【課題】高品質な半導体の製造し、光電変換効率に優れる太陽電池、燃料電池を提供すること。
【解決手段】半導体材料２２の表面２３にレーザー光２４を照射することで、表面２３に二酸化チタンの層が形成されるとともに、ナノオーダーの酸化膜が成長して半導体２１の薄膜が完成する。前記半導体材料は純チタン又はチタンをコーティングした材料である。シリコンや化合物、さらには電解溶液や色素ゲルを使用することなく、従来と全く異なる方法で製造することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハが載置されていないサセプタの上面での反応ガスの消費を抑制することでエピタキシャル層の厚さを均一にすること。
【解決手段】本発明の気相成長装置用のサセプタ２は、半導体ウェーハＷを載置する少なくとも一つの凹状のウェーハ載置部を上面に有する気相成長装置用のサセプタ２であって、半導体ウェーハＷの主表面にエピタキシャル層ＥＰを成長させる反応ガスと反応しない非エピタキシャル成長領域２２が前記サセプタ２の上面に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カービンナノチューブを用いた電流容量の大きいトランジスタや配線を製造容易な方法で作製する。
【解決手段】基板上に形成した触媒から垂直方向に、カーボンナノチューブ細線密度の高い、長さの揃ったカーボンナノチューブ束を配向成長し、この側面近傍に、カーボンナノチューブ束に親和性を有する液体である有機溶媒を滴下し、これを、窒素ガスを用いて、横倒ししたい方向の反対側からカーボンナノチューブ束方向に向かってブローして有機溶媒と共に垂直に立ったカーボンナノチューブ束を横倒しし、かつ基板表面に一定長さ（領域）をもって接触させる。有機溶媒を乾燥後、この接触領域の一部を、チャネル部として用いてバックゲート型トランジスタを、あるいは導体として配線を製造する。 （もっと読む）

【課題】 ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を選択的に成長させることにより、ＩＩＩ族窒化物半導体微細柱状結晶の位置および形状を制御する。
【解決手段】 微細柱状結晶の製造方法が、基板表面の所定領域に、金属窒化物または金属酸化物からなる表面を有する膜を形成する工程と、前記基板表面に成長原料を導き、前記膜上の領域を微細柱状結晶の成長促進領域として、少なくとも前記微細柱状結晶の成長促進領域上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 基板上にエピタキシャル層スタックを形成する方法の提供。
【解決手段】 （１）エピタキシャル層スタックのターゲット炭素濃度を選択するステップと、（２）基板上に炭素含有シリコン層を形成するステップであって、炭素含有シリコン層が、選択されたターゲット炭素濃度に基づいて選択される初期炭素濃度、厚さ及び堆積時間の少なくとも一つを有する、前記ステップと、（３）エッチングの前に炭素含有シリコン層上に炭素を含有しないシリコン層を形成するステップと、を含む方法を用いる。多数の他の態様も提供される。 （もっと読む）