【課題】 より信頼性の高い接合界面を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１を、接合界面Ｓｊ側の表面に形成された第１金属膜１６を有する第１半導体部１０と、接合界面Ｓｊで第１金属膜１６と接合された第２金属膜２６を有する第２半導体部２０と、界面バリア部２８とを備える構成とする。第２金属膜２６の接合界面Ｓｊ側の表面面積は第１金属膜１６の接合界面Ｓｊ側の表面面積より小さくする。そして、第１金属膜１６の接合界面Ｓｊ側の面領域のうち第２金属膜２６と接合しない面領域を含む領域に界面バリア部２８を設ける。 （もっと読む）

【課題】３次元的に積層された複数の半導体チップを有する半導体装置の製造歩留まりを向上できる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１の第２面１ｂからパッド３に達する貫通電極１７が形成されている。貫通電極１７の内部にある貫通空間は、第１孔７および第１孔７よりも孔径の小さい第２孔１１によって構成されている。半導体基板１の第２面１ｂから半導体基板１を貫通して層間絶縁膜２の途中まで第１孔７が形成されている。そして、第１孔７の底部から層間絶縁膜２を貫通してパッド３に達する第２孔１１が形成されている。このとき、半導体基板１の第１面１ａに形成されている層間絶縁膜２は、第１孔７の底面と半導体基板１の第１面１ａとの段差を反映して段差形状になっている。すなわち、第１孔７の底面とパッド３間に存在する層間絶縁膜２の膜厚がその他の場所の層間絶縁膜２の膜厚よりも薄くなっている。 （もっと読む）

【課題】プロセスマージンを大きく取れる配線配置構造を提供する。
【解決手段】基板上に形成された複数の第１配線６を含む第１配線層と、第１配線層上に形成され、第１配線６に接続された複数のビアコンタクト１０を含むコンタクト層と、コンタクト層上に形成され、ビアコンタクト１０に接続された複数の第２配線１４を含む第２配線層とを備える半導体装置において、コンタクトピッチは、第１配線６の最小配線ピッチ、又は、第２配線１４の最小配線ピッチ、よりも大きくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】 スカロップ状側壁を有するシリコン貫通ビアを提供する。
【解決手段】 基板、前記基板を覆う、１つ以上の誘電体層、及び前記基板を穿通して延伸し、スカロップ状の表面の側壁を有し、前記側壁に沿ったスカロップは約０.０１μｍより大きい深さを有するシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）を含む半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中にコンタクトホールを形成せずに、絶縁膜の表面と裏面の間に導電領域を形成することを課題とする。
【解決手段】基板上の半導体素子及び第１の電極上に絶縁膜を形成し、絶縁膜中に第１の加速電圧で第１のイオンを添加して、絶縁膜中の第１の深さに第１の欠陥の多い領域を形成し、第１の加速電圧とは異なる第２の加速電圧で、第２のイオンを添加して、絶縁膜中の第１の深さとは異なる第２の深さに第２の欠陥の多い領域を形成し、第１及び第２の欠陥の多い領域上に、金属元素を含む導電材料を形成し、第１及び第２の欠陥の多い領域のうちの上方の領域から下方の領域に、金属元素を拡散させることにより、絶縁膜中に、第１の電極と、金属元素を含む導電材料とを電気的に接続する導電領域を形成する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】絶縁体上にもグラファイト層を容易に形成することができる集積回路装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１上に触媒層２を形成し、その上にサポート層３を形成しておく。触媒層２としてＣｏ層を形成し、サポート層としてＴｉＮ層を形成する。これらは、例えばスパッタリング法により形成する。次いで、アセチレンを含む原料ガスを用いて熱ＣＶＤ処理を行う。この結果、触媒層２が絶縁基板１及びサポート層３に挟み込まれているが、カーボン原料はサポート層３を透過して触媒層２まで到達するので、グラファイト１１が絶縁基板１と触媒層２との間に成長する。 （もっと読む）

【課題】高集積化された半導体集積回路の厚さを薄くする手段を提供する。
【解決手段】基板１１上に、第１のバンプと接続する第１の半導体素子層５１と、第１の貫通電極１０４を作製し、第２のバンプに接続する第２の半導体素子層５９と、第２のシート状繊維体と第２の有機樹脂を有する第２の構造体１２０を作製し、第３のシート状繊維体と第３の有機樹脂を有する第３の構造体１２１の、未硬化の第３の有機樹脂１１４上に金属粒子を有する導電性樹脂を配置することより未硬化の第３の有機樹脂が溶解し、金属粒子が第３のシート状繊維体の間を移動し、第３の構造体を貫通する第３の貫通電極２０１が形成され、基板上で第１の貫通電極、第３の貫通電極、第２のバンプが重なり合うように配置し、第３の有機樹脂を硬化させる半導体装置及びその作製方法。 （もっと読む）

【課題】ソースドレイン領域のサイズが増大することがない局所配線構造を備えた半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１１の上に形成されたゲート電極２２及び半導体基板１１におけるゲート電極２２の両側方にそれぞれ形成された第１のソースドレイン領域２９Ａ及び第２のソースドレイン領域２９Ｂを有するトランジスタ１２と、半導体基板１１の上における第１のソースドレイン領域２９Ａを挟んでゲート電極２２と反対側に形成されたゲート配線４２と、ゲート配線４２と第１のソースドレイン領域２９Ａとを接続する局所配線構造６０とを備えている。局所配線構造６０は、第１のソースドレイン領域２９Ａ及びゲート配線４２の上面に跨って形成されたＳｉＧｅ層６１によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＯＬレベルから正負とも低電圧の範囲で拡散工程中のチャージアップから被保護素子を保護し、且つ、拡散工程完了後は被保護素子の駆動に必要な正負両極性の高電圧を被保護素子に印加することが可能な半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１１に形成され、被保護素子電極２２を有する被保護素子２１と、半導体基板１１と電気的に接続された基板接続電極４２を有する基板接続部４１と、被保護素子電極２２と基板接続電極４２との間に形成されたヒューズ素子電極３２を有するヒューズ素子部３１とを備えている。ヒューズ素子電極３２は、所定の電流を流すことにより切断可能に形成され、ヒューズ素子電極３２が切断されていない状態において、被保護素子電極２２、基板接続電極４２及びヒューズ素子電極３２は、一体に形成された導電膜１５からなる。 （もっと読む）

【課題】駆動能力を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置には、ゲート幅方向に断続的に深さの変化する凹部を設けるためのトレンチ部３が形成されており、ゲート絶縁膜６を介して、トレンチ部３の内部及び上面部にゲート電極７が形成されている。ゲート電極７のゲート長方向の一方の側にはソース領域９が形成されており、他方の側にはドレイン領域１０が形成されている。ソース領域９とドレイン領域１０の少なくとも一部では、ゲート電極７の形成前にトレンチ部３の内壁からイオン注入を用いて不純物添加をおこなった後、拡散および活性化の熱処理を施すことによって、トレンチ部３の表面から底部にかけて深く形成させることを可能とする。これにより、ゲート電極７の凹部上面に集中して流れていた電流がトレンチ部３の全体に一様に流れるようになり、ゲート幅方向に深さが変化するように形成された凹部の実効的なゲート幅が広がる。このため、半導体装置のオン抵抗が低下し、駆動能力が高まる。 （もっと読む）

【課題】分離溝形成のためのシリコン基板エッチングにおいてエッチングレートを低下させることなく、且つ、チップ面積の増加を防ぐとともに貫通電極形成領域の十分な広さを確保することが可能なチップ積層型の半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１００を貫通する貫通電極１１６と、貫通電極１１６を取り囲むようにシリコン基板１００を貫通して設けられたリング状の分離溝１０３と、分離溝１０３の内周側面１０３ｉｓ及び外周側面１０３ｏｓとそれぞれ接するシリコン膜１０４ｉｓ及びシリコン膜１０４ｏｓと、シリコン膜１０４ｉｓとシリコン膜１０４ｏｓとの間に設けられた絶縁膜１０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩに適用されるカーボン配線の構造的安定性を高め、ＬＳＩプロセス中の表面平坦化処理との適合性を向上させる。
【解決手段】ＬＳＩ用のカーボン配線構造は、層間絶縁膜を介して位置する第１導体（１１）および第２導体（１３）と、前記第１導体と第２導体を電気的に接続するカーボン配線（２０）とを有し、前記カーボン配線は、前記第１導体と第２導体の間に延びる複数の炭素繊維（２１）と、前記炭素繊維の間を充填する樹脂層（２２）とを含む。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを用いた半導体素子の層間配線およびその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極と、前記下部電極と電気的に連結されるように設けられるカーボンナノチューブ成長用の触媒層と、前記触媒層表面から上方に成長する多数のカーボンナノチューブで構成され、上端部の個数密度が下端部の個数密度より高いカーボンナノチューブ束と、前記カーボンナノチューブ束を取り囲む層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に前記カーボンナノチューブ束の上端部と電気的に連結されるように配置される上部電極と、を備えることを特徴とする、カーボンナノチューブを用いた半導体素子の層間配線およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に備えられるスパイラルインダクタの特性を向上させる。
【解決手段】 半導体基板１と、該半導体基板１上に形成されるパシベーション膜２と、上記半導体基板１上に上記パシベーション膜２を介して形成されるスパイラルインダクタ配線４とを備える半導体装置であって、上記スパイラルインダクタ配線４が、層間絶縁層３の一方側に配置される第１配線層４１と、上記層間絶縁層３の他方側に配置される第２配線層４２と、上記第１配線層４１と上記第２配線層４２との各々に対して鈍角に接続される傾斜配線層４３とを有している。 （もっと読む）

【課題】 導電部の膨張破壊や電極断線、及び基板の破壊等を生じることが無く、耐熱性等に優れた半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板２の一方の面２ａに配され、該面内にある機能素子５と電気的に接続された電極４と、基板２の他方の面２ｂから一方の面２ａに配した電極４が露呈するように、基板２内に開けられた貫通孔３と、該貫通孔３内の側面３ａ及び電極４の露呈部４ａを覆うように配され、電極４と電気的に接続された導電部と、該導電部に接するように配された補強材とを具備している。 （もっと読む）

【課題】 ２以上の導線層の層間配線に多層カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）が使用される配線構造の低抵抗化を図ることの可能な配線構造を得ること。
【解決手段】 配線構造では、２以上の導電層の層間配線に多層ＣＮＴが使用される。前記多層ＣＮＴに含まれるグラフェンシートにより形成され、前記多層ＣＮＴの成長基点から遠い側の端部に同心状に形成される複数の環状の切り口が、導電層にそれぞれ接触する。ＣＮＴのキャップ層の部分を介さずに、導電層とグラフェンシートが接するので、それらの間の接触抵抗は従来よりも小さくなる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の一面側に形成された半導体素子の電極端子と、この半導体基板の他面側に形成された外部接続端子用のパッドとを電気的に接続する距離を可及的に短距離にできる半導体装置を提供することにある。
【解決手段】半導体素子１２が一面側に造り込まれた半導体基板１０の半導体素子形成面側には、半導体素子１２の電極端子１２ａから半導体基板１０と電気的に絶縁されて延出されたパターン１４と、半導体素子１２及びパターン１４を覆う絶縁層１６とが形成され、 半導体基板１０の他面側には、パターン１４と電気的に接続された外部接続端子用のパッド３２が形成された半導体装置であって、該半導体基板１０の他面側に開口され且つ底面にパターン１４の半導体素子近傍の半導体基板側面が露出する凹部は、その側壁面を覆う絶縁層２２と、パターン１４の半導体基板側面に一端部が接続されていると共に、他端部が前記凹部の開口部を覆うように形成されたパッド３２に接続された金属から成る柱状導体部３０とによって充填されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 貫通電極を有する半導体装置において、少ない面積で高密度に貫通電極を設ける。
【解決手段】 半導体装置１００において、シリコン基板１０１を貫通する孔に充填された多重貫通プラグ１１１を設ける。多重貫通プラグ１１１は、円柱状で中実の第一の貫通電極１０３、第一の貫通電極１０３の円筒面を覆う第一の絶縁膜１０５、第一の絶縁膜１０５の円筒面を覆う第二の貫通電極１０７、および第二の貫通電極１０７の円筒面を覆う第二の絶縁膜１０９からなり、これらは同じ中心軸を有する。また、第一の絶縁膜１０５、第二の貫通電極１０７および第二の絶縁膜１０９の上断面は円環状とする。 （もっと読む）