デバイスの製造方法、表示装置の製造方法、表示装置および電子機器
【課題】簡易な工程で製造歩留まりを向上させることが可能なデバイスの製造方法および表示装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】基板１１上にデバイス（ＴＦＴ層１２）を形成する工程は、薄膜を形成する工程（工程Ｓ１１）と、薄膜上にフォトレジスト膜を形成する工程（工程Ｓ１２）と、露光マスクＭ１を用いてフォトレジスト膜に対して露光を行う露光工程（工程Ｓ１３）と、露光がなされたフォトレジスト膜をエッチングする工程（工程Ｓ１５）とを含んでいる。露光工程では、フォトレジスト膜に対する露光を複数回連続して行う（工程Ｓ１３１，Ｓ１３２）。これにより、製造工程の増加を抑えつつ、異物の混入等に起因した薄膜パターンにおけるエッチング不良を低減することができる。
【解決手段】基板１１上にデバイス（ＴＦＴ層１２）を形成する工程は、薄膜を形成する工程（工程Ｓ１１）と、薄膜上にフォトレジスト膜を形成する工程（工程Ｓ１２）と、露光マスクＭ１を用いてフォトレジスト膜に対して露光を行う露光工程（工程Ｓ１３）と、露光がなされたフォトレジスト膜をエッチングする工程（工程Ｓ１５）とを含んでいる。露光工程では、フォトレジスト膜に対する露光を複数回連続して行う（工程Ｓ１３１，Ｓ１３２）。これにより、製造工程の増加を抑えつつ、異物の混入等に起因した薄膜パターンにおけるエッチング不良を低減することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）等のデバイスの製造方法および表示装置の製造方法、ならびにそのようなデバイスを備えた表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置に用いられるアレイ基板では、ガラス基板等からなる基板上に、スイッチング素子としてのＴＦＴ、容量素子、配線（走査線，信号線など）および電極（画素電極など）等の各種のデバイス（素子）が形成されている。
【０００３】
これらのデバイスは、一般に、一連のフォトリソグラフィ工程、すなわち、成膜、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチングおよびフォトレジスト剥離からなる工程を複数回にわたって行うことにより形成される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１１９０３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、このようなフォトリソグラフィ工程において、フォトレジスト膜を露光する前に、例えばフォトレジスト膜上あるいはフォトマスク（露光マスク）上に異物（パーティクル）が存在すると、エッチングの際に所望のパターンを形成することができなくなる。このため、エッチング不良が発生し、配線上の断線、あるいは短絡（ショート）を引き起こす原因となる。その結果、場合によっては、点状欠陥または線状欠陥となり、製造歩留まりが低下してしまうことになる。
【０００６】
そこで、上記特許文献１では、上記した一連のフォトリソグラフィ工程を２回行う（２回のパターニングによって２回エッチングを行う）手法が提案されている。この手法により、上記した異物の混入等に起因したエッチング不良（短絡不良等）の発生を低減することが可能となっている。
【０００７】
ところが、この手法では一連のフォトリソグラフィ工程を２回行っていることから、製造工程が増加し、タクトタイムおよび製造コストが増加してしまうという問題があった。これらのことから、簡易な工程で製造歩留まりを向上させることが可能な製造方法、および製造不良を低減することが可能な表示装置等の実現が望まれる。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、簡易な工程で製造歩留まりを向上させることが可能なデバイスの製造方法および表示装置の製造方法を提供することである。
【０００９】
また、本発明の第２の目的は、製造不良を低減することが可能な表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のデバイスの製造方法は、基板上にデバイスを形成する工程を含み、このデバイスを形成する工程が、薄膜を形成する工程と、この薄膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、露光マスクを用いてフォトレジスト膜に対して露光を行う露光工程と、露光がなされたフォトレジスト膜をエッチングする工程とを含むようにしたものである。上記露光工程では、フォトレジスト膜に対する露光を複数回連続して行う。
【００１１】
本発明の表示装置の製造方法は、基板上に、デバイスおよび表示層を形成する工程を含み、このデバイスを形成する工程が、上記薄膜を形成する工程と、上記フォトレジスト膜を形成する工程と、上記露光工程と、上記フォトレジスト膜をエッチングする工程とを含むようにしたものである。
【００１２】
本発明のデバイスの製造方法および表示装置の製造方法では、基板上にデバイスを形成する際に、薄膜上のフォトレジスト膜に対して複数回の露光がなされたのち、フォトレジスト膜に対するエッチングが行われる。これにより、フォトレジスト膜に対する露光量が増加する（フォトレジスト膜における感光量が増加する）ため、例えば異物の混入等に起因した薄膜パターンにおけるエッチング不良（例えば、導電パターン間の短絡不良等）の発生が低減される。また、このような複数回の露光が連続して行われることにより、例えば一連のフォトリソグラフィ工程全体（フォトレジスト膜の形成、露光、エッチングおよびフォトレジスト膜の剥離等）を複数回連続して行う場合と比べ、製造工程が少なくて済む（製造工程の増加が抑えられる）。
【００１３】
本発明の表示装置は、基板上に、薄膜を含む複数のデバイスと表示層とを備え、複数のデバイスのうちの互いに離隔して隣接する一対のデバイス同士において、少なくとも一方の側の薄膜に、他方側への張り出し部が設けられているものである。
【００１４】
本発明の電子機器は、上記本発明の表示装置を備えたものである。
【００１５】
本発明の表示装置および電子機器では、複数のデバイスのうちの互いに離隔して隣接する一対のデバイス同士において、少なくとも一方の側の薄膜に、他方側への張り出し部が設けられている。これにより、例えばデバイスを製造する際に異物等が混入したとしても、上記一対のデバイスにおける薄膜パターンにおけるエッチング不良（例えば、導電パターン間の短絡不良等）の発生が回避されている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のデバイスの製造方法および表示装置の製造方法によれば、基板上にデバイスを形成する際に、薄膜上のフォトレジスト膜に対する露光を複数回連続して行うようにしたので、製造工程の増加を抑えつつ、異物の混入等に起因した薄膜パターンにおけるエッチング不良を低減することができる。よって、簡易な工程で製造歩留まりを向上させることが可能となる。
【００１７】
本発明の表示装置および電子機器によれば、複数のデバイスのうちの互いに離隔して隣接する一対のデバイス同士において、少なくとも一方の側の薄膜に他方側への張り出し部を設けるようにしたので、一対のデバイスにおける薄膜パターンでのエッチング不良の発生を回避することができる。よって、製造不良を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成例を表す図である。
【図２】第１の実施の形態に係るＴＦＴ層の製造方法における主要な工程例を表す流れ図である。
【図３】図２に示した第１および第２の露光工程において用いられる露光マスクの一例を表す平面図である。
【図４】図２に示した製造方法により得られるＴＦＴ層の構成例を表す平面図である。
【図５】比較例１に係るＴＦＴ層の製造方法における主要な工程を表す流れ図である。
【図６】比較例１に係るＴＦＴ層において発生し得る異物の混入に起因した製造不良について説明するための模式平面図である。
【図７】比較例２に係るＴＦＴ層の製造方法における主要な工程を表す流れ図である。
【図８】異物が混入した場合に製造されるＴＦＴ層の構成例を表す模式平面図である。
【図９】第２の実施の形態に係るＴＦＴ層の製造方法における主要な工程例を表す流れ図である。
【図１０】図９に示した第２の露光工程において用いられる露光マスクの一例を表す平面図である。
【図１１】図９に示した製造方法により得られるＴＦＴ層の構成例を表す平面図である。
【図１２】図２に示した製造方法により得られるＴＦＴ層の他の構成例を表す平面図である。
【図１３】実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１４】適用例２の外観を表す斜視図である。
【図１５】（Ａ）は適用例３の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１６】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図１７】適用例５の外観を表す斜視図である。
【図１８】（Ａ）は適用例６の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（第１，第２の露光工程において共通の露光マスクを用いる例）
２．第２の実施の形態（第１，第２の露光工程において異なる露光マスクを用いる例）
３．適用例（表示装置の電子機器への適用例）
４．変形例
【００２０】
＜第１の実施の形態＞
［表示装置１の構成］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の概略構成を模式的に表したものであり、図１（Ｂ）は平面構成（上面構成）を、図１（Ａ）は、図１（Ｂ）におけるＩＩ−ＩＩ線に沿った矢視断面構成を、それぞれ示している。この表示装置１は、基板１１、ＴＦＴ層１２、表示層１３および透明基板１４をこの順に積層したものである。具体的には、基板１１における表示領域１０Ａ上には、ＴＦＴ層１２、表示層１３および透明基板１４が積層される一方、基板１１における額縁領域（非表示領域）１０Ｂ上には、これらのＴＦＴ層１２、表示層１３および透明基板１４は積層されていない。
【００２１】
基板１１は、例えば、ガラス，石英，シリコン，ガリウム砒素等の無機材料あるいは、ポリイミド，ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ），ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ），ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ），ポリカーボネート（ＰＣ），ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ），ポリエチルエーテルケトン（ＰＥＥＫ），芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）等のプラスチック材料等からなる。この基板１１は、ウェハなどの剛性の基板であってもよく、薄層ガラスやフィルムなどの可撓性基板（フレキシブル基板）であってもよい。
【００２２】
ＴＦＴ層１２は、薄膜（金属膜等の導電膜や、絶縁膜など）を含む複数のデバイスを含む層である。このデバイスしては、画素を選択するためのスイッチング素子としてのＴＦＴの他、容量素子（保持容量素子など）、配線（走査線，信号線など）および電極（画素電極など）等が挙げられる。すなわち、ＴＦＴ層１２に含まれるデバイスは、ＴＦＴ、容量素子、配線および電極のうちの少なくとも１つである。ここで、上記したＴＦＴは、チャネル層として無機半導体層を用いた無機ＴＦＴあるいは、有機半導体層を用いた有機ＴＦＴのどちらにより構成されていてもよい。
【００２３】
表示層１３は、例えば画素電極と共通電極との間に電気泳動粒子を有するものである。すなわち、表示装置１は、電気泳動現象を利用して画像（例えば文字情報等）を表示する電気泳動型ディスプレイ（いわゆる電子ペーパーディスプレイ）である。画素電極はＴＦＴ層１２に画素ごとに設けられ、共通電極は透明基板１４の一面に亘り設けられている。
【００２４】
透明基板１４は、例えば、基板１０と同様の材料を用いて構成されている。なお、この透明基板１４上に、更に表示層１３への水分の浸入を防止する防湿膜および外光の表示面への映り込みを防止するための光学機能膜を設けるようにしてもよい。
【００２５】
なお、水分や有機ガスによるＴＦＴ層１２および表示層１３の劣化を防止するため、基板１１とＴＦＴ層１２との間にバリア層を設けてもよい。このようなバリア層は、例えばＡｌＯxＮ1-X（ただし、Ｘ＝０．０１〜０．２）または窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）からなる。
【００２６】
［表示装置１の製造方法］
この表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。すなわち、まず、基板１１上（具体的には、基板１１の表示領域１０Ａ上）に、以下詳述するフォトリソグラフィ技術を用いて、前述した各種のデバイスを含むＴＦＴ層１２を形成する。
【００２７】
次いで、ＴＦＴ層１２上に、例えば同様にフォトリソグラフィ技術を用いて、表示層１３を形成する。そののち、この表示層１３上に透明基板１４を貼り合わせる。以上により、図１（Ａ），（Ｂ）に示した表示装置１が完成する。
【００２８】
（ＴＦＴ層１２の製造方法）
ここで、図２は、本実施の形態のＴＦＴ層１２の製造方法（デバイスの形成工程）における主要な工程例を、流れ図で表わしたものである。
【００２９】
このＴＦＴ層１２を製造（形成）する際には、まず、基板１１上に、例えばスパッタ法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）法を用いて、薄膜（ここでは一例として、導電膜としての金属膜）を成膜する（工程Ｓ１１）。次いで、この金属膜上に、フォトレジスト膜を形成（塗布）する（工程Ｓ１２）。
【００３０】
続いて、所定の露光パターン（遮光パターン）を有する露光マスク（フォトマスク）を用いて、フォトレジスト膜に対して露光を行う（露光工程Ｓ１３）。この露光工程Ｓ１３では、フォトレジスト膜に対する露光を複数回（ここでは２回）連続して行う。具体的には、本実施の形態では、露光工程Ｓ１３が、例えば図３に示した露光マスクＭ１を用いて露光を行う第１の露光工程Ｓ１３１と、同じく露光マスクＭ１を用いて露光を行う第２の露光工程Ｓ１３２とからなる。すなわち、本実施の形態では、露光工程Ｓ１３における複数回の露光（第１，第２の露光工程Ｓ１３１，１３２）の各々において、共通の露光マスクＭ１を用いている。
【００３１】
ここで、この露光マスクＭ１は、例えば図３に示したように、露光の際の光を遮断させる領域（遮光領域）である遮光部８１と、露光の際の光を透過させる領域（透光領域）である透光部８２とを有している。具体的には、ここでは露光マスクＭ１は、後述するゲート電極１２１、画素電極１２２および一対の配線１２３ａ，１２３ｂの各形成パターンに対応する遮光部８１（遮光パターン）を含んでおり、他の領域は透光部８２となっている。なお、ここでは、後述する配線１２３ａ，１２３ｂ間の距離が、距離ｄ１１となっており、後述するゲート電極１２１と画素電極１２２との間の距離が、距離ｄ１２となっている。これらの距離ｄ１１，ｄ１２は、隣接する遮光部８１間に位置する透光部８２の距離に相当するものである。
【００３２】
次いで、上記のようにして露光がなされたフォトレジスト膜を現像し（工程Ｓ１４）、その後、エッチング（ウェットエッチングやドライエッチング等）を行う（工程Ｓ１５）。そして、エッチング後に金属膜上に残存するフォトレジスト膜を剥離する（工程Ｓ１６）。以上により、例えば図４に示したような、ゲート電極１２１、画素電極１２２および配線１２３ａ，１２３ｂ等のデバイスを含むＴＦＴ層１２が形成される。
【００３３】
［表示装置１の作用・効果］
次に、本実施の形態の表示装置１の作用および効果について、比較例（比較例１，２）と比較しつつ詳細に説明する。
【００３４】
（比較例１）
まず、図５に示した比較例１に係るＴＦＴ層（ＴＦＴ層１０２）の製造方法では、図２に示した本実施の形態のＴＦＴ層１２の製造方法において、露光工程Ｓ１３の代わりに露光工程Ｓ１０３が設けられている。この露光工程Ｓ１０３では、フォトレジスト膜に対して複数回の連続した露光がなされる露光工程Ｓ１３とは異なり、露光マスクＭ１を用いて、フォトレジスト膜に対する露光が１回のみ行われる。
【００３５】
このため、例えば図６に模式的に示したように、露光工程Ｓ１０３の際に異物（パーティクル）１０１が混入している場合には、ＴＦＴ層１０２において以下のようなエッチング不良が発生し、製造歩留まりが低下してしまう場合がある。具体的には、フォトリソグラフィ工程においてフォトレジスト膜を露光する前に、例えばフォトレジスト膜上あるいは露光マスクＭ１上（ここではフォトレジスト膜上）に異物１０１が存在すると、エッチングの際に所望のパターンを形成することができなくなる。これは、異物１０１の存在によって、フォトレジスト膜が所望の膜厚よりも大きくなってしまうことから、感光不足が生じて現像液に溶解せず、パターン不良となってしまうというものである。このようなパターン不良（エッチング不良）が発生すると、配線上の断線、あるいは短絡（ショート）を引き起こす原因となる。その結果、場合によっては、点状欠陥または線状欠陥となり、製造歩留まりが低下してしまうのである。
【００３６】
（比較例２）
一方、図７に示した比較例２に係るＴＦＴ層（ＴＦＴ層２０２）の製造方法（形成工程）では、上記した一連のフォトリソグラフィ工程が２回行われる（２回のパターニングによって２回エッチングが行われる）ようになっている。具体的には、このＴＦＴ層２０２の形成工程は、金属膜の成膜工程（工程Ｓ１１）と、１回目のフォトレジスト工程（工程Ｓ２０１）と、２回目のフォトレジスト工程（工程Ｓ２０２）とからなる。工程Ｓ２０１は、フォトレジスト膜の塗布工程（工程Ｓ１２１）と、露光マスクＭ１を用いた第１の露光工程Ｓ１３１と、現像工程（工程Ｓ１４１）と、エッチング工程（工程Ｓ１５１）と、レジスト膜の剥離工程（工程Ｓ１６１）とからなる。同様に、工程Ｓ２０２は、フォトレジスト膜の塗布工程（工程Ｓ１２２）と、露光マスクＭ１を用いた第２の露光工程Ｓ１３２と、現像工程（工程Ｓ１４２）と、エッチング工程（工程Ｓ１５２）と、レジスト膜の剥離工程（工程Ｓ１６２）とからなる。
【００３７】
この比較例２の手法では、一連のフォトリソグラフィ工程が２回行われることから、パターニング不良の発生する可能性が低減し、パターニング不良に起因するエッチング不良が低減される。
【００３８】
しかしながら、この比較例２の手法では、上記したように一連のフォトリソグラフィ工程が２回行われることから、製造工程が増加し、タクトタイムおよび製造コストが増加してしまう。また、２回のパターニングおよび２回のエッチングによる方法では、異物１０１が取り除かれない限りは、また同じような感光不足が再度発生するおそれが高い。このため、エッチング不良が解消されない可能性もあると共に、場合によっては断線等による更なるエッチング不良が発生するおそれもある。
【００３９】
（本実施の形態の製造方法）
これに対して本実施の形態では、図２に示したように、基板１１上にＴＦＴ層１２（デバイス）を形成する際に、薄膜（ここでは金属膜）上のフォトレジスト膜に対して複数回（ここでは２回）の露光がなされたのち、フォトレジスト膜に対するエッチングが行われる。
【００４０】
これにより、露光が複数回行われる（第１，第２の露光工程Ｓ１３１，Ｓ１３２）ことから、まず、フォトレジスト膜に対する露光量が比較例１と比べて増加する。すなわち、感光不足によるエッチング不良部を十分に感光させることができる。このため、例えば図８に示したように、ＴＦＴ層１２において、異物１０１の混入等に起因した、薄膜パターンにおけるエッチング不良（ここでは、金属パターン間の短絡不良等）の発生が低減される。
【００４１】
また、本実施の形態では、このような複数回の露光（第１，第２の露光工程Ｓ１３１，Ｓ１３２）が連続して行われることにより、比較例２と比べて以下の利点が得られる。すなわち、一連のフォトリソグラフィ工程全体が複数回連続して行われる比較例２と比べ、製造工程が少なくて済む（比較例１と比べた製造工程の増加が最小限に抑えられる）。
【００４２】
以上のように本実施の形態では、基板１１上にＴＦＴ層１２（デバイス）を形成する際に、薄膜（金属膜）上のフォトレジスト膜に対する露光を複数回連続して行うようにしたので、製造工程の増加を抑えつつ、異物１０１の混入等に起因した薄膜パターンにおけるエッチング不良を低減することができる。すなわち、例えば表示層１３において高密度に画素を配置し、各配線間や各電極間、配線−電極間などのマージン（距離）が狭くなった場合であっても、これらの間の短絡不良等の発生を抑えることができる。よって、簡易な工程で製造歩留まりを向上させることが可能となる。
【００４３】
また、基板１１が可撓性基板である場合には、製造工程において異物が混入し易い環境にあることが多いため、特に本実施の形態の手法を採用した際の利点が大きいと言える。
【００４４】
＜第２の実施の形態＞
続いて、本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、上記第１の実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００４５】
［表示装置１の製造方法］
図９は、本実施の形態のＴＦＴ層（ＴＦＴ層１２Ａ）の製造方法（形成工程）における主要な工程例を流れ図で表わしたものである。なお、他の層（表示層１３および透明基板１４）の製造方法（形成工程）については第１の実施の形態と同様であるため、説明を省略する。
【００４６】
（ＴＦＴ層１２Ａの製造方法）
このＴＦＴ層１２Ａを製造（形成）する際には、前述した露光工程Ｓ１３において、露光マスクＭ１（第１の露光マスク）に加え、以下説明する露光マスクＭ２（第２の露光マスク）を用いるようになっている。具体的には、第１の露光工程（工程Ｓ１３１）では、第１の実施の形態で説明した露光マスクＭ１を用いる一方、第２の露光工程（工程Ｓ１３２）では、露光マスクＭ２を用いる。ここで、露光マスクＭ１は、エッチング後に本来の所望の薄膜パターン（ここでは金属パターン）を得るための露光マスクである。一方、露光マスクＭ２は、薄膜パターンにおけるエッチング不良（短絡不良等）の発生を低減させるための専用の露光マスク（トレンチマスク）である。このように、本実施の形態の露光工程Ｓ１３では、１回目の露光である第１の露光工程Ｓ１３１と、２回目以降（ここでは２回目）の露光である第２の露光工程Ｓ１３２とで、互いに異なるマスクパターン（遮光パターン）を有する露光マスクを用いる。
【００４７】
このような露光マスクＭ２では、例えば図１０（Ａ）に示したように、露光マスクＭ１と比べ、隣接する遮光部８１間に位置する透光部８２の距離が相対的に短くなっている。すなわち、この例では、露光マスクＭ２における配線１２３ａ，１２３ｂ間の距離ｄ２１が、露光マスクＭ１における距離ｄ１１よりも短く（狭く）となっている（ｄ２１＜ｄ１１）。また、露光マスクＭ２におけるゲート電極１２１と画素電極１２２との間の距離ｄ２２が、露光マスクＭ１における距離ｄ１２よりも短くなっている（ｄ２２＜ｄ１２）。
【００４８】
あるいは、例えば図１０（Ｂ）に示したように、露光マスクＭ２では、露光マスクＭ１における透光部８２のうちの一部の領域のみが透光部８２となっていると共に、その他の領域が遮光部８１となっている。具体的には、この例では、薄膜パターンにおけるエッチング不良（短絡不良等）が発生するおそれが高いと予想される領域、すなわち、露光マスクＭ１における隣接する遮光部８１間（ここではゲート電極１２１と画素電極１２２との間の領域）に、露光マスクＭ２における透光部８２が選択的に設けられている。なお、この場合においても、露光マスクＭ２におけるゲート電極１２１と画素電極１２２との間の距離ｄ３２は、露光マスクＭ１における距離ｄ１２よりも短くなっている（ｄ３２＜ｄ１２）。
【００４９】
このような露光マスクＭ１，Ｍ２を用いた本実施の形態のＴＦＴ層１２Ａの製造方法（形成工程）では、例えば図１１に示したように、一対の薄膜パターン同士において張り出し部（突出部）１２４ａ，１２４ｂが形成されることになる。換言すると、本実施の形態のＴＦＴ層１２Ａでは、複数のデバイスのうちの互いに離隔して隣接する一対のデバイス同士（ここでは、ゲート電極１２１および画素電極１２２同士）において、少なくとも一方の側の薄膜に、他方側への張り出し部が設けられている。具体的には、この例では、ゲート電極１２１および画素電極１２２同士において、双方側の薄膜にそれぞれ、張り出し部（張り出し部１２４ａ，１２４ｂ）が設けられている。このような張り出し部１２４ａ，１２４ｂ間の間隙（スリット）は、露光マスクＭ２を用いた第２の露光工程Ｓ１３２の際の露光に起因して形成されるものである。このようなＴＦＴ層１２Ａでは、例えばデバイスを製造する際に異物１０１等が混入したとしても、上記一対のデバイスにおける薄膜パターンにおけるエッチング不良（例えば、導電パターン間の短絡不良等）の発生が回避されている。よって、製造不良を低減することが可能となっている。
【００５０】
以上のように本実施の形態では、第１の露光工程Ｓ１３１と第２の露光工程Ｓ１３２とで、互いに異なるマスクパターンを有する露光マスクＭ１，Ｍ２を用いるようにしたので、上記第１の実施の形態における効果に加え、以下の効果も得ることが可能である。
【００５１】
すなわち、第１の実施の形態のように、第１，第２の露光工程Ｓ１３１，１３２の各々において共通の露光マスクＭ１を用いた場合、例えば第１の露光工程Ｓ１３１と比べて第２の露光工程Ｓ１３２における露光強度を相対的に大きくした際などには、場合によっては以下のことが懸念される。すなわち、例えば図１２に示したように、第２の露光工程Ｓ１３２の際に、第１の露光工程Ｓ１３２によって形成されるべき本来の薄膜パターンに悪影響を及ぼす（本来の薄膜パターンを浸食する）おそれがある。具体的には、この例では、配線１２３ａ，１２３ｂ間の距離ｄ４１が、本来の薄膜パターンにおける距離ｄ１１よりも長く（広く）となっている（ｄ４１＞ｄ１１）。また、ゲート電極１２１と画素電極１２２との間の距離ｄ４２が、本来の露光パターンにおける距離ｄ１２よりも長くなっている（ｄ４２＞ｄ１２）。これに対して本実施の形態では、露光マスクＭ２が、薄膜パターンにおけるエッチング不良（短絡不良等）の発生を低減させるための専用の露光マスクとなっているため、第２の露光工程Ｓ１３２の際に、本来の薄膜パターンに悪影響を及ぼすおそれがない。
【００５２】
このことから、本実施の形態では、第２の露光工程Ｓ１３２において、第１の露光工程Ｓ１３１と比べて露光強度を相対的に大きくした場合には、上記した本来の薄膜パターンへの悪影響を回避しつつ、感光不足によるエッチング不良部をよりいっそう感光させることができる。よって、異物１０１の混入等に起因した薄膜パターンにおけるエッチング不良を更に低減することができ、製造歩留まりを更に向上させることが可能となる。
【００５３】
＜適用例＞
続いて、図１３〜図１８を参照して、上記第１および第２の実施の形態で説明した表示装置１の適用例について説明する。各実施の形態の表示装置１は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、この表示装置１は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【００５４】
（適用例１）
図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）はそれぞれ、表示装置１が適用される電子ブックの外観を表したものである。この電子ブックは、例えば、表示部２１０および非表示部２２０を有しており、この表示部２１０が表示装置１により構成されている。
【００５５】
（適用例２）
図１４は、表示装置１が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００が表示装置１により構成されている。
【００５６】
（適用例３）
図１５は、表示装置１が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、この表示部４２０が表示装置１により構成されている。
【００５７】
（適用例４）
図１６は、表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、この表示部５３０が表示装置１により構成されている。
【００５８】
（適用例５）
図１７は、表示装置１が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。そして、この表示部６４０が表示装置１により構成されている。
【００５９】
（適用例６）
図１８は、表示装置１が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そして、これらのうちのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０が、表示装置１により構成されている。
【００６０】
＜変形例＞
以上、実施の形態および適用例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。
【００６１】
例えば、上記実施の形態等では、薄膜上のフォトレジスト膜に対する露光を２回連続して行う場合を例に挙げて説明したが、この場合には限られず、露光を３回以上連続して行うようにしてもよい。なお、その際には、例えば、１回目の露光をこれまで説明した第１の露光工程Ｓ１３１とし、２回目以降の露光をこれまで説明した第２の露光工程Ｓ１３２とすればよい。すなわち、３回目以降の露光においては、２回目の露光と同じ条件で（例えば露光マスクＭ１または露光マスクＭ２を用いて）露光を行うようにすればよい。ただし、３回目以降の各露光においても、２回目の露光と異なる条件で（例えば露光マスクＭ１，Ｍ２とは異なる別個の露光マスクを用いて）露光を行うようにしてもよい。
【００６２】
また、上記実施の形態等では、ＴＦＴ層１２に含まれるデバイスとして、ＴＦＴ、容量素子、配線および電極を例に挙げて説明したが、これには限られず、他のデバイスを形成する際に上記実施の形態等の手法を用いるようにしてもよい。また、上記実施の形態等では、デバイスに含まれる薄膜として主に導電膜（金属膜）を例に挙げて説明したが、これには限られず、例えばＴＦＴに用いられる半導体膜等であってもよい。
【００６３】
更に、上記実施の形態等では、表示層１３が電気泳動粒子を用いて構成されている場合について説明したが、これには限られない。具体的には、表示層１３が、液晶素子、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子あるいは無機ＥＬ素子等を用いて構成されていてもよい。
【００６４】
加えて、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。また、上記実施の形態等では、表示装置１の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
【符号の説明】
【００６５】
１…表示装置、１０Ａ…表示領域、１０Ｂ…額縁領域（非表示領域）、１０１…異物、１１…基板、１２，１２Ａ…ＴＦＴ層、１２１…ゲート電極、１２２…画素電極、１２３ａ，１２３ｂ…配線、１２４ａ，１２４ｂ…張り出し部（突出部）、１３…表示層、１４…透明基板、８１…遮光部、８２…透光部、Ｍ１，Ｍ２…露光マスク、ｄ１１，ｄ１２，ｄ２１，ｄ２２，ｄ３２，ｄ４１，ｄ４２…距離。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）等のデバイスの製造方法および表示装置の製造方法、ならびにそのようなデバイスを備えた表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置に用いられるアレイ基板では、ガラス基板等からなる基板上に、スイッチング素子としてのＴＦＴ、容量素子、配線（走査線，信号線など）および電極（画素電極など）等の各種のデバイス（素子）が形成されている。
【０００３】
これらのデバイスは、一般に、一連のフォトリソグラフィ工程、すなわち、成膜、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチングおよびフォトレジスト剥離からなる工程を複数回にわたって行うことにより形成される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１１９０３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、このようなフォトリソグラフィ工程において、フォトレジスト膜を露光する前に、例えばフォトレジスト膜上あるいはフォトマスク（露光マスク）上に異物（パーティクル）が存在すると、エッチングの際に所望のパターンを形成することができなくなる。このため、エッチング不良が発生し、配線上の断線、あるいは短絡（ショート）を引き起こす原因となる。その結果、場合によっては、点状欠陥または線状欠陥となり、製造歩留まりが低下してしまうことになる。
【０００６】
そこで、上記特許文献１では、上記した一連のフォトリソグラフィ工程を２回行う（２回のパターニングによって２回エッチングを行う）手法が提案されている。この手法により、上記した異物の混入等に起因したエッチング不良（短絡不良等）の発生を低減することが可能となっている。
【０００７】
ところが、この手法では一連のフォトリソグラフィ工程を２回行っていることから、製造工程が増加し、タクトタイムおよび製造コストが増加してしまうという問題があった。これらのことから、簡易な工程で製造歩留まりを向上させることが可能な製造方法、および製造不良を低減することが可能な表示装置等の実現が望まれる。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、簡易な工程で製造歩留まりを向上させることが可能なデバイスの製造方法および表示装置の製造方法を提供することである。
【０００９】
また、本発明の第２の目的は、製造不良を低減することが可能な表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のデバイスの製造方法は、基板上にデバイスを形成する工程を含み、このデバイスを形成する工程が、薄膜を形成する工程と、この薄膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、露光マスクを用いてフォトレジスト膜に対して露光を行う露光工程と、露光がなされたフォトレジスト膜をエッチングする工程とを含むようにしたものである。上記露光工程では、フォトレジスト膜に対する露光を複数回連続して行う。
【００１１】
本発明の表示装置の製造方法は、基板上に、デバイスおよび表示層を形成する工程を含み、このデバイスを形成する工程が、上記薄膜を形成する工程と、上記フォトレジスト膜を形成する工程と、上記露光工程と、上記フォトレジスト膜をエッチングする工程とを含むようにしたものである。
【００１２】
本発明のデバイスの製造方法および表示装置の製造方法では、基板上にデバイスを形成する際に、薄膜上のフォトレジスト膜に対して複数回の露光がなされたのち、フォトレジスト膜に対するエッチングが行われる。これにより、フォトレジスト膜に対する露光量が増加する（フォトレジスト膜における感光量が増加する）ため、例えば異物の混入等に起因した薄膜パターンにおけるエッチング不良（例えば、導電パターン間の短絡不良等）の発生が低減される。また、このような複数回の露光が連続して行われることにより、例えば一連のフォトリソグラフィ工程全体（フォトレジスト膜の形成、露光、エッチングおよびフォトレジスト膜の剥離等）を複数回連続して行う場合と比べ、製造工程が少なくて済む（製造工程の増加が抑えられる）。
【００１３】
本発明の表示装置は、基板上に、薄膜を含む複数のデバイスと表示層とを備え、複数のデバイスのうちの互いに離隔して隣接する一対のデバイス同士において、少なくとも一方の側の薄膜に、他方側への張り出し部が設けられているものである。
【００１４】
本発明の電子機器は、上記本発明の表示装置を備えたものである。
【００１５】
本発明の表示装置および電子機器では、複数のデバイスのうちの互いに離隔して隣接する一対のデバイス同士において、少なくとも一方の側の薄膜に、他方側への張り出し部が設けられている。これにより、例えばデバイスを製造する際に異物等が混入したとしても、上記一対のデバイスにおける薄膜パターンにおけるエッチング不良（例えば、導電パターン間の短絡不良等）の発生が回避されている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のデバイスの製造方法および表示装置の製造方法によれば、基板上にデバイスを形成する際に、薄膜上のフォトレジスト膜に対する露光を複数回連続して行うようにしたので、製造工程の増加を抑えつつ、異物の混入等に起因した薄膜パターンにおけるエッチング不良を低減することができる。よって、簡易な工程で製造歩留まりを向上させることが可能となる。
【００１７】
本発明の表示装置および電子機器によれば、複数のデバイスのうちの互いに離隔して隣接する一対のデバイス同士において、少なくとも一方の側の薄膜に他方側への張り出し部を設けるようにしたので、一対のデバイスにおける薄膜パターンでのエッチング不良の発生を回避することができる。よって、製造不良を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成例を表す図である。
【図２】第１の実施の形態に係るＴＦＴ層の製造方法における主要な工程例を表す流れ図である。
【図３】図２に示した第１および第２の露光工程において用いられる露光マスクの一例を表す平面図である。
【図４】図２に示した製造方法により得られるＴＦＴ層の構成例を表す平面図である。
【図５】比較例１に係るＴＦＴ層の製造方法における主要な工程を表す流れ図である。
【図６】比較例１に係るＴＦＴ層において発生し得る異物の混入に起因した製造不良について説明するための模式平面図である。
【図７】比較例２に係るＴＦＴ層の製造方法における主要な工程を表す流れ図である。
【図８】異物が混入した場合に製造されるＴＦＴ層の構成例を表す模式平面図である。
【図９】第２の実施の形態に係るＴＦＴ層の製造方法における主要な工程例を表す流れ図である。
【図１０】図９に示した第２の露光工程において用いられる露光マスクの一例を表す平面図である。
【図１１】図９に示した製造方法により得られるＴＦＴ層の構成例を表す平面図である。
【図１２】図２に示した製造方法により得られるＴＦＴ層の他の構成例を表す平面図である。
【図１３】実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１４】適用例２の外観を表す斜視図である。
【図１５】（Ａ）は適用例３の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１６】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図１７】適用例５の外観を表す斜視図である。
【図１８】（Ａ）は適用例６の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（第１，第２の露光工程において共通の露光マスクを用いる例）
２．第２の実施の形態（第１，第２の露光工程において異なる露光マスクを用いる例）
３．適用例（表示装置の電子機器への適用例）
４．変形例
【００２０】
＜第１の実施の形態＞
［表示装置１の構成］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の概略構成を模式的に表したものであり、図１（Ｂ）は平面構成（上面構成）を、図１（Ａ）は、図１（Ｂ）におけるＩＩ−ＩＩ線に沿った矢視断面構成を、それぞれ示している。この表示装置１は、基板１１、ＴＦＴ層１２、表示層１３および透明基板１４をこの順に積層したものである。具体的には、基板１１における表示領域１０Ａ上には、ＴＦＴ層１２、表示層１３および透明基板１４が積層される一方、基板１１における額縁領域（非表示領域）１０Ｂ上には、これらのＴＦＴ層１２、表示層１３および透明基板１４は積層されていない。
【００２１】
基板１１は、例えば、ガラス，石英，シリコン，ガリウム砒素等の無機材料あるいは、ポリイミド，ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ），ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ），ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ），ポリカーボネート（ＰＣ），ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ），ポリエチルエーテルケトン（ＰＥＥＫ），芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）等のプラスチック材料等からなる。この基板１１は、ウェハなどの剛性の基板であってもよく、薄層ガラスやフィルムなどの可撓性基板（フレキシブル基板）であってもよい。
【００２２】
ＴＦＴ層１２は、薄膜（金属膜等の導電膜や、絶縁膜など）を含む複数のデバイスを含む層である。このデバイスしては、画素を選択するためのスイッチング素子としてのＴＦＴの他、容量素子（保持容量素子など）、配線（走査線，信号線など）および電極（画素電極など）等が挙げられる。すなわち、ＴＦＴ層１２に含まれるデバイスは、ＴＦＴ、容量素子、配線および電極のうちの少なくとも１つである。ここで、上記したＴＦＴは、チャネル層として無機半導体層を用いた無機ＴＦＴあるいは、有機半導体層を用いた有機ＴＦＴのどちらにより構成されていてもよい。
【００２３】
表示層１３は、例えば画素電極と共通電極との間に電気泳動粒子を有するものである。すなわち、表示装置１は、電気泳動現象を利用して画像（例えば文字情報等）を表示する電気泳動型ディスプレイ（いわゆる電子ペーパーディスプレイ）である。画素電極はＴＦＴ層１２に画素ごとに設けられ、共通電極は透明基板１４の一面に亘り設けられている。
【００２４】
透明基板１４は、例えば、基板１０と同様の材料を用いて構成されている。なお、この透明基板１４上に、更に表示層１３への水分の浸入を防止する防湿膜および外光の表示面への映り込みを防止するための光学機能膜を設けるようにしてもよい。
【００２５】
なお、水分や有機ガスによるＴＦＴ層１２および表示層１３の劣化を防止するため、基板１１とＴＦＴ層１２との間にバリア層を設けてもよい。このようなバリア層は、例えばＡｌＯxＮ1-X（ただし、Ｘ＝０．０１〜０．２）または窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）からなる。
【００２６】
［表示装置１の製造方法］
この表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。すなわち、まず、基板１１上（具体的には、基板１１の表示領域１０Ａ上）に、以下詳述するフォトリソグラフィ技術を用いて、前述した各種のデバイスを含むＴＦＴ層１２を形成する。
【００２７】
次いで、ＴＦＴ層１２上に、例えば同様にフォトリソグラフィ技術を用いて、表示層１３を形成する。そののち、この表示層１３上に透明基板１４を貼り合わせる。以上により、図１（Ａ），（Ｂ）に示した表示装置１が完成する。
【００２８】
（ＴＦＴ層１２の製造方法）
ここで、図２は、本実施の形態のＴＦＴ層１２の製造方法（デバイスの形成工程）における主要な工程例を、流れ図で表わしたものである。
【００２９】
このＴＦＴ層１２を製造（形成）する際には、まず、基板１１上に、例えばスパッタ法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）法を用いて、薄膜（ここでは一例として、導電膜としての金属膜）を成膜する（工程Ｓ１１）。次いで、この金属膜上に、フォトレジスト膜を形成（塗布）する（工程Ｓ１２）。
【００３０】
続いて、所定の露光パターン（遮光パターン）を有する露光マスク（フォトマスク）を用いて、フォトレジスト膜に対して露光を行う（露光工程Ｓ１３）。この露光工程Ｓ１３では、フォトレジスト膜に対する露光を複数回（ここでは２回）連続して行う。具体的には、本実施の形態では、露光工程Ｓ１３が、例えば図３に示した露光マスクＭ１を用いて露光を行う第１の露光工程Ｓ１３１と、同じく露光マスクＭ１を用いて露光を行う第２の露光工程Ｓ１３２とからなる。すなわち、本実施の形態では、露光工程Ｓ１３における複数回の露光（第１，第２の露光工程Ｓ１３１，１３２）の各々において、共通の露光マスクＭ１を用いている。
【００３１】
ここで、この露光マスクＭ１は、例えば図３に示したように、露光の際の光を遮断させる領域（遮光領域）である遮光部８１と、露光の際の光を透過させる領域（透光領域）である透光部８２とを有している。具体的には、ここでは露光マスクＭ１は、後述するゲート電極１２１、画素電極１２２および一対の配線１２３ａ，１２３ｂの各形成パターンに対応する遮光部８１（遮光パターン）を含んでおり、他の領域は透光部８２となっている。なお、ここでは、後述する配線１２３ａ，１２３ｂ間の距離が、距離ｄ１１となっており、後述するゲート電極１２１と画素電極１２２との間の距離が、距離ｄ１２となっている。これらの距離ｄ１１，ｄ１２は、隣接する遮光部８１間に位置する透光部８２の距離に相当するものである。
【００３２】
次いで、上記のようにして露光がなされたフォトレジスト膜を現像し（工程Ｓ１４）、その後、エッチング（ウェットエッチングやドライエッチング等）を行う（工程Ｓ１５）。そして、エッチング後に金属膜上に残存するフォトレジスト膜を剥離する（工程Ｓ１６）。以上により、例えば図４に示したような、ゲート電極１２１、画素電極１２２および配線１２３ａ，１２３ｂ等のデバイスを含むＴＦＴ層１２が形成される。
【００３３】
［表示装置１の作用・効果］
次に、本実施の形態の表示装置１の作用および効果について、比較例（比較例１，２）と比較しつつ詳細に説明する。
【００３４】
（比較例１）
まず、図５に示した比較例１に係るＴＦＴ層（ＴＦＴ層１０２）の製造方法では、図２に示した本実施の形態のＴＦＴ層１２の製造方法において、露光工程Ｓ１３の代わりに露光工程Ｓ１０３が設けられている。この露光工程Ｓ１０３では、フォトレジスト膜に対して複数回の連続した露光がなされる露光工程Ｓ１３とは異なり、露光マスクＭ１を用いて、フォトレジスト膜に対する露光が１回のみ行われる。
【００３５】
このため、例えば図６に模式的に示したように、露光工程Ｓ１０３の際に異物（パーティクル）１０１が混入している場合には、ＴＦＴ層１０２において以下のようなエッチング不良が発生し、製造歩留まりが低下してしまう場合がある。具体的には、フォトリソグラフィ工程においてフォトレジスト膜を露光する前に、例えばフォトレジスト膜上あるいは露光マスクＭ１上（ここではフォトレジスト膜上）に異物１０１が存在すると、エッチングの際に所望のパターンを形成することができなくなる。これは、異物１０１の存在によって、フォトレジスト膜が所望の膜厚よりも大きくなってしまうことから、感光不足が生じて現像液に溶解せず、パターン不良となってしまうというものである。このようなパターン不良（エッチング不良）が発生すると、配線上の断線、あるいは短絡（ショート）を引き起こす原因となる。その結果、場合によっては、点状欠陥または線状欠陥となり、製造歩留まりが低下してしまうのである。
【００３６】
（比較例２）
一方、図７に示した比較例２に係るＴＦＴ層（ＴＦＴ層２０２）の製造方法（形成工程）では、上記した一連のフォトリソグラフィ工程が２回行われる（２回のパターニングによって２回エッチングが行われる）ようになっている。具体的には、このＴＦＴ層２０２の形成工程は、金属膜の成膜工程（工程Ｓ１１）と、１回目のフォトレジスト工程（工程Ｓ２０１）と、２回目のフォトレジスト工程（工程Ｓ２０２）とからなる。工程Ｓ２０１は、フォトレジスト膜の塗布工程（工程Ｓ１２１）と、露光マスクＭ１を用いた第１の露光工程Ｓ１３１と、現像工程（工程Ｓ１４１）と、エッチング工程（工程Ｓ１５１）と、レジスト膜の剥離工程（工程Ｓ１６１）とからなる。同様に、工程Ｓ２０２は、フォトレジスト膜の塗布工程（工程Ｓ１２２）と、露光マスクＭ１を用いた第２の露光工程Ｓ１３２と、現像工程（工程Ｓ１４２）と、エッチング工程（工程Ｓ１５２）と、レジスト膜の剥離工程（工程Ｓ１６２）とからなる。
【００３７】
この比較例２の手法では、一連のフォトリソグラフィ工程が２回行われることから、パターニング不良の発生する可能性が低減し、パターニング不良に起因するエッチング不良が低減される。
【００３８】
しかしながら、この比較例２の手法では、上記したように一連のフォトリソグラフィ工程が２回行われることから、製造工程が増加し、タクトタイムおよび製造コストが増加してしまう。また、２回のパターニングおよび２回のエッチングによる方法では、異物１０１が取り除かれない限りは、また同じような感光不足が再度発生するおそれが高い。このため、エッチング不良が解消されない可能性もあると共に、場合によっては断線等による更なるエッチング不良が発生するおそれもある。
【００３９】
（本実施の形態の製造方法）
これに対して本実施の形態では、図２に示したように、基板１１上にＴＦＴ層１２（デバイス）を形成する際に、薄膜（ここでは金属膜）上のフォトレジスト膜に対して複数回（ここでは２回）の露光がなされたのち、フォトレジスト膜に対するエッチングが行われる。
【００４０】
これにより、露光が複数回行われる（第１，第２の露光工程Ｓ１３１，Ｓ１３２）ことから、まず、フォトレジスト膜に対する露光量が比較例１と比べて増加する。すなわち、感光不足によるエッチング不良部を十分に感光させることができる。このため、例えば図８に示したように、ＴＦＴ層１２において、異物１０１の混入等に起因した、薄膜パターンにおけるエッチング不良（ここでは、金属パターン間の短絡不良等）の発生が低減される。
【００４１】
また、本実施の形態では、このような複数回の露光（第１，第２の露光工程Ｓ１３１，Ｓ１３２）が連続して行われることにより、比較例２と比べて以下の利点が得られる。すなわち、一連のフォトリソグラフィ工程全体が複数回連続して行われる比較例２と比べ、製造工程が少なくて済む（比較例１と比べた製造工程の増加が最小限に抑えられる）。
【００４２】
以上のように本実施の形態では、基板１１上にＴＦＴ層１２（デバイス）を形成する際に、薄膜（金属膜）上のフォトレジスト膜に対する露光を複数回連続して行うようにしたので、製造工程の増加を抑えつつ、異物１０１の混入等に起因した薄膜パターンにおけるエッチング不良を低減することができる。すなわち、例えば表示層１３において高密度に画素を配置し、各配線間や各電極間、配線−電極間などのマージン（距離）が狭くなった場合であっても、これらの間の短絡不良等の発生を抑えることができる。よって、簡易な工程で製造歩留まりを向上させることが可能となる。
【００４３】
また、基板１１が可撓性基板である場合には、製造工程において異物が混入し易い環境にあることが多いため、特に本実施の形態の手法を採用した際の利点が大きいと言える。
【００４４】
＜第２の実施の形態＞
続いて、本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、上記第１の実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００４５】
［表示装置１の製造方法］
図９は、本実施の形態のＴＦＴ層（ＴＦＴ層１２Ａ）の製造方法（形成工程）における主要な工程例を流れ図で表わしたものである。なお、他の層（表示層１３および透明基板１４）の製造方法（形成工程）については第１の実施の形態と同様であるため、説明を省略する。
【００４６】
（ＴＦＴ層１２Ａの製造方法）
このＴＦＴ層１２Ａを製造（形成）する際には、前述した露光工程Ｓ１３において、露光マスクＭ１（第１の露光マスク）に加え、以下説明する露光マスクＭ２（第２の露光マスク）を用いるようになっている。具体的には、第１の露光工程（工程Ｓ１３１）では、第１の実施の形態で説明した露光マスクＭ１を用いる一方、第２の露光工程（工程Ｓ１３２）では、露光マスクＭ２を用いる。ここで、露光マスクＭ１は、エッチング後に本来の所望の薄膜パターン（ここでは金属パターン）を得るための露光マスクである。一方、露光マスクＭ２は、薄膜パターンにおけるエッチング不良（短絡不良等）の発生を低減させるための専用の露光マスク（トレンチマスク）である。このように、本実施の形態の露光工程Ｓ１３では、１回目の露光である第１の露光工程Ｓ１３１と、２回目以降（ここでは２回目）の露光である第２の露光工程Ｓ１３２とで、互いに異なるマスクパターン（遮光パターン）を有する露光マスクを用いる。
【００４７】
このような露光マスクＭ２では、例えば図１０（Ａ）に示したように、露光マスクＭ１と比べ、隣接する遮光部８１間に位置する透光部８２の距離が相対的に短くなっている。すなわち、この例では、露光マスクＭ２における配線１２３ａ，１２３ｂ間の距離ｄ２１が、露光マスクＭ１における距離ｄ１１よりも短く（狭く）となっている（ｄ２１＜ｄ１１）。また、露光マスクＭ２におけるゲート電極１２１と画素電極１２２との間の距離ｄ２２が、露光マスクＭ１における距離ｄ１２よりも短くなっている（ｄ２２＜ｄ１２）。
【００４８】
あるいは、例えば図１０（Ｂ）に示したように、露光マスクＭ２では、露光マスクＭ１における透光部８２のうちの一部の領域のみが透光部８２となっていると共に、その他の領域が遮光部８１となっている。具体的には、この例では、薄膜パターンにおけるエッチング不良（短絡不良等）が発生するおそれが高いと予想される領域、すなわち、露光マスクＭ１における隣接する遮光部８１間（ここではゲート電極１２１と画素電極１２２との間の領域）に、露光マスクＭ２における透光部８２が選択的に設けられている。なお、この場合においても、露光マスクＭ２におけるゲート電極１２１と画素電極１２２との間の距離ｄ３２は、露光マスクＭ１における距離ｄ１２よりも短くなっている（ｄ３２＜ｄ１２）。
【００４９】
このような露光マスクＭ１，Ｍ２を用いた本実施の形態のＴＦＴ層１２Ａの製造方法（形成工程）では、例えば図１１に示したように、一対の薄膜パターン同士において張り出し部（突出部）１２４ａ，１２４ｂが形成されることになる。換言すると、本実施の形態のＴＦＴ層１２Ａでは、複数のデバイスのうちの互いに離隔して隣接する一対のデバイス同士（ここでは、ゲート電極１２１および画素電極１２２同士）において、少なくとも一方の側の薄膜に、他方側への張り出し部が設けられている。具体的には、この例では、ゲート電極１２１および画素電極１２２同士において、双方側の薄膜にそれぞれ、張り出し部（張り出し部１２４ａ，１２４ｂ）が設けられている。このような張り出し部１２４ａ，１２４ｂ間の間隙（スリット）は、露光マスクＭ２を用いた第２の露光工程Ｓ１３２の際の露光に起因して形成されるものである。このようなＴＦＴ層１２Ａでは、例えばデバイスを製造する際に異物１０１等が混入したとしても、上記一対のデバイスにおける薄膜パターンにおけるエッチング不良（例えば、導電パターン間の短絡不良等）の発生が回避されている。よって、製造不良を低減することが可能となっている。
【００５０】
以上のように本実施の形態では、第１の露光工程Ｓ１３１と第２の露光工程Ｓ１３２とで、互いに異なるマスクパターンを有する露光マスクＭ１，Ｍ２を用いるようにしたので、上記第１の実施の形態における効果に加え、以下の効果も得ることが可能である。
【００５１】
すなわち、第１の実施の形態のように、第１，第２の露光工程Ｓ１３１，１３２の各々において共通の露光マスクＭ１を用いた場合、例えば第１の露光工程Ｓ１３１と比べて第２の露光工程Ｓ１３２における露光強度を相対的に大きくした際などには、場合によっては以下のことが懸念される。すなわち、例えば図１２に示したように、第２の露光工程Ｓ１３２の際に、第１の露光工程Ｓ１３２によって形成されるべき本来の薄膜パターンに悪影響を及ぼす（本来の薄膜パターンを浸食する）おそれがある。具体的には、この例では、配線１２３ａ，１２３ｂ間の距離ｄ４１が、本来の薄膜パターンにおける距離ｄ１１よりも長く（広く）となっている（ｄ４１＞ｄ１１）。また、ゲート電極１２１と画素電極１２２との間の距離ｄ４２が、本来の露光パターンにおける距離ｄ１２よりも長くなっている（ｄ４２＞ｄ１２）。これに対して本実施の形態では、露光マスクＭ２が、薄膜パターンにおけるエッチング不良（短絡不良等）の発生を低減させるための専用の露光マスクとなっているため、第２の露光工程Ｓ１３２の際に、本来の薄膜パターンに悪影響を及ぼすおそれがない。
【００５２】
このことから、本実施の形態では、第２の露光工程Ｓ１３２において、第１の露光工程Ｓ１３１と比べて露光強度を相対的に大きくした場合には、上記した本来の薄膜パターンへの悪影響を回避しつつ、感光不足によるエッチング不良部をよりいっそう感光させることができる。よって、異物１０１の混入等に起因した薄膜パターンにおけるエッチング不良を更に低減することができ、製造歩留まりを更に向上させることが可能となる。
【００５３】
＜適用例＞
続いて、図１３〜図１８を参照して、上記第１および第２の実施の形態で説明した表示装置１の適用例について説明する。各実施の形態の表示装置１は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、この表示装置１は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【００５４】
（適用例１）
図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）はそれぞれ、表示装置１が適用される電子ブックの外観を表したものである。この電子ブックは、例えば、表示部２１０および非表示部２２０を有しており、この表示部２１０が表示装置１により構成されている。
【００５５】
（適用例２）
図１４は、表示装置１が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００が表示装置１により構成されている。
【００５６】
（適用例３）
図１５は、表示装置１が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、この表示部４２０が表示装置１により構成されている。
【００５７】
（適用例４）
図１６は、表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、この表示部５３０が表示装置１により構成されている。
【００５８】
（適用例５）
図１７は、表示装置１が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。そして、この表示部６４０が表示装置１により構成されている。
【００５９】
（適用例６）
図１８は、表示装置１が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そして、これらのうちのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０が、表示装置１により構成されている。
【００６０】
＜変形例＞
以上、実施の形態および適用例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。
【００６１】
例えば、上記実施の形態等では、薄膜上のフォトレジスト膜に対する露光を２回連続して行う場合を例に挙げて説明したが、この場合には限られず、露光を３回以上連続して行うようにしてもよい。なお、その際には、例えば、１回目の露光をこれまで説明した第１の露光工程Ｓ１３１とし、２回目以降の露光をこれまで説明した第２の露光工程Ｓ１３２とすればよい。すなわち、３回目以降の露光においては、２回目の露光と同じ条件で（例えば露光マスクＭ１または露光マスクＭ２を用いて）露光を行うようにすればよい。ただし、３回目以降の各露光においても、２回目の露光と異なる条件で（例えば露光マスクＭ１，Ｍ２とは異なる別個の露光マスクを用いて）露光を行うようにしてもよい。
【００６２】
また、上記実施の形態等では、ＴＦＴ層１２に含まれるデバイスとして、ＴＦＴ、容量素子、配線および電極を例に挙げて説明したが、これには限られず、他のデバイスを形成する際に上記実施の形態等の手法を用いるようにしてもよい。また、上記実施の形態等では、デバイスに含まれる薄膜として主に導電膜（金属膜）を例に挙げて説明したが、これには限られず、例えばＴＦＴに用いられる半導体膜等であってもよい。
【００６３】
更に、上記実施の形態等では、表示層１３が電気泳動粒子を用いて構成されている場合について説明したが、これには限られない。具体的には、表示層１３が、液晶素子、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子あるいは無機ＥＬ素子等を用いて構成されていてもよい。
【００６４】
加えて、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。また、上記実施の形態等では、表示装置１の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
【符号の説明】
【００６５】
１…表示装置、１０Ａ…表示領域、１０Ｂ…額縁領域（非表示領域）、１０１…異物、１１…基板、１２，１２Ａ…ＴＦＴ層、１２１…ゲート電極、１２２…画素電極、１２３ａ，１２３ｂ…配線、１２４ａ，１２４ｂ…張り出し部（突出部）、１３…表示層、１４…透明基板、８１…遮光部、８２…透光部、Ｍ１，Ｍ２…露光マスク、ｄ１１，ｄ１２，ｄ２１，ｄ２２，ｄ３２，ｄ４１，ｄ４２…距離。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にデバイスを形成する工程を含み、
前記デバイスを形成する工程は、
薄膜を形成する工程と、
前記薄膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
露光マスクを用いて、前記フォトレジスト膜に対して露光を行う露光工程と、
前記露光がなされたフォトレジスト膜をエッチングする工程と
を含み、
前記露光工程では、前記フォトレジスト膜に対する露光を複数回連続して行う
デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記露光工程では、１回目の露光である第１の露光工程と、２回目以降の露光である第２の露光工程とで、互いに異なるマスクパターンを有する露光マスクを用いる
請求項１に記載のデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第２の露光工程の際に用いる第２の露光マスクでは、前記第１の露光工程の際に用いる第１の露光マスクと比べ、隣接する遮光部間に位置する透光部の距離が相対的に短くなっている
請求項２に記載のデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記第２の露光工程の際に用いる第２の露光マスクでは、前記第１の露光工程の際に用いる第１の露光マスクにおける透光部のうちの一部の領域のみが透光部となっていると共に、その他の領域が遮光部となっている
請求項２に記載のデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記一部の領域が、前記第１の露光マスクにおける隣接する遮光部間に位置する
請求項４に記載のデバイスの製造方法
【請求項６】
前記第２の露光工程では、前記第１の露光工程と比べて露光強度を相対的に大きくする
請求項２ないし請求項５のいずれか１項に記載のデバイスの製造方法。
【請求項７】
前記露光工程では、複数回の露光の各々において、共通の露光マスクを用いる
請求項１に記載のデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記基板が、可撓性基板である
請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載のデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記薄膜は、金属膜または半導体膜である
請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載のデバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記デバイスは、薄膜トランジスタ、容量素子、配線および電極のうちの少なくとも１つである
請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載のデバイスの製造方法。
【請求項１１】
基板上に、デバイスおよび表示層を形成する工程を含み、
前記デバイスを形成する工程は、
薄膜を形成する工程と、
前記薄膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
露光マスクを用いて、前記フォトレジスト膜に対して露光を行う露光工程と、
前記露光がなされたフォトレジスト膜をエッチングする工程と
を含み、
前記露光工程では、前記フォトレジスト膜に対する露光を複数回連続して行う
表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記表示層が、電気泳動粒子、液晶素子、有機ＥＬ素子または無機ＥＬ素子を用いて構成されている
請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
基板上に、薄膜を含む複数のデバイスと、表示層とを備え、
前記複数のデバイスのうちの互いに離隔して隣接する一対のデバイス同士において、少なくとも一方の側の前記薄膜に、他方側への張り出し部が設けられている
表示装置。
【請求項１４】
前記一対のデバイス同士において、双方側の前記薄膜にそれぞれ、前記張り出し部が設けられている
請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
表示装置を備え、
前記表示装置は、
基板上に、薄膜を含む複数のデバイスと、表示層とを有し、
前記複数のデバイスのうちの互いに離隔して隣接する一対のデバイス同士において、少なくとも一方の側の前記薄膜に、他方側への張り出し部が設けられている
電子機器。
【請求項１】
基板上にデバイスを形成する工程を含み、
前記デバイスを形成する工程は、
薄膜を形成する工程と、
前記薄膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
露光マスクを用いて、前記フォトレジスト膜に対して露光を行う露光工程と、
前記露光がなされたフォトレジスト膜をエッチングする工程と
を含み、
前記露光工程では、前記フォトレジスト膜に対する露光を複数回連続して行う
デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記露光工程では、１回目の露光である第１の露光工程と、２回目以降の露光である第２の露光工程とで、互いに異なるマスクパターンを有する露光マスクを用いる
請求項１に記載のデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第２の露光工程の際に用いる第２の露光マスクでは、前記第１の露光工程の際に用いる第１の露光マスクと比べ、隣接する遮光部間に位置する透光部の距離が相対的に短くなっている
請求項２に記載のデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記第２の露光工程の際に用いる第２の露光マスクでは、前記第１の露光工程の際に用いる第１の露光マスクにおける透光部のうちの一部の領域のみが透光部となっていると共に、その他の領域が遮光部となっている
請求項２に記載のデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記一部の領域が、前記第１の露光マスクにおける隣接する遮光部間に位置する
請求項４に記載のデバイスの製造方法
【請求項６】
前記第２の露光工程では、前記第１の露光工程と比べて露光強度を相対的に大きくする
請求項２ないし請求項５のいずれか１項に記載のデバイスの製造方法。
【請求項７】
前記露光工程では、複数回の露光の各々において、共通の露光マスクを用いる
請求項１に記載のデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記基板が、可撓性基板である
請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載のデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記薄膜は、金属膜または半導体膜である
請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載のデバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記デバイスは、薄膜トランジスタ、容量素子、配線および電極のうちの少なくとも１つである
請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載のデバイスの製造方法。
【請求項１１】
基板上に、デバイスおよび表示層を形成する工程を含み、
前記デバイスを形成する工程は、
薄膜を形成する工程と、
前記薄膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
露光マスクを用いて、前記フォトレジスト膜に対して露光を行う露光工程と、
前記露光がなされたフォトレジスト膜をエッチングする工程と
を含み、
前記露光工程では、前記フォトレジスト膜に対する露光を複数回連続して行う
表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記表示層が、電気泳動粒子、液晶素子、有機ＥＬ素子または無機ＥＬ素子を用いて構成されている
請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
基板上に、薄膜を含む複数のデバイスと、表示層とを備え、
前記複数のデバイスのうちの互いに離隔して隣接する一対のデバイス同士において、少なくとも一方の側の前記薄膜に、他方側への張り出し部が設けられている
表示装置。
【請求項１４】
前記一対のデバイス同士において、双方側の前記薄膜にそれぞれ、前記張り出し部が設けられている
請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
表示装置を備え、
前記表示装置は、
基板上に、薄膜を含む複数のデバイスと、表示層とを有し、
前記複数のデバイスのうちの互いに離隔して隣接する一対のデバイス同士において、少なくとも一方の側の前記薄膜に、他方側への張り出し部が設けられている
電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２０１２−２２２０４４（Ｐ２０１２−２２２０４４Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１２日（２０１２．１１．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−８３８３２（Ｐ２０１１−８３８３２）
【出願日】平成２３年４月５日（２０１１．４．５）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１２日（２０１２．１１．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月５日（２０１１．４．５）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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