【課題】基板を保持、移送し陽極化成槽の一部とする機構を有する、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置と、多孔質層を形成した半導体基板を提供する。
【解決手段】左側ホルダ部６７及び右側ホルダ部６９で複数枚の基板Ｗを保持した状態で処理位置に移動させ、上側ホルダ部７１及び下部ホルダ３９と連結させ、貯留槽１１の内部で複数枚の基板Ｗの全周面が電解質溶液に対して液密にされる。この状態で化成反応処理を行った後、基板Ｗが貯留槽１１から搬出される。従って、左側ホルダ部６７及び右側ホルダ部６９が上側ホルダ部７１及び下部ホルダ３９と協働して基板Ｗを液密に保持可能な構成とし、複数枚の基板Ｗを搬送し、多孔質層を形成でき、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置１を実現でき又、表裏、両表面に効率良く、かつ均一に形成された多孔質層を具備する半導体基板を本装置により提供可能となる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板表面へのテクスチャ形成を安定して生産性良く実施可能とするエッチング液の処理方法、シリコン基板のエッチング方法、シリコン基板エッチング装置を得ること。
【解決手段】シリコン基板の表面に供給してウェットエッチングにより前記シリコン基板の表面に凹凸を形成するためのエッチング液に対して、前記シリコン基板の表面に供給される前に実施するエッチング液の前処理方法であって、前記シリコン基板表面でのエッチング反応を阻害する１種類以上の有機添加剤と水とアルカリ試薬とを含む前記エッチング液に対してバブリング処理を施すことにより、前記エッチング液中の疎水性不純物を前記エッチング液の液表面に分離する。 （もっと読む）

【課題】
白金等の触媒金属を含まない，溶液を作用させて、シリコン基板（Ｓｉウェハ）表面にナノ構造の多孔質層を形成する。
【解決手段】
Ｓｉウェハ表面に対して、アンモニア含む、および過酸化水素の群から選ばれる少なくとも1つの水溶液を作用させる工程によりＳｉウェハの表面処理を行って、Ｓｉウェハ表面にナノ構造の微細な多孔質層を形成することができた。これによって、Ｓｉウェハ表面での可視光域での反射率を５−８％まで低減することができた。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面にウォーターマークが残ることを防止しつつ、洗浄装置の省スペース化に寄与することができる基板の洗浄方法及び、基板の洗浄装置を提供する。
【解決手段】まず、ウェハーをフッ酸槽４に運び、このフッ酸槽４内でＨＦ溶液によるウェットエッチングを行ってウェハーのシリコン表面を露出させる。次に、ウェハーを純水リンス槽５に運び、この純水リンス槽５内でウェハーをリンスする。そして、ウェハーを乾燥装置６に運び、この乾燥装置６内でウェハーを乾燥させる。このように、ＨＦ溶液によるエッチングと、リンスとを行った後で、ウェハーを一旦乾燥させる。次に、ウェハーをアルカリ槽２に運び、このアルカリ槽２内でウェハーをアルカリ洗浄して、シリコン表面に薄いケミカル酸化膜を形成する。その後、ウェハーを純水リンス槽３に運び、純水リンス槽３内でウェハーをリンスする。 （もっと読む）

【課題】高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）及びその製造方法に係り、該高電子移動度トランジスタは、基板と、基板から離隔された位置に備わった高電子移動度トランジスタ積層物と、基板と高電子移動度トランジスタ積層物との間に位置した疑似絶縁層と、を含み、該疑似絶縁層は、異なる相の少なくとも２つの物質を含む。前記異なる相の少なくとも２つの物質は、固体物質と非固体物質とを含む。前記固体物質は、半導体物質であり、前記非固体物質は、空気である。 （もっと読む）

【課題】気泡を含む液体が基板などの対象物に供給されることを抑制または防止できるスリットノズルおよびこれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スリットノズル１１は、長手方向Ｘ１に延びるスリット状の吐出口５４が形成された吐出部４５と、吐出口５４に供給される液体が流通する液体流路５５が形成された供給部４３と、液体流路５５を上流側と下流側とに仕切っており、上流側と下流側とを接続する複数の第１接続路６４が形成された第１拡散板４７とを含む。 （もっと読む）

【課題】一方の濃度を一定に保つことで他方の濃度が一定範囲で変化しても所定のエッチングレートを維持することができることに着目し、一方の酸のみを添加することにより、エッチングレートを一定に維持することが可能なシリコンウェーハのウェットエッチング方法及びウェットエッチング装置を提供すること。
【解決手段】所定のエッチング量を得るためのフッ酸の濃度を第１のフッ酸濃度とし、所定のエッチング量を得るための硝酸の濃度を第１の硝酸濃度としたとき、硝酸の濃度を第１の硝酸濃度よりも高く、フッ酸の濃度を第１のフッ酸濃度とした薬液をエッチングに使用するエッチングステップと、エッチングステップで使用した薬液に、第１のフッ酸濃度よりも高い濃度のフッ酸を添加する添加ステップとを有し、添加ステップの後の薬液を再びエッチングに使用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安全で簡便にエッチングできるとともに、エッチング速度を向上させたエッチング方法を提供する。
【解決手段】（１ａ）金属、及び少なくとも１種のＮ−Ｆ結合を有する有機化合物を含む材料を固体材料の表面に接触させる工程、又は
（１ｂ−１）少なくとも１種のＮ−Ｆ結合を有する有機化合物を含む材料を固体材料の表面に形成する工程、及び
（１ｂ−２）金属を含む層を、前記少なくとも１種のＮ−Ｆ結合を有する有機化合物を含む材料と接するように形成する工程
を含む固体材料のエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、溶液を、溶液の触媒として作用する転写部の裏面に供給し、転写部の表面を半導体基板の表面に接触すべく転写部の裏面を押圧し、転写部の裏面を押圧したまま水平移動し、水平移動とともに、裏面に供給された溶液を、接触している転写部の表面及び半導体基板の表面に貫通する転写部の裏面の穴に挿入する。
（もっと読む）

【課題】より均一なテクスチャーを形成することができるシリコン基板のエッチング方法を得ること。
【解決手段】シリコン基板表面に付着して局所的にエッチングを阻害する添加剤を含んだアルカリ水溶液のエッチング薬液で満たされ当該エッチング薬液の温度制御が可能な薬液槽にシリコン基板を浸漬してエッチングするシリコン基板のエッチング方法であって、シリコン基板を前記エッチング薬液に浸漬した直後からは、前記エッチング薬液の温度を第１の温度にしてシリコン基板のエッチングを行う第１エッチング工程と、前記第１エッチング工程の後は、前記エッチング薬液の温度を前記第１の温度より高い第２の温度にしてシリコン基板のエッチングを行う第２エッチング工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の高い半導体層を有する複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性材料からなる基体１０Ｘの上面１０Ｘａの中央に半導体材料からなる半導体基板２０Ｘを接合する接合工程と、基体１０Ｘの周縁に、半導体基板２０Ｘが接合されている上面に比べて算術平均粗さの大きい上面を有する周縁部を形成して、基体１０Ｘを周縁部１２および周縁部１２の内側に位置して半導体基板２０Ｘが接合されている主部１１を有する支持基板１０に加工する加工工程と、半導体基板２０Ｘを上面からウェットエッチングして薄層化することによって半導体層２０とする薄層化工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】エッチング液と基板との反応で発生した反応生成物によるエッチング処理への影響を抑制できるウェットエッチング装置を得ること。
【解決手段】ウェットエッチング装置は、エッチング液を収容するエッチング槽を備え、前記エッチング槽は、基板がエッチング液中に浸漬され前記基板のエッチング処理が行われるエッチング部と、前記エッチング槽における前記エッチング部より底面側に配された沈殿部と、前記エッチング部と前記沈殿部とを隔てるとともに、前記エッチング部と前記沈殿部とを連通する複数の開口部を有する隔離板とを備えている。 （もっと読む）

【課題】シリコンをエッチング処理したアルカリエッチング液をエッチング槽から引き抜き、膜分離手段で膜分離処理してエッチング槽に循環するアルカリエッチング液の処理において、シリカ除去効率の向上、不純物の蓄積を防止して低シリカ濃度の透過水をエッチング槽に返送する。
【解決手段】２以上のＮＦ膜モジュールを２段目以降のＮＦ膜モジュールにそれぞれ前段のＮＦ膜モジュールの濃縮水を供給するように直列に連結し、１段目のＮＦ膜モジュール１Ａ，１Ｂの透過水をエッチング槽１０に循環し、２段目以降のＮＦ膜モジュール２〜４の透過水を１段目のＮＦ膜モジュール１Ａ，１Ｂの供給水側に循環する。従来の濃縮水循環に起因する系内のシリカ濃度の上昇によるシリカ除去性能の低下、不純物の蓄積の問題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】従来のエッチング方法では所望のエッチング処理を施せなかった半導体材料の表面に良好なエッチングを施すことを可能とする半導体材料表面加工方法を提供する。また、従来のエッチング方法でも良好なエッチングを施すことを可能とする半導体材料を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体材料表面加工方法では、スライス加工された材料における加工層の加工歪方向と直交するダメージ加工を施す。前記ダメージ加工には、レーザ光、サンドブラスター、高圧水、ダイヤモンドワイヤ、或はダイヤモンドワイヤで造られたブラシを用いた加工や、純水氷結粒子の衝突加工が好適である。本発明に係る半導体材料は、スライス加工による加工層の加工歪方向と直交するダメージ加工が施され、前記加工歪方向及び前記加工歪方向と直交する方向に均質な歪を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板のエッチング方法であって、Ｓｉ基板を高速かつ平坦にウェットエッチングすることのできるエッチング方法を提供すること。
【解決手段】フッ硝酸は、一般にＨＦ（ａ）ＨＮＯ₃（ｂ）Ｈ₂Ｏ（ｃ）（ここで、ａ、ｂ及びｃの単位はｗｔ％、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００）と書ける。本発明者らは、組成を適切に選択することで、高濃度フッ硝酸によるＳｉＯ₂層のエッチングレートがＳｉ基板と比較して著しく低くなることに見出し、Ｓｉ基板を、ＳｉＯ₂層が露出するまでエッチングを行う。このようにすることで、Ｓｉ基板を高速にエッチングすることができ、かつ、エッチングされた表面の平坦性を従来に比して顕著に向上することができる。高濃度フッ硝酸の組成が僅かにＳｉＯ₂層をエッチングするものであっても、Ｓｉ基板のエッチングが高速に終了するため、実質的にＳｉＯ₂層のエッチングはほとんど進まず、平坦な表面を有するＳｉＯ₂層が露出する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハの処理表面の性状に応じたリンス処理に好適なリンス液の調製方法を提供する。
【解決手段】汚染防止物質を超純水に添加して調製されるリンス液における超純水に添加する汚染防止物質の量を、所定の条件におけるシリコンウェハ表面に存在する吸着活性点の量の分析値と、所定の条件におけるシリコンウェハ表面を洗浄した際の金属不純物の吸着量と、条件変更後のシリコンウェハ表面に存在する吸着活性点の量の分析値とからシリコンウェハへの金属不純物の予想吸着量を算出し、この予想吸着量に応じて決定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電素子であって、表面及び表面と垂直する法線方向を有する基板と、基板の表面に位置して表面と接触する第一半導体層と、第一半導体層と基板の表面の間に位置する少なくとも一つの空洞構造とを有し、少なくとも一つの空洞構造は幅と高さを有し、幅は空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さは幅より小さい。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光及び検査光において吸収体層での反射率を低減でき、ＥＵＶ光および検査光の両方において高コントラストな反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１と基板１上に形成された反射体層２と、反射体層２上に形成された吸収体層３を持つＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収体層３の表面に所定の大小二つの表面粗さの凹凸４を形成する。 （もっと読む）

【課題】突起部との接触による小さなエッチング異常の発生を防止することが可能なウェーハエッチング用治具を提供する。
【解決手段】ウェーハエッチング用治具１０は、円板形状を有する側板１１Ａ，１１Ｂと、側板１１Ａと側板１１Ｂとを連結する複数のシャフト１２ａ〜１２ｅと、側板１１Ａと側板１１Ｂとの間において個々のウェーハの収容空間を規定する複数のプレート１３と、各プレート１３の両面に設けられた突起部と、シャフト１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの上方に設けられた撹拌フィン１５ａ，１５ｂ，１５ｃとを備えている。撹拌フィン１５ａ，１５ｂ，１５ｃは、シャフト１２ｂ，１２ｃ，１２ｄと平行に延設された板状部材であり、治具と共に回転してエッチング槽内のエッチング液を撹拌する。 （もっと読む）