【課題】１枚のウェハからより多くのチップを取得することができる高性能な発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】加熱したｎ型基板１００上にIII族原料ガス及びＶ族原料ガスを供給し、ｎ型基板１００上に少なくともｎ型クラッド層５、活性層７、ｐ型クラッド層９，１１及びコンタクト層１３からなるIII−Ｖ族半導体層２を積層する発光素子用エピタキシャルウェハ１において、III−Ｖ族半導体層２のいずれかの層に不可避不純物として混入するＳ（硫黄）の濃度を１．０×１０¹⁵ｃｍ^-3以下にすべく、その層の成長時の基板温度を６２０℃以上とし、かつＶ族原料ガスとIII族原料ガスの実流量比を１３０以上とした。 （もっと読む）

【課題】容易なプロセスで作製することができ、かつ、曲線光導波路の光導波ロスを低減する構造を有する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】段差１０１ｂを有する基板１０１と、基板上に積層された、ｎ型クラッド層１０２、活性層１０４およびｐ型クラッド層１０７を有する積層構造体とを備え、積層構造体は、曲線の光導波路である曲線光導波路１１を含む光導波路部１０を有し、曲線光導波路１１の近傍であって曲線光導波路１１の曲線の外側領域は、段差１０１ｂの上方に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体膜内部における電流拡散を阻害することなく半導体膜内部を伝搬する光の自己吸収を抑制することができる半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】支持体上の反射電極と、反射電極上の第１クラッド層と、第１クラッド層上の発光層と、発光層の上に設けられ、凹部及び凸部からなるテラス構造を有し、凸部の頂面及び凹部の底面に凹凸形状の光取り出し構造が形成された第２クラッド層と、凸部の頂面上の表面電極と、を有し、第２クラッド層は、発光層上に、第１電流拡散層、第１電流拡散層上に設けられ凹部の底面の光取り出し構造を備える第１光取り出し層、第１光取り出し層上に設けられた第２電流拡散層、及び第２電流拡散層上に設けられ凸部の頂面の光取り出し構造を備える第２光取り出し層を含む積層構造を有し、第１光取り出し層及び第２光取出し層は、第１電流拡散層及び第２電流拡散層よりも小なる光吸収率と、第１電流拡散層及び第２電流拡散層よりも大なる抵抗値と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】
成長中断による、Ａｌを含むIII-V族化合物半導体層への酸素の取り込みを抑制した半導体装置を提供すること。
【解決手段】
Ａｌを構成元素として含む第１のIII-V族化合物半導体によって半導体基板上に形成された第１の半導体層と、厚さが２原子層以上８原子層以下のＡｌを構成元素として含まない第２のIII-V族化合物半導体で形成され、且つ前記第１の半導体層の上面又は前記第１の半導体層の内部に配置された表面保護層とを有する半導体積層構造と、第３のIII-V族化合物半導体で形成され、且つ前記半導体積層構造の上面に形成された第２の半導体層を具備すること。 （もっと読む）

【課題】選択成長において、露出しているコア層の端面の酸化を抑制し、選択成長前にハリゲン系ガスを用いる必要をなくし、端面の酸化に起因する異常成長を抑制する。
【解決手段】半導体基板の上に、Ａｌを含まない化合物半導体からなる第１のコア層２０を形成する。半導体基板の上に形成すべき導波路の導波方向に関する一部分である第１の領域Ａ１に接する第２の領域Ａ２の第１のコア層を除去し、第１の領域と第２の領域との境界に第１のコア層の端面を露出させる。第１のコア層が除去された第２の領域に、Ａｌを含む化合物半導体からなる第２のコア層３０を形成する。第１の領域を基準として第２の領域とは反対側に配置され、第１の領域に接する第３の領域Ａ３内の第１のコア層を除去し、第１の領域と第３の領域との境界に第１のコア層の端面を露出させる。第１のコア層が除去された第３の領域に、Ａｌを含む化合物半導体からなる第３のコア層３５を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造効率に優れ、光損失が低減した異機能領域を有するモノリシック半導体光集積素子、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光集積素子は、同一基板４０１に一方向に連続して配列された互いに機能が異なる第一領域、第二領域、および第三領域を有し、基板４０１に、光導波路層と上部クラッド層とが順次積層された層構造を有し、上部クラッド層を含むリッジＲが形成され、光導波路層は、第一領域に設けられた光導波路層４０３、および、第二、第三領域にわたって設けられた光導波路層４０６で構成され、光導波路層４０３と光導波路層４０６とが第一領域と第二領域との界面において接合し、上部クラッド層は、第一、第二領域にわたって設けられた上部クラッド層４０９、および、第三領域に設けられた上部クラッド層４１２で構成され、上部クラッド層４０９と上部クラッド層４１２とが、第二領域と第三領域との界面において接合している。 （もっと読む）

【課題】基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛を成長する方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ法により酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、成長温度が２５０℃から４５０℃の範囲内で、かつ、成長圧力が１ｋＰａから３０ｋＰａの範囲内であって、酸素原子を含まない有機亜鉛化合物材料と水蒸気とを少なくとも含む材料ガスを基板１０に吹き付けて酸化亜鉛の単結晶層１１を成長させる。ＺｎＯ結晶層１１の成長後、ＺｎＯ結晶層１１の結晶性および平坦性の向上を目的として、ＺｎＯ結晶層１１を１ｋＰａから３０ｋＰａの圧力下で、７００℃から１１００℃の温度範囲内で熱処理を行う。熱処理は水蒸気雰囲気下で行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、光の取り出し効率を高めること。
【解決手段】サファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）からなる基板と、該基板上に順次形成されたｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層を含むＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる半導体層とを有する発光素子の製造方法である。この場合、発光層はＧａＮからなる障壁層とＩｎＧａＮからなる井戸層とからなり、両端の層を障壁層とする多重量子井戸構造である。そして発光層に接するｎ型層がＩｎＧａＮからなり、基板の半導体層を積層する表面を、傾斜側面を有する凹凸状に加工し、該傾斜側面の基板表面に対する角度θを３０°＜θ＜６０°とする。上記凹凸状に加工した基板表面に、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層を順次形成し、フリップチップ型の発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】特に光学積層膜を設計どおりに再現性よく得ることができる堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】反応容器内に原料ガスを導入する工程と、高周波電力を印加する工程を複数回繰り返す事により、基板上に複数の堆積膜を積層する堆積膜形成方法であって、（１）反応容器体積とガス圧力とガス流量から計算されるガス滞留時間の５倍以上の時間、一定流量のガスを流しつづけ、反応容器内のガス分布を安定化させる安定化工程２１１と、安定化工程２１１後に高周波電源から電力を印加して放電を開始し、基板上に堆積膜を形成する膜堆積工程２１２と、を有し、（２）膜堆積工程２１２は、電力の立ち上がり工程２０１と、インピーダンス整合工程２０３と、安定放電工程２０５と、電力をオフする立ち下がり工程２０４と、からなり、立ち上がり工程２０１とインピーダンス整合工程２０３と立ち下がり工程２０４の合計時間が、１秒以上、１０秒以下である。 （もっと読む）

【課題】材料溶液を完全に気化し、基板に安定供給することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】気化器４０９は、内部空間を有する容器９００と、容器９００内の空間を加熱し、霧状の材料溶液を気化させる加熱部９０７とを備える。霧化部４０８は、内部空間に向かって材料溶液と霧化支援ガスを噴出し、ヒーター９０８を内蔵するフィン９０７により霧化した材料溶液を加熱する。これにより、溶液材料を効率よく気化することができる。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ型のＧａＮ系発光素子において、周囲媒体を考慮し、光取り出し効率をより改善すること。
【解決手段】ＧａＮ系半導体からなる発光層２３を含んだ積層体２が基板１の上面に形成され、フリップチップ実装可能な構成とされた、フリップチップ型のＧａＮ系半導体発光素子であって、該基板１の下面には、凹凸構造体３が形成されている。凹凸構造体の材料には、基板の材料の屈折率と同等以上の屈折率を有する光透過性の材料が選択されている。これによって光はより多く外界に導き出される。 （もっと読む）

基板上の低誘電率(low-k)誘電膜を硬化する方法が記載されている。当該低誘電率誘電膜の誘電率は約4未満である。当該方法は、前記low-k誘電膜を紫外(UV)放射線に曝露する工程を有する。前記UV曝露に続いて、前記誘電膜はIR放射線に曝露される。
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【課題】発光出力の高いＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物化合物半導体とは屈折率が異なる基板上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる、第一の層およびＤＢＲ層がこの順序で設けられており、該ＤＢＲ層上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる、ｎ型層、発光層およびｐ型層が、発光層をｎ型層とｐ型層が挟むように設けられており、該第一の層の厚さが１０００ｎｍ以下であるＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の優れたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物化合物半導体とは屈折率が異なる基板上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる、第一の層および光学的機能層がこの順序で設けられており、該光学的機能層上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる、ｎ型層、発光層およびｐ型層が、発光層をｎ型層とｐ型層が挟むように設けられており、該第一の層の厚さが１０００ｎｍ以下であるＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】発光出力が高く、信頼性の高い発光素子が歩留まり良く得られる発光素子、発光素子用エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板(2)上に、少なくとも、反射層(3)と、（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる第一導電型クラッド層(4)、活性層(5)及び第二導電型クラッド層(6)と、窓層(8)と、窓層(8)上部の上面電極(9)と、基板(2)裏面の下面
電極(1)とを備えた発光素子において、基板(2)と活性層(5)との間に存在するＡｓ系層と
Ｐ系層との界面のうち、活性層(5)側に最も近い前記界面と活性層(5)との間に、膜厚４００ｎｍ以上のＰ系層が形成されている発光素子である。 （もっと読む）

【課題】高輝度、高寿命の発光素子、発光素子用エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板(2)上に、(Ａｌ_xＧａ_１−ｘ)_ｙＩｎ_１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１；但し混晶比ｘ，ｙが各層で異なる場合を含む）からなるｎ型クラッド層(4)、活性層(5)、ｐ型クラッド層(6)及びｐ型介在層(7)と、ｐ型窓層(8)とを有し、ｐ型窓層(8)上の一部に表面電極(9)が形成されていると共に、基板(2)の裏面に裏面電極(1)が形成されている
発光素子において、ｐ型介在層(7)に、ｐ型ドーパントとｎ型ドーパントとがドーピング
されている。 （もっと読む）

【課題】広範囲の波長帯において、窒化物半導体層の組成分布、例えば、活性層の結晶性
やＩｎ含有量を均一にして、寿命特性及び素子特性が一層優れた素子を提供することを目
的とする。
【解決手段】 窒化物半導体基板の主面上に第１導電型の窒化物半導体層と、多重又は単一量子井戸構
造をしており、少なくとも井戸層にＩｎを含む活性層と、第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層と、前記第２導電型の窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部とを備えてなる窒化物半導体レーザ素子であって、前記窒化物半導体基板の主面には、Ｃ面（０００１）から、前記ストライプ状のリッジ部に対して略平行方向かつＭ面（１−１００）に対して略垂直方向にオフ角ａ（θ_aと、リッジ部に対して略垂直方向かつＭ面（１−１００）に対して略平行方向にオフ角ｂ（｜θ_b｜）を有しており、｜θ_a｜＞｜θ_b｜＞及び０．２°≦｜θ_a｜≦０．３°を満たす窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】 アモルファスカーボン膜を有する構造およびその形成方法を提供することである。
【解決手段】 半導体デバイスは、半導体基板と、半導体基板上に形成され、被処理膜を有する膜スタックとを含む。膜スタックに含まれるデュアルハードマスクは、アモルファスカーボン層、およびアモルファスカーボン層と被処理膜との間に配置される下層のハードマスク層を有し、ハードマスク層は、アモルファスカーボン層を含まない。金属配線のためのダマシン構造は、膜スタックに形成されている。アモルファスカーボン膜は、例えば、シングルダマシン構造またはデュアルダマシン構造の中で取り入れられることができる。アモルファスカーボン膜は、配線構造を形成するためのリソグラフィマスクの一部として役に立つことができ、または、それは、ＣＭＰの間、デュアルハードマスク、ケミカルメカニカルポリシング（ＣＭＰ）ストップ層または犠牲層の上部層として役立つことになる。 （もっと読む）