそれぞれ３個の近接するＩｎを有する。図６（Ｂ）に示す５配位のＧａの上半分の１個のＯは下方向に１個の近接するＧａを有し、下半分の１個のＯは上方向に１個の近接するＧａを有する。図６（Ｃ）に示す４配位のＺｎの上半分の１個のＯは下方向に１個の近接するＺｎを有し、下半分の３個のＯは上方向にそれぞれ３個の近接するＺｎを有する。この様に、金属原子の上方向の４配位のＯの数と、そのＯの下方向にある近接する金属原子の数は等しく、同様に金属原子の下方向の４配位のＯの数と、そのＯの上方向にある近接する金属原子の数は等しい。Ｏは４配位なので、下方向にある近接する金属原子の数と、上方向にある近接する金属原子の数の和は４になる。従って、金属原子の上方向にある４配位のＯの数と、別の金属原子の下方向にある４配位のＯの数との和が４個のとき、金属原子を有する二種の小グループ同士は結合することができる。例えば、６配位の金属原子（ＩｎまたはＳｎ）が下半分の４配位のＯを介して結合する場合には、４配位のＯが３個であるため、５配位の金属原子（ＧａまたはＩｎ）、または４配位の金属原子（Ｚｎ）のいずれかと結合することになる。
【００８０】
これらの配位数を有する金属原子は、ｃ軸方向において、４配位のＯを介して結合する。また、このほかにも、層構造の合計の電荷が０となるように複数の小グループが結合して中グループを構成する。
【００８１】
図７（Ａ）には、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物の層構造を構成する中グループのモデル図を示す。図７（Ｂ）には、３つの中グループで構成される大グループを示す。なお、図７（Ｃ）には、図７（Ｂ）の層構造をｃ軸方向から観察した場合の原子配列を示す。
【００８２】
図７（Ａ）においては、簡単のため、３配位のＯは省略し、４配位のＯは個数のみ示している。例えば、Ｓｎの上半分及び下半分にはそれぞれ３個ずつ４配位のＯがあることを丸枠の３で示している。同様に、Ｉｎの上半分及び下半分にはそれぞれ１個ずつ４配位のＯがあり、丸枠の１で示している。同様に、下半分に１個の４配位のＯがあり、上半分に３個の４配位のＯがあるＺｎと、上半分に１個の４配位のＯがあり、下半分に３個の４配位のＯがあるＺｎと、を示している。
【００８３】
図７（Ａ）において、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物の層構造を構成する中グループでは、上から順に４配位のＯが３個ずつ上半分及び下半分にあるＳｎが、４配位のＯが１個ずつ上半分及び下半分にあるＩｎと結合し、そのＩｎが、上半分に３個の４配位のＯがあるＺｎと結合し、そのＺｎが、Ｚｎの下半分の１個の４配位のＯを介して４配位のＯが３個ずつ上半分及び下半分にあるＩｎと結合し、そのＩｎが、上半分に１個の４配位のＯがあるＺｎ２個からなる小グループと結合し、この小グループの下半分の１個の４配位のＯを介して４配位のＯが３個ずつ上半分及び下半分にあるＳｎと結合している。この中グループが複数結合して大グループを構成する。
【００８４】
ここで、３配位のＯ及び４配位のＯでは、結合１本当たりの電荷はそれぞれ−０．６６７、−０．５と考えることができる。例えば、Ｉｎ（６配位または５配位）、Ｚｎ（４配位）、Ｓｎ（５配位または６配位）の電荷は、それぞれ＋３、＋２、＋４である。従って、Ｓｎを含む小グループの電荷は＋１である。そのため、Ｓｎを含む層構造を形成するためには、電荷＋１を打ち消す電荷−１をとる構造が必要となる。電荷−１をとる構造として、図６（Ｅ）に示すように、２個のＺｎを含む小グループが挙げられる。例えば、Ｓｎを含む小グループが１個に対し、２個のＺｎを含む小グループが１個あれば、電荷が打ち消されるため、層構造の合計の電荷を０とすることができる。
【００８５】
具体的には、図７（Ｂ）に示す大グループが繰り返されることで、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物の結晶（Ｉｎ２ＳｎＺｎ３Ｏ８）を得ることができる。なお、得られるＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物の層構造は、Ｉｎ２ＳｎＺｎ２Ｏ７（ＺｎＯ）ｍ（ｍは０または自然数。）の組成式で表すことができる。
【００８６】
また、四元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、三元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物（ＩＧＺＯとも表記する。）、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、二元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物、などを用いた場合も同様である。
【００８７】
図８（Ａ）には、一例として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物の層構造を構成する中グループのモデル図を示す。
【００８８】
図８（Ａ）において、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物の層構造を構成する中グループでは、上から順に４配位のＯが３個ずつ上半分及び下半分にあるＩｎが、１個の４配位のＯが上半分にあるＺｎと結合し、そのＺｎが、Ｚｎの下半分の３個の４配位のＯを介して、４配位のＯが１個ずつ上半分及び下半分にあるＧａと結合し、そのＧａが、Ｇａの下半分の１個の４配位のＯを介して、４配位のＯが３個ずつ上半分及び下半分にあるＩｎと結合している。この中グループが複数結合して大グループを構成する。
【００８９】
図８（Ｂ）には、３つの中グループで構成される大グループを示す。なお、図８（Ｃ）には、図８（Ｂ）の層構造をｃ軸方向から観察した場合の原子配列を示している。
【００９０】
ここで、Ｉｎ（６配位または５配位）、Ｚｎ（４配位）、Ｇａ（５配位）の電荷は、それぞれ＋３、＋２、＋３であるため、Ｉｎ、Ｚｎ及びＧａのいずれかを含む小グループは、電荷が０となる。そのため、これらの小グループの組み合わせであれば中グループの合計の電荷は常に０となる。
【００９１】
また、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物の層構造を構成する中グループは、図８（Ａ）に示した中グループに限定されない。Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎの配列が異なる複数の中グループが組み合わせられた大グループも取りうる。
【００９２】
なお、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物の作製に際しては、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎが原子数比で、例えば１：２：２、２：１：３、１：１：１、または２０：４５：３５の組成比の酸化物ターゲットを用いればよい。
【００９３】
なお、酸化物半導体膜１１０の厚さは、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすればよい。
【００９４】
次に、酸化物半導体膜１１０上に第２のエッチングマスク１１２を形成する（図２（Ａ））。
【００９５】
ここで、下地絶縁膜１０２が、酸素供給源として機能する絶縁性酸化物により形成されている場合には、酸化物半導体膜１１０の形成後、第２のエッチングマスク１１２の形成前に、酸化物半導体膜１１０に酸素を供給する加熱処理を行ってもよい。
【００９６】
第２のエッチングマスク１１２は、レジスト材料により形成すればよい。ただし、これに限定されず、酸化物半導体膜１１０の加工時にマスクとして機能するものであればよい。
【００９７】
次に、第２のエッチングマスク１１２を用いて酸化物半導体膜１１０を加工して酸化物半導体膜１１４を形成する（図２（Ｂ））。
【００９８】
酸化物半導体膜１１０の加工は、ドライエッチングにより行えばよい。ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素ガス、または三塩化ホウ素ガスと塩素ガスの混合ガスを例示列挙することができる。ただし、これに限定されず、ウエットエッチングを用いてもよいし、他の手段を用いてもよい。
【００９９】
次に、第２のエッチングマスク１１２を除去し、少なくとも酸化物半導体膜１１４を覆って第１の絶縁膜１１６を形成する（図２（Ｃ））。
【０１００】
第２のエッチングマスク１１２の除去は、第２のエッチングマスク１１２がレジスト材料により形成されている場合には、酸素プラズマを用いたアッシングにより行えばよい。または、レジスト剥離液を用いてもよい。または、これらの双方を用いてもよい。
【０１０１】
第１の絶縁膜１１６は、酸素供給源として機能する絶縁性酸化物により形成され、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンにより形成すればよい。
【０１０２】
第１の絶縁膜１１６の厚さは、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下、好ましくは３ｎｍ以上１０ｎｍ以下とすればよい。
【０１０３】
第１の絶縁膜１１６の形成は、スパッタリング法により行えばよい。
【０１０４】
ここで、第１の絶縁膜１１６は、酸素供給源として機能する絶縁性酸化物により形成されている。そのため、第１の絶縁膜１１６の形成後に、酸化物半導体膜１１４に酸素を供給する加熱処理を行うことが好ましい。酸化物半導体膜１１４に酸素を供給する加熱処理を行うことで、酸素欠陥の数を少なくすることができる。
【０１０５】
第１の絶縁膜１１６は、少なくともゲート絶縁膜として機能する。
【０１０６】
次に、第１の絶縁膜１１６上に第２の導電膜１２０を形成する（図３（Ａ））。
【０１０７】
第２の導電膜１２０は、第１の導電膜１０４と同様の材料及び方法により形成すればよい。
【０１０８】
次に、第２の導電膜１２０上に第３のエッチングマスク１２２を形成する（図３（Ｂ））。
【０１０９】
第３のエッチングマスク１２２は、レジスト材料により形成すればよい。ただし、これに限定されず、第２の導電膜１２０の加工時にマスクとして機能するものであればよい。
【０１１０】
次に、第３のエッチングマスク１２２を用いて第２の導電膜１２０を加工して第２の導電膜１２４を形成する（図３（Ｃ））。
【０１１１】
第２の導電膜１２０の加工は、ドライエッチングにより行えばよい。ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素ガス、または三塩化ホウ素ガスと塩素ガスの混合ガスを例示列挙することができる。ただし、これに限定されず、ウエットエッチングを用いてもよいし、他の手段を用いてもよい。
【０１１２】
第２の導電膜１２４は、少なくともゲート電極として機能する。
【０１１３】
次に、第３のエッチングマスク１２２を除去し、第２の導電膜１２４をマスクとして用いて酸化物半導体膜１１４にドーパントを添加し、ソース領域及びドレイン領域を有する酸化物半導体膜１２６を形成する（図４（Ａ））。酸化物半導体膜１２６は、ソース領域及びドレイン領域の一方である領域１２６Ａと、チャネル形成領域である領域１２６Ｂと、ソース領域及びドレイン領域の他方である領域１２６Ｃと、を有する。
【０１１４】
第３のエッチングマスク１２２の除去は、第３のエッチングマスク１２２がレジスト材料により形成されている場合には、酸素プラズマを用いたアッシングにより行えばよい。または、レジスト剥離液を用いてもよい。または、これらの双方を用いてもよい。
【０１１５】
酸化物半導体膜１１４へのドーパントの添加は、イオンインプランテーション法またはイオンドーピング法により行えばよい。または、ドーパントを含むガス雰囲気中でのプラズマ処理により行ってもよい。また、添加するドーパントとしては、リンまたはヒ素などを用いればよい。
【０１１６】
なお、ドーパントの添加は、第３のエッチングマスク１２２が形成された状態で行ってもよい。または、ドーパントの添加は、後述する第２の絶縁膜１１８を形成した後に行ってもよい。
【０１１７】
次に、第１の絶縁膜１１６及び第２の導電膜１２４上に第２の絶縁膜１１８を形成し、開口部を形成する部分以外の第２の絶縁膜１１８上に第４のエッチングマスク１２８を形成する（図４（Ｂ））。
【０１１８】
第２の絶縁膜１１８は、ガスバリア性が高く、エッチングされにくい材料により形成する。このような材料として、酸化アルミニウムが挙げられる。
【０１１９】
第２の絶縁膜１１８の厚さは、３０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上とすればよい。
【０１２０】
第２の絶縁膜１１８の形成は、ＣＶＤ法またはスパッタリング法により行えばよい。
【０１２１】
第４のエッチングマスク１２８は、レジスト材料により形成すればよい。ただし、これに限定されず、第１の絶縁膜１１６及び第２の絶縁膜１１８の加工時にマスクとして機能するものであればよい。
【０１２２】
次に、第４のエッチングマスク１２８に覆われていない部分の第２の絶縁膜１１８及び第１の絶縁膜１１６を加工して開口部１３０を形成する（図４（Ｃ））。ここで、第２の絶縁膜１１８はエッチングされにくい材料により形成されているため、開口部１３０において第１の絶縁膜１１６の側面の基板面に対する傾斜角と第２の絶縁膜１１８の側面の基板面に対する傾斜角は、第２の絶縁膜１１８の側面の基板面に対する傾斜角のほうが小さい。
【０１２３】
第２の絶縁膜１１８及び第１の絶縁膜１１６の加工は、ドライエッチングにより行えばよい。ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素ガス、または三塩化ホウ素ガスと塩素ガスの混合ガスを例示列挙することができる。ただし、これに限定されず、ウエットエッチングを用いてもよいし、他の手段を用いてもよい。
【０１２４】
アルゴンプラズマ処理を行う場合（第１の態様）には、図４（Ｃ）の状態で行えばよい。なお、アルゴンに代えてヘリウムなど他の希ガス（ヘリウム、クリプトン、キセノンなど）を用いてもよい。アルゴンプラズマ処理により開口部１３０の表面の凹凸が除去されて平坦性が向上する。
【０１２５】
次に、第４のエッチングマスク１２８を除去する（図５（Ａ））。
【０１２６】
第４のエッチングマスク１２８の除去は、第４のエッチングマスク１２８がレジスト材料により形成されている場合には、酸素プラズマを用いたアッシングにより行えばよい。または、レジスト剥離液を用いてもよい。または、これらの双方を用いてもよい。
【０１２７】
次に、第２の絶縁膜１１８上に開口部１３０において第１の導電膜１０８と接続されるように第３の導電膜１３２を形成し、第３の導電膜１３２上に第５のエッチングマスク１３４を形成する（図５（Ｂ））。
【０１２８】
第３の導電膜１３２は、第１の導電膜１０４及び第２の導電膜１２０と同様の材料及び方法により形成すればよい。ただし、半導体装置が表示装置である場合には、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物または酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料により形成する。
【０１２９】
アルゴンプラズマ処理により開口部１３０の表面の凹凸が除去されていると、形成不良などを生じずに第３の導電膜１３２を形成することができる。
【０１３０】
第５のエッチングマスク１３４は、レジスト材料により形成すればよい。ただし、これに限定されず、第３の導電膜１３２の加工時にマスクとして機能するものであればよい。
【０１３１】
なお、第３の導電膜１３２がスパッタリング法により形成される場合には、開口部１３０に逆スパッタリングを行うとよい（第２の態様）。逆スパッタリングはスパッタリング装置内で行うことが可能であるため、スループットを低下させることなく開口部１３０に存在するエッチング残渣などを除去することができるためである。なお、逆スパッタリングを行う場合には、図５（Ａ）の状態で行えばよい。第４のエッチングマスク１２８を除去する前に逆スパッタリングを行うと、逆スパッタリングを行った後に再度スパッタリング装置内に基板１００を搬入しなければならず、スループットが低下するためである。
【０１３２】
逆スパッタリングにより開口部１３０の表面の凹凸が除去されていると、形成不良などを生じることなく第３の導電膜１３２を形成することができる。
【０１３３】
次に、第５のエッチングマスク１３４を用いて第３の導電膜１３２を加工することで第３の導電膜１３６を形成する。その後、第５のエッチングマスク１３４を除去する（図５（Ｃ））。
【０１３４】
第３の導電膜１３２の加工は、ドライエッチングまたはウエットエッチングにより行えばよい。
【０１３５】
第５のエッチングマスク１３４の除去は、第５のエッチングマスク１３４がレジスト材料により形成されている場合には、酸素プラズマを用いたアッシングにより行えばよい。または、レジスト剥離液を用いてもよい。または、これらの双方を用いてもよい。
【０１３６】
以上説明したように本実施の形態の半導体装置を作製することができる。
【０１３７】
なお、本実施の形態の第１の絶縁膜１１６と第２の絶縁膜１１８の材料は逆でもよい。このとき、第１の絶縁膜１１６はエッチングされにくい材料により形成されるため、開口部１３０において第２の絶縁膜１１８の側面の基板面に対する傾斜角と第１の絶縁膜１１６の側面の基板面に対する傾斜角は、第２の絶縁膜１１８の側面の基板面に対する傾斜角のほうが大きくなる。
【０１３８】
（実施の形態２）
実施の形態１では開口部が２層の積層絶縁膜に形成される場合について説明したが、開口部が形成される積層絶縁膜は３層であってもよい。本実施の形態では、開口部が形成される積層絶縁膜が３層である形態について説明する。すなわち、開口部形成前にパッシベーション膜が形成され、該パッシバーション膜にも開口部が形成されてもよい。
【０１３９】
まず、実施の形態１と同様に、基板２００上に下地絶縁膜２０２を形成し、下地絶縁膜２０２上に第１の導電膜２０４を形成し、第１の導電膜２０４に接して酸化物半導体膜２０６を形成し、酸化物半導体膜２０６を覆って第１の絶縁膜２０８を形成し、第１の絶縁膜２０８上に第２の導電膜２１２を形成し、第１の絶縁膜２０８上及び第２の導電膜２１２を覆って第２の絶縁膜２１０及び第３の絶縁膜２１４を形成する。そして、開口部を形成する部分以外の第３の絶縁膜２１４上に第１のエッチングマスク２１６を形成する（図９（Ａ））。
【０１４０】
なお、酸化物半導体膜２０６は、ソース領域及びドレイン領域の一方である領域２０６Ａと、チャネル形成領域である領域２０６Ｂと、ソース領域及びドレイン領域の他方である領域２０６Ｃと、を有する。
【０１４１】
基板２００は、実施の形態１の基板１００に相当する。
【０１４２】
下地絶縁膜２０２は、実施の形態１の下地絶縁膜１０２に相当する。
【０１４３】
第１の導電膜２０４は、実施の形態１の第１の導電膜１０８に相当する。
【０１４４】
酸化物半導体膜２０６は、実施の形態１の酸化物半導体膜１２６に相当する。
【０１４５】
第１の絶縁膜２０８は、実施の形態１の第１の絶縁膜１１６に相当する。従って、第１の絶縁膜２０８は、酸素供給源として機能する絶縁性酸化物（例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化シリコン）を用いてスパッタリング法により形成する。
【０１４６】
ここで、第１の絶縁膜２０８は、酸素供給源として機能する絶縁性酸化物により形成されている。そのため、第１の絶縁膜２０８の形成後に、酸化物半導体膜２０６に酸素を供給する加熱処理を行うことが好ましい。
【０１４７】
第２の絶縁膜２１０は、実施の形態１の第２の絶縁膜１１８に相当する。すなわち、ガスバリア性が高く、第１の絶縁膜２０８及び第３の絶縁膜２１４よりもエッチングされにくい材料により形成する。
【０１４８】
第２の導電膜２１２は、実施の形態１の第２の導電膜１２４に相当する。
【０１４９】
第３の絶縁膜２１４は、第１の絶縁膜２０８と同様の材料及び方法により形成する。第３の絶縁膜２１４は、パッシベーション膜として機能するものである。第３の絶縁膜２１４の厚さは特に限定されないが、１００ｎｍ以上とすればよい。
【０１５０】
第１のエッチングマスク２１６は、実施の形態１の第４のエッチングマスク１２８に相当する。
【０１５１】
次に、第１のエッチングマスク２１６に覆われていない部分の第３の絶縁膜２１４、第２の絶縁膜２１０及び第１の絶縁膜２０８を加工して開口部２１８を形成する（図９（Ｂ））。ここで、第２の絶縁膜２１０はエッチングされにくい材料により形成されているため、開口部２１８において第１の絶縁膜２０８及び第３の絶縁膜２１４の側面の基板面に対する傾斜角と、第２の絶縁膜２１０の側面の基板面に対する傾斜角は、第１の絶縁膜２０８及び第３の絶縁膜２１４の側面の基板面に対する傾斜角のほうが大きい。
【０１５２】
開口部２１８の形成は、ドライエッチングにより行えばよい。ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素ガス、または三塩化ホウ素ガスと塩素ガスの混合ガスを例示列挙することができる。ただし、これに限定されず、ウエットエッチングを用いてもよいし、他の手段を用いてもよい。
【０１５３】
アルゴンプラズマ処理を行う場合（第１の態様）には、図９（Ｂ）の状態で行えばよい。なお、アルゴンに代えてヘリウムなど他の希ガス（ヘリウム、クリプトン、キセノンなど）を用いてもよい。アルゴンプラズマ処理により開口部２１８の表面の凹凸が除去されて平坦性が向上する。
【０１５４】
次に、第１のエッチングマスク２１６を除去し、第３の絶縁膜２１４上に開口部２１８において第１の導電膜２０４と接続されるように第３の導電膜２２０を形成し、第３の導電膜２２０上に第２のエッチングマスク２２２を形成する（図９（Ｃ））。
【０１５５】
第３の導電膜２２０がスパッタリング法により形成される場合には、開口部２１８に逆スパッタリングを行うとよい（第２の態様）。逆スパッタリングはスパッタリング装置内で行うことが可能であるため、スループットを低下させることなく開口部２１８に存在するエッチング残渣などを除去することができるためである。なお、逆スパッタリングを行う場合には、第１のエッチングマスク２１６の除去後、第３の導電膜２２０の形成前に行えばよい。第１のエッチングマスク２１６を除去する前に逆スパッタリングを行うと、逆スパッタリングを行った後に再度スパッタリング装置内に基板２００を搬入しなければならず、スループットが低下するためである。
【０１５６】
その後、第２のエッチングマスク２２２を用いて第３の導電膜２２０を加工し、その後、第２のエッチングマスク２２２を除去する（図示しない）。
【０１５７】
以上説明したように本実施の形態の半導体装置を作製することができる。
【０１５８】
なお、本実施の形態のように開口部が３層の積層絶縁膜に形成される場合には、第１乃至第３の絶縁膜の厚さによって開口部の形状が異なる。
【０１５９】
図１０（Ａ）には、第１の絶縁膜と第３の絶縁膜が同程度の厚さである場合の開口部の形状を示す。被形成面３００上に設けられた第１の絶縁膜３０２、第２の絶縁膜３０４及び第３の絶縁膜３０６には開口部３０８が形成され、開口部３０８における第２の絶縁膜３０４の側面の被形成面３００に対する傾斜角は、開口部３０８における第１の絶縁膜３０２及び第３の絶縁膜３０６の側面の被形成面３００に対する傾斜角よりも小さい。
【０１６０】
図１０（Ｂ）には、第１の絶縁膜が第３の絶縁膜よりも薄い場合の開口部の形状を示す。被形成面３１０上に設けられた第１の絶縁膜３１２、第２の絶縁膜３１４及び第３の絶縁膜３１６には開口部３１８が形成され、開口部３１８における第２の絶縁膜３１４の側面の被形成面３１０に対する傾斜角は、開口部３１８における第１の絶縁膜３１２及び第３の絶縁膜３１６の側面の被形成面３１０に対する傾斜角よりも小さい。
【０１６１】
図１０（Ｃ）には、第１の絶縁膜が第３の絶縁膜よりも厚い場合の開口部の形状を示す。被形成面３２０上に設けられた第１の絶縁膜３２２、第２の絶縁膜３２４及び第３の絶縁膜３２６には開口部３２８が形成され、開口部３２８における第２の絶縁膜３２４の側面の被形成面３２０に対する傾斜角は、開口部３２８における第１の絶縁膜３２２及び第３の絶縁膜３２６の側面の被形成面３２０に対する傾斜角よりも小さい。
【０１６２】
図１０（Ａ）乃至（Ｃ）では、第２の絶縁膜はエッチングされにくい材料により形成されているため、第２の絶縁膜のエッチングは第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜のエッチングよりも長時間を要する。そのため、第２の絶縁膜がエッチングされる際に開口部の露出部分が広いほど、エッチングにより生じたパーティクルなどが開口部に再付着する現象（リデポ）が顕著になる。図１０（Ｂ）では、エッチングされにくい第２の絶縁膜のエッチングに際して開口部の広範囲にリデポが生じる。
【０１６３】
従って、図１０（Ｂ）のように、アルゴンプラズマ処理または逆スパッタリングの効果は、第１の絶縁膜が第３の絶縁膜よりも薄い場合に行うと、特に顕著なものとなる。従って、本発明の半導体装置では、第１の絶縁膜が第３の絶縁膜よりも薄いことが好ましい。
【０１６４】
ただし、これに限定されず、図１０（Ａ）及び（Ｃ）のように第１の絶縁膜と第３の絶縁膜が同程度の厚さであってもよいし、第１の絶縁膜が第３の絶縁膜よりも厚くてもよい。
【０１６５】
なお、本実施の形態においては、トップゲートボトムコンタクト型のトランジスタを図示して説明しているが、本発明はこれに限定されず、トップゲートトップコンタクト型であってもよいし、ボトムゲートボトムコンタクト型であってもよいし、ボトムゲートトップコンタクト型であってもよい。
【実施例１】
【０１６６】
本実施例では、３層の絶縁膜を形成し、該３層の絶縁膜に開口部を形成した比較例と、該開口部が露出された状態でアルゴンプラズマに曝された本発明の一態様である実施例と、を比較して説明する。
【０１６７】
まず、基板２００上に下地絶縁膜２０２を酸化窒化シリコンによりプラズマＣＶＤ法を用いて形成した。厚さは１００ｎｍとした。
【０１６８】
次に、下地絶縁膜２０２上に第１の導電膜２０４をタングステンによりスパッタリング法を用いて形成した。厚さは１５０ｎｍとした。
【０１６９】
次に、第１の導電膜２０４上に第１の絶縁膜２０８を酸化窒化シリコンによりプラズマＣＶＤ法を用いて形成した。厚さは３０ｎｍとした。
【０１７０】
次に、第２の絶縁膜２１０を酸化アルミニウムによりスパッタリング法を用いて形成した。厚さは１００ｎｍとした。
【０１７１】
次に、第３の絶縁膜２１４を酸化窒化シリコンによりプラズマＣＶＤ法を用いて形成した。厚さは３００ｎｍとした。
【０１７２】
そして第３の絶縁膜２１４上に第１のエッチングマスク２１６を形成した。第１のエッチングマスク２１６が形成された状態で第３の絶縁膜２１４、第２の絶縁膜２１０及び第１の絶縁膜２０８にエッチングを行って開口部２１８を形成した。該エッチングは下記の条件で行った。
トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）ガス流量＝２２．５ｓｃｃｍ
ヘリウム（Ｈｅ）ガス流量＝１２７．５ｓｃｃｍ
メタン（ＣＨ４）ガス流量＝５ｓｃｃｍ
反応室内圧力＝５．０Ｐａ
ＩＣＰ電力＝４７５Ｗ
上部電極と下部電極の間のバイアス電力＝３００Ｗ
基板の温度＝７０℃
【０１７３】
次に、実施例サンプルにのみ、開口部２１８が露出された状態でアルゴンプラズマ処理を行った。該プラズマ処理は下記の条件で行った。
アルゴン（Ａｒ）ガス流量＝１００ｓｃｃｍ
反応室内圧力＝１．３５Ｐａ
ＩＣＰ電力＝５００Ｗ
上部電極と下部電極の間のバイアス電力＝１００Ｗ
基板の温度＝−１０℃
【０１７４】
その後、第１のエッチングマスク２１６を除去し、開口部２１８に積層導電膜をスパッタリング法により形成した。該積層導電膜は、チタン層、タングステン層、アルミニウム層及びチタン層の積層構造とし、それぞれの膜の厚さは２０ｎｍ、５０ｎｍ、２００ｎｍ、５０ｎｍとした。
【０１７５】
このように開口部２１８に積層導電膜を形成した実施例サンプルと比較例サンプルの断面ＳＴＥＭ（ｓｃａｎｎｉｎｇ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像を図１１に示す。図１１（Ａ）は比較例サンプルであり、図１１（Ｂ）は実施例サンプルである。
【０１７６】
図１１（Ａ）と（Ｂ）の比較から、アルゴンプラズマ処理を行った図１１（Ｂ）では、開口部２１８表面の凹凸が除去されており平坦性が高い。そのため、積層導電膜が高い均一性で良好に形成されている。
【０１７７】
また、実施例サンプルと比較例サンプルのコンタクト抵抗を測定すると、コンタクト径０．４μｍ及び０．５μｍにおいて、比較例サンプルでは非常にばらつきが大きかったが、実施例サンプルではばらつきが小さく、且つ比較例サンプルにおける最も低い抵抗値近傍に収束する傾向が見られた。
【符号の説明】
【０１７８】
１００ 基板
１０２ 下地絶縁膜
１０４ 第１の導電膜
１０６ 第１のエッチングマスク
１０８ 第１の導電膜
１１０ 酸化物半導体膜
１１２ 第２のエッチングマスク
１１４ 酸化物半導体膜
１１６ 第１の絶縁膜
１１８ 第２の絶縁膜
１２０ 第２の導電膜
１２２ 第３のエッチングマスク
１２４ 第２の導電膜
１２６ 酸化物半導体膜
１２６Ａ 領域
１２６Ｂ 領域
１２６Ｃ 領域
１２８ 第４のエッチングマスク
１３０ 開口部
１３２ 第３の導電膜
１３４ 第５のエッチングマスク
１３６ 第３の導電膜
２００ 基板
２０２ 下地絶縁膜
２０４ 第１の導電膜
２０６ 酸化物半導体膜
２０６Ａ 領域
２０６Ｂ 領域
２０６Ｃ 領域
２０８ 第１の絶縁膜
２１０ 第２の絶縁膜
２１２ 第２の導電膜
２１４ 第３の絶縁膜
２１６ 第１のエッチングマスク
２１８ 開口部
２２０ 第３の導電膜
２２２ 第２のエッチングマスク
３００ 被形成面
３０２ 第１の絶縁膜
３０４ 第２の絶縁膜
３０６ 第３の絶縁膜
３０８ 開口部
３１０ 被形成面
３１２ 第１の絶縁膜
３１４ 第２の絶縁膜
３１６ 第３の絶縁膜
３１８ 開口部
３２０ 被形成面
３２２ 第１の絶縁膜
３２４ 第２の絶縁膜
３２６ 第３の絶縁膜
３２８ 開口部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の作製方法に関する。なお、半導体装置とは、半導体素子自体または半導体素子を含むものをいい、このような半導体素子として、例えばトランジスタが挙げられる。液晶表示装置などの表示装置も半導体装置に含まれる。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置は、人間の生活に欠かせないものとなっている。このような半導体装置に含まれるトランジスタは、基板上に膜を形成し、該膜をエッチングなどにより所望の形状に加工することで作製される。
【０００３】
このような半導体装置の作製方法においては、例えば、第１の導電膜を形成し、該第１の導電膜を覆って絶縁膜を形成し、該絶縁膜に前記第１の導電膜と重畳する開口部を形成し、該開口部を介して前記第１の導電膜と接続する第２の導電膜を形成すればよい。このようにして、異なる導電膜により設けられた複数の配線を縦横に配して、複数の素子がマトリクス状に設けられた素子基板を作製することができる。
【０００４】
このような開口部は、その断面形状のみならず開口部表面の状態なども形成時のエッチング条件に左右される。例えば、開口部にエッチング残渣が存在する場合も多い。このようなエッチング残渣が開口部に存在すると、複数の導電膜の接続を阻害することがある。このような開口部の残渣を除去することができる方法として、逆スパッタリングが挙げられる（例えば、特許文献１）。
【０００５】
一方で、近年、半導体特性を示す金属酸化物（以下、酸化物半導体と呼ぶ。）が注目されている。酸化物半導体は、トランジスタに適用することができる（特許文献２及び特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３０５５７６号公報
【特許文献２】特開２００７−１２３８６１号公報
【特許文献３】特開２００７−０９６０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
酸化物半導体膜をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、シリコン膜をチャネル形成領域に用いた半導体装置よりも非常に高い電界効果移動度を有するなどの良好な電気的特性を有する。しかし、現在のところ、信頼性の面において課題がある。信頼性を低下させる要因の一つとして、酸化物半導体膜に含まれる水及び水素が挙げられる。従って、酸化物半導体膜における水及び水素の含有量は、極力少なくする必要がある。
【０００８】
一方で、このようなトランジスタに用いられる酸化物半導体膜に酸素欠損が多いと、酸素欠損の存在する領域が低抵抗化し、ソースとドレインの間にリーク電流を生じさせる原因となる。従って、酸化物半導体膜中の酸素欠損は少ないほうがよく、酸素欠損を少なくするためには外部から十分な酸素を供給するとよい。
【０００９】
酸化物半導体膜中の水及び水素の含有量を少なくし、酸素を供給する手段の一つとして、酸化物半導体膜に接して下地膜が設けられた状態で行う加熱処理が挙げられる。下地膜中の水及び水素を少なくし、酸素を多くして加熱処理すると、酸化物半導体膜への水及び水素の混入を抑制しつつ、酸化物半導体膜に酸素を供給することができる。
【００１０】
下地膜中の水及び水素を少なくするためには、下地膜をＣＶＤ法またはスパッタリング法などにより形成した後酸化物半導体膜を形成する前に加熱処理を行えばよい。しかし、加熱処理を行うと、水及び水素とともに酸素も脱離してしまう。
【００１１】
このような酸素の脱離を防ぐためには、加熱処理時のバリア膜として酸化アルミニウム膜が設けられているとよい。しかし、酸化アルミニウムは化学的な反応性に乏しいため、エッチングに時間がかかる。そのため、開口部が形成される絶縁膜が例えば多層膜である場合に、一部の層が酸化アルミニウムにより形成されていると、開口部の形成に時間がかかり、開口部には多くのエッチング残渣が生じることになる。このようなエッチング残渣は、開口部がコンタクトホールである場合には、コンタクト抵抗を上昇させる要因となる。
【００１２】
本発明の一態様は、信頼性が高く、ソースとドレインの間にリーク電流が生じにくく、コンタクト抵抗が小さい半導体装置とその作製方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様は、チャネル形成領域が酸化物半導体膜に形成されるトランジスタを形成し、前記トランジスタの電極膜上に前記酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をこの順に積層して形成し、前記第２の絶縁膜上に開口部を有するエッチングマスクを形成し、前記エッチングマスクの前記開口部と重畳する部分の前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜をエッチングして前記電極膜を露出する開口部を形成し、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の前記開口部をアルゴンプラズマに曝し、前記エッチングマスクを除去し、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の前記開口部に導電膜を形成し、前記第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、前記第１の絶縁膜よりもガスバリア性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１４】
本発明の一態様は、チャネル形成領域が酸化物半導体膜に形成されるトランジスタを形成し、前記トランジスタの電極膜上に前記酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をこの順に積層して形成し、前記第２の絶縁膜上に開口部を有するエッチングマスクを形成し、前記エッチングマスクの前記開口部と重畳する部分の前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜をエッチングして前記電極膜を露出する開口部を形成し、前記エッチングマスクを除去し、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の前記開口部に逆スパッタリングを行い、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の前記開口部に導電膜をスパッタリング法により形成し、前記第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、前記第１の絶縁膜よりもガスバリア性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１５】
前記構成において、前記第１の絶縁膜が酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜であり、前記第２の絶縁膜が酸化アルミニウム膜であることが好ましい。
【００１６】
本発明の一態様は、チャネル形成領域が酸化物半導体膜に形成されるトランジスタを形成し、前記トランジスタの電極膜上に前記酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜をこの順に積層して形成し、前記第３の絶縁膜上に開口部を有するエッチングマスクを形成し、前記エッチングマスクの前記開口部と重畳する部分の前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜をエッチングして前記電極膜を露出する開口部を形成し、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜の前記開口部をアルゴンプラズマに曝し、前記エッチングマスクを除去し、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜の前記開口部に導電膜を形成し、前記第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、前記第１の絶縁膜よりもガスバリア性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１７】
本発明の一態様は、チャネル形成領域が酸化物半導体膜に形成されるトランジスタを形成し、前記トランジスタの電極膜上に前記酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜をこの順に積層して形成し、前記第３の絶縁膜上に開口部を有するエッチングマスクを形成し、前記エッチングマスクの前記開口部と重畳する部分の前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜をエッチングして前記電極膜を露出する開口部を形成し、前記エッチングマスクを除去し、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜の前記開口部に逆スパッタリングを行い、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜の前記開口部に導電膜をスパッタリング法により形成し、前記第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、前記第１の絶縁膜よりもガスバリア性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１８】
前記構成において、前記第１の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜が、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜であり、前記第２の絶縁膜が酸化アルミニウム膜であることが好ましい。
【００１９】
前記構成において、前記第３の絶縁膜が前記第１の絶縁膜よりも厚いとよい。
【００２０】
なお、本明細書中において、「電極膜」とは、ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極のいずれかとなる導電膜を総括したものをいう。すなわち、「電極膜」と記載する場合には、ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極のいずれかとして機能する導電膜であって、その機能は問わない。
【００２１】
なお、本明細書中において、「ガスバリア性」は、少なくとも酸素ガスに対するものであり、「ガスバリア性が高い」場合には酸素ガスの透過性が低く、「ガスバリア性が低い」場合には酸素ガスの透過性が高いものとなる。
【００２２】
なお、本明細書中において、「エッチングマスク」とは、該エッチングマスク下に形成された膜がエッチングされることを防止するために形成されるマスクをいう。エッチングマスクとしては、例えばレジストマスクが挙げられる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の一態様によれば、信頼性が高く、ソースとドレインの間にリーク電流が生じにくく、コンタクト抵抗が小さい半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一態様である半導体装置の作製方法を説明する図。
【図２】本発明の一態様である半導体装置の作製方法を説明する図。
【図３】本発明の一態様である半導体装置の作製方法を説明する図。
【図４】本発明の一態様である半導体装置の作製方法を説明する図。
【図５】本発明の一態様である半導体装置の作製方法を説明する図。
【図６】本発明の一態様に適用可能な酸化物材料の構造を説明する図。
【図７】本発明の一態様に適用可能な酸化物材料の構造を説明する図。
【図８】本発明の一態様に適用可能な酸化物材料の構造を説明する図。
【図９】本発明の一態様である半導体装置の作製方法を説明する図。
【図１０】本発明の一態様である半導体装置の作製方法を説明する図。
【図１１】実施例と比較例の開口部を示す断面ＳＴＥＭ像。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２６】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置の作製方法について説明する。本実施の形態では、開口部が形成される積層絶縁膜が２層構造である。
【００２７】
まず、基板１００上に下地絶縁膜１０２と第１の導電膜１０４を形成し、第１の導電膜１０４上に第１のエッチングマスク１０６を形成する（図１（Ａ））。
【００２８】
基板１００は、特定のものに限定されず、半導体装置の作製工程における十分な耐熱性及び耐薬品性を有するものであればよい。基板１００としては、ガラス基板、石英基板、セラミック基板またはプラスチック基板などを例示列挙することができる。プラスチック基板の材料としては、屈折率異方性の小さいプラスチック材料を用いることが好ましい。屈折率異方性の小さいプラスチック材料としては、ポリエーテルサルフォン、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリビニルフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、アクリル樹脂、またはプリプレグなどを例示列挙することができる。
【００２９】
下地絶縁膜１０２は、酸素供給源として機能する絶縁性酸化物により形成すればよい。従って、下地絶縁膜１０２は、化学量論比よりも多くの酸素を含み、酸素の一部が加熱処理により脱離する絶縁性酸化物により形成すればよい。このような絶縁性酸化物として、例えば、ＳｉＯｘにおいてｘ＞２である酸化シリコンが挙げられる。
【００３０】
ただし、下地絶縁膜１０２の材料はこれに限定されず、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ハフニウムまたは酸化イットリウムなどであってもよい。
【００３１】
なお、「窒化酸化シリコン」とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものをいい、「酸化窒化シリコン」とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものをいう。
【００３２】
なお、下地絶縁膜１０２は単層構造であってもよいし、複数の層が積層された構造であってもよい。複数の層が積層された構造としては、例えば、窒化シリコン膜上に酸化シリコン膜が設けられた積層構造が挙げられる。
【００３３】
下地絶縁膜１０２の厚さは、５０ｎｍ以上、好ましくは２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下とするとよい。特に、前記範囲内で厚くすると、加熱処理により酸化物半導体膜に多くの酸素を拡散させることができ、下地絶縁膜１０２と酸化物半導体膜の界面における欠陥（酸素欠損）を低減することができるため、好ましい。
【００３４】
ところで、化学量論比よりも多くの酸素を含む絶縁性酸化物では、酸素の一部が加熱処理により脱離しやすい。酸素の一部が加熱処理により脱離しやすいときのＴＤＳ分析による酸素の脱離量（酸素原子に換算した値）は、１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、好ましくは１．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、より好ましくは３．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であるとよい。
【００３５】
ここで、ＴＤＳ分析における酸素の脱離量（酸素原子に換算した値）は、電子科学株式会社製の昇温脱離分析装置ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓ／Ｗを用いて測定し、標準試料として１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の水素原子を含むシリコンウェハを用いて算出した場合の値である。
【００３６】
ここで、ＴＤＳ分析について説明する。ＴＤＳ分析における気体の脱離量は、イオン強度の時間積分値に比例する。このため、気体の脱離量は、絶縁性酸化物におけるイオン強度の時間積分値と標準試料の基準値から計算することができる。標準試料の基準値は、ある特定の原子を含む試料（標準試料）におけるスペクトルの積分値に対する原子密度の割合である。
【００３７】
例えば、絶縁性酸化物におけるイオン強度と、標準試料である所定の密度の水素を含むシリコンウェハにおけるイオン強度から、絶縁性酸化物の酸素分子（Ｏ２）の脱離量（ＮＯ２）は、以下の式（１）で求めることができる。
【００３８】
[数１]
ＮＯ２＝ＮＨ２／ＳＨ２×ＳＯ２×α （１）
【００３９】
ＮＨ２は、標準試料から脱離した水素分子（Ｈ２）を密度に換算した値である。ＳＨ２は、標準試料の水素分子（Ｈ２）のイオン強度の時間積分値である。すなわち、ＮＨ２／ＳＨ２を標準試料の基準値とする。ＳＯ２は、絶縁性酸化物の酸素分子（Ｏ２）のイオン強度の時間積分値である。αは、イオン強度に影響する係数である。式（１）の詳細に関しては、特開平０６−２７５６９７号公報を参照されたい。
【００４０】
なお、ＴＤＳ分析において、酸素の一部は酸素原子として検出される。酸素分子と酸素原子の比率は、酸素分子のイオン化率から算出することができる。なお、前記係数αは酸素分子のイオン化率を含んでいるため、酸素分子の放出量を評価することで酸素原子の放出量も算出することができる。
【００４１】
なお、ＮＯ２は酸素分子（Ｏ２）の脱離量であるため、酸素原子で換算した酸素の脱離量は、酸素分子（Ｏ２）の脱離量の２倍である。
【００４２】
下地絶縁膜１０２の形成は、スパッタリング法またはＣＶＤ法などにより行えばよい。ＣＶＤ法を用いる場合には、下地絶縁膜１０２を形成した後に加熱処理により水素などを脱離させて除去するとよい。
【００４３】
下地絶縁膜１０２を酸化シリコンによりスパッタリング法を用いて形成する場合には、ターゲットとして石英（好ましくは合成石英）ターゲット、スパッタリングガスとしてアルゴンガスを用いればよい。または、ターゲットとしてシリコンターゲット、スパッタリングガスとして酸素を含むガスを用いてもよい。なお、酸素を含むガスとしては、酸素ガスのみを用いてもよいし、アルゴンガスと酸素ガスの混合ガスを用いてもよい。
【００４４】
第１の導電膜１０４は、導電性材料により形成すればよい。ここで、導電性材料としては、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、マンガン、マグネシウム、ベリリウム若しくはジルコニウムなどの金属、または前記金属の一種若しくは複数種を成分として含む合金を例示列挙することができる。なお、第１の導電膜１０４は、単層構造でもよいし、積層構造であってもよい。
【００４５】
なお、第１の導電膜１０４を銅により形成すると、第１の導電膜１０４により形成される配線を低抵抗にすることができるため好ましい。ここで、第１の導電膜１０４が積層構造である場合には、少なくとも一層が銅により形成されていればよい。
【００４６】
または、第１の導電膜１０４は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物または酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料により形成してもよい。
【００４７】
または、第１の導電膜１０４は、前記透光性を有する導電性材料膜と前記金属膜を積層して形成してもよい。
【００４８】
第１の導電膜１０４の厚さは、例えば１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすればよい。
【００４９】
第１の導電膜１０４の形成は、例えば、スパッタリング法またはＣＶＤ法などにより行えばよい。
【００５０】
第１のエッチングマスク１０６は、レジスト材料により形成すればよい。ただし、これに限定されず、第１の導電膜１０４の加工時にマスクとして機能するものであればよい。
【００５１】
ここで、下地絶縁膜１０２の形成後、第１の導電膜１０４の形成前に、下地絶縁膜１０２に含まれる水素を除去する加熱処理を行うとよい。または、第１の導電膜１０４の形成後、第１のエッチングマスク１０６の形成前に、下地絶縁膜１０２に含まれる水素を除去する加熱処理を行ってもよい。
【００５２】
次に、第１のエッチングマスク１０６を用いて第１の導電膜１０４を加工することで第１の導電膜１０８を形成する（図１（Ｂ））。
【００５３】
第１の導電膜１０４の加工は、ドライエッチングにより行えばよい。ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素ガス、または三塩化ホウ素ガスと塩素ガスの混合ガスを例示列挙することができる。ただし、これに限定されず、ウエットエッチングを用いてもよいし、他の手段を用いてもよい。
【００５４】
第１の導電膜１０８は、少なくともソース電極及びドレイン電極として機能する。
【００５５】
次に、第１のエッチングマスク１０６を除去し、下地絶縁膜１０２と第１の導電膜１０８上に接して酸化物半導体膜１１０を形成する（図１（Ｃ））。
【００５６】
ここで、第１のエッチングマスク１０６の除去後、酸化物半導体膜１１０の形成前に、下地絶縁膜１０２に含まれる水素を除去する加熱処理を行ってもよい。
【００５７】
第１のエッチングマスク１０６の除去は、第１のエッチングマスク１０６がレジスト材料により形成されている場合には、酸素プラズマを用いたアッシングにより行えばよい。または、レジスト剥離液を用いてもよい。または、これらの双方を用いてもよい。
【００５８】
酸化物半導体膜１１０は、少なくともインジウム（Ｉｎ）または亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。特にＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。
【００５９】
また、酸化物半導体膜１１０を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを低減するスタビライザーとして、それらに加えてガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）及びアルミニウム（Ａｌ）のいずれか一種または複数種を有することが好ましい。
【００６０】
また、他のスタビライザーとして、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）のいずれか一種または複数種を有していてもよい。
【００６１】
例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、二元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物、三元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物（ＩＧＺＯとも表記する）、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、四元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。
【００６２】
なお、ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎ以外の金属元素が含まれていてもよい。
【００６３】
例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１（＝１／３：１／３：１／３）若しくはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１（＝２／５：２／５：１／５）の原子比のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いることができる。または、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝１：１：１（＝１／３：１／３：１／３）、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：３（＝１／３：１／６：１／２）若しくはＩｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：５（＝１／４：１／８：５／８）の原子比のＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いるとよい。
【００６４】
しかし、これに限定されず、必要とする半導体特性（移動度、しきい値、ばらつきなど）に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とする半導体特性を得るために、キャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間結合距離または密度などを適切なものとすることが好ましい。
【００６５】
酸化物半導体膜１１０は、単結晶でもよいし、非単結晶でもよい。非単結晶の場合には、アモルファスでもよいし、多結晶でもよい。または、アモルファス中に結晶性を有する部分を含む構造でもよいし、非アモルファスでもよい。
【００６６】
ここで、酸化物半導体膜１１０の好ましい形態の一について説明する。酸化物半導体膜１１０の好ましい形態の一は、ｃ軸配向し、かつａｂ面、表面または界面の方向から見て三角形状または六角形状の原子配列を有し、ｃ軸においては金属原子が層状または金属原子と酸素原子とが層状に配列しており、ａｂ面においてはａ軸またはｂ軸の向きが異なる（ｃ軸を中心に回転した）結晶（ＣＡＡＣ：Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）を含む酸化物である。以下、このような酸化物を単にＣＡＡＣと呼ぶこととする。
【００６７】
ＣＡＡＣは、非単結晶であって、そのａｂ面に垂直な方向から見て、三角形、六角形、正三角形または正六角形の原子配列を有し、かつｃ軸方向に垂直な方向から見て、金属原子が層状、または金属原子と酸素原子が層状に配列した相を含む。
【００６８】
ＣＡＡＣは単結晶ではないが、非晶質のみから形成されているものでもない。また、ＣＡＡＣは結晶化した部分（結晶部分）を含むが、１つの結晶部分と他の結晶部分の境界を明確に判別できないこともある。
【００６９】
ＣＡＡＣに酸素が含まれる場合、酸素の一部は窒素で置換されていてもよい。また、ＣＡＡＣを構成する個々の結晶部分のｃ軸は一定の方向（例えば、ＣＡＡＣが形成される基板面、ＣＡＡＣの表面などに垂直な方向）に揃っていてもよい。または、ＣＡＡＣを構成する個々の結晶部分のａｂ面の法線は一定の方向（例えば、ＣＡＡＣが形成される基板面、ＣＡＡＣの表面などに垂直な方向）を向いていてもよい。
【００７０】
ＣＡＡＣは、導体であってもよいし、半導体であってもよいし、絶縁体であってもよい。また、可視光に対して透明であってもよいし、不透明であってもよい。
【００７１】
このようなＣＡＡＣの例として、膜状に形成され、膜表面または形成される基板面に垂直な方向から観察すると三角形または六角形の原子配列が認められ、かつその膜断面を観察すると金属原子または金属原子と酸素原子（または窒素原子）の層状配列が認められる酸化物が挙げられる。
【００７２】
ＣＡＡＣについて図６乃至図８を用いて説明する。なお、原則として、図６乃至図８は上方向をｃ軸方向とし、ｃ軸方向と直交する面をａｂ面とする。なお、単に上半分、下半分という場合には、ａｂ面を境とする。また、図６において、丸で囲まれたＯは４配位のＯを示し、二重丸で囲まれたＯは３配位のＯを示す。
【００７３】
図６（Ａ）には、１個の６配位のＩｎと、Ｉｎに近接する６個の４配位の酸素原子（４配位のＯ）と、を有する構造を示す。ここでは、金属原子１個に対して、近接する酸素原子のみ示した構造を小グループと呼ぶ。図６（Ａ）の構造は、八面体構造をとるが、簡単のため平面構造で示している。なお、図６（Ａ）の上半分及び下半分には、それぞれ３個ずつ４配位のＯがある。図６（Ａ）に示す小グループの電荷は０である。
【００７４】
図６（Ｂ）には、１個の５配位のＧａと、Ｇａに近接する３個の３配位の酸素原子（３配位のＯ）と、Ｇａに近接する２個の４配位のＯと、を有する構造を示す。３配位のＯは、いずれもａｂ面に存在する。図６（Ｂ）の上半分及び下半分には、それぞれ１個ずつ４配位のＯがある。また、Ｉｎも５配位をとるため、図６（Ｂ）に示す構造をとりうる。図６（Ｂ）に示す小グループの電荷は０である。
【００７５】
図６（Ｃ）には、１個の４配位のＺｎと、Ｚｎに近接する４個の４配位のＯと、を有する構造を示す。図６（Ｃ）の上半分には１個の４配位のＯがあり、下半分には３個の４配位のＯがある。または、図６（Ｃ）の上半分に３個の４配位のＯがあり、下半分に１個の４配位のＯがあってもよい。図６（Ｃ）に示す小グループの電荷は０である。
【００７６】
図６（Ｄ）には、１個の６配位のＳｎと、Ｓｎに近接する６個の４配位のＯと、を有する構造を示す。図６（Ｄ）の上半分には３個の４配位のＯがあり、下半分には３個の４配位のＯがある。図６（Ｄ）に示す小グループの電荷は＋１である。
【００７７】
図６（Ｅ）には、２個のＺｎを含む小グループを示す。図６（Ｅ）の上半分には１個の４配位のＯがあり、下半分には１個の４配位のＯがある。図６（Ｅ）に示す小グループは電荷が−１となる。
【００７８】
ここでは、複数の小グループの集合体を中グループと呼び、複数の中グループの集合体を大グループ（ユニットセルともいう。）と呼ぶ。
【００７９】
ここで、これらの小グループ同士が結合する規則について説明する。図６（Ａ）に示す６配位のＩｎの上半分の３個のＯは下方向にそれぞれ３個の近接するＩｎを有し、下半分の３個のＯは上方向にそれぞれ３個の近接するＩｎを有する。図６（Ｂ）に示す５配位のＧａの上半分の１個のＯは下方向に１個の近接するＧａを有し、下半分の１個のＯは上方向に１個の近接するＧａを有する。図６（Ｃ）に示す４配位のＺｎの上半分の１個のＯは下方向に１個の近接するＺｎを有し、下半分の３個のＯは上方向にそれぞれ３個の近接するＺｎを有する。この様に、金属原子の上方向の４配位のＯの数と、そのＯの下方向にある近接する金属原子の数は等しく、同様に金属原子の下方向の４配位のＯの数と、そのＯの上方向にある近接する金属原子の数は等しい。Ｏは４配位なので、下方向にある近接する金属原子の数と、上方向にある近接する金属原子の数の和は４になる。従って、金属原子の上方向にある４配位のＯの数と、別の金属原子の下方向にある４配位のＯの数との和が４個のとき、金属原子を有する二種の小グループ同士は結合することができる。例えば、６配位の金属原子（ＩｎまたはＳｎ）が下半分の４配位のＯを介して結合する場合には、４配位のＯが３個であるため、５配位の金属原子（ＧａまたはＩｎ）、または４配位の金属原子（Ｚｎ）のいずれかと結合することになる。
【００８０】
これらの配位数を有する金属原子は、ｃ軸方向において、４配位のＯを介して結合する。また、このほかにも、層構造の合計の電荷が０となるように複数の小グループが結合して中グループを構成する。
【００８１】
図７（Ａ）には、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物の層構造を構成する中グループのモデル図を示す。図７（Ｂ）には、３つの中グループで構成される大グループを示す。なお、図７（Ｃ）には、図７（Ｂ）の層構造をｃ軸方向から観察した場合の原子配列を示す。
【００８２】
図７（Ａ）においては、簡単のため、３配位のＯは省略し、４配位のＯは個数のみ示している。例えば、Ｓｎの上半分及び下半分にはそれぞれ３個ずつ４配位のＯがあることを丸枠の３で示している。同様に、Ｉｎの上半分及び下半分にはそれぞれ１個ずつ４配位のＯがあり、丸枠の１で示している。同様に、下半分に１個の４配位のＯがあり、上半分に３個の４配位のＯがあるＺｎと、上半分に１個の４配位のＯがあり、下半分に３個の４配位のＯがあるＺｎと、を示している。
【００８３】
図７（Ａ）において、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物の層構造を構成する中グループでは、上から順に４配位のＯが３個ずつ上半分及び下半分にあるＳｎが、４配位のＯが１個ずつ上半分及び下半分にあるＩｎと結合し、そのＩｎが、上半分に３個の４配位のＯがあるＺｎと結合し、そのＺｎが、Ｚｎの下半分の１個の４配位のＯを介して４配位のＯが３個ずつ上半分及び下半分にあるＩｎと結合し、そのＩｎが、上半分に１個の４配位のＯがあるＺｎ２個からなる小グループと結合し、この小グループの下半分の１個の４配位のＯを介して４配位のＯが３個ずつ上半分及び下半分にあるＳｎと結合している。この中グループが複数結合して大グループを構成する。
【００８４】
ここで、３配位のＯ及び４配位のＯでは、結合１本当たりの電荷はそれぞれ−０．６６７、−０．５と考えることができる。例えば、Ｉｎ（６配位または５配位）、Ｚｎ（４配位）、Ｓｎ（５配位または６配位）の電荷は、それぞれ＋３、＋２、＋４である。従って、Ｓｎを含む小グループの電荷は＋１である。そのため、Ｓｎを含む層構造を形成するためには、電荷＋１を打ち消す電荷−１をとる構造が必要となる。電荷−１をとる構造として、図６（Ｅ）に示すように、２個のＺｎを含む小グループが挙げられる。例えば、Ｓｎを含む小グループが１個に対し、２個のＺｎを含む小グループが１個あれば、電荷が打ち消されるため、層構造の合計の電荷を０とすることができる。
【００８５】
具体的には、図７（Ｂ）に示す大グループが繰り返されることで、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物の結晶（Ｉｎ２ＳｎＺｎ３Ｏ８）を得ることができる。なお、得られるＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物の層構造は、Ｉｎ２ＳｎＺｎ２Ｏ７（ＺｎＯ）ｍ（ｍは０または自然数。）の組成式で表すことができる。
【００８６】
また、四元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、三元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物（ＩＧＺＯとも表記する。）、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、二元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物、などを用いた場合も同様である。
【００８７】
図８（Ａ）には、一例として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物の層構造を構成する中グループのモデル図を示す。
【００８８】
図８（Ａ）において、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物の層構造を構成する中グループでは、上から順に４配位のＯが３個ずつ上半分及び下半分にあるＩｎが、１個の４配位のＯが上半分にあるＺｎと結合し、そのＺｎが、Ｚｎの下半分の３個の４配位のＯを介して、４配位のＯが１個ずつ上半分及び下半分にあるＧａと結合し、そのＧａが、Ｇａの下半分の１個の４配位のＯを介して、４配位のＯが３個ずつ上半分及び下半分にあるＩｎと結合している。この中グループが複数結合して大グループを構成する。
【００８９】
図８（Ｂ）には、３つの中グループで構成される大グループを示す。なお、図８（Ｃ）には、図８（Ｂ）の層構造をｃ軸方向から観察した場合の原子配列を示している。
【００９０】
ここで、Ｉｎ（６配位または５配位）、Ｚｎ（４配位）、Ｇａ（５配位）の電荷は、それぞれ＋３、＋２、＋３であるため、Ｉｎ、Ｚｎ及びＧａのいずれかを含む小グループは、電荷が０となる。そのため、これらの小グループの組み合わせであれば中グループの合計の電荷は常に０となる。
【００９１】
また、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物の層構造を構成する中グループは、図８（Ａ）に示した中グループに限定されない。Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎの配列が異なる複数の中グループが組み合わせられた大グループも取りうる。
【００９２】
なお、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物の作製に際しては、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎが原子数比で、例えば１：２：２、２：１：３、１：１：１、または２０：４５：３５の組成比の酸化物ターゲットを用いればよい。
【００９３】
なお、酸化物半導体膜１１０の厚さは、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすればよい。
【００９４】
次に、酸化物半導体膜１１０上に第２のエッチングマスク１１２を形成する（図２（Ａ））。
【００９５】
ここで、下地絶縁膜１０２が、酸素供給源として機能する絶縁性酸化物により形成されている場合には、酸化物半導体膜１１０の形成後、第２のエッチングマスク１１２の形成前に、酸化物半導体膜１１０に酸素を供給する加熱処理を行ってもよい。
【００９６】
第２のエッチングマスク１１２は、レジスト材料により形成すればよい。ただし、これに限定されず、酸化物半導体膜１１０の加工時にマスクとして機能するものであればよい。
【００９７】
次に、第２のエッチングマスク１１２を用いて酸化物半導体膜１１０を加工して酸化物半導体膜１１４を形成する（図２（Ｂ））。
【００９８】
酸化物半導体膜１１０の加工は、ドライエッチングにより行えばよい。ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素ガス、または三塩化ホウ素ガスと塩素ガスの混合ガスを例示列挙することができる。ただし、これに限定されず、ウエットエッチングを用いてもよいし、他の手段を用いてもよい。
【００９９】
次に、第２のエッチングマスク１１２を除去し、少なくとも酸化物半導体膜１１４を覆って第１の絶縁膜１１６を形成する（図２（Ｃ））。
【０１００】
第２のエッチングマスク１１２の除去は、第２のエッチングマスク１１２がレジスト材料により形成されている場合には、酸素プラズマを用いたアッシングにより行えばよい。または、レジスト剥離液を用いてもよい。または、これらの双方を用いてもよい。
【０１０１】
第１の絶縁膜１１６は、酸素供給源として機能する絶縁性酸化物により形成され、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンにより形成すればよい。
【０１０２】
第１の絶縁膜１１６の厚さは、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下、好ましくは３ｎｍ以上１０ｎｍ以下とすればよい。
【０１０３】
第１の絶縁膜１１６の形成は、スパッタリング法により行えばよい。
【０１０４】
ここで、第１の絶縁膜１１６は、酸素供給源として機能する絶縁性酸化物により形成されている。そのため、第１の絶縁膜１１６の形成後に、酸化物半導体膜１１４に酸素を供給する加熱処理を行うことが好ましい。酸化物半導体膜１１４に酸素を供給する加熱処理を行うことで、酸素欠陥の数を少なくすることができる。
【０１０５】
第１の絶縁膜１１６は、少なくともゲート絶縁膜として機能する。
【０１０６】
次に、第１の絶縁膜１１６上に第２の導電膜１２０を形成する（図３（Ａ））。
【０１０７】
第２の導電膜１２０は、第１の導電膜１０４と同様の材料及び方法により形成すればよい。
【０１０８】
次に、第２の導電膜１２０上に第３のエッチングマスク１２２を形成する（図３（Ｂ））。
【０１０９】
第３のエッチングマスク１２２は、レジスト材料により形成すればよい。ただし、これに限定されず、第２の導電膜１２０の加工時にマスクとして機能するものであればよい。
【０１１０】
次に、第３のエッチングマスク１２２を用いて第２の導電膜１２０を加工して第２の導電膜１２４を形成する（図３（Ｃ））。
【０１１１】
第２の導電膜１２０の加工は、ドライエッチングにより行えばよい。ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素ガス、または三塩化ホウ素ガスと塩素ガスの混合ガスを例示列挙することができる。ただし、これに限定されず、ウエットエッチングを用いてもよいし、他の手段を用いてもよい。
【０１１２】
第２の導電膜１２４は、少なくともゲート電極として機能する。
【０１１３】
次に、第３のエッチングマスク１２２を除去し、第２の導電膜１２４をマスクとして用いて酸化物半導体膜１１４にドーパントを添加し、ソース領域及びドレイン領域を有する酸化物半導体膜１２６を形成する（図４（Ａ））。酸化物半導体膜１２６は、ソース領域及びドレイン領域の一方である領域１２６Ａと、チャネル形成領域である領域１２６Ｂと、ソース領域及びドレイン領域の他方である領域１２６Ｃと、を有する。
【０１１４】
第３のエッチングマスク１２２の除去は、第３のエッチングマスク１２２がレジスト材料により形成されている場合には、酸素プラズマを用いたアッシングにより行えばよい。または、レジスト剥離液を用いてもよい。または、これらの双方を用いてもよい。
【０１１５】
酸化物半導体膜１１４へのドーパントの添加は、イオンインプランテーション法またはイオンドーピング法により行えばよい。または、ドーパントを含むガス雰囲気中でのプラズマ処理により行ってもよい。また、添加するドーパントとしては、リンまたはヒ素などを用いればよい。
【０１１６】
なお、ドーパントの添加は、第３のエッチングマスク１２２が形成された状態で行ってもよい。または、ドーパントの添加は、後述する第２の絶縁膜１１８を形成した後に行ってもよい。
【０１１７】
次に、第１の絶縁膜１１６及び第２の導電膜１２４上に第２の絶縁膜１１８を形成し、開口部を形成する部分以外の第２の絶縁膜１１８上に第４のエッチングマスク１２８を形成する（図４（Ｂ））。
【０１１８】
第２の絶縁膜１１８は、ガスバリア性が高く、エッチングされにくい材料により形成する。このような材料として、酸化アルミニウムが挙げられる。
【０１１９】
第２の絶縁膜１１８の厚さは、３０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上とすればよい。
【０１２０】
第２の絶縁膜１１８の形成は、ＣＶＤ法またはスパッタリング法により行えばよい。
【０１２１】
第４のエッチングマスク１２８は、レジスト材料により形成すればよい。ただし、これに限定されず、第１の絶縁膜１１６及び第２の絶縁膜１１８の加工時にマスクとして機能するものであればよい。
【０１２２】
次に、第４のエッチングマスク１２８に覆われていない部分の第２の絶縁膜１１８及び第１の絶縁膜１１６を加工して開口部１３０を形成する（図４（Ｃ））。ここで、第２の絶縁膜１１８はエッチングされにくい材料により形成されているため、開口部１３０において第１の絶縁膜１１６の側面の基板面に対する傾斜角と第２の絶縁膜１１８の側面の基板面に対する傾斜角は、第２の絶縁膜１１８の側面の基板面に対する傾斜角のほうが小さい。
【０１２３】
第２の絶縁膜１１８及び第１の絶縁膜１１６の加工は、ドライエッチングにより行えばよい。ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素ガス、または三塩化ホウ素ガスと塩素ガスの混合ガスを例示列挙することができる。ただし、これに限定されず、ウエットエッチングを用いてもよいし、他の手段を用いてもよい。
【０１２４】
アルゴンプラズマ処理を行う場合（第１の態様）には、図４（Ｃ）の状態で行えばよい。なお、アルゴンに代えてヘリウムなど他の希ガス（ヘリウム、クリプトン、キセノンなど）を用いてもよい。アルゴンプラズマ処理により開口部１３０の表面の凹凸が除去されて平坦性が向上する。
【０１２５】
次に、第４のエッチングマスク１２８を除去する（図５（Ａ））。
【０１２６】
第４のエッチングマスク１２８の除去は、第４のエッチングマスク１２８がレジスト材料により形成されている場合には、酸素プラズマを用いたアッシングにより行えばよい。または、レジスト剥離液を用いてもよい。または、これらの双方を用いてもよい。
【０１２７】
次に、第２の絶縁膜１１８上に開口部１３０において第１の導電膜１０８と接続されるように第３の導電膜１３２を形成し、第３の導電膜１３２上に第５のエッチングマスク１３４を形成する（図５（Ｂ））。
【０１２８】
第３の導電膜１３２は、第１の導電膜１０４及び第２の導電膜１２０と同様の材料及び方法により形成すればよい。ただし、半導体装置が表示装置である場合には、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物または酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料により形成する。
【０１２９】
アルゴンプラズマ処理により開口部１３０の表面の凹凸が除去されていると、形成不良などを生じずに第３の導電膜１３２を形成することができる。
【０１３０】
第５のエッチングマスク１３４は、レジスト材料により形成すればよい。ただし、これに限定されず、第３の導電膜１３２の加工時にマスクとして機能するものであればよい。
【０１３１】
なお、第３の導電膜１３２がスパッタリング法により形成される場合には、開口部１３０に逆スパッタリングを行うとよい（第２の態様）。逆スパッタリングはスパッタリング装置内で行うことが可能であるため、スループットを低下させることなく開口部１３０に存在するエッチング残渣などを除去することができるためである。なお、逆スパッタリングを行う場合には、図５（Ａ）の状態で行えばよい。第４のエッチングマスク１２８を除去する前に逆スパッタリングを行うと、逆スパッタリングを行った後に再度スパッタリング装置内に基板１００を搬入しなければならず、スループットが低下するためである。
【０１３２】
逆スパッタリングにより開口部１３０の表面の凹凸が除去されていると、形成不良などを生じることなく第３の導電膜１３２を形成することができる。
【０１３３】
次に、第５のエッチングマスク１３４を用いて第３の導電膜１３２を加工することで第３の導電膜１３６を形成する。その後、第５のエッチングマスク１３４を除去する（図５（Ｃ））。
【０１３４】
第３の導電膜１３２の加工は、ドライエッチングまたはウエットエッチングにより行えばよい。
【０１３５】
第５のエッチングマスク１３４の除去は、第５のエッチングマスク１３４がレジスト材料により形成されている場合には、酸素プラズマを用いたアッシングにより行えばよい。または、レジスト剥離液を用いてもよい。または、これらの双方を用いてもよい。
【０１３６】
以上説明したように本実施の形態の半導体装置を作製することができる。
【０１３７】
なお、本実施の形態の第１の絶縁膜１１６と第２の絶縁膜１１８の材料は逆でもよい。このとき、第１の絶縁膜１１６はエッチングされにくい材料により形成されるため、開口部１３０において第２の絶縁膜１１８の側面の基板面に対する傾斜角と第１の絶縁膜１１６の側面の基板面に対する傾斜角は、第２の絶縁膜１１８の側面の基板面に対する傾斜角のほうが大きくなる。
【０１３８】
（実施の形態２）
実施の形態１では開口部が２層の積層絶縁膜に形成される場合について説明したが、開口部が形成される積層絶縁膜は３層であってもよい。本実施の形態では、開口部が形成される積層絶縁膜が３層である形態について説明する。すなわち、開口部形成前にパッシベーション膜が形成され、該パッシバーション膜にも開口部が形成されてもよい。
【０１３９】
まず、実施の形態１と同様に、基板２００上に下地絶縁膜２０２を形成し、下地絶縁膜２０２上に第１の導電膜２０４を形成し、第１の導電膜２０４に接して酸化物半導体膜２０６を形成し、酸化物半導体膜２０６を覆って第１の絶縁膜２０８を形成し、第１の絶縁膜２０８上に第２の導電膜２１２を形成し、第１の絶縁膜２０８上及び第２の導電膜２１２を覆って第２の絶縁膜２１０及び第３の絶縁膜２１４を形成する。そして、開口部を形成する部分以外の第３の絶縁膜２１４上に第１のエッチングマスク２１６を形成する（図９（Ａ））。
【０１４０】
なお、酸化物半導体膜２０６は、ソース領域及びドレイン領域の一方である領域２０６Ａと、チャネル形成領域である領域２０６Ｂと、ソース領域及びドレイン領域の他方である領域２０６Ｃと、を有する。
【０１４１】
基板２００は、実施の形態１の基板１００に相当する。
【０１４２】
下地絶縁膜２０２は、実施の形態１の下地絶縁膜１０２に相当する。
【０１４３】
第１の導電膜２０４は、実施の形態１の第１の導電膜１０８に相当する。
【０１４４】
酸化物半導体膜２０６は、実施の形態１の酸化物半導体膜１２６に相当する。
【０１４５】
第１の絶縁膜２０８は、実施の形態１の第１の絶縁膜１１６に相当する。従って、第１の絶縁膜２０８は、酸素供給源として機能する絶縁性酸化物（例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化シリコン）を用いてスパッタリング法により形成する。
【０１４６】
ここで、第１の絶縁膜２０８は、酸素供給源として機能する絶縁性酸化物により形成されている。そのため、第１の絶縁膜２０８の形成後に、酸化物半導体膜２０６に酸素を供給する加熱処理を行うことが好ましい。
【０１４７】
第２の絶縁膜２１０は、実施の形態１の第２の絶縁膜１１８に相当する。すなわち、ガスバリア性が高く、第１の絶縁膜２０８及び第３の絶縁膜２１４よりもエッチングされにくい材料により形成する。
【０１４８】
第２の導電膜２１２は、実施の形態１の第２の導電膜１２４に相当する。
【０１４９】
第３の絶縁膜２１４は、第１の絶縁膜２０８と同様の材料及び方法により形成する。第３の絶縁膜２１４は、パッシベーション膜として機能するものである。第３の絶縁膜２１４の厚さは特に限定されないが、１００ｎｍ以上とすればよい。
【０１５０】
第１のエッチングマスク２１６は、実施の形態１の第４のエッチングマスク１２８に相当する。
【０１５１】
次に、第１のエッチングマスク２１６に覆われていない部分の第３の絶縁膜２１４、第２の絶縁膜２１０及び第１の絶縁膜２０８を加工して開口部２１８を形成する（図９（Ｂ））。ここで、第２の絶縁膜２１０はエッチングされにくい材料により形成されているため、開口部２１８において第１の絶縁膜２０８及び第３の絶縁膜２１４の側面の基板面に対する傾斜角と、第２の絶縁膜２１０の側面の基板面に対する傾斜角は、第１の絶縁膜２０８及び第３の絶縁膜２１４の側面の基板面に対する傾斜角のほうが大きい。
【０１５２】
開口部２１８の形成は、ドライエッチングにより行えばよい。ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素ガス、または三塩化ホウ素ガスと塩素ガスの混合ガスを例示列挙することができる。ただし、これに限定されず、ウエットエッチングを用いてもよいし、他の手段を用いてもよい。
【０１５３】
アルゴンプラズマ処理を行う場合（第１の態様）には、図９（Ｂ）の状態で行えばよい。なお、アルゴンに代えてヘリウムなど他の希ガス（ヘリウム、クリプトン、キセノンなど）を用いてもよい。アルゴンプラズマ処理により開口部２１８の表面の凹凸が除去されて平坦性が向上する。
【０１５４】
次に、第１のエッチングマスク２１６を除去し、第３の絶縁膜２１４上に開口部２１８において第１の導電膜２０４と接続されるように第３の導電膜２２０を形成し、第３の導電膜２２０上に第２のエッチングマスク２２２を形成する（図９（Ｃ））。
【０１５５】
第３の導電膜２２０がスパッタリング法により形成される場合には、開口部２１８に逆スパッタリングを行うとよい（第２の態様）。逆スパッタリングはスパッタリング装置内で行うことが可能であるため、スループットを低下させることなく開口部２１８に存在するエッチング残渣などを除去することができるためである。なお、逆スパッタリングを行う場合には、第１のエッチングマスク２１６の除去後、第３の導電膜２２０の形成前に行えばよい。第１のエッチングマスク２１６を除去する前に逆スパッタリングを行うと、逆スパッタリングを行った後に再度スパッタリング装置内に基板２００を搬入しなければならず、スループットが低下するためである。
【０１５６】
その後、第２のエッチングマスク２２２を用いて第３の導電膜２２０を加工し、その後、第２のエッチングマスク２２２を除去する（図示しない）。
【０１５７】
以上説明したように本実施の形態の半導体装置を作製することができる。
【０１５８】
なお、本実施の形態のように開口部が３層の積層絶縁膜に形成される場合には、第１乃至第３の絶縁膜の厚さによって開口部の形状が異なる。
【０１５９】
図１０（Ａ）には、第１の絶縁膜と第３の絶縁膜が同程度の厚さである場合の開口部の形状を示す。被形成面３００上に設けられた第１の絶縁膜３０２、第２の絶縁膜３０４及び第３の絶縁膜３０６には開口部３０８が形成され、開口部３０８における第２の絶縁膜３０４の側面の被形成面３００に対する傾斜角は、開口部３０８における第１の絶縁膜３０２及び第３の絶縁膜３０６の側面の被形成面３００に対する傾斜角よりも小さい。
【０１６０】
図１０（Ｂ）には、第１の絶縁膜が第３の絶縁膜よりも薄い場合の開口部の形状を示す。被形成面３１０上に設けられた第１の絶縁膜３１２、第２の絶縁膜３１４及び第３の絶縁膜３１６には開口部３１８が形成され、開口部３１８における第２の絶縁膜３１４の側面の被形成面３１０に対する傾斜角は、開口部３１８における第１の絶縁膜３１２及び第３の絶縁膜３１６の側面の被形成面３１０に対する傾斜角よりも小さい。
【０１６１】
図１０（Ｃ）には、第１の絶縁膜が第３の絶縁膜よりも厚い場合の開口部の形状を示す。被形成面３２０上に設けられた第１の絶縁膜３２２、第２の絶縁膜３２４及び第３の絶縁膜３２６には開口部３２８が形成され、開口部３２８における第２の絶縁膜３２４の側面の被形成面３２０に対する傾斜角は、開口部３２８における第１の絶縁膜３２２及び第３の絶縁膜３２６の側面の被形成面３２０に対する傾斜角よりも小さい。
【０１６２】
図１０（Ａ）乃至（Ｃ）では、第２の絶縁膜はエッチングされにくい材料により形成されているため、第２の絶縁膜のエッチングは第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜のエッチングよりも長時間を要する。そのため、第２の絶縁膜がエッチングされる際に開口部の露出部分が広いほど、エッチングにより生じたパーティクルなどが開口部に再付着する現象（リデポ）が顕著になる。図１０（Ｂ）では、エッチングされにくい第２の絶縁膜のエッチングに際して開口部の広範囲にリデポが生じる。
【０１６３】
従って、図１０（Ｂ）のように、アルゴンプラズマ処理または逆スパッタリングの効果は、第１の絶縁膜が第３の絶縁膜よりも薄い場合に行うと、特に顕著なものとなる。従って、本発明の半導体装置では、第１の絶縁膜が第３の絶縁膜よりも薄いことが好ましい。
【０１６４】
ただし、これに限定されず、図１０（Ａ）及び（Ｃ）のように第１の絶縁膜と第３の絶縁膜が同程度の厚さであってもよいし、第１の絶縁膜が第３の絶縁膜よりも厚くてもよい。
【０１６５】
なお、本実施の形態においては、トップゲートボトムコンタクト型のトランジスタを図示して説明しているが、本発明はこれに限定されず、トップゲートトップコンタクト型であってもよいし、ボトムゲートボトムコンタクト型であってもよいし、ボトムゲートトップコンタクト型であってもよい。
【実施例１】
【０１６６】
本実施例では、３層の絶縁膜を形成し、該３層の絶縁膜に開口部を形成した比較例と、該開口部が露出された状態でアルゴンプラズマに曝された本発明の一態様である実施例と、を比較して説明する。
【０１６７】
まず、基板２００上に下地絶縁膜２０２を酸化窒化シリコンによりプラズマＣＶＤ法を用いて形成した。厚さは１００ｎｍとした。
【０１６８】
次に、下地絶縁膜２０２上に第１の導電膜２０４をタングステンによりスパッタリング法を用いて形成した。厚さは１５０ｎｍとした。
【０１６９】
次に、第１の導電膜２０４上に第１の絶縁膜２０８を酸化窒化シリコンによりプラズマＣＶＤ法を用いて形成した。厚さは３０ｎｍとした。
【０１７０】
次に、第２の絶縁膜２１０を酸化アルミニウムによりスパッタリング法を用いて形成した。厚さは１００ｎｍとした。
【０１７１】
次に、第３の絶縁膜２１４を酸化窒化シリコンによりプラズマＣＶＤ法を用いて形成した。厚さは３００ｎｍとした。
【０１７２】
そして第３の絶縁膜２１４上に第１のエッチングマスク２１６を形成した。第１のエッチングマスク２１６が形成された状態で第３の絶縁膜２１４、第２の絶縁膜２１０及び第１の絶縁膜２０８にエッチングを行って開口部２１８を形成した。該エッチングは下記の条件で行った。
トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）ガス流量＝２２．５ｓｃｃｍ
ヘリウム（Ｈｅ）ガス流量＝１２７．５ｓｃｃｍ
メタン（ＣＨ４）ガス流量＝５ｓｃｃｍ
反応室内圧力＝５．０Ｐａ
ＩＣＰ電力＝４７５Ｗ
上部電極と下部電極の間のバイアス電力＝３００Ｗ
基板の温度＝７０℃
【０１７３】
次に、実施例サンプルにのみ、開口部２１８が露出された状態でアルゴンプラズマ処理を行った。該プラズマ処理は下記の条件で行った。
アルゴン（Ａｒ）ガス流量＝１００ｓｃｃｍ
反応室内圧力＝１．３５Ｐａ
ＩＣＰ電力＝５００Ｗ
上部電極と下部電極の間のバイアス電力＝１００Ｗ
基板の温度＝−１０℃
【０１７４】
その後、第１のエッチングマスク２１６を除去し、開口部２１８に積層導電膜をスパッタリング法により形成した。該積層導電膜は、チタン層、タングステン層、アルミニウム層及びチタン層の積層構造とし、それぞれの膜の厚さは２０ｎｍ、５０ｎｍ、２００ｎｍ、５０ｎｍとした。
【０１７５】
このように開口部２１８に積層導電膜を形成した実施例サンプルと比較例サンプルの断面ＳＴＥＭ（ｓｃａｎｎｉｎｇ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像を図１１に示す。図１１（Ａ）は比較例サンプルであり、図１１（Ｂ）は実施例サンプルである。
【０１７６】
図１１（Ａ）と（Ｂ）の比較から、アルゴンプラズマ処理を行った図１１（Ｂ）では、開口部２１８表面の凹凸が除去されており平坦性が高い。そのため、積層導電膜が高い均一性で良好に形成されている。
【０１７７】
また、実施例サンプルと比較例サンプルのコンタクト抵抗を測定すると、コンタクト径０．４μｍ及び０．５μｍにおいて、比較例サンプルでは非常にばらつきが大きかったが、実施例サンプルではばらつきが小さく、且つ比較例サンプルにおける最も低い抵抗値近傍に収束する傾向が見られた。
【符号の説明】
【０１７８】
１００ 基板
１０２ 下地絶縁膜
１０４ 第１の導電膜
１０６ 第１のエッチングマスク
１０８ 第１の導電膜
１１０ 酸化物半導体膜
１１２ 第２のエッチングマスク
１１４ 酸化物半導体膜
１１６ 第１の絶縁膜
１１８ 第２の絶縁膜
１２０ 第２の導電膜
１２２ 第３のエッチングマスク
１２４ 第２の導電膜
１２６ 酸化物半導体膜
１２６Ａ 領域
１２６Ｂ 領域
１２６Ｃ 領域
１２８ 第４のエッチングマスク
１３０ 開口部
１３２ 第３の導電膜
１３４ 第５のエッチングマスク
１３６ 第３の導電膜
２００ 基板
２０２ 下地絶縁膜
２０４ 第１の導電膜
２０６ 酸化物半導体膜
２０６Ａ 領域
２０６Ｂ 領域
２０６Ｃ 領域
２０８ 第１の絶縁膜
２１０ 第２の絶縁膜
２１２ 第２の導電膜
２１４ 第３の絶縁膜
２１６ 第１のエッチングマスク
２１８ 開口部
２２０ 第３の導電膜
２２２ 第２のエッチングマスク
３００ 被形成面
３０２ 第１の絶縁膜
３０４ 第２の絶縁膜
３０６ 第３の絶縁膜
３０８ 開口部
３１０ 被形成面
３１２ 第１の絶縁膜
３１４ 第２の絶縁膜
３１６ 第３の絶縁膜
３１８ 開口部
３２０ 被形成面
３２２ 第１の絶縁膜
３２４ 第２の絶縁膜
３２６ 第３の絶縁膜
３２８ 開口部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域が酸化物半導体膜に形成されるトランジスタを形成し、
前記トランジスタの電極膜上に前記酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、及び第２の絶縁膜をこの順に積層して形成し、
前記第２の絶縁膜上に開口部を有するエッチングマスクを形成し、
前記エッチングマスクの前記開口部と重畳する部分の前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜をエッチングして前記電極膜を露出する開口部を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の前記開口部をアルゴンプラズマに曝し、
前記エッチングマスクを除去し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の前記開口部に導電膜を形成し、
前記第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、
前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、前記第１の絶縁膜よりもガスバリア性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
チャネル形成領域が酸化物半導体膜に形成されるトランジスタを形成し、
前記トランジスタの電極膜上に前記酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、及び第２の絶縁膜をこの順に積層して形成し、
前記第２の絶縁膜上に開口部を有するエッチングマスクを形成し、
前記エッチングマスクの前記開口部と重畳する部分の前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜をエッチングして前記電極膜を露出する開口部を形成し、
前記エッチングマスクを除去し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の前記開口部に逆スパッタリングを行い、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の前記開口部に導電膜をスパッタリング法により形成し、
前記第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、
前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、前記第１の絶縁膜よりもガスバリア性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の絶縁膜が酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜であり、
前記第２の絶縁膜が酸化アルミニウム膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
チャネル形成領域が酸化物半導体膜に形成されるトランジスタを形成し、
前記トランジスタの電極膜上に前記酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜をこの順に積層して形成し、
前記第３の絶縁膜上に開口部を有するエッチングマスクを形成し、
前記エッチングマスクの前記開口部と重畳する部分の前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜をエッチングして前記電極膜を露出する開口部を形成し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜の前記開口部をアルゴンプラズマに曝し、
前記エッチングマスクを除去し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜の前記開口部に導電膜を形成し、
前記第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、
前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、前記第１の絶縁膜よりもガスバリア性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
チャネル形成領域が酸化物半導体膜に形成されるトランジスタを形成し、
前記トランジスタの電極膜上に前記酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜をこの順に積層して形成し、
前記第３の絶縁膜上に開口部を有するエッチングマスクを形成し、
前記エッチングマスクの前記開口部と重畳する部分の前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜をエッチングして前記電極膜を露出する開口部を形成し、
前記エッチングマスクを除去し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜の前記開口部に逆スパッタリングを行い、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜の前記開口部に導電膜をスパッタリング法により形成し、
前記第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、
前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、前記第１の絶縁膜よりもガスバリア性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記第１の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜が、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜であり、
前記第２の絶縁膜が酸化アルミニウム膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一において、
前記第３の絶縁膜が前記第１の絶縁膜よりも厚いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１】
チャネル形成領域が酸化物半導体膜に形成されるトランジスタを形成し、
前記トランジスタの電極膜上に前記酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、及び第２の絶縁膜をこの順に積層して形成し、
前記第２の絶縁膜上に開口部を有するエッチングマスクを形成し、
前記エッチングマスクの前記開口部と重畳する部分の前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜をエッチングして前記電極膜を露出する開口部を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の前記開口部をアルゴンプラズマに曝し、
前記エッチングマスクを除去し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の前記開口部に導電膜を形成し、
前記第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、
前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、前記第１の絶縁膜よりもガスバリア性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
チャネル形成領域が酸化物半導体膜に形成されるトランジスタを形成し、
前記トランジスタの電極膜上に前記酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、及び第２の絶縁膜をこの順に積層して形成し、
前記第２の絶縁膜上に開口部を有するエッチングマスクを形成し、
前記エッチングマスクの前記開口部と重畳する部分の前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜をエッチングして前記電極膜を露出する開口部を形成し、
前記エッチングマスクを除去し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の前記開口部に逆スパッタリングを行い、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の前記開口部に導電膜をスパッタリング法により形成し、
前記第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、
前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、前記第１の絶縁膜よりもガスバリア性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の絶縁膜が酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜であり、
前記第２の絶縁膜が酸化アルミニウム膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
チャネル形成領域が酸化物半導体膜に形成されるトランジスタを形成し、
前記トランジスタの電極膜上に前記酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜をこの順に積層して形成し、
前記第３の絶縁膜上に開口部を有するエッチングマスクを形成し、
前記エッチングマスクの前記開口部と重畳する部分の前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜をエッチングして前記電極膜を露出する開口部を形成し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜の前記開口部をアルゴンプラズマに曝し、
前記エッチングマスクを除去し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜の前記開口部に導電膜を形成し、
前記第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、
前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、前記第１の絶縁膜よりもガスバリア性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
チャネル形成領域が酸化物半導体膜に形成されるトランジスタを形成し、
前記トランジスタの電極膜上に前記酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜をこの順に積層して形成し、
前記第３の絶縁膜上に開口部を有するエッチングマスクを形成し、
前記エッチングマスクの前記開口部と重畳する部分の前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜をエッチングして前記電極膜を露出する開口部を形成し、
前記エッチングマスクを除去し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜の前記開口部に逆スパッタリングを行い、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜の前記開口部に導電膜をスパッタリング法により形成し、
前記第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、
前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、前記第１の絶縁膜よりもガスバリア性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記第１の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜が、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜であり、
前記第２の絶縁膜が酸化アルミニウム膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一において、
前記第３の絶縁膜が前記第１の絶縁膜よりも厚いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図９】
【図１０】
【図７】
【図８】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図９】
【図１０】
【図７】
【図８】
【図１１】
【公開番号】特開２０１３−２１３０５（Ｐ２０１３−２１３０５Ａ）
【公開日】平成２５年１月３１日（２０１３．１．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１２５７８８（Ｐ２０１２−１２５７８８）
【出願日】平成２４年６月１日（２０１２．６．１）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月３１日（２０１３．１．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年６月１日（２０１２．６．１）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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