【課題】テーパー形状のＡｌ配線膜を容易かつ安定的に得る。
【解決手段】Ａｌ配線膜１０１は、ＡｌもしくはＡｌ合金から成る第１のＡｌ合金層１０１ａと、その上に配設され、Ｎｉ、ＰｄおよびＰｔのいずれか１以上の元素を含み第１のＡｌ合金層１０１ａとは異なる組成のＡｌ合金から成る第２のＡｌ合金層１０１ｂとから成る二層構造を有する。フォトレジスト１０２の現像処理に用いるアルカリ性薬液により、第２のＡｌ合金層１０１ｂはエッチングされ、その端部はフォトレジスト１０２の端部よりも後退する。その後、フォトレジスト１０２をマスクとするウェットエッチングを行うことにより、Ａｌ配線膜１０１の断面はテーパー形状となる。 （もっと読む）

【課題】隣り合う画素電極の間に重なる領域にデータ線や、画素電極と異なる電位が印加された第１容量電極が設けられている場合でも、画素電極の端部周辺に余計な電界が発生することを防止することのできる電気光学装置、投射型表示装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、画素電極９ａの間の第２画素間領域１０ｈに平面視で重なる領域にデータ線６ａおよび第１容量電極５ａが設けられているが、これらの電極（第１容量電極５ａおよびデータ線６ａ）より画素電極９ａの側には、画素電極９ａに導通する中継電極７ａが設けられている。このため、画素電極とデータ線との間、および画素電極と第１容量電極との間に余計な電界が発生しない。 （もっと読む）

【課題】シール材の段差を一様にして、液晶の歩留まり、信頼性を向上する。
【解決手段】素子基板と、素子基板に設けられた薄膜トランジスタを有する画素部と、素子基板の画素部を囲むように設けられたシール材と、素子基板のシール材の内側に設けられた片側駆動方式の周辺駆動回路と、シール材下に設けられ、周辺駆動回路に接続される第１の配線、第２の配線と、シール材下の第１の配線及び第２の配線と対向する領域にそれぞれ設けられ、第１の配線及び第２の配線と電気的に絶縁された支持部材と、支持部材と一部が重なるように設けられたブラックマトリクスと、を有し、支持部材及び第１の配線は、同一材料からなる。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物中の酸素欠損を低減し、電気的特性の安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第１の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の穴内に設けたプラグ電極によって導電層同士の導通を行うにあたって、研磨時間やプラグ電極形成用導電膜の成膜時間を短縮することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板において、第２電極層７ａと画素電極９ａとを層間絶縁膜４８の穴４８ａ内に設けたプラグ電極８ａを介して電気的に接続するにあたって、第１絶縁膜４６に設けたコンタクトホール４６ａを埋めるようにプラグ電極８ａを形成した後、第２絶縁膜４７を成膜する。そして、第２絶縁膜４７を表面側から研磨してプラグ電極８ａを露出させた後、第２絶縁膜４７の表面側に画素電極９ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】横電界モードを用いた液晶表示装置において、配線の抵抗の抑制を図り、画素数を増加させても液晶表示装置の駆動速度の低下を抑えることができる、液晶表示装置とその作製方法を提案する。
【解決手段】第１の配線と第２の配線の交差部において、一方の配線を分断し、分断した配線を絶縁膜上の接続電極で架橋し、寄生容量を低減することができる。また、画素電極である第１の電極層、共通電極である第２の電極層と同時に接続電極を形成し、これらの膜厚を厚くし、配線抵抗の小さい金属を用いることで配線による抵抗を小さくすることができ、液晶表示装置の駆動速度の低下を抑制することができる液晶表示装置および液晶表示装置の作製方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】遮光層の遮光性能を低下させずに、素子基板に対する加熱処理を行うことのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の製造工程において、素子基板用の基板本体１０ｗの一方面１０ｓに走査線３ａ（遮光層）、絶縁膜１２を形成した後、半導体層１ａを形成する半導体層形成工程、および半導体層１ａに導入した不純物を拡散させる不純物拡散工程では、レーザーアニール装置やランプアニール装置等の加熱装置９２０によって、一方面１０ｓ側を他方面１０ｔ側より温度を高くした状態で加熱する。このため、走査線３ａは高い温度に加熱されないので、走査線３ａに用いたアルミニウム膜やタングステンシリサイド膜に溶融や再結晶化等が発生しない。 （もっと読む）

【課題】表示品位を改善することが可能な表示装置及び表示装置用アレイ基板を提供する。
【解決手段】 絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置され可視光領域での透過率が０．５以上の下地層、前記下地層より厚い膜厚を有するとともに前記下地層の上に積層された透明材料からなる透明層、及び、前記透明層の上に積層された主配線材料からなる主配線層の積層体によって形成された信号配線と、を備え、前記透明層の膜厚をｄ（ｎｍ）とし、前記透明層の屈折率をｎとしたとき、積ｎ×ｄが４００より小さいことを特徴とする表示装置用アレイ基板。 （もっと読む）

【課題】液晶滴下により、広視野角表示のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置を実
現する。
【解決手段】第１の基板及び第２の基板間に滴下された液晶を保持するためのシール材と
、シール材に囲まれ、第１の基板上に設けられた画素部と、シール材の外側において、第
２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置されるＩＣチップと、シール材の外側
において、第２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置される、画素部とＩＣチ
ップとを電気的に接続する異方性導電膜と、シール材と交差するように画素部から異方性
導電膜が配置される領域まで延び、第１の基板上に設けられた画素部とＩＣチップとを電
気的に接続する配線とを有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を防ぎつつ、消費電力の低減を実現することができる、液晶表示装置の駆動方法を提案する。
【解決手段】液晶素子と、当該液晶素子への画像信号の供給を制御するトランジスタとを画素に有する。上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極めて小さい。そして、画素を反転駆動させる際に、画素電極を間に挟んで配置されている一対の信号線に、互いに逆の極性を有する画像信号を入力する。上記構成により、液晶素子に容量素子を接続しなくても、表示される画質が低下するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電界効果移動度が大きい酸化物半導体層を用いた半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。また、高速動作可能な半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層をハロゲン元素により終端化させて、酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接する導電層のコンタクト抵抗の増大を抑制することで、酸化物半導体層と導電層のコンタクト抵抗が良好になり、電界効果移動度が高いトランジスタを作製することができる。 （もっと読む）

【課題】微小なコンタクトホールを形成し、集積回路を微細化することを目的とする。
【解決手段】スイッチング素子および各配線を覆う層間絶縁膜１１１として有機材料を用い、且つ、金属膜１１２のマスクを用い、ドライエッチング法によってコンタクトホールを形成し、配線１１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】使用者が、場所を選ばず情報を閲覧、さらには画面に表示されたキーボードに直接またはスタイラスペンなどを用いて間接的に触れることにより情報を入力でき、その入力情報を利用することができる新規の電子機器を提供することを課題の一とする。
【解決手段】フレキシブル基板上に反射電極と電気的に接続する第１のトランジスタと、フォトセンサとを有し、表示部の第１画面領域にタッチ入力ボタンを静止画として表示し、表示部の第２画面領域に動画として出力表示する。表示部に表示される画像が静止画である場合と、動画である場合とで異なる信号供給を表示部の表示素子に行う映像信号処理部を有し、静止画を書き込んだ後に表示素子制御回路を非動作とすることで、消費電力の節約ができる。 （もっと読む）

【課題】液晶層の電荷の偏りを減らす。
【解決手段】本発明の液晶装置は、画素電極３５と、スイッチング素子３４と、対向電極８２と、液晶層２８と、第１配向膜７１と、第１配向膜７１と画素電極３５との間に設けられた酸化シリコンからなる誘電体層７０と、液晶層２８と対向電極８２との間に、対向電極８２と当接して設けられた第２配向膜８３と、を備える。画素電極３５にスイッチング素子３４を介して対向電極電位に対する高電位と低電位とが交互に印加される。画素電極３５に高電位が印加されているときのスイッチング素子３４の寄生容量による画素電極３５の電位の変化量と、画素電極３５に低電位が印加されているときの寄生容量による画素電極３５の電位の変化量との平均値の分だけ、高電位と低電位との平均電位をシフトさせた電位を基準電位としたときに、対向電極電位が、基準電位よりも低い。 （もっと読む）

【課題】結晶性シリコン薄膜トランジスタのオフ電流を低減させ、表示コントラストを向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】基板ＳＵＢ１上に形成されるゲート絶縁膜ＧＩを介してゲート電極ＧＴの上層に形成される第１の半導体層ＭＳＦと、第１の半導体層ＭＳＦの上面に形成され、凹部が形成される第２の半導体層ＡＳＦとからなる活性層と、凹部を挟んで対向配置される一対のコンタクト層ＣＮＬと、コンタクト層ＣＮＬの一方の上層に形成されるドレイン電極ＤＴと、他方の上層に形成されるソース電極ＳＴと、活性層の上面及び前記ドレイン電極ＤＴと前記ソース電極ＳＴの上面に連続して形成される保護膜ＰＡＳｉとを有する薄膜トランジスタを備え、凹部が形成されている領域の膜厚は１６０ｎｍ以上である装置。 （もっと読む）

【課題】広い視野角を確保し、低い電圧で液晶を駆動して消費電力を低減し、また、開口率を大きくし、さらに色相による透過率の差を補償する。
【解決手段】第１基板と、第２基板と、第１基板及び第２基板の間に封止されており、複数の液晶分子で構成される液晶物質層と、第１基板上に形成される面形電極と、第１基板上に形成され、画素領域において面形電極と重畳する少なくとも２つの線形電極とを含み、線形電極と面形電極との間に電圧を印加することにより電気場が生成され、線形電極の境界における電気場の平均水平成分は、２つの線形電極の中間における電気場の平均水平要素よりも大きい、液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】クロストーク等が生じにくい、電力消費量が小さい、静電破壊を防止した、液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１絶縁基板２上において、行列状に配置された複数の走査電極８および複数の信号電極９と走査電極８と信号電極９との交点近傍に配置された複数の画素電極１０と、各走査電極８と各信号電極９と各画素電極１０に接続された各スイッチング素子１１と、第１絶縁基板上に配置された複数の第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０と、各画素電極１０と各第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０との間に接続された各補助コンデンサ１２と、各第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０に接続された第２共通電極１３とを備え、各走査電極８と第２共通電極１３との交点において、両基板８，１３との間に、第１絶縁層および第２絶縁層が積層された。 （もっと読む）

【課題】銅配線層の接着性を改善するとともに、銅配線層の抵抗値が大きくなることを抑制する配線構造を提供する。
【解決手段】配線構造１０では、ガラス基板１１上に、チタンからなる接着層１２と、酸化銅からなるバリア層１３と、純銅からなる銅配線層１４とが順に積層されている。接着層１２は、銅配線層１４をガラス基板１１に確実に接着させて、銅配線層１４がガラス基板１１から剥がれるのを防止する。バリア層１３は、配線構造１０を熱処理したときに、接着層１２を構成するチタン原子が銅配線層１４内に拡散しないようにして、銅配線層１４の抵抗値が大きくならないようにする。このため、銅配線層１４は、熱処理された後も、比抵抗を小さな値に保つことができるので、信号の遅延を防止できる。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】前記アレイ基板の製造方法は、ゲートラインとゲート電極を含むパターンを形成するステップと、活性層と、データラインと、ソース電極と、ドレイン電極とを含むパターンを形成するするとともに、上記パターン以外の領域のゲート絶縁層を除去するステップと、露光・現像により、感光樹脂層に第１ビアホールと、第２ビアホールと、第３ビアホールとを含むパターンを形成するステップと、第３ビアホールを介してドレイン電極に接続する画素電極と、第１接続電極と、第２接続電極とを含むパターンを形成するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】透明基板との高い密着性、および低い電気抵抗率を有する、Ｃｕ合金膜を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】透明基板と直接接触する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、前記合金膜は、Ｚｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｗ，ＮｂおよびＭｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を合計で２〜２０原子％含むＣｕ合金からなる第一層（Ｙ）と、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって前記第一層（Ｙ）よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなる第二層（Ｘ）と、を含む積層構造を有し、前記第一層（Ｙ）が前記透明基板と接触している表示装置である。 （もっと読む）