【課題】広い視野角を有しており、かつ従来と比べて製造コストが低い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜１０１上に形成され、トランジスタのソース１０２ｄ、チャネル領域１０２ｃ、及びドレイン１０２ｂが形成された島状の第１の半導体膜１０２と、ソース１０２ｄ又はドレイン１０２ｂとなる第１の半導体膜１０２と同一の材料から構成され、下地絶縁膜１０１上に形成された第１の電極１０２ｃと、第１の電極１０２ｃの上方に形成され、第１の開口パターン１１２を有する第２の電極１０８と、第２の電極１０８の上方に配置された液晶１１０とを具備する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上のゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の半導体層と、
前記ゲート絶縁膜上の第１の電極と、
前記半導体層及び前記第１の電極上の絶縁層と、
前記絶縁層上の画素電極と、
前記画素電極上の液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記半導体層及び前記第１の電極はインジウムと亜鉛を有し、
前記画素電極は前記絶縁層を挟んで前記第１の電極と容量素子を形成し、
前記画素電極は前記半導体層と電気的に接続していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
第１の基板と
前記第１の基板上のゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁膜上の半導体層と、
前記ゲート絶縁層上の共通電極と、
前記半導体層及び前記共通電極上に絶縁層と、
前記絶縁層上に画素電極と、
前記画素電極上に液晶層と、
前記液晶層上に第２の基板とを有する液晶表示装置であって、
前記半導体層と前記共通電極はインジウムと亜鉛を有し、
前記画素電極と前記共通電極と前記絶縁層とは容量素子を形成し、
前記画素電極は前記半導体層と電気的に接続していることを特徴とする液晶表示装置。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３１】

【図３２】

【図３３】

【図３４】

【公開番号】特開２０１３−１１９１０（Ｐ２０１３−１１９１０Ａ）
【公開日】平成２５年１月１７日（２０１３．１．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２２９０３１（Ｐ２０１２−２２９０３１）
【出願日】平成２４年１０月１６日（２０１２．１０．１６）
【分割の表示】特願２０１１−２５９２４８（Ｐ２０１１−２５９２４８）の分割
【原出願日】平成１９年４月５日（２００７．４．５）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】