【課題】液膜の幅を安定させることができるスリットノズルおよびこれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スリットノズル１１は、長手方向Ｘ１に延びるスリット状の吐出口５４が形成された吐出部４５と、吐出口５４の長手方向Ｘ１の両端にそれぞれ配置された一対のガイド部４６とを含む。一対のガイド部４６は、長手方向Ｘ１に間隔を空けて対向する一対のガイド面６６をそれぞれ含む。一対のガイド部４６のそれぞれには、ガイド面６６より凹んだ凹部６８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】複数の処理液供給部を基板の裏面側に配置することが可能な液処理装置、及びこの液処理装置における液処理方法を提供する。
【解決手段】基板の裏面周縁を支持し、前記基板を回転する基板支持部材と、前記基板支持部材により支持される前記基板の一方の面に対して処理を行う少なくとも２つの処理部と、前記基板支持部により支持される基板の中心に対応する位置に配置され、第１の回転軸の周りを回転する第１の回転部と、前記第１の回転部から第１の方向に離間して配置され、前記第１の回転軸と平行な第２の回転軸の周りを回転する第２の回転部とを備える液処理装置が提供される。少なくとも前記第１の回転部の回転により、前記少なくとも２つの処理部が前記第１の方向に沿って互いに平行に、且つ前記第１の方向と直交する第２の方向に移動できるように前記第１の回転部及び前記第２の回転部に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】基板の下面に効率良く液体洗浄および二流体洗浄を行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置（１０）は、基板保持部に保持された基板（Ｗ）の下方に位置して基板の下面に液体と気体とを混合してなる二流体を吐出することができるように構成されたノズル（６０）を備える。ノズルは、液体を吐出するための複数の液体吐出路（６７ａ）と、気体を吐出するための複数の気体吐出路（６７ｂ）とを有している。ノズルは、複数の液体吐出路にそれぞれ対応する複数の液体吐出口（６１）を有している。液体吐出口は、基板保持部に保持された基板の周縁部から内方に向かうように基板の下方に延びる水平線上に形成されている。液体吐出口は、気体吐出路に気体が供給されずに液体吐出路に液体が供給されているときに、液体吐出口から基板の下面に向けて吐出される液体の吐出方向が、基板の下面を含む平面に対して前記回転駆動部により回転させられる基板の回転方向に或る角度を成して傾斜するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】厚みに面内分布が生じていても均一にエッチングすることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物を保持して回転させる載置台２２と、前記載置台２２に保持された被処理物にエッチング液を供給するエッチング液供給部６と、前記エッチング液が供給された被処理物の厚み、または前記エッチング液が供給された被処理物に形成された膜の厚み、を測定する測定部２５と、前記載置台２２と、前記エッチング液供給部６と、前記測定部２５と、を制御する制御部５とを備え、前記制御部５は、前記測定部２５による測定結果に基づいて、前記エッチング液供給部６に所定の範囲より厚い厚みの部分に対してエッチング液を供給させる。 （もっと読む）

【課題】基板に帯電した電荷が放電することによる静電破壊の発生を防止すること。
【解決手段】本発明では、基板（２）に液処理を施すための基板液処理装置（１）及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体（４８）において、基板（２）の回路形成面を基板処理薬液で液処理する液処理工程を行う前に、基板（２）の回路形成面とは反対面を除電処理液で処理することによって基板（２）に帯電した電荷を放出させる除電処理工程を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】制御動作および／または装置動作の妥当性（レシピに適合するか否か）に関する検査を確実にかつ短時間に実施できるようにする。
【解決手段】この基板処理装置は、基板の処理手順を記述したレシピを記憶するレシピ記憶手段(193)と、レシピに対応した検査基準を記述した検査基準ファイルを生成する検査基準生成手段(16,191,192)と、検査基準ファイルを記憶する検査基準記憶手段(196)と、レシピに従う制御動作を実行する制御手段(16,190)と、制御動作を記録する制御動作記録手段(16,191)と、記録された制御動作と検査基準とを照合することにより制御動作の適否を判定する制御動作判定手段(16,191)とを含む。基板処理装置は、さらに、基板処理装置が実行した装置動作を記録する装置動作記録手段(16,192)と、記録された装置動作と検査基準とを照合することにより装置動作の適否を判定する装置動作判定手段(16,192)とをさらに含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】被処理体へ悪影響を及ぼすことなく、被処理体を連続して処理する際におけるスループットを向上させること。
【解決手段】処理装置は、延長可能液処理機構４０，４５と、一の被処理体と他の被処理体を順次取り扱う共有取扱部１０と、を備えている。処理装置は、リンス液処理工程と、共有取扱工程と、を有するレシピを算出するレシピ算出部５１も備えている。レシピ算出部５１は、共有取扱部１０が一の被処理体を取り扱う一の共有取扱工程と共有取扱部１０が他の被処理体を取り扱う他の共有取扱工程とが時間的に重複する場合に、他の被処理体についての延長可能液処理工程を延長し、かつ、延長可能液処理工程を延長した分だけ他の共有取扱工程をシフトさせることによって、一の共有取扱工程と他の共有取扱工程とが時間的に重複しないようにする。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の状況に応じて温調度合いを変えることにより、乾燥不良を防止しつつも消費電力を抑制できる。
【解決手段】制御部６５は、チャンバ１１内の測定圧力に応じた限界濃度データと測定温度とに基づいて処理ガスの限界濃度を求め、この限界濃度に対応する温度よりも若干高くなるようにチャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３を操作する。したがって、チャンバ１１内の圧力が低下するにつれてチャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３の温度を下げてゆくことができるので、処理ガス中の有機溶剤蒸気がチャンバ１１及び処理槽１に結露することを防止しつつも、チャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３への供給電力を必要最小限にできる。その結果、基板Ｗの乾燥不良を抑制しつつも消費電力を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の全域に、処理液を用いた処理を均一に施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】下プレート部４に保持されたウエハＷに対して、上プレート２の基板上対向面１９を対向させる。基板上対向面１９には、ウエハＷの中心に対向する位置に頂点を有する円錐状の凹部１８が形成されている。
ウエハＷの上面と上プレート２の基板上対向面１９とで挟まれた上処理空間４１に処理液が供給されて、上処理空間４１が処理液により液密状態にされる。上処理空間４１が、ウエハＷの中心から周縁部に向かうにつれて徐々に狭くなっているので、ウエハＷの上面の全域において、処理液の速度がほぼ等しい。 （もっと読む）

【課題】融点の低い材料で形成された構造体を使用することを可能とし、またその構造体が封止された空間を高真空にすることができるとともに構造体に封止部材が成膜されない半導体装置製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に形成された可動の構造体３を犠牲膜で覆い、その犠牲膜をシリコン酸化膜５で覆い、さらにそのシリコン酸化膜５に貫通孔を形成する。そして、その貫通孔を介して犠牲膜を除去して可動の構造体３とシリコン酸化膜５との間に空間を形成し、シリコン酸化膜５に流動性の高いアルミニウムまたはアルミニウム合金をスパッタ法により成膜して貫通孔を封止するようにした。 （もっと読む）

【課題】リセス量の制御が容易で，かつリセス時にダメージを受けにくい半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置が，半導体基板上に配置され，開口を有し，かつＳｉおよびＧｅを含む層と，この開口に対応して配置されるゲートとを有する。 （もっと読む）

【課題】ケミカルの汚染を防止すると同時に、火災の危険のない、薬液槽内に加熱部を備える基板湿式処理装置及び該装置を使用した基板処理用ケミカルの加熱方法を提供する。
【解決手段】基板湿式洗浄装置１００は、基板処理用ケミカルが収容される内部薬液槽１０１と外部薬液槽１０２からなる薬液槽と、内部薬液槽１０１内に設置され、加熱体１５５及び該加熱体１５５を収容するハウジング１５０を備える加熱部と、ハウジング１５０内に充填された不活性ガスとを備える。 （もっと読む）

【課題】従来と比べて処理効率を向上させることができる半導体基板処理装置を提供する
。
【解決手段】本発明に係る半導体基板処理装置は、半導体基板１の下面の縁を支持するこ
とにより、半導体基板１の下に空間１０ｂが生じた状態で半導体基板１を保持する基板保
持部１０，１２と、空間１０ｂに配置され、半導体基板１を下から加熱する加熱部２０と
、基板保持部１０が保持している半導体基板１の上面に、昇温された薬液を供給する薬液
供給部４０とを具備する。基板保持部１０の下面に取り付けられた中空の回転軸１４と、
回転軸１４を回転させるモータ１６とを具備してもよい。そして、基板保持部１０は、上
下に貫通していて空間１０ｂと回転軸１４の中空部分１４ａを繋げる孔１０ａを設け、回
転軸１４の中空部分１４ａ及び孔１０ａの内部に、加熱部２０を基板保持部１０から離間
した状態で支持する支持軸３０を配置してもよい。 （もっと読む）

【課題】パッケージ基台のサイズを縮小することを可能とした圧電デバイスユニット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電デバイスユニット１には、半導体ウエハをウエットエッチングにより形成されたパッケージ基台２上にパッケージ蓋部４が接合され、パッケージ基台２内部に形成された中空部に圧電振動子３が配置されている。そして、接続端子９、１０とパッケージ基台２外部の外部電極とは、ドライエッチングにより形成された貫通孔１３、１４を介して電気的に接続している。この構造により、貫通孔１３、１４の開口領域を狭くでき、パッケージ基台２の強度を維持しつつ、パッケージ基台２のサイズを縮小し、更に、圧電デバイスユニット１のサイズを縮小できる。 （もっと読む）

【課題】フッ酸を含む処理液を基板の表面へ供給して基板の表面の処理を行わさせた後において、基板の処理に伴う生成物の基板の表面への付着を抑制する。
【解決手段】ウエハＷを保持する保持部材１１３と、スピンベース１１２を回転させる駆動モータ１１０と、ウエハＷの表面にフッ酸を含む第１処理液を供給し、かつウエハＷの表面に純水及び酸を含む第２処理液を供給する処理液供給ノズル１３０と、硫酸過水洗浄あるいはオゾン水洗浄あるいはＲＣＡ洗浄による薬液処理が行われ保持部材１１３に保持されたウエハＷを回転させた状態で処理液供給ノズル１３０によりウエハＷの表面へ第１処理液を供給してウエハの表面の処理を行わせ、所定の時間ウエハＷを回転させるだけの状態にし、その後ウエハＷを回転させた状態で処理液供給ノズル１３０によりウエハＷの表面へ第２処理液を供給してウエハＷの表面の処理を行わせる制御部１５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体を製造するリソグラフィ工程での露光照射工程に於ける露光に多価イオンビームを利用することによって、極めて迅速なエッチング速度を得ることができる多価イオンを利用する半導体製造方法の提供。
【解決手段】 半導体製造工程でのリソグラフィ工程に於いて多価イオンビームを利用する半導体製造方法であって、前記リソグラフィ工程中の露光照射工程において、前記半導体を形成するための試料に、多価イオンビームを照射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 疎水性の障壁によるメニスカスの分離および閉じ込め。
【解決手段】 多くの実施形態の１つにおいて、基板を処理するための方法が提供される。該方法は、第１の流体メニスカスと第２の流体メニスカスとを基板の表面上に生成する工程を有する。このとき、第１の流体メニスカスは、第２の流体メニスカスにほぼ隣接する。このメニスカスは、また、第１の流体メニスカスと第２の流体メニスカスとを障壁によって分離する工程も有する。 （もっと読む）