半導体製造装置及び半導体製造方法。
【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置が、溶液が通過する穴があり、溶液の触媒として作用する転写部を、半導体基板の表面近傍に配置する配置手段と、溶液を転写部よりも上部から、穴を介して半導体基板の表面近傍に供給する供給手段を備える。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置が、溶液が通過する穴があり、溶液の触媒として作用する転写部を、半導体基板の表面近傍に配置する配置手段と、溶液を転写部よりも上部から、穴を介して半導体基板の表面近傍に供給する供給手段を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体製造装置及び半導体製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、結晶系太陽電池においては、シリコン基板における平面状の表面を凹凸状に変形させることにより、いわゆる「光トラップ効果」を利用したエネルギー変換効率の向上が図られている。これは、基板表面が平面である場合に比べて、凹凸の斜面で一旦反射した光をも隣接する凹凸の斜面で受光して取込むことにより、実質的に表面からの反射率を低減させることが可能となるためである。その結果、入射光の総量が増大することになるため、変換効率の増加が実現される。
溶液にシリコンウエハを浸漬させて、シリコンウエハ全表面に凹部に形成する技術としては以下のような技術が開示されている。
【０００３】
先行文献１においては、シリコンウエハ表面に凹部に形成するために、過酸化水素とフッ酸溶液との混合溶液の中に浸漬させて、全表面を凸部に加工しかつ全表面に白金を成膜したシリコンウエハ表面と、凹部を形成させたいシリコンウエハ表面を接触させる技術が開示されている。
処理液を分解触媒に一旦接触させた後に、ウエハ表面に供給する技術としては以下のような技術が開示されている。
【０００４】
先行文献２においては、ウエハ表面の有機物を除去するために、過酸化水素水を表面が二酸化マンガンで被覆されたメッシュを通した後に、容器の穴から過酸化水素水を排出し、ウエハ保持具に保持されたウエハ上に処理液を供給する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】（雑誌名）「Electrochemical andSolid-State Letters」（タイトル）「Fabrication of LowReflectivity Poly-Crystalline Si Surface by Structure Transfer Method」2010.11.18発行 Vol.14,No2,p.B13-B15
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１９５８３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来技術における半導体基板表面を浸漬して転写処理する場合には、半導体基板表面が浸漬可能な大量の溶液が必要になり、転写処理自体に必要な量を超えた溶液を準備する必要があり、少枚数の半導体基板を転写処理する場合においては、浸漬するために大量の溶液を使用することが、溶液のコストアップとなってしまい、転写処理に十分な量のだけの溶液を使用したいといった課題を解決することはできないという問題がある。
本願発明は、半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明は、転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置であって、溶液が通過する穴があり、前記溶液の触媒として作用する前記転写部を、前記半導体基板の表面近傍に配置する配置手段と、前記溶液を前記転写部よりも上部から、前記穴を介して前記半導体基板の表面近傍に供給する供給手段と、を備えることを特徴する。
また、前記供給手段は、前記配置手段が前記転写部を配置したあとに供給することを特徴する。
また、前記供給手段は、前記溶液を前記半導体基板毎に所定量供給することを特徴する。
また、前記転写部は、前記半導体基板の表面と対向する平面を備えることを特徴する。
また、前記対向する平面に前記触媒をさらに備えることを特徴する。
また、前記対向する平面に均等に供給すべく、前記所定量の溶液を分配する分配手段をさらに備えることを特徴とする。
また、前記転写部の配置位置を制御する配置位置制御手段をさらに備えることを特徴とする。
また、前記触媒は、前記溶液の分解触媒であることを特徴とする。
また、前記溶液は、前記半導体基板を酸化しかつ溶解する機能を備えることを特徴とする。
また、前記基板はシリコン基板であることを特徴とする。
また、前記半導体は太陽電池であることを特徴とする。
また、前記溶液は、温度を加熱保温していることを特徴とする。
また、前記分配手段に使用する部材はテフロンであり、前記テフロンの表面を親水性に加工することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本願発明は、半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】ハードウエア構成（断面図）を示す図である。
【図２】処理ステップを示す図である。
【図３】転写部の表面を示す図である。
【図４】基板の表面を示す図である。
【図５】転写部及び基板の断面図を示す図である。
【図６】転写部及び基板の断面図を示す図である。
【図７】転写部及び基板の断面図を示す図である。
【図８】基板の断面図を示す図である。
【図９】ハードウエア構成（断面図）を示す図である。
【図１０】処理ステップを示す図である。
【図１１】ハードウエア構成（断面図）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１を説明する。
＜第１の実施例＞
図１は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置のハードウエア構成を示す図である。
図１は、本願発明の半導体製造装置を横から見た図の断面図である。
１００は基板であり、本願発明の転写処理の対象となるものである。
【００１２】
１０１は基板保持部であり、基板１００を基板保持部に保持した状態で、転写処理を実行する位置に配置、または転写処理を実行しない位置に配置するものである。
基板保持部（位置１）１０１は、転写処理を実行しない位置であり、基板１００の表面は転写処理されていない。
【００１３】
基板保持部（位置２）１０１は、転写処理を実行する位置であり、基板１００が位置２に配置された後に、転写部１０３を基板１００の表面近傍に配置することで転写処理を開始する。
基板保持部（位置３）１０１は、転写処理を実行しない位置であり、基板１００の表面は転写処理されている。
図示しない基板保持部の水平移動制御部により、基板１００を上に載せた（保持した）状態にて位置１と位置２と位置３で所定の時間停止するように移動する。
基板保持部１０１の部材としては、基板１００との相性からシリコンにしてもよい。
これにより、転写処理により基板１００が破損することを回避することができる。
【００１４】
１０２は配置位置制御部であり、転写処理中でない時に基板１００を保持した基板保持部と衝突しないように、転写部ユニット１０４（転写部１０３、分散部１０８、固定部１１０を含む）を一体で持ち上げることができる。
【００１５】
転写処理中の時には、図５に示すように転写部を半導体基板の表面近傍に配置する。また図６または図７に示すように転写部を半導体基板の表面に接触するために、転写部ユニット１０４（転写部１０３、分散部１０８、固定部１１０を含む）である一体で降ろすことができる。
配置位置制御部１０２は、図５に示すように転写部を半導体基板の表面近傍に配置することがきる（配置手段）。
配置位置制御部１０２は、転写部１０３を半導体基板毎に所定の時間（例えば転写処理時間）の間、所定の位置において停止配置することができる。
配置位置制御部１０２は、転写部の配置位置（高さ）を所定の高さに制御することができる（配置位置制御手段）。
【００１６】
１０３は転写部であり、転写処理において、基板１００の表面近傍に配置または接触させるためのものである。少なくとも基板１００に対向する表面には触媒（白金）がコーティングされており、基板１００の表面近傍（または接触）に配置されると、溶液４０４（過酸化水素水とフッ化水素水の混合溶液）中で過酸化水素水の分解触媒として作用することで、図８に示すように基板１００の表面がエッチングされる。
転写部１０３は、図５に示すように転写部を半導体基板の表面近傍に配置した時に半導体基板１００の表面と対向することが可能な、平面を備えている。
転写部１０３は、半導体基板１００の表面と対向する当該平面には白金である触媒２０１をさらに備えている。
１０５は液供給口であり、供給制御部１１１から送られた溶液４０４を転写部ユニット１０４内部の液スペース１０６に送るための供給口である。
【００１７】
１０６は液スペースであり、液供給口１０５から送られた溶液４０４を転写部ユニット１０４の外部に出す分散口１０７に送る前に一旦溶液が溜まる３次元の空間スペースである。液供給口１０５は１つに限定されるものではなく、分散口１０７のように、供給制御部から送られた所定量の溶液４０４を液スペース１０６に均一に分散されるように、複数（例えば１００個程度）の液供給口が２次元的に配置されているものであってもよい。
【００１８】
１０７は分散口であり、液スペース１０６に溜まった溶液４０４を転写部１０３に均一に分散させるための穴（供給口）である。分散口は溶液４０４が転写部１０３に均一に分散されるように、複数（例えば１００個程度）の穴が２次元的に配置されているものである。
分散口１０７により、半導体基板１００の表面と対向する平面に均等に供給すべく、所定量の溶液を分配することができる（分配手段）。
【００１９】
１０８は分散部であり、液スペース１０６を内包する、箱型の形状をした転写部ユニット１０４の一部である。つまり分散口１０７は分散部１０８下部（液スペース１０６よりも低い位置）に開いた穴である。つまり液供給口１０５は分散部１０８上部（液スペース１０６よりも高い位置）に開いた穴である。
また分散部の部材としては転写処理の際に、基板１００への押下圧力や基板１００自体の反りを考慮するとゴムのような弾性体を使用するものとする。
【００２０】
分散部は溶液４０４に対する耐食性を備えることが望ましいので、耐食性を高めるに、分散部の部材にテフロン（登録商標）を使用したり、分散部の表面をテフロン加工するものとする。
溶液が分散部をうまく通過するために、さらに疎水性であるテフロン表面には親水性の加工をするものとする。
【００２１】
１０９は配置角度制御部であり、転写部ユニット１０４の接触面と基板１００の表面とが平行になるように、転写部ユニット１０４の角度を制御（補正）する機構である。
１１０は固定部であり、転写部１０３を分散部１０８に固定（接続）するためのものである。
【００２２】
１１１は供給制御部であり、転写処理回数（例えば基板１００単位）単位で所定の量（例えば５０ｃｃ単位）の溶液４０４を供給する。供給制御部１１１は転写部１０３の上部（転写部１０３よりも高い位置）に設置させてもよく。転写部１０３よりも下部（転写部１０３よりも低い位置）に設置されてもよい。
供給制御部１１１は、溶液を転写部よりも上部（転写部１０３よりも高い位置）から、穴を介して半導体基板の表面近傍に供給することができる（供給手段）
供給制御部１１１は、配置位置制御部１０２が転写部を半導体基板の表面近傍に配置したあとに溶液を供給する。
供給制御部１１１は、つまり溶液４０４を半導体基板１００毎に所定量供給する。
【００２３】
本願発明の溶液４０４は、フッ化水素酸水溶液（ＨＦ）濃度が５．４Ｍであり、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）濃度が７．２Ｍの混合溶液、または濃度が２．７Ｍであり、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）濃度が８．１Ｍの混合溶液を使用して転写処理を行った。
【００２４】
本願発明の溶液４０４の温度は、室温放置温度（例えば２５℃）、または溶液を加熱して溶液温度を所定範囲に保持した温度（例えば６０℃）に制御して転写処理を行った。常温だと反応速度が遅く、反応熱で６０℃になると速度が速くなることが測定された。そのため、穴から注入する溶液は、６０℃に加熱保温しておくことが望ましい。
図２を説明する。
図２は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置による半導体製造方法（処理ステップ）である。
ステップＳ１０１では、基板１００を移動（位置２）する。
【００２５】
ステップＳ１０２では、配置手段により、転写部１０３を半導体基板１００の表面近傍（所定の位置）に配置（配置工程）し、所定の時間、当該所定の位置に保持する。転写部１０３を半導体基板１００の表面近傍（所定の位置）を所定の位置に保持する時間は１秒〜５秒程度であり、当該保持時間はステップＳ１０３及びステップＳ１０４の各工程時間も含んだ時間である。
【００２６】
ステップＳ１０３では、配置工程の後、供給工程の前に、分配手段により、供給手段から送られた溶液を転写部の上部（分散スペース）４０１に均等に分散するように分配する（分配工程）。
【００２７】
ステップＳ１０４では、分配工程が終わると、供給手段から送られた所定の量の溶液を転写部よりも上部（分散スペース）４０１から穴２０２を介して半導体基板の表面近傍に供給する（供給工程）。
【００２８】
ステップＳ１０５では、供給工程が終わると、図５乃至図７に示すように転写部１０３と基板１００との距離を変え、エッチング部３０２の深さを制御するために、転写部の位置をさらに下げる（別の所定の位置に変更する）かいなかを判定する。
下げない（しない）場合はステップＳ１０６に進む。
下げる（する）場合はステップＳ１０２に進む。
ステップＳ１０６では、転写部１０３（転写部ユニット１０４）を待機位置に上げる。
ステップＳ１０７では、基板１００を移動（位置１または位置３）する。
ステップＳ１０８では、次に転写処理する基板があるかを判定する。
ある場合は、基板保持部が基板１００を入れ替えて、ステップＳ１０１に進む。
ない場合は、終了する。
図３を説明する。
【００２９】
図３は転写部１０３の半導体基板１００の表面と対向することが可能な平面（転写部の表面）を上から見た図である。つまりこの平面が図５乃至図７の転写処理中に基板１００と接触可能な平面である。
２０１の領域は転写部の領域であり、転写部の表面には触媒である白金がコーティングされている。
【００３０】
２０２の領域は、転写部に開いた穴であり、転写部の表面（半導体基板１００の表面と対向することが可能な平面）と裏面を貫通している。つまり、この穴により、図５乃至図７の転写処理中に供給手段から送られた所定の量の溶液を半導体基板の表面近傍に供給する
【００３１】
転写部に開いた穴は丸型でなくてもよく、どのような形状でもよく（例えば四角型、三角型、星型、アルファベット文字、直線、曲線、ＬＳＩの配線パターン等）転写処理中に、供給手段から送られた溶液を転写部１０３よりも上部（図３に示す転写部の裏面）から半導体基板の表面近傍（半導体基板１００の表面と対向することが可能な平面）に供給できる形状でればよい。さらに穴の数は特に限定されるものではない。さらに穴同士の配置関係は、一定間隔に整列する必要はなく特に限定されるものではない。また図３に示す全ての穴２０２（１００％）またはその一部（例えば割合５０％）を転写部の表面（半導体基板１００の表面と対向することが可能な平面）と裏面を貫通させないように転写部１０３を形状加工して、供給手段から送られた溶液を転写部１０３よりも上部（図３に示す転写部の裏面）から半導体基板の表面近傍（半導体基板１００の表面と対向することが可能な平面）に供給できる形状に加工したものも本願発明の穴に該当とするものである。
【００３２】
なお、転写部１０３の半導体基板１００の表面と対向することが可能な平面（転写部の表面）を上か見た図の形は、四角形に限定されたものではなく、円形型や、その他、本願発明の転写処理を実行可能な形状であればよい。
なお、図３の転写部の表面にある円形の穴２０２の直径は２０μｍ程度である。
なお、図３の転写部の表面にある触媒２０１の最短のスペースは２μｍ程度である。
図４を説明する。
【００３３】
図４は図５乃至図７の転写処理加工が完了した後の、半導体基板１００の表面を上から見た図である。つまりこの表面が図５乃至図７の転写処理中に転写部１０３と接触可能な表面である。
３０１の領域は非転写部分の領域であり、２０２の穴の領域（エッチングされない）に該当する領域である。
３０２の領域は転写部分の領域であり、２０１の触媒の領域（エッチングされる）に該当する領域である。
【００３４】
なお、半導体基板１００の表面を上から見た図の形は、四角形に限定されたものではなく、単結晶シリコンウエハのような円形型や、その他、本願発明の転写処理を実行可能な形状であればよい。
図５を説明する。
図５は図１を拡大した図である。
【００３５】
図５は、配置位置制御部１０２が、溶液が通過する穴２０２があり、溶液の触媒として作用する転写部１０３を半導体基板１００の表面近傍に配置した場合を示す図である。
【００３６】
なお、半導体基板１００の表面近傍とは、転写部１０３との距離が例えば数μｍ程度であり、触媒２０１（転写部１０３）と基板１００が実際に接触していなくても、基板１００がエッチング（転写部の形状の転写）される距離である。
【００３７】
図５は、供給制御部１１１が、分散口１０７を通過した溶液を転写部１０３よりも上部（分散スペース４０１）から、穴（保持スペース２０２）を介して半導体基板１００の表面近傍（反応スペース４０３）に供給するように溶液を供給した場合を示す図である。
転写部１０３と分散部１０８との間には、転写部全域に溶液４０４が、拡散しやすいように、分散スペース４０１（空間）がある。
【００３８】
供給制御部１１１が溶液を供給したあと、穴２０２は、溶液を穴と基板によってできた空間スペースに所定の時間保持することが可能な保持スペースとして機能する。
【００３９】
これにより、溶液４０４と触媒２０１と基板１００との化学反応領域である反応スペース４０３に所定の時間の間、反応に必要な溶液４０４の供給を継続することができる。
【００４０】
なお、図５に示しように触媒２０１は転写部１０３の全面を被覆する必要はなく、転写処理において基板１００に対向する面にあればよい。また転写部１０３の部材すべてを触媒２０１で作成してもよい。
【００４１】
なお、転写部１０３の断面図は円形であるが四角や三角でもよく、円形に特に限定されないが、反応スペース４０３及び分散スペース４０１への溶液４０４の拡散を考慮すると円形が望ましい。
図６を説明する。
図６は図１を拡大した図である。
【００４２】
図６は、配置位置制御部１０２が、溶液が通過する穴２０２があり、溶液の触媒として作用する転写部１０３を半導体基板１００の表面と接触するように配置した場合を示す図である。
【００４３】
図６は、供給制御部１１１が、分散口１０７を通過した溶液を転写部１０３よりも上部（分散スペース４０１）から、穴（保持スペース２０２）を介して半導体基板１００の表面（反応スペース４０３）に供給するように溶液を供給した場合を示す図である。
図５の場合と比べて配置位置制御部１０２が、転写部１０３をより低く配置した場合である。
【００４４】
矢印である（１）乃至（５）は溶液４０４の供給ルート（供給路）であり、（１）は液スペース１０６であり、（２）は分散口１０７であり、（３）は分散スペース４０１（隙間）であり、（４）は穴２０２であり、（５）は反応スペース（隙間）４０３であり、上部である（１）から下部である（５）に溶液４０４は落下する。
図７を説明する。
図７は図１を拡大した図である。
【００４５】
図７は、配置位置制御部１０２が、溶液が通過する穴２０２があり、溶液の触媒として作用する転写部１０３を半導体基板１００の表面と接触するように配置した場合を示す図である。
【００４６】
図７は、供給制御部１１１が、分散口１０７を通過した溶液を転写部１０３よりも上部（分散スペース４０１）から、穴（保持スペース２０２）を介して半導体基板１００の表面（反応スペース４０３）に供給するように溶液を供給した場合を示す図である。
図６の場合と比べて配置位置制御部１０２が、転写部１０３をさらに低く配置した場合である。
図８を説明する。
図８は図５乃至図７の転写処理加工が完了した後の、半導体基板１００の断面図である。
３０１の領域は非転写部分の領域であり、２０２の穴の領域（エッチングされない）に該当する領域である。
３０２の領域は転写部分の領域であり、２０１の触媒の領域（エッチングされる）に該当する領域である。
＜第２の実施例＞
図９を説明する。
図９は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置のハードウエア構成を示す図である。
図９は、本願発明の半導体製造装置を横から見た図の断面図である。
１００は基板であり、第１の実施例の記載で記載されたものと同じ機能を示すものである。
１０１は基板保持部であり、第１の実施例の記載で記載されたものと同じ機能を示すものである。
１０２は配置位置制御部であり、第１の実施例の記載で記載されたものと同じ機能を示すものである。
１０３は転写部であり、第１の実施例の記載で記載されたものと同じ機能を示すものである。
１０９は配置角度制御部であり、第１の実施例の記載で記載されたものと同じ機能を示すものである。
４０４は溶液である。
【００４７】
５０１は給液槽である。吸収部５０３が給液槽５０１内で溶液を吸収するために所定の時間配置されるための液槽である。所定の時間配置されることで、所定の量の溶液を吸収部５０３の内部に保持することができる。また給液槽５０１を第１の実施例での、基板保持部（位置２）１０１の位置さらに下に、設置することで、転写処理位置と吸収部５０３内への溶液の供給処理を同じスペースでの上下で行うことが可能となる。
【００４８】
５０３は吸収部である。吸収部５０３は、給液槽５０１内で溶液を吸収し、給液槽５０１外で溶液を保持するために、部材がスポンジで作成された転写部ユニット１０４である。
５０４は台である。台５０４の部材として、吸収部５０３が給液槽５０１内で溶液を吸収しやすさを考慮するとゴムのような弾性体であることが望ましい。
図１０を説明する。
図１０は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置による半導体製造方法（処理ステップ）である。
ステップＳ２０１では、吸収部５０３が給液槽５０１内で溶液を吸収するために転写部１０３（転写部ユニット１０４）を給液槽内に配置する。
ステップＳ２０２では、転写部１０３（転写部ユニット１０４）を待機位置に上げる。
ステップＳ２０３では、基板１００を移動（位置２）する。
ステップＳ２０４では、配置手段により、転写部１０３を半導体基板１００の表面近傍（所定の位置）に配置する（配置工程）。
【００４９】
ステップＳ２０５では、配置手段がさらに、転写部ユニット１０４を半導体基板１００の表面に押圧し、吸収部５０３に保持する所定の量の溶液を転写部よりも上部（分散スペース）４０１から穴２０２を介して半導体基板の表面近傍に供給する（供給工程）。
ステップＳ２０６では、転写部１０３（転写部ユニット１０４）を待機位置に上げる。
ステップＳ２０７では、基板１００を移動（位置１または位置３）する。
ステップＳ２０８では、次に転写処理する基板があるかを判定する。
ある場合は、基板保持部が基板１００を入れ替えて、ステップＳ１０１に進む。
ない場合は、終了する。
＜第３の実施例＞
図１１を説明する。
図１１は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置のハードウエア構成を示す図である。
図１１は、本願発明の半導体製造装置を横から見た図の断面図である。
【００５０】
６０１は基板保持部回転部であり、第１の役割として、転写処理が終了し、転写部１０３が待機位置にある場合に、基板１００を保持したままで、基板保持部１０１を回転させることで、転写処理後に基板表面に残留する溶液４０４を遠心力で基板表面から取り除くために本願発明の半導体製造装置に追加構成されてもよい。
【００５１】
第２の役割として、転写処理中に基板表面に供給された後の溶液４０４を遠心力で基板外周にも均一に分散するようにステップＳ１０３及び、ステップＳ１０４において、転写部ユニット１０４及び基板１００を保持した基板保持部１０１を一体で回転するために本願発明の半導体製造装置に追加構成されてもよい。
＜変形例＞
【００５２】
尚、本願発明において使用する溶液は、半導体基板を酸化する機能を備える酸化剤である過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）、二クロム酸カリウム水溶液（Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７）、マンガン酸カリウム水溶液（ＫＭｎＯ４）、硝酸（ＨＮＯ３）、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、酸素（Ｏ２）又はオゾン（Ｏ３）を溶解させた水、の中から選ばれる少なくとも１種の酸化剤を含んでいればよい。かつ、半導体基板を溶解する機能を備える溶解剤であるフッ化水素酸を含んでいればよい。つまり酸化剤と溶解剤の混合水溶液であればよい。
【００５３】
尚、本願発明において使用する触媒は、溶液中の酸化剤の分解触媒であり、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、それらの内少なくとも１つを含む合金、の中から選ばれる少なくとも１種であればよい。
【００５４】
尚、本願発明において使用する触媒は、スパッタリング法、メッキ法、ＣＶＤ法によって形成された膜、あるいは化合物の塗布被膜から還元生成して形成した膜が採用されるが、膜に限定されない。
【００５５】
尚、本願発明において転写処理する対象の半導体は、太陽電池、光デバイス、ＭＥＭＳ構造を備えたデバイス、または大規模集積回路（ＬＳＩ）を備えたデバイスであってもよい。
尚、本願発明における転写処理する対象の基板は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓであってもよい。
【００５６】
尚、基板の転写処理枚数を高める（スループットの向上）ために、本願発明における転写処理の転写部ユニット１０４を複数し、複数の基板を同時に転写処理することもできる。
【符号の説明】
【００５７】
１００ 半導体基板（太陽電池用シリコン基板）
１０３ 転写部
２０１ 触媒（白金）
２０２ 穴
４０４ 溶液（過酸化水素水とフッ化水素水の混合溶液）
【技術分野】
【０００１】
半導体製造装置及び半導体製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、結晶系太陽電池においては、シリコン基板における平面状の表面を凹凸状に変形させることにより、いわゆる「光トラップ効果」を利用したエネルギー変換効率の向上が図られている。これは、基板表面が平面である場合に比べて、凹凸の斜面で一旦反射した光をも隣接する凹凸の斜面で受光して取込むことにより、実質的に表面からの反射率を低減させることが可能となるためである。その結果、入射光の総量が増大することになるため、変換効率の増加が実現される。
溶液にシリコンウエハを浸漬させて、シリコンウエハ全表面に凹部に形成する技術としては以下のような技術が開示されている。
【０００３】
先行文献１においては、シリコンウエハ表面に凹部に形成するために、過酸化水素とフッ酸溶液との混合溶液の中に浸漬させて、全表面を凸部に加工しかつ全表面に白金を成膜したシリコンウエハ表面と、凹部を形成させたいシリコンウエハ表面を接触させる技術が開示されている。
処理液を分解触媒に一旦接触させた後に、ウエハ表面に供給する技術としては以下のような技術が開示されている。
【０００４】
先行文献２においては、ウエハ表面の有機物を除去するために、過酸化水素水を表面が二酸化マンガンで被覆されたメッシュを通した後に、容器の穴から過酸化水素水を排出し、ウエハ保持具に保持されたウエハ上に処理液を供給する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】（雑誌名）「Electrochemical andSolid-State Letters」（タイトル）「Fabrication of LowReflectivity Poly-Crystalline Si Surface by Structure Transfer Method」2010.11.18発行 Vol.14,No2,p.B13-B15
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１９５８３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来技術における半導体基板表面を浸漬して転写処理する場合には、半導体基板表面が浸漬可能な大量の溶液が必要になり、転写処理自体に必要な量を超えた溶液を準備する必要があり、少枚数の半導体基板を転写処理する場合においては、浸漬するために大量の溶液を使用することが、溶液のコストアップとなってしまい、転写処理に十分な量のだけの溶液を使用したいといった課題を解決することはできないという問題がある。
本願発明は、半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明は、転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置であって、溶液が通過する穴があり、前記溶液の触媒として作用する前記転写部を、前記半導体基板の表面近傍に配置する配置手段と、前記溶液を前記転写部よりも上部から、前記穴を介して前記半導体基板の表面近傍に供給する供給手段と、を備えることを特徴する。
また、前記供給手段は、前記配置手段が前記転写部を配置したあとに供給することを特徴する。
また、前記供給手段は、前記溶液を前記半導体基板毎に所定量供給することを特徴する。
また、前記転写部は、前記半導体基板の表面と対向する平面を備えることを特徴する。
また、前記対向する平面に前記触媒をさらに備えることを特徴する。
また、前記対向する平面に均等に供給すべく、前記所定量の溶液を分配する分配手段をさらに備えることを特徴とする。
また、前記転写部の配置位置を制御する配置位置制御手段をさらに備えることを特徴とする。
また、前記触媒は、前記溶液の分解触媒であることを特徴とする。
また、前記溶液は、前記半導体基板を酸化しかつ溶解する機能を備えることを特徴とする。
また、前記基板はシリコン基板であることを特徴とする。
また、前記半導体は太陽電池であることを特徴とする。
また、前記溶液は、温度を加熱保温していることを特徴とする。
また、前記分配手段に使用する部材はテフロンであり、前記テフロンの表面を親水性に加工することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本願発明は、半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】ハードウエア構成（断面図）を示す図である。
【図２】処理ステップを示す図である。
【図３】転写部の表面を示す図である。
【図４】基板の表面を示す図である。
【図５】転写部及び基板の断面図を示す図である。
【図６】転写部及び基板の断面図を示す図である。
【図７】転写部及び基板の断面図を示す図である。
【図８】基板の断面図を示す図である。
【図９】ハードウエア構成（断面図）を示す図である。
【図１０】処理ステップを示す図である。
【図１１】ハードウエア構成（断面図）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１を説明する。
＜第１の実施例＞
図１は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置のハードウエア構成を示す図である。
図１は、本願発明の半導体製造装置を横から見た図の断面図である。
１００は基板であり、本願発明の転写処理の対象となるものである。
【００１２】
１０１は基板保持部であり、基板１００を基板保持部に保持した状態で、転写処理を実行する位置に配置、または転写処理を実行しない位置に配置するものである。
基板保持部（位置１）１０１は、転写処理を実行しない位置であり、基板１００の表面は転写処理されていない。
【００１３】
基板保持部（位置２）１０１は、転写処理を実行する位置であり、基板１００が位置２に配置された後に、転写部１０３を基板１００の表面近傍に配置することで転写処理を開始する。
基板保持部（位置３）１０１は、転写処理を実行しない位置であり、基板１００の表面は転写処理されている。
図示しない基板保持部の水平移動制御部により、基板１００を上に載せた（保持した）状態にて位置１と位置２と位置３で所定の時間停止するように移動する。
基板保持部１０１の部材としては、基板１００との相性からシリコンにしてもよい。
これにより、転写処理により基板１００が破損することを回避することができる。
【００１４】
１０２は配置位置制御部であり、転写処理中でない時に基板１００を保持した基板保持部と衝突しないように、転写部ユニット１０４（転写部１０３、分散部１０８、固定部１１０を含む）を一体で持ち上げることができる。
【００１５】
転写処理中の時には、図５に示すように転写部を半導体基板の表面近傍に配置する。また図６または図７に示すように転写部を半導体基板の表面に接触するために、転写部ユニット１０４（転写部１０３、分散部１０８、固定部１１０を含む）である一体で降ろすことができる。
配置位置制御部１０２は、図５に示すように転写部を半導体基板の表面近傍に配置することがきる（配置手段）。
配置位置制御部１０２は、転写部１０３を半導体基板毎に所定の時間（例えば転写処理時間）の間、所定の位置において停止配置することができる。
配置位置制御部１０２は、転写部の配置位置（高さ）を所定の高さに制御することができる（配置位置制御手段）。
【００１６】
１０３は転写部であり、転写処理において、基板１００の表面近傍に配置または接触させるためのものである。少なくとも基板１００に対向する表面には触媒（白金）がコーティングされており、基板１００の表面近傍（または接触）に配置されると、溶液４０４（過酸化水素水とフッ化水素水の混合溶液）中で過酸化水素水の分解触媒として作用することで、図８に示すように基板１００の表面がエッチングされる。
転写部１０３は、図５に示すように転写部を半導体基板の表面近傍に配置した時に半導体基板１００の表面と対向することが可能な、平面を備えている。
転写部１０３は、半導体基板１００の表面と対向する当該平面には白金である触媒２０１をさらに備えている。
１０５は液供給口であり、供給制御部１１１から送られた溶液４０４を転写部ユニット１０４内部の液スペース１０６に送るための供給口である。
【００１７】
１０６は液スペースであり、液供給口１０５から送られた溶液４０４を転写部ユニット１０４の外部に出す分散口１０７に送る前に一旦溶液が溜まる３次元の空間スペースである。液供給口１０５は１つに限定されるものではなく、分散口１０７のように、供給制御部から送られた所定量の溶液４０４を液スペース１０６に均一に分散されるように、複数（例えば１００個程度）の液供給口が２次元的に配置されているものであってもよい。
【００１８】
１０７は分散口であり、液スペース１０６に溜まった溶液４０４を転写部１０３に均一に分散させるための穴（供給口）である。分散口は溶液４０４が転写部１０３に均一に分散されるように、複数（例えば１００個程度）の穴が２次元的に配置されているものである。
分散口１０７により、半導体基板１００の表面と対向する平面に均等に供給すべく、所定量の溶液を分配することができる（分配手段）。
【００１９】
１０８は分散部であり、液スペース１０６を内包する、箱型の形状をした転写部ユニット１０４の一部である。つまり分散口１０７は分散部１０８下部（液スペース１０６よりも低い位置）に開いた穴である。つまり液供給口１０５は分散部１０８上部（液スペース１０６よりも高い位置）に開いた穴である。
また分散部の部材としては転写処理の際に、基板１００への押下圧力や基板１００自体の反りを考慮するとゴムのような弾性体を使用するものとする。
【００２０】
分散部は溶液４０４に対する耐食性を備えることが望ましいので、耐食性を高めるに、分散部の部材にテフロン（登録商標）を使用したり、分散部の表面をテフロン加工するものとする。
溶液が分散部をうまく通過するために、さらに疎水性であるテフロン表面には親水性の加工をするものとする。
【００２１】
１０９は配置角度制御部であり、転写部ユニット１０４の接触面と基板１００の表面とが平行になるように、転写部ユニット１０４の角度を制御（補正）する機構である。
１１０は固定部であり、転写部１０３を分散部１０８に固定（接続）するためのものである。
【００２２】
１１１は供給制御部であり、転写処理回数（例えば基板１００単位）単位で所定の量（例えば５０ｃｃ単位）の溶液４０４を供給する。供給制御部１１１は転写部１０３の上部（転写部１０３よりも高い位置）に設置させてもよく。転写部１０３よりも下部（転写部１０３よりも低い位置）に設置されてもよい。
供給制御部１１１は、溶液を転写部よりも上部（転写部１０３よりも高い位置）から、穴を介して半導体基板の表面近傍に供給することができる（供給手段）
供給制御部１１１は、配置位置制御部１０２が転写部を半導体基板の表面近傍に配置したあとに溶液を供給する。
供給制御部１１１は、つまり溶液４０４を半導体基板１００毎に所定量供給する。
【００２３】
本願発明の溶液４０４は、フッ化水素酸水溶液（ＨＦ）濃度が５．４Ｍであり、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）濃度が７．２Ｍの混合溶液、または濃度が２．７Ｍであり、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）濃度が８．１Ｍの混合溶液を使用して転写処理を行った。
【００２４】
本願発明の溶液４０４の温度は、室温放置温度（例えば２５℃）、または溶液を加熱して溶液温度を所定範囲に保持した温度（例えば６０℃）に制御して転写処理を行った。常温だと反応速度が遅く、反応熱で６０℃になると速度が速くなることが測定された。そのため、穴から注入する溶液は、６０℃に加熱保温しておくことが望ましい。
図２を説明する。
図２は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置による半導体製造方法（処理ステップ）である。
ステップＳ１０１では、基板１００を移動（位置２）する。
【００２５】
ステップＳ１０２では、配置手段により、転写部１０３を半導体基板１００の表面近傍（所定の位置）に配置（配置工程）し、所定の時間、当該所定の位置に保持する。転写部１０３を半導体基板１００の表面近傍（所定の位置）を所定の位置に保持する時間は１秒〜５秒程度であり、当該保持時間はステップＳ１０３及びステップＳ１０４の各工程時間も含んだ時間である。
【００２６】
ステップＳ１０３では、配置工程の後、供給工程の前に、分配手段により、供給手段から送られた溶液を転写部の上部（分散スペース）４０１に均等に分散するように分配する（分配工程）。
【００２７】
ステップＳ１０４では、分配工程が終わると、供給手段から送られた所定の量の溶液を転写部よりも上部（分散スペース）４０１から穴２０２を介して半導体基板の表面近傍に供給する（供給工程）。
【００２８】
ステップＳ１０５では、供給工程が終わると、図５乃至図７に示すように転写部１０３と基板１００との距離を変え、エッチング部３０２の深さを制御するために、転写部の位置をさらに下げる（別の所定の位置に変更する）かいなかを判定する。
下げない（しない）場合はステップＳ１０６に進む。
下げる（する）場合はステップＳ１０２に進む。
ステップＳ１０６では、転写部１０３（転写部ユニット１０４）を待機位置に上げる。
ステップＳ１０７では、基板１００を移動（位置１または位置３）する。
ステップＳ１０８では、次に転写処理する基板があるかを判定する。
ある場合は、基板保持部が基板１００を入れ替えて、ステップＳ１０１に進む。
ない場合は、終了する。
図３を説明する。
【００２９】
図３は転写部１０３の半導体基板１００の表面と対向することが可能な平面（転写部の表面）を上から見た図である。つまりこの平面が図５乃至図７の転写処理中に基板１００と接触可能な平面である。
２０１の領域は転写部の領域であり、転写部の表面には触媒である白金がコーティングされている。
【００３０】
２０２の領域は、転写部に開いた穴であり、転写部の表面（半導体基板１００の表面と対向することが可能な平面）と裏面を貫通している。つまり、この穴により、図５乃至図７の転写処理中に供給手段から送られた所定の量の溶液を半導体基板の表面近傍に供給する
【００３１】
転写部に開いた穴は丸型でなくてもよく、どのような形状でもよく（例えば四角型、三角型、星型、アルファベット文字、直線、曲線、ＬＳＩの配線パターン等）転写処理中に、供給手段から送られた溶液を転写部１０３よりも上部（図３に示す転写部の裏面）から半導体基板の表面近傍（半導体基板１００の表面と対向することが可能な平面）に供給できる形状でればよい。さらに穴の数は特に限定されるものではない。さらに穴同士の配置関係は、一定間隔に整列する必要はなく特に限定されるものではない。また図３に示す全ての穴２０２（１００％）またはその一部（例えば割合５０％）を転写部の表面（半導体基板１００の表面と対向することが可能な平面）と裏面を貫通させないように転写部１０３を形状加工して、供給手段から送られた溶液を転写部１０３よりも上部（図３に示す転写部の裏面）から半導体基板の表面近傍（半導体基板１００の表面と対向することが可能な平面）に供給できる形状に加工したものも本願発明の穴に該当とするものである。
【００３２】
なお、転写部１０３の半導体基板１００の表面と対向することが可能な平面（転写部の表面）を上か見た図の形は、四角形に限定されたものではなく、円形型や、その他、本願発明の転写処理を実行可能な形状であればよい。
なお、図３の転写部の表面にある円形の穴２０２の直径は２０μｍ程度である。
なお、図３の転写部の表面にある触媒２０１の最短のスペースは２μｍ程度である。
図４を説明する。
【００３３】
図４は図５乃至図７の転写処理加工が完了した後の、半導体基板１００の表面を上から見た図である。つまりこの表面が図５乃至図７の転写処理中に転写部１０３と接触可能な表面である。
３０１の領域は非転写部分の領域であり、２０２の穴の領域（エッチングされない）に該当する領域である。
３０２の領域は転写部分の領域であり、２０１の触媒の領域（エッチングされる）に該当する領域である。
【００３４】
なお、半導体基板１００の表面を上から見た図の形は、四角形に限定されたものではなく、単結晶シリコンウエハのような円形型や、その他、本願発明の転写処理を実行可能な形状であればよい。
図５を説明する。
図５は図１を拡大した図である。
【００３５】
図５は、配置位置制御部１０２が、溶液が通過する穴２０２があり、溶液の触媒として作用する転写部１０３を半導体基板１００の表面近傍に配置した場合を示す図である。
【００３６】
なお、半導体基板１００の表面近傍とは、転写部１０３との距離が例えば数μｍ程度であり、触媒２０１（転写部１０３）と基板１００が実際に接触していなくても、基板１００がエッチング（転写部の形状の転写）される距離である。
【００３７】
図５は、供給制御部１１１が、分散口１０７を通過した溶液を転写部１０３よりも上部（分散スペース４０１）から、穴（保持スペース２０２）を介して半導体基板１００の表面近傍（反応スペース４０３）に供給するように溶液を供給した場合を示す図である。
転写部１０３と分散部１０８との間には、転写部全域に溶液４０４が、拡散しやすいように、分散スペース４０１（空間）がある。
【００３８】
供給制御部１１１が溶液を供給したあと、穴２０２は、溶液を穴と基板によってできた空間スペースに所定の時間保持することが可能な保持スペースとして機能する。
【００３９】
これにより、溶液４０４と触媒２０１と基板１００との化学反応領域である反応スペース４０３に所定の時間の間、反応に必要な溶液４０４の供給を継続することができる。
【００４０】
なお、図５に示しように触媒２０１は転写部１０３の全面を被覆する必要はなく、転写処理において基板１００に対向する面にあればよい。また転写部１０３の部材すべてを触媒２０１で作成してもよい。
【００４１】
なお、転写部１０３の断面図は円形であるが四角や三角でもよく、円形に特に限定されないが、反応スペース４０３及び分散スペース４０１への溶液４０４の拡散を考慮すると円形が望ましい。
図６を説明する。
図６は図１を拡大した図である。
【００４２】
図６は、配置位置制御部１０２が、溶液が通過する穴２０２があり、溶液の触媒として作用する転写部１０３を半導体基板１００の表面と接触するように配置した場合を示す図である。
【００４３】
図６は、供給制御部１１１が、分散口１０７を通過した溶液を転写部１０３よりも上部（分散スペース４０１）から、穴（保持スペース２０２）を介して半導体基板１００の表面（反応スペース４０３）に供給するように溶液を供給した場合を示す図である。
図５の場合と比べて配置位置制御部１０２が、転写部１０３をより低く配置した場合である。
【００４４】
矢印である（１）乃至（５）は溶液４０４の供給ルート（供給路）であり、（１）は液スペース１０６であり、（２）は分散口１０７であり、（３）は分散スペース４０１（隙間）であり、（４）は穴２０２であり、（５）は反応スペース（隙間）４０３であり、上部である（１）から下部である（５）に溶液４０４は落下する。
図７を説明する。
図７は図１を拡大した図である。
【００４５】
図７は、配置位置制御部１０２が、溶液が通過する穴２０２があり、溶液の触媒として作用する転写部１０３を半導体基板１００の表面と接触するように配置した場合を示す図である。
【００４６】
図７は、供給制御部１１１が、分散口１０７を通過した溶液を転写部１０３よりも上部（分散スペース４０１）から、穴（保持スペース２０２）を介して半導体基板１００の表面（反応スペース４０３）に供給するように溶液を供給した場合を示す図である。
図６の場合と比べて配置位置制御部１０２が、転写部１０３をさらに低く配置した場合である。
図８を説明する。
図８は図５乃至図７の転写処理加工が完了した後の、半導体基板１００の断面図である。
３０１の領域は非転写部分の領域であり、２０２の穴の領域（エッチングされない）に該当する領域である。
３０２の領域は転写部分の領域であり、２０１の触媒の領域（エッチングされる）に該当する領域である。
＜第２の実施例＞
図９を説明する。
図９は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置のハードウエア構成を示す図である。
図９は、本願発明の半導体製造装置を横から見た図の断面図である。
１００は基板であり、第１の実施例の記載で記載されたものと同じ機能を示すものである。
１０１は基板保持部であり、第１の実施例の記載で記載されたものと同じ機能を示すものである。
１０２は配置位置制御部であり、第１の実施例の記載で記載されたものと同じ機能を示すものである。
１０３は転写部であり、第１の実施例の記載で記載されたものと同じ機能を示すものである。
１０９は配置角度制御部であり、第１の実施例の記載で記載されたものと同じ機能を示すものである。
４０４は溶液である。
【００４７】
５０１は給液槽である。吸収部５０３が給液槽５０１内で溶液を吸収するために所定の時間配置されるための液槽である。所定の時間配置されることで、所定の量の溶液を吸収部５０３の内部に保持することができる。また給液槽５０１を第１の実施例での、基板保持部（位置２）１０１の位置さらに下に、設置することで、転写処理位置と吸収部５０３内への溶液の供給処理を同じスペースでの上下で行うことが可能となる。
【００４８】
５０３は吸収部である。吸収部５０３は、給液槽５０１内で溶液を吸収し、給液槽５０１外で溶液を保持するために、部材がスポンジで作成された転写部ユニット１０４である。
５０４は台である。台５０４の部材として、吸収部５０３が給液槽５０１内で溶液を吸収しやすさを考慮するとゴムのような弾性体であることが望ましい。
図１０を説明する。
図１０は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置による半導体製造方法（処理ステップ）である。
ステップＳ２０１では、吸収部５０３が給液槽５０１内で溶液を吸収するために転写部１０３（転写部ユニット１０４）を給液槽内に配置する。
ステップＳ２０２では、転写部１０３（転写部ユニット１０４）を待機位置に上げる。
ステップＳ２０３では、基板１００を移動（位置２）する。
ステップＳ２０４では、配置手段により、転写部１０３を半導体基板１００の表面近傍（所定の位置）に配置する（配置工程）。
【００４９】
ステップＳ２０５では、配置手段がさらに、転写部ユニット１０４を半導体基板１００の表面に押圧し、吸収部５０３に保持する所定の量の溶液を転写部よりも上部（分散スペース）４０１から穴２０２を介して半導体基板の表面近傍に供給する（供給工程）。
ステップＳ２０６では、転写部１０３（転写部ユニット１０４）を待機位置に上げる。
ステップＳ２０７では、基板１００を移動（位置１または位置３）する。
ステップＳ２０８では、次に転写処理する基板があるかを判定する。
ある場合は、基板保持部が基板１００を入れ替えて、ステップＳ１０１に進む。
ない場合は、終了する。
＜第３の実施例＞
図１１を説明する。
図１１は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置のハードウエア構成を示す図である。
図１１は、本願発明の半導体製造装置を横から見た図の断面図である。
【００５０】
６０１は基板保持部回転部であり、第１の役割として、転写処理が終了し、転写部１０３が待機位置にある場合に、基板１００を保持したままで、基板保持部１０１を回転させることで、転写処理後に基板表面に残留する溶液４０４を遠心力で基板表面から取り除くために本願発明の半導体製造装置に追加構成されてもよい。
【００５１】
第２の役割として、転写処理中に基板表面に供給された後の溶液４０４を遠心力で基板外周にも均一に分散するようにステップＳ１０３及び、ステップＳ１０４において、転写部ユニット１０４及び基板１００を保持した基板保持部１０１を一体で回転するために本願発明の半導体製造装置に追加構成されてもよい。
＜変形例＞
【００５２】
尚、本願発明において使用する溶液は、半導体基板を酸化する機能を備える酸化剤である過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）、二クロム酸カリウム水溶液（Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７）、マンガン酸カリウム水溶液（ＫＭｎＯ４）、硝酸（ＨＮＯ３）、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、酸素（Ｏ２）又はオゾン（Ｏ３）を溶解させた水、の中から選ばれる少なくとも１種の酸化剤を含んでいればよい。かつ、半導体基板を溶解する機能を備える溶解剤であるフッ化水素酸を含んでいればよい。つまり酸化剤と溶解剤の混合水溶液であればよい。
【００５３】
尚、本願発明において使用する触媒は、溶液中の酸化剤の分解触媒であり、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、それらの内少なくとも１つを含む合金、の中から選ばれる少なくとも１種であればよい。
【００５４】
尚、本願発明において使用する触媒は、スパッタリング法、メッキ法、ＣＶＤ法によって形成された膜、あるいは化合物の塗布被膜から還元生成して形成した膜が採用されるが、膜に限定されない。
【００５５】
尚、本願発明において転写処理する対象の半導体は、太陽電池、光デバイス、ＭＥＭＳ構造を備えたデバイス、または大規模集積回路（ＬＳＩ）を備えたデバイスであってもよい。
尚、本願発明における転写処理する対象の基板は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓであってもよい。
【００５６】
尚、基板の転写処理枚数を高める（スループットの向上）ために、本願発明における転写処理の転写部ユニット１０４を複数し、複数の基板を同時に転写処理することもできる。
【符号の説明】
【００５７】
１００ 半導体基板（太陽電池用シリコン基板）
１０３ 転写部
２０１ 触媒（白金）
２０２ 穴
４０４ 溶液（過酸化水素水とフッ化水素水の混合溶液）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置であって、
溶液が通過する穴があり、前記溶液の触媒として作用する前記転写部を、前記半導体基板の表面近傍に配置する配置手段と、
前記溶液を前記転写部よりも上部から、前記穴を介して前記半導体基板の表面近傍に供給する供給手段と、
を備えることを特徴する半導体製造装置。
【請求項２】
前記供給手段は、前記配置手段が前記転写部を配置したあとに供給することを特徴する請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記供給手段は、前記溶液を前記半導体基板毎に所定量供給することを特徴する請求項１または請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記転写部は、前記半導体基板の表面と対向する平面を備えることを特徴する請求項１乃至請求項３に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記対向する平面に前記触媒をさらに備えることを特徴する請求項４に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記対向する平面に均等に供給すべく、前記所定量の溶液を分配する分配手段をさらに備えることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の半導体製造装置。
【請求項７】
前記転写部の配置位置を制御する配置位置制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至請求項６に記載の半導体製造装置。
【請求項８】
前記触媒は、前記溶液の分解触媒であることを特徴とする請求項１乃至請求項７に記載の半導体製造装置。
【請求項９】
前記溶液は、前記半導体基板を酸化しかつ溶解する機能を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項８に記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
前記基板はシリコン基板であることを特徴とする請求項１乃至請求項９に記載の半導体製造装置。
【請求項１１】
前記半導体は太陽電池であることを特徴とする請求項１乃至請求項１０に記載の半導体製造装置。
【請求項１２】
前記溶液は、温度を加熱保温していることを特徴とする請求項１乃至請求項１１に記載の半導体製造装置。
【請求項１３】
前記分配手段に使用する部材はテフロンであり、前記テフロンの表面を親水性に加工することを特徴とする請求項６乃至請求項１１に記載の半導体製造装置。
【請求項１４】
転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置による半導体製造方法であって、
溶液が通過する穴があり、前記溶液の触媒として作用する前記転写部を、前記半導体基板の表面近傍に配置する配置工程と、
前記溶液を前記転写部よりも上部から、前記穴を介して前記半導体基板の表面近傍に供給する供給工程と、
を含むことを特徴する半導体製造方法。
【請求項１】
転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置であって、
溶液が通過する穴があり、前記溶液の触媒として作用する前記転写部を、前記半導体基板の表面近傍に配置する配置手段と、
前記溶液を前記転写部よりも上部から、前記穴を介して前記半導体基板の表面近傍に供給する供給手段と、
を備えることを特徴する半導体製造装置。
【請求項２】
前記供給手段は、前記配置手段が前記転写部を配置したあとに供給することを特徴する請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記供給手段は、前記溶液を前記半導体基板毎に所定量供給することを特徴する請求項１または請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記転写部は、前記半導体基板の表面と対向する平面を備えることを特徴する請求項１乃至請求項３に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記対向する平面に前記触媒をさらに備えることを特徴する請求項４に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記対向する平面に均等に供給すべく、前記所定量の溶液を分配する分配手段をさらに備えることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の半導体製造装置。
【請求項７】
前記転写部の配置位置を制御する配置位置制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至請求項６に記載の半導体製造装置。
【請求項８】
前記触媒は、前記溶液の分解触媒であることを特徴とする請求項１乃至請求項７に記載の半導体製造装置。
【請求項９】
前記溶液は、前記半導体基板を酸化しかつ溶解する機能を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項８に記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
前記基板はシリコン基板であることを特徴とする請求項１乃至請求項９に記載の半導体製造装置。
【請求項１１】
前記半導体は太陽電池であることを特徴とする請求項１乃至請求項１０に記載の半導体製造装置。
【請求項１２】
前記溶液は、温度を加熱保温していることを特徴とする請求項１乃至請求項１１に記載の半導体製造装置。
【請求項１３】
前記分配手段に使用する部材はテフロンであり、前記テフロンの表面を親水性に加工することを特徴とする請求項６乃至請求項１１に記載の半導体製造装置。
【請求項１４】
転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置による半導体製造方法であって、
溶液が通過する穴があり、前記溶液の触媒として作用する前記転写部を、前記半導体基板の表面近傍に配置する配置工程と、
前記溶液を前記転写部よりも上部から、前記穴を介して前記半導体基板の表面近傍に供給する供給工程と、
を含むことを特徴する半導体製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１３−４１８９８（Ｐ２０１３−４１８９８Ａ）
【公開日】平成２５年２月２８日（２０１３．２．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１７６４５６（Ｐ２０１１−１７６４５６）
【出願日】平成２３年８月１２日（２０１１．８．１２）
【出願人】（３９０００２７６１）キヤノンマーケティングジャパン株式会社 (656)
【出願人】（５９４０５６３８４）
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月２８日（２０１３．２．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月１２日（２０１１．８．１２）
【出願人】（３９０００２７６１）キヤノンマーケティングジャパン株式会社 (656)
【出願人】（５９４０５６３８４）
【Ｆターム（参考）】
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