【課題】酸化シリコン層又は窒化シリコン層が側壁部に形成されたシリコン含有層の除去を、残渣が生じることなく、かつ、下層膜のロスを生じさせずに行うことができ、良質な半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成され、パターニングされたシリコン含有層の側壁部を窒化シリコン層又は酸化シリコン層で覆うように窒化シリコン層又は酸化シリコン層を形成する成膜工程と、シリコン含有層を選択的に除去し、側壁部に形成された窒化シリコン層又は酸化シリコン層を残すプラズマエッチング工程とを具備した半導体装置の製造方法であって、プラズマエッチング工程では、ＳＦ_６ガスを含むエッチングガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板をエッチングする際、ハードマスクの肩落ちによるエッチング深さの基板面内での粗密差を低減する。
【解決手段】半導体基板１上に、絶縁層（１０，１１）とアッシング除去可能な材料層を形成する工程と、材料層をパターニングする工程と、パターニングされた材料層をマスクに、絶縁層を貫通し、少なくとも半導体基板の一部をエッチングする第１のエッチング工程と、材料層がなくなる前にエッチングを一旦停止し、残存する材料層（１２）をアッシング除去する工程と、絶縁層をマスクに半導体基板を所定の深さにエッチングする第２のエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】複数回のリソグラフィ工程を実施することなく、多段の凸形状からなる微細３次元構造パターンを形成することが可能なパターン形成方法及びパターン形成体を提供する。
【解決手段】基板９００の面上に第１と第２のエッチングマスク層１００，２００と、パターニング処理した第３層目のエッチングマスク３０１を積層し、この第１層目から第３層目のエッチングマスク層１００，２００、３０１において、隣接する上層のエッチングマスクをエッチング用マスクとして下層のエッチングマスクをエッチングし上層のエッチングマスクに形成されたパターンを下層のエッチングマスクに転写する。そして、第３層目のエッチングマスク３０１のパターンをトリミングした後、該トリミング後のエッチングマスクとエッチング後の第１及び第２層目のエッチングマスクを用いて基板を順にエッチングし、第１及び第２層目のエッチングマスクのパターンを基板９００に転写する。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体のような被エッチング材料の表裏両面へのプラズマ処理を行う際、基板の材質に関わらず被エッチング材料両表面に効率よくバイアスを印加し、両面処理ができるプラズマエッチング装置及びその方法を提供する。
【解決手段】略円環状の被エッチング材料に高周波電力を印加する一対の導電体を有し、略円環状の被エッチング材料の内縁を一対の導電体で挟持することで、略円環状の被エッチング材料の両面をエッチングするプラズマエッチング装置において、前記一対の導電体の一方に設置された導電体接続部材により、該略円環状の被エッチング材料の両面が電気的に導通するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小型化を図ることが可能になると共に、絶縁リングで囲まれた貫通電極を狭ピッチで配置することの可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】回路素子層５が形成される表面１ａ、及び裏面１ｂを有する半導体基板１と、半導体基板１を貫通し、かつ半導体基板１の表面１ａ側から半導体基板１の裏面１ｂ側に向かうにつれて幅が広くなる貫通電極７と、貫通電極７を囲むように半導体基板を貫通し、かつ半導体基板１の表面１ａ側から半導体基板１の裏面１ｂ側に向かうにつれて幅が狭くなる第１の絶縁リング３と、を有し、半導体基板１の厚さ方向Ａにおいて、第１の絶縁リング３の少なくとも一部と対向するように貫通電極７を配置する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を改良された限界寸法均一性でエッチングする方法を提供する。
【解決手段】誘導結合プラズマエッチングチャンバ内の基板支持体上に半導体基板を支持することと、第１のエッチングガスをシャワーヘッドノズル２３により半導体基板の上の中央領域に供給することと、少なくとも１種類のシリコン含有ガスを含む第２のガスであって、第２のガス中のシリコン濃度が第１のエッチングガス中のシリコン濃度より高い第２のガスをプラズマチャンバの側壁を通して噴射器２０により半導体基板の上の中央領域を囲む周辺領域に供給することと、第１のエッチングガスおよび第２のガスからプラズマを発生させることと、半導体基板の露出面をプラズマエッチングすることとを含む。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内を結晶性の高いエピタキシャル膜で埋めることができ、特にｐｎコラムの形成に適する半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチングにより半導体基板１０ａにトレンチＴ１を形成するトレンチ形成工程と、１２０℃以下の低温で行うケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）またはウエットエッチングによりトレンチＴ１の表層部をエッチングして、第１ダメージ層Ｄ１を除去する第１ダメージ層除去工程と、半導体基板１０ａを非酸化性かつ非窒化性の雰囲気下において１０５０℃以上の高温で熱処理を行い、第１ダメージ層Ｄ１の下層に存在する第２ダメージ層Ｄ２の結晶性を回復する第２ダメージ層回復工程と、トレンチＴ１内にエピタキシャル膜３を形成して、トレンチＴ１をエピタキシャル膜３で埋め込むトレンチ埋め込み工程とを有してなる半導体基板１０の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】耐圧特性を十分に維持しながら放熱特性を向上させることが可能な埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法等を提供する。
【解決手段】埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法は、半導体基板１上に半導体積層９とマスク層１１を形成する工程と、マスク層１１を用いて半導体構造物１０をエッチングすることにより、第１方向に沿って延びる半導体メサ１５であって、第１方向と直交する第２方向において被エッチング領域１７と隣接する半導体メサ１５を形成する工程と、マスク層１１を半導体メサ１５上に残した状態で、被エッチング領域１７の第１領域１７Ａ１のみに埋め込み層１９Ａを形成する工程と、上部電極２５を形成する工程と、を備える。上部電極２５は、半導体メサ１５の上面１５Ｔから被エッチング領域１７の第２領域１７Ａ２に亘って形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、ソースとドレインの間にリーク電流が生じにくく、コンタクト抵抗が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜により形成されるトランジスタの電極膜上に酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、及び第２の絶縁膜を積層して形成し、第２の絶縁膜上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクの開口部と重畳する部分の第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をエッチングして電極膜を露出する開口部を形成し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部をアルゴンプラズマに曝し、エッチングマスクを除去し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部に導電膜を形成し、第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、第２の絶縁膜は第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、第１の絶縁膜よりもガス透過性が低い。または逆スパッタリングを行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】マスクをプラズマから保護することができ、形成する穴部の側壁を基板の表面に対して垂直にできるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】上方にパターニングされたシリコン酸化膜が形成されてなる被処理基板におけるシリコン層を第１の処理ガスによりエッチングして穴部を形成するプラズマエッチング方法において、一酸化炭素ガスを含む第２の処理ガスによりシリコン酸化膜の表面に保護膜を堆積させる第１の堆積ステップＳ１１と、第１の処理ガスによりシリコン層をエッチングする第１のエッチングステップＳ１２と、穴部の側壁に第２の処理ガスにより保護膜を堆積させる第２の堆積ステップＳ１３と、第１の処理ガスによりシリコン層を更にエッチングする第２のエッチングステップＳ１４とを有し、第２の堆積ステップＳ１３と第２のエッチングステップＳ１４とを少なくとも２回ずつ交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】 プロセス条件で与えられるストレス以上に大きなストレスを薄膜に与えることが可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 処理容器１と、処理容器１内に設けられた、被処理基板Ｗが載置される基板載置台３と、処理容器１内に、ガスを供給するガス導入部２７と、を具備し、基板載置台３の、被処理基板Ｗが載置される基板載置面３ａが窪み３ｂを有し、窪み３ｂの直径を２００ｍｍとしたとき、最深部の深さを１ｍｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】光抽出構造が形成されることで、発光効率及び信頼性を向上できる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、金属又は半導体からなる支持層；支持層上に位置する第１の電極；第１の電極上に位置し、発光層を含む多層構造の半導体層；及び半導体層上に配置され、少なくとも一つのホール又は柱形状の単位構造で形成される光抽出構造；を含む。光抽出構造はランダムに配置され、光抽出構造の高さは、ｎを光抽出構造が形成された物質の屈折率とし、λを発光層の中心波長とした場合にλ／２ｎ〜３０００ナノメートルであり、光抽出構造の周期又は隣接する単位構造の各中心間の平均距離は４００〜３０００ナノメートルであり、光抽出構造の単位構造はホール又は柱形状であり、単位構造の内側表面の半径と外側表面の半径とが互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面をエッチングして穴部を形成する際に、穴部の側壁を基板の表面に対して垂直にできるとともに、高速にシリコン層をエッチングできるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン層の上方にレジスト層が形成されてなる被処理基板が設置されている処理容器内に、酸素ガスとフッ化硫黄ガスとを含んだエッチングガスを所定の流量で供給し、供給したエッチングガスをプラズマ化したプラズマにより、シリコン層をエッチングするプラズマエッチング方法において、フッ化硫黄ガスの流量に対する酸素ガスの流量の流量比を第１の流量比とした状態でエッチングする第１のステップＳ１と、流量比が第１の流量比から第１の流量比よりも小さい第２の流量比になるように、酸素ガスの流量を減少させながらエッチングする第２のステップＳ２と、流量比を第２の流量比とした状態でエッチングする第３のステップＳ３とを有する。 （もっと読む）

【課題】マスク倒れを防止でき、しかもＡｌＣｕ配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣからなる第２層間膜１７上に、下側ＴｉＮ／Ｔｉ膜２９、ＡｌＣｕ膜３０および上側ＴｉＮ／Ｔｉ膜３１を順に積層することによってＡｌＣｕ配線層３４を形成する。次に、ＡｌＣｕ配線層３４上に、ＳｉＯ_２からなるハードマスク３７を形成する。そして、このハードマスク３７を利用してＡｌＣｕ配線層３４をドライエッチングすることにより、第１ＡｌＣｕ配線２０を形成する。第１ＡｌＣｕ配線２０の形成後、第２層間膜１７をエッチングすることにより低段部２８を形成する。このとき、第２層間膜１７（ＳｉＣ）からＣを解離させ、その解離したＣを含む反応生成物を側壁保護膜３２に定着させることによって、側壁保護膜３２を厚くする。 （もっと読む）

【課題】リッジ部を形成するためのエッチングの際にＧａＡｓキャップ層の側壁にサイドエッチングが進行することを防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、半導体基板２上にｎクラッド層３と、活性層４と、第１ｐクラッド層５と、エッチングストップ層６と、第２ｐクラッド層７と、キャップ層９とを順次積層して形成する工程と、キャップ層９の一部を除去した開口部１０ＡにＺｎＯ層１１を形成して窓領域を形成する工程と、開口部１０Ａからキャップ層９上にかけてストライプ状の絶縁膜マスクパターン１６を形成し、絶縁膜マスクパターン１６から露出したキャップ層９をエッチング除去する工程と、絶縁膜マスクパターン１６から露出しているキャップ層９の側壁を酸化する工程と、エッチングストップ層６に達するまでエッチングを行ってリッジを形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンと比較的サイズが大きめのパターンとを有するパターン形成方法で、サイズが大きめのパターンを従来に比して精度良く形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、加工対象上の芯材膜３１に開口を形成した後、マスク膜３２をコンフォーマルに形成する。マスク膜３２をエッチバックして芯材膜３１の側面に第１の幅のマスク膜３２を残す。開口の形成領域以外の領域にレジストパターン３５ａを形成し、これをマスクに芯材膜３１をエッチングする。さらに、芯材膜３１をスリミングして第１の幅より小さい第２の幅のラインアンドスペース状のパターンを形成する。側壁膜をコンフォーマルに形成した後、エッチバックし、さらに芯材膜３１を除去して、加工対象上に側壁膜からなる側壁パターンを形成する。そして側壁パターンで加工対象をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】パッシブ素子の特性の設計値からの低下を抑制することができる光集積素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、活性コア層を含む半導体積層構造で形成された、アクティブ素子を形成するためのアクティブ領域と、パッシブコア層を含む半導体積層構造で形成された、パッシブ素子を形成するためのパッシブ領域とを形成し、アクティブ領域とパッシブ領域とに被覆部と開口部とを有する第１エッチングマスクを形成し、アクティブ領域およびパッシブ領域において開口部からドライエッチングを行い、アクティブ領域にアクティブ素子のアクティブメサ構造を形成するとともにパッシブ領域にパッシブ素子のパッシブメサ構造を形成し、パッシブ領域に第２エッチングマスクを形成し、パッシブメサ構造を第２エッチングマスクにて保護しながらアクティブメサ構造をウェットエッチングする、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】基板の上のエッチング層内にエッチング特徴を形成するための方法が提供される。
【解決手段】エッチングマスクスタックが、エッチング層の上に形成される。第１のマスクが、エッチングマスクスタックの上に形成される。第１のマスクによって定められる間隔の幅を低減させる側壁層が、第１のマスクの上に形成される。側壁層を通して、第１組の特徴が、エッチングマスクスタック内へとエッチングされる。マスクおよび側壁層は、除去される。追加の特徴のステップが実施される。該ステップは、追加のマスクをエッチングマスクスタックの上に形成することと、側壁層を追加のマスクの上に形成することと、第２組の特徴を少なくとも部分的にエッチングマスクスタック内へとエッチングすることと、を含む。エッチングマスクスタック内の第１組の特徴および第２組の特徴を通して、複数の特徴がエッチング層内にエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に形成される凹部の加工精度を高めることのできるシリコン基板のエッチング方法及び該方法を用いるシリコン基板のエッチング装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板に対してその厚さ方向に延びる凹部を形成する際に、シリコン基板を含む基板Ｓを収容する真空槽１１内に六フッ化硫黄（ＳＦ_６）ガスのプラズマを生成して、該シリコン基板の厚さ方向に延びる凹部を形成する。加えて、真空槽１１内に三フッ化ホウ素（ＢＦ_３）ガスのプラズマを生成して、上記凹部の内壁面にホウ素とシリコンとを含む保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチング深さが異なる形状を簡単に、且つ精度よく加工できる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】開口部幅の異なる領域毎に、半導体のエッチングの進行、またはポリマーの生成のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部を有するマスク１９００を半導体表面に形成すると共に、マスクの周辺に周辺窓１７０１を有する周辺マスク１７００を形成する第１の工程と、メタンプラズマおよび水素プラズマをマスクが形成された半導体表面に照射する第２の工程を有し、マスク１９００が、第１のパターンを有す第１のマスク部１９１０と、第１のマスク部上に形成され、第１のマスク部のマスク厚よりも厚く、第１のパターンの開口部幅を画定する第２のパターンを有す第２のマスク部１９２０とからなり、周辺マスクの窓領域が第１のパターンの回折格子方向周辺に配されるようにした。 （もっと読む）