【課題】製造コストを大幅に増大させずに情報を記録することができるとともに、情報を容易に再生することのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、外周領域１０ｃに複数の容量素子５６を形成しておき、外部からいずれの容量素子５６に高い電圧を印加して絶縁破壊させるかによって、電気光学装置１００の一つ一つにＩＤ等情報を記録する。容量素子５６は、ダミー画素１００ｂに設けた蓄積容量５５であり、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線５ｂのうち、外周領域１０ｃで延在している部分を配線として利用して、容量素子５６への電圧印加および信号検出を行う。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 直線的に延出した画素電極を備えた第１基板と、絶縁基板と、前記絶縁基板の前記第１基板と対向する内面に配置されたシールド電極と、前記画素電極を挟んだ両側で前記画素電極と略平行に延出した共通電極と、前記シールド電極と前記共通電極との間に配置された誘電体層と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】広い視野角を有しており、かつ従来と比べて製造コストが低い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜１０１上に形成され、トランジスタのソース１０２ｄ、チャネル領域１０２ｃ、及びドレイン１０２ｂが形成された島状の第１の半導体膜１０２と、ソース１０２ｄ又はドレイン１０２ｂとなる第１の半導体膜１０２と同一の材料から構成され、下地絶縁膜１０１上に形成された第１の電極１０２ｃと、第１の電極１０２ｃの上方に形成され、第１の開口パターン１１２を有する第２の電極１０８と、第２の電極１０８の上方に配置された液晶１１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】フリッカの発生を抑制しつつ、低消費電力化を実現することの可能な表示装置およびそれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】表示装置は、液晶層と、液晶層との対向領域に配置され、液晶層に電圧を印加する複数の画素電極と、液晶層との関係で環境光の入射する側に配置された位相差層および偏光板と、複数の部分電極からなる画素電極を駆動する駆動回路とを有している。駆動回路は、液晶表示パネルが白表示となる定電圧を印加する部分電極を映像信号に応じて選択するとともに、フレームレートを６０Ｈｚ未満にして各画素の発光面積を変調することにより階調表示を行うようになっている。 （もっと読む）

【課題】表示領域に平坦化膜が形成された配向が均一で良好な構造で、蓄積容量を小面積で大きく確保し、高開口率化できるアクティブマトリクス型液晶表示装置の提供。
【解決手段】ソース電極１０６上の一部に、平坦化膜１０８が存在しない凹部領域１１４がある。凹部領域１１４において、透明導電膜からなる共通電極１１０が、ソース電極１０６を覆って第２蓄積容量１４２を形成している。 （もっと読む）

【課題】制御性が良く、安定して動作する可変容量素子を提供する。消費電力が少なく、表示品位の良い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】印加される電界により、ｎ型またはｉ型となる半導体、もしくは、ｐ型またはｉ型となる半導体を用いて可変容量素子を構成する。容量素子を構成する第１の電極と第２の電極の間に、誘電体層として絶縁層と上記半導体層の積層を設ける。第１の電極を誘電体層側に設け、第２の電極を半導体層側に設けた時に、第１の電極と半導体層が重畳する面積Ｃ１よりも、第１の電極と半導体層と第２の電極が重畳する面積Ｃ２の方を小さくなるようにする。動画像表示と静止画像表示で駆動方法を切り替える液晶表示装置に可変容量素子を適用することで、消費電力が少なく、表示品位の良い液晶表示装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】広い視野角を有しており、かつ従来と比べて製造コストが低い液晶表示装置を提
供する。
【解決手段】下地絶縁膜１０１上に形成され、トランジスタのソース１０２ｄ、チャネル
領域１０２ｃ、及びドレイン１０２ｂが形成された島状の第１の半導体膜１０２と、ソー
ス１０２ｄ又はドレイン１０２ｂとなる第１の半導体膜１０２と同一の材料から構成され
、下地絶縁膜１０１上に形成された第１の電極１０２ｃと、第１の電極１０２ｃの上方に
形成され、第１の開口パターン１１２を有する第２の電極１０８と、第２の電極１０８の
上方に配置された液晶１１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】画素部の薄膜トランジスタにおけるゲート・ソース間容量のばらつきを抑制することが可能な技術を提供する。
【解決手段】画素の領域毎に形成される画素電極ＰＸと、画素電極を駆動する薄膜トランジスタとを備える表示装置において、薄膜トランジスタは、対角位置に形成される第１の角部Ｂ及び第２の角部Ｃと、前記第１の角部Ｂが形成される第１の辺と前記第２の角部Ｃが形成される第２の辺とを共有する第３の角部とを有し、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート線ＧＬに接続されるゲート電極と重畳して形成される半導体層ＡＳと、前記ドレイン線ＤＬからその一部が延在して形成され、前記第３の角部と重畳されるドレイン電極ＤＴと、一端が前記第１の角部Ｂに重畳して形成され、他端が前記画素電極と接続される第１のソース電極ＳＴ１と、一端が前記第２の角部Ｃと重畳して形成され、他端が前記画素電極ＰＸと接続される第２のソース電極ＳＴ２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置における視角依存性を低下できるようにする。
【解決手段】液晶表示装置１は、走査線１６と、信号線１５と、小副画素電極２１１と、小副画素電極２１１に隣接して設けられた大副画素電極２２１と、信号線１５と小副画素電極２１１との間の接続を開閉するスイッチ素子２１２と、信号線１５と大副画素電極２２１との間の接続を開閉するスイッチ素子２２２と、共通電極１４と、大副画素電極２２１に対向する補助電極線１９２と、走査線１６を順次選択する走査ドライバ４０と、階調信号を信号線１５に出力するデータドライバ３０と、データドライバ３０による階調信号の出力に同期して反転する波形信号を生成し、その波形信号を補助電極配線１９２に出力する波形信号生成回路７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、比較的簡易な構成で、各画素の残存電圧を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、基板上の表示領域（１０ａ）で互いに交差する走査線（３ａ）及びデータ線（６ａ）と、走査線及びデータ線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極及び画素電極に絶縁膜（７５）を介して対向配置される導電膜（９ｂ）からなる蓄積容量（７０）と、画素電極及び導電膜の少なくとも一方を延在し、画素電極及び導電膜を互いに電気的に接続する抵抗部（２００）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は押圧位置を直接に検出できるタッチパネル式液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】データ信号電圧を生成するソースドライバー１０４と、スキャン信号を生成するゲートドライバー１０２と、マトリックス型に配列される複数の画素ユニット２００と、複数の検知回路２１０と、複数の検知回路２１０に出力された動的電流を比較してその発信元を判断する判断ユニット１０８とを含む液晶表示器において、該複数の画素ユニット２００はいずれも、データ信号電圧を導通させるスイッチトランジスター２０２と、データ信号電圧に基づいて複数の液晶分子の配列を調整する液晶容量とを含み、該複数の検知回路２１０はいずれも、固定電圧端による所定の固定電圧を導通させる第一トランジスター２１１と、動的電圧を生成する感知ユニットと、動的電圧に基づいて動的電流を生成する第二トランジスター２１２と、動的電流を導通させる第三トランジスターと２１３を含む。 （もっと読む）

【課題】表示装置にタッチセンサ機能を付加することにより、良好な画像を提供することができるとともに、装置の小型化を図ることのできるタッチセンサ機能付き表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置１０は、タッチ面２１１のタッチ位置を検出するタッチセンサ６を有するとともに、ＴＦＴアレイ基板３を有している。ＴＦＴアレイ基板３には、複数の画素電極８３と、各画素電極８３との間に容量を形成する複数の容量線８５とが形成されている。タッチセンサ６は、各画素電極８３に対応する複数の画素領域Ｐから選択され他タッチ位置検出用画素領域ＰＴを充電する際の電位上昇率を検知する電位上昇率検知手段９６を有し、電位上昇率検知手段９６により検知された電位上昇率が所定範囲外であるタッチ位置検出用画素領域ＰＴの位置を前記タッチ位置として検出する。 （もっと読む）

【課題】 ８ドメインのＡＭＶＡ方式液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】 液晶表示装置の書くピクセルは、メインピクセル、サブピクセル、抵抗器及び第３スイッチエレメントを含む。該第３スイッチエレメントは、メインピクセル及びサブピクセルの充電時間を制御するために使用される。前ピクセルのメインピクセルのデータ信号は、メインピクセル及びサブピクセルを充電するために使用される、次にデータが、そのサブピクセル及びメインピクセルに送信され、サブピクセルへのデータ送信経路がオフに切り替えられ、そのデータはメインピクセルだけに送信される。この方法を使用する液晶表示パネルは、そのパネルに対する８ドメインのＡＭＶＡ構造を実現するために、そのパネルの上部及び底部のそれぞれに１つのゲートラインを加える必要だけがある。 （もっと読む）

【課題】少ないマスク数で表示特性が良好な表示装置を作製する。
【解決手段】第１の導電膜と、該第１の導電膜上に絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第２の導電膜をこの順に積層した薄膜積層体と、を形成し、第１のエッチングにより前記第１の導電膜を露出させつつ、少なくとも前記薄膜積層体のパターンを形成し、第２のエッチングにより第１の導電膜のパターンを形成し、第３のエッチングにより第２の導電膜を所望の形状とすることでソース電極及びドレイン電極層を形成することで薄膜トランジスタを作製し、この薄膜トランジスタを覆って保護膜を形成し、該保護膜に開口部を形成し、該保護膜上に画素電極層を選択的に形成することで前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極層と画素電極層を接続させる。そして、前記開口部の形成に際して不要な半導体層等をエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】例えば、液晶装置等の電気光学装置の製造に要するコスト削減と、表示性能の向上とを同時に実現する。
【解決手段】ＴＦＴ（３０）は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上において下側容量電極（８０ａ）及び（８０ｂ）と同層に形成された半導体層（３０ａ）と、その上に形成されたゲート絶縁膜（３０ｂ）と、ゲート電極（３０ｃ）とを備えて構成されている。半導体層（３０ａ）は、ＴＦＴアレイ基板（１０）の厚み方向に沿った厚みよりＴＦＴアレイ基板（１０）の基板面に沿った幅が大きくなるように形成されている。したがって、ＴＦＴ（３０）及び保持容量（７０）によれば、液晶装置（１）の製造時に、ポリシリコン等の半導体からなる下側容量電極（８０ａ）及び（８０ｂ）と共通の工程によってＴＦＴ（３０）を形成可能であり、液晶装置（１）の製造プロセスを簡略化でき、且つ製造コストの低減できる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、蓄積容量を大きく確保しつつ、画素領域における開口率を高める。
【解決手段】電気光学装置は、基板１０上に、画素電極９と、画素電極の下層側に誘電体膜７２を介して画素電極に対向するように設けられ、画素の各々における開口領域を、画像表示領域全体に渡って合計した合計面積よりも広く形成された容量電極７１とを備える。 （もっと読む）

【課題】補助容量の容量を減少させることなく遮光性のある補助容量線の面積を縮小し、開口率を向上させることができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層に紫外線を照射することにより高導電率化されたソース領域を構成し、補助容量線を画素電極とソース領域との間にそれぞれ絶縁層を介して形成する。補助容量線と画素電極との間に形成される補助容量に加え、ソース領域と補助容量線との間で形成される容量分だけ総補助容量を増加させることが可能となるため、その分だけ補助容量線の面積を縮小することができ、開口率が向上する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、蓄積容量の単位面積あたりの容量値を大きくすると共に、例えば液晶等の電気光学物質の配向不良を低減し、高画質な画像表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素電極（９）と、画素電極上に形成された配向膜（１６）と、画素電極の下層側に誘電体膜を介して画素電極に対向する容量電極（７１）とを備える。画素電極のグレインサイズは、容量電極のグレインサイズよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】狭額縁化が可能であるとともに、額縁サイズを拡大することなく高精細化が可能な液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】 液晶表示パネル１００のアレイ基板２００は、アクティブエリアの行方向Ｈに延出するように配置されたゲート線Ｙと、アクティブエリアの列方向Ｖに延出しゲート線と絶縁膜を介して交差するように配置されたゲート接続配線ＹＣと、ゲート線とゲート接続配線とを電気的に接続するコンタクト部ＣＴと、アクティブエリアにおいてゲート接続配線と平行に延出するように配置されたソース線Ｘと、列方向の延長線上に位置するアクティブエリア外の一辺に沿って配置されゲート接続配線に接続されゲート線に信号を供給するための第１パッドＰＧ及びソース線に接続され信号を供給するための第２パッドＰＳを備えた信号供給部１３１と、を備え、第１パッドと第２パッドとが交互に配置されたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜として有機絶縁膜を用いた場合にも気泡が生じ難い液晶パネルを提供する。
【解決手段】本発明の液晶パネルは、一対の基板３０，４０間に液晶層５０を挟持してなる液晶パネルであって、基板３０には、スイッチング素子６０と、前記スイッチング素子６０上に配された有機絶縁膜９７と、前記有機絶縁膜９７に形成されたコンタクトホール６５と、前記コンタクトホール６５を介して前記スイッチング素子６０と電気的に接続された画素電極４４と、前記画素電極４４よりも前記液晶層５０側に配された配向膜４５と、が形成され、前記配向膜４５と前記有機絶縁膜９７との間には、前記有機絶縁膜９７よりも吸湿性の低い低吸湿絶縁膜６８が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）