液晶表示装置
【課題】液晶層内に立設して形成される電極を形成した場合であっても、表示モード効率を向上させることが可能な液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】
走査信号線と映像信号線とを有する第二の基板と、前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の底面側から伸延される下端側電極とからなる第一の電極と、前記画素の領域内に形成される第一の線状電極と、前記第二の基板側に形成され、前記前記第一の線状電極と対峙する第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、前記画素の領域は、前記第一の電極と前記第二の電極とが第一の方向に延在する第一の画素領域と、第二の方向に延在する第二の画素領域とからなる液晶表示装置である。
【解決手段】
走査信号線と映像信号線とを有する第二の基板と、前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の底面側から伸延される下端側電極とからなる第一の電極と、前記画素の領域内に形成される第一の線状電極と、前記第二の基板側に形成され、前記前記第一の線状電極と対峙する第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、前記画素の領域は、前記第一の電極と前記第二の電極とが第一の方向に延在する第一の画素領域と、第二の方向に延在する第二の画素領域とからなる液晶表示装置である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係わり、特に、基板面に平行な電界を印加する横電界方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
横電界方式又はＩＰＳ（In-Plane Switching）方式と称される液晶表示装置は、液晶分子をパネル面に水平に配向させ、パネル面と平行な電界（横電界）を印加して液晶分子を水平面内で９０度回転させる液晶表示装置である。このＩＰＳ方式の液晶表示装置は、映像信号線（ドレイン線）や走査信号線（ゲート線）及び薄膜トランジスタや画素電極等が形成される第1基板側に共通電極も形成され、画素電極と共通電極とに印加する電圧差で生じる第1基板の面内方向の電界により液晶層を駆動する。この構成からなるＩＰＳ方式の液晶表示装置では、例えば、透明導電膜で形成される面状の共通電極の上層に絶縁膜を介して線状の画素電極が重畳して配置される構成となっている。このために、線状電極の上層や隣接する線状電極との中間部分等では第１基板の法線方向の電界が生じるために、液晶分子がパネル面と水平にならずに傾斜してしまい、表示モード効率が低下してしまうことが知られている。
【０００３】
この表示モード効率を向上させる方法として、例えば、特許文献１に記載の液晶表示装置がある。この特許文献１に記載の液晶表示装置では、薄膜トランジスタ等が形成される第１基板側の液晶面側に層間絶縁膜からなる凸状体を形成し、該凸状体の表面を覆うようにして画素電極と共通電極（対向電極）とを画素毎に形成する構成となっている。特に、各画素の対向する一対の辺縁部とその中心部に凸状体を形成し、一対の辺縁部の凸状体に覆う導電膜を画素電極とし、中心部の凸状体を覆う導電膜を共通電極とする構成となっている。さらには、画素電極の下層すなわち画素電極が形成される層間絶縁膜の下層に映像信号が出力される映像信号線が配置される構成となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−２５８２６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載されるように、液晶層内に突出される画素電極と共通電極により液晶層に第１基板の面内方向と平行な横電界を印加する方式では、液晶層に理想的な横電界を印加することができるが、一方で画素電極及び共通電極とその近傍では液晶配向を制御できないので、開口率が低下してしまうことが知られている。このために、従来の液晶表示装置では、液晶層内に突出する画素電極及び共通電極が画素の端部に形成されるブラックマトリクス等の遮光膜と重畳されるように配置する構成となっている。
【０００６】
しかしながら、このような構成からなる液晶表示装置では、画素の端部において隣接する画素の画素電極が近接して配置されることとなるので、画素電極とその周辺に自画素と隣接画素の電位差に起因した電界分布が発生する。この電位差は画素毎反転駆動で白表示した際に最大になり、この場合に横電界分布に偏りが生じるため白表示の表示モード効率が低下してしまうことが懸念されている。同様にして、自画素が黒表示で隣接画素が白表示の場合に画素毎反転駆動したときには、黒表示時の輝度が増大してしまうすなわち黒表示時の透過率が上昇してしまうので、コントラスト比が低下してしまうことが懸念されている。
【０００７】
また、画素の領域に占める画素電極の形成領域を低減させる構成として、隣接する画素を跨ぐようにして凸状体を形成し、該凸状体の側壁面にそれぞれの画素に対応した画素電極を形成する構成もある。この場合、１つの凸状体の側壁面に異なる画素（隣接する画素）の画素電極が凸状体を介して対向配置されることとなるので、隣接する画素の画素電極がさらに近接して配置されることとなり、その解決方法が切望されている。
【０００８】
本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、液晶層内に立設して形成される電極を形成した場合であっても、表示モード効率を向上させることが可能な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）前記課題を解決すべく、本願発明の液晶表示装置は、Ｘ方向に伸延しＹ方向に並設される走査信号線と、Ｙ方向に伸延しＸ方向に並設される映像信号線とを有する第二の基板と、液晶層を介して前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、隣接画素との画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の前記凸状体の底面側から延在し、前記第二の基板の液晶側面に沿って伸延される下端側電極とからなり、前記画素の領域を挟んで対向する少なくとも一対の辺部に形成される前記側壁面電極と前記下端側電極とからなる第一の電極と、前記第一の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記第一の電極の延在方向に伸延してなる第一の線状電極と、前記第二の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記前記第一の線状電極と前記液晶層を介して対峙するようにして伸延してなる第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、前記画素の領域は、少なくとも、前記第一の電極と前記第二の電極とが第一の方向に延在する第一の画素領域と、前記第一の電極と前記第二の電極とが第二の方向に延在する第二の画素領域とからなる液晶表示装置である。
【００１０】
（２）前記課題を解決すべく、本願発明の液晶表示装置は、Ｘ方向に伸延しＹ方向に並設される走査信号線と、Ｙ方向に伸延しＸ方向に並設される映像信号線とを有する第二の基板と、液晶層を介して前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、隣接画素との画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の前記凸状体の底面側から延在し、前記第二の基板の液晶側面に沿って伸延される下端側電極とからなり、前記画素の領域を挟んで対向する少なくとも一対の辺部に形成される前記側壁面電極と前記下端側電極とからなる第一の電極と、前記第一の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記第一の電極の延在方向に伸延してなる第一の線状電極と、前記第二の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記前記第一の線状電極と前記液晶層を介して対峙するようにして伸延してなる第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、前記側壁面電極が形成される前記第二の基板側の下側辺縁部から前記第一の基板側の上側辺縁部に至る前記第一の電極の高さは、当該第一電極に挟まれる画素の領域における前記液晶層の厚さよりも大きく形成されてなる液晶表示装置である。
【００１１】
（３）前記課題を解決すべく、本願発明の液晶表示装置は、Ｘ方向に伸延しＹ方向に並設される走査信号線と、Ｙ方向に伸延しＸ方向に並設される映像信号線とを有する第二の基板と、液晶層を介して前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、隣接画素との画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の前記凸状体の底面側から延在し、前記第二の基板の液晶側面に沿って伸延される下端側電極とからなり、前記画素の領域を挟んで対向する少なくとも一対の辺部に形成される前記側壁面電極と前記下端側電極とからなる第一の電極と、前記第一の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記第一の電極の延在方向に伸延してなる第一の線状電極と、前記第二の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記前記第一の線状電極と前記液晶層を介して対峙するようにして伸延してなる第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、前記下端側電極よりも下層に形成され、前記下端側電極と絶縁膜を介して少なくともその一部が前記下端側電極と重畳して形成される第三の電極を備え、前記第三の電極と前記第一の電極とが電気的に接続されている液晶表示装置である。
【００１２】
（４）前記課題を解決すべく、本願発明の液晶表示装置は、Ｘ方向に伸延しＹ方向に並設される走査信号線と、Ｙ方向に伸延しＸ方向に並設される映像信号線とを有する第二の基板と、液晶層を介して前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、隣接画素との画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の前記凸状体の底面側から延在し、前記第二の基板の液晶側面に沿って伸延される下端側電極とからなり、前記画素の領域を挟んで対向する少なくとも一対の辺部に形成される前記側壁面電極と前記下端側電極とからなる第一の電極と、前記第一の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記第一の電極の延在方向に伸延してなる第一の線状電極と、前記第二の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記前記第一の線状電極と前記液晶層を介して対峙するようにして伸延してなる第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、前記第一の基板側に形成され、平面的に見て前記第一の電極と重畳配置される第四の電極を有し、前記第四の電極と前記第二の電極に同じ信号が供給される液晶表示装置である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、液晶層内に立設して形成される電極を形成した場合であっても、表示モード効率を向上させることができる。
【００１４】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態１の液晶表示装置の全体構成を説明するための図である。
【図２】本発明の実施形態１の液晶表示装置における画素構成を説明するための平面図である。
【図３】図２に示すＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図４】本発明の実施形態１の液晶表示装置における壁状電極の詳細構成を説明するための図である。
【図５】本発明の実施形態１の液晶表示装置における擬似壁共通電極での電界分布を説明するための図である。
【図６】従来の壁電極における電界分布を説明するための図である。
【図７】従来の共通電極における電界分布を説明するための図である。
【図８】本発明の実施形態１の擬似壁共通電極の位置合わせ精度を説明するための図である。
【図９】本発明の実施形態１の液晶表示装置における壁基材近傍での等電位面分布を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態１の液晶表示装置における１つの画素内における透過率分布の計測値の図である。
【図１１】本発明の実施形態２の液晶表示装置における液晶表示パネルの概略構成を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の実施形態２の液晶表示装置における壁基材近傍での等電位面分布を説明するための図である。
【図１３】実施形態１の液晶表示装置を画素毎反転駆動した場合の壁基材近傍での等電位面分布を説明するための図である。
【図１４】本発明の実施形態２の液晶表示装置における液晶層厚と壁画素電極の高さとの差に対する画素毎反転駆動時におけるコントラスト比を示す図である。
【図１５】実施形態１の液晶表示装置において画素毎反転駆動で自画素及び該自画素に隣接する隣接画素で共に白表示を行った場合の壁画素電極の近傍の等電位面分布を示す図である。
【図１６】実施形態２の液晶表示装置において画素毎反転駆動により自画素で白表示を行うと共に隣接画素で黒表示を行った場合の壁画素電極の近傍の等電位面分布を示す図である。
【図１７】実施形態２の液晶表示装置において液晶層ＬＣよりも２μｍ高く壁基材ＷＬを形成して画素毎反転駆動で白表示を行った際の透過率分布を示す図である。
【図１８】本発明の実施形態３の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。
【図１９】本発明の実施形態４の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。
【図２０】本発明の実施形態４の液晶表示装置において画素毎反転駆動時に隣接画素間の電位差が最大となる場合の壁基材近傍での等電位面分布を説明するための図である。
【図２１】本発明の実施形態４の液晶表示装置において画素毎反転駆動時に白表示画素と黒表示画素とが隣接する場合の壁基材近傍での等電位面分布を説明するための図である。
【図２２】本発明の実施形態４の液晶表示装置における液晶層厚と壁画素電極の高さとの差と、画素毎反転駆動時における白表示時の透過率及び黒表示時の透過率との計測結果を示す図である。
【図２３】本発明の実施形態４の液晶表示装置における液晶層厚と壁画素電極の高さとの差に対する画素毎反転駆動時におけるコントラスト比を示す図である。
【図２４】本発明の実施形態５の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。
【図２５】本発明の実施形態５の液晶表示装置における画素毎反転駆動時での壁画素電極の近傍における等電位面分布図である。
【図２６】本発明の実施形態５の液晶表示装置における画素毎反転駆動時での壁画素電極の近傍における等電位面分布図である。
【図２７】本発明の実施形態５の液晶表示装置における壁画素電極と線状画素電極との間隔と、画素毎反転駆動時における白表示時の透過率及び黒表示時の透過率との計測結果を示す図である。
【図２８】本発明の実施形態５の液晶表示装置における壁画素電極と線状画素電極との間の距離に対する画素毎反転駆動時でのコントラスト比を示す図である。
【図２９】本発明の実施形態６の液晶表示装置の概略構成を説明するための断面図である。
【図３０】本発明の実施形態６の液晶表示装置における自画素と隣接画素が共に白を表示した際の等電位面の分布である。
【図３１】本発明の実施形態６の液晶表示装置における自画素が白表示し、隣接画素が黒表示した際の等電位面の分布である。
【図３２】本発明の実施形態７の液晶表示装置の概略構成を説明するための断面図である。
【図３３】本発明の実施形態７の他の液晶表示装置の概略構成を説明するための断面図である。
【図３４】本発明の実施形態８の液晶表示装置の概略構成を説明するための断面図である。
【図３５】本発明の擬似壁共通電極における第一の共通電極と第二の共通電極との位置合わせずれに対する画素毎反転駆動時における白表示画素の透過率を示す図である。
【図３６】実施形態１の液晶表示装置において第一の共通電極と第二の共通電極とに合わせずれが生じていない場合と、３μｍの合わせずれが生じている場合での画素内の透過率分布を示す図である。
【図３７】本発明の実施形態８の液晶表示装置における第一の共通電極と第二の共通電極とに合わせずれが生じていない場合の擬似壁共通電極部分の拡大図である。
【図３８】本発明の実施形態８の液晶表示装置における第一の共通電極と第二の共通電極とに合わせずれが生じている場合の擬似壁共通電極部分の拡大図である。
【図３９】本発明の実施形態８の液晶表示装置における第一の共通電極と第二の共通電極とに合わせずれが生じていない場合と、３μｍの合わせずれが生じている場合での画素内の透過率分布を示す図である。
【図４０】本発明の実施形態８の液晶表示装置における第一の共通電極と第二の共通電極との合わせ位置が３μｍずれた場合における画素毎反転駆動時での白表示透過率の第二の共通電極と液晶層との距離依存性を説明するための図である。
【図４１】本発明の実施形態８の液晶表示装置における第二の共通電極から液晶層に至るまでの距離と駆動電圧との関係を説明するための図である。
【図４２】本発明の実施形態９の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。
【図４３】本発明の実施形態９の液晶表示装置における第一の共通電極と第二の共通電極とに合わせずれが生じていない場合の擬似壁共通電極部分の拡大図である。
【図４４】本発明の実施形態９の液晶表示装置における第一の共通電極と第二の共通電極とに合わせずれが生じている場合の擬似壁共通電極部分の拡大図である。
【図４５】本発明の実施形態９の液晶表示装置において第一の共通電極と第二の共通電極との合わせ位置が３μｍずれた場合における画素毎反転駆動時での白表示透過率の第一の共通電極と液晶層との距離依存性を説明するための図である。
【図４６】本発明の実施形態９の液晶表示装置における第一の共通電極から液晶層に至るまでの距離と駆動電圧との関係を説明するための図である。
【図４７】本発明の実施形態１０の液晶表示装置の概略構成を説明するための平面図である。
【図４８】図４７に示すＣ−Ｃ’線での断面図である。
【図４９】実施形態１０の液晶表示装置における壁画素電極を形成する第一の透明導電膜の構成を説明するための図である。
【図５０】実施形態１０の液晶表示装置における第二の共通電極及び第四の共通電極を形成する第二の透明導電膜の構成を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明は省略する。また、Ｘ，Ｙ，ＺはそれぞれＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を示す。
【００１７】
〈実施形態１〉
〈全体構成〉
図１は本発明の実施形態１の液晶表示装置の全体構成を説明するための図であり、以下、図１に基づいて、実施形態１の液晶表示装置の全体構成について説明する。なお、本願明細中においては、カラーフィルタＣＦや偏光板ＰＯＬ１，ＰＯＬ２などによる吸収の影響や開口率の影響を除いた透過率を表示モード効率とする。従って、バックライトユニット側の偏光板ＰＯＬ１から出射した直線偏光の振動方向が表示面側の偏光板ＰＯＬ２に入射する際に、９０度回転している場合の表示モード効率を１００％とする。
【００１８】
図１に示すように、実施形態１の液晶表示装置は、第二の基板ＳＵ２に対向して配置されカラーフィルタ（着色層）やブラックマトリクスと称される遮光層等が形成される第一の基板ＳＵ１と、壁状の画素電極である壁画素電極（第一の電極）ＳＥや薄膜トランジスタＴＦＴが形成される第二の基板ＳＵ２と、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２とで挟持される液晶層とで構成される液晶表示パネルＰＮＬを有する。該液晶表示パネルＰＮＬと該液晶表示パネルＰＮＬの光源となる図示しないバックライトユニット（バックライト装置）とを組み合わせることにより、液晶表示装置が構成されている。第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との固定及び液晶の封止は、第一の基板の周辺部に環状に塗布されたシール材ＳＬで固定され、液晶も封止される構成となっている。ただし、実施形態１の液晶表示装置では、液晶が封入された領域の内で表示画素（以下、画素と略記する）の形成される領域が表示領域ＡＲとなる。従って、液晶が封入されている領域内であっても、画素が形成されておらず表示に係わらない領域は表示領域ＡＲとはならない。
【００１９】
また、第一の基板ＳＵ１は、第二の基板ＳＵ２よりも小さな面積となっており、第二の基板ＳＵ２の図中下側の辺部を露出させるようになっている。この第二の基板ＳＵ２の辺部には、半導体チップで構成される駆動回路ＤＲが搭載されている。この駆動回路ＤＲは、表示領域ＡＲに配置される各画素を駆動する。なお、以下の説明では、液晶表示パネルＰＮＬの説明においても、液晶表示装置と記すことがある。また、第一の基板ＳＵ１及び第二の基板ＳＵ２としては、例えば周知のガラス基板が基材として用いられるのが一般的であるが、樹脂性の透明絶縁基板であってもよい。
【００２０】
実施形態１の液晶表示装置では第二の基板ＳＵ２の液晶側の面であって表示領域ＡＲ内には、図１中Ｘ方向に延在しＹ方向に並設され、駆動回路ＤＲからの走査信号が供給される走査信号線（ゲート線）ＧＬが形成されている。また、図１中Ｙ方向に延在しＸ方向に並設され、駆動回路からの映像信号（階調信号）が供給される映像信号線（ドレイン線）ＤＬが形成されている。隣接する２本のドレイン線ＤＬと隣接する２本のゲート線ＧＬとで囲まれる領域が画素を構成し、複数の画素が、ドレイン線ＤＬ及びゲート線ＧＬに沿って、表示領域ＡＲ内においてマトリックス状に配置されている。
【００２１】
各画素は、例えば図１中丸印Ａの等価回路図Ａ’に示すように、ゲート線ＧＬからの走査信号によってオン／オフ駆動される薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介してドレイン線ＤＬからの映像信号が供給される壁画素電極ＳＥと、コモン線ＣＬを介して映像信号の電位に対して基準となる電位を有する共通信号が供給される第一の共通電極（第一の線状電極）ＣＥ１及び第二の共通電極（第二の線状電極）ＣＥ２とを備えている。図１中丸印Ａの等価回路図Ａ’においては、第一及び第二の共通電極ＣＥ１，ＣＥ２並びに壁画素電極ＳＥを模式的に線状に記しているが、実施形態１の壁第一及び第二の共通電極ＣＥ１，ＣＥ２並びに壁画素電極ＳＥの構成については、後に詳述する。なお、実施形態１の薄膜トランジスタＴＦＴは、そのバイアスの印加によってドレイン電極とソース電極が入れ替わるように駆動するが、本明細書中においては、便宜上、ドレイン線ＤＬと接続される側をドレイン電極、壁画素電極ＳＥと接続される側をソース電極と記す。
【００２２】
壁画素電極ＳＥと第一及び第二の共通電極ＣＥ１，ＣＥ２との間には、第二の基板ＳＵ２の主面に平行な成分を有する電界が生じ、この電界によって液晶の分子を駆動させるようになっている。このような液晶表示装置は、いわゆる広視野角表示ができるものとして知られ、液晶への電界の印加の特異性から、ＩＰＳ方式あるいは横電界方式と称される。また、このような構成の液晶表示装置において、液晶に電界が印加されていない場合に光透過率を最小（黒表示）とし、電界を印加することにより光透過率を増加させていくノーマリーブラックで表示を行うようになっている。
【００２３】
各ドレイン線ＤＬ及び各ゲート線ＧＬはその端部においてシール材ＳＬを越えてそれぞれ延在され、外部システムからフレキシブルプリント基板ＦＰＣを介して入力される入力信号に基づいて、映像信号や走査信号等の駆動信号を生成する駆動回路ＤＲに接続される。ただし、実施形態１の液晶表示装置では、駆動回路ＤＲを半導体チップで形成し第二の基板ＳＵ２に搭載する構成としているが、映像信号を出力する映像信号駆動回路と走査信号を出力する走査信号駆動回路との何れか一方又はその両方の駆動回路をフレキシブルプリント基板ＦＰＣにテープキャリア方式やＣＯＦ（Chip On Film）方式で搭載し、第二の基板ＳＵ２に接続させる構成であってもよい。
【００２４】
〈画素の詳細構成〉
図２は本発明の実施形態１の液晶表示装置における画素構成を説明するための平面図、図３は図２に示すＢ−Ｂ’線での断面図、図４は本発明の実施形態１の液晶表示装置における壁状電極の詳細構成を説明するための図である。ただし、図２において、破線は第一の共通電極（コモン電極）ＣＥ１と第二の共通電極（コモン電極）ＣＥ２の輪郭を示し、一点鎖線は本願発明の壁基材（凸状体、壁構造）ＷＬの輪郭（外形）を示す。
【００２５】
図２に示すように、実施形態１の画素は、Ｘ方向に延在しＹ方向に並設されるドレイン線（映像信号線）ＤＬと、Ｙ方向に延在しＸ方向に並設されるゲート線（走査信号線）ＧＬとで囲まれる領域となり、該画素が液晶表示パネルＰＮＬの表示領域ＡＲ内にマトリクス状に配置されている。このとき、実施形態１の画素は、長手方向（Ｙ方向）の図２中の上側領域（第一の領域）と下側領域（第二の領域）とにおいて、Ｙ方向に対して対称をなすように異なる方向に傾斜され、画素の中央部分で上側領域と下側領域とが接続される構成となっている。ただし、液晶分子の配向方向は、上側領域及び下側領域においても図中の矢印ＡＤで示す方向となるように、初期配向がされている。また、実施形態１の画素では、上側領域をＹ方向に対して反時計方向（第一の方向）に傾斜させ、下側領域を時計方向（第二の方向）に傾斜させる構成としたが、それぞれの逆方向に傾斜させる構成であってもよい。
【００２６】
このように、実施形態１の液晶表示パネルでは、１つの画素を中央で屈曲させ、尚且つ液晶分子の配向方向を矢印ＡＤで示す方向（図２中の縦方向）としている。これにより、上側領域と下側領域とが接する屈曲部の上下では、電圧印加時の液晶分子の回転方向は互いに逆方向となる。即ち、屈曲部の上側領域では液晶分子は反時計回りに回転し、屈曲部の下側領域では時計回りに回転する。一軸配向モデルによれば、液晶層はホモジニアス配向を保ったままその方位のみが回転するが、配向方向を含む方位角方向では白表示が青みがかり、その垂直方向では白表示が黄色味を帯びる。従って、実施形態１では、１つの画素内に回転方向が互いに逆となる領域を形成することにより、視角方向での着色を相殺して白色に近づけることができる。
【００２７】
また、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、ドレイン線ＤＬに重畳して形成されるコンタクトホールＣＨ１を介して半導体層となるポリシリコン膜（ポリシリコン層）ＰＳが電気的に接続されており、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極となる。このポリシリコン膜ＰＳは、図２中の左下に示すように、図示しないゲート絶縁膜を介してゲート線ＧＬと重畳され、この重畳領域において、ゲート電極ＧＴが薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極となる。また、ポリシリコン膜ＰＳの他端側はドレイン電極となり、コンタクトホールＣＨ２を介して、第一の透明導電膜（第一の導電膜）ＴＣＦ１に電気的に接続されている。なお、実施形態１においては、半導体層（半導体膜）としてポリシリコン層を用いる場合について説明するが、アモルファスシリコン層や微結晶シリコン層等の他の半導体層を用いる構成であってもよい。
【００２８】
第一の透明導電膜ＴＣＦ１はドレイン線ＤＬとゲート線ＧＬとに沿って円環状に形成されており、図２中に実線Ｌ１で示す外側辺縁部と、実線Ｌ２で示す内側辺縁部との間の領域が第一の透明導電膜ＴＣＦ１の形成領域となる。このとき、第一の透明導電膜ＴＣＦ１の内でドレイン線ＤＬに沿って伸延する部分は、各ドレイン線ＤＬに近接する側すなわち外側辺縁が壁基材ＷＬと重畳するようにして配置されている。これにより、実施形態１のドレイン線ＤＬに沿って形成される一対の壁画素電極ＳＥが、画素領域を挟むようにして立設して形成される。
【００２９】
また、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、ゲート線ＧＬに沿い当該ゲート線ＧＬを跨ぐようにして、第二の透明導電膜（第二の導電膜）ＴＣＦ２がＸ方向に延在しＹ方向に並設され、コモン線ＣＬを兼ねている。また、画素領域のＸ方向の中間領域において、画素領域内の上端側及び下端側に形成される第二の透明導電膜ＴＣＦ２を接続するようにして、第二の共通電極ＣＥ２が形成されている。このとき、第二の共通電極ＣＥ２においても、画素領域の上側領域と下側領域とにおいて、Ｙ方向に対して傾斜するように形成されており、上側領域と下側領域との中間部分で電気的に接続されている。すなわち、第二の共通電極ＣＥ２においても、画素領域の上側領域と下側領域との中間部分で屈曲される形状となっている。このような構成の第二の共通電極ＣＥ２は、例えば、第二の基板ＳＵ２の液晶面側を覆うようにして形成された透明導電膜に点線Ｌ３，Ｌ４で示す開口領域を形成することによって成膜可能であり、一対の壁画素電極ＳＥに挟まれた領域に中間部分で屈曲される線状の第二の共通電極ＣＥ２が形成される構成となっている。ただし、後に詳述するように、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬにおいては、液晶層を介して対向配置される第一の基板ＳＵ１の液晶面側に、第二の共通電極ＣＥ２と対峙する位置に同電位の共通信号が供給される第一の共通電極ＣＥ１が形成されている。また、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２とは、例えば、液晶表示パネルＰＮＬの辺縁部等において、周知の技術で電気的に接続され、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２とに同電位の共通信号が供給されている。
【００３０】
このとき、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、壁画素電極ＳＥを形成する第一の透明導電膜ＴＣＦ１と第二の共通電極ＣＥ２を形成する第二の透明導電膜ＴＣＦ２とが第三の絶縁膜ＩＬ３を介して形成されている。従って、図２中に斜線で示す画素領域内の上端側及び下端側の領域では、第一の透明導電膜ＴＣＦ１と第二の透明導電膜ＴＣＦ２とが第三の絶縁膜ＩＬ３を介して重畳するようになっており、実施形態１においては、第一の透明導電膜ＴＣＦ１と第二の透明導電膜ＴＣＦ２が重畳する領域（斜線で示す領域ＳＣ）を保持容量（蓄積容量）として用いる構成となっている。
【００３１】
また、実施形態１の第一の透明導電膜ＴＣＦ１では、画素の上側領域と下側領域との中間部分に図２中のＸ方向に突出する突出部が形成され、上側領域と下側領域とで液晶分子の回転方向が異なることに起因する異常ドメインを低減させる構成としている。同様にして、第二の共通電極ＣＥ２を形成する透明導電膜にも 画素の上側領域と下側領域との中間部分に図２中のＸ方向に突出する突出部が形成され、異常ドメインを低減させる構成としている。
【００３２】
この構成からなる実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、図３に示すように、液晶層ＬＣを介して第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２とが対向配置される。第一の基板ＳＵ１の液晶面側には、図示しないゲート線ＧＬが形成され、該ゲート線ＧＬを覆うようして第二の基板ＳＵ２の液晶面側の全面に第一の絶縁膜ＩＬ１が形成されている。このとき、第一の絶縁膜ＩＬ１は、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においては、ゲート絶縁膜として機能する構成となっている。
【００３３】
第一の絶縁膜ＩＬ１の上層にはドレイン線ＤＬが形成され、該ドレイン線ＤＬを覆うようにして、第二の基板ＳＵ２の全面に第二の絶縁膜ＩＬ２が形成されている。第二の絶縁膜ＩＬ２の上層にはドレイン線ＤＬと重畳するようにして壁基材ＷＬが立設されており、この壁基材ＷＬの側壁面及び頭頂面並びに壁基材ＷＬの近傍の第二の絶縁膜ＩＬ２の上層には壁画素電極ＳＥを構成する第一の透明導電膜ＴＣＦ１が形成されている。このとき、実施形態１の壁画素電極ＷＬにおいては、前述するように、１つの壁基材ＷＬの側壁面に隣接する画素の壁画素電極ＳＥが形成されており、この隣接画素の壁画素電極ＳＥは壁基材ＷＬを介してゲート線ＧＬの延在方向に対向配置される構成となっている。
【００３４】
壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥの上層には、当該壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥを覆うようにして第二の基板ＳＵ２の全面に第三の絶縁膜ＩＬ３が形成されており、その上層に第二の共通電極ＣＥ２が形成されている。また、第三の絶縁膜ＩＬ３の上層には第二の共通電極ＣＥ２を覆うようにして、第二の基板ＳＵ２の全面に第二の配向膜ＡＬ２が形成され、液晶層ＬＣの各液晶分子ＬＣＭを図２中に矢印で示す初期配向方向ＡＤＨに配向させる構成となっている。特に、第二の配向膜ＡＬ２は周知の光配向膜であり、偏光紫外線を照射するとその振動方向に平行な方向に液晶分子ＬＣＭを配向させる性質を有する配向膜である。実施形態１において、第二の配向膜ＡＬ２に光配向膜を用いたことにより、ラビング法のような機械的な摩擦が不要となる格別の効果を得ることができる。その結果、壁基材ＷＬを配置して凹凸が生じた第二の基板ＳＵ２の表面において、液晶分子ＬＣＭを配向させることが可能になる。ただし、ラビング法等を用いる周知の配向膜でも適用可能である。
【００３５】
また、液晶層ＬＣを介して対向配置される第一の基板ＳＵ１の液晶面側には、ドレイン線ＤＬと対峙する位置に遮光膜となるブラックマトリクスＢＭが形成されており、該ブラックマトリクスＢＭを覆うようにして、着色層であるカラーフィルタＣＦが形成されている。カラーフィルタＣＦは画素領域毎に少なくとも赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の何れかに着色されており、ＲＧＢのカラー表示用の単位画素を構成している。
【００３６】
カラーフィルタＣＦの上層にはオーバーコート層（オーバーコート膜、平坦化層）ＯＣが形成されており、該オーバーコート層ＯＣの上層に第１の共通電極ＣＥ１が形成されている。オーバーコート層ＯＣの上層には、第一の共通電極ＣＥ１を覆うようにして、第一の配向膜ＡＬ１が形成されている。第一の配向膜ＡＬ１については、当該第一の配向膜ＡＬ１の液晶側面に大きく突出する壁基材ＷＬが形成されない構成となるので、光配向膜やラビング法等を用いる配向膜の何れであってもよい。
【００３７】
このとき、実施形態１の第１の共通電極ＣＥ１は液晶層ＬＣを介して第二の共通電極ＣＥ２と重畳するように形成されると共に、第二の共通電極ＣＥ２よりも壁画素電極ＳＥの配置方向の幅が大きく形成されている。この構成により、実施形態１においては、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２とが重畳する領域内の液晶層ＬＣに同電位となる領域を形成し、この領域を見かけ上の壁電極（擬似壁電極）とする擬似壁共通電極（第二の電極）を形成する構成としている。
【００３８】
この場合、画像表示時にはおいては、擬似壁共通電極を中心として、図３中のＢ側では、Ｂ側の壁画素電極ＳＥと擬似壁共通電極との間に第二の基板ＳＵ２の主面と平行な電界が生じ、Ｂ’側ではＢ’側の壁画素電極ＳＥと擬似壁共通電極との間に第二の基板ＳＵ２の主面と平行な電界が生じ、このＢ側及びＢ’側の電界によりそれぞれの領域の液晶分子ＬＣＭが第二の基板ＳＵ２の主面と平行に回転駆動される。
【００３９】
また、実施形態１の壁基材ＷＬは第一の透明導電膜ＴＣＦ１の内で、主に壁画素電極ＳＥとなる領域と重畳する構成となっている。すなわち、第一の共通電極ＣＥ１や第二の共通電極ＣＥ２と対をなして液晶層ＬＣに電界を印加する部分だけに壁基材ＷＬが形成され、第一の透明導電膜ＴＣＦ１と重畳される構成となっているので、ゲート線ＧＬの近傍にまで壁基材ＷＬが延在しない構成となっている。さらには、画素領域のゲート線ＧＬ側（Ｙ方向側）の辺部にも壁基材ＷＬが形成されない構成となっている。このように、壁構造ＷＬはゲート配線ＧＬとその近傍には形成されておらず、ドレイン配線ＤＬの延在方向において画素間を跨らない不連続な構成となっている。従って、液晶層ＬＣを形成する際に、真空封入法や滴下法等の何れの方法を用いる場合であっても、実施形態１の壁基材ＷＬは液晶分子ＬＣＭの移動に与える障害を少なくして液晶層ＬＣの形成を容易にしているので、液晶の注入を妨げない。例えば、液晶層ＬＣの注入に際して、液晶分子ＬＣＭは壁基材ＷＬの形成されていない部分を通って移動し、液晶層ＬＣを形成する。また、壁基材ＷＬは液晶層ＬＣを保持してその厚さを一定に保つ機能を有する。
【００４０】
なお、壁画素電極ＳＥ及び第一の共通電極ＣＥ１や第二の共通電極ＣＥ２を形成するための透明導電膜ＴＣＦ１，ＴＣＦ２を形成するための透明導電膜材料は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）及び酸化亜鉛系のＡＺＯ(Aluminum doped Zinc Oxide)やＧＺＯ（Gallium doped Zinc Oxide）等を用いることが可能である。
【００４１】
特に、実施形態１の壁画素電極ＳＥでは、図４の拡大図に示すように、壁基材ＷＬの断面形状が長方形であり、壁基材ＷＬの頭頂面に形成される第二の配向膜ＡＬ２が第一の基板ＳＵ１上に形成された第一の配向膜ＡＬ１に近接又は当接される構成となっている。なお、壁基材ＷＬの側壁面は第二の基板ＳＵ２の主面に垂直又は垂直に近い傾斜であればよいので、壁基材ＷＬの断面形状は長方形以外であってもよく、例えば台形や２次曲面、４次曲面等であってもよい。
【００４２】
また、実施形態１の画素構造では、壁基材ＷＬは隣接する画素を跨ぐようにして形成されているので、図４に示すように、当該壁基材ＷＬのドレイン線ＤＬの並設方向（図４中のＢ，Ｂ’方向）の側壁面には、それぞれ隣接する画素の壁画素電極ＳＥが対向配置するように形成されている。すなわち、隣接する画素に面する側壁面であり、対向する一対の側壁面には、隣接画素の壁画素電極ＳＥがそれぞれ形成されている。実施形態１の壁画素電極ＳＥは、壁基材ＷＬの側壁面に形成される垂直部（側壁面電極）ＶＰと、壁基材ＷＬの頭頂面に形成され垂直部ＶＰの頭頂側の辺縁部から頭頂面に沿って延在する頭頂部ＴＰと、壁基材ＷＬの底面側（第二の基板ＳＵ２側）の辺縁部から下層の第二の絶縁膜ＩＬ２の表面に沿い擬似壁共通電極側に所定幅で延在してなる平坦部（下端側電極）ＨＰから構成されている。
【００４３】
このとき、壁基材ＷＬの頭頂面には隣接画素の頭頂部ＴＰがそれぞれ形成されるので、隣接画素の壁画素電極ＳＥが最も近接されることとなる。従って、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬにおいては、隣接画素の頭頂部ＴＰの間隔よりも頭頂部ＴＰの隣接方向への突出量（突出幅）が小さくなるように形成されている。なお、壁画素電極ＳＥの構成はこれに限定されることはなく、例えば、頭頂部ＴＰを形成することなく、垂直部ＶＰと平坦部ＨＰのみで壁画素電極ＳＥを形成する構成であってもよい。
【００４４】
また、実施形態１の壁画素電極ＳＥでは、壁基材ＷＬの下層（第二の基板ＳＵ２に近い側）にドレイン線ＤＬが形成される、すなわち垂直部ＶＰの辺縁部の内でドレイン線ＤＬが形成される側に平坦部ＨＰが形成される構成となっているので、ドレイン線ＤＬが壁画素電極ＳＥに及ぼす影響を遮蔽する効果がある。尚且つ、平坦部ＨＰの先端すなわち垂直部ＶＰから遠い側では擬似壁共通電極との距離がより近接するため、液晶層ＬＣに印加される電界強度を強める効果がある。このように、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、壁基材ＷＬが第二の基板ＳＵ２側から第一の基板ＳＵ１側に液晶層ＬＣを貫くように形成され、尚且つその側壁面（斜面）が垂直若しくは垂直に近い斜面となるので、壁基材ＷＬに形成した壁画素電極ＳＥは液晶層ＬＣにその層面内に対して平行な電界を印加することができる。層面内に平行な電界の印加により、液晶層に一様な配向変化が生じるので、高い透過率が得られ、表示モード効率を向上できる。
【００４５】
〈壁画素電極及び擬似壁共通電極の電界分布〉
図５は本発明の実施形態１の液晶表示装置における擬似壁共通電極での電界分布を説明するための図、図６は従来の壁電極における電界分布を説明するための図、図７は従来の共通電極における電界分布を説明するための図、図８は本発明の実施形態１の擬似壁共通電極の位置合わせ精度を説明するための図である。
【００４６】
図５に示すように、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、第一の基板ＳＵ１に形成した第一の共通電極ＣＥ１と、第二の基板ＳＵ２に形成した第二の共通電極ＣＥ２とが表示面側から見て重畳されるように配置されている。その結果、実施形態１の擬似壁共通電極では、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との近傍においては、第一の共通電極ＣＥ１及び第二の共通電極ＣＥ２のみをそれぞれ囲むようにした等電位面Ｅ１，Ｅ２が生じる。このとき、実施形態１においては、第一の共通電極ＣＥ１及び第二の共通電極ＣＥ２には同じ共通信号が供給される構成となっているので、第一の共通電極ＣＥ１及び第二の共通電極ＣＥ２を共に囲むような等電位面Ｅ３、すなわち第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２とを結ぶような等電位面Ｅ３が生じる。このときの等電位面Ｅ３は、図６に示す壁状の電極ＩＷＥを形成した場合の等電位面と同様となる。尚且つ、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２の間には液晶層ＬＣが存在するので、擬似壁共通電極で形成される等電位面Ｅ３も壁状の電極ＩＷＥを設けた場合と同様の効果を得ることができ、擬似壁共通電極自体が透過率を大きく低下させることはない。従って、画素端の壁基材ＷＬに壁画素電極ＳＥ、画素中央に擬似壁共通電極を配置する構成により、ＷＶＧＡ対応の液晶表示パネルＰＮＬのように、短手方向の画素幅が比較的に大きい場合であっても、高い透過率が得られる。
【００４７】
また、図５に示す等電位面Ｅ３の形状から明らかなように、擬似壁共通電極によって形成される等電位面Ｅ３では、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との間の領域、すなわち第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との間の領域で、電極幅方向に対する等電位面Ｅ３の幅も小さくなるので、液晶分子の駆動に寄与しない電極幅を小さくすることが可能となる。その結果、表示効率を向上させることができる。
【００４８】
ただし、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、第一の共通電極ＣＥ１の幅が第二の共通電極ＣＥ２よりも大きい（広い）構成としている。これはカラーフィルタＣＦを有する基板である第一の基板ＳＵ１の加工精度が第二の基板ＳＵ２よりも相対的に低いことを考慮しているからである。例えば、図８に示すように、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２とがずれた場合であっても、第一の共通電極ＣＥ１の幅を大きく形成することにより、等電位面Ｅ３を形成することが可能となり、擬似壁共通電極を形成することができる。ただし、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２の電極幅は、異なる幅に限定されることはなく、同じ幅の構成であっても良い。より望ましくは、第一の共通電極ＣＥ１の幅を第二の共通電極ＣＥ２と同様にすれば良い。すなわち、第一の共通電極ＣＥ１の幅と第二の共通電極ＣＥ２の幅がより細いほど、図５に示す第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２を囲むように分布する等電位面Ｅ３の分布も狭くなるので、擬似壁共通電極近傍の透過率が増大する。
【００４９】
前述する構成からなる擬似壁共通電極に対して、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２のうち一方だけしか設けない場合には、擬似壁共通電極と同様の効果は得られない。図７は第二の基板ＳＵ２の側にのみ共通電極を設けた、すなわち第二の共通電極ＣＥ２のみを設けた場合の等電位面を示した図であり、この図７に示すように、第二の共通電極ＣＥ２を囲む同心円状の等電位面が生じる。この場合、第二の共通電極ＣＥ２上の電界強度は弱く、充分大きな液晶配向変化が生じないためその近傍で透過率が著しく低下してしまう。
【００５０】
一方、実施形態１の壁画素電極ＳＥは、壁基材ＷＬの対向する側壁面に自画素と隣接画素の壁画素電極ＳＥが配置されるので、壁基材ＷＬとその周辺に自画素と隣接画素の壁画素電極ＳＥの電位差に起因した電界が発生する。このために、列毎反転駆動の場合には、自画素が白表示で隣接画素が黒表示の際に、同一の壁基材ＷＬに形成される壁画素電極ＳＥ間での電位差が最大になる。このとき、白表示を行う画素内の電界強度に偏りが生じた場合には、白表示の透過率が低減する。また、黒表示を行う画素に電位の漏れが生じた場合には、黒表示の透過率が増大する。ここで、実施形態１の構成では、図３に示めすように、壁基材ＷＬの高さを液晶層ＬＣの厚さとほぼ等しく形成し、壁画素電極ＳＥが平坦部ＨＰを有している。この構成により、壁画素電極ＳＥを構成する垂直部ＶＰの表面からの電機力線が第二の基板ＳＵ２を介して、壁基材ＷＬの対向面に形成される垂直部ＶＰの表面に到達してしまうことに起因する横電界分布の偏りと隣接画素への電界漏れを低減することができるので、白表示の透過率を向上すると共に、黒表示の透過率を低減できる。すなわち、表示モード効率を向上できると共に、高コントラスト比が得られる。
【００５１】
図９は本発明の実施形態１の液晶表示装置における壁基材近傍での等電位面分布を示す図であり、特に、図９中の壁基材ＷＬの中央が画素境界であり、その右側の画素（自画素）では白表示、左側の画素（隣接する画素）では黒表示を行っている状態での等電位面分布を示している。また、図９に示す等電位面分布は、列毎反転駆動において隣接画素間の電位差が最大となる場合に相当する。
【００５２】
列毎反転駆動において隣接画素で白表示と黒表示を行う場合、白表示を行う側の等電位面ＥＦ１は広く分布する。一方、黒表示を行う画素にも等電位面ＥＦ２が形成されているが、壁画素電極ＳＥ近傍に局在化している。このような等電位面ＥＦ１，ＥＦ２の分布が得られることは、図中右側の白表示画素の壁画素電極ＳＥからの電界が黒表示画素の電界に影響を及ぼすことが低減できると共に、図中左側の黒表示画素の壁画素電極ＳＥからの電界が白表示画素の電界に影響を及ぼすことが低減できることを示している。
【００５３】
この構成からなる実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬとして、例えば、液晶層ＬＣには、室温を含む広い温度範囲でネマチック相を示す高抵抗の液晶材料を用いる液晶表示パネルを形成した。この実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、壁基材ＷＬに形成した壁画素電極ＳＥを用いて液晶層ＬＣの層平面すなわち液晶表示パネル面に平行な電界を印加した場合、液晶層ＬＣは一軸配向モデルに近い配向状態となる。この場合に高透過率と無彩色を両立するには、液晶層のリタデーションΔｎｄを３００ｎｍ前後とすればよい。実施形態１では、液晶材料の複屈折率Δｎは０．０９、液晶層厚は３．３μｍとし、液晶層のΔｎｄは３００ｎｍとしている。
【００５４】
このとき、壁基材ＷＬが形成される領域には液晶層ＬＣが存在しないため、壁基材ＷＬ自体は透過率低下の原因となる。そのため、実施形態１においては、壁基材ＷＬは画素端部のブラックマトリクスＢＭの下に配置する構成となっている。例えば、ＷＶＧＡ（Wide Video Graphics Array）対応の画素の場合に画素幅（Ｘ方向の画素幅）は３０μｍ程度である。従って、画素の端部に壁状の電極を形成し、一方の電極に映像信号を供給し、他方の電極に共通信号を供給する従来の壁電極構造では、壁基材ＷＬを３０μｍ間隔で配列すると電界強度分布が不均一になり透過率が低下してしまう。これに対して、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、画素中央に擬似壁共通電極を配置する構成となっているので、画素中央での電界強度を補うことが可能となり、透過率を向上させることができる。なお、前述するように、擬似壁共通電極は、一対の共通電極である第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２から構成される。
【００５５】
次に、図１０に本発明の実施形態１の液晶表示装置における１つの画素内における透過率分布の計測値の図を示し、以下、図１０に基づいて、実施形態１の画素構成での効果について説明する。ただし、図１０に示す計測値のグラフＧ１は、画素幅が３０μｍであり、画素端から１５μｍの位置に擬似壁共通電極が形成される画素の場合に、一方の画素端から他端側にかけての白表示時での透過率（白表示透過率）の計測値であり、白表示を行う自画素に隣接する画素は黒表示を行っている場合である。このように、自画素が白表示を行い、自画素に隣接する隣接画素が黒表示を行う場合、列毎反転駆動においては隣接画素間（自画素と隣接画素との間）の電位差が最大となる場合に相当する。
【００５６】
グラフＧ１から明らかなように、擬似壁共通電極が形成される領域である画素端部から１５μｍの部分では透過率が低下しているが、他の部分ではほぼ一定の透過率が得られている。このことは、擬似壁共通電極近傍を除いた画素内でほぼ一定の強度の電界（横電界）が液晶層ＬＣに印加されていることを示している。さらには、グラフＧ１から明らかなように、実施形態１の液晶表示装置では列毎反転駆動時において９０％の透過率が得られる。また、隣接画素の黒表示透過率は０．０８％であった。ただし、本願明細中における透過率は、カラーフィルタや偏光板等の各部材の吸収と開口率の影響を除いた値であり、液晶層の偏光変換能に対応する値である。
【００５７】
これに対して、例えば、画素幅が３０μｍであり、面状の共通電極の上層に絶縁膜を介して線状の画素電極が形成されるＩＰＳ方式の液晶表示装置では、列毎反転駆動時における透過率は７６％程度となるので、実施形態１の液晶表示装置では、透過率を大幅に向上できる。すなわち、表示モード効率を大幅に向上できる。
【００５８】
以上説明したように、実施形態１の液晶表示装置では、１つの画素が２つ以上の傾斜した画素領域から形成され、各画素領域がゲート線ＧＬの並設方向に対して対称をなすいわゆるマルチドメイン構成であると共に、壁画素電極ＳＥが垂直部ＶＰ、平坦部ＨＰ及び頭頂部ＴＰからなり、平面的に見て隣接画素の壁画素電極ＳＥから露出しない範囲にドレイン線ＤＬが形成され、さらには画素の辺縁部の内に形成される一対の壁画素電極ＳＥの間の領域に擬似壁共通電極が形成される構成となっているので、画素の短手方向が比較的離間した構成となる画素であっても透過率を向上させることが可能となる。
【００５９】
なお、本願発明の実施形態１の液晶表示装置では、１つの画素が２つの異なる方向に傾斜した領域（上側領域と下側領域）で形成するいわゆるマルチドメイン構成としたが、これに限定されることはない。例えば、１つの画素を３つ以上の領域で形成するマルチドメイン構成であってもよい。特に、１つの画素を３つ以上の領域で形成する場合には、各領域の傾斜角を全て異なる構成とすることも可能であるが、例えば、少なくとも２つ以上の傾斜角の異なる領域が適宜配置される構成であってもよい。
【００６０】
〈実施形態２〉
図１１は本発明の実施形態２の液晶表示装置における液晶表示パネルの概略構成を説明するための断面図であり、以下、図１１に基づいて、実施形態２の液晶表示装置について説明する。ただし、実施形態２の液晶表示パネルは、一対の壁画素電極ＳＥに囲まれる領域すなわち電界が印加される液晶層ＬＣの部分の構成が異なるのみで、他の構成は実施形態１と同様の構成となる。従って、以下の説明では、この壁画素電極ＳＥに挟まれる領域の構成について詳細に説明する。なお、実施形態２の画素構成においても、画素の中心部分で壁画素電極ＳＥの平面内での傾斜角が異なるいわゆるマルチドメイン構成の場合について説明するが、直線状の壁画素電極ＳＥ及び擬似壁共通電極からなるいわゆるシングルドメイン構成にも適用可能である。
【００６１】
図１１に示すように、実施形態２の液晶表示パネルは、実施形態１と同様に、第二の基板ＳＵ２の上層に、第一の絶縁膜ＩＬ１、ドレイン線ＤＬ、第二の絶縁膜ＩＬ２、壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥが順番に積層されて形成されている。ここで、実施形態２の液晶表示パネルでは、一対の壁画素電極ＳＥに挟まれて液晶分子ＬＣＭが駆動される領域（以下、透過領域と記す）毎に第四の絶縁膜（第一の絶縁厚膜）ＩＬ４が形成されている。すなわち、画素の領域の内で、壁基材ＷＬの形成されない領域に第四の絶縁膜ＩＬ４が形成される構成となっている。
【００６２】
実施形態２においては、第四の絶縁膜ＩＬ４は壁画素電極ＳＥの高さＨ２を超えない厚さで形成されている。また、実施形態２の構成では、壁基材ＷＬを含む壁画素電極の形成領域に沿った形状の貫通溝が第四の絶縁膜ＩＬ４に形成されており、この貫通溝の底面部露出される第二の絶縁膜ＩＬ２の表面（露出面）に壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥが形成されている。これにより、実施形態２の液晶表示パネルＰＮＬでは、第二の基板ＳＵ２の液晶側面に凹部（第一の溝）を形成し、この凹部の底面に壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥが立設される構成とし、凹部の深さすなわち第四の絶縁膜ＩＬ４の膜厚分だけ、液晶層厚よりも壁画素電極ＳＥの高さを大きく形成する構成としている。なお、実施形態２においては、第四の絶縁膜ＩＬ４にのみ貫通溝を設けることによって第二の基板ＳＵ２の表面（液晶側面）に凹部を形成する構成としたが、２つ以上の薄膜層を形成しそれぞれの薄膜層に貫通溝を設ける等によって凹部を形成する構成であってもよい。
【００６３】
第四の絶縁膜ＩＬ４の上層には、壁画素電極ＳＥ及び壁基材ＷＬの頭頂面を覆うようにして第三の絶縁膜ＩＬ３が形成されている。この第三の絶縁膜ＩＬ３の上層に擬似壁共通電極を形成する一方の透明電極である第二の共通電極ＣＥ２が形成され、その上層に配向膜ＡＬ２が形成されている。
【００６４】
この構成からなる第二の基板ＳＵ２の形成は、壁基材ＷＬを第二の絶縁膜ＩＬ２上に形成し、その高さＨ２をあらかじめ液晶層ＬＣの厚さＨ１よりも高く形成する。その後、壁基材ＷＬに壁画素電極ＳＥを構成する垂直部ＶＰ、平坦部ＨＰ及び頭頂部ＴＰをパターンニングして形成した後に、壁画素電極ＳＥ及び第二の絶縁膜ＩＬ２を含む第二の基板ＳＵ２の全面に第四の絶縁膜ＩＬ４を形成する。次に、壁基材ＷＬを含む壁画素電極ＳＥの形成領域に沿って、壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥの上層に形成される第四の絶縁膜ＩＬ４を除去し、壁画素電極ＳＥを構成する頭頂部ＴＰ、垂直部ＶＰ及び平坦部の一部、並びに壁基材ＷＬを露出させる。この後に、第三の絶縁膜ＩＬ３、第二の共通電極ＣＥ２及び第二の配向膜ＡＬ２を形成することにより、壁画素電極ＳＥを第四の絶縁膜ＩＬ４の膜厚分だけ液晶層ＬＣの厚さＨ１よりも高く形成できる。このとき、第四の絶縁膜ＩＬ４に有機レジスト等の有機絶縁膜材料を用いることによりその膜厚を容易に増大できる。また、壁基材ＷＬは液晶層ＬＣの厚さＨ１よりも充分に高くする。
【００６５】
一方、第一の基板ＳＵ１の構成は、前述する実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬの第一の基板ＳＵ１と同様の構成となる。その結果、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、液晶層ＬＣの厚さＨ１を従来の液晶表示パネルＰＮＬと同様の厚さとした場合であっても、壁画素電極ＳＥの高さＨ２よりも透過領域の液晶層ＬＣの厚さＨ１を小さく形成できる。すなわち、液晶層ＬＣの厚さＨ１よりも壁画素電極ＳＥの高さＨ２が大きく形成された構成となる。
【００６６】
次に、図１２に本発明の実施形態２の液晶表示装置における壁基材近傍での等電位面分布を説明するための図、図１３に実施形態１の液晶表示装置を画素毎反転駆動した場合の壁基材近傍での等電位面分布を説明するための図を示し、以下、図１２及び図１３に基づいて、実施形態２の液晶表示パネルＰＮＬの画素構成について詳細に説明する。ただし、図１２及び図１３に示す等電位面分布は、画素毎反転駆動時における隣接画素間の電位差が最大となる場合に相当する。
【００６７】
画素毎反転駆動では隣接する画素の電位が反転しているので、自画素と隣接画素とが共に白表示の場合に隣接画素間の電位差が最大になる。このとき、実施形態２の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、隣接画素の壁画素電極ＳＥは壁基材ＷＬを介して対向する位置に形成されている。このために、隣接する画素に極性の反転した最大電圧が印加される場合すなわち自画素及び隣接画素が共に白表示の場合には、列毎反転駆動における最大値の２倍近くの電位差が生じ、隣接画素の電位に及ぼす影響も大きくなる。
【００６８】
ここで、図１３に実施形態２の液晶表示装置における液晶層厚Ｈ１と壁画素電極ＳＥの高さＨ２との差Ｈｄ（＝Ｈ２−Ｈ１）と、画素毎反転駆動時における白表示時の透過率及び黒表示時の透過率との計測結果を示す図を示し、以下、図１２及び図１３に基づいて、実施形態２の液晶表示パネルの詳細構成について説明する。ただし、グラフＧ３は壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差Ｈｄを変化させた場合における白表示時の自画素の透過率の計測値であり、グラフＧ４は壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差Ｈｄを変化させた場合における黒表示時の自画素の透過率の計測値である。
【００６９】
グラフＧ３から明らかなように、実施形態２の液晶表示パネルＰＮＬでは、壁基材ＷＬの高さを変えるすなわち壁画素電極ＳＥの高さＨ２を変えることにより、画素毎反転駆動時における表示特性を変化させることが可能である。
【００７０】
すなわち、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差ＨｄがＨｄ＝０（ゼロ）μｍの場合には、実施形態１の液晶表示装置において画素毎反転駆動を行った場合に相当し、この場合の白表示時の透過率は７４％程度となる。これに対して、第四の絶縁膜ＩＬ４を形成し透過領域の液晶層厚Ｈ１を変化させずに壁画素電極ＳＥの高さＨ２を大きくした場合、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差Ｈｄの増加に伴い白表示時の透過率も増加（向上）することが明らかとなった。例えば、Ｈｄ＝０．５μｍ時には透過率は８２％程度に増加し、Ｈｄ＝１．０μｍ時は８７％に増加する。さらにＨｄを大きくした場合、Ｈｄ＝２．０μｍ以上で透過率は８９％程度となり、それ以上Ｈｄを大きくした場合であっても透過率は８９％程度となり、Ｈｄ＝２．０μｍで透過率の増加が飽和する。
【００７１】
同様にして、グラフＧ４から明らかなように、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差ＨｄがＨｄ＝０（ゼロ）μｍの場合には、黒表示時の透過率は０．４３％程度となる。一方、Ｈｄ＝０．５μｍ時には透過率は０．２１％程度に減少（向上）し、Ｈｄ＝１．０μｍ時は０．１４％に減少する。さらにＨｄを大きくした場合、Ｈｄ＝２．０μｍ以上で透過率は０．０８％程度となり、それ以上Ｈｄを大きくした場合であっても透過率は０．０８％程度となり、Ｈｄ＝２．０μｍで透過率の減少が飽和する。
【００７２】
図１４は本発明の実施形態２の液晶表示装置における液晶層厚Ｈ１と壁画素電極ＳＥの高さＨ２との差Ｈｄ（＝Ｈ２−Ｈ１）と、画素毎反転駆動時におけるコントラスト比を示す図であり、特に、図１３に示す黒表示時（暗表示時）と白表示時（明表示時）の表示モード効率から求めたコントラスト比である。図１４のグラフＧ５から明らかなように、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差ＨｄがＨｄ＝０（ゼロ）μｍの場合には、コントラスト比は１７０程度となる。これに対して、Ｈｄ＝０．５μｍ時は３９０に向上し、Ｈｄ＝１．０μｍ時は６５０、Ｈｄ＝１．５μｍ時は８７０、Ｈｄ＝２．０μｍ時は１０００、Ｈｄ＝２．５μｍ時は１０２０、Ｈｄ＝３．０μｍ時は１０３０にそれぞれ向上する。このように、実施形態２の液晶表示装置では、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１の差Ｈｄが増大するにつれてコントラスト比も増大することとなり、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差ＨｄがＨｄ＝２μｍの付近でコントラスト比の増大は頭打ちになり、なおかつコントラスト比は１０００：１に到達する。
【００７３】
コントラスト比は明表示透過率（白表示時の透過率）と暗表示透過率（黒表示時の透過率）の割り算で算出されるが、実施形態２の液晶表示装置においては、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１の差ＨｄがＨｄ＝２μｍとなる近傍では暗表示透過率が充分に低下し、明表示透過率が充分に増大する。従って、実施形態２の構成においては、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１の差ＨｄがＨｄ＝２μｍ以上となるように第四の絶縁膜ＩＬ４及び壁画素電極ＳＥを形成することにより、本願発明による効果が充分に得られ、高コントラスト比が得られる。よって、実施形態２の液晶表示装置においては、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１の差ＨｄがＨｄ＝２μｍ以上となるように、第四の絶縁膜ＩＬ４及び壁画素電極ＳＥを形成することが好適である。
【００７４】
図１７は実施形態２の液晶表示装置において壁基材ＷＬを液晶層ＬＣよりも２μｍ高く形成し、画素毎反転駆動で白表示を行った際の透過率分布を示す図である。特に、実線で示すグラフＧ６が実施形態２の液晶表示装置において、画素毎反転駆動で白表示を行った際の透過率分布を示すグラフである。他のグラフＧ１，Ｇ２は比較対象として示すものであり、グラフＧ１は実施形態１の液晶表示装置において列毎反転駆動で白表示を行った際の透過率分布を示すグラフ、グラフＧ２は実施形態１の液晶表示装置において画素毎反転駆動時で白表示を行った際の透過率分布を示すグラフである。
【００７５】
グラフＧ３から明らかなように、実施形態１の液晶表示装置と同様に、擬似壁共通電極構造以外の部分では均一な透過率が得られている。このときの透過率は、グラフＧ１に示す実施形態１の液晶表示装置での列毎反転駆動で白表示を行った際の透過率分布と同等に向上することができる。すなわち、実施形態２の液晶表示装置では、壁基材ＷＬを液晶層ＬＣよりも２μｍ高くなるように第四の絶縁膜ＩＬ４を形成することにより、画素毎反転駆動においても隣接画素電位を完全に遮蔽できる。
【００７６】
一方、実施形態１の液晶表示装置において画素毎反転駆動で自画素及び該自画素に隣接する隣接画素で共に白表示を行った場合には、グラフＧ２から明らかなように、擬似壁共通電極近傍の透過率が低下すると共に、擬似壁共通電極以外の部分でも透過率が一定にならず、特に壁画素電極ＳＥの近傍でも透過率が低下することとなる。
【００７７】
このときの壁画素電極ＳＥの近傍の等電位面分布を示したのが図１５であり、図９に示す列毎反転駆動時における白表示の画素での等電位面数よりも、画素毎反転駆動時の等電位面数が増大している。すなわち、図１５に示す等電位面分布では、白表示を行う自画素の等電位面数は３つで同数となるが、黒表示を行う隣接画素の等電位面数は１つから３つに増大している。また、図１５から明らかなように、図９に示す列毎反転駆動時に比較して、白表示を行う自画素における等電位面ＥＦ１の分布が壁構造ＷＬ側に偏ってしまう、すなわち、壁画素電極ＳＥの近傍に等電位面ＦＥ１が局在化することとなる。これは壁基材ＷＬ内に列毎反転駆動時の約二倍の電位差が生じて等電位面の間隔が狭くなったことに起因するものであり、液晶層ＬＣ中の等電位面ＥＦ１の分布間隔も縮小して壁画素電極ＳＥ（壁基材ＷＬ）の側に偏った分布となる。これらのことから、実施形態１の液晶表示装置における画素毎反転駆動時でのグラフＧ６に見られる擬似壁共通電極近傍での透過率低下は、隣接画素電位の影響で画素内の電界強度分布が不均一になり、液晶層ＬＣ中の液晶分子ＬＣＭを十分に駆動することができなくなり、画素内の各部分の透過率が同一の電圧で最大値をとらなくなったことによると考えられる。その結果、実施形態１の液晶表示装置における画素毎反転駆動時の白表示時において十分な透過率を得ることができなくなってしまい、白表示透過率が７５％に減少し、隣接画素が白表示における黒表示透過率も０．４３％に増大してしまうこととなる。
【００７８】
これに対して、実施形態２の液晶表装置では、図１２に示すように、白表示の等電位面ＥＦ１は液晶層ＬＣ内において図９に示す白表示時の自画素（図中右側）と同程度に広がっており、均一な電界分布が得られることが判る。また、図中左側の隣接画素で黒表示を行うと共に、図中右側の自画素で白表示を行う場合、図１６に示すように、壁基材ＷＬ近傍の等電位面分布の内で隣接画素の等電位面である黒表示画素の等電位面ＦＥ２は、前述する実施形態１の図９に示す等電位面分布と同程度に壁画素電極ＳＥの近傍に広がることとなる。また、白表示を行う自画素の等電位面ＦＥ１も図９に示す等電位面ＥＦ１と同程度に、液晶層ＬＣ中に広がって分布される。その結果、実施形態２の液晶表示パネルＰＮＬにおいて、画素毎反転駆動によって、黒表示の画素と白表示の画素とが隣接された場合であっても、白表示時の透過率を向上できる。
【００７９】
以上説明したように、実施形態２の液晶表示装置では、傾斜した２つ以上の画素領域で１つの画素を形成し、画素の辺縁部に壁画素電極ＳＥを配置すると共に、該壁画素電極ＳＥとの間の透過領域内に擬似壁共通電極を配置し、さらには透過領域内に第四の絶縁膜ＩＬ４を形成することによって、壁画素電極ＳＥの高さＨ２が液晶層の厚さＨ１よりも大きく形成している。その結果、前述する実施形態１の液晶表示装置の効果に加えて、１つの壁基材ＷＬに対して隣接画素の壁画素電極ＳＥを形成し、隣接する壁画素電極ＳＥに画素毎反転駆動方式で映像信号を供給した場合であっても、液晶層中の等電位面分布を広くすることが可能となり、白表示時及び黒表示時の透過率を向上することができるという格別の効果を得ることができる。
【００８０】
このように、実施形態２の液晶表示装置では、画素毎反転駆動時における透過率の向上等を目的として液晶層ＬＣの厚さよりも壁画素電極ＳＥの高さを大きくするために、少なくとも第四の絶縁膜ＩＬ４を厚く形成する。さらには、実施形態２の液晶表示パネル厚を実施形態１の液晶表示パネル厚よりも厚く形成することにより、実施形態２の液晶層厚を実施形態１の液晶層厚と同じ厚さに形成している。
【００８１】
〈実施形態３〉
図１８は本発明の実施形態３の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。実施形態３の液晶表示装置は、画素の辺縁部分にそれぞれ対向配置される壁画素電極ＳＥとの間に形成される第五の絶縁膜ＩＬ５の構成が異なるのみで、他の構成は実施形態２の液晶表示装置と同様の構成である。従って、以下の説明では、第五の絶縁膜ＩＬ５について詳細に説明する。
【００８２】
図１８に示すように、実施形態３の液晶表示装置においても第一の基板ＳＵ１の構成は実施形態１と同様の構成となる。第二の基板ＳＵ２には、液晶側の面に順に、第一の絶縁膜ＩＬ１、ドレイン線ＤＬ、第二の絶縁膜ＩＬ２、壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥが形成されている。ここで、実施形態３の液晶表示パネルＰＮＬでは、壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥを覆うようにして第二の基板ＳＵ２の全面に第五の絶縁膜（第二の絶縁厚膜）ＩＬ５が形成され、該第五の絶縁膜ＩＬ５の上層に第三の絶縁膜ＩＬ３が第二の基板ＳＵ２の全面に形成されている。この第三の絶縁膜ＩＬ３の上層には擬似壁共通電極を構成する第二の共通電極ＣＥ２が形成され、該第二の共通電極ＣＥ２を覆うようにして第二の基板ＳＵ２の全面に第二の配向膜ＡＬ２が形成されている。
【００８３】
このとき、実施形態３の液晶表示パネルＰＮＬにおいては、第二の基板ＳＵ２の全面に形成される第五の絶縁膜ＩＬ５の膜厚が、透過領域とこの透過領域を除く領域とにおいて異なる膜厚となるように形成されている。また、前述する実施形態２の液晶表示パネルＰＮＬと同様に、実施形態３においても透過領域の第五の絶縁膜ＩＬ５の膜厚は２．０μｍとなるように形成されている。ただし、第五の絶縁膜ＩＬ５の膜厚は、実施形態２の液晶表示装置と同様の理由により、２．０μｍ以上であってもよい。
【００８４】
このような第五の絶縁膜ＩＬ５の形成は、例えば、壁基材ＷＬの形成後に壁画素電極ＳＥの形成し、この後に、低粘度の有機レジスト等の有機絶縁膜材料を第二の基板ＳＵ２の全面に塗布し、硬化させることによって形成可能である。すなわち、低粘度の有機レジスト等を用いることにより、スピンコータやスリットコータを用いて第二の基板ＳＵ２に塗布された有機レジストは、塗布後に流動して高い部分では薄く、低い部分では厚く分布することとなる。従って、本願発明の液晶表示パネルＰＮＬのように、第二の基板ＳＵ２の液晶面側に立設される壁基材ＷＬの側面に壁画素電極ＳＥを形成する構成では、壁画素電極ＳＥが形成される近傍においては、塗布時の有機レジストの表面張力によって第五の絶縁膜ＩＬ５の膜厚が壁基材ＷＬの高さ程度に非常に厚くなるが、壁画素電極ＳＥから離れた領域である透過領域においては平坦でかつ均一な膜厚（例えば、２μｍ）となる。さらには、壁基材ＷＬの頭頂面では、その膜厚は他の絶縁膜と同様に薄く形成される。このように、実施形態３の液晶表示パネルＰＮＬでは、低粘度の有機絶縁膜材料の塗布及び硬化のみの工程で所望位置に第五の絶縁膜ＩＬ５を形成することができるので、パターンニングに要する工程を削減することが可能となる。その結果、第二の基板ＳＵ２すなわち液晶表示装置の製造工程を簡略化でき、製造コストを低減できるという格別の効果を得られる。
【００８５】
なお、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２とを貼り合わせるシール材の密着性能を向上させる等のために、表示領域ＡＲの外側部分に形成される第五の絶縁膜ＩＬ５や配向膜ＡＬ２等を除去する構成であってもよい。
【００８６】
以上説明したように、実施形態３の液晶表示装置では、画素の辺縁部の内で長手方向に延在する辺縁部に、隣接する画素の壁画素電極がそれぞれ近接して形成されると共に、該一対の壁画素電極との間の透過領域内に擬似壁共通電極が形成され、さらには、透過領域を含む第二の基板の全面に低粘度の有機絶縁膜材料を塗布及び硬化させることによって第五の絶縁膜ＩＬ５を形成し、壁画素電極ＳＥの高さが液晶層の厚さよりも大きくなるように形成されている。その結果、前述する実施形態２の液晶表示装置の効果に加えて、一対の壁画素電極との間の透過領域内に形成される絶縁膜である第五の絶縁膜ＩＬ５の形成に要する工程を簡略化できるという格別の効果を得ることができる。
【００８７】
〈実施形態４〉
図１９は本発明の実施形態４の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。ただし、実施形態４の液晶表示装置は、各画素の透過領域の液晶層厚を調整するための絶縁膜層として、第一の基板ＳＵ１の形成されるオーバーコート層ＯＣを用いる構成及び壁画素電極ＳＥの高さが異なるのみで、他の構成は実施形態１の液晶表示装置と同様の構成である。従って、以下の説明では、第一の基板ＳＵ１の構成について詳細に説明する。
【００８８】
図１９に示すように、実施形態４の第一の基板ＳＵ１の液晶面側には、隣接画素との境界部分に対峙する位置にブラックマトリクスＢＭが形成され、該ブラックマトリクスＢＭを覆うようにカラーフィルタＣＦが形成されている。このとき、カラーフィルタＣＦはＲＧＢの各色に対応しており、ブラックマトリクスＢＭと重畳する領域でＲＧＢの内の何れかのカラーフィルタＣＦが隣接する構成となっている。
【００８９】
また、カラーフィルタＣＦの上層にはオーバーコート層ＯＣが形成されている。このとき、実施形態４のオーバーコート層ＯＣでは、壁基材ＷＬと対峙する領域に沿って、凹部（第二の溝部）が形成されている。すなわち、オーバーコート膜ＯＣをパターンニングして、壁基材ＷＬに相対する部分からオーバーコート膜ＯＣを除去することにより、オーバーコート層ＯＣを貫通する貫通溝からなる凹部が第一の基板ＳＵ１の液晶面側に形成される。この上層にはオーバーコート層ＯＣ及び除去部分（凹部）を覆うようにして、第一の基板ＳＵ１の全面に第一の配向膜ＡＬ１が形成されている。
【００９０】
一方、第二の基板ＳＵ２の液晶面側には第一の絶縁膜ＩＬ１が形成されており、第二の基板ＳＵ２の表面に形成される図示しないゲート電極（ゲート線）と、図示しない薄膜トランジスタの半導体層との間に形成されるゲート絶縁膜としても機能する構成となっている。この第一の絶縁膜ＩＬ１の上層には第二の共通電極ＣＥ２とドレイン線ＤＬとが形成され、特に、実施形態４の液晶表示パネルＰＮＬでは第二の共通電極ＣＥ２とドレイン線ＤＬとが同層に形成されている。
【００９１】
また、ドレイン線ＤＬの上層には、前述する実施形態１〜３と同様に、ドレイン線ＤＬを跨ぐようにして壁基材ＷＬが形成されている。この壁基材ＷＬの側壁面に壁画素電極ＳＥを形成する垂直部ＶＰが形成され、該垂直部ＶＰの下端側には第一の絶縁膜ＩＬ１の上面に沿って平坦部ＨＰが形成され、垂直部ＶＰの上端側には壁基材ＷＬの頭頂面に沿って頭頂部ＴＰが形成されている。このとき、実施形態４の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、前述する実施形態２，３の液晶表示パネルＰＮＬと同様に、液晶層ＬＣの厚さＨ１よりも大きい高さＨ２で壁基材ＷＬが形成されている。すなわち、実施形態４の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、壁基材ＷＬは実施形態１と同様にドレイン線ＤＬの下層の絶縁膜（実施形態４では第一の絶縁膜ＩＬ１）上に形成されるが、その高さＨ２をあらかじめ液晶層厚Ｈ１よりも高く形成する。
【００９２】
この壁画素電極ＳＥの上層には、当該壁画素電極ＳＥ及び第二の共通電極ＣＥ２等を覆うようにして、第二の基板ＳＵ２の全面には第二の配向膜ＡＬ２が形成される。この第二の配向膜ＡＬ２により、液晶層ＬＣの液晶分子ＬＣＭの初期配向が制御される。
【００９３】
このような構成からなる実施形態４の液晶表示パネルＰＮＬでは、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との貼り合わせにより、オーバーコート層ＯＣに形成される凹部の底面部分に壁画素電極ＳＥの頭頂部ＴＰが当接又は近接されるようにして形成されることとなる。この壁基材ＷＬの頭頂部がオーバーコート層ＯＣのない部分に近接するように組み合わされることにより、壁基材ＷＬがオーバーコート層ＯＣの膜厚分だけ液晶層厚Ｈ１よりも高くなる。その結果、実施形態４の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、各画素の透過領域内における液晶層ＬＣの厚さはＨ１となり、液晶層厚Ｈ１よりも大きい高さＨ２の壁画素電極ＳＥからの電界により、液晶分子ＬＣＭが駆動できる。
【００９４】
このとき、ドレイン線ＤＬやゲート線ＧＬ等の各種配線や壁画素電極ＳＥ等が形成される第二の基板ＳＵ２は、第一の基板ＳＵ１よりもその製造工程が複雑となる。これに対して、実施形態４の液晶表示装置では第一の基板ＳＵ１の側に壁画素電極ＳＥが入り込むような凹部を形成することによって、液晶層厚Ｈ１よりも壁電極高さＨ２が大きく形成される構成となっている。従って、実施形態４の液晶表示装置では、第二の基板ＳＵ２の製造に要する工程数を低減させることができ、製造工程を簡略化できるという格別の効果を得ることができる。
【００９５】
次に、図２０に本発明の実施形態４の液晶表示装置において画素毎反転駆動時に隣接画素間の電位差が最大となる場合の壁基材近傍での等電位面分布を説明するための図、図２１に本発明の実施形態４の液晶表示装置において画素毎反転駆動時に白表示画素と黒表示画素とが隣接する場合の壁基材近傍での等電位面分布を説明するための図を示し、以下、図２０及び図２１に基づいて、実施形態４の壁画素電極ＳＥの構成による表示動作について説明する。ただし、図２０及び図２１に示す等電位面分布は、実施形態２，３と同様に、Ｈｄ＝Ｈ２−Ｈ１＝２．０μｍ時における等電位面分布である
図２０から明らかなように、隣接する画素間の電位差が最大となる場合すなわち図２０中の右側の自画素及び左側の隣接画素においても共に白表示を行う場合であっても、１つの壁基材ＷＬを介して対向配置される壁画素電極ＳＥからは、自画素と隣接画素にそれぞれ分布する等電位面ＦＥ１が壁電極ＳＥから画素の中心部に形成される擬似壁共通電極の側に広く分布されている。すなわち、実施形態１の図９に示す白表示の画素における等電位面ＥＦ１と同程度に壁画素電極ＳＥの近傍に等電位面ＥＦ１が広がることとなるので、液晶層ＬＣに均一な電界（横電界）を印加することができ、実施形態２，３と同様に、透過率を向上させることができる。
【００９６】
また、図２１に示すように、画素毎反転駆動において、自画素が白表示であり、隣接画素が黒表示を行う場合の等電位面分布では、黒表示を行う隣接画素においては、ドレイン線ＤＬと壁画素電極ＳＥとを囲むような等電位面ＦＥ２が生じる。このとき、等電位面ＦＥ２は壁画素電極ＳＥの近傍に局在することとなり、黒透過率は減少（向上）する。一方、白表示を行う自画素では、等電位面ＦＥ１は壁画素電極ＳＥから画素の中心部に形成される擬似壁共通電極の側に広く分布されるので、白透過率も増加（向上）する。
【００９７】
次に、図２２に本発明の実施形態４の液晶表示装置における液晶層厚Ｈ１と壁画素電極ＳＥの高さＨ２との差Ｈｄ（＝Ｈ２−Ｈ１）と、画素毎反転駆動時における白表示時の透過率及び黒表示時の透過率との計測結果を示す図を示し、以下、図２２に基づいて、実施形態４の液晶表示パネルにおける液晶層厚Ｈ１と壁画素電極ＳＥの高さＨ２との差Ｈｄと、透過率との関係について説明する。ただし、グラフＧ７は壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差Ｈｄを変化させた場合における白表示時の自画素の透過率の計測値であり、グラフＧ８は壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差Ｈｄを変化させた場合における黒表示時の自画素の透過率の計測値である。
【００９８】
グラフＧ７から明らかなように、実施形態４の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、壁基材ＷＬの高さを変えるすなわち壁画素電極ＳＥの高さＨ２を変化させることにより、画素反転駆動時における表示特性を向上させることが可能である。
【００９９】
すなわち、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差ＨｄがＨｄ＝０（ゼロ）μｍの場合には、実施形態１の液晶表示装置において画素反転駆動を行った場合に相当し、白表示時の透過率は７４％程度である。これに対して、壁画素電極ＳＥすなわち壁基材ＷＬと対峙するオーバーコート層ＯＣ部分に凹部を設けると共に、壁画素電極ＳＥの高さＨ２が液晶層厚Ｈ１よりも大きく形成し、透過領域の液晶層厚Ｈ１を変化させずに壁画素電極ＳＥの高さＨ２を大きくした場合、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差Ｈｄの増加に伴い白表示時の透過率も増加（向上）することが明らかとなった。例えば、Ｈｄ＝０．５μｍ時には透過率は８０％程度に増加し、以降、Ｈｄ＝１．０μｍ時に８４％、Ｈｄ＝１．５μｍ時に８７％、Ｈｄ＝２．０μｍ時に８８％、Ｈｄ＝２．５μｍ時に８９％、Ｈｄ＝３．０μｍ時に８９％に増加する。
【０１００】
同様にして、グラフＧ８から明らかなように、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差ＨｄがＨｄ＝０（ゼロ）μｍの場合には、黒表示時の透過率は０．４３％程度となる。一方、Ｈｄ＝０．５μｍ時には透過率は０．２３％程度に減少（向上）し、Ｈｄ＝１．０μｍ時は０．１６％、Ｈｄ＝１．５μｍ時は０．１１％、Ｈｄ＝２．０μｍ時は０．０９％、Ｈｄ＝２．５μｍ時は０．０８％、Ｈｄ＝３．０μｍ時は０．０８％に減少する。
【０１０１】
図２３は本発明の実施形態４の液晶表示装置における液晶層厚Ｈ１と壁画素電極ＳＥの高さＨ２との差Ｈｄ（＝Ｈ２−Ｈ１）と、画素毎反転駆動時におけるコントラスト比を示す図である。ただし、図２３は図２２に示す黒表示時（暗表示時）と白表示時（明表示時）の表示モード効率から求めたコントラスト比である。
【０１０２】
図２３のグラフＧ９から明らかなように、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差ＨｄがＨｄ＝０（ゼロ）μｍの場合には、コントラスト比は１８０程度となる。これに対して、Ｈｄ＝０．５μｍ時は３４０に向上し、Ｈｄ＝１．０μｍ時は５４０、Ｈｄ＝１．５μｍ時は８００、Ｈｄ＝２．０μｍ時は９９０、Ｈｄ＝２．５μｍ時は１０４０、Ｈｄ＝３．０μｍ時は１０５０にそれぞれ向上する。このように、実施形態４の液晶表示装置においても、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１の差Ｈｄが増大するにつれてコントラスト比も増大することとなり、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差ＨｄがＨｄ＝２μｍ以上でコントラスト比の増大は頭打ちになり、なおかつコントラスト比はほぼ１０００：１に到達する。
【０１０３】
従って、実施形態４の液晶表示装置においても、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１の差ＨｄがＨｄ＝２μｍ以上となるように、オーバーコート層ＯＣ及び壁画素電極ＳＥを形成することにより、本願発明による効果が充分に得られ、高コントラスト比が得られる。よって、実施形態４の液晶表示装置においては、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１の差ＨｄがＨｄ＝２μｍ以上となるように、オーバーコート層ＯＣ及び壁画素電極ＳＥを形成することが好適である。
【０１０４】
このように、実施形態４の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬと同様に、液晶層厚Ｈ１よりも壁画素電極ＳＥの高さＨ２が２．０μｍ以上となるように、オーバーコート層ＯＣ及び壁画素電極ＳＥを形成することにより、白透過率及び黒透過率を共に向上することができる。すなわち、実施形態４の構成であっても、同一の壁基材ＷＬに配置される隣接画素に対応する壁画素電極ＳＥによる電位を効果的に遮蔽することが可能である。
【０１０５】
なお、実施形態４の液晶表示装置では、第一の基板ＳＵ１に凹部を設ける構成により、液晶層厚Ｈ１よりも壁画素電極ＳＥの高さＨ２を大きく形成する構成としたが、これに限定されることはない。例えば、実施形態４の第一の基板ＳＵ１と実施形態２又は実施形態３の第二の基板ＳＵ２の構成とを組み合わせる構成であってもよい。この場合、第四の絶縁膜ＩＬ４又は第五の絶縁膜ＩＬ５の膜厚を薄く形成できると共に、オーバーコート層ＯＣに形成する凹部の深さも小さくすることができるという格別の効果を得ることができる。
【０１０６】
〈実施形態５〉
図２４は本発明の実施形態５の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。ただし、実施形態５の液晶表示装置は第二の基板ＳＵ２に形成される画素電極を壁状の画素電極である壁画素電極ＳＥ１と線状の画素電極である線状画素電極ＳＥ２とで形成する構成を除く他の構成は、実施形態１の液晶表示装置と同様の構成となる。従って、以下の説明では、壁画素電極ＳＥ１及び線状画素電極ＳＥ２について詳細に説明する。
【０１０７】
図２４に示すように、実施形態５の第一の基板ＳＵ１の液晶面側には、第一の絶縁膜ＩＬ１が全面に形成され、該第一の絶縁膜ＩＬ１の上層にドレイン線ＤＬと線状画素電極（第三の電極）ＳＥ２とが近接して形成されている。特に、実施形態５においては、壁画素電極（第一の画素電極）ＳＥ１の下層に線状画素電極（第二の画素電極）ＳＥ２が配置される構成となっているので、隣接画素のそれぞれの線状画素電極ＳＥ２が１つのドレイン線ＤＬを挟むような構成となっている。すなわち、２本の線状画素電極ＳＥ２の間に１つのドレイン線ＤＬが配置される構成となっている。このとき、線状画素電極ＳＥ２は壁画素電極ＳＥ１と同電位とするために、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２は、共に自画素内の薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接続され、同じ映像信号が供給される構成となっている。
【０１０８】
ドレイン線ＤＬ及び線状画素電極ＳＥ２の上層には、実施形態１と同様に、当該ドレイン線ＤＬ及び線状画素電極ＳＥ２を覆うようにして第二の基板ＳＵ２の全面に第二の絶縁膜ＩＬ２が形成されている。このとき、実施形態５の液晶表示パネルＰＮＬでは、実施形態１の第二の絶縁膜ＩＬ２の厚さよりも実施形態５の第二の絶縁膜ＩＬ２の厚さが厚い（大きい）方が好ましい。
【０１０９】
第二の絶縁膜ＩＬ２の上層には、壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥが形成され、第二の基板ＳＵ２の全面に形成される第三の絶縁膜ＩＬ３に覆われている。該第三の絶縁膜ＩＬ３の上層には第二の共通電極ＣＥ２が形成され、その上面に第二の配向膜ＡＬ２が形成されている。また、第二の基板ＳＵ２の裏面側すなわちバックライト光の照射面側には第二の偏光板ＰＬ２が配置されている。
【０１１０】
一方、第一の基板ＳＵ１側の構成は実施形態１と同様の構成であり、第一の基板ＳＵ１の液晶面側には、順番に、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第一の共通電極ＣＥ１及び第一の配向膜ＡＬ１が順番に形成されている。
【０１１１】
次に、図２５及び図２６に本発明の実施形態５の液晶表示装置における画素毎反転駆動時での壁画素電極の近傍における等電位面分布図を示し、実施形態５の液晶表示装置の動作を説明する。ただし、図２５は図中右側の自画素及び図中左側の隣接画素が共に白表示の場合における等電位面分布図であり、図２６は自画素が白表示であり、隣接画素が黒表示の場合における等電位面分布図である。
【０１１２】
図２５から明らかなように、実施形態５の液晶表示パネルＰＮＬでは、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２とへの映像信号の印加により、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２とを囲むようにして等電位面ＥＦ１が形成される。このとき、線状画素電極ＳＥ２は壁画素電極ＳＥ１の基板（第二の基板ＳＵ２）側に形成される平坦部ＨＰよりも基板に近い層に形成されている。従って、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２とからなる見かけ上の画素電極（擬似壁画素電極）を液晶表示パネルＰＮＬの厚さ方向（Ｚ方向）に伸延した壁状の画素電極とすることができる。すなわち、前述する実施形態２〜４と同様に、液晶層厚よりも高い壁状の画素電極を形成することが可能となり、高い遮蔽効果を得ることができる。その結果、隣接する画素に印加される映像信号による影響を受けることなく、それぞれの映像信号に対応した画素の電界によって液晶層ＬＣ中の液晶分子ＬＣＭを駆動することができる。また、自画素の壁画素電極ＳＥ１及び線状画素電極ＳＥ２と、隣接画素の壁画素電極ＳＥ１及び線状画素電極ＳＥ２とに間に最大電圧差が生じた場合であっても、実施形態２〜４の液晶表示パネルＰＮＬと同様に、自画素及び隣接画素の何れにおいても等電位面ＦＥ１が液晶層ＬＣ中に広く分布する。
【０１１３】
また、図２６から明らかなように、自画素を白表示させると共に隣接画素を黒表示させる場合においても、白表示となる自画素においては壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２とを囲むようにして等電位面ＥＦ１が形成される。また、黒表示となる隣接画素においては、図２６ではドレイン線ＤＬにも０Ｖ（ゼロボルト）の電圧が印加されているので、壁画素電極ＳＥ１及び線状画素電極ＳＥ２並びにドレイン線ＤＬを囲むようにして等電位面ＥＦ２が形成される。従って、白表示と黒表示の画素が隣接した場合であっても高い遮蔽効果を得ることができ、隣接する画素に印加される映像信号による影響を受けることなく、各画素の液晶層ＬＣ中の液晶分子ＬＣＭを駆動することができる。
【０１１４】
次に、図２７に本発明の実施形態５の液晶表示装置における壁画素電極と線状画素電極との間隔と、画素毎反転駆動時における白表示時の透過率及び黒表示時の透過率との計測結果を示す図を示し、以下、図２７に基づいて、実施形態５の液晶表示パネルにおける壁画素電極と線状画素電極との間隔と、透過率との関係について説明する。ただし、図２７において、グラフＧ１０は壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間の間隔Ｈ３を変化させた場合における白表示時の自画素の透過率の計測値であり、グラフＧ１１は壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間の間隔Ｈ３を変化させた場合における黒表示時の自画素の透過率の計測値である。なお、第二の絶縁膜ＩＬ２の膜厚（厚さ）が壁画素電極ＳＥ１及び線状画素電極ＳＥ２の膜厚よりも非常に大きい場合には、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間の間隔Ｈ３は第二の絶縁膜ＩＬ２の膜厚と略同一となる。
【０１１５】
図２７のグラフＧ１０から明らかなように、実施形態５の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間隔Ｈ３を変えるすなわち壁画素電極ＳＥ１及び線状画素電極ＳＥ２とからなる擬似壁画素電極の高さＨ４を変化させることにより、画素反転駆動時における表示特性を向上させることが可能である。このとき、擬似壁画素電極の高さＨ４（＝Ｈ２+Ｈ３）を変化させた場合であっても、液晶層厚Ｈ１は壁画素電極ＳＥ１の高さと略同一となり、前述する実施形態２〜４と同様に、液晶層厚Ｈ１は変化しないこととなり、画素反転駆動時における表示特性を向上させることができる。
【０１１６】
すなわち、擬似画素電極の高さＨ４と液晶層厚Ｈ１との差となる壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間隔Ｈ３がＨ３＝０（ゼロ）μｍの場合には、実施形態１の液晶表示装置において画素反転駆動を行った場合と同等となり、白表示時の透過率は８０％程度である。これに対して、Ｈ３＝０．５μｍ時には透過率は８３％程度に増加し、以降、Ｈ３＝１．０μｍ時に８８％、Ｈ３＝１．５μｍ時に８９％、Ｈ３＝２．０μｍ時に９０％、Ｈ３＝２．５μｍ時に９０％、Ｈ３＝３．０μｍ時に９０％に増加する。
【０１１７】
同様にして、グラフＧ１１から明らかなように、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間隔Ｈ３がＨ３＝０（ゼロ）μｍの場合には、黒表示時の透過率は０．４２％程度となる。一方、Ｈ３＝０．５μｍ時には透過率は０．２２％程度に減少（向上）し、Ｈ３＝１．０μｍ時は０．１４％、Ｈ３＝１．５μｍ時は０．１０％、Ｈ３＝２．０μｍ時は０．０９％、Ｈ３＝２．５μｍ時は０．０８％、Ｈ３＝３．０μｍ時は０．０８％に減少する。
【０１１８】
図２８は本発明の実施形態５の液晶表示装置における壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間隔Ｈ３と、画素毎反転駆動時におけるコントラスト比を示す図である。ただし、図２８も図２７に示す黒表示時（暗表示時）と白表示時（明表示時）の表示モード効率から求めたコントラスト比である。
【０１１９】
図２８のグラフＧ１２から明らかなように、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間隔Ｈ３がＨ３＝０（ゼロ）μｍの場合には、コントラスト比は１９０程度となる。これに対して、Ｈ３＝０．５μｍ時は３９０に向上し、Ｈ３＝１．０μｍ時は６４０、Ｈ３＝１．５μｍ時は８３０、Ｈ３＝２．０μｍ時は１０３０、Ｈ３＝２．５μｍ時は１１００、Ｈ３＝３．０μｍ時は１１２０にそれぞれ向上する。このように、実施形態５の液晶表示装置においても、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間隔Ｈ３が増大するにつれてコントラスト比も増大することとなり、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間隔Ｈ３がＨ３＝２μｍ以上でコントラスト比の増大は頭打ちになり、なおかつコントラスト比は１０００：１に到達する。
【０１２０】
従って、実施形態５の液晶表示装置においては、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間隔Ｈ３がＨ３＝２μｍ以上となるように、第二の絶縁膜ＩＬ２を形成することにより、本願発明による効果が充分に得られ、実施形態５の液晶表示装置において高コントラスト比が得られる。よって、実施形態５の液晶表示装置では、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間隔Ｈ３がＨ３＝２μｍ以上となるように、第二の絶縁膜ＩＬ２を形成することが好適である。
【０１２１】
このように、実施形態５の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、実施形態２〜４の液晶表示パネルＰＮＬと同様に、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２とからなる擬似壁画素電極の高さＨ４が液晶層厚Ｈ１よりも２．０μｍ以上高くなるように、第二の絶縁膜ＩＬ２を形成することにより、実施形態２〜４の液晶表示装置と同様の効果を得ることができる。
【０１２２】
さらには、実施形態５の液晶表示装置では、ドレイン線ＤＬと同層に線状画素電極ＳＥ２を形成すると共に、第二の絶縁膜ＩＬ２を２．０μｍに形成するのみで擬似壁画素電極を形成することが可能となるので、第二の基板ＳＵ２の形成に要する工程を増加させることなく擬似壁画素電極の高さＨ４を液晶層厚Ｈ１よりも厚くできるという格別の効果を得ることができる。
【０１２３】
〈実施形態６〉
図２９は本発明の実施形態６の液晶表示装置の概略構成を説明するための断面図である。ただし、実施形態６の液晶表示装置は、第一の基板ＳＵ１に形成される第三の共通電極ＣＥ３の構成を除く他の構成は、実施形態１の液晶表示装置と同様となる。従って、以下の説明では、第一の基板ＳＵ１の構成について詳細に説明する。
【０１２４】
図２９から明らかなように、実施形態６の液晶表示パネルＰＮＬでは、第一の基板ＳＵ１の液晶面側に、ブラックマトリクスＢＭが形成され、該ブラックマトリクスＢＭの上層にカラーフィルタＣＦが形成されている。このとき、実施形態６の液晶表示パネルＰＮＬでは、カラーフィルタＣＦの上層であり、かつカラーフィルタＣＦの境界部分にブラックマトリクスＢＭと重畳するようにして、導電性薄膜からなる第三の共通電極（第四の電極）ＣＥ３が形成されている。このとき、実施形態６の第三の共通電極ＣＥ３は、表示面側又は裏面側から見たときに第一の基板ＳＵ１に形成される壁画素電極ＳＥと重畳する位置すなわち壁画素電極ＳＥと対峙する位置に形成され、隣接画素との間の第三の共通電極ＣＥ３はコモン線で接続されている。ただし、第三の共通電極ＣＥ３の形状は、壁画素電極ＳＥと対峙する領域に限定されることはなく、例えば、ドレイン線ＤＬと同様に、隣接画素との境界部分に沿ってＹ方向に延在する形状であってもよい。また、後述する第一の共通電極ＣＥ１と同様に、第三の共通電極ＣＥ３には映像信号の基準となる共通信号が供給される構成となっている。さらには、第三の共通電極ＣＥ３はブラックマトリクスＢＭと重畳して形成されるので、透明導電膜に限定されることはなく、金属薄膜等の透明性を有しない他の導電性薄膜で形成してもよい。
【０１２５】
第三の共通電極ＣＥ３の上層には、当該第三の共通電極ＣＥ３を覆うようにして第一の基板ＳＵ１の全面にオーバーコート層ＯＣが形成されている。該オーバーコート層ＯＣの上層には擬似壁共通電極を形成する第一の共通電極ＣＥ１が形成され、該第一の共通電極ＣＥ１を覆うようにして第一の基板ＳＵ１の全面に第一の配向膜ＡＬ１が形成されている。すなわち、第一の基板ＳＵ１の壁基材ＷＬと相対する部分のカラーフィルタＣＦとオーバーコート層ＯＣとの間に、第三の共通電極ＣＥ３を配置する構成としている。
【０１２６】
また、第二の絶縁膜ＩＬ２は実施形態１の第二の基板ＳＵ２と同様に、その液晶面側に、第一の絶縁膜ＩＬ１が全面に形成され、該第一の絶縁膜ＩＬ１の上層にドレイン線ＤＬが形成され、図示しない薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続されている。このドレイン線ＤＬの上層には、当該ドレイン線ＤＬを覆うようにして、第二の基板ＳＵ２の全面に第二の絶縁膜ＩＬ２が形成されている。この第二の絶縁膜ＩＬ２の上層には、壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥが形成され、該壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥを覆うようにして第二の基板ＳＵ２の全面に第三の絶縁膜ＩＬ３が形成されている。該第三の絶縁膜ＩＬ３の上層には第二の共通電極ＣＥ２が形成され、その上面と第三の絶縁膜ＩＬ３を覆うようにして第二の配向膜ＡＬ２が形成されている。また、第二の基板ＳＵ２の裏面側すなわちバックライト光の照射面側には第二の偏光板ＰＬ２が配置されている。
【０１２７】
このように、実施形態６の液晶表示装置では、画素境界の第一の基板ＳＵ１の側に電位を制御するための構造である第三の共通電極ＣＥ３を配置することによって、隣接画素電位が第一の基板ＳＵ１及びその表面上に形成されたカラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ等を介して、自画素電位に影響を及ぼす隣接画素電位を遮蔽する構成としている。
【０１２８】
図３０は本発明の実施形態６の液晶表示装置における自画素と隣接画素が共に白を表示した際の等電位面の分布であり、図３１は本発明の実施形態６の液晶表示装置における自画素が白表示し、隣接画素が黒表示した際の等電位面の分布である。ただし、このときのドレイン配線ＤＬの電位は０（ゼロ）Ｖである。
【０１２９】
図３０に示すように、隣接する画素が共に白表示を行う場合には、図１５に示す実施形態１の液晶表示装置と同様に、等電位面ＥＦ１が壁基材ＷＬに対して図中で左右対称の分布となる。
【０１３０】
一方、自画素が白表示であり、隣接画素が黒表示である場合のように、第三の共通電極ＣＥ３の近傍で電位が０Ｖに近づくことにより、図３１に示すように、壁画素電極ＳＥと第三の共通電極ＣＥ３とが含まれる等電位面ＥＦ２が形成される。このとき、壁画素電極ＳＥから第三の共通電極ＣＥ３にかけて領域である第一の基板ＳＵ１の側の第一の配向膜ＡＬ１及びオーバーコート層ＯＣを介して、等電位面ＦＥ２が形成されることとなる。従って、図３１中の右側に配置される白表示を行う自画素の壁画素電極ＳＥの電位が、カラーフィルタＣＦやオーバーコート層ＯＣ内に広がるのを等電位面ＦＥ２が抑制することとなる。その結果、実施形態１の液晶表示装置における効果に加えて、画素毎反転駆動時において自画素が白表示で隣接画素が黒表示の場合の黒透過率の増大を抑制することができ、隣接画素が白表示の場合であっても隣接画素の黒表示時の透過率を０．０９％に低下（向上）できるという格別の効果を得ることが可能となる。
【０１３１】
以上説明したように、実施形態６の液晶表示装置では、第一の基板ＳＵ１の液晶面側に、壁基材ＷＬに沿って当該壁基材ＷＬと対峙するように第三の共通電極ＣＥ３を形成すると共に、第一の共通電極ＣＥ１と同じ共通信号を供給する構成としている。その結果、壁基材ＷＬを介して対向配置される壁画素電極ＳＥが黒表示等で第三の共通電極ＣＥ３の電圧に近づくことにより、壁画素電極ＳＥから第三の共通電極ＣＥ３に等電位面ＦＥ２が消される。すなわち、同一の壁基材ＷＬに対向配置される壁画素電極ＳＥの内で、少なくとも一方の壁画素電極ＳＥに印加される映像信号が共通信号とほぼ同じ電圧となる場合において、この壁画素電極ＳＥと第三の共通電極ＣＥ３とからなる擬似壁画素電極が形成されることとなる。従って、前述する実施形態１の効果に加えて、自画素が白表示で隣接画素が黒表示の場合の黒透過率の増大を抑制することができるという格別の効果を得ることができる。
【０１３２】
なお、実施形態６では、実施形態１の液晶表示装置に本願発明の第三の共通電極ＣＥ３を形成する場合について説明したが、これに限定されることはなく、他の実施形態２〜５の液晶表示装置にも適用可能であり、第三の共通電極ＣＥ３を形成することにより、前述する効果を得られる。
【０１３３】
〈実施形態７〉
図３２は本発明の実施形態７の液晶表示装置の概略構成を説明するための断面図であり、以下、図３２に基づいて、実施形態７の液晶表示装置について説明する。ただし、実施形態７の液晶表示装置は、第三の共通電極ＣＥ３の形成位置を除く他の構成は実施形態６の液晶表示装置と同様である。従って、以下の説明では、第三の共通電極ＣＥ３について詳細に説明する。
【０１３４】
図３２に示すように、実施形態７の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬと同様に、第一の基板ＳＵ１の液晶面側に順次、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣが形成されている。ここで、実施形態７の液晶表示パネルＰＮＬでは、第一の共通電極ＣＥ１と同層すなわちオーバーコート層ＯＣの上面に、第三の共通電極ＣＥ３が形成されている。また、第一の共通電極ＣＥ１及び第三の共通電極ＣＥ３の上層には、当該第一の共通電極ＣＥ１及び第三の共通電極ＣＥ３を覆うようにして、第一の配向膜ＡＬ１が第一の基板ＳＵ１の全面に形成されている。このとき、実施形態７においても、実施形態６の第三の共通電極ＣＥ３と同様に、当該第三の共通電極ＣＥ３は透明導電膜に限定されることはなく、アルミニウム等の金属薄膜等のように透明性を有しない導電性薄膜であってもよい。ただし、実施形態７の液晶表示パネルＰＮＬでは、第三の共通電極ＣＥ３の上層には第一の配向膜ＡＬ１が形成されるのみとなっているので、ＩＴＯ等の耐腐食性等に優れる導電性薄膜が好ましい。
【０１３５】
このように、実施形態７の液晶表示パネルＰＮＬでは、第二の共通電極ＣＥ２と第三の共通電極ＣＥ３は何れもオーバーコート層ＯＣと第一の配向膜ＡＬ１との間に形成されている。このため、壁画素電極ＳＥと第三の共通電極ＣＥ３とは、壁画素電極ＳＥの上層に形成される第三の絶縁膜ＩＬ３及び第二の配向膜ＡＬ２、並びに第一の基板ＳＵ１に形成される第一の配向膜ＡＬ１を介して少なくとも近接配置されることとなるが、壁画素電極ＳＥと第三の共通電極ＣＥ３は電気的に接続されない構成となっている。
【０１３６】
従って、実施形態７の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、第一の基板ＳＵ１及びその表面上に形成されたカラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ等を介して、隣接画素電位が自画素電位に影響を及ぼすことを遮蔽することができる。従って、実施形態６の液晶表示パネルＰＮＬと同様に、実施形態１の液晶表示装置における効果に加えて、画素毎反転駆動時において自画素が白表示で隣接画素が黒表示の場合の黒透過率の増大を抑制することができるという格別の効果を得ることができる。
【０１３７】
さらには、第三の共通電極ＣＥ３を第一の共通電極ＣＥ１と同様に、透明導電膜で形成する場合には、第一の共通電極ＣＥ１の形成工程で第三の共通電極ＣＥ３も同時に形成することができるので、第三の共通電極ＣＥ３を形成するための新たな工程を追加することなく、第三の共通電極ＣＥ３を形成することができるという格別の効果を得ることもできる。
【０１３８】
また、実施形態７の液晶表示装置では、図３２に示す構成に限定されることはなく、例えば、図３３に示す構成であってもよい。図３３に示す実施形態７の他の液晶表示装置は、第一の基板ＳＵ１の液晶面側にブラックマトリクスＢＭが形成され、該ブラックマトリクスＢＭの上層にカラーフィルタＣＦが形成されている。ここで、実施形態７の他の液晶表示装置では、カラーフィルタＣＦの上層に第一の共通電極ＣＥ１と第三の共通電極ＣＥ３とが同層に形成され、その上層には第一の共通電極ＣＥ１と第三の共通電極ＣＥ３とをそれぞれ覆うようにして、第一の基板ＳＵ１の全面にオーバーコート層ＯＣ及び第一の配向膜ＡＬ１が順番に形成されている。すなわち、実施形態７の他の液晶表示装置では、第二の共通電極ＣＥ２と第三の共通電極ＣＥ３とが何れもオーバーコート層ＯＣと第一の配向膜ＡＬ１の間に形成される構成となっているので、前述する実施形態７の液晶表示装置における効果に加えて、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２とを貼り合わせる際の位置ずれ、すなわち合わせずれが生じた場合であっても、透過率の低減抑制効果が得られるといく格別の効果を得ることができる。なお、実施形態７の他の構成の液晶表示装置における合わせずれの許容量を大きくできる効果の詳細は、前述する第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との合わせずれと同様の理由である。
【０１３９】
〈実施形態８〉
図３４は本発明の実施形態８の液晶表示装置の概略構成を説明するための断面図である。ただし、実施形態８の液晶表示装置は実施形態２の液晶表示装置における第二の共通電極ＣＥ２の形成位置が異なるのみで、他の構成は実施形態２の液晶表示装置と同様の構成となる。従って、以下の説明では、第二の共通電極ＣＥ２について詳細に説明する。
【０１４０】
図３４に示すように、実施形態８の液晶表示装置は、実施形態２の液晶表示装置と同様に、第二の基板ＳＵ２の液晶側面に、第一の絶縁膜ＩＬ１、ドレイン線ＤＬ、第二の絶縁膜ＩＬ２、壁基材ＷＬが順次形成されている。壁基材ＷＬの頭頂面から側壁面及び壁基材ＷＬの近傍の第二の絶縁膜ＩＬ２の上面には壁画素電極ＳＥが形成されると共に、画素のＢ−Ｂ’方向の中心部分には、画素の長手方向に延在する第二の共通電極ＣＥ２が形成されている。一対の壁画素電極ＳＥに挟まれる画素の透過領域には、壁画素電極ＳＥの平坦部ＨＰの端部及び第二の共通電極ＣＥ２並びに第二の絶縁膜ＩＬ２の露出面を覆うようにして第四の絶縁膜ＩＬ４が形成されている。また、壁基材ＷＬの頭頂面の露出面や壁画素電極ＳＥの露出面等を覆うようにして、第二の基板ＳＵ２の全面に第三の絶縁膜ＩＬ３及び第二の配向膜ＡＬ２が順番に形成されている。このとき、実施形態８の液晶表示装置においても、第四の絶縁膜ＩＬ４の膜厚が他の絶縁膜よりも２．０μｍ以上厚く形成され、液晶層ＬＣの厚さよりも壁画素電極ＳＥの高さが２．０μｍ以上高くなるように形成されている。
【０１４１】
一方、第一の基板ＳＵ１の液晶面側には、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第一の共通電極ＣＥ１、第一の配向膜ＡＬ１がこの順番で積層されており、該第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２とが液晶層ＬＣを介して対向配置され、実施形態８の液晶表示パネルＰＮＬが形成されている。このとき、実施形態８の液晶表示装置においても、第四の絶縁膜ＩＬ４が２．０μｍ以上の膜厚で形成されているので、液晶層ＬＣの厚さよりも壁画素電極ＳＥの高さを第四の絶縁膜ＩＬ４の膜厚分である２．０μｍだけ高くすることができるので、実施形態２の液晶表示装置と同様の効果を得ることができる。
【０１４２】
さらには、実施形態８の液晶表示装置は、第四の絶縁膜ＩＬ４の下層に第二の共通電極ＣＥ２を形成する構成となっている。すなわち、第二の絶縁膜ＩＬ２と第四の絶縁膜ＩＬ４との間に、第二の共通電極ＣＥ２が形成されている。従って、実施形態８の液晶表示装置では、後述する効果の項に示すように、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との貼り合わせに伴う位置ずれが生じた場合であっても、位置ずれに伴う透過率の低下を抑制することができるという格別の効果を得ることができる。その結果、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２とを貼り合わせる際の合わせずれに伴う不良の発生割合を低減することが可能となり、液晶表示装置の生産性を向上させることができるという格別の効果を得ることもできる。
【０１４３】
ただし、実施形態８の液晶表示装置では、実施形態２の液晶表示装置に本願発明を適用した場合について説明したが、これに限定されることはない。例えば、実施形態３の液晶表示装置の第二の共通電極ＣＥ２を、第五の絶縁膜ＩＬ５の下層に形成することによって、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との位置関係は実施形態８の液晶表示装置と同様となる。従って、実施形態８と同様の効果を得ることができる。
【０１４４】
〈第一及び第二の共通電極の位置ずれ時の透過率の低下抑制効果について、〉
第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２を組み立てる（貼り合わせる）際にずれ（位置合わせずれ）が生じた場合、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２の位置関係も変わることになる。例えば、図３に示す実施形態１の液晶表示装置において、第二の基板ＳＵ２に対して第一の基板ＳＵ１がＢ方向へずれる位置合わせずれが生じた場合、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との近傍の等電位面分布は、前述する図８に示すように、図中の左右方向すなわち擬似壁共通電極の並設方向に傾斜して、第一の共通電極ＣＥ１及び第二の共通電極ＣＥ２を共に囲むような等電位面Ｅ３が生じる。この図８に示す位置合わせずれでは、第二の基板ＳＵ２に対して第一の共通電極ＣＥ１が図８中の左方向に合わせずれが生じているので、第一の共通電極ＣＥ１の図８中の左側部で第二の共通電極ＣＥ２と重畳する面積が減少する。その結果、擬似壁電極の図８中の左側で透過率が低下してしまう。
【０１４５】
図３５は本発明の擬似壁共通電極における第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との位置合わせずれに対する画素毎反転駆動時における白表示画素の透過率を示す図であり、グラフＧ１３は実施形態１の液晶表示装置における第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との位置合わせずれに対する白表示画素の透過率を示す。
【０１４６】
グラフＧ１３から明らかなように、実施形態１の擬似壁電極構成では、合わせずれが生じていない、すなわちずれ量ＳＨが０（ゼロ）μｍの場合には、透過率は８９％となる。一方、ずれ量ＳＨがＳＨ＝０．５μｍ時に８９％、ＳＨ＝１．０μｍ時に８９％、ＳＨ＝１．５μｍ時に８７％、ＳＨ＝２．０μｍ時に８３％、ＳＨ＝２．５μｍ時に７８％、ＳＨ＝３．０μｍ時に７０％となる。
【０１４７】
このように、実施形態１の構成では、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２がずれていない場合に白表示透過率は８９％であるが、ずれの増大と共に白表示透過率が低下し、３μｍずれた場合には７０％にまで低下する。従って、実施形態１の構成では、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との貼り合わせに伴う位置合わせずれは、ＳＨ＝１．５μｍ以下とすることが好ましい。
【０１４８】
図３６は実施形態１の液晶表示装置での第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２とに合わせずれが生じていない場合と、合わせずれが３μｍの場合における画素内の透過率分布を示す図であり、点線で示すグラフＧ１６は図８に示すずれ量ＳＨがＳＨ＝３．０μｍ時、実線で示すグラフＧ１７はＳＨ＝０μｍ時をそれぞれ示す。ただし、図３６に示す画素は、短手方向の画素ピッチが３０μｍであり、その中心位置に第一及び第二の共通電極ＣＥ１，ＣＥ２が配置される場合の透過率分布である。また、グラフＧ１６，Ｇ１７は画素毎反転駆動時において自画素及び自画素に隣接する画素（隣接画素）が共に白色表示を行っている場合の透過率分布である。
【０１４９】
グラフＧ１７から明らかなように、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２とに位置合わせずれが生じていない場合には、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２とからなる擬似壁共通電極の中心位置である１５μｍの近傍領域では透過率が大きく低下することとなる。しかしながら、擬似壁共通電極の形成領域を除く領域では、その透過率はほぼ８９％程度となる。
【０１５０】
一方、図８に対応するずれ量ＳＨ＝３．０μｍの合わせずれが生じている場合には、第二の基板ＳＵ２に対して第一の共通電極ＣＥ１が左方向（画素端部からの距離が小さい方向）に合わせずれが生じているので、等電位面Ｅ３に傾斜が生じることとなる。この結果、画素端部からの距離が小さい領域において、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との重畳面積が減少してしまうので、グラフＧ１６に示すように、この領域における透過率が６０％程度に低下してしまう。
【０１５１】
これに対して、図３７に示す本発明の実施形態８の液晶表示装置における擬似壁共通電極部分の拡大図に示すように、実施形態８の液晶表示装置では、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との間には、第一及び第二の配向膜ＡＬ１，ＡＬ２、液晶層ＬＣ、及び第三の絶縁膜ＩＬ３が形成されることとなる。従って、位置合わせずれが生じていない場合には、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との間に生じる等電位面の分布は、第一の共通電極ＣＥ１を囲む等電位面Ｅ１は液晶層ＬＣ中を含む第一の共通電極ＣＥ１の周辺に形成され、第二の共通電極ＣＥ２を囲む等電位面Ｅ２は第三の絶縁膜ＩＬ３中を含む第二の共通電極ＣＥ２の周辺に形成される。また、擬似壁共通電極を形成する第一の共通電極ＣＥ１及び第二の共通電極ＣＥ２を共に囲む等電位面Ｅ３は、第一及び第二の配向膜ＡＬ１，ＡＬ２を含む液晶層ＬＣ及び第三の絶縁膜ＩＬ３を含むようにして形成される。このとき、実施形態８の液晶表示装置では、液晶層ＬＣの厚さは実施形態１の液晶表示装置と同じ厚さとなるように形成されているので、等電位面Ｅ３は液晶表示パネルＰＮＬの厚さ方向に引き伸ばされたように形成される。さらには、より幅の広い第一のコモン電極ＣＥ１が液晶層ＬＣから遠ざかったことにより、液晶層ＬＣ中に分布する等電位面の幅が狭まって擬似壁共通電極が形成される。
【０１５２】
一方、前述する図８と同様な位置合わせずれが生じた場合、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との間に生じる等電位面分布は、図３８に示すように、第一の共通電極ＣＥ１及び第二の共通電極ＣＥ２を囲む等電位面Ｅ３が合わせずれ方向に傾斜して形成される。このとき、実施形態８の構成では、図３８から明らかなように、等電位面Ｅ３の傾きが小さくなっており、これは第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との距離が増大したことで、同じずれ量であっても等電位面Ｅ３の変化が小さくなったことによる。
【０１５３】
図３９は本発明の実施形態８の液晶表示装置での第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２とに合わせずれが生じていない場合と、合わせずれが３μｍの場合における画素内の透過率分布を示す図であり、点線で示すグラフＧ１８はずれ量ＳＨがＳＨ＝３．０μｍの場合、実線で示すグラフＧ１９は合わせずれがない場合（ＳＨ＝０μｍ時）をそれぞれ示す。
【０１５４】
図３９から明らかなように、実施形態８の液晶表示装置においては、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との間に合わせずれが生じていない場合（グラフＧ１９）と、ＳＨ＝３μｍの合わせずれが生じた場合（グラフＧ１８）との画素内の透過率分布は、合わせずれの発生の有無によらずにほぼ同一である。これは図３８に示すように、第三の絶縁膜ＩＬ３の下層に第二の共通電極ＣＥ２を形成することによって、等電位面Ｅ３の傾斜が小さくなったことによる効果である。
【０１５５】
図３５に示すグラフＧ１５は実施形態８の液晶表示装置における第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との位置合わせずれに対する画素毎反転駆動時における白表示画素の透過率を示すグラフである。このグラフＧ１５から明らかなように、実施形態８の擬似壁電極構成では、合わせずれが生じていない（合わせずれ量ＳＨ＝０μｍ）場合には、透過率は８８％となる。また、ずれ量ＳＨがＳＨ＝０．５μｍ時に８８％、ＳＨ＝１．０μｍ時に８８％、ＳＨ＝１．５μｍ時に８８％、ＳＨ＝２．０μｍ時に８８％、ＳＨ＝２．５μｍ時に８７％、ＳＨ＝３．０μｍ時に８６％となる。
【０１５６】
このように、実施形態８の構成では、ずれ量ＳＨが３．０μｍ時であっても透過率が８６％となり、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との位置合わせずれに伴う透過率の減少を２％程度に抑制でき、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２の位置合わせずれによらず、ほぼ一定の白表示透過率が得られるという格別の効果を得ることができる。
【０１５７】
図４０は第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との合わせ位置が３μｍずれた場合における画素毎反転駆動時での白表示透過率の第二の共通電極ＣＥ２と液晶層ＬＣとの距離依存性を説明するための図である。図４０のグラフＧ２０から明らかなように、第二の共通電極ＣＥ２と液晶層ＬＣが近接している場合に白表示透過率は７０％であるが、第二の共通電極ＣＥ２と液晶層ＬＣとの距離Ｋ２の増大と共に増大し、Ｋ２＝０．５μｍ時には７８％、Ｋ２＝１．０μｍ時には８３％、Ｋ２＝１．５μｍ時には８７％、Ｋ２＝２．０μｍ時には８８％、Ｋ２＝２．５μｍ時には８９％、Ｋ２＝３．０μｍ時には８９％となる。このように、第二の共通電極ＣＥ２と液晶層ＬＣとの距離Ｋ２がＫ２＝２．０μｍ以上の場合には透過率は８８％以上となり、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２がずれていない場合と同様な白表示透過率が得られる。
【０１５８】
図４１は本発明の実施形態８の液晶表示装置における第二の共通電極から液晶層に至るまでの距離と駆動電圧との関係を説明するための図であり、図３４に示す実施形態８の構成において、第二の共通電極から液晶層に至るまでの距離Ｈ５（図３７中に示す）を変化させた場合に、所定の透過率での表示（白表示）を行うために必要となる壁画素電極ＳＥと擬似壁共通電極との間の印加電圧（駆動電圧）を示す図である。
【０１５９】
図４１のグラフＧ２１から明らかなように、第二の共通電極ＣＥ２と液晶層ＬＣとの距離Ｈ５がＨ５＝０（ゼロ）μｍの場合には、駆動電圧ＶｐｃはＶｐｃ＝４．５Ｖとなる。また、距離Ｈ５がＨ５＝０．５μｍ時にはＶｐｃ＝４．８Ｖとなり、以降、Ｈ５＝１．０μｍ時にはＶｐｃ＝４．９Ｖ、Ｈ５＝１．５μｍ時にはＶｐｃ＝５．０Ｖ、Ｈ５＝２．０μｍ時にはＶｐｃ＝５．０Ｖ、Ｈ５＝２．５μｍ時にはＶｐｃ＝５．１Ｖ、Ｈ５＝３．０μｍ時にはＶｐｃ＝５．１Ｖとなる。
【０１６０】
このように、実施形態８の構成では、第二の共通電極ＣＥ２と液晶層ＬＣとの距離Ｈ５が増大すると共に、駆動電圧Ｖｐｃが増大する傾向にある。しかしながら、駆動電圧Ｖｐｃの増大は飽和する傾向にあり、第二の共通電極ＣＥ２と液晶層ＬＣとの距離Ｈ５が１．５μｍ以上では増大が緩やかになる。即ち、第二の共通電極ＣＥ２と液晶層ＬＣとの距離Ｈ５を１．５μｍ以上とすることにより、駆動電圧Ｖｐｃの増大を抑えながら高い白表示透過率を得ることができることが明らかである。従って、実施形態８の液晶表示装置では、第二の共通電極ＣＥ２と液晶層ＬＣとの距離Ｈ５が１．５μｍ以上で形成することが好適である。さらには、駆動電圧ＶｐｃをＶｐｃ＝５．０Ｖ程度とすることが好ましい。
【０１６１】
以上説明したように、実施形態８の液晶表示装置では、液晶層ＬＣの厚さよりも壁画素電極ＳＥの高さを大きくするために設けた第四の絶縁膜ＩＬ４の下層に、擬似壁共通電極を形成する一方の共通電極である第二の共通電極ＣＥ２を形成する構成としているので、擬似壁共通電極を形成する他方の共通電極である第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との間隔を大きくすることが可能となる。その結果、第一の共通電極ＣＥ１が形成される第一の基板ＳＵ１と第二の共通電極ＣＥ２が形成される第二の基板ＳＵ２との貼り合わせ等に伴う第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との位置ずれによる擬似壁共通電極における電界分布の傾斜を小さくすることが可能となるので、実施形態２の液晶表示装置における効果に加えて、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との位置ずれに伴う透過率を向上させることができ、さらに表示品質を向上できるという格別の効果を得ることができる。
【０１６２】
また、実施形態８の液晶表示装置では、壁画素電極ＳＥと第二の共通電極ＣＥ２とが同層に形成され、共に第四の絶縁膜ＩＬ４の上層に形成されているので、壁画素電極ＳＥを第二の共通電極ＣＥ２と同様に透明導電膜で形成する場合には、第四の絶縁膜ＩＬ４と第二の共通電極ＣＥ２とを同じ工程で形成できるという格別の効果を得ることができる。
【０１６３】
なお、実施形態８の液晶表示装置では、液晶層ＬＣの厚さよりも壁画素電極ＳＥの高さを大きく形成するため、すなわち画素反転駆動における透過率を向上させるために設けた第四の絶縁膜ＩＬ４の下層側（第四の絶縁膜ＩＬ４の第二の基板ＳＵ２の側）に第二の共通電極ＣＥ２を形成している。この構成により、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との距離を液晶層ＬＣの厚さよりも大きく形成しているが、実施形態１に示すように、壁画素電極ＳＥの高さと液晶層ＬＣの厚さとがほぼ同じ大きさの液晶表示装置であっても、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との間の距離を液晶層ＬＣの厚さよりも大きく形成することによって、列毎反転駆動での駆動を行う場合には、合わせずれに対して前述と同様の効果が得られる。
【０１６４】
〈実施形態９〉
図４２は本発明の実施形態９の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図であり、第一の共通電極ＣＥ１の形成位置を除く他の構成は、実施形態４の液晶表示装置と同様の構成となる。従って、以下の説明では、第一の共通電極ＣＥ１及び擬似壁共通電極について詳細に説明する。
【０１６５】
図４２に示すように、実施形態９の液晶表示装置は、実施形態４の液晶表示装置と同様に、第二の基板ＳＵ２の液晶面側には、第一の絶縁膜ＩＬ１、ドレイン線ＤＬ、第二の共通電極ＣＥ２、壁基材ＷＬが形成されている。また、壁基材ＷＬの頭頂面から側壁面及び壁基材ＷＬの近傍の第二の絶縁膜ＩＬ２の上面には壁画素電極ＳＥが形成され、第二の絶縁膜ＩＬ２がこれらの露出面を覆うように形成され、その上層に第二の配向膜ＡＬ２が形成され、第二の基板ＳＵ２が形成されている。
【０１６６】
一方、第一の基板ＳＵ１の液晶面側には、ブラックマトリクスＢＭが形成され、該ブラックマトリクスＢＭを覆うようにして、カラーフィルタＣＦが形成されている。ここで、実施形態９の液晶表示パネルＰＮＬでは、カラーフィルタＣＦの上層に第一の共通電極ＣＥ１が形成され、該第一の共通電極ＣＥ１を覆うようにして、オーバーコート層ＯＣが形成されている。このとき、実施形態９の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、実施形態４のオーバーコート層ＯＣと同様に、壁基材ＷＬが形成される領域に沿って、オーバーコート層ＯＣを貫通してカラーフィルタＣＦの上面が露出される凹部がオーバーコート層ＯＣに形成される構成となっている。該オーバーコート層ＯＣの上層には、当該オーバーコート層ＯＣ及び露出されたカラーフィルタＣＦの露出面を覆うようにして、第二の基板ＳＵ２の全面に第一の配向膜ＡＬ１が形成されている。
【０１６７】
この構成からなる第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２は液晶層ＬＣを介して対向配置され、オーバーコート層ＯＣに形成された凹部に壁基材ＷＬを含む壁画素電極ＳＥの一方の端部が入り込むようにして、実施形態９の液晶表示パネルＰＮＬが形成される。このとき、実施形態９の液晶表示装置においては、オーバーコート層ＯＣが比較的厚い膜厚（好適には２．０μｍ以上の膜厚）で形成されているので、液晶層ＬＣの厚さよりも壁画素電極ＳＥの高さをオーバーコート層ＯＣの膜厚分だけ大きくすることができ、実施形態４の液晶表示装置と同様の効果を得ることができる。
【０１６８】
また、実施形態９の液晶表示装置は、オーバーコート層ＯＣの下層に第一の共通電極ＣＥ１が形成される構成となっている。すなわち、オーバーコート層ＯＣとカラーフィルタＣＦとの間に、第一の共通電極ＣＥ１が形成されている。従って、実施形態９の液晶表示装置においても、後述の効果の項に示すように、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との貼り合わせに伴う位置ずれに起因する第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との位置ずれが生じた場合であっても、この位置ずれに伴う透過率の低下を抑制することができるという格別の効果を得ることができる。さらには、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との位置合わせずれに伴う不良の発生割合を低減することが可能となり、生産性を向上させることができるという格別の効果を得ることができる。
【０１６９】
〈第一及び第二の共通電極の位置ずれ時の透過率の低下抑制効果について、〉
図４３は本発明の実施形態９の液晶表示装置における擬似壁共通電極部分の拡大図、図４４は図４３に示す擬似壁共通電極に位置合わせずれが生じた場合における等電位面分布を示す図である。
【０１７０】
図４３からに示すように、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との間には、第一及び第二の配向膜ＡＬ１，ＡＬ２、液晶層ＬＣ、及びオーバーコート層ＯＣが形成されている。従って、位置合わせずれが生じていない場合には、第一の共通電極ＣＥ１を囲む等電位面Ｅ１はオーバーコート層ＯＣ中を含む第一の共通電極ＣＥ１の周辺に形成され、第二の共通電極ＣＥ２を囲む等電位面Ｅ２は液晶層ＬＣ中を含む第二の共通電極ＣＥ２の周辺に形成される。また、擬似壁共通電極を形成する第一の共通電極ＣＥ１及び第二の共通電極ＣＥ２を共に囲む等電位面Ｅ３は、第一及び第二の配向膜ＡＬ１，ＡＬ２を含む液晶層ＬＣ及びオーバーコート層ＯＣを含むようにして形成される。
【０１７１】
このとき、実施形態９の液晶表示装置も実施形態８と同様に、液晶層ＬＣの厚さは実施形態１の液晶表示装置と同じ厚さとなるように形成されているので、等電位面Ｅ３は液晶表示パネルＰＮＬの法線方向すなわち厚さ方向に引き伸ばされたように形成される。さらには、第一の共通電極ＣＥ１がオーバーコート層ＯＣの下層に形成されているので、実施形態１の液晶表示装置に比較して、幅の広い側の電極である第一の共通電極ＣＥ１が液晶層ＬＣから遠ざかった位置に形成されることとなり、液晶層ＬＣ中に分布する等電位面Ｅ３の幅が狭まっている。
【０１７２】
一方、図８と同様な位置合わせずれが生じた場合、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との間に生じる等電位面分布は、図４４に示すように、第一の共通電極ＣＥ１及び第二の共通電極ＣＥ２を囲む等電位面Ｅ３が合わせずれ方向に傾斜して形成される。このとき、実施形態９の構成では、図４４から明らかなように、等電位面Ｅ３の傾きが小さくなっており、これは第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との距離が増大したことで、同じずれ量であっても液晶表示パネルＰＮＬの法線方向に対する等電位面Ｅ３の傾斜角が小さくなったことによる。
【０１７３】
図３５に示すグラフＧ１４は実施形態９の液晶表示装置における第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との位置合わせずれに対する画素毎反転駆動時における白表示画素の透過率を示すグラフである。このグラフＧ１４から明らかなように、実施形態９の擬似壁電極構成では、合わせずれが生じていない（合わせずれ量ＳＨ＝０μｍ）場合には、透過率は８７％となる。また、ずれ量ＳＨがＳＨ＝０．５μｍ時に８７％、ＳＨ＝１．０μｍ時に８７％、ＳＨ＝１．５μｍ時に８７％、ＳＨ＝２．０μｍ時に８６％、ＳＨ＝２．５μｍ時に８５％、ＳＨ＝３．０μｍ時に８４％となる。
【０１７４】
このように、実施形態９の構成であっても、ずれ量ＳＨが３．０μｍ時であっても透過率が８４％となり、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との位置合わせずれに伴う透過率の減少を３％程度に抑制でき、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２の位置合わせずれによらず、ほぼ一定の白表示透過率が得られるという格別の効果を得ることができる。
【０１７５】
図４５は実施形態９の液晶表示装置において第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との合わせ位置が３μｍずれた場合における画素毎反転駆動時での白表示透過率の第一の共通電極ＣＥ１と液晶層ＬＣとの距離依存性を説明するための図である。
【０１７６】
図４５のグラフＧ２２から明らかなように、第一の共通電極ＣＥ１と液晶層ＬＣが近接している場合に白表示透過率は７０％であるが、第一の共通電極ＣＥ１と液晶層ＬＣとの距離Ｋ１の増大と共に増大し、Ｋ１＝０．５μｍ時には７７％、Ｋ１＝１．０μｍ時には８１％、Ｋ１＝１．５μｍ時には８４％、Ｋ１＝２．０μｍ時には８６％、Ｋ１＝２．５μｍ時には８７％、Ｋ１＝３．０μｍ時には８８％となる。このように、第一の共通電極ＣＥ１と液晶層ＬＣとの距離Ｋ１がＫ１＝２．０μｍ以上の場合には透過率は８６％以上となり、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２がずれていない場合とほぼ同様な白表示透過率が得られる。
【０１７７】
図４６は本発明の実施形態９の液晶表示装置における第一の共通電極から液晶層に至るまでの距離と駆動電圧との関係を説明するための図であり、図４２に示す実施形態９の構成において、第一の共通電極から液晶層に至るまでの距離Ｈ６（図４３中に示す）を変化させた場合に、所定の透過率での表示（白表示）を行うために必要となる壁画素電極ＳＥと擬似壁共通電極との間の印加電圧（駆動電圧）を示す図である。
【０１７８】
図４６のグラフＧ２３から明らかなように、第一の共通電極ＣＥ１と液晶層ＬＣとの距離Ｈ６がＨ６＝０（ゼロ）μｍの場合には、駆動電圧ＶｐｃはＶｐｃ＝４．５Ｖとなる。また、距離Ｈ６がＨ６＝０．５μｍ時にはＶｐｃ＝４．８Ｖとなり、以降、Ｈ６＝１．０μｍ時にはＶｐｃ＝４．８Ｖ、Ｈ６＝１．５μｍ時にはＶｐｃ＝４．９Ｖ、Ｈ６＝２．０μｍ時にはＶｐｃ＝５．０Ｖ、Ｈ６＝２．５μｍ時にはＶｐｃ＝５．０Ｖ、Ｈ６＝３．０μｍ時にはＶｐｃ＝５．１Ｖとなる。
【０１７９】
このように、実施形態９の構成においても、第一の共通電極ＣＥ１と液晶層ＬＣとの距離Ｈ６が増大すると共に、駆動電圧Ｖｐｃが増大する傾向にある。しかしながら、駆動電圧Ｖｐｃの増大は飽和する傾向にあり、第一の共通電極ＣＥ１と液晶層ＬＣとの距離Ｈ６が１．５μｍ以上では増大が緩やかになる。即ち、実施形態９の液晶表示装置においては、第一の共通電極ＣＥ１と液晶層ＬＣとの距離Ｈ６を１．５μｍ以上とすることにより、駆動電圧Ｖｐｃの増大を抑えながら高い白表示透過率を得ることができることが明らかである。従って、実施形態９の液晶表示装置においては、第一の共通電極ＣＥ１と液晶層ＬＣとの距離Ｈ６が１．５μｍ以上となるように形成することが好適である。さらには、駆動電圧ＶｐｃをＶｐｃ＝５．０Ｖ程度とすることが好ましい。
【０１８０】
なお、実施形態９の液晶表示装置では、オーバーコート層ＯＣの下層側（オーバーコート層ＯＣの第一の基板ＳＵ１の側）に第一の共通電極ＣＥ１を形成することにより、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との距離を液晶層ＬＣの厚さよりも大きく形成している（画素毎反転駆動に対応した構成）が、実施形態１に示すように、壁画素電極ＳＥの高さと液晶層ＬＣの厚さとがほぼ同じ大きさの液晶表示装置であっても、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との間の距離を液晶層ＬＣの厚さよりも大きく形成することによって、列毎反転駆動での駆動を行う場合には、合わせずれに対して前述と同様の効果が得られる。
【０１８１】
〈実施形態１０〉
図４７は本発明の実施形態１０の液晶表示装置の概略構成を説明するための平面図、図４８は図４７に示すＣ−Ｃ’線での断面図である。また、図４９は実施形態１０の液晶表示装置における壁画素電極を形成する第一の透明導電膜の構成を説明するための図、図５０は実施形態１０の液晶表示装置における第二の共通電極及び第四の共通電極を形成する第二の透明導電膜の構成を説明するための図である。ただし、実施形態１０の液晶表示装置は、第四の共通電極ＣＥ４及び第六の絶縁膜ＩＬ６の構成を除く他の構成は実施形態１の液晶表示装置と同様である。従って、以下の説明では、第四の共通電極ＣＥ４及び第六の絶縁膜ＩＬ６の構成について詳細に説明する。
【０１８２】
実施形態１の液晶表示装置では、第二の共通電極ＣＥ２を形成する第二の透明導電膜ＴＣＦ２と、壁画素電極ＳＥを形成する第一の透明導電膜ＴＣＦ１とがゲート線ＧＬに近接する画素端部（図２中に斜線で示す領域ＳＣ）において重畳して保持容量を形成しているが、この領域ＳＣでは液晶層ＬＣに電界が印加されないため非開口部（非透過領域）となる。一方でＩＰＳ方式等の液晶表示装置では、平面（平板）状の共通電極とスリット状（線状）の画素電極とを重畳して、開口部に保持容量を形成している。このように、液晶層ＬＣへの電圧印加に用いる電極を保持容量として兼用できれば開口率を向上でき、透過率を向上できる。
【０１８３】
これに対して、図４８から明らかなように、実施形態１０の液晶表示装置では、第二の共通電極ＣＥ２と第四の共通電極ＣＥ４は第一の絶縁層ＩＬ１と第二の絶縁層ＩＬ２の間に配置され、壁基材ＷＬは第三の絶縁層ＩＬ３上に形成されている。更には、その上層に壁画素電極ＳＥが形成されており、該壁画素電極ＳＥの平坦部分ＨＰは第四の共通電極ＣＥ４と第二の絶縁層ＩＬ２を介して重畳している。この壁画素電極ＳＥの平坦部分ＨＰと第四の共通電極ＣＥ４とが重畳した部分が保持容量となる。
【０１８４】
特に、実施形態１０の液晶表示装置では、第四の共通電極ＣＥ４を壁画素電極ＳＥの平坦部分ＨＰよりも内側に分布するように配置している。もしこれが壁画素電極ＳＥの平坦部分ＨＰよりも外側に分布するならば、近接して配置された壁画素電極ＳＥと第四の共通電極ＣＥ４の間に電界が集中し、液晶層ＬＣに印加される電界が大幅に弱まり、透過率が低下する。実施形態１０では、第四の共通電極ＣＥ４を壁画素電極ＳＥの平坦部分ＨＰよりも内側に配置したことにより、液晶層ＬＣに印加される電界強度を保持している。
【０１８５】
図４７において、破線は第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２の輪郭を表しており、一点鎖線は壁基材ＷＬの輪郭を示している。前述するように、第二の共通電極ＣＥ２は壁画素電極ＳＥよりも下層に配置されるので、コンタクトホールＣＨ２は第二の共通電極ＣＥ２を貫いており、図４７においてもコンタクトホールＣＨ２の周囲は第二の共通電極ＣＥ２の境界を表す破線で囲まれている。第二の共通電極ＣＥ２と壁画素電極ＳＥが重畳している部分は保持容量として作用し、図４７中に斜線で示す部分が保持容量となる部分である。この図４７に示す実施形態１０の液晶表示装置を図２と比較して明らかなように、実施形態１０の保持容量の分布はゲート線ＧＬにより近い側にシフトしており、その結果、壁基材ＷＬの分布もゲート線ＧＬにより近い側まで延長し、開口部（透過部）が拡大している。ここで、図４７に示す実施形態１０の液晶表示装置と図２に示す実施形態１では保持容量の面積は同一であり、それでいて実施形態１０の液晶表示装置において開口部（透過部）が拡大したのは、ドレイン線ＤＬの近傍にも保持容量を配置したことによる。
【０１８６】
すなわち、図４７に示すように、実施形態１０の液晶表示装置においても実施形態１の液晶表示装置と同様に、画素の領域はドレイン線ＤＬとゲート線ＧＬとで囲まれる領域となる。また、画素の領域は長手方向（Ｙ方向）の上側領域と下側領域とからなり、該上側領域と下側領域とはＹ方向に対して対称をなすように異なる方向に傾斜され、画素の中央部分で上側領域と下側領域とが接続される構成となっている。このとき、上側領域及び下側領域においても、液晶分子の初期配向方向が同じとなるように、図中の矢印ＡＤで示す方向の初期配向処理がされている。
【０１８７】
実施形態１０の液晶表示装置も、図４８に示すように、カラーフィルタ等が形成される第一の基板ＳＵ１と薄膜トランジスタ等が形成される第二の基板ＳＵ２とが液晶層ＬＣを介して対向配置される構成となっている。また、第一の基板ＳＵ１の外側面（表示面側）には第一の偏光板ＰＬ１が配置され、第二の基板ＳＵ２の外側面（裏面）には第二の偏光板ＰＬ２が配置されている。
【０１８８】
第一の基板ＳＵ１の液晶面側には、実施形態１の液晶表示装置と同様に、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第一の共通電極ＣＥ１、及び第一の配向膜ＡＬ１が順次形成されている。
【０１８９】
一方、第二の基板ＳＵ２の液晶面側には、第一の絶縁膜ＩＬ１、ドレイン線ＤＬ、第二の絶縁膜ＩＬ２、第二の共通電極ＣＥ２が順番に形成されている。このとき、実施形態１０の液晶表示装置では、少なくとも壁画素電極ＳＥと重畳するようにして、第二の共通電極ＣＥ２と同層に、第四の共通電極ＣＥ４が形成されている。第四の共通電極ＣＥ４及び第二の共通電極ＣＥ２の上層には、当該第四の共通電極ＣＥ４及び第二の共通電極ＣＥ２を覆うようにして、第二の基板ＳＵ２の全面に第六の絶縁膜ＩＬ６が形成されている。該第六の絶縁膜ＩＬ６の上層には、壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥの平坦部が形成され、該壁基材ＷＬの側壁面及び頭頂面には壁画素電極ＳＥの垂直部及び頭頂部がそれぞれ形成され、これらの露出面を覆うようにして第二の配向膜ＡＬ２が形成されている。
【０１９０】
特に、実施形態１０の液晶表示装置では、図５０に示すように、第一の基板ＳＵ１の全面に第二の透明導電膜ＴＣＦ２が形成されており、画素毎にその画素の透過領域内の第二の透明導電膜ＴＣＦ２に開口部ＯＰ２，ＯＰ３が形成され、２つの開口部ＯＰ２，ＯＰ３に挟まれた領域が第二の共通電極ＣＥ２を形成している。また、第二の透明導電膜ＴＣＦ２に形成される自画素の開口部ＯＰ２と隣接画素の図示しない開口部ＯＰ３とに挟まれた領域が第四の共通電極ＣＥ４を形成している。
【０１９１】
また、図４９に示すように、壁画素電極ＳＥを形成する第一の透明導電膜ＴＣＦ１はドレイン線ＤＬとゲート線ＧＬとに沿って円環状に形成されており、外側辺縁部Ｌ１と内側辺縁部（開口部ＯＰ１の辺縁部）Ｌ２との間の領域（ハッチング領域）が第一の透明導電膜ＴＣＦ１の形成領域となる。このとき、実施形態１０の液晶表示装置においても、実施形態１の液晶表示装置と同様に、画素の長手方向に延在する部分が壁画素電極ＳＥとなっている。
【０１９２】
このとき、実施形態１０の液晶表示装置では、実施形態１の液晶表示装置と同様に、画素領域内の上端側及び下端側の領域において、第六の絶縁膜ＩＬ６を介して第一の透明導電膜ＴＣＦ１と第二の透明導電膜ＴＣＦ２とが重畳される構成となっている。さらには、図５０から明らかなように、第二の透明導電膜ＴＣＦ２に形成される自画素の開口部ＯＰ２と隣接画素の図示しない開口部ＯＰ３とに挟まれた領域の第二の透明導電膜ＴＣＦ２、すなわち隣接画素との間の領域に形成される第二の透明導電膜ＴＣＦ２により第四の共通電極ＣＥ４が形成され、該第四の共通電極ＣＥ４が第六の絶縁膜ＩＬ６を介して壁画素電極ＳＥと重畳される構成となっている。
【０１９３】
この構成により、実施形態１０の液晶表示装置では、図４７中に斜線で示す領域ＳＣが画素領域の辺縁部に沿って画素の透過領域を囲むようにして形成され、この領域ＳＣが当該画素の保持容量（蓄積容量）となる。すなわち、実施形態１０の液晶表示装置では、実施形態１の液晶表示装置と同様に、画素領域の上端部と下端部とからなる画素領域の短手方向（Ｙ方向）の辺部領域で保持容量を形成すると共に、画素領域の長手方向（Ｘ方向）の辺部においても保持容量を形成する構成となっている。
【０１９４】
このとき、壁画素電極ＳＥを構成する平坦部と第四の共通電極ＣＥ４との重畳領域の面積が大きくなるように、第四の共通電極ＣＥ４及び壁画素電極ＳＥを形成することにより、保持容量も大きくできる。なお、実施形態１０では、実施形態１の液晶表示装置に本願発明の第四の共通電極ＣＥ４を形成する構成としたが、これに限定されることはない。例えば、実施形態２〜４及び実施形態６〜９の液晶表示装置に第四の共通電極ＣＥ４を形成することにより、保持容量を増加させることが可能となるので、実施形態１０と同様の効果を得ることができる。
【０１９５】
以上説明したように、実施形態１０の液晶表装置では、壁画素電極ＳＥを利用して保持容量を形成する構成、すなわち、長手方向に延在する壁画素電極ＳＥと第六の絶縁膜ＩＬ６とが第六の絶縁膜ＩＬ６を介して重畳する領域ＳＣ２によって形成される容量も保持容量として用いる構成としている。従って、実施形態１と同じ容量の保持容量を形成する場合には、ゲート線ＧＬに近接する画素端部に配置する保持容量の面積を縮小できる、すなわち、画素領域の長手方向の上端側及び下端側に形成される重畳領域ＳＣの面積を減少させることができる。その結果、実施形態１と同様の効果を得ることができると共に、保持容量を減少させることなく液晶分子を駆動させることが可能な透過領域を増加させることができ、開口率を実施例１の６３％から６９％に増大でき、実施形態１に比較して実施形態１０では透過率を１０％程度向上させることができるという格別の効果を得ることができる。
【０１９６】
なお、実施形態２〜４の発明では、第一の基板ＳＵ１又は第二の基板ＳＵ２の何れか一方の基板に膜厚の厚い薄膜層（厚膜層）を形成すると共に、壁画素電極を液晶層厚よりも大きく形成する構成としたが、第一の基板ＳＵ１及び第二の基板ＳＵ２に共に厚膜層を形成する構成であってもよい。
【０１９７】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記発明の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
【符号の説明】
【０１９８】
ＰＮＬ……液晶表示パネル、ＳＵ１……第一の基板、ＳＵ２……第二の基板
ＡＲ……表示領域、ＳＬ……シール材、ＤＲ……駆動回路、ＣＬ……コモン線
ＦＰＣ……フレキシブルプリント基板、ＧＬ……ゲート線、ＤＬ……ドレイン線
ＳＥ，ＳＥ１……壁画素電極、ＳＥ２……線状画素電極、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ
ＣＥ１〜４……第一〜第四の共通電極、ＴＣＦ１……第一の透明導電膜
ＴＣＦ２……第二の透明導電膜、ＣＨ１，ＣＨ２……コンタクトホール、ＷＬ……壁基材ＰＳ……ポリシリコン膜（ポリシリコン層）、ＰＬ１……第一の偏光板
ＰＬ２……第二の偏光板、ＢＭ……ブラックマトリクス、ＣＦ……カラーフィルタ
ＯＣ……オーバーコート層、ＡＬ１……第一の配向膜、ＡＬ２……第二の配向膜
ＬＣ……液晶層、ＩＬ１〜６……第一〜第六の絶縁膜、ＬＣＭ……液晶分子
ＴＰ……頭頂部、ＶＰ……垂直部、ＨＰ……平坦部、ＯＰ１〜３……開口部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係わり、特に、基板面に平行な電界を印加する横電界方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
横電界方式又はＩＰＳ（In-Plane Switching）方式と称される液晶表示装置は、液晶分子をパネル面に水平に配向させ、パネル面と平行な電界（横電界）を印加して液晶分子を水平面内で９０度回転させる液晶表示装置である。このＩＰＳ方式の液晶表示装置は、映像信号線（ドレイン線）や走査信号線（ゲート線）及び薄膜トランジスタや画素電極等が形成される第1基板側に共通電極も形成され、画素電極と共通電極とに印加する電圧差で生じる第1基板の面内方向の電界により液晶層を駆動する。この構成からなるＩＰＳ方式の液晶表示装置では、例えば、透明導電膜で形成される面状の共通電極の上層に絶縁膜を介して線状の画素電極が重畳して配置される構成となっている。このために、線状電極の上層や隣接する線状電極との中間部分等では第１基板の法線方向の電界が生じるために、液晶分子がパネル面と水平にならずに傾斜してしまい、表示モード効率が低下してしまうことが知られている。
【０００３】
この表示モード効率を向上させる方法として、例えば、特許文献１に記載の液晶表示装置がある。この特許文献１に記載の液晶表示装置では、薄膜トランジスタ等が形成される第１基板側の液晶面側に層間絶縁膜からなる凸状体を形成し、該凸状体の表面を覆うようにして画素電極と共通電極（対向電極）とを画素毎に形成する構成となっている。特に、各画素の対向する一対の辺縁部とその中心部に凸状体を形成し、一対の辺縁部の凸状体に覆う導電膜を画素電極とし、中心部の凸状体を覆う導電膜を共通電極とする構成となっている。さらには、画素電極の下層すなわち画素電極が形成される層間絶縁膜の下層に映像信号が出力される映像信号線が配置される構成となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−２５８２６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載されるように、液晶層内に突出される画素電極と共通電極により液晶層に第１基板の面内方向と平行な横電界を印加する方式では、液晶層に理想的な横電界を印加することができるが、一方で画素電極及び共通電極とその近傍では液晶配向を制御できないので、開口率が低下してしまうことが知られている。このために、従来の液晶表示装置では、液晶層内に突出する画素電極及び共通電極が画素の端部に形成されるブラックマトリクス等の遮光膜と重畳されるように配置する構成となっている。
【０００６】
しかしながら、このような構成からなる液晶表示装置では、画素の端部において隣接する画素の画素電極が近接して配置されることとなるので、画素電極とその周辺に自画素と隣接画素の電位差に起因した電界分布が発生する。この電位差は画素毎反転駆動で白表示した際に最大になり、この場合に横電界分布に偏りが生じるため白表示の表示モード効率が低下してしまうことが懸念されている。同様にして、自画素が黒表示で隣接画素が白表示の場合に画素毎反転駆動したときには、黒表示時の輝度が増大してしまうすなわち黒表示時の透過率が上昇してしまうので、コントラスト比が低下してしまうことが懸念されている。
【０００７】
また、画素の領域に占める画素電極の形成領域を低減させる構成として、隣接する画素を跨ぐようにして凸状体を形成し、該凸状体の側壁面にそれぞれの画素に対応した画素電極を形成する構成もある。この場合、１つの凸状体の側壁面に異なる画素（隣接する画素）の画素電極が凸状体を介して対向配置されることとなるので、隣接する画素の画素電極がさらに近接して配置されることとなり、その解決方法が切望されている。
【０００８】
本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、液晶層内に立設して形成される電極を形成した場合であっても、表示モード効率を向上させることが可能な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）前記課題を解決すべく、本願発明の液晶表示装置は、Ｘ方向に伸延しＹ方向に並設される走査信号線と、Ｙ方向に伸延しＸ方向に並設される映像信号線とを有する第二の基板と、液晶層を介して前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、隣接画素との画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の前記凸状体の底面側から延在し、前記第二の基板の液晶側面に沿って伸延される下端側電極とからなり、前記画素の領域を挟んで対向する少なくとも一対の辺部に形成される前記側壁面電極と前記下端側電極とからなる第一の電極と、前記第一の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記第一の電極の延在方向に伸延してなる第一の線状電極と、前記第二の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記前記第一の線状電極と前記液晶層を介して対峙するようにして伸延してなる第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、前記画素の領域は、少なくとも、前記第一の電極と前記第二の電極とが第一の方向に延在する第一の画素領域と、前記第一の電極と前記第二の電極とが第二の方向に延在する第二の画素領域とからなる液晶表示装置である。
【００１０】
（２）前記課題を解決すべく、本願発明の液晶表示装置は、Ｘ方向に伸延しＹ方向に並設される走査信号線と、Ｙ方向に伸延しＸ方向に並設される映像信号線とを有する第二の基板と、液晶層を介して前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、隣接画素との画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の前記凸状体の底面側から延在し、前記第二の基板の液晶側面に沿って伸延される下端側電極とからなり、前記画素の領域を挟んで対向する少なくとも一対の辺部に形成される前記側壁面電極と前記下端側電極とからなる第一の電極と、前記第一の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記第一の電極の延在方向に伸延してなる第一の線状電極と、前記第二の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記前記第一の線状電極と前記液晶層を介して対峙するようにして伸延してなる第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、前記側壁面電極が形成される前記第二の基板側の下側辺縁部から前記第一の基板側の上側辺縁部に至る前記第一の電極の高さは、当該第一電極に挟まれる画素の領域における前記液晶層の厚さよりも大きく形成されてなる液晶表示装置である。
【００１１】
（３）前記課題を解決すべく、本願発明の液晶表示装置は、Ｘ方向に伸延しＹ方向に並設される走査信号線と、Ｙ方向に伸延しＸ方向に並設される映像信号線とを有する第二の基板と、液晶層を介して前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、隣接画素との画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の前記凸状体の底面側から延在し、前記第二の基板の液晶側面に沿って伸延される下端側電極とからなり、前記画素の領域を挟んで対向する少なくとも一対の辺部に形成される前記側壁面電極と前記下端側電極とからなる第一の電極と、前記第一の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記第一の電極の延在方向に伸延してなる第一の線状電極と、前記第二の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記前記第一の線状電極と前記液晶層を介して対峙するようにして伸延してなる第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、前記下端側電極よりも下層に形成され、前記下端側電極と絶縁膜を介して少なくともその一部が前記下端側電極と重畳して形成される第三の電極を備え、前記第三の電極と前記第一の電極とが電気的に接続されている液晶表示装置である。
【００１２】
（４）前記課題を解決すべく、本願発明の液晶表示装置は、Ｘ方向に伸延しＹ方向に並設される走査信号線と、Ｙ方向に伸延しＸ方向に並設される映像信号線とを有する第二の基板と、液晶層を介して前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、隣接画素との画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の前記凸状体の底面側から延在し、前記第二の基板の液晶側面に沿って伸延される下端側電極とからなり、前記画素の領域を挟んで対向する少なくとも一対の辺部に形成される前記側壁面電極と前記下端側電極とからなる第一の電極と、前記第一の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記第一の電極の延在方向に伸延してなる第一の線状電極と、前記第二の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記前記第一の線状電極と前記液晶層を介して対峙するようにして伸延してなる第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、前記第一の基板側に形成され、平面的に見て前記第一の電極と重畳配置される第四の電極を有し、前記第四の電極と前記第二の電極に同じ信号が供給される液晶表示装置である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、液晶層内に立設して形成される電極を形成した場合であっても、表示モード効率を向上させることができる。
【００１４】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態１の液晶表示装置の全体構成を説明するための図である。
【図２】本発明の実施形態１の液晶表示装置における画素構成を説明するための平面図である。
【図３】図２に示すＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図４】本発明の実施形態１の液晶表示装置における壁状電極の詳細構成を説明するための図である。
【図５】本発明の実施形態１の液晶表示装置における擬似壁共通電極での電界分布を説明するための図である。
【図６】従来の壁電極における電界分布を説明するための図である。
【図７】従来の共通電極における電界分布を説明するための図である。
【図８】本発明の実施形態１の擬似壁共通電極の位置合わせ精度を説明するための図である。
【図９】本発明の実施形態１の液晶表示装置における壁基材近傍での等電位面分布を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態１の液晶表示装置における１つの画素内における透過率分布の計測値の図である。
【図１１】本発明の実施形態２の液晶表示装置における液晶表示パネルの概略構成を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の実施形態２の液晶表示装置における壁基材近傍での等電位面分布を説明するための図である。
【図１３】実施形態１の液晶表示装置を画素毎反転駆動した場合の壁基材近傍での等電位面分布を説明するための図である。
【図１４】本発明の実施形態２の液晶表示装置における液晶層厚と壁画素電極の高さとの差に対する画素毎反転駆動時におけるコントラスト比を示す図である。
【図１５】実施形態１の液晶表示装置において画素毎反転駆動で自画素及び該自画素に隣接する隣接画素で共に白表示を行った場合の壁画素電極の近傍の等電位面分布を示す図である。
【図１６】実施形態２の液晶表示装置において画素毎反転駆動により自画素で白表示を行うと共に隣接画素で黒表示を行った場合の壁画素電極の近傍の等電位面分布を示す図である。
【図１７】実施形態２の液晶表示装置において液晶層ＬＣよりも２μｍ高く壁基材ＷＬを形成して画素毎反転駆動で白表示を行った際の透過率分布を示す図である。
【図１８】本発明の実施形態３の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。
【図１９】本発明の実施形態４の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。
【図２０】本発明の実施形態４の液晶表示装置において画素毎反転駆動時に隣接画素間の電位差が最大となる場合の壁基材近傍での等電位面分布を説明するための図である。
【図２１】本発明の実施形態４の液晶表示装置において画素毎反転駆動時に白表示画素と黒表示画素とが隣接する場合の壁基材近傍での等電位面分布を説明するための図である。
【図２２】本発明の実施形態４の液晶表示装置における液晶層厚と壁画素電極の高さとの差と、画素毎反転駆動時における白表示時の透過率及び黒表示時の透過率との計測結果を示す図である。
【図２３】本発明の実施形態４の液晶表示装置における液晶層厚と壁画素電極の高さとの差に対する画素毎反転駆動時におけるコントラスト比を示す図である。
【図２４】本発明の実施形態５の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。
【図２５】本発明の実施形態５の液晶表示装置における画素毎反転駆動時での壁画素電極の近傍における等電位面分布図である。
【図２６】本発明の実施形態５の液晶表示装置における画素毎反転駆動時での壁画素電極の近傍における等電位面分布図である。
【図２７】本発明の実施形態５の液晶表示装置における壁画素電極と線状画素電極との間隔と、画素毎反転駆動時における白表示時の透過率及び黒表示時の透過率との計測結果を示す図である。
【図２８】本発明の実施形態５の液晶表示装置における壁画素電極と線状画素電極との間の距離に対する画素毎反転駆動時でのコントラスト比を示す図である。
【図２９】本発明の実施形態６の液晶表示装置の概略構成を説明するための断面図である。
【図３０】本発明の実施形態６の液晶表示装置における自画素と隣接画素が共に白を表示した際の等電位面の分布である。
【図３１】本発明の実施形態６の液晶表示装置における自画素が白表示し、隣接画素が黒表示した際の等電位面の分布である。
【図３２】本発明の実施形態７の液晶表示装置の概略構成を説明するための断面図である。
【図３３】本発明の実施形態７の他の液晶表示装置の概略構成を説明するための断面図である。
【図３４】本発明の実施形態８の液晶表示装置の概略構成を説明するための断面図である。
【図３５】本発明の擬似壁共通電極における第一の共通電極と第二の共通電極との位置合わせずれに対する画素毎反転駆動時における白表示画素の透過率を示す図である。
【図３６】実施形態１の液晶表示装置において第一の共通電極と第二の共通電極とに合わせずれが生じていない場合と、３μｍの合わせずれが生じている場合での画素内の透過率分布を示す図である。
【図３７】本発明の実施形態８の液晶表示装置における第一の共通電極と第二の共通電極とに合わせずれが生じていない場合の擬似壁共通電極部分の拡大図である。
【図３８】本発明の実施形態８の液晶表示装置における第一の共通電極と第二の共通電極とに合わせずれが生じている場合の擬似壁共通電極部分の拡大図である。
【図３９】本発明の実施形態８の液晶表示装置における第一の共通電極と第二の共通電極とに合わせずれが生じていない場合と、３μｍの合わせずれが生じている場合での画素内の透過率分布を示す図である。
【図４０】本発明の実施形態８の液晶表示装置における第一の共通電極と第二の共通電極との合わせ位置が３μｍずれた場合における画素毎反転駆動時での白表示透過率の第二の共通電極と液晶層との距離依存性を説明するための図である。
【図４１】本発明の実施形態８の液晶表示装置における第二の共通電極から液晶層に至るまでの距離と駆動電圧との関係を説明するための図である。
【図４２】本発明の実施形態９の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。
【図４３】本発明の実施形態９の液晶表示装置における第一の共通電極と第二の共通電極とに合わせずれが生じていない場合の擬似壁共通電極部分の拡大図である。
【図４４】本発明の実施形態９の液晶表示装置における第一の共通電極と第二の共通電極とに合わせずれが生じている場合の擬似壁共通電極部分の拡大図である。
【図４５】本発明の実施形態９の液晶表示装置において第一の共通電極と第二の共通電極との合わせ位置が３μｍずれた場合における画素毎反転駆動時での白表示透過率の第一の共通電極と液晶層との距離依存性を説明するための図である。
【図４６】本発明の実施形態９の液晶表示装置における第一の共通電極から液晶層に至るまでの距離と駆動電圧との関係を説明するための図である。
【図４７】本発明の実施形態１０の液晶表示装置の概略構成を説明するための平面図である。
【図４８】図４７に示すＣ−Ｃ’線での断面図である。
【図４９】実施形態１０の液晶表示装置における壁画素電極を形成する第一の透明導電膜の構成を説明するための図である。
【図５０】実施形態１０の液晶表示装置における第二の共通電極及び第四の共通電極を形成する第二の透明導電膜の構成を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明は省略する。また、Ｘ，Ｙ，ＺはそれぞれＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を示す。
【００１７】
〈実施形態１〉
〈全体構成〉
図１は本発明の実施形態１の液晶表示装置の全体構成を説明するための図であり、以下、図１に基づいて、実施形態１の液晶表示装置の全体構成について説明する。なお、本願明細中においては、カラーフィルタＣＦや偏光板ＰＯＬ１，ＰＯＬ２などによる吸収の影響や開口率の影響を除いた透過率を表示モード効率とする。従って、バックライトユニット側の偏光板ＰＯＬ１から出射した直線偏光の振動方向が表示面側の偏光板ＰＯＬ２に入射する際に、９０度回転している場合の表示モード効率を１００％とする。
【００１８】
図１に示すように、実施形態１の液晶表示装置は、第二の基板ＳＵ２に対向して配置されカラーフィルタ（着色層）やブラックマトリクスと称される遮光層等が形成される第一の基板ＳＵ１と、壁状の画素電極である壁画素電極（第一の電極）ＳＥや薄膜トランジスタＴＦＴが形成される第二の基板ＳＵ２と、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２とで挟持される液晶層とで構成される液晶表示パネルＰＮＬを有する。該液晶表示パネルＰＮＬと該液晶表示パネルＰＮＬの光源となる図示しないバックライトユニット（バックライト装置）とを組み合わせることにより、液晶表示装置が構成されている。第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との固定及び液晶の封止は、第一の基板の周辺部に環状に塗布されたシール材ＳＬで固定され、液晶も封止される構成となっている。ただし、実施形態１の液晶表示装置では、液晶が封入された領域の内で表示画素（以下、画素と略記する）の形成される領域が表示領域ＡＲとなる。従って、液晶が封入されている領域内であっても、画素が形成されておらず表示に係わらない領域は表示領域ＡＲとはならない。
【００１９】
また、第一の基板ＳＵ１は、第二の基板ＳＵ２よりも小さな面積となっており、第二の基板ＳＵ２の図中下側の辺部を露出させるようになっている。この第二の基板ＳＵ２の辺部には、半導体チップで構成される駆動回路ＤＲが搭載されている。この駆動回路ＤＲは、表示領域ＡＲに配置される各画素を駆動する。なお、以下の説明では、液晶表示パネルＰＮＬの説明においても、液晶表示装置と記すことがある。また、第一の基板ＳＵ１及び第二の基板ＳＵ２としては、例えば周知のガラス基板が基材として用いられるのが一般的であるが、樹脂性の透明絶縁基板であってもよい。
【００２０】
実施形態１の液晶表示装置では第二の基板ＳＵ２の液晶側の面であって表示領域ＡＲ内には、図１中Ｘ方向に延在しＹ方向に並設され、駆動回路ＤＲからの走査信号が供給される走査信号線（ゲート線）ＧＬが形成されている。また、図１中Ｙ方向に延在しＸ方向に並設され、駆動回路からの映像信号（階調信号）が供給される映像信号線（ドレイン線）ＤＬが形成されている。隣接する２本のドレイン線ＤＬと隣接する２本のゲート線ＧＬとで囲まれる領域が画素を構成し、複数の画素が、ドレイン線ＤＬ及びゲート線ＧＬに沿って、表示領域ＡＲ内においてマトリックス状に配置されている。
【００２１】
各画素は、例えば図１中丸印Ａの等価回路図Ａ’に示すように、ゲート線ＧＬからの走査信号によってオン／オフ駆動される薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介してドレイン線ＤＬからの映像信号が供給される壁画素電極ＳＥと、コモン線ＣＬを介して映像信号の電位に対して基準となる電位を有する共通信号が供給される第一の共通電極（第一の線状電極）ＣＥ１及び第二の共通電極（第二の線状電極）ＣＥ２とを備えている。図１中丸印Ａの等価回路図Ａ’においては、第一及び第二の共通電極ＣＥ１，ＣＥ２並びに壁画素電極ＳＥを模式的に線状に記しているが、実施形態１の壁第一及び第二の共通電極ＣＥ１，ＣＥ２並びに壁画素電極ＳＥの構成については、後に詳述する。なお、実施形態１の薄膜トランジスタＴＦＴは、そのバイアスの印加によってドレイン電極とソース電極が入れ替わるように駆動するが、本明細書中においては、便宜上、ドレイン線ＤＬと接続される側をドレイン電極、壁画素電極ＳＥと接続される側をソース電極と記す。
【００２２】
壁画素電極ＳＥと第一及び第二の共通電極ＣＥ１，ＣＥ２との間には、第二の基板ＳＵ２の主面に平行な成分を有する電界が生じ、この電界によって液晶の分子を駆動させるようになっている。このような液晶表示装置は、いわゆる広視野角表示ができるものとして知られ、液晶への電界の印加の特異性から、ＩＰＳ方式あるいは横電界方式と称される。また、このような構成の液晶表示装置において、液晶に電界が印加されていない場合に光透過率を最小（黒表示）とし、電界を印加することにより光透過率を増加させていくノーマリーブラックで表示を行うようになっている。
【００２３】
各ドレイン線ＤＬ及び各ゲート線ＧＬはその端部においてシール材ＳＬを越えてそれぞれ延在され、外部システムからフレキシブルプリント基板ＦＰＣを介して入力される入力信号に基づいて、映像信号や走査信号等の駆動信号を生成する駆動回路ＤＲに接続される。ただし、実施形態１の液晶表示装置では、駆動回路ＤＲを半導体チップで形成し第二の基板ＳＵ２に搭載する構成としているが、映像信号を出力する映像信号駆動回路と走査信号を出力する走査信号駆動回路との何れか一方又はその両方の駆動回路をフレキシブルプリント基板ＦＰＣにテープキャリア方式やＣＯＦ（Chip On Film）方式で搭載し、第二の基板ＳＵ２に接続させる構成であってもよい。
【００２４】
〈画素の詳細構成〉
図２は本発明の実施形態１の液晶表示装置における画素構成を説明するための平面図、図３は図２に示すＢ−Ｂ’線での断面図、図４は本発明の実施形態１の液晶表示装置における壁状電極の詳細構成を説明するための図である。ただし、図２において、破線は第一の共通電極（コモン電極）ＣＥ１と第二の共通電極（コモン電極）ＣＥ２の輪郭を示し、一点鎖線は本願発明の壁基材（凸状体、壁構造）ＷＬの輪郭（外形）を示す。
【００２５】
図２に示すように、実施形態１の画素は、Ｘ方向に延在しＹ方向に並設されるドレイン線（映像信号線）ＤＬと、Ｙ方向に延在しＸ方向に並設されるゲート線（走査信号線）ＧＬとで囲まれる領域となり、該画素が液晶表示パネルＰＮＬの表示領域ＡＲ内にマトリクス状に配置されている。このとき、実施形態１の画素は、長手方向（Ｙ方向）の図２中の上側領域（第一の領域）と下側領域（第二の領域）とにおいて、Ｙ方向に対して対称をなすように異なる方向に傾斜され、画素の中央部分で上側領域と下側領域とが接続される構成となっている。ただし、液晶分子の配向方向は、上側領域及び下側領域においても図中の矢印ＡＤで示す方向となるように、初期配向がされている。また、実施形態１の画素では、上側領域をＹ方向に対して反時計方向（第一の方向）に傾斜させ、下側領域を時計方向（第二の方向）に傾斜させる構成としたが、それぞれの逆方向に傾斜させる構成であってもよい。
【００２６】
このように、実施形態１の液晶表示パネルでは、１つの画素を中央で屈曲させ、尚且つ液晶分子の配向方向を矢印ＡＤで示す方向（図２中の縦方向）としている。これにより、上側領域と下側領域とが接する屈曲部の上下では、電圧印加時の液晶分子の回転方向は互いに逆方向となる。即ち、屈曲部の上側領域では液晶分子は反時計回りに回転し、屈曲部の下側領域では時計回りに回転する。一軸配向モデルによれば、液晶層はホモジニアス配向を保ったままその方位のみが回転するが、配向方向を含む方位角方向では白表示が青みがかり、その垂直方向では白表示が黄色味を帯びる。従って、実施形態１では、１つの画素内に回転方向が互いに逆となる領域を形成することにより、視角方向での着色を相殺して白色に近づけることができる。
【００２７】
また、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、ドレイン線ＤＬに重畳して形成されるコンタクトホールＣＨ１を介して半導体層となるポリシリコン膜（ポリシリコン層）ＰＳが電気的に接続されており、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極となる。このポリシリコン膜ＰＳは、図２中の左下に示すように、図示しないゲート絶縁膜を介してゲート線ＧＬと重畳され、この重畳領域において、ゲート電極ＧＴが薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極となる。また、ポリシリコン膜ＰＳの他端側はドレイン電極となり、コンタクトホールＣＨ２を介して、第一の透明導電膜（第一の導電膜）ＴＣＦ１に電気的に接続されている。なお、実施形態１においては、半導体層（半導体膜）としてポリシリコン層を用いる場合について説明するが、アモルファスシリコン層や微結晶シリコン層等の他の半導体層を用いる構成であってもよい。
【００２８】
第一の透明導電膜ＴＣＦ１はドレイン線ＤＬとゲート線ＧＬとに沿って円環状に形成されており、図２中に実線Ｌ１で示す外側辺縁部と、実線Ｌ２で示す内側辺縁部との間の領域が第一の透明導電膜ＴＣＦ１の形成領域となる。このとき、第一の透明導電膜ＴＣＦ１の内でドレイン線ＤＬに沿って伸延する部分は、各ドレイン線ＤＬに近接する側すなわち外側辺縁が壁基材ＷＬと重畳するようにして配置されている。これにより、実施形態１のドレイン線ＤＬに沿って形成される一対の壁画素電極ＳＥが、画素領域を挟むようにして立設して形成される。
【００２９】
また、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、ゲート線ＧＬに沿い当該ゲート線ＧＬを跨ぐようにして、第二の透明導電膜（第二の導電膜）ＴＣＦ２がＸ方向に延在しＹ方向に並設され、コモン線ＣＬを兼ねている。また、画素領域のＸ方向の中間領域において、画素領域内の上端側及び下端側に形成される第二の透明導電膜ＴＣＦ２を接続するようにして、第二の共通電極ＣＥ２が形成されている。このとき、第二の共通電極ＣＥ２においても、画素領域の上側領域と下側領域とにおいて、Ｙ方向に対して傾斜するように形成されており、上側領域と下側領域との中間部分で電気的に接続されている。すなわち、第二の共通電極ＣＥ２においても、画素領域の上側領域と下側領域との中間部分で屈曲される形状となっている。このような構成の第二の共通電極ＣＥ２は、例えば、第二の基板ＳＵ２の液晶面側を覆うようにして形成された透明導電膜に点線Ｌ３，Ｌ４で示す開口領域を形成することによって成膜可能であり、一対の壁画素電極ＳＥに挟まれた領域に中間部分で屈曲される線状の第二の共通電極ＣＥ２が形成される構成となっている。ただし、後に詳述するように、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬにおいては、液晶層を介して対向配置される第一の基板ＳＵ１の液晶面側に、第二の共通電極ＣＥ２と対峙する位置に同電位の共通信号が供給される第一の共通電極ＣＥ１が形成されている。また、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２とは、例えば、液晶表示パネルＰＮＬの辺縁部等において、周知の技術で電気的に接続され、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２とに同電位の共通信号が供給されている。
【００３０】
このとき、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、壁画素電極ＳＥを形成する第一の透明導電膜ＴＣＦ１と第二の共通電極ＣＥ２を形成する第二の透明導電膜ＴＣＦ２とが第三の絶縁膜ＩＬ３を介して形成されている。従って、図２中に斜線で示す画素領域内の上端側及び下端側の領域では、第一の透明導電膜ＴＣＦ１と第二の透明導電膜ＴＣＦ２とが第三の絶縁膜ＩＬ３を介して重畳するようになっており、実施形態１においては、第一の透明導電膜ＴＣＦ１と第二の透明導電膜ＴＣＦ２が重畳する領域（斜線で示す領域ＳＣ）を保持容量（蓄積容量）として用いる構成となっている。
【００３１】
また、実施形態１の第一の透明導電膜ＴＣＦ１では、画素の上側領域と下側領域との中間部分に図２中のＸ方向に突出する突出部が形成され、上側領域と下側領域とで液晶分子の回転方向が異なることに起因する異常ドメインを低減させる構成としている。同様にして、第二の共通電極ＣＥ２を形成する透明導電膜にも 画素の上側領域と下側領域との中間部分に図２中のＸ方向に突出する突出部が形成され、異常ドメインを低減させる構成としている。
【００３２】
この構成からなる実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、図３に示すように、液晶層ＬＣを介して第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２とが対向配置される。第一の基板ＳＵ１の液晶面側には、図示しないゲート線ＧＬが形成され、該ゲート線ＧＬを覆うようして第二の基板ＳＵ２の液晶面側の全面に第一の絶縁膜ＩＬ１が形成されている。このとき、第一の絶縁膜ＩＬ１は、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においては、ゲート絶縁膜として機能する構成となっている。
【００３３】
第一の絶縁膜ＩＬ１の上層にはドレイン線ＤＬが形成され、該ドレイン線ＤＬを覆うようにして、第二の基板ＳＵ２の全面に第二の絶縁膜ＩＬ２が形成されている。第二の絶縁膜ＩＬ２の上層にはドレイン線ＤＬと重畳するようにして壁基材ＷＬが立設されており、この壁基材ＷＬの側壁面及び頭頂面並びに壁基材ＷＬの近傍の第二の絶縁膜ＩＬ２の上層には壁画素電極ＳＥを構成する第一の透明導電膜ＴＣＦ１が形成されている。このとき、実施形態１の壁画素電極ＷＬにおいては、前述するように、１つの壁基材ＷＬの側壁面に隣接する画素の壁画素電極ＳＥが形成されており、この隣接画素の壁画素電極ＳＥは壁基材ＷＬを介してゲート線ＧＬの延在方向に対向配置される構成となっている。
【００３４】
壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥの上層には、当該壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥを覆うようにして第二の基板ＳＵ２の全面に第三の絶縁膜ＩＬ３が形成されており、その上層に第二の共通電極ＣＥ２が形成されている。また、第三の絶縁膜ＩＬ３の上層には第二の共通電極ＣＥ２を覆うようにして、第二の基板ＳＵ２の全面に第二の配向膜ＡＬ２が形成され、液晶層ＬＣの各液晶分子ＬＣＭを図２中に矢印で示す初期配向方向ＡＤＨに配向させる構成となっている。特に、第二の配向膜ＡＬ２は周知の光配向膜であり、偏光紫外線を照射するとその振動方向に平行な方向に液晶分子ＬＣＭを配向させる性質を有する配向膜である。実施形態１において、第二の配向膜ＡＬ２に光配向膜を用いたことにより、ラビング法のような機械的な摩擦が不要となる格別の効果を得ることができる。その結果、壁基材ＷＬを配置して凹凸が生じた第二の基板ＳＵ２の表面において、液晶分子ＬＣＭを配向させることが可能になる。ただし、ラビング法等を用いる周知の配向膜でも適用可能である。
【００３５】
また、液晶層ＬＣを介して対向配置される第一の基板ＳＵ１の液晶面側には、ドレイン線ＤＬと対峙する位置に遮光膜となるブラックマトリクスＢＭが形成されており、該ブラックマトリクスＢＭを覆うようにして、着色層であるカラーフィルタＣＦが形成されている。カラーフィルタＣＦは画素領域毎に少なくとも赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の何れかに着色されており、ＲＧＢのカラー表示用の単位画素を構成している。
【００３６】
カラーフィルタＣＦの上層にはオーバーコート層（オーバーコート膜、平坦化層）ＯＣが形成されており、該オーバーコート層ＯＣの上層に第１の共通電極ＣＥ１が形成されている。オーバーコート層ＯＣの上層には、第一の共通電極ＣＥ１を覆うようにして、第一の配向膜ＡＬ１が形成されている。第一の配向膜ＡＬ１については、当該第一の配向膜ＡＬ１の液晶側面に大きく突出する壁基材ＷＬが形成されない構成となるので、光配向膜やラビング法等を用いる配向膜の何れであってもよい。
【００３７】
このとき、実施形態１の第１の共通電極ＣＥ１は液晶層ＬＣを介して第二の共通電極ＣＥ２と重畳するように形成されると共に、第二の共通電極ＣＥ２よりも壁画素電極ＳＥの配置方向の幅が大きく形成されている。この構成により、実施形態１においては、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２とが重畳する領域内の液晶層ＬＣに同電位となる領域を形成し、この領域を見かけ上の壁電極（擬似壁電極）とする擬似壁共通電極（第二の電極）を形成する構成としている。
【００３８】
この場合、画像表示時にはおいては、擬似壁共通電極を中心として、図３中のＢ側では、Ｂ側の壁画素電極ＳＥと擬似壁共通電極との間に第二の基板ＳＵ２の主面と平行な電界が生じ、Ｂ’側ではＢ’側の壁画素電極ＳＥと擬似壁共通電極との間に第二の基板ＳＵ２の主面と平行な電界が生じ、このＢ側及びＢ’側の電界によりそれぞれの領域の液晶分子ＬＣＭが第二の基板ＳＵ２の主面と平行に回転駆動される。
【００３９】
また、実施形態１の壁基材ＷＬは第一の透明導電膜ＴＣＦ１の内で、主に壁画素電極ＳＥとなる領域と重畳する構成となっている。すなわち、第一の共通電極ＣＥ１や第二の共通電極ＣＥ２と対をなして液晶層ＬＣに電界を印加する部分だけに壁基材ＷＬが形成され、第一の透明導電膜ＴＣＦ１と重畳される構成となっているので、ゲート線ＧＬの近傍にまで壁基材ＷＬが延在しない構成となっている。さらには、画素領域のゲート線ＧＬ側（Ｙ方向側）の辺部にも壁基材ＷＬが形成されない構成となっている。このように、壁構造ＷＬはゲート配線ＧＬとその近傍には形成されておらず、ドレイン配線ＤＬの延在方向において画素間を跨らない不連続な構成となっている。従って、液晶層ＬＣを形成する際に、真空封入法や滴下法等の何れの方法を用いる場合であっても、実施形態１の壁基材ＷＬは液晶分子ＬＣＭの移動に与える障害を少なくして液晶層ＬＣの形成を容易にしているので、液晶の注入を妨げない。例えば、液晶層ＬＣの注入に際して、液晶分子ＬＣＭは壁基材ＷＬの形成されていない部分を通って移動し、液晶層ＬＣを形成する。また、壁基材ＷＬは液晶層ＬＣを保持してその厚さを一定に保つ機能を有する。
【００４０】
なお、壁画素電極ＳＥ及び第一の共通電極ＣＥ１や第二の共通電極ＣＥ２を形成するための透明導電膜ＴＣＦ１，ＴＣＦ２を形成するための透明導電膜材料は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）及び酸化亜鉛系のＡＺＯ(Aluminum doped Zinc Oxide)やＧＺＯ（Gallium doped Zinc Oxide）等を用いることが可能である。
【００４１】
特に、実施形態１の壁画素電極ＳＥでは、図４の拡大図に示すように、壁基材ＷＬの断面形状が長方形であり、壁基材ＷＬの頭頂面に形成される第二の配向膜ＡＬ２が第一の基板ＳＵ１上に形成された第一の配向膜ＡＬ１に近接又は当接される構成となっている。なお、壁基材ＷＬの側壁面は第二の基板ＳＵ２の主面に垂直又は垂直に近い傾斜であればよいので、壁基材ＷＬの断面形状は長方形以外であってもよく、例えば台形や２次曲面、４次曲面等であってもよい。
【００４２】
また、実施形態１の画素構造では、壁基材ＷＬは隣接する画素を跨ぐようにして形成されているので、図４に示すように、当該壁基材ＷＬのドレイン線ＤＬの並設方向（図４中のＢ，Ｂ’方向）の側壁面には、それぞれ隣接する画素の壁画素電極ＳＥが対向配置するように形成されている。すなわち、隣接する画素に面する側壁面であり、対向する一対の側壁面には、隣接画素の壁画素電極ＳＥがそれぞれ形成されている。実施形態１の壁画素電極ＳＥは、壁基材ＷＬの側壁面に形成される垂直部（側壁面電極）ＶＰと、壁基材ＷＬの頭頂面に形成され垂直部ＶＰの頭頂側の辺縁部から頭頂面に沿って延在する頭頂部ＴＰと、壁基材ＷＬの底面側（第二の基板ＳＵ２側）の辺縁部から下層の第二の絶縁膜ＩＬ２の表面に沿い擬似壁共通電極側に所定幅で延在してなる平坦部（下端側電極）ＨＰから構成されている。
【００４３】
このとき、壁基材ＷＬの頭頂面には隣接画素の頭頂部ＴＰがそれぞれ形成されるので、隣接画素の壁画素電極ＳＥが最も近接されることとなる。従って、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬにおいては、隣接画素の頭頂部ＴＰの間隔よりも頭頂部ＴＰの隣接方向への突出量（突出幅）が小さくなるように形成されている。なお、壁画素電極ＳＥの構成はこれに限定されることはなく、例えば、頭頂部ＴＰを形成することなく、垂直部ＶＰと平坦部ＨＰのみで壁画素電極ＳＥを形成する構成であってもよい。
【００４４】
また、実施形態１の壁画素電極ＳＥでは、壁基材ＷＬの下層（第二の基板ＳＵ２に近い側）にドレイン線ＤＬが形成される、すなわち垂直部ＶＰの辺縁部の内でドレイン線ＤＬが形成される側に平坦部ＨＰが形成される構成となっているので、ドレイン線ＤＬが壁画素電極ＳＥに及ぼす影響を遮蔽する効果がある。尚且つ、平坦部ＨＰの先端すなわち垂直部ＶＰから遠い側では擬似壁共通電極との距離がより近接するため、液晶層ＬＣに印加される電界強度を強める効果がある。このように、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、壁基材ＷＬが第二の基板ＳＵ２側から第一の基板ＳＵ１側に液晶層ＬＣを貫くように形成され、尚且つその側壁面（斜面）が垂直若しくは垂直に近い斜面となるので、壁基材ＷＬに形成した壁画素電極ＳＥは液晶層ＬＣにその層面内に対して平行な電界を印加することができる。層面内に平行な電界の印加により、液晶層に一様な配向変化が生じるので、高い透過率が得られ、表示モード効率を向上できる。
【００４５】
〈壁画素電極及び擬似壁共通電極の電界分布〉
図５は本発明の実施形態１の液晶表示装置における擬似壁共通電極での電界分布を説明するための図、図６は従来の壁電極における電界分布を説明するための図、図７は従来の共通電極における電界分布を説明するための図、図８は本発明の実施形態１の擬似壁共通電極の位置合わせ精度を説明するための図である。
【００４６】
図５に示すように、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、第一の基板ＳＵ１に形成した第一の共通電極ＣＥ１と、第二の基板ＳＵ２に形成した第二の共通電極ＣＥ２とが表示面側から見て重畳されるように配置されている。その結果、実施形態１の擬似壁共通電極では、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との近傍においては、第一の共通電極ＣＥ１及び第二の共通電極ＣＥ２のみをそれぞれ囲むようにした等電位面Ｅ１，Ｅ２が生じる。このとき、実施形態１においては、第一の共通電極ＣＥ１及び第二の共通電極ＣＥ２には同じ共通信号が供給される構成となっているので、第一の共通電極ＣＥ１及び第二の共通電極ＣＥ２を共に囲むような等電位面Ｅ３、すなわち第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２とを結ぶような等電位面Ｅ３が生じる。このときの等電位面Ｅ３は、図６に示す壁状の電極ＩＷＥを形成した場合の等電位面と同様となる。尚且つ、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２の間には液晶層ＬＣが存在するので、擬似壁共通電極で形成される等電位面Ｅ３も壁状の電極ＩＷＥを設けた場合と同様の効果を得ることができ、擬似壁共通電極自体が透過率を大きく低下させることはない。従って、画素端の壁基材ＷＬに壁画素電極ＳＥ、画素中央に擬似壁共通電極を配置する構成により、ＷＶＧＡ対応の液晶表示パネルＰＮＬのように、短手方向の画素幅が比較的に大きい場合であっても、高い透過率が得られる。
【００４７】
また、図５に示す等電位面Ｅ３の形状から明らかなように、擬似壁共通電極によって形成される等電位面Ｅ３では、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との間の領域、すなわち第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との間の領域で、電極幅方向に対する等電位面Ｅ３の幅も小さくなるので、液晶分子の駆動に寄与しない電極幅を小さくすることが可能となる。その結果、表示効率を向上させることができる。
【００４８】
ただし、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、第一の共通電極ＣＥ１の幅が第二の共通電極ＣＥ２よりも大きい（広い）構成としている。これはカラーフィルタＣＦを有する基板である第一の基板ＳＵ１の加工精度が第二の基板ＳＵ２よりも相対的に低いことを考慮しているからである。例えば、図８に示すように、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２とがずれた場合であっても、第一の共通電極ＣＥ１の幅を大きく形成することにより、等電位面Ｅ３を形成することが可能となり、擬似壁共通電極を形成することができる。ただし、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２の電極幅は、異なる幅に限定されることはなく、同じ幅の構成であっても良い。より望ましくは、第一の共通電極ＣＥ１の幅を第二の共通電極ＣＥ２と同様にすれば良い。すなわち、第一の共通電極ＣＥ１の幅と第二の共通電極ＣＥ２の幅がより細いほど、図５に示す第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２を囲むように分布する等電位面Ｅ３の分布も狭くなるので、擬似壁共通電極近傍の透過率が増大する。
【００４９】
前述する構成からなる擬似壁共通電極に対して、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２のうち一方だけしか設けない場合には、擬似壁共通電極と同様の効果は得られない。図７は第二の基板ＳＵ２の側にのみ共通電極を設けた、すなわち第二の共通電極ＣＥ２のみを設けた場合の等電位面を示した図であり、この図７に示すように、第二の共通電極ＣＥ２を囲む同心円状の等電位面が生じる。この場合、第二の共通電極ＣＥ２上の電界強度は弱く、充分大きな液晶配向変化が生じないためその近傍で透過率が著しく低下してしまう。
【００５０】
一方、実施形態１の壁画素電極ＳＥは、壁基材ＷＬの対向する側壁面に自画素と隣接画素の壁画素電極ＳＥが配置されるので、壁基材ＷＬとその周辺に自画素と隣接画素の壁画素電極ＳＥの電位差に起因した電界が発生する。このために、列毎反転駆動の場合には、自画素が白表示で隣接画素が黒表示の際に、同一の壁基材ＷＬに形成される壁画素電極ＳＥ間での電位差が最大になる。このとき、白表示を行う画素内の電界強度に偏りが生じた場合には、白表示の透過率が低減する。また、黒表示を行う画素に電位の漏れが生じた場合には、黒表示の透過率が増大する。ここで、実施形態１の構成では、図３に示めすように、壁基材ＷＬの高さを液晶層ＬＣの厚さとほぼ等しく形成し、壁画素電極ＳＥが平坦部ＨＰを有している。この構成により、壁画素電極ＳＥを構成する垂直部ＶＰの表面からの電機力線が第二の基板ＳＵ２を介して、壁基材ＷＬの対向面に形成される垂直部ＶＰの表面に到達してしまうことに起因する横電界分布の偏りと隣接画素への電界漏れを低減することができるので、白表示の透過率を向上すると共に、黒表示の透過率を低減できる。すなわち、表示モード効率を向上できると共に、高コントラスト比が得られる。
【００５１】
図９は本発明の実施形態１の液晶表示装置における壁基材近傍での等電位面分布を示す図であり、特に、図９中の壁基材ＷＬの中央が画素境界であり、その右側の画素（自画素）では白表示、左側の画素（隣接する画素）では黒表示を行っている状態での等電位面分布を示している。また、図９に示す等電位面分布は、列毎反転駆動において隣接画素間の電位差が最大となる場合に相当する。
【００５２】
列毎反転駆動において隣接画素で白表示と黒表示を行う場合、白表示を行う側の等電位面ＥＦ１は広く分布する。一方、黒表示を行う画素にも等電位面ＥＦ２が形成されているが、壁画素電極ＳＥ近傍に局在化している。このような等電位面ＥＦ１，ＥＦ２の分布が得られることは、図中右側の白表示画素の壁画素電極ＳＥからの電界が黒表示画素の電界に影響を及ぼすことが低減できると共に、図中左側の黒表示画素の壁画素電極ＳＥからの電界が白表示画素の電界に影響を及ぼすことが低減できることを示している。
【００５３】
この構成からなる実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬとして、例えば、液晶層ＬＣには、室温を含む広い温度範囲でネマチック相を示す高抵抗の液晶材料を用いる液晶表示パネルを形成した。この実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、壁基材ＷＬに形成した壁画素電極ＳＥを用いて液晶層ＬＣの層平面すなわち液晶表示パネル面に平行な電界を印加した場合、液晶層ＬＣは一軸配向モデルに近い配向状態となる。この場合に高透過率と無彩色を両立するには、液晶層のリタデーションΔｎｄを３００ｎｍ前後とすればよい。実施形態１では、液晶材料の複屈折率Δｎは０．０９、液晶層厚は３．３μｍとし、液晶層のΔｎｄは３００ｎｍとしている。
【００５４】
このとき、壁基材ＷＬが形成される領域には液晶層ＬＣが存在しないため、壁基材ＷＬ自体は透過率低下の原因となる。そのため、実施形態１においては、壁基材ＷＬは画素端部のブラックマトリクスＢＭの下に配置する構成となっている。例えば、ＷＶＧＡ（Wide Video Graphics Array）対応の画素の場合に画素幅（Ｘ方向の画素幅）は３０μｍ程度である。従って、画素の端部に壁状の電極を形成し、一方の電極に映像信号を供給し、他方の電極に共通信号を供給する従来の壁電極構造では、壁基材ＷＬを３０μｍ間隔で配列すると電界強度分布が不均一になり透過率が低下してしまう。これに対して、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、画素中央に擬似壁共通電極を配置する構成となっているので、画素中央での電界強度を補うことが可能となり、透過率を向上させることができる。なお、前述するように、擬似壁共通電極は、一対の共通電極である第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２から構成される。
【００５５】
次に、図１０に本発明の実施形態１の液晶表示装置における１つの画素内における透過率分布の計測値の図を示し、以下、図１０に基づいて、実施形態１の画素構成での効果について説明する。ただし、図１０に示す計測値のグラフＧ１は、画素幅が３０μｍであり、画素端から１５μｍの位置に擬似壁共通電極が形成される画素の場合に、一方の画素端から他端側にかけての白表示時での透過率（白表示透過率）の計測値であり、白表示を行う自画素に隣接する画素は黒表示を行っている場合である。このように、自画素が白表示を行い、自画素に隣接する隣接画素が黒表示を行う場合、列毎反転駆動においては隣接画素間（自画素と隣接画素との間）の電位差が最大となる場合に相当する。
【００５６】
グラフＧ１から明らかなように、擬似壁共通電極が形成される領域である画素端部から１５μｍの部分では透過率が低下しているが、他の部分ではほぼ一定の透過率が得られている。このことは、擬似壁共通電極近傍を除いた画素内でほぼ一定の強度の電界（横電界）が液晶層ＬＣに印加されていることを示している。さらには、グラフＧ１から明らかなように、実施形態１の液晶表示装置では列毎反転駆動時において９０％の透過率が得られる。また、隣接画素の黒表示透過率は０．０８％であった。ただし、本願明細中における透過率は、カラーフィルタや偏光板等の各部材の吸収と開口率の影響を除いた値であり、液晶層の偏光変換能に対応する値である。
【００５７】
これに対して、例えば、画素幅が３０μｍであり、面状の共通電極の上層に絶縁膜を介して線状の画素電極が形成されるＩＰＳ方式の液晶表示装置では、列毎反転駆動時における透過率は７６％程度となるので、実施形態１の液晶表示装置では、透過率を大幅に向上できる。すなわち、表示モード効率を大幅に向上できる。
【００５８】
以上説明したように、実施形態１の液晶表示装置では、１つの画素が２つ以上の傾斜した画素領域から形成され、各画素領域がゲート線ＧＬの並設方向に対して対称をなすいわゆるマルチドメイン構成であると共に、壁画素電極ＳＥが垂直部ＶＰ、平坦部ＨＰ及び頭頂部ＴＰからなり、平面的に見て隣接画素の壁画素電極ＳＥから露出しない範囲にドレイン線ＤＬが形成され、さらには画素の辺縁部の内に形成される一対の壁画素電極ＳＥの間の領域に擬似壁共通電極が形成される構成となっているので、画素の短手方向が比較的離間した構成となる画素であっても透過率を向上させることが可能となる。
【００５９】
なお、本願発明の実施形態１の液晶表示装置では、１つの画素が２つの異なる方向に傾斜した領域（上側領域と下側領域）で形成するいわゆるマルチドメイン構成としたが、これに限定されることはない。例えば、１つの画素を３つ以上の領域で形成するマルチドメイン構成であってもよい。特に、１つの画素を３つ以上の領域で形成する場合には、各領域の傾斜角を全て異なる構成とすることも可能であるが、例えば、少なくとも２つ以上の傾斜角の異なる領域が適宜配置される構成であってもよい。
【００６０】
〈実施形態２〉
図１１は本発明の実施形態２の液晶表示装置における液晶表示パネルの概略構成を説明するための断面図であり、以下、図１１に基づいて、実施形態２の液晶表示装置について説明する。ただし、実施形態２の液晶表示パネルは、一対の壁画素電極ＳＥに囲まれる領域すなわち電界が印加される液晶層ＬＣの部分の構成が異なるのみで、他の構成は実施形態１と同様の構成となる。従って、以下の説明では、この壁画素電極ＳＥに挟まれる領域の構成について詳細に説明する。なお、実施形態２の画素構成においても、画素の中心部分で壁画素電極ＳＥの平面内での傾斜角が異なるいわゆるマルチドメイン構成の場合について説明するが、直線状の壁画素電極ＳＥ及び擬似壁共通電極からなるいわゆるシングルドメイン構成にも適用可能である。
【００６１】
図１１に示すように、実施形態２の液晶表示パネルは、実施形態１と同様に、第二の基板ＳＵ２の上層に、第一の絶縁膜ＩＬ１、ドレイン線ＤＬ、第二の絶縁膜ＩＬ２、壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥが順番に積層されて形成されている。ここで、実施形態２の液晶表示パネルでは、一対の壁画素電極ＳＥに挟まれて液晶分子ＬＣＭが駆動される領域（以下、透過領域と記す）毎に第四の絶縁膜（第一の絶縁厚膜）ＩＬ４が形成されている。すなわち、画素の領域の内で、壁基材ＷＬの形成されない領域に第四の絶縁膜ＩＬ４が形成される構成となっている。
【００６２】
実施形態２においては、第四の絶縁膜ＩＬ４は壁画素電極ＳＥの高さＨ２を超えない厚さで形成されている。また、実施形態２の構成では、壁基材ＷＬを含む壁画素電極の形成領域に沿った形状の貫通溝が第四の絶縁膜ＩＬ４に形成されており、この貫通溝の底面部露出される第二の絶縁膜ＩＬ２の表面（露出面）に壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥが形成されている。これにより、実施形態２の液晶表示パネルＰＮＬでは、第二の基板ＳＵ２の液晶側面に凹部（第一の溝）を形成し、この凹部の底面に壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥが立設される構成とし、凹部の深さすなわち第四の絶縁膜ＩＬ４の膜厚分だけ、液晶層厚よりも壁画素電極ＳＥの高さを大きく形成する構成としている。なお、実施形態２においては、第四の絶縁膜ＩＬ４にのみ貫通溝を設けることによって第二の基板ＳＵ２の表面（液晶側面）に凹部を形成する構成としたが、２つ以上の薄膜層を形成しそれぞれの薄膜層に貫通溝を設ける等によって凹部を形成する構成であってもよい。
【００６３】
第四の絶縁膜ＩＬ４の上層には、壁画素電極ＳＥ及び壁基材ＷＬの頭頂面を覆うようにして第三の絶縁膜ＩＬ３が形成されている。この第三の絶縁膜ＩＬ３の上層に擬似壁共通電極を形成する一方の透明電極である第二の共通電極ＣＥ２が形成され、その上層に配向膜ＡＬ２が形成されている。
【００６４】
この構成からなる第二の基板ＳＵ２の形成は、壁基材ＷＬを第二の絶縁膜ＩＬ２上に形成し、その高さＨ２をあらかじめ液晶層ＬＣの厚さＨ１よりも高く形成する。その後、壁基材ＷＬに壁画素電極ＳＥを構成する垂直部ＶＰ、平坦部ＨＰ及び頭頂部ＴＰをパターンニングして形成した後に、壁画素電極ＳＥ及び第二の絶縁膜ＩＬ２を含む第二の基板ＳＵ２の全面に第四の絶縁膜ＩＬ４を形成する。次に、壁基材ＷＬを含む壁画素電極ＳＥの形成領域に沿って、壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥの上層に形成される第四の絶縁膜ＩＬ４を除去し、壁画素電極ＳＥを構成する頭頂部ＴＰ、垂直部ＶＰ及び平坦部の一部、並びに壁基材ＷＬを露出させる。この後に、第三の絶縁膜ＩＬ３、第二の共通電極ＣＥ２及び第二の配向膜ＡＬ２を形成することにより、壁画素電極ＳＥを第四の絶縁膜ＩＬ４の膜厚分だけ液晶層ＬＣの厚さＨ１よりも高く形成できる。このとき、第四の絶縁膜ＩＬ４に有機レジスト等の有機絶縁膜材料を用いることによりその膜厚を容易に増大できる。また、壁基材ＷＬは液晶層ＬＣの厚さＨ１よりも充分に高くする。
【００６５】
一方、第一の基板ＳＵ１の構成は、前述する実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬの第一の基板ＳＵ１と同様の構成となる。その結果、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、液晶層ＬＣの厚さＨ１を従来の液晶表示パネルＰＮＬと同様の厚さとした場合であっても、壁画素電極ＳＥの高さＨ２よりも透過領域の液晶層ＬＣの厚さＨ１を小さく形成できる。すなわち、液晶層ＬＣの厚さＨ１よりも壁画素電極ＳＥの高さＨ２が大きく形成された構成となる。
【００６６】
次に、図１２に本発明の実施形態２の液晶表示装置における壁基材近傍での等電位面分布を説明するための図、図１３に実施形態１の液晶表示装置を画素毎反転駆動した場合の壁基材近傍での等電位面分布を説明するための図を示し、以下、図１２及び図１３に基づいて、実施形態２の液晶表示パネルＰＮＬの画素構成について詳細に説明する。ただし、図１２及び図１３に示す等電位面分布は、画素毎反転駆動時における隣接画素間の電位差が最大となる場合に相当する。
【００６７】
画素毎反転駆動では隣接する画素の電位が反転しているので、自画素と隣接画素とが共に白表示の場合に隣接画素間の電位差が最大になる。このとき、実施形態２の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、隣接画素の壁画素電極ＳＥは壁基材ＷＬを介して対向する位置に形成されている。このために、隣接する画素に極性の反転した最大電圧が印加される場合すなわち自画素及び隣接画素が共に白表示の場合には、列毎反転駆動における最大値の２倍近くの電位差が生じ、隣接画素の電位に及ぼす影響も大きくなる。
【００６８】
ここで、図１３に実施形態２の液晶表示装置における液晶層厚Ｈ１と壁画素電極ＳＥの高さＨ２との差Ｈｄ（＝Ｈ２−Ｈ１）と、画素毎反転駆動時における白表示時の透過率及び黒表示時の透過率との計測結果を示す図を示し、以下、図１２及び図１３に基づいて、実施形態２の液晶表示パネルの詳細構成について説明する。ただし、グラフＧ３は壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差Ｈｄを変化させた場合における白表示時の自画素の透過率の計測値であり、グラフＧ４は壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差Ｈｄを変化させた場合における黒表示時の自画素の透過率の計測値である。
【００６９】
グラフＧ３から明らかなように、実施形態２の液晶表示パネルＰＮＬでは、壁基材ＷＬの高さを変えるすなわち壁画素電極ＳＥの高さＨ２を変えることにより、画素毎反転駆動時における表示特性を変化させることが可能である。
【００７０】
すなわち、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差ＨｄがＨｄ＝０（ゼロ）μｍの場合には、実施形態１の液晶表示装置において画素毎反転駆動を行った場合に相当し、この場合の白表示時の透過率は７４％程度となる。これに対して、第四の絶縁膜ＩＬ４を形成し透過領域の液晶層厚Ｈ１を変化させずに壁画素電極ＳＥの高さＨ２を大きくした場合、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差Ｈｄの増加に伴い白表示時の透過率も増加（向上）することが明らかとなった。例えば、Ｈｄ＝０．５μｍ時には透過率は８２％程度に増加し、Ｈｄ＝１．０μｍ時は８７％に増加する。さらにＨｄを大きくした場合、Ｈｄ＝２．０μｍ以上で透過率は８９％程度となり、それ以上Ｈｄを大きくした場合であっても透過率は８９％程度となり、Ｈｄ＝２．０μｍで透過率の増加が飽和する。
【００７１】
同様にして、グラフＧ４から明らかなように、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差ＨｄがＨｄ＝０（ゼロ）μｍの場合には、黒表示時の透過率は０．４３％程度となる。一方、Ｈｄ＝０．５μｍ時には透過率は０．２１％程度に減少（向上）し、Ｈｄ＝１．０μｍ時は０．１４％に減少する。さらにＨｄを大きくした場合、Ｈｄ＝２．０μｍ以上で透過率は０．０８％程度となり、それ以上Ｈｄを大きくした場合であっても透過率は０．０８％程度となり、Ｈｄ＝２．０μｍで透過率の減少が飽和する。
【００７２】
図１４は本発明の実施形態２の液晶表示装置における液晶層厚Ｈ１と壁画素電極ＳＥの高さＨ２との差Ｈｄ（＝Ｈ２−Ｈ１）と、画素毎反転駆動時におけるコントラスト比を示す図であり、特に、図１３に示す黒表示時（暗表示時）と白表示時（明表示時）の表示モード効率から求めたコントラスト比である。図１４のグラフＧ５から明らかなように、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差ＨｄがＨｄ＝０（ゼロ）μｍの場合には、コントラスト比は１７０程度となる。これに対して、Ｈｄ＝０．５μｍ時は３９０に向上し、Ｈｄ＝１．０μｍ時は６５０、Ｈｄ＝１．５μｍ時は８７０、Ｈｄ＝２．０μｍ時は１０００、Ｈｄ＝２．５μｍ時は１０２０、Ｈｄ＝３．０μｍ時は１０３０にそれぞれ向上する。このように、実施形態２の液晶表示装置では、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１の差Ｈｄが増大するにつれてコントラスト比も増大することとなり、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差ＨｄがＨｄ＝２μｍの付近でコントラスト比の増大は頭打ちになり、なおかつコントラスト比は１０００：１に到達する。
【００７３】
コントラスト比は明表示透過率（白表示時の透過率）と暗表示透過率（黒表示時の透過率）の割り算で算出されるが、実施形態２の液晶表示装置においては、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１の差ＨｄがＨｄ＝２μｍとなる近傍では暗表示透過率が充分に低下し、明表示透過率が充分に増大する。従って、実施形態２の構成においては、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１の差ＨｄがＨｄ＝２μｍ以上となるように第四の絶縁膜ＩＬ４及び壁画素電極ＳＥを形成することにより、本願発明による効果が充分に得られ、高コントラスト比が得られる。よって、実施形態２の液晶表示装置においては、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１の差ＨｄがＨｄ＝２μｍ以上となるように、第四の絶縁膜ＩＬ４及び壁画素電極ＳＥを形成することが好適である。
【００７４】
図１７は実施形態２の液晶表示装置において壁基材ＷＬを液晶層ＬＣよりも２μｍ高く形成し、画素毎反転駆動で白表示を行った際の透過率分布を示す図である。特に、実線で示すグラフＧ６が実施形態２の液晶表示装置において、画素毎反転駆動で白表示を行った際の透過率分布を示すグラフである。他のグラフＧ１，Ｇ２は比較対象として示すものであり、グラフＧ１は実施形態１の液晶表示装置において列毎反転駆動で白表示を行った際の透過率分布を示すグラフ、グラフＧ２は実施形態１の液晶表示装置において画素毎反転駆動時で白表示を行った際の透過率分布を示すグラフである。
【００７５】
グラフＧ３から明らかなように、実施形態１の液晶表示装置と同様に、擬似壁共通電極構造以外の部分では均一な透過率が得られている。このときの透過率は、グラフＧ１に示す実施形態１の液晶表示装置での列毎反転駆動で白表示を行った際の透過率分布と同等に向上することができる。すなわち、実施形態２の液晶表示装置では、壁基材ＷＬを液晶層ＬＣよりも２μｍ高くなるように第四の絶縁膜ＩＬ４を形成することにより、画素毎反転駆動においても隣接画素電位を完全に遮蔽できる。
【００７６】
一方、実施形態１の液晶表示装置において画素毎反転駆動で自画素及び該自画素に隣接する隣接画素で共に白表示を行った場合には、グラフＧ２から明らかなように、擬似壁共通電極近傍の透過率が低下すると共に、擬似壁共通電極以外の部分でも透過率が一定にならず、特に壁画素電極ＳＥの近傍でも透過率が低下することとなる。
【００７７】
このときの壁画素電極ＳＥの近傍の等電位面分布を示したのが図１５であり、図９に示す列毎反転駆動時における白表示の画素での等電位面数よりも、画素毎反転駆動時の等電位面数が増大している。すなわち、図１５に示す等電位面分布では、白表示を行う自画素の等電位面数は３つで同数となるが、黒表示を行う隣接画素の等電位面数は１つから３つに増大している。また、図１５から明らかなように、図９に示す列毎反転駆動時に比較して、白表示を行う自画素における等電位面ＥＦ１の分布が壁構造ＷＬ側に偏ってしまう、すなわち、壁画素電極ＳＥの近傍に等電位面ＦＥ１が局在化することとなる。これは壁基材ＷＬ内に列毎反転駆動時の約二倍の電位差が生じて等電位面の間隔が狭くなったことに起因するものであり、液晶層ＬＣ中の等電位面ＥＦ１の分布間隔も縮小して壁画素電極ＳＥ（壁基材ＷＬ）の側に偏った分布となる。これらのことから、実施形態１の液晶表示装置における画素毎反転駆動時でのグラフＧ６に見られる擬似壁共通電極近傍での透過率低下は、隣接画素電位の影響で画素内の電界強度分布が不均一になり、液晶層ＬＣ中の液晶分子ＬＣＭを十分に駆動することができなくなり、画素内の各部分の透過率が同一の電圧で最大値をとらなくなったことによると考えられる。その結果、実施形態１の液晶表示装置における画素毎反転駆動時の白表示時において十分な透過率を得ることができなくなってしまい、白表示透過率が７５％に減少し、隣接画素が白表示における黒表示透過率も０．４３％に増大してしまうこととなる。
【００７８】
これに対して、実施形態２の液晶表装置では、図１２に示すように、白表示の等電位面ＥＦ１は液晶層ＬＣ内において図９に示す白表示時の自画素（図中右側）と同程度に広がっており、均一な電界分布が得られることが判る。また、図中左側の隣接画素で黒表示を行うと共に、図中右側の自画素で白表示を行う場合、図１６に示すように、壁基材ＷＬ近傍の等電位面分布の内で隣接画素の等電位面である黒表示画素の等電位面ＦＥ２は、前述する実施形態１の図９に示す等電位面分布と同程度に壁画素電極ＳＥの近傍に広がることとなる。また、白表示を行う自画素の等電位面ＦＥ１も図９に示す等電位面ＥＦ１と同程度に、液晶層ＬＣ中に広がって分布される。その結果、実施形態２の液晶表示パネルＰＮＬにおいて、画素毎反転駆動によって、黒表示の画素と白表示の画素とが隣接された場合であっても、白表示時の透過率を向上できる。
【００７９】
以上説明したように、実施形態２の液晶表示装置では、傾斜した２つ以上の画素領域で１つの画素を形成し、画素の辺縁部に壁画素電極ＳＥを配置すると共に、該壁画素電極ＳＥとの間の透過領域内に擬似壁共通電極を配置し、さらには透過領域内に第四の絶縁膜ＩＬ４を形成することによって、壁画素電極ＳＥの高さＨ２が液晶層の厚さＨ１よりも大きく形成している。その結果、前述する実施形態１の液晶表示装置の効果に加えて、１つの壁基材ＷＬに対して隣接画素の壁画素電極ＳＥを形成し、隣接する壁画素電極ＳＥに画素毎反転駆動方式で映像信号を供給した場合であっても、液晶層中の等電位面分布を広くすることが可能となり、白表示時及び黒表示時の透過率を向上することができるという格別の効果を得ることができる。
【００８０】
このように、実施形態２の液晶表示装置では、画素毎反転駆動時における透過率の向上等を目的として液晶層ＬＣの厚さよりも壁画素電極ＳＥの高さを大きくするために、少なくとも第四の絶縁膜ＩＬ４を厚く形成する。さらには、実施形態２の液晶表示パネル厚を実施形態１の液晶表示パネル厚よりも厚く形成することにより、実施形態２の液晶層厚を実施形態１の液晶層厚と同じ厚さに形成している。
【００８１】
〈実施形態３〉
図１８は本発明の実施形態３の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。実施形態３の液晶表示装置は、画素の辺縁部分にそれぞれ対向配置される壁画素電極ＳＥとの間に形成される第五の絶縁膜ＩＬ５の構成が異なるのみで、他の構成は実施形態２の液晶表示装置と同様の構成である。従って、以下の説明では、第五の絶縁膜ＩＬ５について詳細に説明する。
【００８２】
図１８に示すように、実施形態３の液晶表示装置においても第一の基板ＳＵ１の構成は実施形態１と同様の構成となる。第二の基板ＳＵ２には、液晶側の面に順に、第一の絶縁膜ＩＬ１、ドレイン線ＤＬ、第二の絶縁膜ＩＬ２、壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥが形成されている。ここで、実施形態３の液晶表示パネルＰＮＬでは、壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥを覆うようにして第二の基板ＳＵ２の全面に第五の絶縁膜（第二の絶縁厚膜）ＩＬ５が形成され、該第五の絶縁膜ＩＬ５の上層に第三の絶縁膜ＩＬ３が第二の基板ＳＵ２の全面に形成されている。この第三の絶縁膜ＩＬ３の上層には擬似壁共通電極を構成する第二の共通電極ＣＥ２が形成され、該第二の共通電極ＣＥ２を覆うようにして第二の基板ＳＵ２の全面に第二の配向膜ＡＬ２が形成されている。
【００８３】
このとき、実施形態３の液晶表示パネルＰＮＬにおいては、第二の基板ＳＵ２の全面に形成される第五の絶縁膜ＩＬ５の膜厚が、透過領域とこの透過領域を除く領域とにおいて異なる膜厚となるように形成されている。また、前述する実施形態２の液晶表示パネルＰＮＬと同様に、実施形態３においても透過領域の第五の絶縁膜ＩＬ５の膜厚は２．０μｍとなるように形成されている。ただし、第五の絶縁膜ＩＬ５の膜厚は、実施形態２の液晶表示装置と同様の理由により、２．０μｍ以上であってもよい。
【００８４】
このような第五の絶縁膜ＩＬ５の形成は、例えば、壁基材ＷＬの形成後に壁画素電極ＳＥの形成し、この後に、低粘度の有機レジスト等の有機絶縁膜材料を第二の基板ＳＵ２の全面に塗布し、硬化させることによって形成可能である。すなわち、低粘度の有機レジスト等を用いることにより、スピンコータやスリットコータを用いて第二の基板ＳＵ２に塗布された有機レジストは、塗布後に流動して高い部分では薄く、低い部分では厚く分布することとなる。従って、本願発明の液晶表示パネルＰＮＬのように、第二の基板ＳＵ２の液晶面側に立設される壁基材ＷＬの側面に壁画素電極ＳＥを形成する構成では、壁画素電極ＳＥが形成される近傍においては、塗布時の有機レジストの表面張力によって第五の絶縁膜ＩＬ５の膜厚が壁基材ＷＬの高さ程度に非常に厚くなるが、壁画素電極ＳＥから離れた領域である透過領域においては平坦でかつ均一な膜厚（例えば、２μｍ）となる。さらには、壁基材ＷＬの頭頂面では、その膜厚は他の絶縁膜と同様に薄く形成される。このように、実施形態３の液晶表示パネルＰＮＬでは、低粘度の有機絶縁膜材料の塗布及び硬化のみの工程で所望位置に第五の絶縁膜ＩＬ５を形成することができるので、パターンニングに要する工程を削減することが可能となる。その結果、第二の基板ＳＵ２すなわち液晶表示装置の製造工程を簡略化でき、製造コストを低減できるという格別の効果を得られる。
【００８５】
なお、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２とを貼り合わせるシール材の密着性能を向上させる等のために、表示領域ＡＲの外側部分に形成される第五の絶縁膜ＩＬ５や配向膜ＡＬ２等を除去する構成であってもよい。
【００８６】
以上説明したように、実施形態３の液晶表示装置では、画素の辺縁部の内で長手方向に延在する辺縁部に、隣接する画素の壁画素電極がそれぞれ近接して形成されると共に、該一対の壁画素電極との間の透過領域内に擬似壁共通電極が形成され、さらには、透過領域を含む第二の基板の全面に低粘度の有機絶縁膜材料を塗布及び硬化させることによって第五の絶縁膜ＩＬ５を形成し、壁画素電極ＳＥの高さが液晶層の厚さよりも大きくなるように形成されている。その結果、前述する実施形態２の液晶表示装置の効果に加えて、一対の壁画素電極との間の透過領域内に形成される絶縁膜である第五の絶縁膜ＩＬ５の形成に要する工程を簡略化できるという格別の効果を得ることができる。
【００８７】
〈実施形態４〉
図１９は本発明の実施形態４の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。ただし、実施形態４の液晶表示装置は、各画素の透過領域の液晶層厚を調整するための絶縁膜層として、第一の基板ＳＵ１の形成されるオーバーコート層ＯＣを用いる構成及び壁画素電極ＳＥの高さが異なるのみで、他の構成は実施形態１の液晶表示装置と同様の構成である。従って、以下の説明では、第一の基板ＳＵ１の構成について詳細に説明する。
【００８８】
図１９に示すように、実施形態４の第一の基板ＳＵ１の液晶面側には、隣接画素との境界部分に対峙する位置にブラックマトリクスＢＭが形成され、該ブラックマトリクスＢＭを覆うようにカラーフィルタＣＦが形成されている。このとき、カラーフィルタＣＦはＲＧＢの各色に対応しており、ブラックマトリクスＢＭと重畳する領域でＲＧＢの内の何れかのカラーフィルタＣＦが隣接する構成となっている。
【００８９】
また、カラーフィルタＣＦの上層にはオーバーコート層ＯＣが形成されている。このとき、実施形態４のオーバーコート層ＯＣでは、壁基材ＷＬと対峙する領域に沿って、凹部（第二の溝部）が形成されている。すなわち、オーバーコート膜ＯＣをパターンニングして、壁基材ＷＬに相対する部分からオーバーコート膜ＯＣを除去することにより、オーバーコート層ＯＣを貫通する貫通溝からなる凹部が第一の基板ＳＵ１の液晶面側に形成される。この上層にはオーバーコート層ＯＣ及び除去部分（凹部）を覆うようにして、第一の基板ＳＵ１の全面に第一の配向膜ＡＬ１が形成されている。
【００９０】
一方、第二の基板ＳＵ２の液晶面側には第一の絶縁膜ＩＬ１が形成されており、第二の基板ＳＵ２の表面に形成される図示しないゲート電極（ゲート線）と、図示しない薄膜トランジスタの半導体層との間に形成されるゲート絶縁膜としても機能する構成となっている。この第一の絶縁膜ＩＬ１の上層には第二の共通電極ＣＥ２とドレイン線ＤＬとが形成され、特に、実施形態４の液晶表示パネルＰＮＬでは第二の共通電極ＣＥ２とドレイン線ＤＬとが同層に形成されている。
【００９１】
また、ドレイン線ＤＬの上層には、前述する実施形態１〜３と同様に、ドレイン線ＤＬを跨ぐようにして壁基材ＷＬが形成されている。この壁基材ＷＬの側壁面に壁画素電極ＳＥを形成する垂直部ＶＰが形成され、該垂直部ＶＰの下端側には第一の絶縁膜ＩＬ１の上面に沿って平坦部ＨＰが形成され、垂直部ＶＰの上端側には壁基材ＷＬの頭頂面に沿って頭頂部ＴＰが形成されている。このとき、実施形態４の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、前述する実施形態２，３の液晶表示パネルＰＮＬと同様に、液晶層ＬＣの厚さＨ１よりも大きい高さＨ２で壁基材ＷＬが形成されている。すなわち、実施形態４の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、壁基材ＷＬは実施形態１と同様にドレイン線ＤＬの下層の絶縁膜（実施形態４では第一の絶縁膜ＩＬ１）上に形成されるが、その高さＨ２をあらかじめ液晶層厚Ｈ１よりも高く形成する。
【００９２】
この壁画素電極ＳＥの上層には、当該壁画素電極ＳＥ及び第二の共通電極ＣＥ２等を覆うようにして、第二の基板ＳＵ２の全面には第二の配向膜ＡＬ２が形成される。この第二の配向膜ＡＬ２により、液晶層ＬＣの液晶分子ＬＣＭの初期配向が制御される。
【００９３】
このような構成からなる実施形態４の液晶表示パネルＰＮＬでは、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との貼り合わせにより、オーバーコート層ＯＣに形成される凹部の底面部分に壁画素電極ＳＥの頭頂部ＴＰが当接又は近接されるようにして形成されることとなる。この壁基材ＷＬの頭頂部がオーバーコート層ＯＣのない部分に近接するように組み合わされることにより、壁基材ＷＬがオーバーコート層ＯＣの膜厚分だけ液晶層厚Ｈ１よりも高くなる。その結果、実施形態４の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、各画素の透過領域内における液晶層ＬＣの厚さはＨ１となり、液晶層厚Ｈ１よりも大きい高さＨ２の壁画素電極ＳＥからの電界により、液晶分子ＬＣＭが駆動できる。
【００９４】
このとき、ドレイン線ＤＬやゲート線ＧＬ等の各種配線や壁画素電極ＳＥ等が形成される第二の基板ＳＵ２は、第一の基板ＳＵ１よりもその製造工程が複雑となる。これに対して、実施形態４の液晶表示装置では第一の基板ＳＵ１の側に壁画素電極ＳＥが入り込むような凹部を形成することによって、液晶層厚Ｈ１よりも壁電極高さＨ２が大きく形成される構成となっている。従って、実施形態４の液晶表示装置では、第二の基板ＳＵ２の製造に要する工程数を低減させることができ、製造工程を簡略化できるという格別の効果を得ることができる。
【００９５】
次に、図２０に本発明の実施形態４の液晶表示装置において画素毎反転駆動時に隣接画素間の電位差が最大となる場合の壁基材近傍での等電位面分布を説明するための図、図２１に本発明の実施形態４の液晶表示装置において画素毎反転駆動時に白表示画素と黒表示画素とが隣接する場合の壁基材近傍での等電位面分布を説明するための図を示し、以下、図２０及び図２１に基づいて、実施形態４の壁画素電極ＳＥの構成による表示動作について説明する。ただし、図２０及び図２１に示す等電位面分布は、実施形態２，３と同様に、Ｈｄ＝Ｈ２−Ｈ１＝２．０μｍ時における等電位面分布である
図２０から明らかなように、隣接する画素間の電位差が最大となる場合すなわち図２０中の右側の自画素及び左側の隣接画素においても共に白表示を行う場合であっても、１つの壁基材ＷＬを介して対向配置される壁画素電極ＳＥからは、自画素と隣接画素にそれぞれ分布する等電位面ＦＥ１が壁電極ＳＥから画素の中心部に形成される擬似壁共通電極の側に広く分布されている。すなわち、実施形態１の図９に示す白表示の画素における等電位面ＥＦ１と同程度に壁画素電極ＳＥの近傍に等電位面ＥＦ１が広がることとなるので、液晶層ＬＣに均一な電界（横電界）を印加することができ、実施形態２，３と同様に、透過率を向上させることができる。
【００９６】
また、図２１に示すように、画素毎反転駆動において、自画素が白表示であり、隣接画素が黒表示を行う場合の等電位面分布では、黒表示を行う隣接画素においては、ドレイン線ＤＬと壁画素電極ＳＥとを囲むような等電位面ＦＥ２が生じる。このとき、等電位面ＦＥ２は壁画素電極ＳＥの近傍に局在することとなり、黒透過率は減少（向上）する。一方、白表示を行う自画素では、等電位面ＦＥ１は壁画素電極ＳＥから画素の中心部に形成される擬似壁共通電極の側に広く分布されるので、白透過率も増加（向上）する。
【００９７】
次に、図２２に本発明の実施形態４の液晶表示装置における液晶層厚Ｈ１と壁画素電極ＳＥの高さＨ２との差Ｈｄ（＝Ｈ２−Ｈ１）と、画素毎反転駆動時における白表示時の透過率及び黒表示時の透過率との計測結果を示す図を示し、以下、図２２に基づいて、実施形態４の液晶表示パネルにおける液晶層厚Ｈ１と壁画素電極ＳＥの高さＨ２との差Ｈｄと、透過率との関係について説明する。ただし、グラフＧ７は壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差Ｈｄを変化させた場合における白表示時の自画素の透過率の計測値であり、グラフＧ８は壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差Ｈｄを変化させた場合における黒表示時の自画素の透過率の計測値である。
【００９８】
グラフＧ７から明らかなように、実施形態４の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、壁基材ＷＬの高さを変えるすなわち壁画素電極ＳＥの高さＨ２を変化させることにより、画素反転駆動時における表示特性を向上させることが可能である。
【００９９】
すなわち、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差ＨｄがＨｄ＝０（ゼロ）μｍの場合には、実施形態１の液晶表示装置において画素反転駆動を行った場合に相当し、白表示時の透過率は７４％程度である。これに対して、壁画素電極ＳＥすなわち壁基材ＷＬと対峙するオーバーコート層ＯＣ部分に凹部を設けると共に、壁画素電極ＳＥの高さＨ２が液晶層厚Ｈ１よりも大きく形成し、透過領域の液晶層厚Ｈ１を変化させずに壁画素電極ＳＥの高さＨ２を大きくした場合、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差Ｈｄの増加に伴い白表示時の透過率も増加（向上）することが明らかとなった。例えば、Ｈｄ＝０．５μｍ時には透過率は８０％程度に増加し、以降、Ｈｄ＝１．０μｍ時に８４％、Ｈｄ＝１．５μｍ時に８７％、Ｈｄ＝２．０μｍ時に８８％、Ｈｄ＝２．５μｍ時に８９％、Ｈｄ＝３．０μｍ時に８９％に増加する。
【０１００】
同様にして、グラフＧ８から明らかなように、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差ＨｄがＨｄ＝０（ゼロ）μｍの場合には、黒表示時の透過率は０．４３％程度となる。一方、Ｈｄ＝０．５μｍ時には透過率は０．２３％程度に減少（向上）し、Ｈｄ＝１．０μｍ時は０．１６％、Ｈｄ＝１．５μｍ時は０．１１％、Ｈｄ＝２．０μｍ時は０．０９％、Ｈｄ＝２．５μｍ時は０．０８％、Ｈｄ＝３．０μｍ時は０．０８％に減少する。
【０１０１】
図２３は本発明の実施形態４の液晶表示装置における液晶層厚Ｈ１と壁画素電極ＳＥの高さＨ２との差Ｈｄ（＝Ｈ２−Ｈ１）と、画素毎反転駆動時におけるコントラスト比を示す図である。ただし、図２３は図２２に示す黒表示時（暗表示時）と白表示時（明表示時）の表示モード効率から求めたコントラスト比である。
【０１０２】
図２３のグラフＧ９から明らかなように、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差ＨｄがＨｄ＝０（ゼロ）μｍの場合には、コントラスト比は１８０程度となる。これに対して、Ｈｄ＝０．５μｍ時は３４０に向上し、Ｈｄ＝１．０μｍ時は５４０、Ｈｄ＝１．５μｍ時は８００、Ｈｄ＝２．０μｍ時は９９０、Ｈｄ＝２．５μｍ時は１０４０、Ｈｄ＝３．０μｍ時は１０５０にそれぞれ向上する。このように、実施形態４の液晶表示装置においても、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１の差Ｈｄが増大するにつれてコントラスト比も増大することとなり、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１との差ＨｄがＨｄ＝２μｍ以上でコントラスト比の増大は頭打ちになり、なおかつコントラスト比はほぼ１０００：１に到達する。
【０１０３】
従って、実施形態４の液晶表示装置においても、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１の差ＨｄがＨｄ＝２μｍ以上となるように、オーバーコート層ＯＣ及び壁画素電極ＳＥを形成することにより、本願発明による効果が充分に得られ、高コントラスト比が得られる。よって、実施形態４の液晶表示装置においては、壁画素電極ＳＥの高さＨ２と液晶層厚Ｈ１の差ＨｄがＨｄ＝２μｍ以上となるように、オーバーコート層ＯＣ及び壁画素電極ＳＥを形成することが好適である。
【０１０４】
このように、実施形態４の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬと同様に、液晶層厚Ｈ１よりも壁画素電極ＳＥの高さＨ２が２．０μｍ以上となるように、オーバーコート層ＯＣ及び壁画素電極ＳＥを形成することにより、白透過率及び黒透過率を共に向上することができる。すなわち、実施形態４の構成であっても、同一の壁基材ＷＬに配置される隣接画素に対応する壁画素電極ＳＥによる電位を効果的に遮蔽することが可能である。
【０１０５】
なお、実施形態４の液晶表示装置では、第一の基板ＳＵ１に凹部を設ける構成により、液晶層厚Ｈ１よりも壁画素電極ＳＥの高さＨ２を大きく形成する構成としたが、これに限定されることはない。例えば、実施形態４の第一の基板ＳＵ１と実施形態２又は実施形態３の第二の基板ＳＵ２の構成とを組み合わせる構成であってもよい。この場合、第四の絶縁膜ＩＬ４又は第五の絶縁膜ＩＬ５の膜厚を薄く形成できると共に、オーバーコート層ＯＣに形成する凹部の深さも小さくすることができるという格別の効果を得ることができる。
【０１０６】
〈実施形態５〉
図２４は本発明の実施形態５の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。ただし、実施形態５の液晶表示装置は第二の基板ＳＵ２に形成される画素電極を壁状の画素電極である壁画素電極ＳＥ１と線状の画素電極である線状画素電極ＳＥ２とで形成する構成を除く他の構成は、実施形態１の液晶表示装置と同様の構成となる。従って、以下の説明では、壁画素電極ＳＥ１及び線状画素電極ＳＥ２について詳細に説明する。
【０１０７】
図２４に示すように、実施形態５の第一の基板ＳＵ１の液晶面側には、第一の絶縁膜ＩＬ１が全面に形成され、該第一の絶縁膜ＩＬ１の上層にドレイン線ＤＬと線状画素電極（第三の電極）ＳＥ２とが近接して形成されている。特に、実施形態５においては、壁画素電極（第一の画素電極）ＳＥ１の下層に線状画素電極（第二の画素電極）ＳＥ２が配置される構成となっているので、隣接画素のそれぞれの線状画素電極ＳＥ２が１つのドレイン線ＤＬを挟むような構成となっている。すなわち、２本の線状画素電極ＳＥ２の間に１つのドレイン線ＤＬが配置される構成となっている。このとき、線状画素電極ＳＥ２は壁画素電極ＳＥ１と同電位とするために、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２は、共に自画素内の薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接続され、同じ映像信号が供給される構成となっている。
【０１０８】
ドレイン線ＤＬ及び線状画素電極ＳＥ２の上層には、実施形態１と同様に、当該ドレイン線ＤＬ及び線状画素電極ＳＥ２を覆うようにして第二の基板ＳＵ２の全面に第二の絶縁膜ＩＬ２が形成されている。このとき、実施形態５の液晶表示パネルＰＮＬでは、実施形態１の第二の絶縁膜ＩＬ２の厚さよりも実施形態５の第二の絶縁膜ＩＬ２の厚さが厚い（大きい）方が好ましい。
【０１０９】
第二の絶縁膜ＩＬ２の上層には、壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥが形成され、第二の基板ＳＵ２の全面に形成される第三の絶縁膜ＩＬ３に覆われている。該第三の絶縁膜ＩＬ３の上層には第二の共通電極ＣＥ２が形成され、その上面に第二の配向膜ＡＬ２が形成されている。また、第二の基板ＳＵ２の裏面側すなわちバックライト光の照射面側には第二の偏光板ＰＬ２が配置されている。
【０１１０】
一方、第一の基板ＳＵ１側の構成は実施形態１と同様の構成であり、第一の基板ＳＵ１の液晶面側には、順番に、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第一の共通電極ＣＥ１及び第一の配向膜ＡＬ１が順番に形成されている。
【０１１１】
次に、図２５及び図２６に本発明の実施形態５の液晶表示装置における画素毎反転駆動時での壁画素電極の近傍における等電位面分布図を示し、実施形態５の液晶表示装置の動作を説明する。ただし、図２５は図中右側の自画素及び図中左側の隣接画素が共に白表示の場合における等電位面分布図であり、図２６は自画素が白表示であり、隣接画素が黒表示の場合における等電位面分布図である。
【０１１２】
図２５から明らかなように、実施形態５の液晶表示パネルＰＮＬでは、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２とへの映像信号の印加により、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２とを囲むようにして等電位面ＥＦ１が形成される。このとき、線状画素電極ＳＥ２は壁画素電極ＳＥ１の基板（第二の基板ＳＵ２）側に形成される平坦部ＨＰよりも基板に近い層に形成されている。従って、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２とからなる見かけ上の画素電極（擬似壁画素電極）を液晶表示パネルＰＮＬの厚さ方向（Ｚ方向）に伸延した壁状の画素電極とすることができる。すなわち、前述する実施形態２〜４と同様に、液晶層厚よりも高い壁状の画素電極を形成することが可能となり、高い遮蔽効果を得ることができる。その結果、隣接する画素に印加される映像信号による影響を受けることなく、それぞれの映像信号に対応した画素の電界によって液晶層ＬＣ中の液晶分子ＬＣＭを駆動することができる。また、自画素の壁画素電極ＳＥ１及び線状画素電極ＳＥ２と、隣接画素の壁画素電極ＳＥ１及び線状画素電極ＳＥ２とに間に最大電圧差が生じた場合であっても、実施形態２〜４の液晶表示パネルＰＮＬと同様に、自画素及び隣接画素の何れにおいても等電位面ＦＥ１が液晶層ＬＣ中に広く分布する。
【０１１３】
また、図２６から明らかなように、自画素を白表示させると共に隣接画素を黒表示させる場合においても、白表示となる自画素においては壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２とを囲むようにして等電位面ＥＦ１が形成される。また、黒表示となる隣接画素においては、図２６ではドレイン線ＤＬにも０Ｖ（ゼロボルト）の電圧が印加されているので、壁画素電極ＳＥ１及び線状画素電極ＳＥ２並びにドレイン線ＤＬを囲むようにして等電位面ＥＦ２が形成される。従って、白表示と黒表示の画素が隣接した場合であっても高い遮蔽効果を得ることができ、隣接する画素に印加される映像信号による影響を受けることなく、各画素の液晶層ＬＣ中の液晶分子ＬＣＭを駆動することができる。
【０１１４】
次に、図２７に本発明の実施形態５の液晶表示装置における壁画素電極と線状画素電極との間隔と、画素毎反転駆動時における白表示時の透過率及び黒表示時の透過率との計測結果を示す図を示し、以下、図２７に基づいて、実施形態５の液晶表示パネルにおける壁画素電極と線状画素電極との間隔と、透過率との関係について説明する。ただし、図２７において、グラフＧ１０は壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間の間隔Ｈ３を変化させた場合における白表示時の自画素の透過率の計測値であり、グラフＧ１１は壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間の間隔Ｈ３を変化させた場合における黒表示時の自画素の透過率の計測値である。なお、第二の絶縁膜ＩＬ２の膜厚（厚さ）が壁画素電極ＳＥ１及び線状画素電極ＳＥ２の膜厚よりも非常に大きい場合には、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間の間隔Ｈ３は第二の絶縁膜ＩＬ２の膜厚と略同一となる。
【０１１５】
図２７のグラフＧ１０から明らかなように、実施形態５の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間隔Ｈ３を変えるすなわち壁画素電極ＳＥ１及び線状画素電極ＳＥ２とからなる擬似壁画素電極の高さＨ４を変化させることにより、画素反転駆動時における表示特性を向上させることが可能である。このとき、擬似壁画素電極の高さＨ４（＝Ｈ２+Ｈ３）を変化させた場合であっても、液晶層厚Ｈ１は壁画素電極ＳＥ１の高さと略同一となり、前述する実施形態２〜４と同様に、液晶層厚Ｈ１は変化しないこととなり、画素反転駆動時における表示特性を向上させることができる。
【０１１６】
すなわち、擬似画素電極の高さＨ４と液晶層厚Ｈ１との差となる壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間隔Ｈ３がＨ３＝０（ゼロ）μｍの場合には、実施形態１の液晶表示装置において画素反転駆動を行った場合と同等となり、白表示時の透過率は８０％程度である。これに対して、Ｈ３＝０．５μｍ時には透過率は８３％程度に増加し、以降、Ｈ３＝１．０μｍ時に８８％、Ｈ３＝１．５μｍ時に８９％、Ｈ３＝２．０μｍ時に９０％、Ｈ３＝２．５μｍ時に９０％、Ｈ３＝３．０μｍ時に９０％に増加する。
【０１１７】
同様にして、グラフＧ１１から明らかなように、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間隔Ｈ３がＨ３＝０（ゼロ）μｍの場合には、黒表示時の透過率は０．４２％程度となる。一方、Ｈ３＝０．５μｍ時には透過率は０．２２％程度に減少（向上）し、Ｈ３＝１．０μｍ時は０．１４％、Ｈ３＝１．５μｍ時は０．１０％、Ｈ３＝２．０μｍ時は０．０９％、Ｈ３＝２．５μｍ時は０．０８％、Ｈ３＝３．０μｍ時は０．０８％に減少する。
【０１１８】
図２８は本発明の実施形態５の液晶表示装置における壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間隔Ｈ３と、画素毎反転駆動時におけるコントラスト比を示す図である。ただし、図２８も図２７に示す黒表示時（暗表示時）と白表示時（明表示時）の表示モード効率から求めたコントラスト比である。
【０１１９】
図２８のグラフＧ１２から明らかなように、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間隔Ｈ３がＨ３＝０（ゼロ）μｍの場合には、コントラスト比は１９０程度となる。これに対して、Ｈ３＝０．５μｍ時は３９０に向上し、Ｈ３＝１．０μｍ時は６４０、Ｈ３＝１．５μｍ時は８３０、Ｈ３＝２．０μｍ時は１０３０、Ｈ３＝２．５μｍ時は１１００、Ｈ３＝３．０μｍ時は１１２０にそれぞれ向上する。このように、実施形態５の液晶表示装置においても、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間隔Ｈ３が増大するにつれてコントラスト比も増大することとなり、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間隔Ｈ３がＨ３＝２μｍ以上でコントラスト比の増大は頭打ちになり、なおかつコントラスト比は１０００：１に到達する。
【０１２０】
従って、実施形態５の液晶表示装置においては、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間隔Ｈ３がＨ３＝２μｍ以上となるように、第二の絶縁膜ＩＬ２を形成することにより、本願発明による効果が充分に得られ、実施形態５の液晶表示装置において高コントラスト比が得られる。よって、実施形態５の液晶表示装置では、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２との間隔Ｈ３がＨ３＝２μｍ以上となるように、第二の絶縁膜ＩＬ２を形成することが好適である。
【０１２１】
このように、実施形態５の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、実施形態２〜４の液晶表示パネルＰＮＬと同様に、壁画素電極ＳＥ１と線状画素電極ＳＥ２とからなる擬似壁画素電極の高さＨ４が液晶層厚Ｈ１よりも２．０μｍ以上高くなるように、第二の絶縁膜ＩＬ２を形成することにより、実施形態２〜４の液晶表示装置と同様の効果を得ることができる。
【０１２２】
さらには、実施形態５の液晶表示装置では、ドレイン線ＤＬと同層に線状画素電極ＳＥ２を形成すると共に、第二の絶縁膜ＩＬ２を２．０μｍに形成するのみで擬似壁画素電極を形成することが可能となるので、第二の基板ＳＵ２の形成に要する工程を増加させることなく擬似壁画素電極の高さＨ４を液晶層厚Ｈ１よりも厚くできるという格別の効果を得ることができる。
【０１２３】
〈実施形態６〉
図２９は本発明の実施形態６の液晶表示装置の概略構成を説明するための断面図である。ただし、実施形態６の液晶表示装置は、第一の基板ＳＵ１に形成される第三の共通電極ＣＥ３の構成を除く他の構成は、実施形態１の液晶表示装置と同様となる。従って、以下の説明では、第一の基板ＳＵ１の構成について詳細に説明する。
【０１２４】
図２９から明らかなように、実施形態６の液晶表示パネルＰＮＬでは、第一の基板ＳＵ１の液晶面側に、ブラックマトリクスＢＭが形成され、該ブラックマトリクスＢＭの上層にカラーフィルタＣＦが形成されている。このとき、実施形態６の液晶表示パネルＰＮＬでは、カラーフィルタＣＦの上層であり、かつカラーフィルタＣＦの境界部分にブラックマトリクスＢＭと重畳するようにして、導電性薄膜からなる第三の共通電極（第四の電極）ＣＥ３が形成されている。このとき、実施形態６の第三の共通電極ＣＥ３は、表示面側又は裏面側から見たときに第一の基板ＳＵ１に形成される壁画素電極ＳＥと重畳する位置すなわち壁画素電極ＳＥと対峙する位置に形成され、隣接画素との間の第三の共通電極ＣＥ３はコモン線で接続されている。ただし、第三の共通電極ＣＥ３の形状は、壁画素電極ＳＥと対峙する領域に限定されることはなく、例えば、ドレイン線ＤＬと同様に、隣接画素との境界部分に沿ってＹ方向に延在する形状であってもよい。また、後述する第一の共通電極ＣＥ１と同様に、第三の共通電極ＣＥ３には映像信号の基準となる共通信号が供給される構成となっている。さらには、第三の共通電極ＣＥ３はブラックマトリクスＢＭと重畳して形成されるので、透明導電膜に限定されることはなく、金属薄膜等の透明性を有しない他の導電性薄膜で形成してもよい。
【０１２５】
第三の共通電極ＣＥ３の上層には、当該第三の共通電極ＣＥ３を覆うようにして第一の基板ＳＵ１の全面にオーバーコート層ＯＣが形成されている。該オーバーコート層ＯＣの上層には擬似壁共通電極を形成する第一の共通電極ＣＥ１が形成され、該第一の共通電極ＣＥ１を覆うようにして第一の基板ＳＵ１の全面に第一の配向膜ＡＬ１が形成されている。すなわち、第一の基板ＳＵ１の壁基材ＷＬと相対する部分のカラーフィルタＣＦとオーバーコート層ＯＣとの間に、第三の共通電極ＣＥ３を配置する構成としている。
【０１２６】
また、第二の絶縁膜ＩＬ２は実施形態１の第二の基板ＳＵ２と同様に、その液晶面側に、第一の絶縁膜ＩＬ１が全面に形成され、該第一の絶縁膜ＩＬ１の上層にドレイン線ＤＬが形成され、図示しない薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続されている。このドレイン線ＤＬの上層には、当該ドレイン線ＤＬを覆うようにして、第二の基板ＳＵ２の全面に第二の絶縁膜ＩＬ２が形成されている。この第二の絶縁膜ＩＬ２の上層には、壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥが形成され、該壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥを覆うようにして第二の基板ＳＵ２の全面に第三の絶縁膜ＩＬ３が形成されている。該第三の絶縁膜ＩＬ３の上層には第二の共通電極ＣＥ２が形成され、その上面と第三の絶縁膜ＩＬ３を覆うようにして第二の配向膜ＡＬ２が形成されている。また、第二の基板ＳＵ２の裏面側すなわちバックライト光の照射面側には第二の偏光板ＰＬ２が配置されている。
【０１２７】
このように、実施形態６の液晶表示装置では、画素境界の第一の基板ＳＵ１の側に電位を制御するための構造である第三の共通電極ＣＥ３を配置することによって、隣接画素電位が第一の基板ＳＵ１及びその表面上に形成されたカラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ等を介して、自画素電位に影響を及ぼす隣接画素電位を遮蔽する構成としている。
【０１２８】
図３０は本発明の実施形態６の液晶表示装置における自画素と隣接画素が共に白を表示した際の等電位面の分布であり、図３１は本発明の実施形態６の液晶表示装置における自画素が白表示し、隣接画素が黒表示した際の等電位面の分布である。ただし、このときのドレイン配線ＤＬの電位は０（ゼロ）Ｖである。
【０１２９】
図３０に示すように、隣接する画素が共に白表示を行う場合には、図１５に示す実施形態１の液晶表示装置と同様に、等電位面ＥＦ１が壁基材ＷＬに対して図中で左右対称の分布となる。
【０１３０】
一方、自画素が白表示であり、隣接画素が黒表示である場合のように、第三の共通電極ＣＥ３の近傍で電位が０Ｖに近づくことにより、図３１に示すように、壁画素電極ＳＥと第三の共通電極ＣＥ３とが含まれる等電位面ＥＦ２が形成される。このとき、壁画素電極ＳＥから第三の共通電極ＣＥ３にかけて領域である第一の基板ＳＵ１の側の第一の配向膜ＡＬ１及びオーバーコート層ＯＣを介して、等電位面ＦＥ２が形成されることとなる。従って、図３１中の右側に配置される白表示を行う自画素の壁画素電極ＳＥの電位が、カラーフィルタＣＦやオーバーコート層ＯＣ内に広がるのを等電位面ＦＥ２が抑制することとなる。その結果、実施形態１の液晶表示装置における効果に加えて、画素毎反転駆動時において自画素が白表示で隣接画素が黒表示の場合の黒透過率の増大を抑制することができ、隣接画素が白表示の場合であっても隣接画素の黒表示時の透過率を０．０９％に低下（向上）できるという格別の効果を得ることが可能となる。
【０１３１】
以上説明したように、実施形態６の液晶表示装置では、第一の基板ＳＵ１の液晶面側に、壁基材ＷＬに沿って当該壁基材ＷＬと対峙するように第三の共通電極ＣＥ３を形成すると共に、第一の共通電極ＣＥ１と同じ共通信号を供給する構成としている。その結果、壁基材ＷＬを介して対向配置される壁画素電極ＳＥが黒表示等で第三の共通電極ＣＥ３の電圧に近づくことにより、壁画素電極ＳＥから第三の共通電極ＣＥ３に等電位面ＦＥ２が消される。すなわち、同一の壁基材ＷＬに対向配置される壁画素電極ＳＥの内で、少なくとも一方の壁画素電極ＳＥに印加される映像信号が共通信号とほぼ同じ電圧となる場合において、この壁画素電極ＳＥと第三の共通電極ＣＥ３とからなる擬似壁画素電極が形成されることとなる。従って、前述する実施形態１の効果に加えて、自画素が白表示で隣接画素が黒表示の場合の黒透過率の増大を抑制することができるという格別の効果を得ることができる。
【０１３２】
なお、実施形態６では、実施形態１の液晶表示装置に本願発明の第三の共通電極ＣＥ３を形成する場合について説明したが、これに限定されることはなく、他の実施形態２〜５の液晶表示装置にも適用可能であり、第三の共通電極ＣＥ３を形成することにより、前述する効果を得られる。
【０１３３】
〈実施形態７〉
図３２は本発明の実施形態７の液晶表示装置の概略構成を説明するための断面図であり、以下、図３２に基づいて、実施形態７の液晶表示装置について説明する。ただし、実施形態７の液晶表示装置は、第三の共通電極ＣＥ３の形成位置を除く他の構成は実施形態６の液晶表示装置と同様である。従って、以下の説明では、第三の共通電極ＣＥ３について詳細に説明する。
【０１３４】
図３２に示すように、実施形態７の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬと同様に、第一の基板ＳＵ１の液晶面側に順次、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣが形成されている。ここで、実施形態７の液晶表示パネルＰＮＬでは、第一の共通電極ＣＥ１と同層すなわちオーバーコート層ＯＣの上面に、第三の共通電極ＣＥ３が形成されている。また、第一の共通電極ＣＥ１及び第三の共通電極ＣＥ３の上層には、当該第一の共通電極ＣＥ１及び第三の共通電極ＣＥ３を覆うようにして、第一の配向膜ＡＬ１が第一の基板ＳＵ１の全面に形成されている。このとき、実施形態７においても、実施形態６の第三の共通電極ＣＥ３と同様に、当該第三の共通電極ＣＥ３は透明導電膜に限定されることはなく、アルミニウム等の金属薄膜等のように透明性を有しない導電性薄膜であってもよい。ただし、実施形態７の液晶表示パネルＰＮＬでは、第三の共通電極ＣＥ３の上層には第一の配向膜ＡＬ１が形成されるのみとなっているので、ＩＴＯ等の耐腐食性等に優れる導電性薄膜が好ましい。
【０１３５】
このように、実施形態７の液晶表示パネルＰＮＬでは、第二の共通電極ＣＥ２と第三の共通電極ＣＥ３は何れもオーバーコート層ＯＣと第一の配向膜ＡＬ１との間に形成されている。このため、壁画素電極ＳＥと第三の共通電極ＣＥ３とは、壁画素電極ＳＥの上層に形成される第三の絶縁膜ＩＬ３及び第二の配向膜ＡＬ２、並びに第一の基板ＳＵ１に形成される第一の配向膜ＡＬ１を介して少なくとも近接配置されることとなるが、壁画素電極ＳＥと第三の共通電極ＣＥ３は電気的に接続されない構成となっている。
【０１３６】
従って、実施形態７の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、第一の基板ＳＵ１及びその表面上に形成されたカラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ等を介して、隣接画素電位が自画素電位に影響を及ぼすことを遮蔽することができる。従って、実施形態６の液晶表示パネルＰＮＬと同様に、実施形態１の液晶表示装置における効果に加えて、画素毎反転駆動時において自画素が白表示で隣接画素が黒表示の場合の黒透過率の増大を抑制することができるという格別の効果を得ることができる。
【０１３７】
さらには、第三の共通電極ＣＥ３を第一の共通電極ＣＥ１と同様に、透明導電膜で形成する場合には、第一の共通電極ＣＥ１の形成工程で第三の共通電極ＣＥ３も同時に形成することができるので、第三の共通電極ＣＥ３を形成するための新たな工程を追加することなく、第三の共通電極ＣＥ３を形成することができるという格別の効果を得ることもできる。
【０１３８】
また、実施形態７の液晶表示装置では、図３２に示す構成に限定されることはなく、例えば、図３３に示す構成であってもよい。図３３に示す実施形態７の他の液晶表示装置は、第一の基板ＳＵ１の液晶面側にブラックマトリクスＢＭが形成され、該ブラックマトリクスＢＭの上層にカラーフィルタＣＦが形成されている。ここで、実施形態７の他の液晶表示装置では、カラーフィルタＣＦの上層に第一の共通電極ＣＥ１と第三の共通電極ＣＥ３とが同層に形成され、その上層には第一の共通電極ＣＥ１と第三の共通電極ＣＥ３とをそれぞれ覆うようにして、第一の基板ＳＵ１の全面にオーバーコート層ＯＣ及び第一の配向膜ＡＬ１が順番に形成されている。すなわち、実施形態７の他の液晶表示装置では、第二の共通電極ＣＥ２と第三の共通電極ＣＥ３とが何れもオーバーコート層ＯＣと第一の配向膜ＡＬ１の間に形成される構成となっているので、前述する実施形態７の液晶表示装置における効果に加えて、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２とを貼り合わせる際の位置ずれ、すなわち合わせずれが生じた場合であっても、透過率の低減抑制効果が得られるといく格別の効果を得ることができる。なお、実施形態７の他の構成の液晶表示装置における合わせずれの許容量を大きくできる効果の詳細は、前述する第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との合わせずれと同様の理由である。
【０１３９】
〈実施形態８〉
図３４は本発明の実施形態８の液晶表示装置の概略構成を説明するための断面図である。ただし、実施形態８の液晶表示装置は実施形態２の液晶表示装置における第二の共通電極ＣＥ２の形成位置が異なるのみで、他の構成は実施形態２の液晶表示装置と同様の構成となる。従って、以下の説明では、第二の共通電極ＣＥ２について詳細に説明する。
【０１４０】
図３４に示すように、実施形態８の液晶表示装置は、実施形態２の液晶表示装置と同様に、第二の基板ＳＵ２の液晶側面に、第一の絶縁膜ＩＬ１、ドレイン線ＤＬ、第二の絶縁膜ＩＬ２、壁基材ＷＬが順次形成されている。壁基材ＷＬの頭頂面から側壁面及び壁基材ＷＬの近傍の第二の絶縁膜ＩＬ２の上面には壁画素電極ＳＥが形成されると共に、画素のＢ−Ｂ’方向の中心部分には、画素の長手方向に延在する第二の共通電極ＣＥ２が形成されている。一対の壁画素電極ＳＥに挟まれる画素の透過領域には、壁画素電極ＳＥの平坦部ＨＰの端部及び第二の共通電極ＣＥ２並びに第二の絶縁膜ＩＬ２の露出面を覆うようにして第四の絶縁膜ＩＬ４が形成されている。また、壁基材ＷＬの頭頂面の露出面や壁画素電極ＳＥの露出面等を覆うようにして、第二の基板ＳＵ２の全面に第三の絶縁膜ＩＬ３及び第二の配向膜ＡＬ２が順番に形成されている。このとき、実施形態８の液晶表示装置においても、第四の絶縁膜ＩＬ４の膜厚が他の絶縁膜よりも２．０μｍ以上厚く形成され、液晶層ＬＣの厚さよりも壁画素電極ＳＥの高さが２．０μｍ以上高くなるように形成されている。
【０１４１】
一方、第一の基板ＳＵ１の液晶面側には、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第一の共通電極ＣＥ１、第一の配向膜ＡＬ１がこの順番で積層されており、該第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２とが液晶層ＬＣを介して対向配置され、実施形態８の液晶表示パネルＰＮＬが形成されている。このとき、実施形態８の液晶表示装置においても、第四の絶縁膜ＩＬ４が２．０μｍ以上の膜厚で形成されているので、液晶層ＬＣの厚さよりも壁画素電極ＳＥの高さを第四の絶縁膜ＩＬ４の膜厚分である２．０μｍだけ高くすることができるので、実施形態２の液晶表示装置と同様の効果を得ることができる。
【０１４２】
さらには、実施形態８の液晶表示装置は、第四の絶縁膜ＩＬ４の下層に第二の共通電極ＣＥ２を形成する構成となっている。すなわち、第二の絶縁膜ＩＬ２と第四の絶縁膜ＩＬ４との間に、第二の共通電極ＣＥ２が形成されている。従って、実施形態８の液晶表示装置では、後述する効果の項に示すように、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との貼り合わせに伴う位置ずれが生じた場合であっても、位置ずれに伴う透過率の低下を抑制することができるという格別の効果を得ることができる。その結果、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２とを貼り合わせる際の合わせずれに伴う不良の発生割合を低減することが可能となり、液晶表示装置の生産性を向上させることができるという格別の効果を得ることもできる。
【０１４３】
ただし、実施形態８の液晶表示装置では、実施形態２の液晶表示装置に本願発明を適用した場合について説明したが、これに限定されることはない。例えば、実施形態３の液晶表示装置の第二の共通電極ＣＥ２を、第五の絶縁膜ＩＬ５の下層に形成することによって、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との位置関係は実施形態８の液晶表示装置と同様となる。従って、実施形態８と同様の効果を得ることができる。
【０１４４】
〈第一及び第二の共通電極の位置ずれ時の透過率の低下抑制効果について、〉
第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２を組み立てる（貼り合わせる）際にずれ（位置合わせずれ）が生じた場合、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２の位置関係も変わることになる。例えば、図３に示す実施形態１の液晶表示装置において、第二の基板ＳＵ２に対して第一の基板ＳＵ１がＢ方向へずれる位置合わせずれが生じた場合、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との近傍の等電位面分布は、前述する図８に示すように、図中の左右方向すなわち擬似壁共通電極の並設方向に傾斜して、第一の共通電極ＣＥ１及び第二の共通電極ＣＥ２を共に囲むような等電位面Ｅ３が生じる。この図８に示す位置合わせずれでは、第二の基板ＳＵ２に対して第一の共通電極ＣＥ１が図８中の左方向に合わせずれが生じているので、第一の共通電極ＣＥ１の図８中の左側部で第二の共通電極ＣＥ２と重畳する面積が減少する。その結果、擬似壁電極の図８中の左側で透過率が低下してしまう。
【０１４５】
図３５は本発明の擬似壁共通電極における第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との位置合わせずれに対する画素毎反転駆動時における白表示画素の透過率を示す図であり、グラフＧ１３は実施形態１の液晶表示装置における第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との位置合わせずれに対する白表示画素の透過率を示す。
【０１４６】
グラフＧ１３から明らかなように、実施形態１の擬似壁電極構成では、合わせずれが生じていない、すなわちずれ量ＳＨが０（ゼロ）μｍの場合には、透過率は８９％となる。一方、ずれ量ＳＨがＳＨ＝０．５μｍ時に８９％、ＳＨ＝１．０μｍ時に８９％、ＳＨ＝１．５μｍ時に８７％、ＳＨ＝２．０μｍ時に８３％、ＳＨ＝２．５μｍ時に７８％、ＳＨ＝３．０μｍ時に７０％となる。
【０１４７】
このように、実施形態１の構成では、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２がずれていない場合に白表示透過率は８９％であるが、ずれの増大と共に白表示透過率が低下し、３μｍずれた場合には７０％にまで低下する。従って、実施形態１の構成では、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との貼り合わせに伴う位置合わせずれは、ＳＨ＝１．５μｍ以下とすることが好ましい。
【０１４８】
図３６は実施形態１の液晶表示装置での第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２とに合わせずれが生じていない場合と、合わせずれが３μｍの場合における画素内の透過率分布を示す図であり、点線で示すグラフＧ１６は図８に示すずれ量ＳＨがＳＨ＝３．０μｍ時、実線で示すグラフＧ１７はＳＨ＝０μｍ時をそれぞれ示す。ただし、図３６に示す画素は、短手方向の画素ピッチが３０μｍであり、その中心位置に第一及び第二の共通電極ＣＥ１，ＣＥ２が配置される場合の透過率分布である。また、グラフＧ１６，Ｇ１７は画素毎反転駆動時において自画素及び自画素に隣接する画素（隣接画素）が共に白色表示を行っている場合の透過率分布である。
【０１４９】
グラフＧ１７から明らかなように、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２とに位置合わせずれが生じていない場合には、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２とからなる擬似壁共通電極の中心位置である１５μｍの近傍領域では透過率が大きく低下することとなる。しかしながら、擬似壁共通電極の形成領域を除く領域では、その透過率はほぼ８９％程度となる。
【０１５０】
一方、図８に対応するずれ量ＳＨ＝３．０μｍの合わせずれが生じている場合には、第二の基板ＳＵ２に対して第一の共通電極ＣＥ１が左方向（画素端部からの距離が小さい方向）に合わせずれが生じているので、等電位面Ｅ３に傾斜が生じることとなる。この結果、画素端部からの距離が小さい領域において、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との重畳面積が減少してしまうので、グラフＧ１６に示すように、この領域における透過率が６０％程度に低下してしまう。
【０１５１】
これに対して、図３７に示す本発明の実施形態８の液晶表示装置における擬似壁共通電極部分の拡大図に示すように、実施形態８の液晶表示装置では、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との間には、第一及び第二の配向膜ＡＬ１，ＡＬ２、液晶層ＬＣ、及び第三の絶縁膜ＩＬ３が形成されることとなる。従って、位置合わせずれが生じていない場合には、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との間に生じる等電位面の分布は、第一の共通電極ＣＥ１を囲む等電位面Ｅ１は液晶層ＬＣ中を含む第一の共通電極ＣＥ１の周辺に形成され、第二の共通電極ＣＥ２を囲む等電位面Ｅ２は第三の絶縁膜ＩＬ３中を含む第二の共通電極ＣＥ２の周辺に形成される。また、擬似壁共通電極を形成する第一の共通電極ＣＥ１及び第二の共通電極ＣＥ２を共に囲む等電位面Ｅ３は、第一及び第二の配向膜ＡＬ１，ＡＬ２を含む液晶層ＬＣ及び第三の絶縁膜ＩＬ３を含むようにして形成される。このとき、実施形態８の液晶表示装置では、液晶層ＬＣの厚さは実施形態１の液晶表示装置と同じ厚さとなるように形成されているので、等電位面Ｅ３は液晶表示パネルＰＮＬの厚さ方向に引き伸ばされたように形成される。さらには、より幅の広い第一のコモン電極ＣＥ１が液晶層ＬＣから遠ざかったことにより、液晶層ＬＣ中に分布する等電位面の幅が狭まって擬似壁共通電極が形成される。
【０１５２】
一方、前述する図８と同様な位置合わせずれが生じた場合、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との間に生じる等電位面分布は、図３８に示すように、第一の共通電極ＣＥ１及び第二の共通電極ＣＥ２を囲む等電位面Ｅ３が合わせずれ方向に傾斜して形成される。このとき、実施形態８の構成では、図３８から明らかなように、等電位面Ｅ３の傾きが小さくなっており、これは第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との距離が増大したことで、同じずれ量であっても等電位面Ｅ３の変化が小さくなったことによる。
【０１５３】
図３９は本発明の実施形態８の液晶表示装置での第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２とに合わせずれが生じていない場合と、合わせずれが３μｍの場合における画素内の透過率分布を示す図であり、点線で示すグラフＧ１８はずれ量ＳＨがＳＨ＝３．０μｍの場合、実線で示すグラフＧ１９は合わせずれがない場合（ＳＨ＝０μｍ時）をそれぞれ示す。
【０１５４】
図３９から明らかなように、実施形態８の液晶表示装置においては、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との間に合わせずれが生じていない場合（グラフＧ１９）と、ＳＨ＝３μｍの合わせずれが生じた場合（グラフＧ１８）との画素内の透過率分布は、合わせずれの発生の有無によらずにほぼ同一である。これは図３８に示すように、第三の絶縁膜ＩＬ３の下層に第二の共通電極ＣＥ２を形成することによって、等電位面Ｅ３の傾斜が小さくなったことによる効果である。
【０１５５】
図３５に示すグラフＧ１５は実施形態８の液晶表示装置における第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との位置合わせずれに対する画素毎反転駆動時における白表示画素の透過率を示すグラフである。このグラフＧ１５から明らかなように、実施形態８の擬似壁電極構成では、合わせずれが生じていない（合わせずれ量ＳＨ＝０μｍ）場合には、透過率は８８％となる。また、ずれ量ＳＨがＳＨ＝０．５μｍ時に８８％、ＳＨ＝１．０μｍ時に８８％、ＳＨ＝１．５μｍ時に８８％、ＳＨ＝２．０μｍ時に８８％、ＳＨ＝２．５μｍ時に８７％、ＳＨ＝３．０μｍ時に８６％となる。
【０１５６】
このように、実施形態８の構成では、ずれ量ＳＨが３．０μｍ時であっても透過率が８６％となり、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との位置合わせずれに伴う透過率の減少を２％程度に抑制でき、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２の位置合わせずれによらず、ほぼ一定の白表示透過率が得られるという格別の効果を得ることができる。
【０１５７】
図４０は第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との合わせ位置が３μｍずれた場合における画素毎反転駆動時での白表示透過率の第二の共通電極ＣＥ２と液晶層ＬＣとの距離依存性を説明するための図である。図４０のグラフＧ２０から明らかなように、第二の共通電極ＣＥ２と液晶層ＬＣが近接している場合に白表示透過率は７０％であるが、第二の共通電極ＣＥ２と液晶層ＬＣとの距離Ｋ２の増大と共に増大し、Ｋ２＝０．５μｍ時には７８％、Ｋ２＝１．０μｍ時には８３％、Ｋ２＝１．５μｍ時には８７％、Ｋ２＝２．０μｍ時には８８％、Ｋ２＝２．５μｍ時には８９％、Ｋ２＝３．０μｍ時には８９％となる。このように、第二の共通電極ＣＥ２と液晶層ＬＣとの距離Ｋ２がＫ２＝２．０μｍ以上の場合には透過率は８８％以上となり、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２がずれていない場合と同様な白表示透過率が得られる。
【０１５８】
図４１は本発明の実施形態８の液晶表示装置における第二の共通電極から液晶層に至るまでの距離と駆動電圧との関係を説明するための図であり、図３４に示す実施形態８の構成において、第二の共通電極から液晶層に至るまでの距離Ｈ５（図３７中に示す）を変化させた場合に、所定の透過率での表示（白表示）を行うために必要となる壁画素電極ＳＥと擬似壁共通電極との間の印加電圧（駆動電圧）を示す図である。
【０１５９】
図４１のグラフＧ２１から明らかなように、第二の共通電極ＣＥ２と液晶層ＬＣとの距離Ｈ５がＨ５＝０（ゼロ）μｍの場合には、駆動電圧ＶｐｃはＶｐｃ＝４．５Ｖとなる。また、距離Ｈ５がＨ５＝０．５μｍ時にはＶｐｃ＝４．８Ｖとなり、以降、Ｈ５＝１．０μｍ時にはＶｐｃ＝４．９Ｖ、Ｈ５＝１．５μｍ時にはＶｐｃ＝５．０Ｖ、Ｈ５＝２．０μｍ時にはＶｐｃ＝５．０Ｖ、Ｈ５＝２．５μｍ時にはＶｐｃ＝５．１Ｖ、Ｈ５＝３．０μｍ時にはＶｐｃ＝５．１Ｖとなる。
【０１６０】
このように、実施形態８の構成では、第二の共通電極ＣＥ２と液晶層ＬＣとの距離Ｈ５が増大すると共に、駆動電圧Ｖｐｃが増大する傾向にある。しかしながら、駆動電圧Ｖｐｃの増大は飽和する傾向にあり、第二の共通電極ＣＥ２と液晶層ＬＣとの距離Ｈ５が１．５μｍ以上では増大が緩やかになる。即ち、第二の共通電極ＣＥ２と液晶層ＬＣとの距離Ｈ５を１．５μｍ以上とすることにより、駆動電圧Ｖｐｃの増大を抑えながら高い白表示透過率を得ることができることが明らかである。従って、実施形態８の液晶表示装置では、第二の共通電極ＣＥ２と液晶層ＬＣとの距離Ｈ５が１．５μｍ以上で形成することが好適である。さらには、駆動電圧ＶｐｃをＶｐｃ＝５．０Ｖ程度とすることが好ましい。
【０１６１】
以上説明したように、実施形態８の液晶表示装置では、液晶層ＬＣの厚さよりも壁画素電極ＳＥの高さを大きくするために設けた第四の絶縁膜ＩＬ４の下層に、擬似壁共通電極を形成する一方の共通電極である第二の共通電極ＣＥ２を形成する構成としているので、擬似壁共通電極を形成する他方の共通電極である第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との間隔を大きくすることが可能となる。その結果、第一の共通電極ＣＥ１が形成される第一の基板ＳＵ１と第二の共通電極ＣＥ２が形成される第二の基板ＳＵ２との貼り合わせ等に伴う第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との位置ずれによる擬似壁共通電極における電界分布の傾斜を小さくすることが可能となるので、実施形態２の液晶表示装置における効果に加えて、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との位置ずれに伴う透過率を向上させることができ、さらに表示品質を向上できるという格別の効果を得ることができる。
【０１６２】
また、実施形態８の液晶表示装置では、壁画素電極ＳＥと第二の共通電極ＣＥ２とが同層に形成され、共に第四の絶縁膜ＩＬ４の上層に形成されているので、壁画素電極ＳＥを第二の共通電極ＣＥ２と同様に透明導電膜で形成する場合には、第四の絶縁膜ＩＬ４と第二の共通電極ＣＥ２とを同じ工程で形成できるという格別の効果を得ることができる。
【０１６３】
なお、実施形態８の液晶表示装置では、液晶層ＬＣの厚さよりも壁画素電極ＳＥの高さを大きく形成するため、すなわち画素反転駆動における透過率を向上させるために設けた第四の絶縁膜ＩＬ４の下層側（第四の絶縁膜ＩＬ４の第二の基板ＳＵ２の側）に第二の共通電極ＣＥ２を形成している。この構成により、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との距離を液晶層ＬＣの厚さよりも大きく形成しているが、実施形態１に示すように、壁画素電極ＳＥの高さと液晶層ＬＣの厚さとがほぼ同じ大きさの液晶表示装置であっても、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との間の距離を液晶層ＬＣの厚さよりも大きく形成することによって、列毎反転駆動での駆動を行う場合には、合わせずれに対して前述と同様の効果が得られる。
【０１６４】
〈実施形態９〉
図４２は本発明の実施形態９の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図であり、第一の共通電極ＣＥ１の形成位置を除く他の構成は、実施形態４の液晶表示装置と同様の構成となる。従って、以下の説明では、第一の共通電極ＣＥ１及び擬似壁共通電極について詳細に説明する。
【０１６５】
図４２に示すように、実施形態９の液晶表示装置は、実施形態４の液晶表示装置と同様に、第二の基板ＳＵ２の液晶面側には、第一の絶縁膜ＩＬ１、ドレイン線ＤＬ、第二の共通電極ＣＥ２、壁基材ＷＬが形成されている。また、壁基材ＷＬの頭頂面から側壁面及び壁基材ＷＬの近傍の第二の絶縁膜ＩＬ２の上面には壁画素電極ＳＥが形成され、第二の絶縁膜ＩＬ２がこれらの露出面を覆うように形成され、その上層に第二の配向膜ＡＬ２が形成され、第二の基板ＳＵ２が形成されている。
【０１６６】
一方、第一の基板ＳＵ１の液晶面側には、ブラックマトリクスＢＭが形成され、該ブラックマトリクスＢＭを覆うようにして、カラーフィルタＣＦが形成されている。ここで、実施形態９の液晶表示パネルＰＮＬでは、カラーフィルタＣＦの上層に第一の共通電極ＣＥ１が形成され、該第一の共通電極ＣＥ１を覆うようにして、オーバーコート層ＯＣが形成されている。このとき、実施形態９の液晶表示パネルＰＮＬにおいても、実施形態４のオーバーコート層ＯＣと同様に、壁基材ＷＬが形成される領域に沿って、オーバーコート層ＯＣを貫通してカラーフィルタＣＦの上面が露出される凹部がオーバーコート層ＯＣに形成される構成となっている。該オーバーコート層ＯＣの上層には、当該オーバーコート層ＯＣ及び露出されたカラーフィルタＣＦの露出面を覆うようにして、第二の基板ＳＵ２の全面に第一の配向膜ＡＬ１が形成されている。
【０１６７】
この構成からなる第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２は液晶層ＬＣを介して対向配置され、オーバーコート層ＯＣに形成された凹部に壁基材ＷＬを含む壁画素電極ＳＥの一方の端部が入り込むようにして、実施形態９の液晶表示パネルＰＮＬが形成される。このとき、実施形態９の液晶表示装置においては、オーバーコート層ＯＣが比較的厚い膜厚（好適には２．０μｍ以上の膜厚）で形成されているので、液晶層ＬＣの厚さよりも壁画素電極ＳＥの高さをオーバーコート層ＯＣの膜厚分だけ大きくすることができ、実施形態４の液晶表示装置と同様の効果を得ることができる。
【０１６８】
また、実施形態９の液晶表示装置は、オーバーコート層ＯＣの下層に第一の共通電極ＣＥ１が形成される構成となっている。すなわち、オーバーコート層ＯＣとカラーフィルタＣＦとの間に、第一の共通電極ＣＥ１が形成されている。従って、実施形態９の液晶表示装置においても、後述の効果の項に示すように、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との貼り合わせに伴う位置ずれに起因する第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との位置ずれが生じた場合であっても、この位置ずれに伴う透過率の低下を抑制することができるという格別の効果を得ることができる。さらには、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との位置合わせずれに伴う不良の発生割合を低減することが可能となり、生産性を向上させることができるという格別の効果を得ることができる。
【０１６９】
〈第一及び第二の共通電極の位置ずれ時の透過率の低下抑制効果について、〉
図４３は本発明の実施形態９の液晶表示装置における擬似壁共通電極部分の拡大図、図４４は図４３に示す擬似壁共通電極に位置合わせずれが生じた場合における等電位面分布を示す図である。
【０１７０】
図４３からに示すように、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との間には、第一及び第二の配向膜ＡＬ１，ＡＬ２、液晶層ＬＣ、及びオーバーコート層ＯＣが形成されている。従って、位置合わせずれが生じていない場合には、第一の共通電極ＣＥ１を囲む等電位面Ｅ１はオーバーコート層ＯＣ中を含む第一の共通電極ＣＥ１の周辺に形成され、第二の共通電極ＣＥ２を囲む等電位面Ｅ２は液晶層ＬＣ中を含む第二の共通電極ＣＥ２の周辺に形成される。また、擬似壁共通電極を形成する第一の共通電極ＣＥ１及び第二の共通電極ＣＥ２を共に囲む等電位面Ｅ３は、第一及び第二の配向膜ＡＬ１，ＡＬ２を含む液晶層ＬＣ及びオーバーコート層ＯＣを含むようにして形成される。
【０１７１】
このとき、実施形態９の液晶表示装置も実施形態８と同様に、液晶層ＬＣの厚さは実施形態１の液晶表示装置と同じ厚さとなるように形成されているので、等電位面Ｅ３は液晶表示パネルＰＮＬの法線方向すなわち厚さ方向に引き伸ばされたように形成される。さらには、第一の共通電極ＣＥ１がオーバーコート層ＯＣの下層に形成されているので、実施形態１の液晶表示装置に比較して、幅の広い側の電極である第一の共通電極ＣＥ１が液晶層ＬＣから遠ざかった位置に形成されることとなり、液晶層ＬＣ中に分布する等電位面Ｅ３の幅が狭まっている。
【０１７２】
一方、図８と同様な位置合わせずれが生じた場合、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との間に生じる等電位面分布は、図４４に示すように、第一の共通電極ＣＥ１及び第二の共通電極ＣＥ２を囲む等電位面Ｅ３が合わせずれ方向に傾斜して形成される。このとき、実施形態９の構成では、図４４から明らかなように、等電位面Ｅ３の傾きが小さくなっており、これは第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との距離が増大したことで、同じずれ量であっても液晶表示パネルＰＮＬの法線方向に対する等電位面Ｅ３の傾斜角が小さくなったことによる。
【０１７３】
図３５に示すグラフＧ１４は実施形態９の液晶表示装置における第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との位置合わせずれに対する画素毎反転駆動時における白表示画素の透過率を示すグラフである。このグラフＧ１４から明らかなように、実施形態９の擬似壁電極構成では、合わせずれが生じていない（合わせずれ量ＳＨ＝０μｍ）場合には、透過率は８７％となる。また、ずれ量ＳＨがＳＨ＝０．５μｍ時に８７％、ＳＨ＝１．０μｍ時に８７％、ＳＨ＝１．５μｍ時に８７％、ＳＨ＝２．０μｍ時に８６％、ＳＨ＝２．５μｍ時に８５％、ＳＨ＝３．０μｍ時に８４％となる。
【０１７４】
このように、実施形態９の構成であっても、ずれ量ＳＨが３．０μｍ時であっても透過率が８４％となり、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との位置合わせずれに伴う透過率の減少を３％程度に抑制でき、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２の位置合わせずれによらず、ほぼ一定の白表示透過率が得られるという格別の効果を得ることができる。
【０１７５】
図４５は実施形態９の液晶表示装置において第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２との合わせ位置が３μｍずれた場合における画素毎反転駆動時での白表示透過率の第一の共通電極ＣＥ１と液晶層ＬＣとの距離依存性を説明するための図である。
【０１７６】
図４５のグラフＧ２２から明らかなように、第一の共通電極ＣＥ１と液晶層ＬＣが近接している場合に白表示透過率は７０％であるが、第一の共通電極ＣＥ１と液晶層ＬＣとの距離Ｋ１の増大と共に増大し、Ｋ１＝０．５μｍ時には７７％、Ｋ１＝１．０μｍ時には８１％、Ｋ１＝１．５μｍ時には８４％、Ｋ１＝２．０μｍ時には８６％、Ｋ１＝２．５μｍ時には８７％、Ｋ１＝３．０μｍ時には８８％となる。このように、第一の共通電極ＣＥ１と液晶層ＬＣとの距離Ｋ１がＫ１＝２．０μｍ以上の場合には透過率は８６％以上となり、第一の基板ＳＵ１と第二の基板ＳＵ２がずれていない場合とほぼ同様な白表示透過率が得られる。
【０１７７】
図４６は本発明の実施形態９の液晶表示装置における第一の共通電極から液晶層に至るまでの距離と駆動電圧との関係を説明するための図であり、図４２に示す実施形態９の構成において、第一の共通電極から液晶層に至るまでの距離Ｈ６（図４３中に示す）を変化させた場合に、所定の透過率での表示（白表示）を行うために必要となる壁画素電極ＳＥと擬似壁共通電極との間の印加電圧（駆動電圧）を示す図である。
【０１７８】
図４６のグラフＧ２３から明らかなように、第一の共通電極ＣＥ１と液晶層ＬＣとの距離Ｈ６がＨ６＝０（ゼロ）μｍの場合には、駆動電圧ＶｐｃはＶｐｃ＝４．５Ｖとなる。また、距離Ｈ６がＨ６＝０．５μｍ時にはＶｐｃ＝４．８Ｖとなり、以降、Ｈ６＝１．０μｍ時にはＶｐｃ＝４．８Ｖ、Ｈ６＝１．５μｍ時にはＶｐｃ＝４．９Ｖ、Ｈ６＝２．０μｍ時にはＶｐｃ＝５．０Ｖ、Ｈ６＝２．５μｍ時にはＶｐｃ＝５．０Ｖ、Ｈ６＝３．０μｍ時にはＶｐｃ＝５．１Ｖとなる。
【０１７９】
このように、実施形態９の構成においても、第一の共通電極ＣＥ１と液晶層ＬＣとの距離Ｈ６が増大すると共に、駆動電圧Ｖｐｃが増大する傾向にある。しかしながら、駆動電圧Ｖｐｃの増大は飽和する傾向にあり、第一の共通電極ＣＥ１と液晶層ＬＣとの距離Ｈ６が１．５μｍ以上では増大が緩やかになる。即ち、実施形態９の液晶表示装置においては、第一の共通電極ＣＥ１と液晶層ＬＣとの距離Ｈ６を１．５μｍ以上とすることにより、駆動電圧Ｖｐｃの増大を抑えながら高い白表示透過率を得ることができることが明らかである。従って、実施形態９の液晶表示装置においては、第一の共通電極ＣＥ１と液晶層ＬＣとの距離Ｈ６が１．５μｍ以上となるように形成することが好適である。さらには、駆動電圧ＶｐｃをＶｐｃ＝５．０Ｖ程度とすることが好ましい。
【０１８０】
なお、実施形態９の液晶表示装置では、オーバーコート層ＯＣの下層側（オーバーコート層ＯＣの第一の基板ＳＵ１の側）に第一の共通電極ＣＥ１を形成することにより、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との距離を液晶層ＬＣの厚さよりも大きく形成している（画素毎反転駆動に対応した構成）が、実施形態１に示すように、壁画素電極ＳＥの高さと液晶層ＬＣの厚さとがほぼ同じ大きさの液晶表示装置であっても、第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２との間の距離を液晶層ＬＣの厚さよりも大きく形成することによって、列毎反転駆動での駆動を行う場合には、合わせずれに対して前述と同様の効果が得られる。
【０１８１】
〈実施形態１０〉
図４７は本発明の実施形態１０の液晶表示装置の概略構成を説明するための平面図、図４８は図４７に示すＣ−Ｃ’線での断面図である。また、図４９は実施形態１０の液晶表示装置における壁画素電極を形成する第一の透明導電膜の構成を説明するための図、図５０は実施形態１０の液晶表示装置における第二の共通電極及び第四の共通電極を形成する第二の透明導電膜の構成を説明するための図である。ただし、実施形態１０の液晶表示装置は、第四の共通電極ＣＥ４及び第六の絶縁膜ＩＬ６の構成を除く他の構成は実施形態１の液晶表示装置と同様である。従って、以下の説明では、第四の共通電極ＣＥ４及び第六の絶縁膜ＩＬ６の構成について詳細に説明する。
【０１８２】
実施形態１の液晶表示装置では、第二の共通電極ＣＥ２を形成する第二の透明導電膜ＴＣＦ２と、壁画素電極ＳＥを形成する第一の透明導電膜ＴＣＦ１とがゲート線ＧＬに近接する画素端部（図２中に斜線で示す領域ＳＣ）において重畳して保持容量を形成しているが、この領域ＳＣでは液晶層ＬＣに電界が印加されないため非開口部（非透過領域）となる。一方でＩＰＳ方式等の液晶表示装置では、平面（平板）状の共通電極とスリット状（線状）の画素電極とを重畳して、開口部に保持容量を形成している。このように、液晶層ＬＣへの電圧印加に用いる電極を保持容量として兼用できれば開口率を向上でき、透過率を向上できる。
【０１８３】
これに対して、図４８から明らかなように、実施形態１０の液晶表示装置では、第二の共通電極ＣＥ２と第四の共通電極ＣＥ４は第一の絶縁層ＩＬ１と第二の絶縁層ＩＬ２の間に配置され、壁基材ＷＬは第三の絶縁層ＩＬ３上に形成されている。更には、その上層に壁画素電極ＳＥが形成されており、該壁画素電極ＳＥの平坦部分ＨＰは第四の共通電極ＣＥ４と第二の絶縁層ＩＬ２を介して重畳している。この壁画素電極ＳＥの平坦部分ＨＰと第四の共通電極ＣＥ４とが重畳した部分が保持容量となる。
【０１８４】
特に、実施形態１０の液晶表示装置では、第四の共通電極ＣＥ４を壁画素電極ＳＥの平坦部分ＨＰよりも内側に分布するように配置している。もしこれが壁画素電極ＳＥの平坦部分ＨＰよりも外側に分布するならば、近接して配置された壁画素電極ＳＥと第四の共通電極ＣＥ４の間に電界が集中し、液晶層ＬＣに印加される電界が大幅に弱まり、透過率が低下する。実施形態１０では、第四の共通電極ＣＥ４を壁画素電極ＳＥの平坦部分ＨＰよりも内側に配置したことにより、液晶層ＬＣに印加される電界強度を保持している。
【０１８５】
図４７において、破線は第一の共通電極ＣＥ１と第二の共通電極ＣＥ２の輪郭を表しており、一点鎖線は壁基材ＷＬの輪郭を示している。前述するように、第二の共通電極ＣＥ２は壁画素電極ＳＥよりも下層に配置されるので、コンタクトホールＣＨ２は第二の共通電極ＣＥ２を貫いており、図４７においてもコンタクトホールＣＨ２の周囲は第二の共通電極ＣＥ２の境界を表す破線で囲まれている。第二の共通電極ＣＥ２と壁画素電極ＳＥが重畳している部分は保持容量として作用し、図４７中に斜線で示す部分が保持容量となる部分である。この図４７に示す実施形態１０の液晶表示装置を図２と比較して明らかなように、実施形態１０の保持容量の分布はゲート線ＧＬにより近い側にシフトしており、その結果、壁基材ＷＬの分布もゲート線ＧＬにより近い側まで延長し、開口部（透過部）が拡大している。ここで、図４７に示す実施形態１０の液晶表示装置と図２に示す実施形態１では保持容量の面積は同一であり、それでいて実施形態１０の液晶表示装置において開口部（透過部）が拡大したのは、ドレイン線ＤＬの近傍にも保持容量を配置したことによる。
【０１８６】
すなわち、図４７に示すように、実施形態１０の液晶表示装置においても実施形態１の液晶表示装置と同様に、画素の領域はドレイン線ＤＬとゲート線ＧＬとで囲まれる領域となる。また、画素の領域は長手方向（Ｙ方向）の上側領域と下側領域とからなり、該上側領域と下側領域とはＹ方向に対して対称をなすように異なる方向に傾斜され、画素の中央部分で上側領域と下側領域とが接続される構成となっている。このとき、上側領域及び下側領域においても、液晶分子の初期配向方向が同じとなるように、図中の矢印ＡＤで示す方向の初期配向処理がされている。
【０１８７】
実施形態１０の液晶表示装置も、図４８に示すように、カラーフィルタ等が形成される第一の基板ＳＵ１と薄膜トランジスタ等が形成される第二の基板ＳＵ２とが液晶層ＬＣを介して対向配置される構成となっている。また、第一の基板ＳＵ１の外側面（表示面側）には第一の偏光板ＰＬ１が配置され、第二の基板ＳＵ２の外側面（裏面）には第二の偏光板ＰＬ２が配置されている。
【０１８８】
第一の基板ＳＵ１の液晶面側には、実施形態１の液晶表示装置と同様に、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第一の共通電極ＣＥ１、及び第一の配向膜ＡＬ１が順次形成されている。
【０１８９】
一方、第二の基板ＳＵ２の液晶面側には、第一の絶縁膜ＩＬ１、ドレイン線ＤＬ、第二の絶縁膜ＩＬ２、第二の共通電極ＣＥ２が順番に形成されている。このとき、実施形態１０の液晶表示装置では、少なくとも壁画素電極ＳＥと重畳するようにして、第二の共通電極ＣＥ２と同層に、第四の共通電極ＣＥ４が形成されている。第四の共通電極ＣＥ４及び第二の共通電極ＣＥ２の上層には、当該第四の共通電極ＣＥ４及び第二の共通電極ＣＥ２を覆うようにして、第二の基板ＳＵ２の全面に第六の絶縁膜ＩＬ６が形成されている。該第六の絶縁膜ＩＬ６の上層には、壁基材ＷＬ及び壁画素電極ＳＥの平坦部が形成され、該壁基材ＷＬの側壁面及び頭頂面には壁画素電極ＳＥの垂直部及び頭頂部がそれぞれ形成され、これらの露出面を覆うようにして第二の配向膜ＡＬ２が形成されている。
【０１９０】
特に、実施形態１０の液晶表示装置では、図５０に示すように、第一の基板ＳＵ１の全面に第二の透明導電膜ＴＣＦ２が形成されており、画素毎にその画素の透過領域内の第二の透明導電膜ＴＣＦ２に開口部ＯＰ２，ＯＰ３が形成され、２つの開口部ＯＰ２，ＯＰ３に挟まれた領域が第二の共通電極ＣＥ２を形成している。また、第二の透明導電膜ＴＣＦ２に形成される自画素の開口部ＯＰ２と隣接画素の図示しない開口部ＯＰ３とに挟まれた領域が第四の共通電極ＣＥ４を形成している。
【０１９１】
また、図４９に示すように、壁画素電極ＳＥを形成する第一の透明導電膜ＴＣＦ１はドレイン線ＤＬとゲート線ＧＬとに沿って円環状に形成されており、外側辺縁部Ｌ１と内側辺縁部（開口部ＯＰ１の辺縁部）Ｌ２との間の領域（ハッチング領域）が第一の透明導電膜ＴＣＦ１の形成領域となる。このとき、実施形態１０の液晶表示装置においても、実施形態１の液晶表示装置と同様に、画素の長手方向に延在する部分が壁画素電極ＳＥとなっている。
【０１９２】
このとき、実施形態１０の液晶表示装置では、実施形態１の液晶表示装置と同様に、画素領域内の上端側及び下端側の領域において、第六の絶縁膜ＩＬ６を介して第一の透明導電膜ＴＣＦ１と第二の透明導電膜ＴＣＦ２とが重畳される構成となっている。さらには、図５０から明らかなように、第二の透明導電膜ＴＣＦ２に形成される自画素の開口部ＯＰ２と隣接画素の図示しない開口部ＯＰ３とに挟まれた領域の第二の透明導電膜ＴＣＦ２、すなわち隣接画素との間の領域に形成される第二の透明導電膜ＴＣＦ２により第四の共通電極ＣＥ４が形成され、該第四の共通電極ＣＥ４が第六の絶縁膜ＩＬ６を介して壁画素電極ＳＥと重畳される構成となっている。
【０１９３】
この構成により、実施形態１０の液晶表示装置では、図４７中に斜線で示す領域ＳＣが画素領域の辺縁部に沿って画素の透過領域を囲むようにして形成され、この領域ＳＣが当該画素の保持容量（蓄積容量）となる。すなわち、実施形態１０の液晶表示装置では、実施形態１の液晶表示装置と同様に、画素領域の上端部と下端部とからなる画素領域の短手方向（Ｙ方向）の辺部領域で保持容量を形成すると共に、画素領域の長手方向（Ｘ方向）の辺部においても保持容量を形成する構成となっている。
【０１９４】
このとき、壁画素電極ＳＥを構成する平坦部と第四の共通電極ＣＥ４との重畳領域の面積が大きくなるように、第四の共通電極ＣＥ４及び壁画素電極ＳＥを形成することにより、保持容量も大きくできる。なお、実施形態１０では、実施形態１の液晶表示装置に本願発明の第四の共通電極ＣＥ４を形成する構成としたが、これに限定されることはない。例えば、実施形態２〜４及び実施形態６〜９の液晶表示装置に第四の共通電極ＣＥ４を形成することにより、保持容量を増加させることが可能となるので、実施形態１０と同様の効果を得ることができる。
【０１９５】
以上説明したように、実施形態１０の液晶表装置では、壁画素電極ＳＥを利用して保持容量を形成する構成、すなわち、長手方向に延在する壁画素電極ＳＥと第六の絶縁膜ＩＬ６とが第六の絶縁膜ＩＬ６を介して重畳する領域ＳＣ２によって形成される容量も保持容量として用いる構成としている。従って、実施形態１と同じ容量の保持容量を形成する場合には、ゲート線ＧＬに近接する画素端部に配置する保持容量の面積を縮小できる、すなわち、画素領域の長手方向の上端側及び下端側に形成される重畳領域ＳＣの面積を減少させることができる。その結果、実施形態１と同様の効果を得ることができると共に、保持容量を減少させることなく液晶分子を駆動させることが可能な透過領域を増加させることができ、開口率を実施例１の６３％から６９％に増大でき、実施形態１に比較して実施形態１０では透過率を１０％程度向上させることができるという格別の効果を得ることができる。
【０１９６】
なお、実施形態２〜４の発明では、第一の基板ＳＵ１又は第二の基板ＳＵ２の何れか一方の基板に膜厚の厚い薄膜層（厚膜層）を形成すると共に、壁画素電極を液晶層厚よりも大きく形成する構成としたが、第一の基板ＳＵ１及び第二の基板ＳＵ２に共に厚膜層を形成する構成であってもよい。
【０１９７】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記発明の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
【符号の説明】
【０１９８】
ＰＮＬ……液晶表示パネル、ＳＵ１……第一の基板、ＳＵ２……第二の基板
ＡＲ……表示領域、ＳＬ……シール材、ＤＲ……駆動回路、ＣＬ……コモン線
ＦＰＣ……フレキシブルプリント基板、ＧＬ……ゲート線、ＤＬ……ドレイン線
ＳＥ，ＳＥ１……壁画素電極、ＳＥ２……線状画素電極、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ
ＣＥ１〜４……第一〜第四の共通電極、ＴＣＦ１……第一の透明導電膜
ＴＣＦ２……第二の透明導電膜、ＣＨ１，ＣＨ２……コンタクトホール、ＷＬ……壁基材ＰＳ……ポリシリコン膜（ポリシリコン層）、ＰＬ１……第一の偏光板
ＰＬ２……第二の偏光板、ＢＭ……ブラックマトリクス、ＣＦ……カラーフィルタ
ＯＣ……オーバーコート層、ＡＬ１……第一の配向膜、ＡＬ２……第二の配向膜
ＬＣ……液晶層、ＩＬ１〜６……第一〜第六の絶縁膜、ＬＣＭ……液晶分子
ＴＰ……頭頂部、ＶＰ……垂直部、ＨＰ……平坦部、ＯＰ１〜３……開口部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ方向に伸延しＹ方向に並設される走査信号線と、Ｙ方向に伸延しＸ方向に並設される映像信号線とを有する第二の基板と、液晶層を介して前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、
隣接画素との画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、
前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の前記凸状体の底面側から延在し、前記第二の基板の液晶側面に沿って伸延される下端側電極とからなり、前記画素の領域を挟んで対向する少なくとも一対の辺部に形成される前記側壁面電極と前記下端側電極とからなる第一の電極と、
前記第一の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記第一の電極の延在方向に伸延してなる第一の線状電極と、前記第二の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記前記第一の線状電極と前記液晶層を介して対峙するようにして伸延してなる第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、
前記画素の領域は、少なくとも、前記第一の電極と前記第二の電極とが第一の方向に延在する第一の画素領域と、前記第一の電極と前記第二の電極とが第二の方向に延在する第二の画素領域とからなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第一の基板は、カラー表示に対応する着色層と、少なくとの前記着色層との間の領域に形成される遮光膜と、前記着色層と前記遮光膜との上層に形成され、液晶側面を平坦化する平坦化層とを備え、
前記第一の線状電極は前記平坦化層よりも前記第一の基板に近い層に形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第二の基板の液晶面側に形成される第一の絶縁厚膜を有し、
前記第二の線状電極は前記第一の絶縁厚膜よりも前記第一の基板に近い層に形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第一の線状電極から前記第二の線状電極に至る間隔と前記液晶層厚との差が、１．５μｍ以上であることを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第一の線状電極と前記液晶層との距離が、１．５μｍ以上であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第二の線状電極と前記液晶層との距離が、１．５μｍ以上であることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第一の電極は当該画素の辺縁部に沿って環状をなす第一の導電膜からなり、
前記第二の線状電極は、第２基板の液晶側面に全面を覆うように形成され、画素の短手方向に並列され、前記第二の線状電極を挟むようにして形成される２つの開口部を有する第二の導電膜からなり、
前記第一の導電膜と前記第二の導電膜とが各画素の辺縁部に沿って重畳され、該重畳領域が画素の領域を囲む環状であることを特徴とする請求項１乃至６の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
Ｘ方向に伸延しＹ方向に並設される走査信号線と、Ｙ方向に伸延しＸ方向に並設される映像信号線とを有する第二の基板と、液晶層を介して前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、
隣接画素との画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、
前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の前記凸状体の底面側から延在し、前記第二の基板の液晶側面に沿って伸延される下端側電極とからなり、前記画素の領域を挟んで対向する少なくとも一対の辺部に形成される前記側壁面電極と前記下端側電極とからなる第一の電極と、
前記第一の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記第一の電極の延在方向に伸延してなる第一の線状電極と、前記第二の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記前記第一の線状電極と前記液晶層を介して対峙するようにして伸延してなる第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、
前記側壁面電極が形成される前記第二の基板側の下側辺縁部から前記第一の基板側の上側辺縁部に至る前記第一の電極の高さは、当該第一電極に挟まれる画素の領域における前記液晶層の厚さよりも大きく形成されてなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
前記第二の基板の液晶面側に形成される第一の絶縁厚膜と、前記第一の絶縁厚膜に形成され、前記画素の領域の辺部に沿う第一の溝部とを有し、
前記側壁面電極の底面側の辺縁部が前記第一の溝部の底面で前記下端側電極と一体に接続されることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第一の溝部は前記第一の絶縁厚膜を貫通して下層の薄膜層の表面が露出する貫通溝からなり、
前記第一の溝部から露出される下層の薄膜層表面に前記凸状体が立設されると共に、前記下端側電極が前記第一の溝部から露出される下層の薄膜層表面に沿って形成されることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第二の線状電極は前記第一の絶縁厚膜よりも前記第二の基板に近い層に形成されることを特徴とする請求項９又は１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記凸状体が立設される絶縁膜と、前記絶縁膜及び前記第一の電極を覆うようにして形成される第二の絶縁厚膜とを有し、
前記第二の絶縁厚膜は、前記凸状体の頭頂部の膜厚よりも前記一対の第一の電極に挟まれる領域の膜厚が大きく形成され、
前記一対の第一の電極に挟まれる領域における前記液晶層の厚さよりも前記前記第一の電極の高さが大きく形成されることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第一の電極を形成する前記側壁面電極は、前記第二の絶縁厚膜に覆われることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第二の線状電極は前記第二の絶縁厚膜よりも前記第二の基板に近い層に形成されることを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記第二の線状電極と前記液晶層との距離が、１．５μｍ以上であることを特徴とする請求項１１又は１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記第一の基板は、カラー表示に対応する着色層と、少なくとの前記着色層との間の領域に形成される遮光膜と、前記着色層と前記遮光膜との上層に形成され、液晶側面を平坦化する平坦化層とを備え、
前記平坦化層に形成され、前記画素の領域の辺部に沿う第二の溝部を有し、
前記凸状体の頭頂側が前記第二の溝部内に配置されることを特徴とする請求項８乃至１５の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記第一の線状電極は前記平坦化層よりも前記第一の基板に近い層に形成されることを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記第一の線状電極と前記液晶層との距離が、１．５μｍ以上であることを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記第一の線状電極から前記第二の線状電極に至る間隔と前記液晶層厚との差が、１．５μｍ以上であることを特徴とする請求項１１、１４又は１７に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記第一の電極高さと前記液晶層厚との差が、２μｍ以上であることを特徴とする請求項８乃至１９に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記第一の電極は当該画素の辺縁部に沿って環状をなす第一の導電膜からなり、
前記第二の線状電極は、第２基板の液晶側面に全面を覆うように形成され、画素の短手方向に並列され、前記第二の線状電極を挟むようにして形成される２つの開口部を有する第二の導電膜からなり、
前記第一の導電膜と前記第二の導電膜とが各画素の辺縁部に沿って重畳され、該重畳領域が画素の領域を囲む環状であることを特徴とする請求項８乃至２０の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
前記画素の領域は、少なくとも、前記第一の電極と前記第二の電極とが第一の方向に延在する第一の画素領域と、前記第一の電極と前記第二の電極とが第二の方向に延在する第二の画素領域とからなることを特徴とする請求項８乃至２１の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
Ｘ方向に伸延しＹ方向に並設される走査信号線と、Ｙ方向に伸延しＸ方向に並設される映像信号線とを有する第二の基板と、液晶層を介して前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、
隣接画素との画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、
前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の前記凸状体の底面側から延在し、前記第二の基板の液晶側面に沿って伸延される下端側電極とからなり、前記画素の領域を挟んで対向する少なくとも一対の辺部に形成される前記側壁面電極と前記下端側電極とからなる第一の電極と、
前記第一の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記第一の電極の延在方向に伸延してなる第一の線状電極と、前記第二の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記前記第一の線状電極と前記液晶層を介して対峙するようにして伸延してなる第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、
前記下端側電極よりも下層に形成され、前記下端側電極と絶縁膜を介して少なくともその一部が前記下端側電極と重畳して形成される第三の電極を備え、
前記第三の電極と前記第一の電極とが電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２４】
前記第一の電極と前記第三の電極との間に形成される絶縁膜は少なくとも第一の絶縁厚膜を有し、
前記第三の電極は、前記第一の絶縁厚膜よりも前記第一の基板に近い層に形成されることを特徴とする請求項２３に記載の液晶表示装置。
【請求項２５】
前記第三の電極は、前記映像信号線と同層に形成されることを特徴とする請求項２３又は２４に記載の液晶表示装置。
【請求項２６】
前記第一の電極と前記第三の電極とが、前記液晶層厚方向に２．０μｍ以上離間して形成されることを特徴とする請求項２３乃至２５の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項２７】
前記第二の線状電極は前記第一の絶縁厚膜よりも前記第一の基板に近い層に形成されることを特徴とする請求項２３乃至２６の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項２８】
前記第二の線状電極と前記液晶層との距離が、１．５μｍ以上であることを特徴とする請求項２７に記載の液晶表示装置。
【請求項２９】
前記第一の基板は、カラー表示に対応する着色層と、少なくとの前記着色層との間の領域に形成される遮光膜と、前記着色層と前記遮光膜との上層に形成され、液晶側面を平坦化する平坦化層とを備え、
前記第一の線状電極は前記平坦化層よりも前記第一の基板に近い層に形成されることを特徴とする請求項２３乃至２８の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項３０】
前記第一の線状電極と前記液晶層との距離が、１．５μｍ以上であることを特徴とする請求項２９に記載の液晶表示装置。
【請求項３１】
前記第一の線状電極から前記第二の線状電極に至る間隔と前記液晶層厚との差が、１．５μｍ以上であることを特徴とする請求項２７又は２９に記載の液晶表示装置。
【請求項３２】
前記画素の領域は、少なくとも、前記第一の電極と前記第二の電極とが第一の方向に延在する第一の画素領域と、前記第一の電極と前記第二の電極とが第二の方向に延在する第二の画素領域とからなることを特徴とする請求項２３乃至３１の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項３３】
Ｘ方向に伸延しＹ方向に並設される走査信号線と、Ｙ方向に伸延しＸ方向に並設される映像信号線とを有する第二の基板と、液晶層を介して前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、
隣接画素との画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、
前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の前記凸状体の底面側から延在し、前記第二の基板の液晶側面に沿って伸延される下端側電極とからなり、前記画素の領域を挟んで対向する少なくとも一対の辺部に形成される前記側壁面電極と前記下端側電極とからなる第一の電極と、
前記第一の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記第一の電極の延在方向に伸延してなる第一の線状電極と、前記第二の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記前記第一の線状電極と前記液晶層を介して対峙するようにして伸延してなる第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、
前記第一の基板側に形成され、平面的に見て前記第一の電極と重畳配置される第四の電極を有し、
前記第四の電極と前記第二の電極に同じ信号が供給されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３４】
前記第一の基板は、カラー表示に対応する着色層と、少なくとの前記着色層との間の領域に形成される遮光膜と、前記着色層と前記遮光膜との上層に形成され、液晶側面を平坦化する平坦化層とを備え、
前記第四の電極は前記平坦化層よりも前記第一の基板に近い層に形成されることを特徴とする請求項３３に記載の液晶表示装置。
【請求項３５】
前記第一の基板は、カラー表示に対応する着色層と、少なくとの前記着色層との間の領域に形成される遮光膜と、前記着色層と前記遮光膜との上層に形成され、液晶側面を平坦化する平坦化層とを備え、
前記第四の電極は前記平坦化層よりも前記液晶層に近い層に形成されることを特徴とする請求項３３に記載の液晶表示装置。
【請求項３６】
前記第一の線状電極は前記平坦化層よりも前記第一の基板に近い層に形成されることを特徴とする請求項３３乃至３５の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項３７】
前記第一の線状電極と前記第四の電極とが同層に形成されることを特徴とする請求項３３乃至３６の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項３８】
前記第一の線状電極と前記第四の電極とが異なる層に形成されることを特徴とする請求項３３乃至３６の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項３９】
前記第一の電極は当該画素の辺縁部に沿って環状をなす第一の導電膜からなり、
前記第二の線状電極は、第２基板の液晶側面に全面を覆うように形成され、画素の短手方向に並列され、前記第二の線状電極を挟むようにして形成される２つの開口部を有する第二の導電膜からなり、
前記第一の導電膜と前記第二の導電膜とが各画素の辺縁部に沿って重畳され、該重畳領域が画素の領域を囲む環状であることを特徴とする請求項３３乃至３８の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項４０】
前記画素の領域は、少なくとも、前記第一の電極と前記第二の電極とが第一の方向に延在する第一の画素領域と、前記第一の電極と前記第二の電極とが第二の方向に延在する第二の画素領域とからなることを特徴とする請求項３３乃至３９の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項１】
Ｘ方向に伸延しＹ方向に並設される走査信号線と、Ｙ方向に伸延しＸ方向に並設される映像信号線とを有する第二の基板と、液晶層を介して前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、
隣接画素との画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、
前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の前記凸状体の底面側から延在し、前記第二の基板の液晶側面に沿って伸延される下端側電極とからなり、前記画素の領域を挟んで対向する少なくとも一対の辺部に形成される前記側壁面電極と前記下端側電極とからなる第一の電極と、
前記第一の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記第一の電極の延在方向に伸延してなる第一の線状電極と、前記第二の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記前記第一の線状電極と前記液晶層を介して対峙するようにして伸延してなる第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、
前記画素の領域は、少なくとも、前記第一の電極と前記第二の電極とが第一の方向に延在する第一の画素領域と、前記第一の電極と前記第二の電極とが第二の方向に延在する第二の画素領域とからなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第一の基板は、カラー表示に対応する着色層と、少なくとの前記着色層との間の領域に形成される遮光膜と、前記着色層と前記遮光膜との上層に形成され、液晶側面を平坦化する平坦化層とを備え、
前記第一の線状電極は前記平坦化層よりも前記第一の基板に近い層に形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第二の基板の液晶面側に形成される第一の絶縁厚膜を有し、
前記第二の線状電極は前記第一の絶縁厚膜よりも前記第一の基板に近い層に形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第一の線状電極から前記第二の線状電極に至る間隔と前記液晶層厚との差が、１．５μｍ以上であることを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第一の線状電極と前記液晶層との距離が、１．５μｍ以上であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第二の線状電極と前記液晶層との距離が、１．５μｍ以上であることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第一の電極は当該画素の辺縁部に沿って環状をなす第一の導電膜からなり、
前記第二の線状電極は、第２基板の液晶側面に全面を覆うように形成され、画素の短手方向に並列され、前記第二の線状電極を挟むようにして形成される２つの開口部を有する第二の導電膜からなり、
前記第一の導電膜と前記第二の導電膜とが各画素の辺縁部に沿って重畳され、該重畳領域が画素の領域を囲む環状であることを特徴とする請求項１乃至６の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
Ｘ方向に伸延しＹ方向に並設される走査信号線と、Ｙ方向に伸延しＸ方向に並設される映像信号線とを有する第二の基板と、液晶層を介して前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、
隣接画素との画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、
前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の前記凸状体の底面側から延在し、前記第二の基板の液晶側面に沿って伸延される下端側電極とからなり、前記画素の領域を挟んで対向する少なくとも一対の辺部に形成される前記側壁面電極と前記下端側電極とからなる第一の電極と、
前記第一の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記第一の電極の延在方向に伸延してなる第一の線状電極と、前記第二の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記前記第一の線状電極と前記液晶層を介して対峙するようにして伸延してなる第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、
前記側壁面電極が形成される前記第二の基板側の下側辺縁部から前記第一の基板側の上側辺縁部に至る前記第一の電極の高さは、当該第一電極に挟まれる画素の領域における前記液晶層の厚さよりも大きく形成されてなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
前記第二の基板の液晶面側に形成される第一の絶縁厚膜と、前記第一の絶縁厚膜に形成され、前記画素の領域の辺部に沿う第一の溝部とを有し、
前記側壁面電極の底面側の辺縁部が前記第一の溝部の底面で前記下端側電極と一体に接続されることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第一の溝部は前記第一の絶縁厚膜を貫通して下層の薄膜層の表面が露出する貫通溝からなり、
前記第一の溝部から露出される下層の薄膜層表面に前記凸状体が立設されると共に、前記下端側電極が前記第一の溝部から露出される下層の薄膜層表面に沿って形成されることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第二の線状電極は前記第一の絶縁厚膜よりも前記第二の基板に近い層に形成されることを特徴とする請求項９又は１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記凸状体が立設される絶縁膜と、前記絶縁膜及び前記第一の電極を覆うようにして形成される第二の絶縁厚膜とを有し、
前記第二の絶縁厚膜は、前記凸状体の頭頂部の膜厚よりも前記一対の第一の電極に挟まれる領域の膜厚が大きく形成され、
前記一対の第一の電極に挟まれる領域における前記液晶層の厚さよりも前記前記第一の電極の高さが大きく形成されることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第一の電極を形成する前記側壁面電極は、前記第二の絶縁厚膜に覆われることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第二の線状電極は前記第二の絶縁厚膜よりも前記第二の基板に近い層に形成されることを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記第二の線状電極と前記液晶層との距離が、１．５μｍ以上であることを特徴とする請求項１１又は１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記第一の基板は、カラー表示に対応する着色層と、少なくとの前記着色層との間の領域に形成される遮光膜と、前記着色層と前記遮光膜との上層に形成され、液晶側面を平坦化する平坦化層とを備え、
前記平坦化層に形成され、前記画素の領域の辺部に沿う第二の溝部を有し、
前記凸状体の頭頂側が前記第二の溝部内に配置されることを特徴とする請求項８乃至１５の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記第一の線状電極は前記平坦化層よりも前記第一の基板に近い層に形成されることを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記第一の線状電極と前記液晶層との距離が、１．５μｍ以上であることを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記第一の線状電極から前記第二の線状電極に至る間隔と前記液晶層厚との差が、１．５μｍ以上であることを特徴とする請求項１１、１４又は１７に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記第一の電極高さと前記液晶層厚との差が、２μｍ以上であることを特徴とする請求項８乃至１９に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記第一の電極は当該画素の辺縁部に沿って環状をなす第一の導電膜からなり、
前記第二の線状電極は、第２基板の液晶側面に全面を覆うように形成され、画素の短手方向に並列され、前記第二の線状電極を挟むようにして形成される２つの開口部を有する第二の導電膜からなり、
前記第一の導電膜と前記第二の導電膜とが各画素の辺縁部に沿って重畳され、該重畳領域が画素の領域を囲む環状であることを特徴とする請求項８乃至２０の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
前記画素の領域は、少なくとも、前記第一の電極と前記第二の電極とが第一の方向に延在する第一の画素領域と、前記第一の電極と前記第二の電極とが第二の方向に延在する第二の画素領域とからなることを特徴とする請求項８乃至２１の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
Ｘ方向に伸延しＹ方向に並設される走査信号線と、Ｙ方向に伸延しＸ方向に並設される映像信号線とを有する第二の基板と、液晶層を介して前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、
隣接画素との画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、
前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の前記凸状体の底面側から延在し、前記第二の基板の液晶側面に沿って伸延される下端側電極とからなり、前記画素の領域を挟んで対向する少なくとも一対の辺部に形成される前記側壁面電極と前記下端側電極とからなる第一の電極と、
前記第一の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記第一の電極の延在方向に伸延してなる第一の線状電極と、前記第二の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記前記第一の線状電極と前記液晶層を介して対峙するようにして伸延してなる第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、
前記下端側電極よりも下層に形成され、前記下端側電極と絶縁膜を介して少なくともその一部が前記下端側電極と重畳して形成される第三の電極を備え、
前記第三の電極と前記第一の電極とが電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２４】
前記第一の電極と前記第三の電極との間に形成される絶縁膜は少なくとも第一の絶縁厚膜を有し、
前記第三の電極は、前記第一の絶縁厚膜よりも前記第一の基板に近い層に形成されることを特徴とする請求項２３に記載の液晶表示装置。
【請求項２５】
前記第三の電極は、前記映像信号線と同層に形成されることを特徴とする請求項２３又は２４に記載の液晶表示装置。
【請求項２６】
前記第一の電極と前記第三の電極とが、前記液晶層厚方向に２．０μｍ以上離間して形成されることを特徴とする請求項２３乃至２５の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項２７】
前記第二の線状電極は前記第一の絶縁厚膜よりも前記第一の基板に近い層に形成されることを特徴とする請求項２３乃至２６の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項２８】
前記第二の線状電極と前記液晶層との距離が、１．５μｍ以上であることを特徴とする請求項２７に記載の液晶表示装置。
【請求項２９】
前記第一の基板は、カラー表示に対応する着色層と、少なくとの前記着色層との間の領域に形成される遮光膜と、前記着色層と前記遮光膜との上層に形成され、液晶側面を平坦化する平坦化層とを備え、
前記第一の線状電極は前記平坦化層よりも前記第一の基板に近い層に形成されることを特徴とする請求項２３乃至２８の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項３０】
前記第一の線状電極と前記液晶層との距離が、１．５μｍ以上であることを特徴とする請求項２９に記載の液晶表示装置。
【請求項３１】
前記第一の線状電極から前記第二の線状電極に至る間隔と前記液晶層厚との差が、１．５μｍ以上であることを特徴とする請求項２７又は２９に記載の液晶表示装置。
【請求項３２】
前記画素の領域は、少なくとも、前記第一の電極と前記第二の電極とが第一の方向に延在する第一の画素領域と、前記第一の電極と前記第二の電極とが第二の方向に延在する第二の画素領域とからなることを特徴とする請求項２３乃至３１の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項３３】
Ｘ方向に伸延しＹ方向に並設される走査信号線と、Ｙ方向に伸延しＸ方向に並設される映像信号線とを有する第二の基板と、液晶層を介して前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、
隣接画素との画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、
前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の前記凸状体の底面側から延在し、前記第二の基板の液晶側面に沿って伸延される下端側電極とからなり、前記画素の領域を挟んで対向する少なくとも一対の辺部に形成される前記側壁面電極と前記下端側電極とからなる第一の電極と、
前記第一の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記第一の電極の延在方向に伸延してなる第一の線状電極と、前記第二の基板側の前記画素の領域内に形成され、前記前記第一の線状電極と前記液晶層を介して対峙するようにして伸延してなる第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、
前記第一の基板側に形成され、平面的に見て前記第一の電極と重畳配置される第四の電極を有し、
前記第四の電極と前記第二の電極に同じ信号が供給されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３４】
前記第一の基板は、カラー表示に対応する着色層と、少なくとの前記着色層との間の領域に形成される遮光膜と、前記着色層と前記遮光膜との上層に形成され、液晶側面を平坦化する平坦化層とを備え、
前記第四の電極は前記平坦化層よりも前記第一の基板に近い層に形成されることを特徴とする請求項３３に記載の液晶表示装置。
【請求項３５】
前記第一の基板は、カラー表示に対応する着色層と、少なくとの前記着色層との間の領域に形成される遮光膜と、前記着色層と前記遮光膜との上層に形成され、液晶側面を平坦化する平坦化層とを備え、
前記第四の電極は前記平坦化層よりも前記液晶層に近い層に形成されることを特徴とする請求項３３に記載の液晶表示装置。
【請求項３６】
前記第一の線状電極は前記平坦化層よりも前記第一の基板に近い層に形成されることを特徴とする請求項３３乃至３５の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項３７】
前記第一の線状電極と前記第四の電極とが同層に形成されることを特徴とする請求項３３乃至３６の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項３８】
前記第一の線状電極と前記第四の電極とが異なる層に形成されることを特徴とする請求項３３乃至３６の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項３９】
前記第一の電極は当該画素の辺縁部に沿って環状をなす第一の導電膜からなり、
前記第二の線状電極は、第２基板の液晶側面に全面を覆うように形成され、画素の短手方向に並列され、前記第二の線状電極を挟むようにして形成される２つの開口部を有する第二の導電膜からなり、
前記第一の導電膜と前記第二の導電膜とが各画素の辺縁部に沿って重畳され、該重畳領域が画素の領域を囲む環状であることを特徴とする請求項３３乃至３８の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項４０】
前記画素の領域は、少なくとも、前記第一の電極と前記第二の電極とが第一の方向に延在する第一の画素領域と、前記第一の電極と前記第二の電極とが第二の方向に延在する第二の画素領域とからなることを特徴とする請求項３３乃至３９の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図４７】
【図４８】
【図４９】
【図５０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図４７】
【図４８】
【図４９】
【図５０】
【公開番号】特開２０１３−２０１５９（Ｐ２０１３−２０１５９Ａ）
【公開日】平成２５年１月３１日（２０１３．１．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１５４４４０（Ｐ２０１１−１５４４４０）
【出願日】平成２３年７月１３日（２０１１．７．１３）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社ジャパンディスプレイイースト (2,552)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月３１日（２０１３．１．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月１３日（２０１１．７．１３）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社ジャパンディスプレイイースト (2,552)
【Ｆターム（参考）】
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