【課題】 基板の搬送速度を変更した場合においても、基板を均一に処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 ガラス基板１００を水平方向に搬送する搬送ローラ９と、処理液吐出口２１が形成され、この処理液吐出口２１とガラス基板１００の表面との間が処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズル２と、処理液保持面３１を備え、処理液吐出口２１と処理液保持面３１との間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材３と、ガラス基板１００の表面に供給された処理液がガラス基板１００の搬送方向に対して上流側に流出することを防止するためのエアナイフ５と、ガラス基板１００の裏面に洗浄液を供給する一対の裏面洗浄部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン及び／又はアモルファスシリコンについて、シリコン等を的確かつ高速に除去し、一方で残される電極部材等を損傷させずに維持することができるシリコンエッチング液及びこれを用いたエッチング方法、これを用いた半導体基板製品を提供する。
【解決手段】アニオン性基を有する炭素数３以上の化合物と硝酸とフッ化水素酸とを水性媒体中に含有するシリコンエッチング液を準備し、該シリコンエッチング液を多結晶シリコン及び／又はアモルファスシリコンからなるシリコン膜に適用して、キャパシタとなる凹凸形状を形成するエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】少なくとも無機アルカリ化合物、ヒドロキシルアミン化合物、及びアニオン性化合物を含むシリコンエッチング液を、多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜に適用して、該膜の少なくとも一部を除去するエッチング方法。
【解決手段】アモルファスシリコン又は多結晶シリコン膜を的確かつ効率よく除去して半導体基板に凹凸を形成するに当たり、ウエハの中央部から端部に至るまでバランスよくエッチングするシリコンエッチング液及びこれを用いたエッチング方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に凹凸形状をなすよう、アモルファスシリコン又は多結晶シリコンを的確かつ効率よく除去することができ、しかもそのエッチングが行われる条件下において長時間活性が維持されるシリコンエッチング液及びこれを用いたキャパシタ構造の形成方法を提供する。
【解決手段】アンモニアと、ヒドロキシルアミン化合物、塩基性有機化合物、及び金属含有塩基性化合物からなる群から選ばれる少なくとも１つの特定塩基性化合物とを組み合わせて含むシリコンエッチング液を、多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜６に適用して、該多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜の少なくとも一部を除去することにより、キャパシタとなる凹凸形状を形成するキャパシタ構造１０の形成方法。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン又は多結晶シリコンについて、凹凸を有するキャパシタ構造をなすよう周囲の構成材料を的確かつ効率よく除去し、しかもキャパシタ構造を多数形成するウエハの中央部と端部とにおいてバランスよくエッチングするシリコンエッチング液及びこれを用いたキャパシタ構造の形成方法を提供する。
【解決手段】アルカリ化合物およびヒドロキシルアミン化合物を組み合わせて含み、ｐＨを１１以上に調整したシリコンエッチング液を多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜に適用して、該多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜の一部または全てを除去することにより、キャパシタとなる凹凸形状を形成するキャパシタ構造の形成方法。 （もっと読む）

【課題】基板上面の周縁部における処理幅を精密に制御することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷはスピンチャックにより水平姿勢で保持されている。スピンチャックに保持されたウエハＷの下面の中央部には、下ノズル６からの処理液が供給される。下下ノズル６は、ウエハＷの下面から間隔Ｇ１を隔てて対向する上面５２を有している。上面５２には、処理液吐出口６ａが形成されている。ウエハＷを回転させつつ、処理液吐出口６ａから処理液を吐出すると、その吐出された処理液によって、ウエハＷの下面と下ノズル６の上面５２との間の空間５３が液密状態にされる。ウエハＷの下面に接液する処理液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて回転半径外方側へと広がり、ウエハＷの周端面１０２から上面に回り込む。 （もっと読む）

【課題】基板表面の周縁部の処理幅を正確に制御することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。
【解決手段】この装置は、ウエハＷを保持して回転するスピンチャック１と、スピンチャック１の上方に配置された遮断板１０とを備える。遮断板１０は、ウエハＷの上面の周縁部に対向する位置に、環状部材３２を有する。環状部材３２は、ウエハＷの上面の周縁部に対向するウエハ対向面４５と、内側の空間と外側の空間とを連通させる気体流通路４９を有する。また環状部材３２の内側の空間に気体を供給する気体供給手段１８，３０を有する。中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、エッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜を形成する。この液膜は、環状部材３２の内周縁付近から内方へ入りこむことがない。 （もっと読む）

【課題】基板表面の周縁部の処理幅を正確に制御することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。
【解決手段】この装置は、ウエハＷを保持して回転するスピンチャック１と、スピンチャック１の上方に配置された遮断板１０とを備えている。遮断板１０は、ウエハＷの上面の周縁部に対向する位置に、環状部材３２を有している。環状部材３２は、ウエハＷの上面の周縁部に対向するウエハ対向面４５を有する。中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、このエッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜を形成する。この液膜は、環状部材３２の内周縁付近から内方へ入りこむことができない。 （もっと読む）

電子素子の金属電極と真性半導体層との間に配置されたドーピングされた半導体層を、該真性半導体層に対して選択的にエッチングするエッチング液であり、遷移金属及び／または遷移金属塩；及びフッ酸及び／またはフッ素を含む無機塩；を含むエッチング液が提示される。
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本発明は、大幅に改良されたシリコン層に関する選択性を有する、改良されたエッチングペースト組成物を利用した、選択エミッタを含むソーラーセルの製造方法に関する。
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本発明は、半導体装置の表面上への新規なエッチング組成物の非接触堆積方法、さらにはその後に行われる、これら半導体装置の最上部に位置する機能層のエッチングに関する。前記機能層は、表面パッシベーション層及び／又は反射防止コーティング（ＡＲＣ）として提供され得る。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴを用いた半導体装置において、ＴＦＴ中の汚染不純物を低減し、信頼性のあるＴＦＴを得ることを課題とする。
【解決手段】ガラス基板上のＴＦＴの被膜に存在する汚染不純物を、フッ素を含有する酸性溶液を被膜表面に接触させ、酸性溶液を一定方向に流すことにより、被膜表面の汚染不純物を除去することにより、信頼性のあるＴＦＴを得ることができる。なお、酸性溶液は、フッ酸とフッ化アンモニウムの混合比が体積比で１：５０のバッファードフッ酸を用いる。 （もっと読む）

【課題】 多量の処理液を消費することなく、基板の表面全域に有効に処理液を供給することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 ガラス基板１００を水平方向に搬送する搬送ローラ９と、処理液吐出口２１が形成され、この処理液吐出口２１とガラス基板１００の表面との間が処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズル２と、処理液保持面３１を備え、処理液吐出口２１と処理液保持面３１との間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材３と、ガラス基板１００の裏面に洗浄液を供給する一対の裏面洗浄部４を備える。 （もっと読む）

【課題】キャリアの再結合を抑制可能とする太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池１００の製造方法は、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ及びｐ型非晶質半導体層１１ｐのパターニング工程の後、ｉ型非晶質半導体層１２ｉの形成工程前に、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面のうち露出領域Ｒ２のクリーニング工程を備える。 （もっと読む）

ナノワイヤアレイを形成するために、シリコン含有基板をエッチングするためのプロセスが提供される。このプロセスにおいて、ある者は、金属が、エッチングが所望される場所に存在してシリコンに触れ、それ以外の場所において、シリコンに触れることがブロックされ、または存在しないような態様で、基板上にナノ粒子および金属膜を堆積させる。ある者は、金属化された基板を、ＨＦと酸化因子とを含むエッチング水溶液の中へ沈める。このような態様で、制御された直径および長さを有するナノワイヤのアレイが生産される。
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【課題】製造工程の低減を図った表示装置の製造方法の提供。薄膜トランジスタの特性の劣化を抑制した表示装置の製造方法の提供。
【解決手段】同一の基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、結晶質と非晶質の積層の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第１の薄膜トランジスタと、ゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第２の薄膜トランジスタを備える表示装置の製造方法にあって、
前記ゲート絶縁膜の形成後に、前記基板上に非晶質の半導体層を形成し、該非晶質の半導体層に選択的に前記結晶質の半導体層を形成する工程と、
アルカリ性のアミン系のエッチング液を用いて前記結晶質の半導体層を残存させて前記非晶質の半導体層をエッチングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ｐ−ＭＯＳトランジスタとｎ−ＭＯＳトランジスタとのゲート電極形状のばらつきが少ない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の第１領域１３、第２領域、１４にｎ型、ｐ型ゲート電極膜３４、３７を形成する工程と、ゲート電極膜３４、３７上に第１保護膜３８および第２保護膜３９を形成する工程と、第２保護膜３９に、ゲート電極サイズＬ１、Ｌ２より大きいサイズＬ３のゲート電極パターンを形成する工程と、第２保護膜３９ｂに選択的に燐イオンを注入し、熱酸化速度が第２保護膜３９ａより大きくなるようにする工程と、第２保護膜３９ａ、３９ｂを熱酸化し、生成した第１および第２酸化膜４２、４３を選択的にエッチングして、ゲート電極パターンをスリム化する工程と、スリム化された第２保護膜３９ａ、３９ｂを用いてサイズＬ１、Ｌ２のゲート電極１８、２３を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】カップリング比の低下を抑制しつつ、スタックゲートの側壁をエッチングすることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板ＳＢ上に、多結晶状態の第１シリコン層Ｓ１ｐと、絶縁層ＩＬと、アモルファス状態の第２シリコン層Ｓ２ａとを有する積層膜が形成される。この積層膜がパターニングされて、第１シリコン層Ｓ１ｐを有するフローティングゲートＦＧと、絶縁層ＩＬを有するゲート間絶縁膜ＧＩと、第２シリコン層Ｓ２ａを有するコントロールゲートＣＧとを含む積層体ＬＢが形成される。多結晶シリコンのエッチング速度がアモルファスシリコンのエッチング速度よりも速いエッチング条件で積層体ＬＢの側壁がエッチングされる。 （もっと読む）

本発明は、最初に開口部をパッシベーション層の中に形成し、次いで、これらの開口部を導電性材料で充填することによって、温度に敏感なパッシベーション層の１つまたは複数の層を含むソーラーウェーハの接触を行なう方法に関する。このようにして、１つまたは複数のパッシベーション層を含むソーラーウェーハの接触を行なうための従来方法で必要とされる相対的な高温度を回避できるようになり、したがって、接触期間中およびその後において、新しく開発された温度に敏感なパッシベーション層の優れたパッシベーション特性を維持できるようになる。
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【課題】波長範囲が広く高吸収率のアンチリフレクション層を具え、且つ、簡単なステップであることを特徴とするアンチリフレクション層を具える基板の製造方法を提案する。
【解決手段】本発明のアンチリフレクション層を具える基板の製造方法は、(a) 基板を提供し、(b) 基板上にアモルファスシリコンを堆積させ、(c) エッチング液でアモルファスシリコン層及び基板をエッチングし、且つアモルファスシリコン層をエッチング液により除去することを特徴とする。 （もっと読む）