【課題】オフ角を有するＳｉ基板を用いて、反りが小さく結晶性の高い窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】（１１１）結晶方位面に対して２．０°以上６．０°以下のオフ角を有するＳｉ基板Ｗと、Ｓｉ基板Ｗ上に形成されＡｌＮ単結晶層２０ａ上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ単結晶層（０＜ｘ＜１）２０ｂが積層された第一バッファ領域Ａと、第一バッファ領域Ａ上に形成され厚さが３００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下のＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ単結晶（０≦ｙ＜０．１）からなる第１単層３０ａと厚さが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下のＡｌ_ｚＧａ_１−ｚＮ単結晶（０．９＜ｚ≦１）からなる第２単層３０ｂとが交互に複数積層された第二バッファ領域Ｂと、第二バッファ領域Ｂ上に形成された窒化物半導体活性層５０と、からなる窒化物半導体基板Ｚ。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れた窒化物半導体発光素子を容易に得られる窒化物半導体基板を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体基板１０１は、基板１１０の主面上に形成された複数の成長阻害領域となるマスク膜１２０と、基板の主面におけるマスク膜から露出する領域の上に形成された複数の第１の窒化物半導体層１１１と、各第１の窒化物半導体層１１１の側面上にのみ成長により形成された複数の第２の窒化物半導体層１１２と、複数の第１の窒化物半導体層１１１及び複数の第２の窒化物半導体層１１２を覆うように成長により形成された第３の窒化物半導体層１１３とを有している。複数の第２の窒化物半導体層は、成長阻害領域の上において互いに隣り合う半導体層同士が接合しておらず、第３の窒化物半導体層は、第２の窒化物半導体層同士が互いに隣り合う領域において接合している。 （もっと読む）

【課題】導電性が高くＩＩＩ族窒化物結晶との接合強度が高いとともに光透過性が高い複合体を提供する。
【解決手段】本複合体１００は、ＩＩＩ族窒化物結晶１１０とＩＩＩ族窒化物結晶１１０上に配置された酸化物膜１２０とを含み、酸化物膜１２０はドーパントの濃度が互いに異なる第１領域１２１と第２領域１２２とを含み、第２領域１２２は第１領域１２１に比べてドーパントの濃度が高い。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定することができる交換時期判定装置、交換時期判定方法及びプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】電極に高周波電力を供給し、処理容器に導入したガスから発生させたプラズマにより、該処理容器内の基板上における薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置を構成する前記電極の交換時期を判定する交換時期判定装置において、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する積算手段と、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段と、前記積算手段が積算した積算値及び前記記録手段に記録された積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する判定手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】反応性スパッタリングにより金属酸化物膜を形成する場合でも、長時間に亘って安定して放電させることができて、良好な成膜を可能とするターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタ室で処理すべき基板と共に配置されるスパッタリング用のターゲット３_１であって、スパッタリング時に少なくとも酸素を含むガスが導入される状態でスパッタリングされるものにおいて、ターゲットのスパッタ面３ａのうちターゲットを構成する元素との酸化物が付着、堆積し得る領域に絶縁性プレート８を貼付した
。 （もっと読む）

【課題】ターゲット下方空間へのスパッタ粒子の飛散やプラズマの回り込み等を防止するといった機能を損なうことなく、ターゲットの外周縁部まで効率よく侵食領域とできてターゲットの利用効率が一層向上したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタ室１ａで基板Ｗと共に配置されるターゲット３_１〜３_４のスパッタ面３ａ側を上として、ターゲットの下側に配置されてこのターゲットの上方にトンネル状の漏洩磁場Ｍ１，Ｍ２を形成する磁石ユニット４_１〜４_４と、ターゲットの長手方向をＸ方向、このＸ方向に直交する方向をＹ方向とし、磁石ユニットをＸ方向及びＹ方向の少なくとも１方向にターゲットに対して相対移動させる移動手段６とを備える。ターゲットの外周縁部から所定の隙間を存してターゲットの周囲を囲うように配置される、電気的に絶縁されたフローティングシールド５を更に有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低温かつ安価な製造工程により作製可能であり、トランジスタ特性に優れる薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタの製造方法であって、酸化性ガスを含む雰囲気で酸化物半導体層を形成する酸化物半導体層形成工程と、上記酸化物半導体層形成工程後、上記酸化物半導体層の少なくともチャネル領域に酸素欠損を付与して上記チャネル領域のキャリア濃度を制御するキャリア濃度制御工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いて被処理基板に対してプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置において、被処理基板載置部材の上に載置された被処理基板に傷が付くことを抑制する。
【解決手段】被処理基板１００に対してプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置１Ａは、被処理基板載置部材５と、被処理基板載置部材５の表面５ａ上に設けられ、被処理基板載置部材５の上に載置された被処理基板１００を上方支持することによって、被処理基板１００と被処理基板載置部材５との間に隙間Ｓを形成する支持部材４と、被処理基板１００に面するようにプラズマを生成することによって、被処理基板１００にプラズマ処理を行なうプラズマ生成部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造工程の煩雑化を伴うことなく製造中におけるウエハの割れを防止すること。
【解決手段】窒化物半導体素子形成用ウエハは、基板の上に、下地層、第１導電型窒化物半導体層、活性層、および第２導電型窒化物半導体層が順に積層されて構成されている。基板は、窒化物半導体素子材料とは異なる材料からなる。また、下地層および／または第１導電型窒化物半導体層の膜厚は、基板の中央側と基板の周縁側とで異なっており、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて大きくても良いし、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて小さくても良い。窒化物半導体素子は、窒化物半導体素子形成用ウエハを用いて作製されたものである。 （もっと読む）

【課題】ドーパントの濃度を制御して半導体層を形成する技術を提供する。
【解決手段】
真空槽５１内の第二主ターゲット４２を、希ガスと反応性ガスとを含有するスパッタリングガスでスパッタリングし、成膜対象物２８表面に到達させて半導体層２６を形成する際に、真空槽５１内に配置されたドーパントを蒸着材料６４として加熱し、蒸着材料６４の蒸気を発生させ、成膜対象物２８表面に到達させ、ドーパントを含有する半導体層２６を形成する。蒸着材料６４の蒸気は、成膜対象物２８と蒸着材料６４の間に配置した放出量制限部材６３の貫通孔６６を通過させることで減少させるので、半導体層２６に微少量含有させることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】真空槽内に導入する反応ガスと副ターゲットとを反応させずに副ターゲットをスパッタリングする。
【解決手段】真空槽５１内の主ターゲット４２を、希ガスと反応性ガスとを含有する主スパッタリングガスでスパッタリングし、成膜対象物２８表面に到達させて半導体層２６を形成する際に、真空槽５１内に分離容器６２を配置し、分離容器６２内にドーパントの副ターゲット６４を配置する。分離容器６２の外部と内部は、主排気装置４７と副排気装置６５とで別々に真空排気し、また、分離容器６２内部に希ガスを供給すると、副ターゲットは反応性ガスと接触せずにスパッタされ、副ターゲット６４を構成する材料の反応生成物は発生しない。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物中の酸素欠損を低減し、電気的特性の安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第１の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、及びＡｌの割合が下記式（１）及び（２）の原子比となるように原料化合物を混合後、成形体とする工程、及び、前記成形体を、８００℃から焼結温度までの温度範囲を０．１℃／分〜２℃／分の昇温速度で昇温した後、１４５０℃〜１６５０℃に１０〜５０時間保持することにより焼結する工程を含むことを特徴とする焼結体の製造方法。
Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）＝０．０１〜０．０８ （１）
Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）＝０．０００１〜０．０３ （２） （もっと読む）

【課題】 真空排気系が簡素化された、しかもコストの安いマルチチャンバー型真空処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】 被処理物１を搬入・搬出するロードロック室３と前記ロードロック室３及び所定の処理をするプロセス室４と、該プロセス室４に隣接して、前記被処理物１を前記プロセス室４との間で搬送するセパレーション室５を備えたマルチチャンバー型真空処理装置であって、真空排気装置として、前記プロセス室４には粗排気装置だけを備え、前記セパレーション室５には高真空排気装置と粗排気装置を備えている。 （もっと読む）

【課題】製膜処理のタクトタイムが短い場合であっても、アンロード室で基板の温度分布が少ない状態とし、基板のそり変形や破損を抑制することができる基板冷却方法、基板冷却装置および製膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】減圧環境下において高温条件で表面に製膜処理が施された基板７を、減圧環境下でアンロード室に受け入れて、基板７の少なくとも一方の面側から、基板７の中央部に冷媒を噴き付けて基板７の冷却を行う第１基板冷却工程と、該第１基板冷却工程を経た基板７をアンロード室から搬出した後に、基板７の一方の面の反対側から、第１基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離内側に冷媒を噴き付けて、あるいは、第１基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離外側に冷媒を噴き付けて基板の冷却を行いながら基板の面内温度分布を補正する第２基板冷却工程と、を備える基板冷却方法。 （もっと読む）

【課題】層状構造の窒化ガリウム膜を汎用的の高められたプロセスで選択的に形成することの可能な窒化ガリウム膜の形成方法、及び該形成方法を用いて窒化ガリウム膜を形成する装置を提供する。
【解決手段】
窒化ガリウム膜を反応性スパッタにて単結晶の基板Ｓ上に形成するときに、真空槽１１内に供給されるアルゴンガス及び窒素ガスの総流量に占める窒素ガスの流量の割合を窒化ガリウム膜の成長速度が窒素供給によって律速され、且つ、窒化ガリウム膜の成長速度の極大値に対して３０％以上９０％以下の成長速度となる範囲とする。また、基板温度Ｔ（℃）、ガリウムのターゲット１４に供給される周波数が１３．５６ＭＨｚである高周波電力をバイアス電力Ｐ（Ｗ／ｃｍ^２）とするとき、基板温度Ｔ及びバイアス電力Ｐが、６００≦Ｔ≦１２００、０＜Ｐ≦４．６３、Ｔ≧０．００８３Ｐ−４．７、Ｔ≦０．００８４Ｐ−６．６を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】 結晶性を向上させることが可能な発光素子の製造方法および発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子１の製造方法は、窒化アルミニウムからなる多結晶基板２（２ａ）を酸素雰囲気中で加熱して多結晶基板２（２ａ）の表面を酸化させることによって、多結晶基板２（２ａ）の表面に酸窒化アルミニウムからなる酸化領域を形成する工程と、多結晶基板２（２ａ）を窒化アルミニウムの融点よりも低い温度であって酸窒化アルミニウムの融点よりも高い温度で加熱して酸化領域を溶解した後、多結晶基板２（２ａ）を酸窒化アルミ二ウムの融点よりも低い温度に冷却することによって、溶解した酸化領域を固化して緩衝層３を形成する工程と、緩衝層３上に窒化アルミニウムを含む光半導体層４を成長させる工程とを有している。これにより、緩衝層３上に成長させる光半導体層４の結晶性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマを発生させて成膜する際に膜厚の測定精度を高めることを目的とする。
【解決手段】成膜装置１は、真空チャンバ２と成膜基体支持体２１とを備える。成膜基体支持体２１に支持された成膜基体７とスパッタリングターゲット４との間にはプラズマ３が発生する。また、真空チャンバ２内には、成膜基体７と成膜レートが異なる位置にモニタ基板３０が配置される。モニタ基板３０には、モニタ光照射器２５からモニタ光が照射される。モニタ光がモニタ基板３０の表面に形成されたモニタ膜で反射した反射光およびプラズマ３が発光してモニタ膜を透過した透過光は受光器２６で受光される。制御器９は、プラズマ光測定器８が測定したプラズマ３の発光強度に基づいて、受光器２６が受光した光のうち反射光の強度を補正して求める。反射光の強度に基づいて、モニタ膜の厚さ、およびそれに比例する成膜基体７上の膜厚が求められる。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有する窒化物半導体を再現性良く形成することができる窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】ｃ面を主面とするサファイア基板とアルミニウムを含有するターゲットとを距離をあけて配置する工程と、サファイア基板とターゲットとの間にＤＣ−ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ方式により電圧を印加して行なわれるＤＣマグネトロンスパッタ法によりサファイア基板の表面上にアルミニウム含有窒化物中間層を形成する工程と、を含み、アルミニウム含有窒化物中間層上に（００４）面を主面とする窒化物半導体を形成する工程とを含む窒化物半導体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】シンプルな製造工程により界面状態の良好な結晶性薄膜を立体形状を含む所望のパターンに形成可能であり、結晶化に要する熱処理温度を低減させることが可能な結晶性薄膜又は結晶性構造体の製造方法、及び当該製造方法により形成された結晶性薄膜を備えた構造体を提供する。
【解決手段】結晶性薄膜又は結晶性構造体の製造方法においては、蒸着・結晶化促進工程において、スパッタリング法による金属酸化物の蒸着、及びレーザー光照射による金属酸化物の結晶化促進が同時に行われる。蒸着・結晶化促進工程を経た基板３４は、所定の温度条件下においてアニールされる。これにより、金属酸化物が完全に結晶化された状態になる。 （もっと読む）