Fターム[5F101BF00]の内容
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半導体集積回路装置
【課題】少バイト単位の書き込みを実現するメモリアレイ構成において、ディスターブ回数を緩和しながらメモリゲートドライバ数を削減する。
【解決手段】メモリアレイ11は、複数のサブアレイ17、MGトランスファ18、SLドライバ19、およびCGドライバ20から構成されている。サブアレイ17は、複数のメモリゲート線、コントロールゲート線、ソース線、およびビット線BLを有し、これら各線の交差する部分にメモリセルMCがそれぞれ配置される。コントロールゲート線、CGドライバ20、ソース線、およびSLドライバ19は、サブアレイ17に共通に設置されるが、メモリゲート線とMGバッファ回路21とは、サブアレイ17毎に設置される。これにより、メモリアレイ11の回路規模を増大させることなく、書き込み単位を少なくし、ディスターブによる影響を減少させる。
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