【課題】非アルコール系のエッチング抑制剤を含有するアルカリ性のエッチング液でシリコン基板を処理した際に、凹凸構造を均一に形成することが出来るように改良されたシリコン基板の製造方法を提供する。
【解決手段】アズスライスシリコン基板を用いて表面にピラミッド状の凹凸構造を有する太陽電池用シリコン基板の製造方法であって、非アルコール系のエッチング抑制剤を含有するアルカリ性のエッチング液でシリコン基板を処理してその表面にピラミッド状の凹凸構造を形成するテクスチャー工程と、当該テクスチャー工程の前段に設けられ、シリコン基板を洗浄液で処理してスライス工程由来の付着物を除去する工程とを包含し、スライス工程由来の付着物を除去する工程において、上記の洗浄液が水媒体中で過酸化水素とアルカリの組合せ又は過酸化水素と炭酸塩との反応物を使用する起泡性洗浄液である太陽電池用シリコン基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】太陽電池製造のテクスチャエッチング工程において、従来に比してテクスチャ形成不良を抑えることができるエッチング装置を得ること。
【解決手段】シリコン基板１００をエッチング液１３中に浸漬してエッチングするエッチング装置であって、エッチング液１３を貯留し、シリコン基板１００をエッチングするエッチング槽１１と、エッチング液１３中に溶出した疎水性有機物を収集する疎水性有機物収集部１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板表面にテクスチャを均一に形成することができる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】フッ化水素酸を含有する第１の水溶液に前記シリコン基板２を浸漬し、前記シリコン基板２表面の自然酸化膜を除去するステップと、前記金属イオンを含有する第２の水溶液に、前記自然酸化膜を除去した前記シリコン基板２を浸漬し、無電解めっきにより前記金属イオンを前記シリコン基板２表面に付着させるステップと、フッ化水素酸と過酸化水素水を含有する第３の水溶液に、前記金属イオンを付着させた前記シリコン基板２を浸漬し、前記金属イオンの触媒反応により前記シリコン基板２表面に多孔質層３を形成するステップとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イソプロピルアルコール等の従来のエッチング抑制剤を使用することなく、微細なピラミッド状の凹凸（テクスチャー構造）を有するシリコン基板を安定的に形成することが可能なエッチング液を提供する。
【解決手段】シリコン基板を浸漬して、当該基板表面にピラミッド状の凹凸を形成させるエッチング液であって、下記一般式（１）で表わされる化合物（Ａ）と水酸化アルカリ（Ｂ）とを含有することを特徴とするエッチング液。


（式（１）中、Ｘはスルホン酸基またはそのアルカリ塩、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ、同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基（何れも炭素数が１又は２である）の群から選択される１種である。但し、Ｒ^１及びＲ^２はの合計炭素数は０〜２個である。） （もっと読む）

【課題】表面反射率を極力低減させることができるシリコン基板の加工方法を提供する。
【解決手段】シリコンよりも電気陰性度の大きい金属を含み、かつ複数の開口部を有する薄膜をシリコン基板上に形成する第１の工程と、第１の工程を施したシリコン基板を酸化剤が含まれるフッ化水素酸水溶液に浸漬させる第２の工程と、第２の工程を施したシリコン基板を酸化剤が含まれるアンモニア水溶液に浸漬させる第３の工程と、を上記順序で行うことにより、シリコン基板表面に微細な凹凸構造を形成し、反射率を低減させる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの製造時においてニッケル等の金属不純物が内方拡散された場合であっても、コストが大きく増加することなく、シリコンウェーハの表面のみならず、ウェーハ内部に含まれるニッケル等の金属不純物の低減を図ることができるシリコンウェーハの清浄化方法及びそれを用いたシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコンウェーハの清浄化方法は、ＣＺ法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、発光波長を１０００ｎｍ以上に制御した光を照射するランプ加熱により、１００℃以上８００℃以下の最高到達温度まで昇温して、前記最高到達温度を１秒以上６０秒以下保持する熱処理を行うことで前記シリコンウェーハの表面に金属不純物を偏析させる工程と、前記偏析させた金属不純物を除去する工程と、を備える （もっと読む）

【課題】複数の大きさの基板を処理可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、任意の大きさの基板Ｗを水平に支持するセンターチャック１３と、上向きの環状面５７をそれぞれ有する複数のリング５とを含む。複数のリング５は、環状面５７の内周縁の長さがそれぞれ異なる複数のサイズ調整リングを含み、内周縁がセンターチャック１３に支持されている基板Ｗの周縁部に近接した状態で、環状面５７が基板Ｗを水平に取り囲むように、複数のリング５のいずれか一つが、センターチャック１３に支持されている基板Ｗの周囲に配置される。 （もっと読む）

【課題】安全で簡便にエッチングできるとともに、エッチング速度を向上させたエッチング方法を提供する。
【解決手段】（１ａ）金属、及び少なくとも１種のＮ−Ｆ結合を有する有機化合物を含む材料を固体材料の表面に接触させる工程、又は
（１ｂ−１）少なくとも１種のＮ−Ｆ結合を有する有機化合物を含む材料を固体材料の表面に形成する工程、及び
（１ｂ−２）金属を含む層を、前記少なくとも１種のＮ−Ｆ結合を有する有機化合物を含む材料と接するように形成する工程
を含む固体材料のエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】短時間のエッチングで低反射化が可能な低反射基板の製造方法を得る。
【解決手段】低反射基板の製造方法は、（１００）単結晶シリコン基板１ａを挟んだ両面の上に不純物拡散層２を形成する工程と、両面に形成された不純物拡散層の上に５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の膜厚のシリコン酸化膜３を形成する工程と、一方の上のシリコン酸化膜に対してブラスト加工を施すことにより、シリコン酸化膜を貫通して不純物拡散層に達する開口４を形成する工程と、基板をシリコン酸化膜が耐性を有するアルカリ水溶液に浸漬して開口を介したアルカリ水溶液による不純物拡散層のエッチングを行うことにより、シリコン酸化膜と基板との間にアンダーカットを形成する工程と、引き続きアルカリ水溶液により、アンダーカットの空間的な広がりに依存しつつシリコン（１１１）面を露出させる異方性エッチングを行う工程と、その後にシリコン酸化膜を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコン基板のエッチング量のばらつきを低減することができるウェットエッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明のウェットエッチング装置は、シリコン基板を収容できかつアルカリ性のエッチング液を溜めるエッチング槽と、二酸化炭素濃度低減部とを備え、前記エッチング槽は、シリコン基板をエッチング液に浸漬するため、およびシリコン基板をエッチング液から引き上げるための上部開口を有し、前記二酸化炭素濃度低減部は、前記上部開口の近傍の気体に含まれる空気由来の二酸化炭素の濃度を低減させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの厚みを減じる減厚加工処理における加工量を高精度に評価することが可能な方法および評価用シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】シリコンウェーハに施す減厚加工処理における加工量を評価するに当たり、シリコンウェーハの表面上に、光学式厚み測定手段により厚み測定が可能なシリコン層を形成した評価用シリコンウェーハを作製し（Ｓ１）、次いで該評価用シリコンウェーハのシリコン層の厚みを光学式厚み測定手段により測定した（Ｓ２）後、シリコン層に対して減厚加工処理を施し（Ｓ３）、続いて該減厚加工処理後のシリコン層の厚みを光学式厚み測定手段により測定し（Ｓ４）、シリコン層に対する加工処理前後の厚み測定結果に基づいて減厚加工処理における加工量を評価する（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、傾斜した半導体基板の表面近傍に、溶液の触媒として作用する転写部を配置し、転写部が配置された半導体基板の表面近傍を流れるように半導体基板の表面に溶液を供給する。
（もっと読む）

【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、触媒として作用する転写部の表面に溶液を塗布し、溶液が塗布された転写部の表面を半導体基板の表面と接触すべく配置する。
（もっと読む）

【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、半導体基板の表面に溶液を投下し、触媒として作用する転写部の表面を溶液が投下された半導体基板の表面に接触するべく水平移動する。
（もっと読む）

【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置が、溶液が通過する穴があり、溶液の触媒として作用する転写部を、半導体基板の表面近傍に配置する配置手段と、溶液を転写部よりも上部から、穴を介して半導体基板の表面近傍に供給する供給手段を備える。 （もっと読む）

【課題】光利用効率が高く、光電変換効率に優れた太陽電池の製造方法を得ること。
【解決手段】複数の開口部を有するエッチングマスクを第１導電型の半導体基板の一面側に形成し、前記エッチングマスクを用いたウエットエッチングにより前記開口部の下部領域およびその周辺領域の前記半導体基板をエッチングしてテクスチャーを形成するテクスチャー形成工程と、前記半導体基板の一面側に第２導電型の不純物元素を拡散して不純物拡散層を形成する不純物拡散層形成工程と、前記半導体基板の一面側における電極形成領域および前記半導体基板の他面側に電極を形成する電極形成工程と、を含む太陽電池の製造方法であって、前記テクスチャー形成工程では、前記ウエットエッチングの途中において、前記ウエットエッチングにより発生した水素ガスを前記開口部から外部に放出した後に再度ウエットエッチングを実施する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の再生に適した方法を提供する。
【解決手段】損傷半導体領域と絶縁層とを含む凸部が周縁部に存在する半導体基板に対し、絶縁層を除去するエッチング処理と、硝酸、硝酸によって酸化された半導体基板を構成する半導体材料を溶解する物質、半導体材料の酸化速度及び酸化された半導体材料の溶解速度を制御する物質、及び亜硝酸を含み、亜硝酸の濃度が１０ｍｇ／ｌ以上１０００ｍｇ／ｌ以下である混合液を用いて、未損傷の半導体領域に対して損傷半導体領域を選択的に除去するエッチング処理と、を行うことで半導体基板を再生する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの製造における、基板の拡散層のエッチングに於いて、所望のエッチングレートで基板の拡散層のエッチングを行える、効率的なエッチング液を提供する。
【解決手段】半導体基板に形成された拡散層のエッチングを行うＨＮＯ_３、ＨＦ及びＨ_２Ｏからなるエッチング液であって、前記ＨＮＯ_３、ＨＦ及びＨ_２Ｏの配合重量比が以下の式（１）を満たす、エッチング液を用いてエッチングする。ＨＮＯ_３：ＨＦ：Ｈ_２Ｏ＝１００：０．０５〜１．５：０を超え１６０以下・・・（１） （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハをはじめとする半導体ウェーハの表面に多孔質層を有し、該表面における光の反射ロスをより低減することが可能な太陽電池用ウェーハを提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池用ウェーハ１００は、半導体ウェーハ１０の少なくとも片面１０Ａに、孔径が１０ｎｍ以上４５ｎｍ以下であり、層厚みが５０ｎｍ超え４５０ｎｍ以下の多孔質層１１を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルのテクスチャ形成工程では、微細なテクスチャを均一に形成することが困難であり、テクスチャの出来は太陽電池特性に影響を与える。
【解決手段】本発明は、太陽電池のテクスチャ形成工程において、アルカリ水溶液にケイ素化合物を添加することで、微細なテクスチャを均一に形成することが可能となり、基板の反射率が低減する。これにより、高効率の太陽電池を製造することが可能となった。 （もっと読む）