【課題】信号遅延の抑制と絶縁性の向上との両立が可能な絶縁膜形成方法及び絶縁膜形成装置を提供する。
【解決手段】
シリコン貫通電極用の貫通孔が形成されたシリコン基板を備える基板Ｓに絶縁膜を形成するに際し、抵抗加熱ヒータ３３Ｈによって加熱された基板Ｓを収容する反応室３１Ｓに、酸素ガス及びキャリアガスであるアルゴンガスと混合されたＺｒ（ＢＨ_４）_４を供給する。そして、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４を上記基板Ｓ上で熱酸化することによって、基板Ｓの表面及び上記貫通孔の内側面にジルコニウム、ホウ素、及び酸素を含む絶縁膜の一つであるＺｒＢＯ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐圧をより向上することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板１と、基板１の上方に形成された化合物半導体積層構造８と、基板１と化合物半導体積層構造８との間に形成された非晶質性絶縁膜２と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができる成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスと炭化水素ガスとを供給して前記被処理体の表面にＳｉＣＮ膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、前記シラン系ガスと前記窒化ガスと前記炭化水素ガスとをそれぞれ一定の供給期間でパルス状に供給する供給工程と供給を停止する停止工程とよりなる１サイクルを複数回繰り返し実行してプラズマを用いることなく前記薄膜を形成する。これにより、比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０^-3以下であり、主表面１ｓの面方位が、結晶基板の（０００１）面または（０００−１）面１ｃから＜１１−２０＞方向に１０°以上８１°以下で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】基板の温度制御変動を抑制し、高品質の膜を再現性よく成膜することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】蒸発源１２およびプラズマ生成空間と、基板保持部に保持された基板１４とをシャッター２０で隔てた状態で、蒸発源を加熱し、プラズマ１０５を生成する。基板サセプタ１３に内蔵された加熱源１３ａにより基板を加熱するとともに、シャッターの基板側の面に配置された輻射熱源により、蒸発源およびプラズマからシャッターに到達している熱量と同等の輻射熱量を供給して基板を加熱する。基板の温度が所定の温度に達した状態で、シャッターを開き、蒸発源からの蒸気をプラズマを通過させて、基板上に堆積させる。これにより、シャッターを開いても基板温度の変動を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成する。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、処理容器内に原料ガスを供給することで、窒化層上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、窒化層上に形成された所定元素含有層および窒化層を、酸化層また酸窒化層に変化させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層とチャネル層との密着性が良好な電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、チャネル層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、前記ゲート絶縁層は酸化ガリウムを含み、前記チャネル層は有機半導体層である、電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】多孔質絶縁膜における空孔の径を小さくすることができ、かつ多孔質絶縁膜の強度を高くすることができる多孔質絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】環状シロキサンを骨格とし側鎖に少なくとも一つの揮発性炭化水素基が結合した環状シロキサン化合物と、シリコン含有化合物とを、プラズマ中に導入し、基板上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜にエネルギーを加えることにより、絶縁膜を多孔質絶縁膜にする工程とを備える。シリコン含有化合物は、環状シロキサン化合物の骨格、揮発性炭化水素基、及び環状シロキサン化合物と揮発性炭化水素基の結合より低エネルギーで分解する。 （もっと読む）

【課題】基板配列領域における全領域で低ＷＥＲを確保するとともに、良好なＷＩＷを得る。
【解決手段】炭素が添加された窒化シリコン膜を形成する工程では、処理容器内にシリコンを含むガスを供給して基板上に１原子層から数原子層のシリコン膜を形成する第１工程と、処理容器内に窒素を含むガスを熱で活性化して供給することで、シリコン膜を熱窒化して窒化シリコン膜に改質する第２工程と、処理容器内にシリコンを含むガスを供給して窒化シリコン膜上に１原子層から数原子層のシリコン膜を形成する第３工程と、処理容器内に炭素を含むガスを熱で活性化して供給することで、窒化シリコン膜上に形成された前記シリコン膜または窒化シリコン膜に炭素を添加する第４工程と、を１サイクルとして、このサイクルを少なくとも１回以上行う。 （もっと読む）

【課題】ウィンドウ特性の向上とリテンション特性の向上とを同時に図ることのできる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１０上に、トンネル酸化膜１１１、チャージトラップ膜１１２、ブロッキング酸化膜１１３、ゲート電極１１４が、下側からこの順で形成された積層構造を有する半導体装置であって、ブロッキング酸化膜１１３が、チャージトラップ膜１１２側に設けられた結晶質膜１１３ａと、当該結晶質膜１１３ａの上層に設けられたアモルファス膜１１３ｂとを具備している。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法によって、電荷蓄積層として利用可能な、トラップが多数存在する窒化珪素膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ３１により処理容器１にマイクロ波を導入するプラズマＣＶＤ装置１００において、処理容器１内の圧力を１０Ｐａ以上１３３．３Ｐａ以下の範囲内に設定し、高周波電源９から、ウエハＷを載置する載置台２の電極７にウエハＷの面積当り０．００９Ｗ／ｃｍ^２以上０．６４Ｗ／ｃｍ^２以下の範囲内の出力密度で高周波電力を供給して、ウエハＷにＲＦバイアスを印加しながら、シリコン含有化合物ガスと窒素ガスを含む成膜ガスを用いてプラズマＣＶＤを行う。 （もっと読む）

【課題】ＨＦ系溶液に対するエッチングレートが少ないシリコン窒化膜を形成することが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】加熱された基板２００を収容した処理室２０１内に、ビスターシャリーブチルアミノシランガスとアンモニアガスとを供給して、ＣＶＤ法により基板上にシリコン窒化膜３０４を形成し、シリコン窒化膜が形成された基板を８００℃以上の雰囲気で加熱処理する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法によりバンドギャップの大きさを制御して窒化珪素膜を製造する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ３１により処理容器１にマイクロ波を導入するプラズマＣＶＤ装置１００において、０．１Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内から選択される一定の処理圧力で、シリコン含有化合物ガスと窒素ガスとの流量比（シリコン含有化合物ガス流量／窒素ガス流量）を０．００５以上０．２以下の範囲内から選択してプラズマＣＶＤを行い、膜中に含まれるＳｉ／Ｎ比をコントロールしてバンドギャップの大きさが２．５ｅＶ以上７ｅＶ以下の範囲内の窒化珪素膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法により個々の窒化珪素膜のバンドギャップの大きさを変えて窒化珪素膜積層体を製造する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ３１によりチャンバー１にマイクロ波を導入するプラズマＣＶＤ装置１００を用い、シリコン含有化合物ガスとアンモニアガスとを含む成膜ガスを用い、シリコン含有化合物ガス／アンモニアガス流量比を０．０１５以上０．２以下の範囲内に設定し、０．１Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内から選択される処理圧力でプラズマＣＶＤを行い、バンドギャップの大きさが２．５ｅＶ以上７ｅＶ以下の範囲内の窒化珪素膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の基板に対向して配置され、前記基板にガスを供給してガス処理を行うにあたり、その内部の流路におけるガスの置換を高速で行うことができるガス供給装置を提供すること。
【解決手段】縮径端側から拡径端側にガスを通流させるための概ね円錐形状のガス通流空間を形成する本体部と、前記ガス通流空間の縮径端側に設けられ、当該ガス通流空間にガスを導入するためのガス導入ポートと、前記ガス通流空間を、外側に向かうにつれて末広がりの程度が大きくなるように同心円状に区画するための区画部材と、を備えるようにガス供給装置を構成することで従来のガスシャワーヘッドに比べてガス供給装置内部のガス流路におけるコンダクタンスを大きくして、そのガス流路におけるガスの置換性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】α-アルミナを含むアルミナ膜の成膜温度の低温化を図ることができるアルミナ膜の成膜方法、成膜装置及び前記成膜方法を実施するプログラムを格納した記憶媒体を提供する。
【解決手段】
処理容器２内に被処理体であるウエハＷを載置した後、アルミニウムのβ-ジケトン錯体を含む原料ガス及び酸素ガス等の酸化ガスを導入して、その処理容器２内の処理雰囲気の温度を２００℃以上、１，０００℃以下の温度範囲に加熱することによりウエハＷ表面にα-アルミナを含むアルミナ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】目詰まりなどを起こすことがなく長期使用が可能であり、かつ、反応部への安定的な原料供給が可能な気化器を提供する。
【解決手段】分散部本体１の内部に形成されたガス通路２と、ガス通路２に加圧されたキャリアガス３を導入するガス導入口４と、ガス通路２を通過するキャリアガスに原料溶液を供給するための手段６と、分散された原料溶液を含むキャリアガスを気化部２２に送るためのガス出口７と、ガス通路２内を流れるを冷却する手段１８と、を有する分散部８と、装置の反応部と分散部８のガス出口７に接続された気化管２０と、気化管２０を加熱するヒータ２１と、を有し、原料溶液が分散されたキャリアガスを加熱・気化させる気化部２２と、を有し、ガス出口７の外側に細孔１０１を有する輻射防止部１０２を設けてある。 （もっと読む）

【課題】ウエハに形成する薄膜の膜質のバラツキを防止できる気相成長装置を提供すること。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置は、真空室１内に、材料ガスを吐出する吐出口２ａが設けられた上部電極２と、ウエハ５が載置される下部電極４と、この下部電極４を支持する支持アーム１１と、下部電極４及び支持アーム１１の下方に配置された加熱ランプ７とを備える。下部電極４は、電極が内蔵された電極板４ａと嵌合部４ｂを有し、電極板４ａの端面にウエハ５の載置面４ｃが形成されている一方、嵌合部４ｂの端面に受熱面４ｄが形成されている。支持アーム１１は、下部電極の電極板４ａの縁部を支持する支持部１１ａと、下部電極の嵌合部４ｂが嵌合する開口１２を有する。加熱ランプ７からの熱光線が、支持アーム１１の開口１２を通って下部電極の受熱面４ｄの全面に照射されて、下部電極の載置面４ｃ上のウエハ５の温度が面内において均一に加熱される。 （もっと読む）

【課題】粉体状のターゲット材料を用いたスパッタ法において、長時間の連続稼動によっても、常に一定で安定した膜厚および成膜レートを得ることが可能な成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空を維持することが可能な真空槽と、真空槽内にあり基板を載置する基板保持台と、基板保持台と対向して設置され、粉状のターゲット材料を保持する容器を載置し、かつ、基板保持台に対向する面の中心軸を中心に回転するカソードと、カソードに電圧を印加する電源と、真空槽内にガスを供給しつつ排気するガス供排気手段からなる成膜装置において、基板保持台とカソードとの間には開口部を有してアースシールドが配置され、アースシールドのカソード側の表面の一部には、粉状のターゲット材料を攪拌する攪拌手段が設けられたこと。 （もっと読む）

【課題】 スピンコート方法、低誘電率絶縁膜、及び、半導体装置に関し、簡単な装置構成によって、機械的強度、比誘電率、或いは、膜密着性に優れた絶縁膜を成膜する。
【解決手段】 スピンコート中に、スピンコート材料３と反応する気相材料４をスピンコータカップ１内に導入する。 （もっと読む）