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Fターム[5F043AA21]の内容

ウェットエッチング (11,167) | 被エッチング体 (2,299) | 半導体以外の導電層 (575)

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【課題】所定の安定した特性を有するN−MISFETとP−MISFETとを備えた半導体装置を容易に実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板101の上に高誘電体膜121と、第1の膜122と、犠牲導電膜123と、第2の膜124とを順次形成した後、第2の膜124におけるN−MISFET形成領域101Nに形成された部分を第1の薬液を用いて選択的に除去する。この後、第2の膜124に含まれる第2の金属元素を犠牲導電膜124におけるP−MISFET形成領域101Pに形成された部分に拡散させる。続いて、犠牲導電膜124及び第1の膜122におけるN−MISFET形成領域101Nに形成された部分を、それぞれ第2の薬液及び第3の薬液を用いて選択的に除去する。第3の膜125を形成した後、第3の膜125に含まれる第3の金属元素を高誘電体膜121中に拡散させる。 (もっと読む)


【課題】Tiを含む層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体基板製品の製造方法を提供する。
【解決手段】
Tiを含む第1層と、Cu、SiO、SiN、SiOC、及びSiONの少なくとも1種を含む第2層とを有する半導体基板に特定のエッチング液を適用し、前記第1層を選択的にエッチングする方法であり、前記特定のエッチング液が、有機アミン化合物からなる塩基性化合物と酸化剤とを水性媒体中に含み、そのpHが7〜14であるエッチング方法。 (もっと読む)


【課題】導電膜の所望部分を面内均一に除去することが出来ると共に高性能な導電膜を得ることが可能なパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】カーボンナノチューブ層と、該カーボンナノチューブ層を覆うオーバーコート層とを具備する複合層のパターン形成方法であって、前記カーボンナノチューブ層が、単独では、実質上、エッチングされないものの、前記オーバーコート層のエッチングによって、前記カーボンナノチューブ層が共にエッチングされる前記オーバーコート層のエッチング剤が、前記オーバーコート層上に、所定パータンで塗布される塗布工程を具備する。 (もっと読む)


【課題】エッチング工程設備へ与える腐食性の負荷を減らし、かつ作業者の安全性に優れた、汎用性の高い、エッチング跡の変色等の生じない、導電膜除去剤および導電膜除去方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、導電膜付き基材の少なくとも一部に、20℃におけるpHが6.0〜8.0の導電膜除去剤を塗布する工程、導電膜除去剤を塗布した導電膜付き基材を加熱処理する工程、および加熱処理した導電膜付き基材から液体を用いた洗浄によって導電膜を除去する工程を有する導電膜除去方法であって、加熱処理する工程において塗布された導電膜除去剤の少なくとも一部の成分が揮発することで該導電膜除去剤のpHを6.0未満、または8.0より大きくすることを特徴とする導電膜除去方法である。 (もっと読む)


【課題】太陽電池パネルの製造プロセスにおいて、エッチング液を循環させつつ基板に供給してエッチング処理をする場合に、エッチング液の特定成分の濃度を測定して正確な測定値に補正し、この補正測定値に基づいて適正量の特定成分の補充を行ってエッチング液の濃度管理を行うエッチング液濃度管理装置を提供する。
【解決手段】エッチング液34の循環経路の途中でその一部をサンプリング液として取り出して導電率計58とpH計60へ導入し、導電率計58によってサンプリング液中の塩酸の濃度を常時測定して塩酸の濃度を求める一方、エッチング処理が所定時間経過する毎にまたは所定枚数の基板Wのエッチング処理が終了する毎に、pH計60によってサンプリング液中の塩酸の正確な濃度を測定して塩酸の濃度を求め、pH計60よる測定値によって導電率計58による測定値を補正し、この補正値に対応した適切な補充量の塩酸をエッチング液34に補充する。 (もっと読む)


【課題】エッチング残渣を良好に除去することが可能なウエットエッチング方法及びウエットエッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明のウエットエッチング方法は、基板A上に形成された少なくとも1層の膜をウエットエッチングする処理工程と、処理工程を終えた基板Aを水洗する水洗工程と、水洗工程を終えた基板Aを乾燥する乾燥工程とを含み、処理工程と水洗工程との間に、超音波を印加したエッチング液ELを基板Aに噴射する超音波液噴射工程を実施する。 (もっと読む)


【課題】臭気の発生及び装置や被エッチング基材等の腐食劣化の問題が抑制された、特に酸化インジウム系被膜に対し、充分なエッチング速度とエッチングの選択性を示すエッチング液組成物を提供すること。
【解決手段】(A)2−ヒドロキシエタンスルホン酸又はその塩を、2−ヒドロキシエタンスルホン酸換算で5〜20質量%と、(B)フッ化水素、フッ化アンモニウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム及びフッ化リチウムから選ばれる少なくとも1種類のフッ化化合物0.05〜5質量%とを含む水溶液からなることを特徴とする金属酸化物被膜のエッチング液組成物。 (もっと読む)



【課題】 基板の全面に対して、ウエット処理を均一に施すことができるようにした噴射式で傾斜搬送型のウエット処理装置を提供する。
【解決手段】 処理液供給機構4は、傾斜姿勢で水平搬送される基板Wの上方に配置され、基板Wの上面へ向けて噴射する噴射ノズル41は、基板Wの搬送方向(x方向)に延在するスプレーパイプ42に取り付けられている。各スプレーパイプ42は、一つ上方へ隣のスプレーパイプ42との間隔が、下方のスプレーパイプ42より狭い間隔に配置している。また、噴射ノズル41は、下方ほど、ノズル吊下具43を長寸にすることにより、噴射ノズル41と基板Wとの距離を、下方ほど小さくしている。 (もっと読む)


【課題】エッチング液に含まれるインジウムイオン及びスズイオンの内、特にインジウムイオンの濃度を適切な濃度に維持することができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】蓚酸を含むエッチング液Lが貯留された貯留槽11からノズル体16,17にエッチング液Lを供給して吐出させ、酸化インジウムスズ膜が形成された基板Kをエッチングするとともに、ノズル体16,17から吐出されたエッチング液Lを貯留槽11内に回収するエッチング工程と、貯留槽11内に貯留されたエッチング液Lをキレート剤が充填された吸着容器32,33内に通液させて、エッチングによりエッチング液Lに含まれるようになったインジウムイオン及びスズイオンを吸着,除去した後、貯留槽11内に還流させる金属除去工程とを含むエッチング方法において、貯留槽11内に貯留されるエッチング液Lのインジウムイオンの濃度を260ppm以下に維持する。 (もっと読む)


【課題】エッチング時に残渣の発生が少なく、低発泡な透明導電膜用のエッチング液を提供する。
【解決手段】シュウ酸と、硫酸アンモニウム、アミド硫酸アンモニウムおよびチオ硫酸アンモニウムからなる群の少なくとも1種の化合物と、水を含有するエッチング液を使用する。透明導電膜の残渣が少なく、発泡も少ないので、均一にムラ無く透明導電膜をエッチングすることができる。 (もっと読む)


【課題】ナノバブルを含む液体中のナノバブルを生成して基板に供給する際に、ナノバブルの個数を把握して基板の処理ができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】予め粒径の確定している標準粒子を混合用の液体81で混合し、標準粒子を混合した混合用の液体中の単位体積当たりの標準粒子の個数をカウンタ86で計測し、この混合用の液体81を基準液として、投入したい標準粒子の個数を含む量の基準液をナノバブルNBを含む液体Lに入れ、粒度分布測定器100によりナノバブルを含む液体中の標準粒子の粒度分布F1とナノバブルの粒度分布F2とを求め、ナノバブルを含む液体L中の標準粒子の粒度分布F1のピーク値P1に対応する標準粒子の個数を基準として、ナノバブルの粒度分布F2のピーク値P2、P3、P4に対応するナノバブルの個数を求める。 (もっと読む)


【課題】 酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のエッチングにおいて、最適なエッチング速度でエッチング処理を施すことができ、配線パターンの粗密やパターン形状に依存せず、サイドエッチングや異方性エッチングを抑制し、且つエッチング残渣の発生を抑制するエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 酸化亜鉛系結晶からなる薄膜を、エッチング液を用いてエッチングするエッチング方法であって、成膜基板上に前記薄膜を形成し、該薄膜の表面全体を亜鉛及び/又は亜鉛酸化物を構成成分とする炭化物系化合物からなる被膜によって被覆した後エッチング処理を施し、エッチング処理の途中から前記薄膜と前記エッチング液の相対関係を動的状態とすることを特徴とする酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のエッチング方法とする。 (もっと読む)


In、Al及びMoを含む三重膜用のエッチング液組成物は、組成物の総重量に対し、45〜70重量%のリン酸、2〜10重量%の硝酸、5〜25重量%の酢酸、0.01〜3重量%の含フッ素化合物、0.1〜5重量%のリン酸塩、及び残量の水を含む。
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【課題】インジウム系金属膜、アルミニウム−ランタニウム系合金膜及びチタニウム系金属膜からなる三重膜用エッチング液組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のエッチング液組成物は、組成物の総重量に対して、過酸化水素1重量%〜15重量%、無機酸0.1重量%〜10重量%、含フッ素化合物0.01重量%〜5重量%、及び水残部を含むことを特徴とする、 (もっと読む)


【課題】基板上に下地膜なしに形成された透明導電膜のみならず基板上の下地膜上に形成された透明導電膜についても、エッチング残渣除去性能に優れ、発泡を抑制することができ、しかも、固形物の析出がなく従来品より液寿命が長い、エッチング液組成物を提供する。
【解決手段】シュウ酸、ナフタレンスルホン酸縮合物又はその塩、塩酸、硫酸及び水溶性アミン並びに水溶性アミンの塩酸塩、硫酸塩及び炭酸塩のうち少なくとも1種、並びに水を含有する酸化インジウム系透明導電膜用のエッチング液組成物である。 (もっと読む)


【課題】 酸化亜鉛系結晶からなる透明膜のエッチングに際して、ジャストエッチング、オーバーエッチング等の種々のエッチング時間においても透明膜の剥離や可視光透過率の低下を生じることのないエッチング速度で処理を施すことができ、且つサイドエッチングを抑制して数μm幅の微細パターン(マスクサイズ)においてもエッチングが可能なエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 酸化亜鉛系結晶が基板に対してc軸配向し、該c軸の傾きが基板垂直方向に対して45°未満の角度で配向してなる酸化亜鉛系透明膜のエッチング方法であって、pH5〜7に調整した有機酸又は無機酸を用いてc軸方向のエッチング速度に対するa軸方向のエッチング速度の比が5以下のエッチング速度でエッチングすることを特徴とする酸化亜鉛系透明膜のエッチング方法とする。 (もっと読む)


本発明は、エッチングすべき少なくとも1つの材料(4)を含む構造体(1)をエッチングするための方法に関し、この方法は、エッチングすべき前記材料(4)と反応できる少なくとも1つの化学種を選択するステップと、前記化学種を放出できる少なくとも1つの可溶性化合物を選択するステップと、前記化合物および懸濁状態にある粒子または固体の粒(13)の粉体を含む溶液(11)を製造するステップと、前記溶液内に前記エッチングすべき材料を入れるステップと、前記化学種を発生し、これら化学種がエッチングすべき前記材料と反応し、それによって可溶性化合物または沈殿物を生成するように活性キャビテーションバブルを発生できる、少なくとも1つの周波数の高周波超音波を前記溶液内に発生するステップとを備える。
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【課題】レジストマスクを用いたウエットエッチングにより、下地のゲート絶縁膜にダメージを与えることなく、寸法精度良く金属膜を加工する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板100上に金属薄膜102を形成する工程(a)と、金属薄膜102の上にアルカリ水溶液可溶有機膜103を形成する工程(b)と、アルカリ水溶液可溶有機膜103の上にフォトレジスト膜104を形成する工程(c)と、フォトレジスト膜104に開口部を設けてレジストパターン105を形成する工程(d)と、薬液を用いて、開口部に露出するアルカリ水溶液可溶有機膜103を除去する工程(e)と、工程(e)の後に、ウエットエッチングにより、開口部に露出する金属薄膜102を除去する工程(f)とを備える。 (もっと読む)


【課題】 端子の先端に、水平方向に突出する突起を所望の形状で形成できる電気接点の製造方法を提供すること。
【解決手段】 母材を、電気接点20Aの形状にパターニングされたマスク30で覆ってエッチング液で母材の不要な部分を除去することにより、電気接点20Aを形成する。電気接点20Aの先端24の第1の突起24a及び第2の突起24bは、マスクの先端34に設けた突起形成部31a,31bにより形成されるが、突起形成部31a,31bの形状を突起の形状及び形成領域のL/S(ラインアンドスペース)の比率に応じて調整することにより、前記第1の突起24a及び第2の突起24bを所望の形状で形成することが可能となる。 (もっと読む)


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