【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】保護膜溶液組成物を提供すること。
【解決手段】下記の化学式１で表わされる有機シロキサン樹脂を含む保護膜溶液組成物：



・・・化学式１
（式中、Ｒは１乃至２５個の炭素を有する飽和炭化水素または不飽和炭化水素から選ばれた少なくとも一つの置換基であり、ｘ、ｙはそれぞれ１乃至２００であり、各波線は水素原子、ｘシロキサン単位またはｙシロキサン単位との結合を示すか、あるいは、ｘシロキサン単位、ｙシロキサン単位またはこれらの組み合わせを含む他の有機シロキサン鎖のｘシロキサン単位またはｙシロキサン単位との結合を示す）。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、オン電流の低下を抑制すること。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくともゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜において、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが５ｎｍ以下の第１の領域は、シリコンの濃度が１．０原子％以下であり、酸化物半導体膜の第１の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さくする。 （もっと読む）

【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供す
る。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に
露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残
し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。ＴＦＴの
ソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としてい
る。 （もっと読む）

【課題】 有機樹脂膜を有するTFTアレイ基板の製造工程において、ブラシ洗浄の際に異物が有機平坦化膜表面にキズを生じさせることがある。このようにキズが生じた有機平坦化膜上に、画素電極となる透明電極膜を成膜した場合、キズ上の透明電極膜も断線してしまい、画素電極に信号が伝わらず表示不良を引き起こすことがある。
【解決手段】 有機平坦化膜を塗布する工程と、中間調露光を用いて有機平坦化膜に凹凸を形成する工程と、凹凸が形成された有機平坦化膜表面をロールブラシを用いて洗浄する工程と、洗浄工程後に、有機平坦化膜上に画素電極を構成する透明導電膜を成膜する工程とを備えた薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 グレイトーンマスクを用いたＴＦＴ基板の製造工程において、高画質かつ低価格の液晶パネルを高い歩留まりで生産し続けることが可能な露光装置および露光方法を提供すること。
【解決手段】 照明光学系と投影光学系を有する露光装置において、照明光学系内部に有効光源形状を変化させる有効光源形状調整手段と、投影光学系内部に静止ディストーションのばらつきを変化させる静止ディストーションばらつき調整手段と、プレートステージ上にあってマスク上のパターンを結像する２次元センサと、２次元センサが撮像した結果に基づき前記有効光源形状調整手段もしくは前記静止ディストーションばらつき調整手段のうち、少なくとも一つを調整する調整部を持つ。調整部は同一パターン内の光強度分布を調整することにより有効光源形状調整手段もしくは静止ディストーションばらつき調整手段を調整する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を使用する薄膜トランジスタの特性を向上させることができる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板を提供する。本発明の一実施形態に係る薄膜トランジスタ表示板は、基板の上に配置するゲート配線層、前記ゲート配線層の上に配置する酸化物半導体層、及び前記酸化物半導体層の上に配置して、前記ゲート配線層と交差するデータ配線層を含み、前記データ配線層は銅を含む主配線層、及び前記主配線層の上に配置して、銅合金を含むキャッピング層を含む。 （もっと読む）

【課題】基板上における所定の形成層のパターニング可能領域を最大限確保することができ、かつ精度の良い装置が製造可能な半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】ＴＦＴ基板のゲート配線形成工程は以下のステップ(a) ，(b) を実行することによって行う。ステップ(a) ：２つのレチクルを順次用いて、所定のレジスト上の露光領域ＲＡ１及びＲＡ２を露光した後、現像することによりゲート配線用レジストパターン１１を得る。この際、露光領域ＲＡ１及びＲＡ２の重複領域ＤＡ１にゲート配線用レジストパターン１１の一部に凹部７ａ〜７ｃからなる位置補正用パターン７を併せて形成する。ステップ(b) ：ステップ(a) で得たゲート配線用レジストパターン１１を用いて下地の配線用材料をパターニングしてゲート配線及び容量配線を得る。 （もっと読む）

【課題】画素アレイ部と駆動回路部とで電気光学物質の厚みに局部的なばらつきが生じ難い表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置を構成する一方の基板は、画素アレイ部、及び、駆動回路部を含み、画素アレイ部は、マトリクス状に配列された画素を有し、各画素は、画素電極、及び、画素電極を駆動する画素用薄膜トランジスタ４を備えており、各画素は、画素用薄膜トランジスタ４が形成された非開口領域、並びに、開口領域に分けられ、画素用薄膜トランジスタ４は、層間絶縁膜１０及び平坦化膜５で覆われており、開口領域には、非開口領域に形成された平坦化膜５が延在しており、画素アレイ部の開口領域における平坦化膜５の厚さは、駆動回路部における平坦化膜５の厚さよりも厚く、画素アレイ部の開口領域の上方に位置する電気光学物質層３の部分の厚さと、駆動回路部の上方に位置する電気光学物質層３の部分の厚さは同じである。 （もっと読む）

【課題】広い視野角を有しており、かつ従来と比べて製造コストが低い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜１０１上に形成され、トランジスタのソース１０２ｄ、チャネル領域１０２ｃ、及びドレイン１０２ｂが形成された島状の第１の半導体膜１０２と、ソース１０２ｄ又はドレイン１０２ｂとなる第１の半導体膜１０２と同一の材料から構成され、下地絶縁膜１０１上に形成された第１の電極１０２ｃと、第１の電極１０２ｃの上方に形成され、第１の開口パターン１１２を有する第２の電極１０８と、第２の電極１０８の上方に配置された液晶１１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第１の絶
縁膜に酸素原子を供給し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに
、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半
導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された
酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳す
る領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】柱状スペーサを用いてＴＦＴ基板と対向基板の間隔を規定する液晶表示装置において、柱状スペーサと配向膜の摩擦によって配向膜が削れて輝点が発生することを防止する。
【解決手段】柱状スペーサ１５０は、ＴＦＴ基板１００の有機パッシベーション膜１０１に形成された凹凸台座１３０と接触し、画素部における対向基板２００とＴＦＴ基板１００との間隔を規定する。凹凸台座１３０の底面には凹凸が形成され、柱状スペーサ１５０は２個以上の凸部と接触する。凸部には配向膜１０５が存在しないので、柱状スペーサ１５０が横ずれしても配向膜削れを生じない。また、凸部は、有機パッシベーション膜１０１の凹凸台座１３０が形成されていない平坦部よりも低いので、液晶表示装置の中央のギャップを周辺のギャップよりも小さくすることが出来、液晶表示装置が温度上昇しても気泡が生じにくい。 （もっと読む）

【課題】基板交換を迅速に行うことができる基板ステージを提供する。
【解決手段】基板ステージ２０が基板搬出装置７０を有しているので、基板Ｐの搬出を迅速に行うことができる。また、基板ステージ２０は、Ｙ粗動ステージ２３ｙと、Ｙ粗動ステージ２３ｙ上に搭載されたＸ粗動ステージ２３ｘと有し、基板搬出装置７０がＹ粗動ステージ２３ｙに取り付けられている。従って、基板搬出装置７０を備えているにも拘わらず、スキャン露光時に移動するＸ粗動ステージ２３ｘの制御性を損なわない。 （もっと読む）

【課題】高い表示品位を有する表示装置用の薄膜トランジスタ基板およびこれらを生産効率よく実現することができる製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上の複数の部分に配設された半導体膜２と、半導体膜２上に、該半導体膜２と接し互いに離間して配設されたソース電極およびドレイン電極４と、半導体膜２、ソース電極３およびドレイン電極４を覆うゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６を介して、ソース電極３およびドレイン電極４の間に跨るように配設された、ゲート電極７とを有した薄膜トランジスタ２０１と、半導体膜２上に、該半導体膜と接して配設された補助容量電極１０と、下層に半導体膜２を有してソース電極から延在するソース配線３１と、ゲート電極７から延在するゲート配線７１と、ドレイン電極４に電気的に接続された画素電極９と、隣り合う画素の補助容量電極１０どうしを電気的に接続する、補助容量電極接続配線１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】段差部にて、絶縁膜の両側に形成される電極同士が短絡する恐れのない液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１の基板は、アクティブ素子と、前記アクティブ素子よりも上層に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられた第１の電極と、前記第１の電極よりも上層に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜よりも上層に設けられた第２の電極とを有し、前記第１の絶縁膜は、第１のコンタクトホールを有し、前記第２の絶縁膜は、前記第１の電極と前記第２の電極との間と、前記第１のコンタクトホール内とに一体的に形成されており、前記第１のコンタクトホール内の前記第２の絶縁膜には、第２のコンタクトホールが形成されており、前記第２の絶縁膜は、第１の膜厚で形成した後、前記第２の電極を形成する前に前記第１の膜厚よりも薄い第２の膜厚まで薄膜化されて形成される。 （もっと読む）

【課題】層数を減らしたＩＰＳ方式の液晶表示装置において、画素電極パターニング時の現像液によって、映像信号線が断線することを防止する。
【解決手段】ゲート絶縁膜１０２の上に映像信号線２０および画素電極１０６を形成するＩＴＯが存在している。ＩＴＯにはピンホールが存在している。ＩＴＯのパターニングのためのレジスト２００は、画素電極パターンとともに、映像信号線を覆うように形成する。映像信号線を覆ってレジストが形成されているので、レジスト現像時の現像液によって、映像信号線が侵されて、映像信号線が断線することを防止することが出来る。その後、ＩＴＯをエッチングする。ＩＴＯは、画素電極部分と、映像信号線を、上面および側面を覆った形で存在する。よって、ＩＴＯパターニング時の現像液による映像信号線の断線を防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で製造歩留まりを向上させることが可能なデバイスの製造方法および表示装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】基板１１上にデバイス（ＴＦＴ層１２）を形成する工程は、薄膜を形成する工程（工程Ｓ１１）と、薄膜上にフォトレジスト膜を形成する工程（工程Ｓ１２）と、露光マスクＭ１を用いてフォトレジスト膜に対して露光を行う露光工程（工程Ｓ１３）と、露光がなされたフォトレジスト膜をエッチングする工程（工程Ｓ１５）とを含んでいる。露光工程では、フォトレジスト膜に対する露光を複数回連続して行う（工程Ｓ１３１，Ｓ１３２）。これにより、製造工程の増加を抑えつつ、異物の混入等に起因した薄膜パターンにおけるエッチング不良を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】フレキシブルな基板を用いても、高い精度で薄膜トランジスタを形成することができる薄膜トランジスタの製造装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板上に薄膜トランジスタを製造する製造装置であり、基板に関する基板情報を取得する取得部と、取得部で得られた基板に関する基板情報に基づいて、基板の伸縮強度が高い方向を特定し、伸縮強度が高い方向と薄膜トランジスタのチャネル領域を挟んでソース電極およびドレイン電極が配置される配置方向とが直交するように薄膜トランジスタを形成する向きを設定する設定部とを有する。 （もっと読む）

【課題】被加工体に微細なピッチ幅のライン・アンド・スペース・パターンを形成する場合であっても、追加投資を殆ど必要とせずにパターニングを行う。
【解決手段】被加工体をエッチングする際のエッチング条件に基づくサイドエッチング幅αを決定し、サイドエッチング幅αと、膜パターンのライン幅Ｗ_Ｌ、スペース幅Ｗ_Ｓとに基づき、転写用パターンのライン幅Ｍ_Ｌ、スペース幅Ｍ_Ｓを決定し、更に、決定したライン幅Ｍ_Ｌ、スペース幅Ｍ_Ｓの転写用パターンをもつフォトマスクを用いた露光と、エッチングとによって、被加工体に、ライン幅Ｗ_Ｌ、スペース幅Ｗ_Ｓのライン・アンド・スペースの膜パターンが形成されるように、露光時に適用する露光条件と、半透光膜の光透過率とを決定する。 （もっと読む）

【課題】半透過型液晶表示装置において、反射電極と透明電極とを構成する場合、２つの
レジストマスクを用いるため、コストが高い。
【解決手段】画素電極となる透明電極と反射電極を積層させる。反射電極上に半透部を有
する露光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジ
ストパターンを形成する。レジストパターンを用いて反射電極と透明電極とを形成する。
以上により、１つのレジストマスクを用いて、反射電極と透明電極を形成することが可能
となる。 （もっと読む）