本発明は、熱処理システム内で基板を熱処理する方法に関する。この方法では、基板の目標温度を用意し、熱処理システム内で基板の移動プロファイルを生じさせる。第一位置で基板に熱量を加え、この第一位置で基板上の一つ又は複数の位置に関係する一つ又は複数の温度を測定し、これら一つ又は複数の測定された温度、基板の位置、及び熱処理システムと基板の熱モデルに基づいて、基盤の理論的な位置を生じさせる。また、基板の移動プロファイルに従って、基板の予測された温度プロファイルを生じさせるが、この予測された温度プロファイルは、一つ又は複数の測定された温度と、基板の理論的な位置と、予測された温度プロファイルに基づいて決定された予測された最大の温度に基づく。さらに、予測された最大の温度が目標の基板の温度と等しくなるか、大きくなる時、移動プロファイルに従って、基板を第二位置に移動させる。さらに、理論的な位置のエラーを修正するため、オフセットを用いる。
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処理容器内において被処理基板表面に所定の処理温度で酸化膜を形成する成膜方法は、前記基板を前記所定の処理温度まで昇温する昇温工程を含み、前記昇温工程は前記基板を、前記基板の温度が４５０℃の温度に達する前に、酸素を含む雰囲気中に保持する工程を含む。 （もっと読む）

処理容器内部を真空引きした状態で運転を停止していた場合などにおいて、運転を再開しようとしても、プラズマが容易に着火しない現象が生じる問題を解決する。
処理容器（２１）中に酸素を含むガスを流通させ、前記処理容器（２１）内部を排気しながら前記酸素を含むガスに紫外光を照射する。その後、リモートプラズマ源（２６）を駆動して、プラズマを着火させる。 （もっと読む）

本発明によるプラズマ急速熱処理装置は、急速熱処理チャンバ内にラジカル状態の原子種を供給するプラズマ供給部を改善し、前記供給部は内側チューブと外側チューブを含み、前記内側チューブは、片側端は開放されて前記放電管と接続されて他側端は塞がれ、前記塞がれた部分の直径は他の部分に比べて小さく、この部分の側壁の周に第１噴射孔が形成されており、前記外側チューブは片側端は開放されて前記内側チューブの塞がれた先端がここに挿入されて入り、他側端には複数個の第２噴射孔が形成され、前記第２噴射孔が形成された先端は、前記内側チューブの塞がれた先端と所定の間隔が離隔される。本発明によれば、低いサーマルバジェットで低温でも高効率の均一な熱処理が可能となる。

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処理システムは可変容積室を含む。液体又は固体の前駆体源を可変容積室内に含め得る。処理室への予測可能な前駆体流れをもたらすために、可変容積室の容量を制御し得る。一部の実施例では、複数の可変容量室を設け得る。
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加工物は、処理中、加工物への機械的ストレスを減じるためにガスクッションによって支持される。加工物を受け入れる加工物支持フランジを有するプレナムは、ガス供給源に接続されている。ガスがプレナム内に流れて、加工物を持ち上げるのに十分な圧力が増加すると、加工物は、持ち上げられ、そして、支持フランジと加工物エッジとの間のプレナムからガスが流れる。その結果、加工物は、処理中、ガスによって支持フランジ上方で支持される。 （もっと読む）

窒化ゲート誘電体層を形成するための方法及び装置。この方法は、電子温度スパイクを減少するために、滑らかに変化する変調のＲＦ電源により処理チャンバー内に窒素含有プラズマを発生することを含む。電源が滑らかに変化する変調のものであるときには、方形波変調のものに比して、電界効果トランジスタのチャンネル移動度及びゲート漏洩電流の結果が改善される。 （もっと読む）

本発明は、附室アセンブリと連通している流路を有するハウジングを有する熱処理プロセスチャンバを提供する。この附室アセンブリは、第１の溝を持つ外側リングと、第２の溝を持つ内側リングとを含む。この第１の溝は外側リングの軸線方向に内向きの表面内に形成されている。第１の溝は半径方向に外向きの方向と軸線方向に内向きの方向とに開いている一部分を有する。第２の溝は軸線方向に内向きの方向に開き、および、内側リングの軸線方向に外向きの表面内に形成されている。第１の溝と第２の溝は、これらが軸線方向に互いに重ね合わされた関係にある時に通路を形成する。第１の溝は半径方向に外側に開いた端部を形成し、および、第２の溝はその通路の軸線方向に内向きの端部を形成する。通路は流路と連通し、これによって温度調整媒質の通過を可能にする。
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【課題】 例えば５０〜６００℃程度の低温域での降温率を高くでき、熱処理のスループットを向上させることが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施す熱処理装置４０において、排気可能になされた筒体状の処理容器４２と、複数の前記被処理体を多段に保持して前記処理容器内へ挿脱される被処理体保持手段５８と、前記処理容器内へ所定の処理ガスを導入する処理ガス導入手段７８と、前記処理容器の内側に配置されて前記被処理体を加熱する加熱手段７６と、前記処理容器の壁面を冷却する容器冷却手段１１０と、を備える。これにより、全体としての熱容量が小さくなり、しかも、処理容器の壁面が冷たいので、低温域での降温率（降温速度）及び動特性を大幅に向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 製造誤差があっても所定範囲で取付調整が可能な半導体ウエハを加熱する縦型炉における熱電対装置の取付構造を提供する。
【解決手段】 熱電対装置７の横管部７ｂが、ポート８ａの一端側を支点として他端側でフランジ１０及びＯリング９によって上下に移動可能になるように支持し、取付位置が上下に調整可能にすることにより縦管部７ａとの角度誤差を吸収し要求精度誤差を緩和する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハを保持具に棚状に保持して反応容器内に下方側から搬入して熱処理を行う装置において、処理雰囲気の温度安定時間を短くし、また温度の均一性の高い処理雰囲気を広くとれるようにする。
【解決手段】 反応容器の下端を塞ぐ蓋体と保持具との間に保温ユニットを設け、この保温ユニットの例えば上面部に、例えば高純度の炭素素材よりなる抵抗発熱線を石英プレートの中に封入してなる発熱体ユニットを設け、この発熱体ユニットの下方側に例えば石英ブロックを設ける。保温ユニットを蓋体に固定する一方、保温ユニットの中央部に保持具を回転させる回転軸を貫通させ、発熱体ユニットに給電するための給電路部材の外部への引き出しを容易にする。 （もっと読む）