Fターム[4M104EE00]の内容
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n−FET用途のためのHfSiN金属を形成する方法
【課題】 高k誘電体及び界面層を含むゲート・スタック上に、熱的に安定した新しい金属化合物を提供すること。
【解決手段】 高k誘電体及び界面層を含むゲート・スタック上に、約4.0eVから約4.5eVまで、好ましくは約4.3eVの仕事関数を有する、熱的に安定したn型金属であるHfSiNを含む金属化合物である。さらに、(約1000℃のオーダーの)高温でHfSiN/高k誘電体/界面層のスタックをアニールした後、界面層が減少され、よって、ゲート・スタックは、TaSiNを用いて達成することができない、非常に薄い等価酸化物厚(伝統的には、12Å)をもたらす。
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