【課題】強度を確保できる形状の面状発熱体を有するヒータおよびそれを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】ヒータの発熱体１は、断面がコの字形状となるリボン状の発熱体部材２を基本構造とし強度を確保できる形状を有する。発熱体１は、発熱体部材２が長手方向に曲げられた構造を有して環状または円盤状をなし、面状発熱体を構成する。発熱体１を有するヒータは、成膜装置に適用され、発熱体１の上部面Ｓがウェハの裏面と対向するようにウェハの下方に配置される。発熱体１では撓みの発生が低減され、変形の発生を抑えることができる。成膜装置では、発熱体１を有するヒータによって、所望条件でのウェハの加熱を実現するとともに、ウェハ裏面からの均一な加熱を可能とする。 （もっと読む）

【課題】 プロセス条件で与えられるストレス以上に大きなストレスを薄膜に与えることが可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 処理容器１と、処理容器１内に設けられた、被処理基板Ｗが載置される基板載置台３と、処理容器１内に、ガスを供給するガス導入部２７と、を具備し、基板載置台３の、被処理基板Ｗが載置される基板載置面３ａが窪み３ｂを有し、窪み３ｂの直径を２００ｍｍとしたとき、最深部の深さを１ｍｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハステージにおいて石英ガラスからなる当設部材が割れるのを防止する。
【解決手段】ウエハＷを支持する支持ユニット２をウエハＷの外周円上に配置したウエハステージであって、各支持ユニット２は、ウエハＷの外周縁に接するセラミック質の当接部材３と、当接部材３が装着される金属製のベース部と、当接部材３をベース部に固定する固定具とを備える。ベース部には挿入孔４０が形成され、当接部材３には挿入孔４０に向かって上下に貫通する係合孔３０が形成され、固定具は挿入孔４０に嵌合する上下に延びる軸部５４と係合孔３０に係合する係合頭部５３とが一体に形成されたピン５を備え、ピン５が永久磁石の磁力によって下方に向かって付勢されていることで当接部材を固定している。 （もっと読む）

【課題】基板の表面温度のバラツキを抑え、基板上に品質の安定した化合物半導体結晶を成膜するための基板支持装置及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板支持装置１００は、サセプタ１０１と、サセプタ１０１上に配置され基板１０５の一部を支持するスペーサ１０３と、サセプタ１０１及びスペーサ１０３上に配置され、基板１０５を収容する貫通孔１０４を備えるサセプタカバー１０２と、を有し、サセプタカバー１０２は、貫通孔１０４の所定位置に、スペーサ１０３を位置決めする位置決め部１０６を備える。 （もっと読む）

【課題】均一性に優れた高品質な薄膜が形成可能な、酸化物薄膜原料を含んだ水溶液の霧化による薄膜形成用の量産装置を提供する。
【解決手段】基板が成長室６の上側に固定して設置され、その下側に設置された貫通孔プレート４とそのさらに下側に設置された整流羽根５の両者が回転することにより、基板に対して均一にミスト７を供給することが可能となる。また、回転部分である貫通孔プレート４と整流羽根５の両者が一体で、これが固定されている基板２に対して回転する。これにより、両者を一体で製作するため部品数が少なくなり、かつ回転部分を一箇所のみにすることができるため、装置構造を簡略化することができる。また、基板回転を行わないため、基板加熱機構（ヒータ）１も簡略化できる。 （もっと読む）

【課題】芳香族酸二無水物と芳香族ジアミンとの熱重合反応により成膜されるポリイミド膜の成膜速度を一定にすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器６０内で基板を保持する基板保持部４４と、基板保持部４４に保持されている基板を加熱する基板加熱部６２と、成膜容器６０内に設けられるとともに、第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給するための供給孔７５が形成された、供給管７３ａを含み、供給孔７５を介して成膜容器６０内に第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給する供給機構７０と、基板保持部４４と基板加熱部６２と供給機構７０とを制御する制御部９０とを有する。制御部９０は、供給機構７０により第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給するとともに、基板加熱部６２により、基板保持部４４に保持されている基板を、熱重合反応が生ずる温度範囲に加熱することによって、ポリイミド膜の成膜速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】分離領域による処理領域同士の雰囲気の分離機能を確保しながら、当該分離領域に供給される分離ガスの消費量を抑えること。
【解決手段】真空容器１内において分離領域Ｄを介して処理領域Ｐ１、Ｐ２をウエハＷが順番に通過するように回転テーブル２を回転させるにあたり、回転テーブル２の中央側よりも周縁側の分離ガスの供給量が多くなるように、当該中央側では周縁側よりも分離ガスノズル４１、４２のガス吐出孔３３の配列間隔ｕを広く設定すると共に、分離領域Ｄから処理領域Ｐ１、Ｐ２側に吐出される分離ガスの流速について、各領域Ａ１、Ａ２における回転テーブル２の最大周速度よりも夫々僅かに速くなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】成長条件とを駆使し、基板上への成長膜厚を均一にする方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１２０内に、支持台１１０上に載置された基板１０１が収容され、この基板１０１上に成膜するためのガスを供給する第１の流路及びガスを排気する第２の流路が接続された気相成長装置を用い、基板上に半導体層を気相成長する際に、成膜するための反応ガス及びキャリアガスの流量と濃度、チャンバ内の真空度、基板温度及び基板を回転する回転速度を制御して、半導体層の膜厚を均一にする。 （もっと読む）

【課題】加熱時にヒーターからの輻射熱を遮ることなく、冷却時に被処理物との間に周辺から流れ込む冷気によって発生する被処理物の端部の温度ムラを低減できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】加熱時に被処理物１１に接することなく被処理物１１の周囲を囲うように可動板１４を配設し、冷却時には可動板１４が回転して被処理物１１の周囲および被処理物１１の周縁部に接することなく囲うように、被処理物１１の面１１ｂとの隙間を形成することで、冷却時における被処理物の端部をガス流れ抵抗を大きくして、ガス流れによる被処理物の端部の温度変化を抑える。 （もっと読む）

【課題】基板の外周側縁部上面を覆う保護部材を高精度に位置決めすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、処理チャンバ１１と、基板Ｋが載置される基台２１と、処理ガスを供給するガス供給装置４５と、処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成装置５０と、基台２１に高周波電力を供給する高周波電源５５と、環状且つ板状に形成され、基台２１の外周部に載置可能に構成されるとともに、基台２１の外周部に載置されたときに、内周側縁部によって基板Ｋの外周側縁部上面を覆う環状且つ板状の保護部材３１と、保護部材３１を支持する支持部材３５と、基台２１を昇降させる昇降シリンダ３０とを備える。保護部材３１の下面には、基台２１上に載置される際に基台２１の外周部と係合する少なくとも３つの第１突起３３がピッチ円上に形成され、このピッチ円の中心は、保護部材３１の中心軸と同軸になっている。 （もっと読む）

堆積プロセスのための方法および装置を、本明細書で提供する。いくつかの実施形態において、装置は、サセプタプレートの上面内に配設されるポケットを有し、かつ上面内に形成されポケットを取り囲むリップを有するサセプタプレートであって、リップがリップ上に基板を支持するように構成される、サセプタプレートと、ポケットからサセプタプレートの上面に延在し、基板がリップ上に配設されるとき、基板の裏側とポケットの間に閉じ込められるガスを排気する複数の通風口とを備える基板支持体を含むことができる。基板上に層を堆積するため、本発明の装置を使用する方法も開示される。 （もっと読む）

ウエハ処理プロセスおよび装置は、ウエハキャリア（８０）を備えている。ウエハキャリアは、ウエハ（１２４）を保持し、ウエハとウエハキャリアとの間の間隙（１３０）に充填ガスを注入するように構成されている。本装置は、ウエハの温度不均一の望ましくないパターンを緩和するために、充填ガスの組成、流量、またはそれらの両方を変化させるように構成されている。
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【課題】真空容器内に設けた回転テーブルに複数の基板を、周方向に配置された複数の凹部に夫々載置し、回転テーブルを回転させることにより基板を反応ガスの供給位置に順次通過させて基板上に薄膜を形成する装置において、基板が通過する領域における圧力差により回転テーブルから飛び出すことを防止すること。
【解決手段】基板載置領域の周縁に基板の周方向に沿ってリング状に形成されたリング部材を、回転テーブルを貫通して昇降自在な昇降ピンに固定する。基板を凹部内に搬送した後、昇降ピンを降下してリング部材を基板の表面周縁部に接する位置あるいはわずかに上方位置に置き、基板が浮上しようとしたときに係止して飛び出しを防ぐ。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、ウエハのエッジ上への、増加または減少し、かつより均一な堆積を可能にするシャドウリングを意図する。シャドウリングの上面および／または底面から材料を除去することにより、エッジ堆積および斜面カバレージの増加を実現することができる。１つの実施形態において、底面の材料は、底面にくぼんだスロットを設けることにより減少する。シャドウリングの材料の量を増加することにより、エッジ堆積および斜面カバレージが減少する。ウエハのエッジにおける堆積を調整するための別の手法として、シャドウリングの内径を増加または減少させることが挙げられる。ウエハのエッジにおける堆積の量を変えるために、シャドウリングを形成する材料が変更されても良い。
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【課題】メンテナンス作業をより簡便なものとすることで、メンテナンスコスト及びランニングコストの低減に寄与する基板支持装置及び基板支持装置を備える真空処理装置を提供する。
【解決手段】基板３を搭載して真空処理装置Ｓ内を搬送される基板支持装置１は、基板３を一端部側で支持する弾性体からなる少なくとも１つの基板支持爪１５と、基板支持爪１５の他端部側が配置されるホルダー１１と、ホルダー１１に取り付けられるホルダカバー１３と、を有してなり、ホルダカバー１３をホルダー１１に取り付けることにより、基板支持爪１５をホルダカバー１３とホルダー１１との間に挟んで所定位置に支持することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。また、電気特性が優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置を生産性高く作製する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の処理室に設けられた複数の凸部を備える電極から、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を導入し、高周波電力を供給し、グロー放電を発生させて、基板上に結晶粒子を形成し、該結晶粒子上にプラズマＣＶＤ法により微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ピットの発生が抑制され、バルク状でかつ結晶性の高い単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】 単結晶体の製造方法は、種基板の上面であって、中心から周縁にかけて設けられた平面部と該平面部の周囲を囲むように周縁に設けられた傾斜部とを有する前記上面のうち、前記傾斜部上にマスクを設ける工程１と、前記工程１の後、気相成長法によって前記種基板上に単結晶のホモエピタキシャル成長を行う工程２と、を具備する。 （もっと読む）

チャンバ内の基板を加熱するための装置および方法を提供する。一実施形態では、本装置は、基板を受けるように適合された支持表面を有する基板支持アセンブリと、支持表面から一定の距離に当該支持表面に平行に基板を支持するため、かつ支持表面に実質的に直交する基準軸を中心として基板をセンタリングするための複数のセンタリング部材とを備える。複数のセンタリング部材が、支持表面の周辺に沿って可動に配置され、複数のセンタリング部材の各々が、基板の周辺エッジに接触するため、または支持するための第１の端部を備える。
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【課題】気相成長中に基板の回転を防止することを目的とする。
【解決手段】ホルダ２に規制治具１０が設置される規制治具設置部１１を設け、規制治具１０および規制治具設置部１１の底面に基板４方向が低くなる傾斜１２を設けることにより、基板４が外側に広がるときには規制治具１０が傾斜１２を上って基板４にかかる力を緩和し、基板４と規制治具１０に隙間が生じるような動きをするときには規制治具１０が傾斜１２を下って基板４を規制することにより、基板４の破損を抑制しながら基板４の回転を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板上での酸化物形成方法。
【解決手段】 本発明の方法によると、基板をチャンバに置く。次いで、酸素含有ガス及び水素含有ガスをチャンバに供給する。次いで、酸素含有ガスと水素含有ガスを相互に反応させてチャンバ内に水蒸気を形成する。次いで、水蒸気が基板を酸化する。 （もっと読む）