【課題】被加工材とレジストのエッチングの選択比を高くすることのできるエッチング方法、、このエッチング方法により加工されたサファイア基板、及び、このサファイア基板を備える発光素子を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置を用いたエッチング方法であって、被加工材上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜に所定のパターンを形成するパターン形成工程と、前記パターンが形成された前記レジスト膜を所定の変質用条件にてプラズマに曝し、前記レジスト膜を変質させてエッチング選択比を高くするレジスト変質工程と、被加工材を変質用条件と異なるエッチング用条件にてプラズマに曝し、エッチング選択比が高くなった前記レジスト膜をマスクとして被加工材のエッチングを行う被加工材のエッチング工程と、を含むようにした。 （もっと読む）

【課題】サファイアのエッチングにおいて選択比を高めることの可能なプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置は、レジストマスクを有したエッチング対象物であるサファイア基板Ｓを収容する真空槽１０と、三塩化ホウ素を含むガスで真空槽１０内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、サファイア基板Ｓが載置されるトレイ２０と、サファイア基板Ｓの端面の周囲に配置される包囲部材としてのトレイカバー２１とを備える。トレイカバー２１はトレイ２０上のうちサファイア基板Ｓ以外の部分を覆っており、その表面は、樹脂から形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供する。特に、ゲート電極をメタル材料で構成する電界効果トランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】レジストパターン１２をマスクとしたドライエッチングにより、ゲート電極１３ｎまたはゲート電極１３ｐを形成した後、酸素および水素を含むプラズマ雰囲気中においてアッシング処理を施すことにより、レジストパターン１２を除去し、ゲート電極１３ｎまたはゲート電極１３ｐの側面に付着した反応生成物１４を酸化する。その後、洗浄処理を施して、反応生成物１４を除去する。 （もっと読む）

【課題】複雑な構造で、高精確性を有し、且つ生産コストが低い三次元ナノ構造体アレイ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の三次元ナノ構造体アレイの製造方法は、基板を提供する第一ステップと、前記基板の表面にマスク層を設置する第二ステップと、前記マスク層を加工して、前記マスク層の表面に、並列した複数のストリップ状の突部構造を形成し、隣接する該ストリップ状の突部構造の間に、凹溝を形成させる第三ステップと、前記マスク層をエッチングして、前記凹溝と対応する領域における前記基板の表面を露出させる第四ステップと、エッチングによって、前記隣接するストリップ状の突部構造を二つずつ互いに接近させて、更に接触させ、三次元ナノ構造体予備成形物を形成する第五ステップと、前記マスク層を取り除き、三次元ナノ構造体アレイを形成する第六ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタを提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁層中に埋め込まれ、上面の少なくとも一部が下地絶縁層から露出した電極層上に、一対の低抵抗領域及びチャネル形成領域を含む酸化物半導体層を設け、電極層において、または、酸化物半導体層の低抵抗領域であって電極層と重畳する領域において、酸化物半導体層の上層に設けられる配線層との電気的な接続を行うトランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）及びその製造方法に係り、該高電子移動度トランジスタは、基板と、基板から離隔された位置に備わった高電子移動度トランジスタ積層物と、基板と高電子移動度トランジスタ積層物との間に位置した疑似絶縁層と、を含み、該疑似絶縁層は、異なる相の少なくとも２つの物質を含む。前記異なる相の少なくとも２つの物質は、固体物質と非固体物質とを含む。前記固体物質は、半導体物質であり、前記非固体物質は、空気である。 （もっと読む）

【課題】純粋化学エッチング並びにＲＩＥエッチングにおいてエッチング速度の均一性向上のための方法を提供する。
【解決手段】プラズマ加工システムで利用するプラズマ加工ステップの調整方法において、プラズマ加工システムのプラズマ反応器内で中性分子とイオンとを含んだ第１プラズマをストライク処理するステップを含む。この方法はさらに、基板上の複数層を第１エッチングステップでエッチングするステップと、基板周囲に可動均一リング３０２を設置するステップとを含む。均一性リングの底面は基板の上面とほぼ同じ高さである。方法はさらに、プラズマ加工システムのプラズマ反応器内で本質的に中性分子で成る第２プラズマをストライク処理するステップを含む。方法はさらに、基板上の複数層を第２エッチングステップでエッチングするステップをむ。第１ステップのエッチングと第２ステップのエッチングとは実質的に均等である。 （もっと読む）

【課題】ウエハ上のイオンエネルギーを所望の範囲の値に調節して、高精度な加工または長期間安定して処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に配置され内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室内に配置されその上部の載置面に処理対象のウエハが載せられるステージと、このステージ内部に配置された電極にバイアス電位を形成するための高周波電力を供給する電源とを備え、前記電源から前記高周波電力を供給しつつ前記プラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、前記ステージの前記載置面の外周側に配置されその上方に形成される前記バイアスの電圧の値から最大値及び最小値との差の成分Ｖppと直流の成分Ｖdcとを検出する検出器と、この検出器からの出力に基づいて前記処理中Ｖpp／２＋｜Ｖdc｜の値を一定になるように高周波バイアス電力の出力を調節する制御器とを備えた。 （もっと読む）

【課題】Ｍｏ層上に積層されたＡｌＮ層のエッチングにおいて、Ｍｏ層のエッチングを抑えることのできるプラズマエッチング装置、及び誘電体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０は、エッチング対象を収容する真空槽１１と、誘導アンテナ１９、アンテナ用高周波電源ＲＦ２、及びバイアス用高周波電源ＲＦ１から構成され、エッチング対象に引き込まれるプラズマを生成するプラズマ生成部とを備えている。エッチング対象は、下部Ｍｏ層上に積層されたＡｌＮ層であり、プラズマ生成部は、Ｎ_２ガスからプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストマスクに対する窒化ガリウム層の選択比を向上することができるドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】フォトレジストマスクが積層された窒化ガリウム層のドライエッチング方法であって、ヨウ化水素ガス及びＢＣｌ_３ガスを含むエッチングガスのプラズマを生成し、該プラズマによって前記窒化ガリウム層をエッチングするとともに、前記エッチングガスのうち前記ヨウ化水素ガスの体積比率は、６０％以上８０％以下である。 （もっと読む）

【課題】難エッチング材料を、高速、高精度及び低ダメージでエッチングする。
【解決手段】実施形態に係わるエッチング装置は、上面側に披処理基板１９が搭載されるステージ１１と、ステージ１１の上面側を覆うチャンバー１２と、ステージ１１の下面側に付加され、開口部を有する下部電極１３ａと、チャンバー１２内にエッチングガスを供給するガス供給部１４と、下部電極１３ａに高周波を印加することにより、チャンバー１２内のエッチングガスをプラズマ化する高周波電源部１７と、下部電極１３ａの開口部を介して被処理基板１９にマイクロ波を印加することにより、披処理基板１９の温度を最適範囲内に設定するマイクロ波発生部１５と、ガス供給部１４、高周波電源部１７及びマイクロ波発生部１５を制御する制御部１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、ソースとドレインの間にリーク電流が生じにくく、コンタクト抵抗が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜により形成されるトランジスタの電極膜上に酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、及び第２の絶縁膜を積層して形成し、第２の絶縁膜上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクの開口部と重畳する部分の第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をエッチングして電極膜を露出する開口部を形成し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部をアルゴンプラズマに曝し、エッチングマスクを除去し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部に導電膜を形成し、第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、第２の絶縁膜は第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、第１の絶縁膜よりもガス透過性が低い。または逆スパッタリングを行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】マスク倒れを防止でき、しかもＡｌＣｕ配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第２層間膜１７上に、下側ＴｉＮ／Ｔｉ膜２９、ＡｌＣｕ膜３０および上側ＴｉＮ／Ｔｉ膜３１を順に積層することによってＡｌＣｕ配線層３４を形成する。次に、ＡｌＣｕ配線層３４上に、ＳｉＯ_２膜３３およびＳｉＣ膜３５からなる積層膜３６を形成し、この積層膜３６をパターニングすることによりハードマスク３７を形成する。そして、このハードマスク３７を利用してＡｌＣｕ配線層３４をドライエッチングすることにより、当該エッチングによりＳｉＣ膜３５から解離したＣを含む反応生成物を含む側壁保護膜３２を、エッチング途中のＡｌＣｕ膜３０の側面に形成しながらＡｌＣｕ配線層３４をパターニングすることによって、第１ＡｌＣｕ配線２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】マスク倒れを防止でき、しかもＡｌＣｕ配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第２層間膜１７上に、下側ＴｉＮ／Ｔｉ膜２９、ＡｌＣｕ膜３０および上側ＴｉＮ／Ｔｉ膜３１を順に積層することによってＡｌＣｕ配線層３４を形成する。次に、ＡｌＣｕ配線層３４上に、ＳｉＯ_２からなるハードマスク３７を形成する。そして、このハードマスク３７を利用してＡｌＣｕ配線層３４をドライエッチングすることにより、第１ＡｌＣｕ配線２０を形成する。第１ＡｌＣｕ配線２０の形成後、この配線２０を窒素プラズマに曝露する。これにより、既存の側壁保護膜３２にＡｌＮが合わさって側壁保護膜３２を分厚くすることができる。 （もっと読む）

【課題】マスク倒れを防止でき、しかもＡｌＣｕ配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第２層間膜１７上に、下側ＴｉＮ／Ｔｉ膜２９、ＡｌＣｕ膜３０および上側ＴｉＮ／Ｔｉ膜３１を順に積層することによってＡｌＣｕ配線層３４を形成する。次に、ＡｌＣｕ配線層３４上に、ＳｉＯ_２からなるハードマスク３７を形成する。そして、このハードマスク３７を利用してＡｌＣｕ配線層３４をドライエッチングすることにより、第１ＡｌＣｕ配線２０を形成する。第１ＡｌＣｕ配線２０の形成後、この配線２０の表面を覆うように、ＳｉＮ膜３８を形成する。これにより、既存の側壁保護膜３６にＳｉＮ膜３８が合わさって側壁保護膜３２が形成される。 （もっと読む）

【課題】マスク倒れを防止でき、しかもＡｌＣｕ配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣからなる第２層間膜１７上に、下側ＴｉＮ／Ｔｉ膜２９、ＡｌＣｕ膜３０および上側ＴｉＮ／Ｔｉ膜３１を順に積層することによってＡｌＣｕ配線層３４を形成する。次に、ＡｌＣｕ配線層３４上に、ＳｉＯ_２からなるハードマスク３７を形成する。そして、このハードマスク３７を利用してＡｌＣｕ配線層３４をドライエッチングすることにより、第１ＡｌＣｕ配線２０を形成する。第１ＡｌＣｕ配線２０の形成後、第２層間膜１７をエッチングすることにより低段部２８を形成する。このとき、第２層間膜１７（ＳｉＣ）からＣを解離させ、その解離したＣを含む反応生成物を側壁保護膜３２に定着させることによって、側壁保護膜３２を厚くする。 （もっと読む）