【課題】特定の一部の領域にのみ加工歪みが存在する場合であっても、短時間で容易に歪みを評価することのできる方法による評価の結果合格した窒化ガリウム基板、その窒化ガリウム基板を含む発光素子もしくは電界効果トランジスタ、及びそのガリウム基板上に結晶を成長させるエピタキシャル膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、窒化ガリウム基板１のバンドギャップに対応する波長のフォトルミネッセンスピーク強度を、窒化ガリウム基板１の表面の測定範囲３内において１ｍｍ×１ｍｍの正方形の測定領域２ごとに測定したときの、全測定領域２におけるフォトルミネッセンスピーク強度の最小値が平均値の４５％以上であり、測定領域２は測定範囲３内に隙間無く連続する、窒化ガリウム基板１が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光ダイオードの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードの製造方法は、結晶成長のための前記結晶面を有する前記基板を提供する第一ステップと、前記基板の前記結晶面にカーボンナノチューブ層を設置する第二ステップと、前記基板の前記結晶面に第一半導体層、活性層及び第二半導体層を順に成長させる第三ステップと、前記第二半導体層の表面に第二電極を設置する第四ステップと、前記基板を除去する第五ステップと、前記第一半導体層の表面に第一電極を設置する第六ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板上に、面内と周縁部の膜厚の均一な塗布膜を形成することを目的とする。
【解決手段】単結晶ウエハ１と半導体層４と、その間の結晶格子の不整合を緩和するバッファ層３を備えた半導体基板の製造方法であって、前記単結晶ウエハの外周端部１ａを被覆材２で被覆した後、前記バッファ層３を前記単結晶ウエハ１の一面側に形成する工程と、前記被覆材２を取り除いた後、前記半導体層４を前記バッファ層３上の一面側に形成すると共に、前記単結晶ウエハ１の外周端部１ａから前記半導体層４の外周部４ｂにかけて前記半導体層４の構成材料からなる堆積物４ａを堆積させる工程と、前記半導体層４上に塗布液をスピンコート法により塗布する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶の破壊の原因になる亀裂（クラック）が生じにくい窒化物半導体自立基板、窒化物半導体自立基板の製造方法、及び窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】直径が４０ｍｍ以上、厚さが１００μｍ以上の窒化物半導体単結晶を準備しＳ１０，Ｓ２０、前記窒化物半導体単結晶の表面と、裏面と、側面との全体を保護膜で被覆して被覆基板を形成するＳ３０。前記被覆基板を１３００℃より高い温度下において２０時間以上の熱処理Ｓ４０を施した後、前記被覆基板から前記保護膜を除去して窒化物半導体自立基板を形成するＳ５０。これにより、直径が４０ｍｍ以上、厚さが１００μｍ以上であり、転位密度が５×１０^６／ｃｍ^２以下であり、不純物濃度が４×１０^１９／ｃｍ^３以下であり、最大荷重が１ｍＮ以上５０ｍＮ以下の範囲内におけるナノインデンテーション硬さが１９．０ＧＰａ以上である窒化物半導体自立基板。 （もっと読む）

【課題】表面が（１１１）面以外であるシリコン層と、表面が（０００１）面である窒化物半導体層とを基板に設け、かつシリコンと窒化物半導体の線膨張係数の違いに起因した応力を小さくする。
【解決手段】まずＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を準備する。ＳＯＩ基板は、表面が（１１１）面であるシリコン基板１００上に絶縁層１２０及びシリコン層２００を積層した基板である。シリコン層２００は、表面が（１１１）面以外の面方位である。次いで、絶縁層１２０及びシリコン層２００に、底面にシリコン基板１００が露出している開口部２０１を形成する。次いで、開口部２０１内にＩＩＩ族の窒化物半導体層３００を形成する。 （もっと読む）

【課題】球面研磨等を施すことなく、自立基板表面における単一の結晶面の面積を再現性良く大きくすることができるＩＩＩ族窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体自立基板５０は、基板５０表面がアズグロウンであり、基板５０表面の半分以上の領域が、ＩＩＩ族極性のＣ面からｍ軸方向若しくはａ軸方向に、又はＭ面からｃ軸方向若しくはａ軸方向に傾いたオフ角を有する単一の結晶面からなる。 （もっと読む）

【課題】成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAl_xGa_1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたスカンジウム窒化物膜とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性が高く、また、内部抵抗が低減され、優れた発光特性を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにレーザダイオードを提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜成長用の基板１１上又は該基板１１上に形成されたバッファ層（ＩＩＩ族窒化物層）１２上に、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）からなる組成を有する下地層（ＥＬＯ成長層）１３が形成され、下地層１３上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ型半導体層１４、発光層１５及びｐ型半導体層１６が順次積層されており、下地層１３は、基板１１又はバッファ層１２上に形成された炭素材料からなるＥＬＯ用マスクパターンを用いて形成されたものである。 （もっと読む）

半導体処理用のデバイス、方法、及びシステムがここで述べられている。半導体処理の幾つかの方法の実施形態は、構造体上にシリコン層を形成することと、シリコン層を通って構造体内に開口部を形成することと、抵抗可変材料がシリコン層上に形成されないように抵抗可変材料を開口部内に選択的に形成することとを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥及び貫通転位の密度が十分に低いダイヤモンド薄膜構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１の主方位面の一部を覆うマスク材１０２と、基板１０１の主方位面の表面からエピタキシャル成長するダイヤモンド薄膜１０３とで構成されるダイヤモンド薄膜構造であって、ダイヤモンド薄膜１０３は、マスク材１０２の上に形成され、ダイヤモンド薄膜１０３の結晶方位は基板１０１の結晶方位とそろっている。ダイヤモンド基板１０１に存在する貫通転位１０４ａは、マスク材１０２で覆われていない部分のダイヤモンド基板１０１の主方位面を介してダイヤモンド薄膜１０３まで貫通するが、貫通転位１０４ｂは、マスク材１０２によってダイヤモンド薄膜１０３への伝播が遮られるため、ダイヤモンド薄膜１０３の貫通転位密度は低下し、結晶性が向上する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子のクラックの発生を防ぎ、かつ基板の掘り込み領域以外の領域上における窒化物半導体層の組成変動を抑制して、高い歩留まりで窒化物半導体発光素子を得る。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、掘り込み領域（１６）が形成された主面を有する窒化物半導体基板（１０ａ）と、掘り込み領域上に形成された結晶成長抑制膜（１０ｂ）と、結晶成長抑制膜（１０ｂ）および基板（１０ａ）の主面を覆うように堆積された複数の窒化物半導体層（１１）を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥をより抑制することが可能なＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法によりエピタキシャル膜２を成長させると、成長させるエピタキシャル膜２の不純物濃度に応じて貫通転位３の成長方向を一定方向に規定できる。例えば、ＳｉＣ基板１内に含まれていた貫通転位３は、エピタキシャル膜２内においてｃ軸に対する角度θが（１１−２２）面もしくは（１１−２２）面に対して±３°の範囲内、例えば［１１−２３］方向に平行もしくは［１１−２３］方向に対して±３°の範囲内の方向に向く。このため、この現象を利用し、エピタキシャル膜２の側面から貫通転位３を排出させることにより、エピタキシャル膜２の成長表面から貫通転位３をほぼ無くすことが可能となる。そして、このようなエピタキシャル膜２を種結晶として昇華法によりＳｉＣ単結晶４をバルク成長させれば、結晶欠陥をより抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】性能を確保しながらコストを低減することができる化合物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、外部に連通する開口部が設けられたｎ−ＧａＮ層４を形成し、その後、ｎ−ＧａＮ層４上に、ＧａＮ層５、ＡｌＧａＮ層６、ｉ−ＧａＮ層７、ｉ−ＡｌＧａＮ層８、ｎ−ＡｌＧａＮ層９及びｎ−ＧａＮ層１０を形成する。次いで、ＫＯＨ水溶液中において、ｎ−ＧａＮ層４に紫外線を照射して、光電気化学エッチングによりｎ−ＧａＮ層４を溶解させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオンの注入による窒化物半導体の形成方法及びこれを利用して製造した電子素子に関する。
【解決手段】本発明は、基板１００の表面に１Ｅ１７イオン／ｃｍ²超過、５Ｅ１８イオン／ｃｍ²以下のドーズ量及び３０〜５０ｋｅＶの注入エネルギーでライン／スペースパターンからなるイオン注入領域１２０を形成した後、金属窒化物薄膜１３０を水平成長させることにより、窒化物薄膜の格子欠陥を減少させ、よって電子素子の効率を向上させることができるようにする。 （もっと読む）

【課題】単結晶製造装置において、良質な単結晶を成長させると共に、繰り返し使用可能な枠および基板ホルダーを提供する。
【解決手段】気相法によって基板７上に単結晶１０を成長させる単結晶製造装置において、貴金属枠５を配置し、貴金属枠５の枠内で単結晶１０を成長させ、かつ、貴金属枠５の線膨張係数が、単結晶１０の線膨張係数と比較して、±１．０×１０^−６（１／Ｋ）の範囲にあるものとする。また、基板７の単結晶成長面には、成長方向制御薄膜６を形成しておく。 （もっと読む）

【課題】垂直方向への貫通転位が抑制されて、結晶品質が優れたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＩＩＩ族窒化物層２上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）なる組成のＥＬＯ成長層４が形成されてなり、ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Overgrowth）成長層４は、ＩＩＩ族窒化物層２上に形成された炭素からなるマスクパターン３を用いて形成されたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板１０。 （もっと読む）

基板を用意する工程、該基板に、オルガノシロキサン化合物を含むフォトパターン化可能な堆積阻害材料を適用する工程、そして該堆積阻害材料をパターン化する工程を含むパターン化薄膜を形成する原子層堆積法。該薄膜は該堆積阻害材料を有さない該選択された基板領域内だけに実質的に堆積される。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体の選択成長方法において、選択成長層のキャリア濃度を精度よく制御すること。
【解決手段】まず、ｎ−ＧａＮ基板１０上にｎ^- −ＧａＮ層１１、ｐ−ＧａＮ層１２を積層し、ｐ−ＧａＮ層１２表面をＮｉを堆積した基板とともに塩素系プラズマに曝し、プラズマ損傷層１３を形成する（図１ａ）。次に、エッチングマスク１４を形成し、ｐ−ＧａＮ層１２の一部をドライエッチングし（図１ｂ）、ＳＣ１、ＳＣ２洗浄を行った後エッチングマスク１４を除去する（図１ｃ）。次に、プラズマ損傷層１３を選択成長マスクとしてｎ^- −ＧａＮ層１７を選択成長させる（図１ｄ）。プラズマ損傷層１３を選択成長マスクとして用いるため、ｎ^- −ＧａＮ層１７の成長中にＳｉがドープされることがなく、ｎ^- −ＧａＮ層１７のキャリア濃度の制御を正確に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】異種材料が埋め込まれた３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体結晶を、厚さを大きくすることなしに結晶性よく基板上に成長させる、化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】成長基板１１上に、成長基板１１及び３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体のいずれとも異なる異種材料が埋め込まれた窒化物半導体を含む窒化物半導体層１３を設けて化合物半導体基板を製造する場合、異種材料としてタンタル、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、プラチナ、バナジウム、パラジウム、またはそれらのいずれかを含む合金からなる金属材料を選択し、該金属材料による埋め込み部１２Ａを成長基板１１上に形成し、埋め込み部１２Ａによって横方向成長を促進させつつ３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体をエピタキシャル結晶成長させ、これにより、成長基板１１の上に３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体エピタキシャル結晶を積層する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を選択的に成長させることにより、ＩＩＩ族窒化物半導体微細柱状結晶の位置および形状を制御する。
【解決手段】微細柱状結晶の製造方法が、基板表面の所定領域に、金属窒化物または金属酸化物からなる表面を有する膜を形成する工程と、前記膜および前記基板表面の境界近傍であって、前記膜の周縁部と前記基板表面とが接する部分を含む領域を成長促進領域として、前記基板表面に成長原料を導き、少なくとも前記成長促進領域上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）