プラズマ処理装置および基板載置台
【課題】 プロセス条件で与えられるストレス以上に大きなストレスを薄膜に与えることが可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 処理容器1と、処理容器1内に設けられた、被処理基板Wが載置される基板載置台3と、処理容器1内に、ガスを供給するガス導入部27と、を具備し、基板載置台3の、被処理基板Wが載置される基板載置面3aが窪み3bを有し、窪み3bの直径を200mmとしたとき、最深部の深さを1mm以下とする。
【解決手段】 処理容器1と、処理容器1内に設けられた、被処理基板Wが載置される基板載置台3と、処理容器1内に、ガスを供給するガス導入部27と、を具備し、基板載置台3の、被処理基板Wが載置される基板載置面3aが窪み3bを有し、窪み3bの直径を200mmとしたとき、最深部の深さを1mm以下とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、プラズマ処理装置および基板載置台に関する。
【背景技術】
【0002】
窒化珪素膜は、各種半導体装置における絶縁膜や保護膜等として使用されている。このような窒化珪素膜は、例えば、原料ガスとしてシラン(SiH4)などのシリコン含有化合物のガスと、窒素やアンモニアのような窒素含有化合物のガスを使用するプラズマCVD法により形成できることが知られている(例えば、特許文献1)。
【0003】
プラズマCVD法により形成される窒化珪素膜においては、デバイス特性に悪影響を及ぼす膜の応力、すなわち引張り(Tensile)ストレスおよび圧縮(Compressive)ストレスを抑制することが重要な課題であった。例えば窒化珪素膜の圧縮ストレスが大きい場合には、膜直下の金属配線がストレスにより断線を引き起こすストレスマイグレーションが発生することが知られており、これを防止するためには圧縮ストレスを小さく抑える必要がある。窒化珪素膜のストレスの方向(引張りストレスであるか圧縮ストレスであるか)や大きさは、プラズマCVD法の場合、圧力、温度、成膜ガス種などの成膜条件に左右される。このため、窒化珪素膜に強いストレスが生じない条件を選定し、プラズマCVD法によりストレスを有さない窒化珪素膜の成膜が行なわれてきた(例えば、非特許文献1)。
【0004】
しかし、近年ある種のデバイスにおいて、窒化珪素膜のストレスを積極的に利用してデバイス特性を改善しようする試みがなされている(例えば、特許文献2)。
【0005】
しかしながら、窒化珪素膜等の薄膜に与えられるストレスは、非特許文献1にも記載されているように、プロセス条件によるため、ストレス値に限度がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2000−260767号公報
【特許文献2】特開2007−49166号公報
【非特許文献】
【0007】
【非特許文献1】前田和夫「VLSIとCVD」槇書店,1997年7月31日発行
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
この発明は、プロセス条件で与えられるストレス以上に大きなストレスを薄膜に与えることが可能なプラズマ処理装置および基板載置台を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記課題を解決するために、この発明の第1の態様に係るプラズマ処理装置は、処理容器と、前記処理容器内に設けられた、被処理基板が載置される基板載置台と、前記処理容器内に、ガスを供給するガス導入部と、を具備し、前記基板載置台の、前記被処理基板が載置される基板載置面が窪みを有し、前記窪みの直径を200mmとしたとき、最深部の深さが1mm以下である。
【0010】
この発明の第2の態様に係る基板載置台は、プラズマ処理装置に使用され、プラズマ処理される被処理基板が載置される基板載置台であって、前記基板載置台の、前記被処理基板が載置される基板載置面が窪みを有し、前記窪みの直径を200mmとしたとき、最深部の深さが1mm以下である。
【発明の効果】
【0011】
この発明によれば、プロセス条件で与えられるストレス以上に大きなストレスを薄膜に与えることが可能なプラズマ処理装置および基板載置台を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】プラズマ成膜装置の一例を模式的に示す断面図
【図2】平面アンテナの一例を示す平面図
【図3】載置台の一例を示す図
【図4】成膜の様子を示す断面図
【図5】載置台の他例を示す図
【図6】プラズマCVDにおける処理圧力と窒化珪素膜のストレスの大きさの関係を示す図
【図7】この発明の第2の実施形態に係るプラズマCVD窒化珪素膜の成膜方法に使用されるプラズマCVD装置の一例を示す概略断面図
【図8】シャワーヘッドの一例を示す平面図
【図9】水素量の処理温度依存性を示す図
【図10】水素量の珪素含有ガス流量依存性を示す図
【図11】水素量のマイクロ波パワー依存性を示す図
【図12】水素量の処理圧力依存性を示す図
【図13】薄膜のエッチングレートを示す図
【図14】適用例1に係る半導体集積回路装置の製造方法を主要な製造工程順に示す断面図
【図15】適用例2に係る半導体集積回路装置の製造方法を主要な製造工程順に示す断面図
【図16】プラズマCVD窒化珪素膜のストレスとN−H結合の量との関係を示す図
【図17】アンモニアガスを用いて成膜したプラズマCVD窒化珪素膜の段差被覆性を示す断面図
【図18】窒素ガスを用いて成膜したプラズマCVD窒化珪素膜の段差被覆性を示す断面図
【図19】適用例3に係る半導体集積回路装置の製造方法を主要な製造工程順に示す断面図
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、適宜添付図面を参照して本発明の実施の形態について具体的に説明する。
【0014】
(第1の実施形態)
図1は、薄膜の形成に利用可能なプラズマ成膜装置の一例を模式的に示す断面図である。このプラズマ成膜装置100aは、複数のスロットを有する平面アンテナ、特にRLSA(Radial Line Slot Antenna;ラジアルラインスロットアンテナ)にてチャンバー1内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させることにより、高密度かつ低電子温度のマイクロ波励起プラズマを発生させ得るRLSAマイクロ波プラズマ成膜装置として構成されており、1×1010〜5×1012/cm3のプラズマ密度で、かつ0.7〜2eVの低電子温度のプラズマによる処理が可能である。従って、各種半導体装置の製造過程においてプラズマCVDによる薄膜の成膜処理、例えば、窒化珪素膜の成膜処理などの目的で好適に利用可能なものである。
【0015】
上記プラズマ成膜装置100aは、気密に構成され、接地された略円筒状の処理チャンバー(処理容器)1を有している。なお、チャンバー1は角筒形状でもよい。処理チャンバー1の中で、被処理基板である半導体ウエハW上に、プラズマCVD窒化珪素膜等の薄膜が成膜される。処理チャンバー1の底壁1aの略中央部には円形の開口部1bが形成されており、底壁1aにはこの開口部1bと連通し、下方に向けて突出する排気室2が設けられている。
【0016】
処理チャンバー1の内部には、ウエハWを水平に支持するためのAlN等のセラミックスからなるサセプタ(基板載置台)3が設けられている。サセプタ3は、排気室2の底部中央から上方に延びる円筒状のAlN等のセラミックスからなる支持部材4により支持されている。サセプタ3の外縁部には、その外縁部をカバーし、ウエハWをガイドするためのカバーリング5が設けられている。カバーリング5は、例えば石英、AlN、Al2O3、SiN等の材質で構成された部材である。サセプタ3には、例えば、抵抗加熱型のヒーター6が埋め込まれており、このヒーター6はヒーター電源6aから給電されることによりサセプタ3を加熱し、サセプタ3の熱でウエハWを加熱する。サセプタ3には熱電対6bが埋設されている。サセプタ3は、熱電対6bが検出した温度信号に基づいて、温度コントローラ(TC)6cにより、例えば、室温から1000℃までの範囲で温度制御される。サセプタ3には、ウエハWを支持して昇降させるためのウエハ支持ピン(図示せず)がサセプタ3の表面に対して突没可能に設けられている。
【0017】
排気室2は排気管2aに接続され、排気管2aには真空ポンプを含む排気装置2bが接続されている。排気装置2bは、ターボ分子ポンプ等の真空ポンプおよび圧力制御バルブ等を備えており、処理チャンバー1の内部を所定の減圧雰囲気に設定する。
【0018】
処理チャンバー1の側壁部分には、ゲートバルブ9が設けられている。ゲートバルブ9を開閉することにより、処理チャンバー1は外界と連通されたり、外界から気密に遮断されたりする。ウエハWは、ゲートバルブ9を介して処理チャンバー1の内部に搬入出される。
【0019】
処理チャンバー1の上部は開口部となっており、開口部を塞ぐようにマイクロ波導入部10が気密に配置される。マイクロ波導入部10は、サセプタ3の側から順に、マイクロ波透過板11、平面アンテナ部材12、遅波材13を備えている。
【0020】
マイクロ波透過板11は、処理チャンバー1上部の開口部に設けられた環状の支持部14上に、シール部材15を介して気密に配置される。マイクロ波透過板11は、マイクロ波を透過する誘電体、例えば、石英やAl2O3、AlN等のセラミックスから構成される。
【0021】
平面アンテナ部材12は、マイクロ波透過板11の上方に設けられ、処理チャンバー1の開口部の上端に係止されている。平面アンテナ部材12は、例えば、表面が金または銀メッキされた銅板、又はアルミニウム板から構成され、マイクロ波を放射するための多数のスロット孔16が所定のパターンで貫通して形成されている。スロット孔16は、例えば、図2に示すように一対の長溝状をなす。典型的には隣接するスロット孔16どうしが、T字状に配置され、T字状に配置されたスロット孔16が複数個、同心円状に配置される。スロット孔16の長さや配列間隔は、マイクロ波の波長(λg)に応じて決定され、例えば、スロット孔16の間隔は、λg/4からλgとなるように配置される。なお、図2においては、同心円状に形成された隣接するスロット孔16どうしの間隔を、“Δr”で示している。スロット孔16の形状は、例えば、円形状、円弧状等の形状であってもよい。スロット孔16の配置についても、特に同心円状に限定されるものではなく、例えば、螺旋状、放射状に配置することもできる。
【0022】
遅波材13は、平面アンテナ部材12の上に設けられる。遅波材13は、真空よりも大きい誘電率を有する誘電体、例えば、石英、Al2O3等のセラミックス、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂やポリイミド系樹脂から構成され、真空中ではマイクロ波の波長が長くなることから、マイクロ波の波長を短くしてプラズマを調整する機能を有している。なお、平面アンテナ部材12とマイクロ波透過板11との間、及び平面アンテナ部材12と遅波材13との間は、それぞれ密着させてもよいし、離間させてもよい。
【0023】
処理チャンバー1の上方には、平面アンテナ部材12、及び遅波材13を覆うように、カバー17が設けられている。カバー17は平面アンテナと扁平導波管とを形成し、マイクロ波が外に漏れないように、処理チャンバー1の上面上に、シール部材18を介して配置される。カバー17は、例えば、アルミニウムやステンレス鋼等の金属材から構成され、内部には冷却水流路17aが形成される。冷却水を冷却水流路17aに流すことでカバー17、遅波材13、平面アンテナ12、及びマイクロ波透過板11がそれぞれ冷却され、カバー17、遅波材13、平面アンテナ12、及びマイクロ波透過板11の変形及び破損が防止される。なお、カバー17は、アンテナ、処理チャンバーを介して接地されている。
【0024】
カバー17の上壁の中央には開口部17bが形成されている。開口部17bには導波管18が接続されている。導波管18の端部には、モード変換器21、矩形導波管が接続され、マッチング回路19を介してマイクロ波発生装置20が接続される。マイクロ波発生装置20は、例えば、周波数2.45GHzのマイクロ波を発生させる。発生されたマイクロ波は、導波管18を介して平面アンテナ部材12へ伝搬される。マイクロ波の周波数としては、2.45GHz、8.35GHz、1.98GHz等も用いることができる。
【0025】
導波管18は、カバー17の開口部17bから上方へ延出する断面円形状の同軸導波管18aと、同軸導波管18aの中心に延在し、平面アンテナ部材12の中心に接続固定される内導体18cと、同軸導波管18aの上端部にモード変換器21を介して接続された水平方向に延びる矩形導波管18bとを有している。モード変換器21は、矩形導波管18b内をTEモードで伝搬するマイクロ波を、TEMモードに変換して、内導体18cを介して平面アンテナ部材12へ放射状に効率よく均一に伝播される。
【0026】
アンテナの下方には、ガス導入部22aおよび22bが上下に環状に配設されて設けられており、各ガス導入部22aおよび22bには、複数のガス吐出孔がガス導入部22a、22bの側壁の内周に沿って均等に形成されている。ガス導入部22aおよび22bには、成膜原料ガスやプラズマ励起用ガスを供給するガス供給部27が接続されている。なお、ガス導入部22aおよび22bはノズル状またはシャワー状に配置してもよい。
【0027】
ガス供給部27は、本例では、珪素含有ガス供給源27a、窒素含有ガス供給源27b、不活性ガス供給源27c、及び洗浄用ガス供給源27dを備えている。窒素含有ガス供給源27bは、上部のガス導入部22aに接続され、珪素含有ガス供給源27a、不活性ガス供給源27c、及び洗浄用ガス供給源27dは、下部のガス導入部22bに接続されている。
【0028】
成膜原料ガスである窒素含有ガスとしては、例えば、窒素(N2)、アンモニア(NH3)、モノメチルヒドラジン(MMH)のようなヒドラジン誘導体などを用いることができる。
【0029】
また、他の成膜原料ガスである珪素含有ガスとしては、例えば、シラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)などを用いることができるが、特にジシラン(Si2H6)が好ましい。
【0030】
不活性ガスとしては、例えば、N2ガスや希ガスなどを用いることができる。プラズマ励起用ガスである希ガスとしては、例えば、Arガス、Krガス、Xeガス、Heガスなどを用いることができる。コスト的には、Arガスが好ましい。
【0031】
洗浄用ガスとしては、ClF3、HF、NF3などを用いることができる。
【0032】
窒素含有ガスは、ガスライン21aを介してガス導入部22aに至り、ガス導入部22aからチャンバー1内に導入される。
【0033】
珪素含有ガス、及び不活性ガスは、それぞれガスライン21aを介してガス導入部22bに至り、ガス導入部22bからチャンバー1内に導入される。
【0034】
各ガス供給源に接続する各々のガスライン21aには、マスフローコントローラ21b、及びその前後に開閉バルブ21cが設けられており、供給されるガスの切替えや流量等の制御が出来るように構成されている。なお、Arなどのプラズマ励起用の希ガスは任意のガスであり、必ずしも成膜原料ガスと同時に供給しなくてもよい。
【0035】
プラズマ成膜装置100aの各構成部は、制御部50によって制御される。制御部50は、CPUを備えたプロセスコントローラ51と、プロセスコントローラ51に接続されたユーザーインターフェース52及び記憶部53とを備えている。ユーザーインターフェース52は、工程管理者がプラズマCVD装置100bを管理するためにコマンドの入力操作等を行なうキーボードや、プラズマCVD装置100aの稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を備えている。記憶部53は、プラズマCVD装置100aで実行される各種処理をプロセスコントローラ51の制御にて実現するための制御プログラム(ソフトウエア)や処理条件データ等が記録されたレシピを格納する。任意のレシピは、必要に応じ、ユーザーインターフェース52からの指示等にて記憶部53から呼び出され、プロセスコントローラ51において実行される。プロセスコントローラ51がレシピを実行することで、プラズマ成膜装置100aは、プロセスコントローラ51の制御のもと、所望の処理を行う。レシピは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体、例えば、CD−ROM、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリなどに格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば、専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【0036】
このように構成されたプラズマ成膜装置100aは、800℃以下、好ましくは600℃以下の低温で下地膜等へのダメージフリーなプラズマ処理を進めることができるとともに、プラズマ均一性に優れており、プロセスの均一性を実現できる。
【0037】
さらに、本実施形態に係るプラズマ成膜装置100aのサセプタ(基板載置台)3は、以下のような構成となっている。
【0038】
図3Aは載置台2の一例を示す斜視図、図3B、図3Cはそれぞれ図3A中の3B−3B線及び3C−3C線に沿う断面図である。
【0039】
図3A乃至図3Cに示すように、サセプタ3のウエハWが載置されるウエハ載置面3aは、球面状の窪み3bを有している。窪み3bの曲面の一例は、載置面3a上に半径rの仮想真球を仮想した場合、どの位置においても曲率半径R(R=r)が一定となるように形成されることである。
【0040】
ウエハWは、その中心C0を、窪み3bの最深部、本例では窪み3bの中央部C1に対応するように配置し、かつ、そのエッジE0を窪み3b内に配置した状態でサセプタ3にチャックされる。これにより、ウエハWは、どの位置においても曲率半径が一定のままに窪み3bの曲面に沿って凹んだ状態、例えば、ウエハWの最上面(薄膜が成膜される成膜面)TS0が縮むように撓んだ状態で載置される(図4A参照)。
【0041】
ウエハWの最上面TS0が縮むように撓んだ状態で、ウエハW上に薄膜、本例では窒化珪素膜60を成膜する(図4B参照)。
【0042】
窒化珪素膜60が成膜されたウエハWをサセプタ3から取り外すと、ウエハWは水平に戻る。窒化珪素膜60はウエハWの撓み具合にならって撓んだ状態で成膜されるから、窒化珪素膜60の最上面TS2の面積は最下面BS2の面積よりも小さくなる(図4C参照)。このような窒化珪素膜60を水平に戻すと(図4D参照)、窒化珪素膜60の最上面TS2及びその近傍に、ウエハWの中心C0から縁E0に向かって拡がろうとする力Fが働く(図4E参照)。力Fが働くことによって、窒化珪素膜60には高い引張りストレスが生ずる。本例では、ウエハWが、どの位置でも曲率半径が一定になるように凹ませていたから、力Fは窒化珪素膜60に均一に働く。よって、高い引張りストレスを、窒化珪素膜60に均一に生じさせることができる。
【0043】
図5Aはサセプタ3の他例を示す斜視図、図5B、図5Cはそれぞれ図5A中の5B−5B線及び5C−5C線に沿う断面図である。
【0044】
図5A乃至図5Cに示すように、サセプタ3のウエハWが載置されるウエハ載置面3aは、球面状の膨らみ3cを設けるようにしても良い。この場合には形成される薄膜に圧縮ストレスを生じさせることができる。膨らみ3cの曲面の一例は、載置面3a下に半径rの仮想真球を仮想した場合、どの位置においても曲率半径R(R=r)となるように形成されることである。この場合もまた、ウエハWは、その中心C0を、膨らみ3cの最頂部、本例では膨らみ3cの中央部に対応するように配置し、かつ、そのウエハWのエッジを膨らみ3c内に配置した状態で載置台2にチャックされれば良い。
【0045】
窒化珪素膜60に働くストレスσは、次の式により表すことができる。
【0046】
σ=Eh2/{(1−ν)6Rt}
ここで、E/(1−ν)はウエハWの二軸弾性係数(Pa)、hはウエハWの厚み(m)、tは窒化珪素膜60の厚み(m)、RはウエハWの曲率半径(m)、σは薄膜の平均ストレス(Pa)である。二軸弾性係数E/(1−ν)の値の例は、ウエハWの面方位が(100)のときには1.805×1011Paである。なお、平均ストレスσがプラスのときは引張りストレスであり、マイナスのときは圧縮ストレスである。
【0047】
曲率半径Rが無限大、即ち、曲率がゼロは、ウエハ載置面3aが平坦のときである。平坦なウエハ載置面3a上に載置されたウエハW上に薄膜を引張りストレスも圧縮ストレスも生じない条件で成膜すればストレスは発生しない。ストレスはゼロである。ウエハ載置面3aが平坦でなければ曲率半径Rに有限の値が生じ、ウエハ載置面3aに窪み3b、又は膨らみ3cが生じ、載置されたウエハWは撓む。撓んだウエハWを水平に戻せば、ウエハW上に形成された薄膜には引張りストレス、又は圧縮ストレスが生じる。
【0048】
ウエハWは大きく撓ませすぎると割れてしまったりする。また、ウエハWの撓みが小さいと、ウエハWを水平に戻しても薄膜にはストレスがあまり生じない。このため、窪み3b、又は膨らみ3cには上限と下限とがある。
【0049】
例えば、窪み3bの直径が200mmとしたときには、下限としては窪み3bの最深部の深さが約0.5mmとなるような球面状、上限としては窪み3bの最深部の深さが約1mmとなるような球面状とするのが良い。
【0050】
また、膨らみ3cの直径が240mmとしたときには、下限としては膨らみ3cの最頂部の高さが約0.5mmとなるような球面状、上限としては膨らみ3cの最頂部の高さが約1mmとなるような球面状とするのが良い。
【0051】
薄膜のストレスは成膜原料ガスと処理圧力、即ちプロセス条件で変わる。
【0052】
図6は、プラズマCVDにおける処理圧力と窒化珪素膜のストレスの大きさの関係を示す図である。図6の縦軸は窒化珪素膜のストレスの大きさを示しており、正(プラス)側は引張りストレス、負(マイナス)側は圧縮ストレスである。また、図6において横軸の処理圧力はmTorrを対数目盛で示したものであり、上段にmTorrの値を示し、下段に換算したPaの値を示す。
【0053】
本試験において窒化珪素膜は、成膜ガスを変えて、以下のプラズマCVD条件で成膜した。
<プラズマCVD成膜条件(NH3/Si2H6ガス系)>
NH3ガス流量;500mL/min(sccm)
Si2H6ガス流量;5mL/min(sccm)
処理圧力;2.7Pa(20mTorr)、6.7Pa(50mTorr)、40.0Pa(300mTorr)および133.3Pa(1Torr)
サセプタ3の温度;400℃
マイクロ波パワー;2000W
<プラズマCVD成膜条件(N2/Si2H6ガス系)>
N2ガス流量(ガス導入部15a);1100mL/min(sccm)
Si2H6ガス流量;1mL/min(sccm)
N2ガス流量(ガス導入部15b);100mL/min(sccm)
処理圧力;4.0Pa(30mTorr)、6.7Pa(50mTorr)、13.3Pa(100mTorr)および66.6Pa(500mTorr)
サセプタ3の温度;500℃
マイクロ波パワー;3000W
図6より、成膜ガスをNH3/Si2H6ガス系とした場合に、窒化珪素膜に引張りストレスが生じ、その引張りストレスは、処理圧力が高くなるほど大きくなる傾向があり、約6.7Paの処理圧力で約400MPaの引張りストレスが得られている。
【0054】
従って、窒化珪素膜に引張りストレスを与える場合には、処理圧力は6.7Pa(50mTorr)以上とすることが好ましい。また、800MPa以上例えば800〜2000MPaの高い引張りストレスを有する窒化珪素膜を成膜するためには、処理圧力を40Pa以上例えば40〜266.6Pa(300mTorr〜2Torr)に設定することが好ましい。
【0055】
さらにまた、1000MPa以上例えば1000〜2000MPaの高い引張りストレスを与えるためには、処理圧力を53.3Pa以上例えば53.3〜266.6Pa(400mTorr〜2Torr)に設定することが好ましい。さらに、1500MPa以上例えば1500〜2000MPaの高い引張りストレスを与えるためには、処理圧力を133.3Pa以上例えば133.3〜266.6Pa(1Torr〜2Torr)に設定することが好ましい。これは、Si−H量を低く、結合力の大きいN−H量を多くすることで、引っ張りストレスが大きくなった、と考えられる。
【0056】
また、成膜ガスをN2/Si2H6ガス系とした場合に、窒化珪素膜に圧縮ストレスが生じ、その圧縮ストレスは、処理圧力が小さくなるほど大きくなる傾向があり、約5.3Pa(40mTorr)未満の処理圧力で約−800MPaを超える圧縮ストレスが得られている。従って、窒化珪素膜に圧縮ストレスを与える場合には、処理圧力は、5.3Pa(40mTorr)未満とすることが好ましい。さらに1000MPa以上例えば1000〜1500MPaの高い圧縮ストレスを有する窒化珪素膜を得るためには、処理圧力を4Pa以下例えば1.3〜4Pa(10mTorr〜30mTorr)に設定することが好ましい。これは、ガス種にN−Hを含まないN2ガスを用いたので、膜中にN−Hが取り込まれることがなく、N−Hが含まれないため、と考えられる。
【0057】
図6に示すように、ウエハWを撓ませないで窒化珪素膜を成膜した場合には、引張ストレスは曲線Iに示すような値をとり、圧縮ストレスは曲線IIに示すような値をとる。
【0058】
さらに、本実施形態のように、ウエハWを撓ませた状態で窒化珪素膜を成膜し、成膜後、ウエハWを水平に戻した場合には、引張ストレスの値は曲線IIIに示すように向上し、圧縮ストレスの値は曲線IVに示すように向上する。
【0059】
このように、第1の実施形態に係るプラズマ成膜装置100aによれば、サセプタ3のウエハ載置面3aに球面状の窪み3b、又は球面状の膨らみ3cを設け、ウエハWを撓ませた状態でウエハW上に薄膜を形成するようにしたので、ウエハW上に形成される薄膜に、プロセス条件で得られるストレス以上の高い引張りストレス、又は圧縮ストレスを与えることができる。
【0060】
(第2の実施形態)
図7は、この発明の第2の実施形態に係るプラズマCVD窒化珪素膜の成膜方法に利用することが可能なプラズマ成膜装置の一例を示す断面図である。
【0061】
図7に示すように、プラズマ成膜装置100bが、図1に示した装置100aとことなるところは、ガス導入部がシャワーヘッド22cとなっていること、及びサセプタ3には下部電極6dが埋め込まれており、マッチャー6eを介してRF電源6fに接続されていることである。
【0062】
本例においても、図7には図示しないが、第1の実施形態と同様に、サセプタ3のウエハ載置面3aには、図3A乃至図3Cに示したような球面状の窪み3b、又は、図5A乃至図5Cに示したような球面状の膨らみ3cが設けられている。
【0063】
処理チャンバー1内の、サセプタ3とマイクロ波導入部10との間には、処理ガスを導入するためのシャワーヘッド22cが水平に設けられている。シャワーヘッド22cは、図8に示すように、格子状のガス流路23と、格子状のガス流路23に形成された多数のガス吐出孔24とを有している。格子状のガス流路23の間は空間部25となっており、ガス吐出孔24はガス流路23のサセプタ3側に形成されている。ガス流路23には処理チャンバー1の外側に延びるガス供給管26が接続される。ガス供給管26は、プラズマ処理のための処理ガスを供給するガス供給部27に接続される。
【0064】
ガス供給部27は、本例では珪素含有ガス供給源27a、窒素及び水素含有ガス供給源27b、及びプラズマ生成用ガス供給源27cを備えている。本例では、珪素含有ガス、窒素及び水素含有ガスを、ガスライン21aを介してシャワーヘッド22cに供給する。なお、図7においては、マスフローコントローラ、及びバルブ等の図示は省略している。シャワーヘッド22cは、上記ガスを、格子状のガス流路23、及格子状のガス流路23のサセプタ3側に形成されたガス吐出孔24を介して所定の流量で処理チャンバー1の内部のうち、シャワーヘッド22cとサセプタ3との間の空間1cへ供給する。珪素含有ガスの一例はジシランであり、窒素及び水素含有ガスの一例はアンモニアである。
【0065】
シャワーヘッド22cとマイクロ波導入部10との間の処理チャンバー1の側壁には、環状のプラズマ生成用ガス導入部22dが設けられている。プラズマ生成用ガス導入部222dは、処理チャンバー1の内部に向かってプラズマ生成用ガスを吐出する吐出孔22eを複数備えている。プラズマ生成用ガスは、ガス導入部22dに供給される。ガス導入部22dは、プラズマ生成用ガスを、吐出孔22eを介して処理チャンバー1の内部のうち、シャワーヘッド22cとマイクロ波導入部10との間の空間1dへ供給する。プラズマ生成用ガスの一例はアルゴンである。
【0066】
空間1dに供給されたプラズマ生成用ガスは、マイクロ波導入部10を介して空間1dに導入されたマイクロ波によりプラズマ化される。プラズマ化されたガスは、シャワーヘッド22cの空間部25を通過して空間1cに供給され、空間1cにおいて、シャワーヘッド22cのガス吐出孔24から吐出された処理ガスをプラズマ化する。
【0067】
このように構成されたプラズマ成膜装置100bは、例えば、以下のような手順でプラズマCVD法によりウエハW表面上に窒化珪素膜を堆積する。
【0068】
まず、ゲートバルブ9を開にしてウエハWを処理チャンバー1の内部に搬入し、サセプタ3上に載置する。
【0069】
次に、ガス供給部27からプラズマ生成用ガスを、吐出孔22eを介して処理チャンバー1のうち、空間1d内に導入しつつ、マイクロ波発生装置20からのマイクロ波を、マッチング回路19を経て、矩形導波管18b、モード変換器21、及び同軸導波管18aを順次通過させ、内導体18cを介して平面アンテナ部材12に供給する。平面アンテナ部材12に供給されたマイクロ波は、平面アンテナ部材12のスロット孔16から透過板11を介して処理チャンバー1のうち、空間1d内に放射される。プラズマ生成ガスは、放射されたマイクロ波により励起されてプラズマ化される。マイクロ波励起プラズマは、マイクロ波が多数のスロット孔16から放射されることにより、例えば、略1×1010〜5×1012/cm3の高密度で2eV以下の低電子温度プラズマとなる。プラズマ化されたガスは、シャワーヘッド22cの空間部25を通過して空間1cに供給される。
【0070】
次に、ガス供給部27から珪素含有ガス、窒素及び水素含有ガスを、シャワーヘッド22cのガス吐出孔24を介して処理チャンバー1のうち、空間1c内に供給する。上記ガスは、格子状の空間部25を通過してきたプラズマ化されたガスにより励起されてプラズマ化される。ウエハW近傍では、例えば、略1.5eV以下の低電子温度プラズマとなる。このようにして形成されたプラズマは、下地膜へのイオン等によるプラズマダメージが少ないものである。そして、プラズマ中で処理ガスの解離が進み、例えば、SiH、NHなどの活性種の反応によって、窒化珪素SiNx(ここで、xは必ずしも化学量論的に決定されず、処理条件により異なる値をとる)の薄膜が堆積される。
【0071】
図7に示すプラズマ成膜装置100bを用いてプラズマCVD窒化珪素膜を成膜し、成膜されたプラズマCVD窒化珪素膜中の水素量(Si−H結合、N−H結合、及びSi−H結合とN−H結合との合計)の、処理温度依存性、珪素含有ガス流量依存性、マイクロ波パワー依存性、及び処理圧力依存性を、それぞれ測定した。この測定において使用した珪素含有ガスはジシラン、窒素及び水素含有ガスはアンモニアである。プラズマCVD窒化珪素膜の膜質の分析には、フーリエ変換赤外分光法(FT−IR)を用い、N−H結合に由来するスペクトルの強度、及びSi−H結合に由来するスペクトルの強度から、N−H結合の量、及びSi−H結合の量を求めた。また、求められたN−H結合の量とSi−H結合の量とを合計することにより総膜中水素量(total H)を求めた。
【0072】
図9は水素量の処理温度依存性を示す図で、図9Aは処理条件を、図9Bは水素量と処理温度との関係を示している。
【0073】
図9Aに示すように、処理条件は、処理温度をパラメータ(図中“−”で示す)とし、ジシラン(Si2H6)とアンモニア(NH3)との流量比を“5sccm/500sccm=0.01”、マイクロ波パワーを1.023W/cm2(2kW)、処理圧力を950mTorrとした。このような処理条件において、処理温度を300℃から600℃まで100℃ずつ変化させた。処理温度は、本例ではサセプタ3の加熱温度とした。
【0074】
図9Bに示すように、処理温度を300℃から400℃に変化させると、Si−H結合の量は緩やかな上昇傾向を示したのに対し、N−H結合の量は大きく減少した。Si−H結合とN−H結合との合計値(以下総膜中水素量(Total H)という)は、処理温度が300℃の場合に比較して400℃の場合のほうが大きく減少した。これは、供給律速領域のためN−Hが取り込まれ難くなる、と考えられる。
【0075】
さらに、処理温度を400℃から500℃に変化させると、Si−H結合の量は、反対に大きな減少傾向を示し、N−H結合の量は緩やかに増加した。総膜中水素量は、N−H結合の量が緩やかに増加した反面、Si−H結合の量がN−H結合の増加量を上回る量で減少したため、処理温度が400℃の場合に比較して500℃の場合のほうが減少した。
【0076】
さらに、処理温度を500℃から600℃に変化させると、Si−H結合の量は、引き続き減少傾向を示した。N−H結合の量は、ほぼ変化がなく、飽和する傾向を示した。総膜中水素量は、処理温度が500℃の場合に比較して600℃の場合のほうが減少した。これは、反応律速領域のため反応が進まず、N−Hが多く取り込まれない、と考えられる。このように、400℃以下では供給律速で、400℃を超えると反応律速と考えられる。
【0077】
総膜中水素量は、処理温度を高くするに連れて減少する傾向を示し、ほぼ処理温度が300℃以上600℃以下で1022(atoms/cc)のオーダーから、1021(atoms/cc)のオーダーまで減らすことが可能であることが確認された。
【0078】
図10は水素量の珪素含有ガス流量依存性を示す図で、図10Aは処理条件を、図10Bは水素量と珪素含有ガス流量との関係を示している。
【0079】
図10Aに示すように、珪素含有ガス、本例ではジシラン(Si2H6)の流量をパラメータ(図中“−”で示す)とし、処理温度(サセプタ3の温度)を500℃、アンモニア(NH3)の流量を1000sccm、マイクロ波パワーを1.023W/cm2(2kW)、処理圧力を1000mTorrとした。このような処理条件において、ジシランの流量を5sccm、10sccm、12.5sccm、及び15sccmと変化させ、ジシランとアンモニアとの流量比を0.005、0.01、0.0125、0.015と変化させた。
【0080】
図10Bに示すように、流量比を0.005から0.01に変化させると、Si−H結合の量は低いままほぼ変化しなかったのに対し、N−H結合の量は減少傾向を示した。総膜中水素量は、流量比が0.005の場合に比較して0.01の場合のほうが減少した。
【0081】
さらに、流量比が0.0125、0.015となるようにジシランの割合を高め、アンモニアの割合を低くしていくと、Si−H結合の量は低いままほぼ変化しないが、N−H結合の量は、引き続き減少傾向を示した。総膜中水素量は、流量比が0.01の場合に比較して0.025の場合のほうが減少し、同じく流量比が0.125の場合に比較して0.015のほうが減少した。
【0082】
このように、処理ガス中のジシランの割合を高め、アンモニアの割合を低くしていくと、Si−H結合の量はほぼ変化しないものの、N−H結合の量を減少でき、総膜中水素量を1×1022(atoms/cc)のオーダー以下に減らすことが可能であることが確認された。これは、供給律速領域にもっていけるから、と考えられる。
【0083】
図11は水素量のマイクロ波パワー依存性を示す図で、図11Aは処理条件を、図11Bは水素量とマイクロ波パワーとの関係を示している。
【0084】
図11Aに示すように、マイクロ波パワーをパラメータ(図中“−”で示す)とし、処理温度(サセプタ3の温度)を500℃、ジシラン(Si2H6)の流量とアンモニア(NH3)の流量との流量比を5.5sccm/1000sccm=0.0055、処理圧力を1000mTorrとした。このような処理条件において、マイクロ波パワーを0.511W/cm2(1kW)、1.023W/cm2(2kW)、1.534W/cm2(3kW)と変化させた。
【0085】
図11Bに示すように、マイクロ波パワーを0.511W/cm2(1kW)、1.023W/cm2(2kW)、1.534W/cm2(3kW)と高めていくと、Si−H結合の量は低いままほぼ変化しない代わりに、N−H結合の量が減少することが判明した。総膜中水素量は、マイクロ波パワーを0.511W/cm2(1kW)、1.023W/cm2(2kW)、1.534W/cm2(3kW)、…、と高めていくことで減少する。
【0086】
このように、マイクロ波パワーを、実用的には、0.5W/cm2以上2.045W/cm2((4kw)以下の範囲で、マイクロ波パワーを高めていくと、Si−H結合の量は低いままほぼ変化しないものの、N−H結合の量を減少でき、総膜中水素量を、1.4×1022(atoms/cc)のオーダー以下に減らすことが可能であることが確認された。これは、パワーを上げることで、プラズマ密度が上がり、より反応が進むため、と考えられる。
【0087】
図12は水素量の処理圧力依存性を示す図で、図12Aは処理条件を、図12Bは水素量と処理圧力との関係を示している。
【0088】
図12Aに示すように、処理圧力をパラメータ(図中“−”で示す)とし、処理温度(サセプタ3の温度)を600℃、ジシラン(Si2H6)の流量とアンモニア(NH3)の流量との流量比を5sccm/500sccm=0.01、マイクロ波パワーを1.023W/cm2(2kW)とし、処理圧力を250mTorr、1000mTorr、2000mTorr、3000mTorrと変化させた。
【0089】
図12Bに示すように、通常の減圧プラズマCVD法と同じように、チャンバー1内の処理圧力を1000mTorr(133.3Pa)以下とした場合には、N−H結合がSi−H結合よりも優勢であることが判明した。これは供給律速である。具体的には、図7に示したプラズマCVD装置100bを用いると、処理圧力が1000mTorr以下の場合には、N−H結合の量が9×1021atomos/cc以上のオーダーとなるのに対して、Si−H結合の量は1×1021atomos/cc以下のオーダーにとどまる。総膜中水素量は、9×1021atomos/cc以上のオーダーである。
【0090】
対して、処理圧力を、1000mTorr以上に上げてくるとSi−H結合が急激に増加するが、反対にN−H結合も急激に減少しだす傾向があることが判明した。これは反応律速である。しかも、N−H結合の減少分のほうが、Si−H結合の増加分より大きい。このため、両者の量を合計した総膜中水素量が減少に転じだす傾向が見いだされた。
【0091】
さらに、処理圧力を上げていくと、アンモニアガスを使用して成膜したプラズマCVD窒化珪素膜であっても、N−H結合の量とSi−H結合の量とを均衡させることができる。また、処理圧力が、おおよそ1800mTorr(239.9Pa)付近でN−H結合の量とSi−H結合の量とが均衡する。このときの総膜中水素量は、8×1021atomos/ccのオーダー(本例では、おおよそ8.4×1021atomos/ccのオーダー)まで、さらに減少している。
【0092】
さらに、処理圧力を1800mTorr以上に上げると、アンモニアガスを使用して成膜したプラズマCVD窒化珪素膜であっても、N−H結合の量がSi−H結合の量よりも少なくなるプラズマCVD窒化珪素膜を得ることができた。
【0093】
例えば、本例では、処理圧力を2000mTorr(266.6Pa)とすると、N−H結合の量が3×1021atomos/ccのオーダーで、Si−H結合の量が5×1021atomos/ccのオーダーのプラズマCVD窒化珪素膜を得ることができた。このときの総膜中水素量は、8×1021atomos/ccのオーダーまで、さらに減少している。
【0094】
処理圧力を2000mTorr以上に上げると、N−H結合の減少傾向が続くが、Si−H結合の増加分が鈍化することが判明した。つまり、増加していたSi−H結合が飽和しだす。N−H結合の減少傾向が続きつつ、Si−H結合が飽和する、ということは、つまり、総膜中水素量を、さらに減少させることができる、ということである。本例では、処理圧力を3000mTorr(400Pa)とすると、N−H結合の量が1×1021atomos/ccのオーダーまで減少するが、Si−H結合の量が5×1021atomos/ccのオーダーでほとんど変化しなかった。このときの総膜中水素量は、6×1021atomos/ccのオーダーまで引き続き減少する。
【0095】
さらに、総膜中水素量は、例えば、ジシラン(Si2H6)の流量とアンモニア(NH3)の流量との流量比をSi−H結合の量が少なくなるように変える(流量比増大)、及び/又はマイクロ波パワーを上げると、6×1021atomos/cc以下に、減少させることができる。プラズマCVD窒化珪素膜は、膜中のSi−H結合がより少ない方がなお良い。
【0096】
このようなプラズマCVD窒化珪素膜の成膜方法によれば、窒化珪素膜を成膜する処理ガスである窒素含有ガスとして、窒素と水素とを含むガス、例えば、アンモニアガスを使用した、としても、処理圧力を1000mTorr(133.3Pa)以上とすることで、窒化珪素膜の膜中Si−H結合の量と膜中N−H結合の量とを合計した総膜中水素量が8.4×1021atoms/cc以下にできる低水素量のプラズマCVD窒化珪素膜を得ることができる。
【0097】
ちなみに、処理圧力を1000mTorr以上とすることで、N−H結合の減少傾向を継続させつつ、Si−H結合については飽和させることができる傾向がある限り、処理圧力の上限は、例えば、100Torr(13333Pa)以下で良い。好ましくは10Torr(1333Pa)以下である。
【0098】
さらに、珪素含有ガスと窒素及び水素含有ガスとの流量比を0.01以上0.015以下とする、及び/又はマイクロ波パワーをW/cm2以上2.045W/cm2以下とすると、膜中のSi−H結合がより少ないプラズマCVD窒化珪素膜を得ることができる。
【0099】
しかも、本例の成膜方法に従って成膜されたプラズマCVD窒化珪素膜は、窒素と水素とを含むガスを使用して成膜するので、例えば、窒素ガスのみを用いてプラズマCVD窒化珪素膜を成膜する場合に比較して反応が起りやすく、制御性も良い。そのうえ、窒素と水素とを含むガスを使用して成膜されるプラズマCVD窒化珪素膜でありながらも、N−H結合の量を減らすことができる。さらにはN−H結合の量をSi−H結合の量以下とすることもできる。このことから、窒素と水素とを含むガスを使用して成膜されるプラズマCVD窒化珪素膜において懸念点であった、N−H結合が多量に含有されやすい、という事情も解消することもできた。このようなプラズマCVD窒化珪素膜の総膜中水素量の範囲を述べるならば、N−H結合の量とSi−H結合の量との合計値以下Si−H結合の量以上の範囲である。総膜中水素量が上記範囲にあれば、総膜中水素量が少ないプラズマCVD窒化珪素膜を得ることができる。
【0100】
本発明は、さらに、総膜中水素量が少ないプラズマCVD窒化珪素膜を、ウエハ載置面3aに、窪み3b、又は膨らみ3cを設けたサセプタ3上で形成することにより、上記の条件で総膜中水素量が少ないプラズマCVD窒化珪素膜が形成されたウエハWを、サセプタ3から離した際に、このプラズマCVD窒化珪素膜に対してプロセス条件で得られるストレス以上の高い引張りストレス、又は圧縮ストレスを与えることができる。
【0101】
このように、第2の実施形態によれば、プラズマCVD窒化珪素膜の総膜中水素量を減らすことができるとともに、総膜中水素量が少ないプラズマCVD窒化珪素膜に、プロセス条件で得られるストレス以上の高い引張りストレス、又は圧縮ストレスを与えることが可能な成膜方法を提供できる。
【0102】
このように、本発明方法を用いて低温で形成された総膜中水素量が少ないプラズマCVD窒化珪素膜は、膜中から水素が抜け出すことで発生する空孔が発生する確率が低い。よって、電子トラップが発生する確率が減り、膜質が劣化し難く、長い期間にわたって良い膜質を保つことができる、信頼性の高いプラズマCVD窒化珪素膜となる。このようなプラズマCVD窒化珪素膜は、半導体集積回路装置への適用に有利である。
【0103】
(第3の実施形態)
さらに、N−H結合の量とプラズマCVD窒化珪素膜の膜質との関係を調べてみた。膜質を示す指標には、エッチャントとして弗酸溶液を用いたときのエッチングレートを利用した。エッチングレートの算出には、エリプソメトリ法によりエッチング前の膜厚とエッチング終了後の膜厚との差を求め、単位時間当たりのエッチング量を算出するようにした。
【0104】
図13は、プラズマCVD窒化珪素膜(SiNx)、減圧CVD窒化珪素膜(Si3N4)、熱酸化珪素膜(SiO2)、プラズマCVD酸化珪素膜(SiOx)、CVD酸化珪素膜(TEOS−SiO2)それぞれの弗酸溶液に対するエッチングレートを示す図である。
【0105】
図13に示すように、プラズマCVD窒化珪素膜、本例ではマイクロ波プラズマCVD窒化珪素膜(1)、(2)が本実施形態に係る成膜方法に従って成膜された膜である。この膜には、N−H結合の量が1022atoms/ccオーダーの膜(1)と、1021atoms/ccオーダーの膜(2)との2種類を用意した。また、減圧CVD窒化珪素膜(3)、熱酸化珪素膜(4)、プラズマCVD酸化珪素膜(5)、CVD酸化珪素膜(6)は、それぞれ既存の成膜方法に従って成膜された膜である。これらの膜(3)乃至(6)は、膜(1)及び(2)に対する比較例として示されている。
【0106】
膜(3)乃至(6)については、減圧CVD窒化珪素膜(3)が、純水で希釈した弗酸溶液(0.5%)に対して、エッチングレートが2.86A/min(0.286nm/min)であり、最も弗酸溶液に対するエッチング耐性が良い。エッチング耐性は、以下、熱酸化珪素膜(4)、プラズマCVD酸化珪素膜(5)、CVD酸化珪素膜(6)となり、比較例の中では、CVD酸化珪素膜(6)が最も弗酸溶液に対して良くエッチングされることが理解される。
【0107】
膜(1)はN−H結合の量が1022atoms/ccオーダーのプラズマCVD窒化珪素膜である。膜(1)は、弗酸溶液(0.5%)に対するエッチングレートが37.87A/min(3.787nm/min)であり、プラズマCVD酸化珪素膜(5)のエッチングレート40.35A/min(4.035nm/min)よりも弗酸溶液に対するエッチング耐性が良い、という結果を得ることができた。しかし、膜(1)の弗酸溶液に対するエッチング耐性は、減圧CVD窒化珪素膜(3)のそれには及ばない。
【0108】
また、膜(2)、即ち、N−H結合の量が1021atoms/ccオーダー、本例では3.43×1021atoms/ccのプラズマCVD窒化珪素膜については、弗酸溶液(0.5%)に対するエッチングレートが0.77A/min(0.077nm/min)であり、減圧CVD窒化珪素膜(3)のエッチングレート2.86A/min(0.286nm/min)よりも一桁、弗酸溶液に対するエッチング耐性が良い、という結果を得ることができた。
【0109】
このように、N−H結合の量が1021atoms/ccオーダー以下、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜は、減圧CVD窒化珪素膜(3)よりも弗酸溶液に対するエッチング耐性が良い。このような性質を持つ膜は、例えば、次に説明するような半導体集積回路装置の内部構造体への適用に有利である。
【0110】
(適用例1)
適用例1は、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜を、エッチングストッパ及びハードマスクに利用した例である。
【0111】
図14A乃至図14Cは適用例1に係る半導体集積回路装置の製造方法を主要な製造工程順に示す断面図である。
【0112】
まず、図14Aに示すように、半導体ウエハ(図示せず)上に、例えば、層間絶縁膜のような絶縁膜201を形成する。次いで、絶縁膜201上に、エッチングストッパ202を形成する。エッチングストッパ202にはプラズマ窒化珪素膜が利用され、このプラズマ窒化珪素膜の成膜条件は、上述したように処理温度を300℃以上600℃以下、好ましくは500℃以下の低温で、珪素含有ガス、例えばジシランと窒素及び水素含有ガス、例えばアンモニアとの流量比を0.005以上0.015以下、マイクロ波パワーを0.5W/cm2以上2.045W/cm2以下、処理圧力を133.3Pa以上13333Pa以下とする。好ましくは、1333Pa以下とする。このような成膜条件とすることで、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜を用いたエッチングストッパ202を形成することができる。次いで、エッチングストッパ202上に、層間絶縁膜203を形成する。層間絶縁膜203には、例えば、酸化珪素膜よりも誘電率が低い周知の低誘電率絶縁膜が用いられて良い。次いで、層間絶縁膜203上に、ハードマスク204を形成する。ハードマスク204には、エッチングストッパ202と同様に、プラズマ窒化珪素膜が利用される。また、ハードマスク204となるプラズマ窒化珪素膜の成膜条件は、エッチングストッパ202と同様に、処理温度を300℃以上600℃以下、好ましくは500℃以下の低温で、珪素含有ガス、例えばジシランと窒素及び水素含有ガス、例えばアンモニアとの流量比を0.005以上0.015以下、マイクロ波パワーを0.5W/cm2以上2.045W/cm2以下、処理圧力を133.3Pa以上13333Pa以下とする。好ましくは、1333Pa以下とする。このような成膜条件とすることにより、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜を用いたハードマスク202を形成することができる。次いで、ハードマスク204上に、ホトレジストからなるマスクパターン、例えば、配線材料を埋め込むための溝や、配線どうしを接続するための孔に対応した開孔を持つマスクパターン205を形成する。
【0113】
次いで、図14Bに示すように、マスクパターン205をマスクに用いて、ハードマスク204をエッチングする。
【0114】
次いで、図14Cに示すように、マスクパターン205を除去した後、ハードマスク204をエッチングのマスクに用いて層間絶縁膜203をエッチングし、層間絶縁膜203に、配線材料を埋め込むための溝、又は配線どうしを接続するための孔206を形成する。層間絶縁膜203のエッチングは、エッチングストッパ202が露出するまで続けられ、エッチングストッパ202が露出したところでエッチング速度が低下し、事実上、エッチングは停止する。
【0115】
低温で、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜はエッチング耐性が良いので、エッチングを停止させるためのエッチングストッパ202や、層間絶縁膜203等の半導体集積回路の内部構造体を加工する際にエッチングのマスクとして用いられるハードマスク204等に好適である。
【0116】
また、上記プラズマCVD窒化珪素膜のエッチング耐性は、図13に示したように、減圧プラズマCVD窒化珪素膜(Si3N4)よりも良いので、減圧プラズマCVD窒化珪素膜をエッチングストッパ202やハードマスク204に用いた場合に比較して、膜厚をさらに薄くすることもできる。エッチングストッパ202やハードマスク204の膜厚を薄くできると、例えば、成膜時間やエッチング時間を短縮することでき、スループットの向上に役立つ。また、半導体集積回路装置のうち、垂直方向の内部構造体を薄くすることができるので、今後さらに進展すると考えられる半導体集積回路装置の多層構造化にも有利になる。
【0117】
なお、適用例1においては、エッチングストッパ202及びハードマスク204の双方に実施形態に係るプラズマCVD窒化珪素膜を用いたが、双方に用いる必要は必ずしもなく、いずれか一方に用いるようにしても良い。
【0118】
このように、本発明の方法で、低温で形成したエッチングストッパ202やハードマスク204に低温で好適なプラズマCVD窒化珪素膜を、ウエハ載置面3aに、窪み3b、又は膨らみ3cを設けたサセプタ3上で形成する。このため、エッチングストッパ202やハードマスク204に好適なプラズマCVD窒化珪素膜に対してプロセス条件で得られるストレス以上の高い引張りストレス、又は圧縮ストレスを与えることができる。
【0119】
(適用例2)
適用例2は、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜を、セルフアラインコンタクト構造におけるキャップ層及び側壁スペーサに利用した例である。
【0120】
図15A乃至図15Dは適用例2に係る半導体集積回路装置の製造方法を主要な製造工程順に示す断面図である。
【0121】
図15Aに示すように、半導体ウエハW(本例ではシリコンウエハ)を熱酸化し、ゲート絶縁膜301となる熱酸化珪素膜を形成し、ゲート絶縁膜301となる熱酸化珪素膜上に、ゲート電極302となる、例えば、導電性のポリシリコン膜を形成する。次いで、ゲート電極302となるポリシリコン膜上に、キャップ層303を形成する。キャップ層303には、実施形態に係るプラズマCVD窒化珪素膜が用いられ、成膜条件は、処理温度を300℃以上600℃以下、好ましくは500℃以下の低温で、珪素含有ガス、例えばジシランと窒素及び水素含有ガス、例えばアンモニアとの流量比を0.005以上0.015以下、マイクロ波パワーを0.5W/cm2以上2.045W/cm2以下、処理圧力を133.3Pa以上13333Pa以下とする。好ましくは、1333Pa以下とする。このような成膜条件とすることで、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜を用いたキャップ層303を形成することができる。次いで、キャップ層303上に、ホトレジストからなる図示せぬゲートパターンを形成し、ゲートパターンをマスクに用いて、キャップ層303、ポリシリコン膜、熱酸化膜を順次エッチングして、上部にキャップ層303を備えたゲート電極302を形成する。次いで、ゲート電極302をマスクに用いて、ウエハW内に、ウエハWとは異なる導電型のソース/ドレイン領域304形成用の不純物を導入する。
【0122】
次に、図15Bに示すように、ソース/ドレイン領域304及びゲート電極302上に、側壁スペーサ305となる絶縁膜を形成する。側壁スペーサ305となる絶縁膜には、実施形態に係るプラズマCVD窒化珪素膜が用いられ、成膜条件は、処理温度を300℃以上600℃以下、好ましくは500℃以下の低温で、珪素含有ガス、例えばジシランと窒素及び水素含有ガス、例えばアンモニアとの流量比を0.005以上0.015以下、マイクロ波パワーを0.5W/cm2以上2.045W/cm2以下、処理圧力を133.3Pa以上13333Pa以下とする。好ましくは、1333Pa以下とする。次いで、側壁スペーサ305となる絶縁膜を異方性エッチングし、キャップ層303及びゲート電極302の側壁上に側壁スペーサ305を形成する。これにより、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜を用いた側壁スペーサ305を低温で形成することができる。
【0123】
次に、図15Cに示すように、キャップ層303、ソース/ドレイン領域304、側壁スペーサ305上に、層間絶縁膜306を形成する。層間絶縁膜306には、例えば、酸化珪素膜よりも誘電率が低い周知の低誘電率絶縁膜が用いられて良い。次いで、層間絶縁膜306上に、ホトレジストからなるソース/ドレイン領域304に達するコンタクト孔パターン(図示せず)を形成し、コンタクト孔パターンをマスクに用いて、層間絶縁膜306をエッチングし、コンタクト孔307を形成する。本例のコンタクト孔307は、キャップ層303及び側壁スペーサ305上にかかっており、コンタクト孔307は、ゲート電極302を被覆するキャップ層303及び側壁スペーサ305、即ち、ゲート電極302間の空間に対して自己整合的に形成される、いわゆる、セルフアラインコンタクト構造である。
【0124】
次に、図15Dに示すように、コンタクト孔307を導電物308で埋め込むことで、適用例2に係る構造体が形成される。
【0125】
総膜中水素量が1021atoms/cc以下のプラズマCVD窒化珪素膜はエッチング耐性が良いので、コンタクト孔307を、ゲート電極302間の空間に対して自己整合的に形成する際の、ゲート電極302上を被覆するキャップ層303や、側壁スペーサ305にも好適である。
【0126】
このように、本発明の方法で、低温で形成したキャップ層303や側壁スペーサ305に好適なプラズマCVD窒化珪素膜を、ウエハ載置面3aに、窪み3b、又は膨らみ3cを設けたサセプタ3上で形成する。このため、キャップ層303や側壁スペーサ305に好適なプラズマCVD窒化珪素膜に対してプロセス条件で得られるストレス以上の高い引張りストレス、又は圧縮ストレスを与えることができる。
【0127】
(第4の実施形態)
さらに、N−H結合の量とプラズマCVD窒化珪素膜のストレスとの関係を調べてみた。ストレスの測定には、KLA−Tencor社製FLX−2320を用いた。
【0128】
図16は、プラズマCVD窒化珪素膜のストレスとN−H結合の量との関係を示す図である。
【0129】
図16に示すように、N−H結合の量が1022atoms/ccオーダーのプラズマCVD窒化珪素膜、本例では、1.32×1022atoms/ccのプラズマCVD窒化珪素膜のストレスは、1496MPaの引張ストレスを持つ。
【0130】
反対に、N−H結合の量が1021atoms/ccオーダーのプラズマCVD窒化珪素膜、本例では、3.43×1021atoms/ccのプラズマCVD窒化珪素膜のストレスは、−1099MPaの圧縮ストレスを持つ。
【0131】
このように、プラズマCVD窒化珪素膜からN−H結合の量、特に、総膜中水素量が減るにつれて、膜のストレスは、引張ストレスから圧縮ストレスの方向にシフトする傾向が確認された。
【0132】
本実施形態では、第2の実施形態で説明した成膜方法で、総膜中水素量が、例えば、1021atoms/ccオーダーのプラズマCVD窒化珪素膜を成膜した後、このプラズマCVD窒化珪素膜から水素をさらに離脱させる。このため、総膜中水素量が1020atoms/ccオーダー、1019atoms/ccオーダー、1018atoms/ccオーダー、…、というように、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜が得られる。このため、例えば、−1500Paを超える圧縮応力を持つプラズマCVD窒化珪素膜を低温で得ることが可能となる。
【0133】
さらに、プラズマCVD窒化珪素膜を、窒化用の処理ガスとして窒素及び水素含有ガス(例えば、アンモニアガス)を用いて成膜した場合と、窒化用の処理ガスとして水素を含まない窒素ガスを用いて成膜した場合とで、成膜された膜の段差被覆性を調べてみた。
【0134】
図17はアンモニアガスを用いて成膜したプラズマCVD窒化珪素膜の段差被覆性を示す断面図、図18は窒素ガスを用いて成膜したプラズマCVD窒化珪素膜の段差被覆性を示す断面図である。なお、図18は参考例である。
【0135】
図17に示すように、窒素及び水素含有ガス、本例ではアンモニアガスを用いて成膜したプラズマCVD窒化珪素膜400NH3は、段差側面上の膜厚(Side)と段差上面上の膜厚(Top)との比“Side/Top”が約91%であり、段差底面上の膜厚(Btm)と段差上面上の膜厚(Top)との比“Btm/Top”が約97%であり、おおよそ90%以上の段差被覆率を得ることができた。なお、本例における成膜条件は、処理温度400℃、ジシランとアンモニアとの流量比5sccm/500sccm、マイクロ波パワー1.023W/cm2(2kW)、処理圧力1000mTorrである。
【0136】
対して、図18に示すように、窒素ガスを用いて成膜したプラズマCVD窒化珪素膜400N2は、比“Side/Top”が約30%であり、比“Btm/Top”が約38%であり、段差被覆率は、おおむね30〜40%であった。なお、本例における成膜条件は、処理温度500℃、ジシランと窒素との流量比1sccm/1200sccm、マイクロ波パワー1.023W/cm2(2kW)、処理圧力20mTorrである。
【0137】
このように、例えば、第2の実施形態で説明した成膜方法を用いて低温で成膜したプラズマCVD窒化珪素膜は、窒化用の処理ガスとして窒素及び水素含有ガスを用いることで、窒化用の処理ガスとして窒素ガスを用いる場合に比較して、段差被覆性を良好にできることが確認された。このような段差被覆性の測定結果から、第1の実施形態においても述べたが、プラズマCVD窒化珪素膜を、窒素及び水素含有ガスを使用して成膜することで、例えば、窒素ガスのみを用いてプラズマCVD窒化珪素膜を成膜する場合に比較して反応が起りやすく、制御性も良くなるということを、改めて確認することができた。
【0138】
このように、プラズマCVD窒化珪素膜を、窒素及び水素含有ガスを使用して成膜すると、段差被覆性が良く、また、N−H結合の量を1022atoms/ccオーダー以上から1021atoms/ccオーダー以下へ減らしていくことで、膜のストレスに、引張ストレス及び圧縮ストレスのいずれかを選択して与えることができる。さらに、N−H結合の量が1021atoms/ccオーダー以下であるプラズマCVD窒化珪素膜は、膜のストレスとして引張ストレス、又は圧縮ストレスのいずれかを選択することができる。
【0139】
さらに、本実施形態では、第2の実施形態で説明した成膜方法で、総膜中水素量が、例えば、1021atoms/ccオーダーのプラズマCVD窒化珪素膜を低温で成膜した後、このプラズマCVD窒化珪素膜から水素をさらに離脱させる。このため、例えば、−1500Paを超える圧縮応力を持つプラズマCVD窒化珪素膜を、段差被覆性良く得ることができる。膜は、例えば、次に説明するような半導体集積回路装置の内部構造体への適用に有利である。
【0140】
(適用例3)
適用例3は、この発明の実施形態に係るプラズマCVD窒化珪素膜を、トランジスタのチャネルにストレスを与え、電荷の移動度を改善するストレスライナーに利用した例である。
【0141】
図19A及び図19Bは適用例3に係る半導体集積回路装置の製造方法を主要な製造工程順に示す断面図である。
【0142】
図19Aに示すように、半導体ウエハW(本例ではシリコンウエハ)の表面を熱酸化し、ゲート絶縁膜401となる熱酸化珪素膜を形成し、ゲート絶縁膜401となる熱酸化珪素膜上に、ゲート電極402となる、例えば、導電性のポリシリコン膜を形成する。次いで、ゲート電極402となるポリシリコン膜上に、ホトレジストからなる図示せぬゲートパターンを形成し、ゲートパターンをマスクに用いて、ポリシリコン膜、熱酸化膜を順次エッチングしてゲート電極402を形成する。次いで、ゲート電極402をマスクに用いて、ウエハW内に、ウエハWとは異なる導電型のソース/ドレイン領域403形成用の不純物を導入する。
【0143】
次に、図19Bに示すように、ソース/ドレイン領域403及びゲート電極402上に、ストレスライナー404を形成する。ストレスライナー404となる絶縁膜には、実施形態に係るプラズマCVD窒化珪素膜が用いられ、成膜条件は、処理温度を300℃以上600℃以下、好ましくは、500℃以下の低温で珪素含有ガス、例えばジシランと窒素及び水素含有ガス、例えばアンモニアとの流量比を0.005以上0.015以下、マイクロ波パワーを0.5W/cm2以上2.045W/cm2以下、処理圧力を133.3Pa以上13333Pa以下とする。好ましくは、1333Pa以下とする。このような成膜条件とすることで、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜を用いたストレスライナー404を形成することができる。
【0144】
総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜は、図16に示したように、例えば、−1500Pa以下の圧縮ストレスを持たせることができる。
【0145】
このように、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下に制御したプラズマCVD窒化珪素膜を、ストレスライナー404に用いることで、チャネルに強い圧縮ストレスを与えることができる。チャネルに圧縮ストレスを与えると、反対に正孔の移動度が向上するので、Pチャネル型のMOSFET又はMISFETに有効に適用することができる。
【0146】
また、プラズマCVD窒化珪素膜を、窒化用の処理ガスとして窒素及び水素含有ガス、例えば、アンモニアを使用すると段差被覆性が良い。例えば、図17を参照して説明したように、おおよそ90%以上の段差被覆率を得ることができる。このような膜は、ストレスライナーへの適用に好適である。例えば、ストレスライナーの段差被覆性が悪いと、ストレスライナーのうち、ゲート電極上の部分が特に厚くなってしまい、ゲート電極の高さが増して半導体ウエハ表面上の凹凸が大きくなりやすい。これは、例えば、ゲート電極間を層間絶縁膜で埋め込み難くなる、という事情を招く。しかしながら、ストレスライナーを、段差被覆率が良い、例えば、90%以上の段差被覆率を持つ膜で形成すると、ストレスライナーのうち、ゲート電極上の部分が特に厚くなってしまうような事情が解消される。よって、半導体ウエハ表面上の凹凸が大きくなることを抑制でき、例えば、ゲート電極間を層間絶縁膜で埋め込み易くなる、という利点も得ることができる。
【0147】
このように、本発明の方法で、低温で形成した段差被覆性が良いプラズマCVD窒化珪素膜を、ウエハ載置面3aに、窪み3b、又は膨らみ3cを設けたサセプタ3上で形成する。このため、段差被覆性が良いプラズマCVD窒化珪素膜に対してプロセス条件で得られるストレス以上の高い引張りストレス、又は圧縮ストレスを与えることができる。
【0148】
以上、この発明を、いくつかの実施形態を参照して述べたが、この発明は上記実施形態に限られるものではなく、種々の変形が可能である。
【0149】
例えば、珪素含有ガスとしてジシランを使用したが、ジシランの他、シランやTSA等も使用することができる。また、窒素及び水素含有ガスとしてはアンモニアを使用したが、窒素と水素とを含有し、かつ、珪素含有ガスとともに供給することで窒化珪素膜を成膜できるものでれば使用することが可能である。
【0150】
また、上記実施形態では、成膜装置として、マイクロ波プラズマ成膜装置を例示したが、マイクロ波プラズマ成膜装置に限られることもなく、他のプラズマ成膜装置を使用することもできる。
【0151】
例えば、上記実施形態では、引張りストレス、又は圧縮ストレスを窒化珪素膜に生じさせたが、ストレスを生じさせる薄膜は窒化珪素膜に限られるものではない。例えば、珪素膜、酸化珪素膜、酸窒化珪素膜、金属膜、金属珪化物等、成膜装置で成膜することができる薄膜であれば、この発明を適用することができる。
【0152】
また、成膜装置としてはマイクロ波プラズマ成膜装置を示したが、成膜装置もマイクロ波プラズマ成膜装置に限られるものではない。平行平板型プラズマ成膜装置であってもよいし、プラズマに限らず熱成膜装置でも良い。また、成膜手法もCVD法に限られるものではなく、スパッタ法でも良い。また、気相成長ばかりでなく、液層成長、例えば、LPD法やメッキ法を利用した成膜装置にも、この発明は適用することができる。
【符号の説明】
【0153】
1…処理チャンバー(処理容器)、2…排気室、3…サセプタ(基板支持台)、3a…基板載置面、3b…球面状の窪み、3c…球面状の膨らみ、4…支持部、5…ガイドリング、6…ヒーター、7a…ライナー、7b…バッフルプレート、8…支柱、9…ゲートバルブ、10…マイクロ波導入部、11…マイクロ波透過板、12…平面アンテナ部材、13…遅波材、14…環状の支持部、15…シール部材、16…スロット孔、17…シールドカバー、18…導波管、19…マッチング回路、20…マイクロ波発生装置、21…モード変換器、22a、22b、22d…ガス導入部、22c…シャワーヘッド、27…ガス供給部、50…制御部、51…プロセスコントローラ、52…ユーザーインターフェース、53…記憶部、100a、100b…プラズマ成膜装置、201…絶縁膜、202…エッチングストッパ、203…層間絶縁膜、204…ハードマスク、205…ホトレジスト、206…溝又は孔、301…ゲート絶縁膜、302…ゲート電極、303…キャップ層、304…ソース/ドレイン領域、305…側壁スペーサ、306…層間絶縁膜、307…コンタクト孔、308…導電物、401…ゲート絶縁膜、402…ゲート電極、403…ソース/ドレイン領域、404…ストレスライナー。
【技術分野】
【0001】
この発明は、プラズマ処理装置および基板載置台に関する。
【背景技術】
【0002】
窒化珪素膜は、各種半導体装置における絶縁膜や保護膜等として使用されている。このような窒化珪素膜は、例えば、原料ガスとしてシラン(SiH4)などのシリコン含有化合物のガスと、窒素やアンモニアのような窒素含有化合物のガスを使用するプラズマCVD法により形成できることが知られている(例えば、特許文献1)。
【0003】
プラズマCVD法により形成される窒化珪素膜においては、デバイス特性に悪影響を及ぼす膜の応力、すなわち引張り(Tensile)ストレスおよび圧縮(Compressive)ストレスを抑制することが重要な課題であった。例えば窒化珪素膜の圧縮ストレスが大きい場合には、膜直下の金属配線がストレスにより断線を引き起こすストレスマイグレーションが発生することが知られており、これを防止するためには圧縮ストレスを小さく抑える必要がある。窒化珪素膜のストレスの方向(引張りストレスであるか圧縮ストレスであるか)や大きさは、プラズマCVD法の場合、圧力、温度、成膜ガス種などの成膜条件に左右される。このため、窒化珪素膜に強いストレスが生じない条件を選定し、プラズマCVD法によりストレスを有さない窒化珪素膜の成膜が行なわれてきた(例えば、非特許文献1)。
【0004】
しかし、近年ある種のデバイスにおいて、窒化珪素膜のストレスを積極的に利用してデバイス特性を改善しようする試みがなされている(例えば、特許文献2)。
【0005】
しかしながら、窒化珪素膜等の薄膜に与えられるストレスは、非特許文献1にも記載されているように、プロセス条件によるため、ストレス値に限度がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2000−260767号公報
【特許文献2】特開2007−49166号公報
【非特許文献】
【0007】
【非特許文献1】前田和夫「VLSIとCVD」槇書店,1997年7月31日発行
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
この発明は、プロセス条件で与えられるストレス以上に大きなストレスを薄膜に与えることが可能なプラズマ処理装置および基板載置台を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記課題を解決するために、この発明の第1の態様に係るプラズマ処理装置は、処理容器と、前記処理容器内に設けられた、被処理基板が載置される基板載置台と、前記処理容器内に、ガスを供給するガス導入部と、を具備し、前記基板載置台の、前記被処理基板が載置される基板載置面が窪みを有し、前記窪みの直径を200mmとしたとき、最深部の深さが1mm以下である。
【0010】
この発明の第2の態様に係る基板載置台は、プラズマ処理装置に使用され、プラズマ処理される被処理基板が載置される基板載置台であって、前記基板載置台の、前記被処理基板が載置される基板載置面が窪みを有し、前記窪みの直径を200mmとしたとき、最深部の深さが1mm以下である。
【発明の効果】
【0011】
この発明によれば、プロセス条件で与えられるストレス以上に大きなストレスを薄膜に与えることが可能なプラズマ処理装置および基板載置台を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】プラズマ成膜装置の一例を模式的に示す断面図
【図2】平面アンテナの一例を示す平面図
【図3】載置台の一例を示す図
【図4】成膜の様子を示す断面図
【図5】載置台の他例を示す図
【図6】プラズマCVDにおける処理圧力と窒化珪素膜のストレスの大きさの関係を示す図
【図7】この発明の第2の実施形態に係るプラズマCVD窒化珪素膜の成膜方法に使用されるプラズマCVD装置の一例を示す概略断面図
【図8】シャワーヘッドの一例を示す平面図
【図9】水素量の処理温度依存性を示す図
【図10】水素量の珪素含有ガス流量依存性を示す図
【図11】水素量のマイクロ波パワー依存性を示す図
【図12】水素量の処理圧力依存性を示す図
【図13】薄膜のエッチングレートを示す図
【図14】適用例1に係る半導体集積回路装置の製造方法を主要な製造工程順に示す断面図
【図15】適用例2に係る半導体集積回路装置の製造方法を主要な製造工程順に示す断面図
【図16】プラズマCVD窒化珪素膜のストレスとN−H結合の量との関係を示す図
【図17】アンモニアガスを用いて成膜したプラズマCVD窒化珪素膜の段差被覆性を示す断面図
【図18】窒素ガスを用いて成膜したプラズマCVD窒化珪素膜の段差被覆性を示す断面図
【図19】適用例3に係る半導体集積回路装置の製造方法を主要な製造工程順に示す断面図
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、適宜添付図面を参照して本発明の実施の形態について具体的に説明する。
【0014】
(第1の実施形態)
図1は、薄膜の形成に利用可能なプラズマ成膜装置の一例を模式的に示す断面図である。このプラズマ成膜装置100aは、複数のスロットを有する平面アンテナ、特にRLSA(Radial Line Slot Antenna;ラジアルラインスロットアンテナ)にてチャンバー1内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させることにより、高密度かつ低電子温度のマイクロ波励起プラズマを発生させ得るRLSAマイクロ波プラズマ成膜装置として構成されており、1×1010〜5×1012/cm3のプラズマ密度で、かつ0.7〜2eVの低電子温度のプラズマによる処理が可能である。従って、各種半導体装置の製造過程においてプラズマCVDによる薄膜の成膜処理、例えば、窒化珪素膜の成膜処理などの目的で好適に利用可能なものである。
【0015】
上記プラズマ成膜装置100aは、気密に構成され、接地された略円筒状の処理チャンバー(処理容器)1を有している。なお、チャンバー1は角筒形状でもよい。処理チャンバー1の中で、被処理基板である半導体ウエハW上に、プラズマCVD窒化珪素膜等の薄膜が成膜される。処理チャンバー1の底壁1aの略中央部には円形の開口部1bが形成されており、底壁1aにはこの開口部1bと連通し、下方に向けて突出する排気室2が設けられている。
【0016】
処理チャンバー1の内部には、ウエハWを水平に支持するためのAlN等のセラミックスからなるサセプタ(基板載置台)3が設けられている。サセプタ3は、排気室2の底部中央から上方に延びる円筒状のAlN等のセラミックスからなる支持部材4により支持されている。サセプタ3の外縁部には、その外縁部をカバーし、ウエハWをガイドするためのカバーリング5が設けられている。カバーリング5は、例えば石英、AlN、Al2O3、SiN等の材質で構成された部材である。サセプタ3には、例えば、抵抗加熱型のヒーター6が埋め込まれており、このヒーター6はヒーター電源6aから給電されることによりサセプタ3を加熱し、サセプタ3の熱でウエハWを加熱する。サセプタ3には熱電対6bが埋設されている。サセプタ3は、熱電対6bが検出した温度信号に基づいて、温度コントローラ(TC)6cにより、例えば、室温から1000℃までの範囲で温度制御される。サセプタ3には、ウエハWを支持して昇降させるためのウエハ支持ピン(図示せず)がサセプタ3の表面に対して突没可能に設けられている。
【0017】
排気室2は排気管2aに接続され、排気管2aには真空ポンプを含む排気装置2bが接続されている。排気装置2bは、ターボ分子ポンプ等の真空ポンプおよび圧力制御バルブ等を備えており、処理チャンバー1の内部を所定の減圧雰囲気に設定する。
【0018】
処理チャンバー1の側壁部分には、ゲートバルブ9が設けられている。ゲートバルブ9を開閉することにより、処理チャンバー1は外界と連通されたり、外界から気密に遮断されたりする。ウエハWは、ゲートバルブ9を介して処理チャンバー1の内部に搬入出される。
【0019】
処理チャンバー1の上部は開口部となっており、開口部を塞ぐようにマイクロ波導入部10が気密に配置される。マイクロ波導入部10は、サセプタ3の側から順に、マイクロ波透過板11、平面アンテナ部材12、遅波材13を備えている。
【0020】
マイクロ波透過板11は、処理チャンバー1上部の開口部に設けられた環状の支持部14上に、シール部材15を介して気密に配置される。マイクロ波透過板11は、マイクロ波を透過する誘電体、例えば、石英やAl2O3、AlN等のセラミックスから構成される。
【0021】
平面アンテナ部材12は、マイクロ波透過板11の上方に設けられ、処理チャンバー1の開口部の上端に係止されている。平面アンテナ部材12は、例えば、表面が金または銀メッキされた銅板、又はアルミニウム板から構成され、マイクロ波を放射するための多数のスロット孔16が所定のパターンで貫通して形成されている。スロット孔16は、例えば、図2に示すように一対の長溝状をなす。典型的には隣接するスロット孔16どうしが、T字状に配置され、T字状に配置されたスロット孔16が複数個、同心円状に配置される。スロット孔16の長さや配列間隔は、マイクロ波の波長(λg)に応じて決定され、例えば、スロット孔16の間隔は、λg/4からλgとなるように配置される。なお、図2においては、同心円状に形成された隣接するスロット孔16どうしの間隔を、“Δr”で示している。スロット孔16の形状は、例えば、円形状、円弧状等の形状であってもよい。スロット孔16の配置についても、特に同心円状に限定されるものではなく、例えば、螺旋状、放射状に配置することもできる。
【0022】
遅波材13は、平面アンテナ部材12の上に設けられる。遅波材13は、真空よりも大きい誘電率を有する誘電体、例えば、石英、Al2O3等のセラミックス、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂やポリイミド系樹脂から構成され、真空中ではマイクロ波の波長が長くなることから、マイクロ波の波長を短くしてプラズマを調整する機能を有している。なお、平面アンテナ部材12とマイクロ波透過板11との間、及び平面アンテナ部材12と遅波材13との間は、それぞれ密着させてもよいし、離間させてもよい。
【0023】
処理チャンバー1の上方には、平面アンテナ部材12、及び遅波材13を覆うように、カバー17が設けられている。カバー17は平面アンテナと扁平導波管とを形成し、マイクロ波が外に漏れないように、処理チャンバー1の上面上に、シール部材18を介して配置される。カバー17は、例えば、アルミニウムやステンレス鋼等の金属材から構成され、内部には冷却水流路17aが形成される。冷却水を冷却水流路17aに流すことでカバー17、遅波材13、平面アンテナ12、及びマイクロ波透過板11がそれぞれ冷却され、カバー17、遅波材13、平面アンテナ12、及びマイクロ波透過板11の変形及び破損が防止される。なお、カバー17は、アンテナ、処理チャンバーを介して接地されている。
【0024】
カバー17の上壁の中央には開口部17bが形成されている。開口部17bには導波管18が接続されている。導波管18の端部には、モード変換器21、矩形導波管が接続され、マッチング回路19を介してマイクロ波発生装置20が接続される。マイクロ波発生装置20は、例えば、周波数2.45GHzのマイクロ波を発生させる。発生されたマイクロ波は、導波管18を介して平面アンテナ部材12へ伝搬される。マイクロ波の周波数としては、2.45GHz、8.35GHz、1.98GHz等も用いることができる。
【0025】
導波管18は、カバー17の開口部17bから上方へ延出する断面円形状の同軸導波管18aと、同軸導波管18aの中心に延在し、平面アンテナ部材12の中心に接続固定される内導体18cと、同軸導波管18aの上端部にモード変換器21を介して接続された水平方向に延びる矩形導波管18bとを有している。モード変換器21は、矩形導波管18b内をTEモードで伝搬するマイクロ波を、TEMモードに変換して、内導体18cを介して平面アンテナ部材12へ放射状に効率よく均一に伝播される。
【0026】
アンテナの下方には、ガス導入部22aおよび22bが上下に環状に配設されて設けられており、各ガス導入部22aおよび22bには、複数のガス吐出孔がガス導入部22a、22bの側壁の内周に沿って均等に形成されている。ガス導入部22aおよび22bには、成膜原料ガスやプラズマ励起用ガスを供給するガス供給部27が接続されている。なお、ガス導入部22aおよび22bはノズル状またはシャワー状に配置してもよい。
【0027】
ガス供給部27は、本例では、珪素含有ガス供給源27a、窒素含有ガス供給源27b、不活性ガス供給源27c、及び洗浄用ガス供給源27dを備えている。窒素含有ガス供給源27bは、上部のガス導入部22aに接続され、珪素含有ガス供給源27a、不活性ガス供給源27c、及び洗浄用ガス供給源27dは、下部のガス導入部22bに接続されている。
【0028】
成膜原料ガスである窒素含有ガスとしては、例えば、窒素(N2)、アンモニア(NH3)、モノメチルヒドラジン(MMH)のようなヒドラジン誘導体などを用いることができる。
【0029】
また、他の成膜原料ガスである珪素含有ガスとしては、例えば、シラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)などを用いることができるが、特にジシラン(Si2H6)が好ましい。
【0030】
不活性ガスとしては、例えば、N2ガスや希ガスなどを用いることができる。プラズマ励起用ガスである希ガスとしては、例えば、Arガス、Krガス、Xeガス、Heガスなどを用いることができる。コスト的には、Arガスが好ましい。
【0031】
洗浄用ガスとしては、ClF3、HF、NF3などを用いることができる。
【0032】
窒素含有ガスは、ガスライン21aを介してガス導入部22aに至り、ガス導入部22aからチャンバー1内に導入される。
【0033】
珪素含有ガス、及び不活性ガスは、それぞれガスライン21aを介してガス導入部22bに至り、ガス導入部22bからチャンバー1内に導入される。
【0034】
各ガス供給源に接続する各々のガスライン21aには、マスフローコントローラ21b、及びその前後に開閉バルブ21cが設けられており、供給されるガスの切替えや流量等の制御が出来るように構成されている。なお、Arなどのプラズマ励起用の希ガスは任意のガスであり、必ずしも成膜原料ガスと同時に供給しなくてもよい。
【0035】
プラズマ成膜装置100aの各構成部は、制御部50によって制御される。制御部50は、CPUを備えたプロセスコントローラ51と、プロセスコントローラ51に接続されたユーザーインターフェース52及び記憶部53とを備えている。ユーザーインターフェース52は、工程管理者がプラズマCVD装置100bを管理するためにコマンドの入力操作等を行なうキーボードや、プラズマCVD装置100aの稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を備えている。記憶部53は、プラズマCVD装置100aで実行される各種処理をプロセスコントローラ51の制御にて実現するための制御プログラム(ソフトウエア)や処理条件データ等が記録されたレシピを格納する。任意のレシピは、必要に応じ、ユーザーインターフェース52からの指示等にて記憶部53から呼び出され、プロセスコントローラ51において実行される。プロセスコントローラ51がレシピを実行することで、プラズマ成膜装置100aは、プロセスコントローラ51の制御のもと、所望の処理を行う。レシピは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体、例えば、CD−ROM、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリなどに格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば、専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【0036】
このように構成されたプラズマ成膜装置100aは、800℃以下、好ましくは600℃以下の低温で下地膜等へのダメージフリーなプラズマ処理を進めることができるとともに、プラズマ均一性に優れており、プロセスの均一性を実現できる。
【0037】
さらに、本実施形態に係るプラズマ成膜装置100aのサセプタ(基板載置台)3は、以下のような構成となっている。
【0038】
図3Aは載置台2の一例を示す斜視図、図3B、図3Cはそれぞれ図3A中の3B−3B線及び3C−3C線に沿う断面図である。
【0039】
図3A乃至図3Cに示すように、サセプタ3のウエハWが載置されるウエハ載置面3aは、球面状の窪み3bを有している。窪み3bの曲面の一例は、載置面3a上に半径rの仮想真球を仮想した場合、どの位置においても曲率半径R(R=r)が一定となるように形成されることである。
【0040】
ウエハWは、その中心C0を、窪み3bの最深部、本例では窪み3bの中央部C1に対応するように配置し、かつ、そのエッジE0を窪み3b内に配置した状態でサセプタ3にチャックされる。これにより、ウエハWは、どの位置においても曲率半径が一定のままに窪み3bの曲面に沿って凹んだ状態、例えば、ウエハWの最上面(薄膜が成膜される成膜面)TS0が縮むように撓んだ状態で載置される(図4A参照)。
【0041】
ウエハWの最上面TS0が縮むように撓んだ状態で、ウエハW上に薄膜、本例では窒化珪素膜60を成膜する(図4B参照)。
【0042】
窒化珪素膜60が成膜されたウエハWをサセプタ3から取り外すと、ウエハWは水平に戻る。窒化珪素膜60はウエハWの撓み具合にならって撓んだ状態で成膜されるから、窒化珪素膜60の最上面TS2の面積は最下面BS2の面積よりも小さくなる(図4C参照)。このような窒化珪素膜60を水平に戻すと(図4D参照)、窒化珪素膜60の最上面TS2及びその近傍に、ウエハWの中心C0から縁E0に向かって拡がろうとする力Fが働く(図4E参照)。力Fが働くことによって、窒化珪素膜60には高い引張りストレスが生ずる。本例では、ウエハWが、どの位置でも曲率半径が一定になるように凹ませていたから、力Fは窒化珪素膜60に均一に働く。よって、高い引張りストレスを、窒化珪素膜60に均一に生じさせることができる。
【0043】
図5Aはサセプタ3の他例を示す斜視図、図5B、図5Cはそれぞれ図5A中の5B−5B線及び5C−5C線に沿う断面図である。
【0044】
図5A乃至図5Cに示すように、サセプタ3のウエハWが載置されるウエハ載置面3aは、球面状の膨らみ3cを設けるようにしても良い。この場合には形成される薄膜に圧縮ストレスを生じさせることができる。膨らみ3cの曲面の一例は、載置面3a下に半径rの仮想真球を仮想した場合、どの位置においても曲率半径R(R=r)となるように形成されることである。この場合もまた、ウエハWは、その中心C0を、膨らみ3cの最頂部、本例では膨らみ3cの中央部に対応するように配置し、かつ、そのウエハWのエッジを膨らみ3c内に配置した状態で載置台2にチャックされれば良い。
【0045】
窒化珪素膜60に働くストレスσは、次の式により表すことができる。
【0046】
σ=Eh2/{(1−ν)6Rt}
ここで、E/(1−ν)はウエハWの二軸弾性係数(Pa)、hはウエハWの厚み(m)、tは窒化珪素膜60の厚み(m)、RはウエハWの曲率半径(m)、σは薄膜の平均ストレス(Pa)である。二軸弾性係数E/(1−ν)の値の例は、ウエハWの面方位が(100)のときには1.805×1011Paである。なお、平均ストレスσがプラスのときは引張りストレスであり、マイナスのときは圧縮ストレスである。
【0047】
曲率半径Rが無限大、即ち、曲率がゼロは、ウエハ載置面3aが平坦のときである。平坦なウエハ載置面3a上に載置されたウエハW上に薄膜を引張りストレスも圧縮ストレスも生じない条件で成膜すればストレスは発生しない。ストレスはゼロである。ウエハ載置面3aが平坦でなければ曲率半径Rに有限の値が生じ、ウエハ載置面3aに窪み3b、又は膨らみ3cが生じ、載置されたウエハWは撓む。撓んだウエハWを水平に戻せば、ウエハW上に形成された薄膜には引張りストレス、又は圧縮ストレスが生じる。
【0048】
ウエハWは大きく撓ませすぎると割れてしまったりする。また、ウエハWの撓みが小さいと、ウエハWを水平に戻しても薄膜にはストレスがあまり生じない。このため、窪み3b、又は膨らみ3cには上限と下限とがある。
【0049】
例えば、窪み3bの直径が200mmとしたときには、下限としては窪み3bの最深部の深さが約0.5mmとなるような球面状、上限としては窪み3bの最深部の深さが約1mmとなるような球面状とするのが良い。
【0050】
また、膨らみ3cの直径が240mmとしたときには、下限としては膨らみ3cの最頂部の高さが約0.5mmとなるような球面状、上限としては膨らみ3cの最頂部の高さが約1mmとなるような球面状とするのが良い。
【0051】
薄膜のストレスは成膜原料ガスと処理圧力、即ちプロセス条件で変わる。
【0052】
図6は、プラズマCVDにおける処理圧力と窒化珪素膜のストレスの大きさの関係を示す図である。図6の縦軸は窒化珪素膜のストレスの大きさを示しており、正(プラス)側は引張りストレス、負(マイナス)側は圧縮ストレスである。また、図6において横軸の処理圧力はmTorrを対数目盛で示したものであり、上段にmTorrの値を示し、下段に換算したPaの値を示す。
【0053】
本試験において窒化珪素膜は、成膜ガスを変えて、以下のプラズマCVD条件で成膜した。
<プラズマCVD成膜条件(NH3/Si2H6ガス系)>
NH3ガス流量;500mL/min(sccm)
Si2H6ガス流量;5mL/min(sccm)
処理圧力;2.7Pa(20mTorr)、6.7Pa(50mTorr)、40.0Pa(300mTorr)および133.3Pa(1Torr)
サセプタ3の温度;400℃
マイクロ波パワー;2000W
<プラズマCVD成膜条件(N2/Si2H6ガス系)>
N2ガス流量(ガス導入部15a);1100mL/min(sccm)
Si2H6ガス流量;1mL/min(sccm)
N2ガス流量(ガス導入部15b);100mL/min(sccm)
処理圧力;4.0Pa(30mTorr)、6.7Pa(50mTorr)、13.3Pa(100mTorr)および66.6Pa(500mTorr)
サセプタ3の温度;500℃
マイクロ波パワー;3000W
図6より、成膜ガスをNH3/Si2H6ガス系とした場合に、窒化珪素膜に引張りストレスが生じ、その引張りストレスは、処理圧力が高くなるほど大きくなる傾向があり、約6.7Paの処理圧力で約400MPaの引張りストレスが得られている。
【0054】
従って、窒化珪素膜に引張りストレスを与える場合には、処理圧力は6.7Pa(50mTorr)以上とすることが好ましい。また、800MPa以上例えば800〜2000MPaの高い引張りストレスを有する窒化珪素膜を成膜するためには、処理圧力を40Pa以上例えば40〜266.6Pa(300mTorr〜2Torr)に設定することが好ましい。
【0055】
さらにまた、1000MPa以上例えば1000〜2000MPaの高い引張りストレスを与えるためには、処理圧力を53.3Pa以上例えば53.3〜266.6Pa(400mTorr〜2Torr)に設定することが好ましい。さらに、1500MPa以上例えば1500〜2000MPaの高い引張りストレスを与えるためには、処理圧力を133.3Pa以上例えば133.3〜266.6Pa(1Torr〜2Torr)に設定することが好ましい。これは、Si−H量を低く、結合力の大きいN−H量を多くすることで、引っ張りストレスが大きくなった、と考えられる。
【0056】
また、成膜ガスをN2/Si2H6ガス系とした場合に、窒化珪素膜に圧縮ストレスが生じ、その圧縮ストレスは、処理圧力が小さくなるほど大きくなる傾向があり、約5.3Pa(40mTorr)未満の処理圧力で約−800MPaを超える圧縮ストレスが得られている。従って、窒化珪素膜に圧縮ストレスを与える場合には、処理圧力は、5.3Pa(40mTorr)未満とすることが好ましい。さらに1000MPa以上例えば1000〜1500MPaの高い圧縮ストレスを有する窒化珪素膜を得るためには、処理圧力を4Pa以下例えば1.3〜4Pa(10mTorr〜30mTorr)に設定することが好ましい。これは、ガス種にN−Hを含まないN2ガスを用いたので、膜中にN−Hが取り込まれることがなく、N−Hが含まれないため、と考えられる。
【0057】
図6に示すように、ウエハWを撓ませないで窒化珪素膜を成膜した場合には、引張ストレスは曲線Iに示すような値をとり、圧縮ストレスは曲線IIに示すような値をとる。
【0058】
さらに、本実施形態のように、ウエハWを撓ませた状態で窒化珪素膜を成膜し、成膜後、ウエハWを水平に戻した場合には、引張ストレスの値は曲線IIIに示すように向上し、圧縮ストレスの値は曲線IVに示すように向上する。
【0059】
このように、第1の実施形態に係るプラズマ成膜装置100aによれば、サセプタ3のウエハ載置面3aに球面状の窪み3b、又は球面状の膨らみ3cを設け、ウエハWを撓ませた状態でウエハW上に薄膜を形成するようにしたので、ウエハW上に形成される薄膜に、プロセス条件で得られるストレス以上の高い引張りストレス、又は圧縮ストレスを与えることができる。
【0060】
(第2の実施形態)
図7は、この発明の第2の実施形態に係るプラズマCVD窒化珪素膜の成膜方法に利用することが可能なプラズマ成膜装置の一例を示す断面図である。
【0061】
図7に示すように、プラズマ成膜装置100bが、図1に示した装置100aとことなるところは、ガス導入部がシャワーヘッド22cとなっていること、及びサセプタ3には下部電極6dが埋め込まれており、マッチャー6eを介してRF電源6fに接続されていることである。
【0062】
本例においても、図7には図示しないが、第1の実施形態と同様に、サセプタ3のウエハ載置面3aには、図3A乃至図3Cに示したような球面状の窪み3b、又は、図5A乃至図5Cに示したような球面状の膨らみ3cが設けられている。
【0063】
処理チャンバー1内の、サセプタ3とマイクロ波導入部10との間には、処理ガスを導入するためのシャワーヘッド22cが水平に設けられている。シャワーヘッド22cは、図8に示すように、格子状のガス流路23と、格子状のガス流路23に形成された多数のガス吐出孔24とを有している。格子状のガス流路23の間は空間部25となっており、ガス吐出孔24はガス流路23のサセプタ3側に形成されている。ガス流路23には処理チャンバー1の外側に延びるガス供給管26が接続される。ガス供給管26は、プラズマ処理のための処理ガスを供給するガス供給部27に接続される。
【0064】
ガス供給部27は、本例では珪素含有ガス供給源27a、窒素及び水素含有ガス供給源27b、及びプラズマ生成用ガス供給源27cを備えている。本例では、珪素含有ガス、窒素及び水素含有ガスを、ガスライン21aを介してシャワーヘッド22cに供給する。なお、図7においては、マスフローコントローラ、及びバルブ等の図示は省略している。シャワーヘッド22cは、上記ガスを、格子状のガス流路23、及格子状のガス流路23のサセプタ3側に形成されたガス吐出孔24を介して所定の流量で処理チャンバー1の内部のうち、シャワーヘッド22cとサセプタ3との間の空間1cへ供給する。珪素含有ガスの一例はジシランであり、窒素及び水素含有ガスの一例はアンモニアである。
【0065】
シャワーヘッド22cとマイクロ波導入部10との間の処理チャンバー1の側壁には、環状のプラズマ生成用ガス導入部22dが設けられている。プラズマ生成用ガス導入部222dは、処理チャンバー1の内部に向かってプラズマ生成用ガスを吐出する吐出孔22eを複数備えている。プラズマ生成用ガスは、ガス導入部22dに供給される。ガス導入部22dは、プラズマ生成用ガスを、吐出孔22eを介して処理チャンバー1の内部のうち、シャワーヘッド22cとマイクロ波導入部10との間の空間1dへ供給する。プラズマ生成用ガスの一例はアルゴンである。
【0066】
空間1dに供給されたプラズマ生成用ガスは、マイクロ波導入部10を介して空間1dに導入されたマイクロ波によりプラズマ化される。プラズマ化されたガスは、シャワーヘッド22cの空間部25を通過して空間1cに供給され、空間1cにおいて、シャワーヘッド22cのガス吐出孔24から吐出された処理ガスをプラズマ化する。
【0067】
このように構成されたプラズマ成膜装置100bは、例えば、以下のような手順でプラズマCVD法によりウエハW表面上に窒化珪素膜を堆積する。
【0068】
まず、ゲートバルブ9を開にしてウエハWを処理チャンバー1の内部に搬入し、サセプタ3上に載置する。
【0069】
次に、ガス供給部27からプラズマ生成用ガスを、吐出孔22eを介して処理チャンバー1のうち、空間1d内に導入しつつ、マイクロ波発生装置20からのマイクロ波を、マッチング回路19を経て、矩形導波管18b、モード変換器21、及び同軸導波管18aを順次通過させ、内導体18cを介して平面アンテナ部材12に供給する。平面アンテナ部材12に供給されたマイクロ波は、平面アンテナ部材12のスロット孔16から透過板11を介して処理チャンバー1のうち、空間1d内に放射される。プラズマ生成ガスは、放射されたマイクロ波により励起されてプラズマ化される。マイクロ波励起プラズマは、マイクロ波が多数のスロット孔16から放射されることにより、例えば、略1×1010〜5×1012/cm3の高密度で2eV以下の低電子温度プラズマとなる。プラズマ化されたガスは、シャワーヘッド22cの空間部25を通過して空間1cに供給される。
【0070】
次に、ガス供給部27から珪素含有ガス、窒素及び水素含有ガスを、シャワーヘッド22cのガス吐出孔24を介して処理チャンバー1のうち、空間1c内に供給する。上記ガスは、格子状の空間部25を通過してきたプラズマ化されたガスにより励起されてプラズマ化される。ウエハW近傍では、例えば、略1.5eV以下の低電子温度プラズマとなる。このようにして形成されたプラズマは、下地膜へのイオン等によるプラズマダメージが少ないものである。そして、プラズマ中で処理ガスの解離が進み、例えば、SiH、NHなどの活性種の反応によって、窒化珪素SiNx(ここで、xは必ずしも化学量論的に決定されず、処理条件により異なる値をとる)の薄膜が堆積される。
【0071】
図7に示すプラズマ成膜装置100bを用いてプラズマCVD窒化珪素膜を成膜し、成膜されたプラズマCVD窒化珪素膜中の水素量(Si−H結合、N−H結合、及びSi−H結合とN−H結合との合計)の、処理温度依存性、珪素含有ガス流量依存性、マイクロ波パワー依存性、及び処理圧力依存性を、それぞれ測定した。この測定において使用した珪素含有ガスはジシラン、窒素及び水素含有ガスはアンモニアである。プラズマCVD窒化珪素膜の膜質の分析には、フーリエ変換赤外分光法(FT−IR)を用い、N−H結合に由来するスペクトルの強度、及びSi−H結合に由来するスペクトルの強度から、N−H結合の量、及びSi−H結合の量を求めた。また、求められたN−H結合の量とSi−H結合の量とを合計することにより総膜中水素量(total H)を求めた。
【0072】
図9は水素量の処理温度依存性を示す図で、図9Aは処理条件を、図9Bは水素量と処理温度との関係を示している。
【0073】
図9Aに示すように、処理条件は、処理温度をパラメータ(図中“−”で示す)とし、ジシラン(Si2H6)とアンモニア(NH3)との流量比を“5sccm/500sccm=0.01”、マイクロ波パワーを1.023W/cm2(2kW)、処理圧力を950mTorrとした。このような処理条件において、処理温度を300℃から600℃まで100℃ずつ変化させた。処理温度は、本例ではサセプタ3の加熱温度とした。
【0074】
図9Bに示すように、処理温度を300℃から400℃に変化させると、Si−H結合の量は緩やかな上昇傾向を示したのに対し、N−H結合の量は大きく減少した。Si−H結合とN−H結合との合計値(以下総膜中水素量(Total H)という)は、処理温度が300℃の場合に比較して400℃の場合のほうが大きく減少した。これは、供給律速領域のためN−Hが取り込まれ難くなる、と考えられる。
【0075】
さらに、処理温度を400℃から500℃に変化させると、Si−H結合の量は、反対に大きな減少傾向を示し、N−H結合の量は緩やかに増加した。総膜中水素量は、N−H結合の量が緩やかに増加した反面、Si−H結合の量がN−H結合の増加量を上回る量で減少したため、処理温度が400℃の場合に比較して500℃の場合のほうが減少した。
【0076】
さらに、処理温度を500℃から600℃に変化させると、Si−H結合の量は、引き続き減少傾向を示した。N−H結合の量は、ほぼ変化がなく、飽和する傾向を示した。総膜中水素量は、処理温度が500℃の場合に比較して600℃の場合のほうが減少した。これは、反応律速領域のため反応が進まず、N−Hが多く取り込まれない、と考えられる。このように、400℃以下では供給律速で、400℃を超えると反応律速と考えられる。
【0077】
総膜中水素量は、処理温度を高くするに連れて減少する傾向を示し、ほぼ処理温度が300℃以上600℃以下で1022(atoms/cc)のオーダーから、1021(atoms/cc)のオーダーまで減らすことが可能であることが確認された。
【0078】
図10は水素量の珪素含有ガス流量依存性を示す図で、図10Aは処理条件を、図10Bは水素量と珪素含有ガス流量との関係を示している。
【0079】
図10Aに示すように、珪素含有ガス、本例ではジシラン(Si2H6)の流量をパラメータ(図中“−”で示す)とし、処理温度(サセプタ3の温度)を500℃、アンモニア(NH3)の流量を1000sccm、マイクロ波パワーを1.023W/cm2(2kW)、処理圧力を1000mTorrとした。このような処理条件において、ジシランの流量を5sccm、10sccm、12.5sccm、及び15sccmと変化させ、ジシランとアンモニアとの流量比を0.005、0.01、0.0125、0.015と変化させた。
【0080】
図10Bに示すように、流量比を0.005から0.01に変化させると、Si−H結合の量は低いままほぼ変化しなかったのに対し、N−H結合の量は減少傾向を示した。総膜中水素量は、流量比が0.005の場合に比較して0.01の場合のほうが減少した。
【0081】
さらに、流量比が0.0125、0.015となるようにジシランの割合を高め、アンモニアの割合を低くしていくと、Si−H結合の量は低いままほぼ変化しないが、N−H結合の量は、引き続き減少傾向を示した。総膜中水素量は、流量比が0.01の場合に比較して0.025の場合のほうが減少し、同じく流量比が0.125の場合に比較して0.015のほうが減少した。
【0082】
このように、処理ガス中のジシランの割合を高め、アンモニアの割合を低くしていくと、Si−H結合の量はほぼ変化しないものの、N−H結合の量を減少でき、総膜中水素量を1×1022(atoms/cc)のオーダー以下に減らすことが可能であることが確認された。これは、供給律速領域にもっていけるから、と考えられる。
【0083】
図11は水素量のマイクロ波パワー依存性を示す図で、図11Aは処理条件を、図11Bは水素量とマイクロ波パワーとの関係を示している。
【0084】
図11Aに示すように、マイクロ波パワーをパラメータ(図中“−”で示す)とし、処理温度(サセプタ3の温度)を500℃、ジシラン(Si2H6)の流量とアンモニア(NH3)の流量との流量比を5.5sccm/1000sccm=0.0055、処理圧力を1000mTorrとした。このような処理条件において、マイクロ波パワーを0.511W/cm2(1kW)、1.023W/cm2(2kW)、1.534W/cm2(3kW)と変化させた。
【0085】
図11Bに示すように、マイクロ波パワーを0.511W/cm2(1kW)、1.023W/cm2(2kW)、1.534W/cm2(3kW)と高めていくと、Si−H結合の量は低いままほぼ変化しない代わりに、N−H結合の量が減少することが判明した。総膜中水素量は、マイクロ波パワーを0.511W/cm2(1kW)、1.023W/cm2(2kW)、1.534W/cm2(3kW)、…、と高めていくことで減少する。
【0086】
このように、マイクロ波パワーを、実用的には、0.5W/cm2以上2.045W/cm2((4kw)以下の範囲で、マイクロ波パワーを高めていくと、Si−H結合の量は低いままほぼ変化しないものの、N−H結合の量を減少でき、総膜中水素量を、1.4×1022(atoms/cc)のオーダー以下に減らすことが可能であることが確認された。これは、パワーを上げることで、プラズマ密度が上がり、より反応が進むため、と考えられる。
【0087】
図12は水素量の処理圧力依存性を示す図で、図12Aは処理条件を、図12Bは水素量と処理圧力との関係を示している。
【0088】
図12Aに示すように、処理圧力をパラメータ(図中“−”で示す)とし、処理温度(サセプタ3の温度)を600℃、ジシラン(Si2H6)の流量とアンモニア(NH3)の流量との流量比を5sccm/500sccm=0.01、マイクロ波パワーを1.023W/cm2(2kW)とし、処理圧力を250mTorr、1000mTorr、2000mTorr、3000mTorrと変化させた。
【0089】
図12Bに示すように、通常の減圧プラズマCVD法と同じように、チャンバー1内の処理圧力を1000mTorr(133.3Pa)以下とした場合には、N−H結合がSi−H結合よりも優勢であることが判明した。これは供給律速である。具体的には、図7に示したプラズマCVD装置100bを用いると、処理圧力が1000mTorr以下の場合には、N−H結合の量が9×1021atomos/cc以上のオーダーとなるのに対して、Si−H結合の量は1×1021atomos/cc以下のオーダーにとどまる。総膜中水素量は、9×1021atomos/cc以上のオーダーである。
【0090】
対して、処理圧力を、1000mTorr以上に上げてくるとSi−H結合が急激に増加するが、反対にN−H結合も急激に減少しだす傾向があることが判明した。これは反応律速である。しかも、N−H結合の減少分のほうが、Si−H結合の増加分より大きい。このため、両者の量を合計した総膜中水素量が減少に転じだす傾向が見いだされた。
【0091】
さらに、処理圧力を上げていくと、アンモニアガスを使用して成膜したプラズマCVD窒化珪素膜であっても、N−H結合の量とSi−H結合の量とを均衡させることができる。また、処理圧力が、おおよそ1800mTorr(239.9Pa)付近でN−H結合の量とSi−H結合の量とが均衡する。このときの総膜中水素量は、8×1021atomos/ccのオーダー(本例では、おおよそ8.4×1021atomos/ccのオーダー)まで、さらに減少している。
【0092】
さらに、処理圧力を1800mTorr以上に上げると、アンモニアガスを使用して成膜したプラズマCVD窒化珪素膜であっても、N−H結合の量がSi−H結合の量よりも少なくなるプラズマCVD窒化珪素膜を得ることができた。
【0093】
例えば、本例では、処理圧力を2000mTorr(266.6Pa)とすると、N−H結合の量が3×1021atomos/ccのオーダーで、Si−H結合の量が5×1021atomos/ccのオーダーのプラズマCVD窒化珪素膜を得ることができた。このときの総膜中水素量は、8×1021atomos/ccのオーダーまで、さらに減少している。
【0094】
処理圧力を2000mTorr以上に上げると、N−H結合の減少傾向が続くが、Si−H結合の増加分が鈍化することが判明した。つまり、増加していたSi−H結合が飽和しだす。N−H結合の減少傾向が続きつつ、Si−H結合が飽和する、ということは、つまり、総膜中水素量を、さらに減少させることができる、ということである。本例では、処理圧力を3000mTorr(400Pa)とすると、N−H結合の量が1×1021atomos/ccのオーダーまで減少するが、Si−H結合の量が5×1021atomos/ccのオーダーでほとんど変化しなかった。このときの総膜中水素量は、6×1021atomos/ccのオーダーまで引き続き減少する。
【0095】
さらに、総膜中水素量は、例えば、ジシラン(Si2H6)の流量とアンモニア(NH3)の流量との流量比をSi−H結合の量が少なくなるように変える(流量比増大)、及び/又はマイクロ波パワーを上げると、6×1021atomos/cc以下に、減少させることができる。プラズマCVD窒化珪素膜は、膜中のSi−H結合がより少ない方がなお良い。
【0096】
このようなプラズマCVD窒化珪素膜の成膜方法によれば、窒化珪素膜を成膜する処理ガスである窒素含有ガスとして、窒素と水素とを含むガス、例えば、アンモニアガスを使用した、としても、処理圧力を1000mTorr(133.3Pa)以上とすることで、窒化珪素膜の膜中Si−H結合の量と膜中N−H結合の量とを合計した総膜中水素量が8.4×1021atoms/cc以下にできる低水素量のプラズマCVD窒化珪素膜を得ることができる。
【0097】
ちなみに、処理圧力を1000mTorr以上とすることで、N−H結合の減少傾向を継続させつつ、Si−H結合については飽和させることができる傾向がある限り、処理圧力の上限は、例えば、100Torr(13333Pa)以下で良い。好ましくは10Torr(1333Pa)以下である。
【0098】
さらに、珪素含有ガスと窒素及び水素含有ガスとの流量比を0.01以上0.015以下とする、及び/又はマイクロ波パワーをW/cm2以上2.045W/cm2以下とすると、膜中のSi−H結合がより少ないプラズマCVD窒化珪素膜を得ることができる。
【0099】
しかも、本例の成膜方法に従って成膜されたプラズマCVD窒化珪素膜は、窒素と水素とを含むガスを使用して成膜するので、例えば、窒素ガスのみを用いてプラズマCVD窒化珪素膜を成膜する場合に比較して反応が起りやすく、制御性も良い。そのうえ、窒素と水素とを含むガスを使用して成膜されるプラズマCVD窒化珪素膜でありながらも、N−H結合の量を減らすことができる。さらにはN−H結合の量をSi−H結合の量以下とすることもできる。このことから、窒素と水素とを含むガスを使用して成膜されるプラズマCVD窒化珪素膜において懸念点であった、N−H結合が多量に含有されやすい、という事情も解消することもできた。このようなプラズマCVD窒化珪素膜の総膜中水素量の範囲を述べるならば、N−H結合の量とSi−H結合の量との合計値以下Si−H結合の量以上の範囲である。総膜中水素量が上記範囲にあれば、総膜中水素量が少ないプラズマCVD窒化珪素膜を得ることができる。
【0100】
本発明は、さらに、総膜中水素量が少ないプラズマCVD窒化珪素膜を、ウエハ載置面3aに、窪み3b、又は膨らみ3cを設けたサセプタ3上で形成することにより、上記の条件で総膜中水素量が少ないプラズマCVD窒化珪素膜が形成されたウエハWを、サセプタ3から離した際に、このプラズマCVD窒化珪素膜に対してプロセス条件で得られるストレス以上の高い引張りストレス、又は圧縮ストレスを与えることができる。
【0101】
このように、第2の実施形態によれば、プラズマCVD窒化珪素膜の総膜中水素量を減らすことができるとともに、総膜中水素量が少ないプラズマCVD窒化珪素膜に、プロセス条件で得られるストレス以上の高い引張りストレス、又は圧縮ストレスを与えることが可能な成膜方法を提供できる。
【0102】
このように、本発明方法を用いて低温で形成された総膜中水素量が少ないプラズマCVD窒化珪素膜は、膜中から水素が抜け出すことで発生する空孔が発生する確率が低い。よって、電子トラップが発生する確率が減り、膜質が劣化し難く、長い期間にわたって良い膜質を保つことができる、信頼性の高いプラズマCVD窒化珪素膜となる。このようなプラズマCVD窒化珪素膜は、半導体集積回路装置への適用に有利である。
【0103】
(第3の実施形態)
さらに、N−H結合の量とプラズマCVD窒化珪素膜の膜質との関係を調べてみた。膜質を示す指標には、エッチャントとして弗酸溶液を用いたときのエッチングレートを利用した。エッチングレートの算出には、エリプソメトリ法によりエッチング前の膜厚とエッチング終了後の膜厚との差を求め、単位時間当たりのエッチング量を算出するようにした。
【0104】
図13は、プラズマCVD窒化珪素膜(SiNx)、減圧CVD窒化珪素膜(Si3N4)、熱酸化珪素膜(SiO2)、プラズマCVD酸化珪素膜(SiOx)、CVD酸化珪素膜(TEOS−SiO2)それぞれの弗酸溶液に対するエッチングレートを示す図である。
【0105】
図13に示すように、プラズマCVD窒化珪素膜、本例ではマイクロ波プラズマCVD窒化珪素膜(1)、(2)が本実施形態に係る成膜方法に従って成膜された膜である。この膜には、N−H結合の量が1022atoms/ccオーダーの膜(1)と、1021atoms/ccオーダーの膜(2)との2種類を用意した。また、減圧CVD窒化珪素膜(3)、熱酸化珪素膜(4)、プラズマCVD酸化珪素膜(5)、CVD酸化珪素膜(6)は、それぞれ既存の成膜方法に従って成膜された膜である。これらの膜(3)乃至(6)は、膜(1)及び(2)に対する比較例として示されている。
【0106】
膜(3)乃至(6)については、減圧CVD窒化珪素膜(3)が、純水で希釈した弗酸溶液(0.5%)に対して、エッチングレートが2.86A/min(0.286nm/min)であり、最も弗酸溶液に対するエッチング耐性が良い。エッチング耐性は、以下、熱酸化珪素膜(4)、プラズマCVD酸化珪素膜(5)、CVD酸化珪素膜(6)となり、比較例の中では、CVD酸化珪素膜(6)が最も弗酸溶液に対して良くエッチングされることが理解される。
【0107】
膜(1)はN−H結合の量が1022atoms/ccオーダーのプラズマCVD窒化珪素膜である。膜(1)は、弗酸溶液(0.5%)に対するエッチングレートが37.87A/min(3.787nm/min)であり、プラズマCVD酸化珪素膜(5)のエッチングレート40.35A/min(4.035nm/min)よりも弗酸溶液に対するエッチング耐性が良い、という結果を得ることができた。しかし、膜(1)の弗酸溶液に対するエッチング耐性は、減圧CVD窒化珪素膜(3)のそれには及ばない。
【0108】
また、膜(2)、即ち、N−H結合の量が1021atoms/ccオーダー、本例では3.43×1021atoms/ccのプラズマCVD窒化珪素膜については、弗酸溶液(0.5%)に対するエッチングレートが0.77A/min(0.077nm/min)であり、減圧CVD窒化珪素膜(3)のエッチングレート2.86A/min(0.286nm/min)よりも一桁、弗酸溶液に対するエッチング耐性が良い、という結果を得ることができた。
【0109】
このように、N−H結合の量が1021atoms/ccオーダー以下、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜は、減圧CVD窒化珪素膜(3)よりも弗酸溶液に対するエッチング耐性が良い。このような性質を持つ膜は、例えば、次に説明するような半導体集積回路装置の内部構造体への適用に有利である。
【0110】
(適用例1)
適用例1は、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜を、エッチングストッパ及びハードマスクに利用した例である。
【0111】
図14A乃至図14Cは適用例1に係る半導体集積回路装置の製造方法を主要な製造工程順に示す断面図である。
【0112】
まず、図14Aに示すように、半導体ウエハ(図示せず)上に、例えば、層間絶縁膜のような絶縁膜201を形成する。次いで、絶縁膜201上に、エッチングストッパ202を形成する。エッチングストッパ202にはプラズマ窒化珪素膜が利用され、このプラズマ窒化珪素膜の成膜条件は、上述したように処理温度を300℃以上600℃以下、好ましくは500℃以下の低温で、珪素含有ガス、例えばジシランと窒素及び水素含有ガス、例えばアンモニアとの流量比を0.005以上0.015以下、マイクロ波パワーを0.5W/cm2以上2.045W/cm2以下、処理圧力を133.3Pa以上13333Pa以下とする。好ましくは、1333Pa以下とする。このような成膜条件とすることで、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜を用いたエッチングストッパ202を形成することができる。次いで、エッチングストッパ202上に、層間絶縁膜203を形成する。層間絶縁膜203には、例えば、酸化珪素膜よりも誘電率が低い周知の低誘電率絶縁膜が用いられて良い。次いで、層間絶縁膜203上に、ハードマスク204を形成する。ハードマスク204には、エッチングストッパ202と同様に、プラズマ窒化珪素膜が利用される。また、ハードマスク204となるプラズマ窒化珪素膜の成膜条件は、エッチングストッパ202と同様に、処理温度を300℃以上600℃以下、好ましくは500℃以下の低温で、珪素含有ガス、例えばジシランと窒素及び水素含有ガス、例えばアンモニアとの流量比を0.005以上0.015以下、マイクロ波パワーを0.5W/cm2以上2.045W/cm2以下、処理圧力を133.3Pa以上13333Pa以下とする。好ましくは、1333Pa以下とする。このような成膜条件とすることにより、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜を用いたハードマスク202を形成することができる。次いで、ハードマスク204上に、ホトレジストからなるマスクパターン、例えば、配線材料を埋め込むための溝や、配線どうしを接続するための孔に対応した開孔を持つマスクパターン205を形成する。
【0113】
次いで、図14Bに示すように、マスクパターン205をマスクに用いて、ハードマスク204をエッチングする。
【0114】
次いで、図14Cに示すように、マスクパターン205を除去した後、ハードマスク204をエッチングのマスクに用いて層間絶縁膜203をエッチングし、層間絶縁膜203に、配線材料を埋め込むための溝、又は配線どうしを接続するための孔206を形成する。層間絶縁膜203のエッチングは、エッチングストッパ202が露出するまで続けられ、エッチングストッパ202が露出したところでエッチング速度が低下し、事実上、エッチングは停止する。
【0115】
低温で、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜はエッチング耐性が良いので、エッチングを停止させるためのエッチングストッパ202や、層間絶縁膜203等の半導体集積回路の内部構造体を加工する際にエッチングのマスクとして用いられるハードマスク204等に好適である。
【0116】
また、上記プラズマCVD窒化珪素膜のエッチング耐性は、図13に示したように、減圧プラズマCVD窒化珪素膜(Si3N4)よりも良いので、減圧プラズマCVD窒化珪素膜をエッチングストッパ202やハードマスク204に用いた場合に比較して、膜厚をさらに薄くすることもできる。エッチングストッパ202やハードマスク204の膜厚を薄くできると、例えば、成膜時間やエッチング時間を短縮することでき、スループットの向上に役立つ。また、半導体集積回路装置のうち、垂直方向の内部構造体を薄くすることができるので、今後さらに進展すると考えられる半導体集積回路装置の多層構造化にも有利になる。
【0117】
なお、適用例1においては、エッチングストッパ202及びハードマスク204の双方に実施形態に係るプラズマCVD窒化珪素膜を用いたが、双方に用いる必要は必ずしもなく、いずれか一方に用いるようにしても良い。
【0118】
このように、本発明の方法で、低温で形成したエッチングストッパ202やハードマスク204に低温で好適なプラズマCVD窒化珪素膜を、ウエハ載置面3aに、窪み3b、又は膨らみ3cを設けたサセプタ3上で形成する。このため、エッチングストッパ202やハードマスク204に好適なプラズマCVD窒化珪素膜に対してプロセス条件で得られるストレス以上の高い引張りストレス、又は圧縮ストレスを与えることができる。
【0119】
(適用例2)
適用例2は、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜を、セルフアラインコンタクト構造におけるキャップ層及び側壁スペーサに利用した例である。
【0120】
図15A乃至図15Dは適用例2に係る半導体集積回路装置の製造方法を主要な製造工程順に示す断面図である。
【0121】
図15Aに示すように、半導体ウエハW(本例ではシリコンウエハ)を熱酸化し、ゲート絶縁膜301となる熱酸化珪素膜を形成し、ゲート絶縁膜301となる熱酸化珪素膜上に、ゲート電極302となる、例えば、導電性のポリシリコン膜を形成する。次いで、ゲート電極302となるポリシリコン膜上に、キャップ層303を形成する。キャップ層303には、実施形態に係るプラズマCVD窒化珪素膜が用いられ、成膜条件は、処理温度を300℃以上600℃以下、好ましくは500℃以下の低温で、珪素含有ガス、例えばジシランと窒素及び水素含有ガス、例えばアンモニアとの流量比を0.005以上0.015以下、マイクロ波パワーを0.5W/cm2以上2.045W/cm2以下、処理圧力を133.3Pa以上13333Pa以下とする。好ましくは、1333Pa以下とする。このような成膜条件とすることで、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜を用いたキャップ層303を形成することができる。次いで、キャップ層303上に、ホトレジストからなる図示せぬゲートパターンを形成し、ゲートパターンをマスクに用いて、キャップ層303、ポリシリコン膜、熱酸化膜を順次エッチングして、上部にキャップ層303を備えたゲート電極302を形成する。次いで、ゲート電極302をマスクに用いて、ウエハW内に、ウエハWとは異なる導電型のソース/ドレイン領域304形成用の不純物を導入する。
【0122】
次に、図15Bに示すように、ソース/ドレイン領域304及びゲート電極302上に、側壁スペーサ305となる絶縁膜を形成する。側壁スペーサ305となる絶縁膜には、実施形態に係るプラズマCVD窒化珪素膜が用いられ、成膜条件は、処理温度を300℃以上600℃以下、好ましくは500℃以下の低温で、珪素含有ガス、例えばジシランと窒素及び水素含有ガス、例えばアンモニアとの流量比を0.005以上0.015以下、マイクロ波パワーを0.5W/cm2以上2.045W/cm2以下、処理圧力を133.3Pa以上13333Pa以下とする。好ましくは、1333Pa以下とする。次いで、側壁スペーサ305となる絶縁膜を異方性エッチングし、キャップ層303及びゲート電極302の側壁上に側壁スペーサ305を形成する。これにより、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜を用いた側壁スペーサ305を低温で形成することができる。
【0123】
次に、図15Cに示すように、キャップ層303、ソース/ドレイン領域304、側壁スペーサ305上に、層間絶縁膜306を形成する。層間絶縁膜306には、例えば、酸化珪素膜よりも誘電率が低い周知の低誘電率絶縁膜が用いられて良い。次いで、層間絶縁膜306上に、ホトレジストからなるソース/ドレイン領域304に達するコンタクト孔パターン(図示せず)を形成し、コンタクト孔パターンをマスクに用いて、層間絶縁膜306をエッチングし、コンタクト孔307を形成する。本例のコンタクト孔307は、キャップ層303及び側壁スペーサ305上にかかっており、コンタクト孔307は、ゲート電極302を被覆するキャップ層303及び側壁スペーサ305、即ち、ゲート電極302間の空間に対して自己整合的に形成される、いわゆる、セルフアラインコンタクト構造である。
【0124】
次に、図15Dに示すように、コンタクト孔307を導電物308で埋め込むことで、適用例2に係る構造体が形成される。
【0125】
総膜中水素量が1021atoms/cc以下のプラズマCVD窒化珪素膜はエッチング耐性が良いので、コンタクト孔307を、ゲート電極302間の空間に対して自己整合的に形成する際の、ゲート電極302上を被覆するキャップ層303や、側壁スペーサ305にも好適である。
【0126】
このように、本発明の方法で、低温で形成したキャップ層303や側壁スペーサ305に好適なプラズマCVD窒化珪素膜を、ウエハ載置面3aに、窪み3b、又は膨らみ3cを設けたサセプタ3上で形成する。このため、キャップ層303や側壁スペーサ305に好適なプラズマCVD窒化珪素膜に対してプロセス条件で得られるストレス以上の高い引張りストレス、又は圧縮ストレスを与えることができる。
【0127】
(第4の実施形態)
さらに、N−H結合の量とプラズマCVD窒化珪素膜のストレスとの関係を調べてみた。ストレスの測定には、KLA−Tencor社製FLX−2320を用いた。
【0128】
図16は、プラズマCVD窒化珪素膜のストレスとN−H結合の量との関係を示す図である。
【0129】
図16に示すように、N−H結合の量が1022atoms/ccオーダーのプラズマCVD窒化珪素膜、本例では、1.32×1022atoms/ccのプラズマCVD窒化珪素膜のストレスは、1496MPaの引張ストレスを持つ。
【0130】
反対に、N−H結合の量が1021atoms/ccオーダーのプラズマCVD窒化珪素膜、本例では、3.43×1021atoms/ccのプラズマCVD窒化珪素膜のストレスは、−1099MPaの圧縮ストレスを持つ。
【0131】
このように、プラズマCVD窒化珪素膜からN−H結合の量、特に、総膜中水素量が減るにつれて、膜のストレスは、引張ストレスから圧縮ストレスの方向にシフトする傾向が確認された。
【0132】
本実施形態では、第2の実施形態で説明した成膜方法で、総膜中水素量が、例えば、1021atoms/ccオーダーのプラズマCVD窒化珪素膜を成膜した後、このプラズマCVD窒化珪素膜から水素をさらに離脱させる。このため、総膜中水素量が1020atoms/ccオーダー、1019atoms/ccオーダー、1018atoms/ccオーダー、…、というように、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜が得られる。このため、例えば、−1500Paを超える圧縮応力を持つプラズマCVD窒化珪素膜を低温で得ることが可能となる。
【0133】
さらに、プラズマCVD窒化珪素膜を、窒化用の処理ガスとして窒素及び水素含有ガス(例えば、アンモニアガス)を用いて成膜した場合と、窒化用の処理ガスとして水素を含まない窒素ガスを用いて成膜した場合とで、成膜された膜の段差被覆性を調べてみた。
【0134】
図17はアンモニアガスを用いて成膜したプラズマCVD窒化珪素膜の段差被覆性を示す断面図、図18は窒素ガスを用いて成膜したプラズマCVD窒化珪素膜の段差被覆性を示す断面図である。なお、図18は参考例である。
【0135】
図17に示すように、窒素及び水素含有ガス、本例ではアンモニアガスを用いて成膜したプラズマCVD窒化珪素膜400NH3は、段差側面上の膜厚(Side)と段差上面上の膜厚(Top)との比“Side/Top”が約91%であり、段差底面上の膜厚(Btm)と段差上面上の膜厚(Top)との比“Btm/Top”が約97%であり、おおよそ90%以上の段差被覆率を得ることができた。なお、本例における成膜条件は、処理温度400℃、ジシランとアンモニアとの流量比5sccm/500sccm、マイクロ波パワー1.023W/cm2(2kW)、処理圧力1000mTorrである。
【0136】
対して、図18に示すように、窒素ガスを用いて成膜したプラズマCVD窒化珪素膜400N2は、比“Side/Top”が約30%であり、比“Btm/Top”が約38%であり、段差被覆率は、おおむね30〜40%であった。なお、本例における成膜条件は、処理温度500℃、ジシランと窒素との流量比1sccm/1200sccm、マイクロ波パワー1.023W/cm2(2kW)、処理圧力20mTorrである。
【0137】
このように、例えば、第2の実施形態で説明した成膜方法を用いて低温で成膜したプラズマCVD窒化珪素膜は、窒化用の処理ガスとして窒素及び水素含有ガスを用いることで、窒化用の処理ガスとして窒素ガスを用いる場合に比較して、段差被覆性を良好にできることが確認された。このような段差被覆性の測定結果から、第1の実施形態においても述べたが、プラズマCVD窒化珪素膜を、窒素及び水素含有ガスを使用して成膜することで、例えば、窒素ガスのみを用いてプラズマCVD窒化珪素膜を成膜する場合に比較して反応が起りやすく、制御性も良くなるということを、改めて確認することができた。
【0138】
このように、プラズマCVD窒化珪素膜を、窒素及び水素含有ガスを使用して成膜すると、段差被覆性が良く、また、N−H結合の量を1022atoms/ccオーダー以上から1021atoms/ccオーダー以下へ減らしていくことで、膜のストレスに、引張ストレス及び圧縮ストレスのいずれかを選択して与えることができる。さらに、N−H結合の量が1021atoms/ccオーダー以下であるプラズマCVD窒化珪素膜は、膜のストレスとして引張ストレス、又は圧縮ストレスのいずれかを選択することができる。
【0139】
さらに、本実施形態では、第2の実施形態で説明した成膜方法で、総膜中水素量が、例えば、1021atoms/ccオーダーのプラズマCVD窒化珪素膜を低温で成膜した後、このプラズマCVD窒化珪素膜から水素をさらに離脱させる。このため、例えば、−1500Paを超える圧縮応力を持つプラズマCVD窒化珪素膜を、段差被覆性良く得ることができる。膜は、例えば、次に説明するような半導体集積回路装置の内部構造体への適用に有利である。
【0140】
(適用例3)
適用例3は、この発明の実施形態に係るプラズマCVD窒化珪素膜を、トランジスタのチャネルにストレスを与え、電荷の移動度を改善するストレスライナーに利用した例である。
【0141】
図19A及び図19Bは適用例3に係る半導体集積回路装置の製造方法を主要な製造工程順に示す断面図である。
【0142】
図19Aに示すように、半導体ウエハW(本例ではシリコンウエハ)の表面を熱酸化し、ゲート絶縁膜401となる熱酸化珪素膜を形成し、ゲート絶縁膜401となる熱酸化珪素膜上に、ゲート電極402となる、例えば、導電性のポリシリコン膜を形成する。次いで、ゲート電極402となるポリシリコン膜上に、ホトレジストからなる図示せぬゲートパターンを形成し、ゲートパターンをマスクに用いて、ポリシリコン膜、熱酸化膜を順次エッチングしてゲート電極402を形成する。次いで、ゲート電極402をマスクに用いて、ウエハW内に、ウエハWとは異なる導電型のソース/ドレイン領域403形成用の不純物を導入する。
【0143】
次に、図19Bに示すように、ソース/ドレイン領域403及びゲート電極402上に、ストレスライナー404を形成する。ストレスライナー404となる絶縁膜には、実施形態に係るプラズマCVD窒化珪素膜が用いられ、成膜条件は、処理温度を300℃以上600℃以下、好ましくは、500℃以下の低温で珪素含有ガス、例えばジシランと窒素及び水素含有ガス、例えばアンモニアとの流量比を0.005以上0.015以下、マイクロ波パワーを0.5W/cm2以上2.045W/cm2以下、処理圧力を133.3Pa以上13333Pa以下とする。好ましくは、1333Pa以下とする。このような成膜条件とすることで、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜を用いたストレスライナー404を形成することができる。
【0144】
総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下のプラズマCVD窒化珪素膜は、図16に示したように、例えば、−1500Pa以下の圧縮ストレスを持たせることができる。
【0145】
このように、総膜中水素量が1021atoms/ccオーダー以下に制御したプラズマCVD窒化珪素膜を、ストレスライナー404に用いることで、チャネルに強い圧縮ストレスを与えることができる。チャネルに圧縮ストレスを与えると、反対に正孔の移動度が向上するので、Pチャネル型のMOSFET又はMISFETに有効に適用することができる。
【0146】
また、プラズマCVD窒化珪素膜を、窒化用の処理ガスとして窒素及び水素含有ガス、例えば、アンモニアを使用すると段差被覆性が良い。例えば、図17を参照して説明したように、おおよそ90%以上の段差被覆率を得ることができる。このような膜は、ストレスライナーへの適用に好適である。例えば、ストレスライナーの段差被覆性が悪いと、ストレスライナーのうち、ゲート電極上の部分が特に厚くなってしまい、ゲート電極の高さが増して半導体ウエハ表面上の凹凸が大きくなりやすい。これは、例えば、ゲート電極間を層間絶縁膜で埋め込み難くなる、という事情を招く。しかしながら、ストレスライナーを、段差被覆率が良い、例えば、90%以上の段差被覆率を持つ膜で形成すると、ストレスライナーのうち、ゲート電極上の部分が特に厚くなってしまうような事情が解消される。よって、半導体ウエハ表面上の凹凸が大きくなることを抑制でき、例えば、ゲート電極間を層間絶縁膜で埋め込み易くなる、という利点も得ることができる。
【0147】
このように、本発明の方法で、低温で形成した段差被覆性が良いプラズマCVD窒化珪素膜を、ウエハ載置面3aに、窪み3b、又は膨らみ3cを設けたサセプタ3上で形成する。このため、段差被覆性が良いプラズマCVD窒化珪素膜に対してプロセス条件で得られるストレス以上の高い引張りストレス、又は圧縮ストレスを与えることができる。
【0148】
以上、この発明を、いくつかの実施形態を参照して述べたが、この発明は上記実施形態に限られるものではなく、種々の変形が可能である。
【0149】
例えば、珪素含有ガスとしてジシランを使用したが、ジシランの他、シランやTSA等も使用することができる。また、窒素及び水素含有ガスとしてはアンモニアを使用したが、窒素と水素とを含有し、かつ、珪素含有ガスとともに供給することで窒化珪素膜を成膜できるものでれば使用することが可能である。
【0150】
また、上記実施形態では、成膜装置として、マイクロ波プラズマ成膜装置を例示したが、マイクロ波プラズマ成膜装置に限られることもなく、他のプラズマ成膜装置を使用することもできる。
【0151】
例えば、上記実施形態では、引張りストレス、又は圧縮ストレスを窒化珪素膜に生じさせたが、ストレスを生じさせる薄膜は窒化珪素膜に限られるものではない。例えば、珪素膜、酸化珪素膜、酸窒化珪素膜、金属膜、金属珪化物等、成膜装置で成膜することができる薄膜であれば、この発明を適用することができる。
【0152】
また、成膜装置としてはマイクロ波プラズマ成膜装置を示したが、成膜装置もマイクロ波プラズマ成膜装置に限られるものではない。平行平板型プラズマ成膜装置であってもよいし、プラズマに限らず熱成膜装置でも良い。また、成膜手法もCVD法に限られるものではなく、スパッタ法でも良い。また、気相成長ばかりでなく、液層成長、例えば、LPD法やメッキ法を利用した成膜装置にも、この発明は適用することができる。
【符号の説明】
【0153】
1…処理チャンバー(処理容器)、2…排気室、3…サセプタ(基板支持台)、3a…基板載置面、3b…球面状の窪み、3c…球面状の膨らみ、4…支持部、5…ガイドリング、6…ヒーター、7a…ライナー、7b…バッフルプレート、8…支柱、9…ゲートバルブ、10…マイクロ波導入部、11…マイクロ波透過板、12…平面アンテナ部材、13…遅波材、14…環状の支持部、15…シール部材、16…スロット孔、17…シールドカバー、18…導波管、19…マッチング回路、20…マイクロ波発生装置、21…モード変換器、22a、22b、22d…ガス導入部、22c…シャワーヘッド、27…ガス供給部、50…制御部、51…プロセスコントローラ、52…ユーザーインターフェース、53…記憶部、100a、100b…プラズマ成膜装置、201…絶縁膜、202…エッチングストッパ、203…層間絶縁膜、204…ハードマスク、205…ホトレジスト、206…溝又は孔、301…ゲート絶縁膜、302…ゲート電極、303…キャップ層、304…ソース/ドレイン領域、305…側壁スペーサ、306…層間絶縁膜、307…コンタクト孔、308…導電物、401…ゲート絶縁膜、402…ゲート電極、403…ソース/ドレイン領域、404…ストレスライナー。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
処理容器と、
前記処理容器内に設けられた、被処理基板が載置される基板載置台と、
前記処理容器内に、ガスを供給するガス導入部と、を具備し、
前記基板載置台の、前記被処理基板が載置される基板載置面が窪みを有し、前記窪みの直径を200mmとしたとき、最深部の深さが1mm以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項2】
プラズマ処理装置に使用され、プラズマ処理される被処理基板が載置される基板載置台であって、
前記基板載置台の、前記被処理基板が載置される基板載置面が窪みを有し、前記窪みの直径を200mmとしたとき、最深部の深さが1mm以下であることを特徴とする基板載置台。
【請求項1】
処理容器と、
前記処理容器内に設けられた、被処理基板が載置される基板載置台と、
前記処理容器内に、ガスを供給するガス導入部と、を具備し、
前記基板載置台の、前記被処理基板が載置される基板載置面が窪みを有し、前記窪みの直径を200mmとしたとき、最深部の深さが1mm以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項2】
プラズマ処理装置に使用され、プラズマ処理される被処理基板が載置される基板載置台であって、
前記基板載置台の、前記被処理基板が載置される基板載置面が窪みを有し、前記窪みの直径を200mmとしたとき、最深部の深さが1mm以下であることを特徴とする基板載置台。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【公開番号】特開2013−12776(P2013−12776A)
【公開日】平成25年1月17日(2013.1.17)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−209270(P2012−209270)
【出願日】平成24年9月24日(2012.9.24)
【分割の表示】特願2008−90715(P2008−90715)の分割
【原出願日】平成20年3月31日(2008.3.31)
【出願人】(000219967)東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成25年1月17日(2013.1.17)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年9月24日(2012.9.24)
【分割の表示】特願2008−90715(P2008−90715)の分割
【原出願日】平成20年3月31日(2008.3.31)
【出願人】(000219967)東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Fターム(参考)】
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