電気光学装置及び電子機器
【課題】液晶装置等の電気光学装置において、比較的簡易な構成で、各画素の残存電圧を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、基板上の表示領域（１０ａ）で互いに交差する走査線（３ａ）及びデータ線（６ａ）と、走査線及びデータ線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極及び画素電極に絶縁膜（７５）を介して対向配置される導電膜（９ｂ）からなる蓄積容量（７０）と、画素電極及び導電膜の少なくとも一方を延在し、画素電極及び導電膜を互いに電気的に接続する抵抗部（２００）とを備える。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、基板上の表示領域（１０ａ）で互いに交差する走査線（３ａ）及びデータ線（６ａ）と、走査線及びデータ線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極及び画素電極に絶縁膜（７５）を介して対向配置される導電膜（９ｂ）からなる蓄積容量（７０）と、画素電極及び導電膜の少なくとも一方を延在し、画素電極及び導電膜を互いに電気的に接続する抵抗部（２００）とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクター等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置として、例えば複数の画素が配列された画素領域において、画素単位で電位を供給することにより画像を表示可能とするものがある。このような装置では、電源をオフした際に、各画素には直前まで供給されていた電位が保持された状態となる。各画素に保持された電位（以下、適宜「残存電圧」と称する）は、放電されるのに比較的長い時間（例えば、数秒程度）を要してしまうため、表示不良や電気光学物質の劣化の原因となってしまうおそれがある。このため、例えば特許文献１では、装置の電源をオフする際に、各画素の電位をリセットするような信号を供給することで残存電圧を低減しようとする技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２９７２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した技術では、画像の表示とは関係ない部分で他の信号を供給する動作が求められるため、装置の動作シーケンスが複雑化してしまうと共に、それを実現するために回路構成も複雑化してしまう。即ち、上述した技術には、仮に残存電圧を低減できたとしても、その分、装置の構成や動作が複雑化してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。
【０００５】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、比較的簡易な構成で、各画素の残存電圧を低減可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上の表示領域で互いに交差する走査線及びデータ線と、前記走査線及び前記データ線の交差に対応して設けられた画素電極と、前記画素電極及び該画素電極に絶縁膜を介して対向配置される導電膜からなる蓄積容量と、前記画素電極及び前記導電膜の少なくとも一方を延在し、前記画素電極及び前記導電膜を互いに電気的に接続する抵抗部とを備える。
【０００７】
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、データ線から画素電極への画像信号の供給が制御される、所謂アクティブマトリクス方式による画像表示が可能となる。具体的には、各画素は、トランジスタのゲート電極に走査線より走査信号が供給されることで選択状態となり、トランジスタの半導体層の一方のソースドレイン領域がデータ線と互いに電気的に接続され且つ他方のソースドレイン領域が画素電極と互いに電気的に接続されることにより、画素電極にデータ線から画像信号が供給される。
【０００８】
本発明では、画素電極は、データ線及び走査線の交差に対応して、基板上の表示領域（即ち、画像に寄与する領域）にマトリクス状に複数設けられている。画素電極は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる。そして、この画素電極に絶縁膜を介して対向配置されるように、導電膜が設けられている。導電膜は、典型的には、画素電極と同様にＩＴＯ等の透明導電材料からなる。
【０００９】
ここで特に、画素電極及び導電膜は、互いに電気的に接続されることで、部分的に蓄積容量を形成している。即ち、画素電極及び導電膜間の絶縁膜が容量絶縁膜として機能することで、供給された電位を保持可能な構成とされている。絶縁膜は、蓄積容量の容量値を大きくするためにも、誘電率が高い材料を用いて薄く形成されていることが望ましい。尚、画素電極及び導電膜は、例えば絶縁膜を貫通するように設けられるコンタクトホール等を介して、互いに電気的に接続される。画素電極及び導電膜が蓄積容量を構成することにより、画素電極に供給された電位のリークを低減することができるため、表示品質を高めることが可能となる。
【００１０】
更に、画素電極及び導電膜は、少なくとも一方が延在するように設けられ、画像信号の供給が停止された際に、蓄積容量に並列に付加された抵抗部として機能する。即ち、画素電極及び導電膜は、部材本来の機能を発揮しない部分にまで延びるように冗長的に設けられ、抵抗部を形成している。このため、装置の電源がオフとされた場合に、蓄積容量に保持された電位を効率的に放電することができる。
【００１１】
仮に、このような放電を行えないとすると、電源オフ時に蓄積容量に保持された残存電圧は、例えば表示すべきでない画像を表示させてしまうことにより、使用者に違和感を与えてしまう原因となってしまう。また、比較的長い時間保持されることにより、電気光学物質の劣化を早めてしまう原因となってしまう。
【００１２】
しかるに本発明では特に、上述したように、装置の電源がオフとされた場合に、画素電極及び導電膜が抵抗部として機能することで、蓄積容量に保持された電位を効率的に放電することができる。よって、高品質な画像表示及び信頼性の向上を実現することができる。尚、このような効果は、画素電極及び導電膜の抵抗値によらず相応に得ることができる。即ち、画素電極及び導電膜は、抵抗値が極めて高い材料を含んで構成されなくともよい。但し、蓄積容量の保持電圧等に基づいて画素電極及び導電膜の材料や形状を決定するようにすれば、より顕著に効果を発揮させることができる。
【００１３】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、比較的簡易な構成で、各画素の残存電圧を低減することが可能である。
【００１４】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記画素電極及び前記導電膜における前記蓄積容量を形成しない部分が、少なくとも部分的に前記抵抗部を形成している。
【００１５】
この態様によれば、画素電極及び導電膜における蓄積容量を形成しない部分が、意図的に蓄積容量より高い抵抗値を有するように形成されている。具体的には、例えば蓄積容量を形成する部分が容量値を高めるために比較的広い面積を有するように設けられているのに対し、抵抗部を形成する部分は抵抗値を高めるために幅が狭くなるように設けられている。このように構成することで、装置の電源がオフとされた場合に、各画素の残存電圧をより効率的に放電することができる。従って、より確実に高品質な画像表示及び信頼性の向上を実現することができる。
【００１６】
上述した画素電極及び導電膜が抵抗部を形成する態様では、前記画素電極及び前記導電膜は、前記表示領域における光を透過可能な複数の開口領域を相互に隔てる非開口領域で前記抵抗部を形成するように構成してもよい。
【００１７】
ここで、本発明に係る「開口領域」とは、実質的に表示光を出射させる画素内の領域であり、透過率の変更に応じて液晶等の電気光学物質を抜けてきた出射光の階調を変化させることが可能となる領域である。言い換えれば、「開口領域」とは、画素に集光される光が、光を透過させない或いは光透過率が透明電極に比べて相対的に小さい配線、遮光膜、及び各種素子等の遮光体で遮られることがない領域を意味する。他方、本発明に係る「非開口領域」とは、表示に寄与する光が透過しない領域を意味し、例えば画素内に非透明な配線或いは電極、若しくは各種素子等の遮光体が配設されている領域を意味する。
【００１８】
この場合、画素電極及び導電膜によって形成される抵抗部が、非開口領域に位置することになる。このため、抵抗部が表示画像に影響を与えてしまうことを防止することができる。具体的には、画像信号として画素電極に供給される電位が、抵抗部が存在することによって変動してしまうことを防止することができる。従って、本態様では、より高品質な画像を表示することが可能である。
【００１９】
上述した非開口領域で抵抗部が形成される態様では、前記画素電極は、前記基板上で平面的に見て、前記開口領域を覆うように設けられた電極部分と、前記基板上で平面的に見て、前記非開口領域において前記電極部分から延びるように設けられた抵抗付加部分とを有するように構成してもよい。
【００２０】
この場合、電極部分が開口領域を覆うように設けられるため、電極部分で蓄積容量を形成するようにすれば、比較的高い容量値の蓄積容量とすることができる。また、抵抗付加部分は非開口領域に設けられるため、抵抗部が表示画像に影響を与えてしまうことを防止することができる。抵抗付加部分は、例えば電極部分から延びるような細長い配線のような形状とされる。これにより、限られたスペースで高い抵抗値の抵抗部を形成することができる。従って、各画素の残存電圧を効率的に放電することが可能である。
【００２１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極及び前記導電膜は、前記非開口領域に設けられたコンタクトホールを介して、互いに電気的に接続されている。
【００２２】
この態様によれば、画素電極及び導電膜はコンタクトホールによって互いに電気的に接続されている。このため、画素電極及び導電膜の構造を比較的簡単なものとすることができる。また、コンタクトホールが非開口領域に設けられているため、抵抗部を非開口領域に形成することが容易となる。従って、抵抗部が表示画像に影響を与えてしまうことを防止することができる。
【００２３】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を備える。
【００２４】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品質な表示を行うことが可能であると共に信頼性の高い、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパーなどの電気泳動装置等も実現することも可能である。
【００２５】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】実施形態に係る電気光学装置における各画素の電気的構成を示す等価回路図である。
【図４】実施形態に係る電気光学装置における各画素の構成を示す平面図である。
【図５】実施形態に係る電気光学装置の積層構造を示す断面図である。
【図６】実施形態に係る電気光学装置の変形例を示す断面図（その１）である。
【図７】実施形態に係る電気光学装置の変形例を示す断面図（その２）である。
【図８】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクターの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。
【００２８】
＜電気光学装置＞
本実施形態に係る電気光学装置について、図１から図７を参照して説明する。尚、以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００２９】
先ず、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００３０】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板や、シリコン基板等である。対向基板２０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。
【００３１】
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素電極が設けられた画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により、相互に接着されている。
【００３２】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００３３】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。尚、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００３４】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００３５】
ＴＦＴアレイ基板１０上における対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域には、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００３６】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００３７】
画素電極９ａは、対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００３８】
また、画素電極９ａの下層側（即ち、ＴＦＴアレイ基板１０側）には、絶縁膜を介して導電膜が形成されている。この導電膜の構成については、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成される積層構造と共に後に詳述する。
【００３９】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上には、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクター用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００４０】
遮光膜２３上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。また遮光膜２３上には、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルターが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００４１】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、上述したデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００４２】
次に、本実施形態に係る電気光学装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成する各画素の電気的構成を示す等価回路図である。
【００４３】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。
【００４４】
ＴＦＴ３０のゲートには、走査線３ａが電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置は、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号を順次供給するように構成されている。
【００４５】
画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号が所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶層５０（図２参照）に書き込まれた所定レベルの画像信号は、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。
【００４６】
液晶層５０を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００４７】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。
【００４８】
また本実施形態に係る電気光学装置では特に、蓄積容量７０と並列に抵抗部２００が設けられている。抵抗部２００は、例えば装置の電源がオフとされた際に、蓄積容量７０に保持された電位を放電する。蓄積容量７０及び抵抗部２００のより具体的な構成については、後に詳述する。
【００４９】
次に、本実施形態に係る電気光学装置における画素部の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。ここに図４は、本実施形態に係る電気光学装置における各画素の構成を示す平面図である。また図５は、本実施形態に係る電気光学装置の積層構造を示す断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。図４及び図５では、説明の便宜上、ＴＦＴアレイ基板１０上に積層される各部材の図示を適宜省略している。
【００５０】
図４において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられている。また、画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。即ち、走査線３ａは、Ｘ方向に沿って延びるように設けられており、データ線６ａは、走査線３ａと交差するように、Ｙ方向に沿って延びるように設けられている。尚、ここでは図示を省略しているが、走査線３ａ及びデータ線６ａが互いに交差する個所の各々には画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００５１】
走査線３ａ及びデータ線６ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。即ち、走査線３ａ及びデータ線６ａは、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に配置されている。
【００５２】
画素電極９ａの下層には、画像表示領域の全面を覆う（但し、コンタクトホール等が設けられている箇所等を除く）ように導電膜９ｂが設けられている。導電膜９ｂは、画素電極９ａと共に蓄積容量７０を形成すると共に、抵抗部２００（図３参照）を形成している。
【００５３】
図４及び図５において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａと、ゲート電極３ｂとを含んで構成されている。
【００５４】
半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。
【００５５】
データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、チャネル領域１ａ’を基準として、Ｙ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ’及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ’及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間に形成されている。
【００５６】
データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは夫々、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成されている。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域間に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。
【００５７】
尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００５８】
ゲート電極３ｂは、例えば導電性ポリシリコンから形成されており、図示しないコンタクトホール等を介して走査線３ａと電気的に接続されている。ゲート電極３ｂ及び半導体層１ａ間は、ゲート絶縁膜２によって絶縁されている。
【００５９】
図４及び図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも下地絶縁膜１２を介して下層側には、走査線３ａが格子状に設けられている。走査線３ａは、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等の遮光性材料からなる。これにより走査線３ａは、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクター等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などから、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及びその周辺を遮光する下側遮光膜として機能する。
【００６０】
下地絶縁膜１２は、走査線３ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００６１】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも第１層間絶縁膜４１を介して上層側には、データ線６ａ及び第１中継層９１が設けられている。
【００６２】
データ線６ａは、半導体層１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄに、第１層間絶縁膜４１及びゲート絶縁膜２を貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ａは更に、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。
【００６３】
第１中継層９１は、第１層間絶縁膜４１上においてデータ線６ａと同層に形成されており、コンタクトホール８２を介して、半導体層１ａの画素電極線側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。データ線６ａ及び第１中継層９１は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を第１層間絶縁膜４１上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。これにより、データ線６ａ及び第１中継層９１を同一工程で形成できるため、装置の製造プロセスを簡便にできる。
【００６４】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のデータ線６ａ及び第１中継層９１よりも第２層間絶縁膜４２を介して上層側には、第２中継層９２が設けられている。第２中継層９２は、コンタクトホール８３を介して、第１中継層９１と電気的に接続されている。また第２中継層９２は、例えばアルミニウム等の遮光性を有する金属を含んで構成されており、ＴＦＴ３０を上層側から遮光する機能を有している。
【００６５】
ＴＦＴアレイ基板１０上の第２中継層９２よりも第３層間絶縁膜４３を介して上層側には、導電膜９ｂ及び第３中継層９３が設けられている。
【００６６】
導電膜９ｂは、例えば画素電極９ａと同様にＩＴＯ等の透明導電材料によって構成される。但し、入射した光を反射して画像を表示する反射型の電気光学装置の場合には、非透明な材料によって構成されていても構わない。
【００６７】
第３中継層９３は、コンタクトホール８４を介して、第２中継層９２と電気的に接続されている。導電膜９ｂ及び第３中継層９３は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を第３層間絶縁膜４３上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。
【００６８】
導電膜９ｂ及び第３中継層９３よりも容量絶縁膜７５を介して上層側には、導電膜画素電極９ａが設けられている。画素電極９ａは、コンタクトホール８５を介して第３中継層と電気的に接続されると共に、コンタクトホール８６を介して導電膜９ｂと電気的に接続されている。画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。
【００６９】
ここで本実施形態では特に、画素電極９ａ及び導電膜９ｂが容量絶縁膜７５を介して対向配置されることにより、蓄積容量７０が形成されている。即ち、画素電極９ａは上部容量電極として機能し、導電膜９ｂは下部容量電極として機能する。
【００７０】
ゲート絶縁膜７５は、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜、或いは窒化シリコン（ＳｉＮ）膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。
【００７１】
蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカーの低減といった表示特性の向上が可能となる。
【００７２】
本実施形態に係る電気光学装置では更に、画素電極９ａ及び導電膜９ｂは、装置の電源オフ時に、上述した蓄積容量７０に保持された電位を放電する抵抗部２００を形成している。具体的には、図５に示すように、画素電極９ａ及び導電膜９ｂが迂回するように接続されると共に、図４に示すように、画素電極９ａの一部が非開口領域において延在し細長い形状の抵抗部とされることで、比較的高い抵抗値を有するものとして形成されている。
【００７３】
仮に、このような抵抗部２００が設けられていないとすると、電源オフ時に蓄積容量７０に保持された残存電圧は、例えば表示すべきでない画像を表示させてしまうことにより、使用者に違和感を与えてしまう原因となってしまう。また、比較的長い時間保持されることにより、液晶層５０の劣化を早めてしまう原因となってしまう。
【００７４】
これに対し本実施形態では特に、装置の電源がオフとされた場合に、画素電極９ａ及び導電膜９ｂが抵抗として機能することで、蓄積容量７０に保持された電位を効率的に放電することができる。よって、高品質な画像表示及び信頼性の向上を実現することができる。
【００７５】
以上に説明した画素部の構成は、図４に示すように、各画素部に共通である。即ち、画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されている。
【００７６】
次に、本実施形態に係る電気光学装置の変形例について、図６及び図７を参照して説明する。ここに図６及び図７は夫々、実施形態に係る電気光学装置の変形例を示す断面図である。
【００７７】
図６において、本実施形態に係る抵抗部２００は、半導体層１ａによって構成されていてもよい。具体的には、半導体層１ａにおける画素電極側ソースドレイン領域１ｅが伸長されることにより、抵抗部２００を形成してもよい。
【００７８】
この場合、半導体層１ａにおける伸長された側の一端は、コンタクトホール８７を介して、データ線６ａ及び第１中継層９１と同層に設けられた第４中継層９４と電気的に接続される。第４中継層９４は、コンタクトホール８８を介して、第２中継層９２と同層に設けられた第５中継層９５と電気的に接続される。第５中継層９５は、コンタクトホール８９を介して導電膜９ｂと電気的に接続される。
【００７９】
上述した構成によれば、半導体層１ａによって構成された抵抗部２００により、蓄積容量７０に保持された電位を効率的に放電することができる。よって、高品質な画像表示及び信頼性の向上を実現することができる。
【００８０】
図７において、抵抗部２００が半導体層１ａによって構成されている場合には、蓄積容量７０が画素電極９ａ以外の部分において構成されていてもよい。具体的には、ＴＦＴ３０より上層側に設けられた下部容量電極７１、及び下部容量電極７１と容量絶縁膜７５を介して対向配置された上部容量電極７２によって、蓄積容量７０が形成されていてもよい。
【００８１】
下部容量電極７１は、コンタクトホール１８２を介して、半導体層１ａにおける画素電極側ソースドレイン領域１ｅと電気的に接続されると共に、コンタクトホール１８３を介して、第１中継層９１と電気的に接続されている。
【００８２】
上部容量電極７２は、コンタクトホール１８７を介して、第４中継層９４と電気的に接続されている。第４中継層９４は、コンタクトホール１８６を介して、半導体層１ａにおける画素電極側ソースドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。
【００８３】
上述した構成においても、図７で説明した場合と同様に、半導体層１ａによって構成された抵抗部２００により、蓄積容量７０に保持された電位を効率的に放電することができる。よって、高品質な画像表示及び信頼性の向上を実現することができる。
【００８４】
以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置によれば、比較的簡易な構成で、各画素の残存電圧を低減することが可能である。
【００８５】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図８は、プロジェクターの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクターについて説明する。
【００８６】
図８に示されるように、プロジェクター１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００８７】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００８８】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００８９】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルターを設ける必要はない。
【００９０】
尚、図８を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダー型、モニタ直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００９１】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００９２】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００９３】
１ａ…半導体層、１ａ´…チャネル領域、１ｂ…データ線側ＬＤＤ領域、１ｃ…画素電極側ＬＤＤ領域、１ｄ…データ線側ソースドレイン領域、１ｅ…画素電極側ソースドレイン領域、３ａ…走査線、３ｂ…ゲート電極、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、９ｂ…導電膜、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、７０…蓄積容量、７５…容量絶縁膜、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、２００…抵抗部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクター等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置として、例えば複数の画素が配列された画素領域において、画素単位で電位を供給することにより画像を表示可能とするものがある。このような装置では、電源をオフした際に、各画素には直前まで供給されていた電位が保持された状態となる。各画素に保持された電位（以下、適宜「残存電圧」と称する）は、放電されるのに比較的長い時間（例えば、数秒程度）を要してしまうため、表示不良や電気光学物質の劣化の原因となってしまうおそれがある。このため、例えば特許文献１では、装置の電源をオフする際に、各画素の電位をリセットするような信号を供給することで残存電圧を低減しようとする技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２９７２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した技術では、画像の表示とは関係ない部分で他の信号を供給する動作が求められるため、装置の動作シーケンスが複雑化してしまうと共に、それを実現するために回路構成も複雑化してしまう。即ち、上述した技術には、仮に残存電圧を低減できたとしても、その分、装置の構成や動作が複雑化してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。
【０００５】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、比較的簡易な構成で、各画素の残存電圧を低減可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上の表示領域で互いに交差する走査線及びデータ線と、前記走査線及び前記データ線の交差に対応して設けられた画素電極と、前記画素電極及び該画素電極に絶縁膜を介して対向配置される導電膜からなる蓄積容量と、前記画素電極及び前記導電膜の少なくとも一方を延在し、前記画素電極及び前記導電膜を互いに電気的に接続する抵抗部とを備える。
【０００７】
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、データ線から画素電極への画像信号の供給が制御される、所謂アクティブマトリクス方式による画像表示が可能となる。具体的には、各画素は、トランジスタのゲート電極に走査線より走査信号が供給されることで選択状態となり、トランジスタの半導体層の一方のソースドレイン領域がデータ線と互いに電気的に接続され且つ他方のソースドレイン領域が画素電極と互いに電気的に接続されることにより、画素電極にデータ線から画像信号が供給される。
【０００８】
本発明では、画素電極は、データ線及び走査線の交差に対応して、基板上の表示領域（即ち、画像に寄与する領域）にマトリクス状に複数設けられている。画素電極は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる。そして、この画素電極に絶縁膜を介して対向配置されるように、導電膜が設けられている。導電膜は、典型的には、画素電極と同様にＩＴＯ等の透明導電材料からなる。
【０００９】
ここで特に、画素電極及び導電膜は、互いに電気的に接続されることで、部分的に蓄積容量を形成している。即ち、画素電極及び導電膜間の絶縁膜が容量絶縁膜として機能することで、供給された電位を保持可能な構成とされている。絶縁膜は、蓄積容量の容量値を大きくするためにも、誘電率が高い材料を用いて薄く形成されていることが望ましい。尚、画素電極及び導電膜は、例えば絶縁膜を貫通するように設けられるコンタクトホール等を介して、互いに電気的に接続される。画素電極及び導電膜が蓄積容量を構成することにより、画素電極に供給された電位のリークを低減することができるため、表示品質を高めることが可能となる。
【００１０】
更に、画素電極及び導電膜は、少なくとも一方が延在するように設けられ、画像信号の供給が停止された際に、蓄積容量に並列に付加された抵抗部として機能する。即ち、画素電極及び導電膜は、部材本来の機能を発揮しない部分にまで延びるように冗長的に設けられ、抵抗部を形成している。このため、装置の電源がオフとされた場合に、蓄積容量に保持された電位を効率的に放電することができる。
【００１１】
仮に、このような放電を行えないとすると、電源オフ時に蓄積容量に保持された残存電圧は、例えば表示すべきでない画像を表示させてしまうことにより、使用者に違和感を与えてしまう原因となってしまう。また、比較的長い時間保持されることにより、電気光学物質の劣化を早めてしまう原因となってしまう。
【００１２】
しかるに本発明では特に、上述したように、装置の電源がオフとされた場合に、画素電極及び導電膜が抵抗部として機能することで、蓄積容量に保持された電位を効率的に放電することができる。よって、高品質な画像表示及び信頼性の向上を実現することができる。尚、このような効果は、画素電極及び導電膜の抵抗値によらず相応に得ることができる。即ち、画素電極及び導電膜は、抵抗値が極めて高い材料を含んで構成されなくともよい。但し、蓄積容量の保持電圧等に基づいて画素電極及び導電膜の材料や形状を決定するようにすれば、より顕著に効果を発揮させることができる。
【００１３】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、比較的簡易な構成で、各画素の残存電圧を低減することが可能である。
【００１４】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記画素電極及び前記導電膜における前記蓄積容量を形成しない部分が、少なくとも部分的に前記抵抗部を形成している。
【００１５】
この態様によれば、画素電極及び導電膜における蓄積容量を形成しない部分が、意図的に蓄積容量より高い抵抗値を有するように形成されている。具体的には、例えば蓄積容量を形成する部分が容量値を高めるために比較的広い面積を有するように設けられているのに対し、抵抗部を形成する部分は抵抗値を高めるために幅が狭くなるように設けられている。このように構成することで、装置の電源がオフとされた場合に、各画素の残存電圧をより効率的に放電することができる。従って、より確実に高品質な画像表示及び信頼性の向上を実現することができる。
【００１６】
上述した画素電極及び導電膜が抵抗部を形成する態様では、前記画素電極及び前記導電膜は、前記表示領域における光を透過可能な複数の開口領域を相互に隔てる非開口領域で前記抵抗部を形成するように構成してもよい。
【００１７】
ここで、本発明に係る「開口領域」とは、実質的に表示光を出射させる画素内の領域であり、透過率の変更に応じて液晶等の電気光学物質を抜けてきた出射光の階調を変化させることが可能となる領域である。言い換えれば、「開口領域」とは、画素に集光される光が、光を透過させない或いは光透過率が透明電極に比べて相対的に小さい配線、遮光膜、及び各種素子等の遮光体で遮られることがない領域を意味する。他方、本発明に係る「非開口領域」とは、表示に寄与する光が透過しない領域を意味し、例えば画素内に非透明な配線或いは電極、若しくは各種素子等の遮光体が配設されている領域を意味する。
【００１８】
この場合、画素電極及び導電膜によって形成される抵抗部が、非開口領域に位置することになる。このため、抵抗部が表示画像に影響を与えてしまうことを防止することができる。具体的には、画像信号として画素電極に供給される電位が、抵抗部が存在することによって変動してしまうことを防止することができる。従って、本態様では、より高品質な画像を表示することが可能である。
【００１９】
上述した非開口領域で抵抗部が形成される態様では、前記画素電極は、前記基板上で平面的に見て、前記開口領域を覆うように設けられた電極部分と、前記基板上で平面的に見て、前記非開口領域において前記電極部分から延びるように設けられた抵抗付加部分とを有するように構成してもよい。
【００２０】
この場合、電極部分が開口領域を覆うように設けられるため、電極部分で蓄積容量を形成するようにすれば、比較的高い容量値の蓄積容量とすることができる。また、抵抗付加部分は非開口領域に設けられるため、抵抗部が表示画像に影響を与えてしまうことを防止することができる。抵抗付加部分は、例えば電極部分から延びるような細長い配線のような形状とされる。これにより、限られたスペースで高い抵抗値の抵抗部を形成することができる。従って、各画素の残存電圧を効率的に放電することが可能である。
【００２１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極及び前記導電膜は、前記非開口領域に設けられたコンタクトホールを介して、互いに電気的に接続されている。
【００２２】
この態様によれば、画素電極及び導電膜はコンタクトホールによって互いに電気的に接続されている。このため、画素電極及び導電膜の構造を比較的簡単なものとすることができる。また、コンタクトホールが非開口領域に設けられているため、抵抗部を非開口領域に形成することが容易となる。従って、抵抗部が表示画像に影響を与えてしまうことを防止することができる。
【００２３】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を備える。
【００２４】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品質な表示を行うことが可能であると共に信頼性の高い、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパーなどの電気泳動装置等も実現することも可能である。
【００２５】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】実施形態に係る電気光学装置における各画素の電気的構成を示す等価回路図である。
【図４】実施形態に係る電気光学装置における各画素の構成を示す平面図である。
【図５】実施形態に係る電気光学装置の積層構造を示す断面図である。
【図６】実施形態に係る電気光学装置の変形例を示す断面図（その１）である。
【図７】実施形態に係る電気光学装置の変形例を示す断面図（その２）である。
【図８】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクターの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。
【００２８】
＜電気光学装置＞
本実施形態に係る電気光学装置について、図１から図７を参照して説明する。尚、以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００２９】
先ず、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００３０】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板や、シリコン基板等である。対向基板２０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。
【００３１】
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素電極が設けられた画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により、相互に接着されている。
【００３２】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００３３】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。尚、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００３４】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００３５】
ＴＦＴアレイ基板１０上における対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域には、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００３６】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００３７】
画素電極９ａは、対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００３８】
また、画素電極９ａの下層側（即ち、ＴＦＴアレイ基板１０側）には、絶縁膜を介して導電膜が形成されている。この導電膜の構成については、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成される積層構造と共に後に詳述する。
【００３９】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上には、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクター用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００４０】
遮光膜２３上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。また遮光膜２３上には、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルターが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００４１】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、上述したデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００４２】
次に、本実施形態に係る電気光学装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成する各画素の電気的構成を示す等価回路図である。
【００４３】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。
【００４４】
ＴＦＴ３０のゲートには、走査線３ａが電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置は、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号を順次供給するように構成されている。
【００４５】
画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号が所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶層５０（図２参照）に書き込まれた所定レベルの画像信号は、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。
【００４６】
液晶層５０を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００４７】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。
【００４８】
また本実施形態に係る電気光学装置では特に、蓄積容量７０と並列に抵抗部２００が設けられている。抵抗部２００は、例えば装置の電源がオフとされた際に、蓄積容量７０に保持された電位を放電する。蓄積容量７０及び抵抗部２００のより具体的な構成については、後に詳述する。
【００４９】
次に、本実施形態に係る電気光学装置における画素部の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。ここに図４は、本実施形態に係る電気光学装置における各画素の構成を示す平面図である。また図５は、本実施形態に係る電気光学装置の積層構造を示す断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。図４及び図５では、説明の便宜上、ＴＦＴアレイ基板１０上に積層される各部材の図示を適宜省略している。
【００５０】
図４において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられている。また、画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。即ち、走査線３ａは、Ｘ方向に沿って延びるように設けられており、データ線６ａは、走査線３ａと交差するように、Ｙ方向に沿って延びるように設けられている。尚、ここでは図示を省略しているが、走査線３ａ及びデータ線６ａが互いに交差する個所の各々には画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００５１】
走査線３ａ及びデータ線６ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。即ち、走査線３ａ及びデータ線６ａは、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に配置されている。
【００５２】
画素電極９ａの下層には、画像表示領域の全面を覆う（但し、コンタクトホール等が設けられている箇所等を除く）ように導電膜９ｂが設けられている。導電膜９ｂは、画素電極９ａと共に蓄積容量７０を形成すると共に、抵抗部２００（図３参照）を形成している。
【００５３】
図４及び図５において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａと、ゲート電極３ｂとを含んで構成されている。
【００５４】
半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。
【００５５】
データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、チャネル領域１ａ’を基準として、Ｙ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ’及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ’及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間に形成されている。
【００５６】
データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは夫々、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成されている。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域間に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。
【００５７】
尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００５８】
ゲート電極３ｂは、例えば導電性ポリシリコンから形成されており、図示しないコンタクトホール等を介して走査線３ａと電気的に接続されている。ゲート電極３ｂ及び半導体層１ａ間は、ゲート絶縁膜２によって絶縁されている。
【００５９】
図４及び図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも下地絶縁膜１２を介して下層側には、走査線３ａが格子状に設けられている。走査線３ａは、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等の遮光性材料からなる。これにより走査線３ａは、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクター等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などから、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及びその周辺を遮光する下側遮光膜として機能する。
【００６０】
下地絶縁膜１２は、走査線３ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００６１】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも第１層間絶縁膜４１を介して上層側には、データ線６ａ及び第１中継層９１が設けられている。
【００６２】
データ線６ａは、半導体層１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄに、第１層間絶縁膜４１及びゲート絶縁膜２を貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ａは更に、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。
【００６３】
第１中継層９１は、第１層間絶縁膜４１上においてデータ線６ａと同層に形成されており、コンタクトホール８２を介して、半導体層１ａの画素電極線側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。データ線６ａ及び第１中継層９１は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を第１層間絶縁膜４１上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。これにより、データ線６ａ及び第１中継層９１を同一工程で形成できるため、装置の製造プロセスを簡便にできる。
【００６４】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のデータ線６ａ及び第１中継層９１よりも第２層間絶縁膜４２を介して上層側には、第２中継層９２が設けられている。第２中継層９２は、コンタクトホール８３を介して、第１中継層９１と電気的に接続されている。また第２中継層９２は、例えばアルミニウム等の遮光性を有する金属を含んで構成されており、ＴＦＴ３０を上層側から遮光する機能を有している。
【００６５】
ＴＦＴアレイ基板１０上の第２中継層９２よりも第３層間絶縁膜４３を介して上層側には、導電膜９ｂ及び第３中継層９３が設けられている。
【００６６】
導電膜９ｂは、例えば画素電極９ａと同様にＩＴＯ等の透明導電材料によって構成される。但し、入射した光を反射して画像を表示する反射型の電気光学装置の場合には、非透明な材料によって構成されていても構わない。
【００６７】
第３中継層９３は、コンタクトホール８４を介して、第２中継層９２と電気的に接続されている。導電膜９ｂ及び第３中継層９３は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を第３層間絶縁膜４３上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。
【００６８】
導電膜９ｂ及び第３中継層９３よりも容量絶縁膜７５を介して上層側には、導電膜画素電極９ａが設けられている。画素電極９ａは、コンタクトホール８５を介して第３中継層と電気的に接続されると共に、コンタクトホール８６を介して導電膜９ｂと電気的に接続されている。画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。
【００６９】
ここで本実施形態では特に、画素電極９ａ及び導電膜９ｂが容量絶縁膜７５を介して対向配置されることにより、蓄積容量７０が形成されている。即ち、画素電極９ａは上部容量電極として機能し、導電膜９ｂは下部容量電極として機能する。
【００７０】
ゲート絶縁膜７５は、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜、或いは窒化シリコン（ＳｉＮ）膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。
【００７１】
蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカーの低減といった表示特性の向上が可能となる。
【００７２】
本実施形態に係る電気光学装置では更に、画素電極９ａ及び導電膜９ｂは、装置の電源オフ時に、上述した蓄積容量７０に保持された電位を放電する抵抗部２００を形成している。具体的には、図５に示すように、画素電極９ａ及び導電膜９ｂが迂回するように接続されると共に、図４に示すように、画素電極９ａの一部が非開口領域において延在し細長い形状の抵抗部とされることで、比較的高い抵抗値を有するものとして形成されている。
【００７３】
仮に、このような抵抗部２００が設けられていないとすると、電源オフ時に蓄積容量７０に保持された残存電圧は、例えば表示すべきでない画像を表示させてしまうことにより、使用者に違和感を与えてしまう原因となってしまう。また、比較的長い時間保持されることにより、液晶層５０の劣化を早めてしまう原因となってしまう。
【００７４】
これに対し本実施形態では特に、装置の電源がオフとされた場合に、画素電極９ａ及び導電膜９ｂが抵抗として機能することで、蓄積容量７０に保持された電位を効率的に放電することができる。よって、高品質な画像表示及び信頼性の向上を実現することができる。
【００７５】
以上に説明した画素部の構成は、図４に示すように、各画素部に共通である。即ち、画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されている。
【００７６】
次に、本実施形態に係る電気光学装置の変形例について、図６及び図７を参照して説明する。ここに図６及び図７は夫々、実施形態に係る電気光学装置の変形例を示す断面図である。
【００７７】
図６において、本実施形態に係る抵抗部２００は、半導体層１ａによって構成されていてもよい。具体的には、半導体層１ａにおける画素電極側ソースドレイン領域１ｅが伸長されることにより、抵抗部２００を形成してもよい。
【００７８】
この場合、半導体層１ａにおける伸長された側の一端は、コンタクトホール８７を介して、データ線６ａ及び第１中継層９１と同層に設けられた第４中継層９４と電気的に接続される。第４中継層９４は、コンタクトホール８８を介して、第２中継層９２と同層に設けられた第５中継層９５と電気的に接続される。第５中継層９５は、コンタクトホール８９を介して導電膜９ｂと電気的に接続される。
【００７９】
上述した構成によれば、半導体層１ａによって構成された抵抗部２００により、蓄積容量７０に保持された電位を効率的に放電することができる。よって、高品質な画像表示及び信頼性の向上を実現することができる。
【００８０】
図７において、抵抗部２００が半導体層１ａによって構成されている場合には、蓄積容量７０が画素電極９ａ以外の部分において構成されていてもよい。具体的には、ＴＦＴ３０より上層側に設けられた下部容量電極７１、及び下部容量電極７１と容量絶縁膜７５を介して対向配置された上部容量電極７２によって、蓄積容量７０が形成されていてもよい。
【００８１】
下部容量電極７１は、コンタクトホール１８２を介して、半導体層１ａにおける画素電極側ソースドレイン領域１ｅと電気的に接続されると共に、コンタクトホール１８３を介して、第１中継層９１と電気的に接続されている。
【００８２】
上部容量電極７２は、コンタクトホール１８７を介して、第４中継層９４と電気的に接続されている。第４中継層９４は、コンタクトホール１８６を介して、半導体層１ａにおける画素電極側ソースドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。
【００８３】
上述した構成においても、図７で説明した場合と同様に、半導体層１ａによって構成された抵抗部２００により、蓄積容量７０に保持された電位を効率的に放電することができる。よって、高品質な画像表示及び信頼性の向上を実現することができる。
【００８４】
以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置によれば、比較的簡易な構成で、各画素の残存電圧を低減することが可能である。
【００８５】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図８は、プロジェクターの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクターについて説明する。
【００８６】
図８に示されるように、プロジェクター１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００８７】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００８８】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００８９】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルターを設ける必要はない。
【００９０】
尚、図８を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダー型、モニタ直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００９１】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００９２】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００９３】
１ａ…半導体層、１ａ´…チャネル領域、１ｂ…データ線側ＬＤＤ領域、１ｃ…画素電極側ＬＤＤ領域、１ｄ…データ線側ソースドレイン領域、１ｅ…画素電極側ソースドレイン領域、３ａ…走査線、３ｂ…ゲート電極、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、９ｂ…導電膜、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、７０…蓄積容量、７５…容量絶縁膜、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、２００…抵抗部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の表示領域で互いに交差する走査線及びデータ線と、
前記走査線及び前記データ線の交差に対応して設けられた画素電極と、
前記画素電極及び該画素電極に絶縁膜を介して対向配置される導電膜からなる蓄積容量と、
前記画素電極及び前記導電膜の少なくとも一方を延在し、前記画素電極及び前記導電膜を互いに電気的に接続する抵抗部と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記画素電極及び前記導電膜における前記蓄積容量を形成しない部分が、少なくとも部分的に前記抵抗部を形成していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記画素電極及び前記導電膜は、前記表示領域における光を透過可能な複数の開口領域を相互に隔てる非開口領域で前記抵抗部を形成していることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記画素電極は、
前記基板上で平面的に見て、前記開口領域を覆うように設けられた電極部分と、
前記基板上で平面的に見て、前記非開口領域において前記電極部分から延びるように設けられた抵抗付加部分と
を有することを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記画素電極及び前記導電膜は、前記非開口領域に設けられたコンタクトホールを介して、互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板と、
前記基板上の表示領域で互いに交差する走査線及びデータ線と、
前記走査線及び前記データ線の交差に対応して設けられた画素電極と、
前記画素電極及び該画素電極に絶縁膜を介して対向配置される導電膜からなる蓄積容量と、
前記画素電極及び前記導電膜の少なくとも一方を延在し、前記画素電極及び前記導電膜を互いに電気的に接続する抵抗部と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記画素電極及び前記導電膜における前記蓄積容量を形成しない部分が、少なくとも部分的に前記抵抗部を形成していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記画素電極及び前記導電膜は、前記表示領域における光を透過可能な複数の開口領域を相互に隔てる非開口領域で前記抵抗部を形成していることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記画素電極は、
前記基板上で平面的に見て、前記開口領域を覆うように設けられた電極部分と、
前記基板上で平面的に見て、前記非開口領域において前記電極部分から延びるように設けられた抵抗付加部分と
を有することを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記画素電極及び前記導電膜は、前記非開口領域に設けられたコンタクトホールを介して、互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１０−２５６５１０（Ｐ２０１０−２５６５１０Ａ）
【公開日】平成２２年１１月１１日（２０１０．１１．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１０４７９７（Ｐ２００９−１０４７９７）
【出願日】平成２１年４月２３日（２００９．４．２３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１１月１１日（２０１０．１１．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年４月２３日（２００９．４．２３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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