【課題】低水分分圧でエピタキシャル成長を行える技術を提供する。
【解決手段】このエピタキシャル成長装置１では、搬入室２５と第１のロードロック室３１との間に搬送室１４が配置され、その搬送室１４と、搬入室２５と、第１のロードロック室３１には、窒素ガス導入ポート２０、２１、２８がそれぞれ設けられている。窒素ガス導入ポート２０、２１、２８から窒素ガスを導入すると、窒素ガス雰囲気中で搬入室２５から第１のロードロック室３１内に基板１７を搬送できる。第１のロードロック室３１内に搬入された基板１７は、ボートに搭載され、ボートローダ２９によって熱処理室１２内に搬入される。そのボートローダ２９周囲には、加熱されたオイルが循環できる循環路４が配置されており、ベーキングの際に、ボートローダ２９を加熱できるように構成されている。従って、従来では加熱できない部分までベーキングを行うことができる。 （もっと読む）