【課題】動作特性に優れた窒化物半導体発光素子を容易に得られる窒化物半導体基板を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体基板１０１は、基板１１０の主面上に形成された複数の成長阻害領域となるマスク膜１２０と、基板の主面におけるマスク膜から露出する領域の上に形成された複数の第１の窒化物半導体層１１１と、各第１の窒化物半導体層１１１の側面上にのみ成長により形成された複数の第２の窒化物半導体層１１２と、複数の第１の窒化物半導体層１１１及び複数の第２の窒化物半導体層１１２を覆うように成長により形成された第３の窒化物半導体層１１３とを有している。複数の第２の窒化物半導体層は、成長阻害領域の上において互いに隣り合う半導体層同士が接合しておらず、第３の窒化物半導体層は、第２の窒化物半導体層同士が互いに隣り合う領域において接合している。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜を得ることが可能な単結晶炭化シリコン膜の製造方法及び単結晶炭化シリコン膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１上に単結晶炭化シリコン膜１４を形成する単結晶炭化シリコン膜１４の製造方法であって、シリコン基板１１の表面に炭化シリコン膜１２を形成する第１の工程と、炭化シリコン膜１２の表面にマスク材１３を形成する第２の工程と、マスク材１３に開口部１３ｈを形成し、炭化シリコン膜１２の一部を露出させる第３の工程と、原料ガスを含むガス雰囲気中でシリコン基板１１を加熱し、炭化シリコン膜１２を基点として単結晶炭化シリコンをエピタキシャル成長させ、炭化シリコン膜１２及びマスク材１３を覆う単結晶炭化シリコン膜１４を形成する第４の工程と、を含み、原料ガスを含むガス雰囲気の圧力は、５．０×１０^−４Ｐａ以上かつ０．５Ｐａ以下である。 （もっと読む）

【課題】フォトニック結晶構造を含む半導体発光装置を提供する。
【解決手段】ｎ型領域とｐ型領域の間に配置された発光領域を含むＩＩＩ族窒化物構造のような半導体構造内にフォトニック結晶を成長させる。フォトニック結晶は、半導体材料の複数の領域とすることができ、これらの領域は、この半導体材料とは屈折率が異なる材料によって分離されている。例えば、フォトニック結晶は、構造内に成長して空隙又はマスク材料の領域によって分離された半導体材料のポストとすることができる。フォトニック結晶を既に成長した半導体層内にエッチングするのではなくフォトニック結晶を成長させることは、効率を低下させることがあるエッチングが原因の損傷を回避し、電気接点がその上に形成される、割り込まれていない平坦な表面を提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質な単結晶炭化シリコン膜を形成することが可能な半導体基板及び半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン１１と、単結晶シリコン１１の表面に形成された、開口部１２ｈを有するマスク材１２と、単結晶シリコン１１の開口部１２ｈから露出した部分に形成された炭化シリコン膜１３と、炭化シリコン膜１３及びマスク材１２を覆って形成された単結晶炭化シリコン膜１４と、を含み、マスク材１２の粘度が９５０℃以上１４００℃以下の温度範囲において１０^５Ｐａ・ｓ以上１０^１４．５Ｐａ・ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に減少させることができる、新規な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造方法は、成長基板を提供する工程Ｓ１１と、前記成長基板に半導体基板を形成する工程Ｓ１２と、前記成長基板と前記半導体基板との間に複数の溝を有する第一構造を形成する工程Ｓ１３と、後続の素子の製造を進め、半導体素子を半導体基板に形成する工程Ｓ１４と、前記成長基板の温度と前記半導体基板を変更する工程Ｓ１５とを含んでいる。工程Ｓ１５において、成長基板と半導体基板とは膨張係数が異なるので、応力が集中し、互いに剥離する。このように、レーザ剥離技術によって成長基板を除去する工程を必要としないため、コストを効果的に減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】素子形成領域となる素子形成層の高品質化を実現し、また基板の反りを低減させると共に確実な素子分離を図り、信頼性の高い装置構成を得ることができる化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】下地層３上に、素子分離領域に相当する部位に開口４ａを有する第１のマスク４を形成し、開口４ａを埋め込み、第１のマスク４上を覆うようにＥＬＯ−ＧａＮ層５を成長し、ＥＬＯ−ＧａＮ層５上に、素子形成領域に相当する部位に開口６ａを有する第２のマスク６を形成し、開口６ａを埋め込むように素子形成層７を形成する。 （もっと読む）

【課題】 窒化物上へゲルマニウム・スペーサを選択的に堆積するための構造及び方法を提供すること。
【解決手段】 半導体製造プロセス中でゲルマニウム構造体を選択的に形成する方法は、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスにおいて自然酸化物を除去し、次いで、加熱された窒化物及び酸化物表面を加熱されたゲルマニウム含有ガスに曝して、ゲルマニウムを選択的に窒化物表面上にだけ形成し、酸化物表面上には形成しない。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造の多層プロセスにおいて、劣悪な平坦性は、ホトリソグラフィー工程で問題を惹起し得る。特に初期の堆積ステップにおける劣悪な平坦性は、半導体デバイス製造のより高い層を通じて増幅される傾向がある。この点を改良した半導体デバイス製造工程初期のブランケット層の堆積方法を提供する。
【解決手段】ガス状の前駆体混合物を形成するためにシリコンソース、ゲルマニウムソース及びエッチャントを混合することを含み、ＳｉＧｅ膜３０をブランケット堆積する方法。本方法はさらに、化学気相成長条件下において、ガス状の前駆体物質を基板１０上に流し、パターンの有無に関わらず、基板１０上にエピタキシャルＳｉＧｅを堆積させる方法に依り、平坦性の優れたブランケット層３０を堆積する。 （もっと読む）

【課題】比較的小さい膜厚で結晶性の良いIII族窒化物半導体の結晶を成長させることができるIII族窒化物半導体の成長方法を提供する。
【解決手段】本発明のIII族窒化物半導体の成長方法は、基板(10)上に、III族窒化物半導体の結晶核(40)を島状に形成する第１の工程と、窒素源ガスを供給しながら珪素源ガスとIII族源ガスを交互に供給することにより、前記結晶核(40)を島状に成長させる第２の工程と、該第２の工程後、窒素源ガスとIII族源ガスを供給し、前記島状の結晶核(40)からIII族窒化物半導体を各々成長させ、層状のIII族窒化物半導体(45)を形成する第３の工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】異種基板上にＧａＮ系半導体を成長させることにより発生する貫通転位を低減し、低転位密度（例えば、１０^５／ｃｍ^２以下）のＧａＮ系半導体をエピタキシャル成長させることができるＧａＮ系半導体エピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】異種材料からなる成長用基板（例えばＮＧＯ基板）上にＧａＮ系半導体をエピタキシャル成長させる際に、成長用基板上に、第１ＧａＮ系半導体層をエピタキシャル成長させ（第１工程）、第１ＧａＮ系半導体層における転位発生部分にエッチピットを形成し（第２工程）、エッチピットにＳｉ_３Ｎ_４膜を選択的に形成し（第３工程）、Ｓｉ_３Ｎ_４膜上に第２ＧａＮ系半導体層をエピタキシャル成長させる（第４工程）。 （もっと読む）

【課題】Si基板内に形成される低抵抗層の抵抗率が、このGaN系エピタキシャル成長基板を利用して形成されるFETの動作特性に影響を与えることがない程度の大きさに形成されている。
【解決手段】Si基板10の主面とバッファ層60-1との間にストライプ状絶縁膜26が形成されている。このストライプ状絶縁膜が形成されていることによって、Si基板内に形成される低抵抗層11の抵抗率がこのGaN系エピタキシャル成長基板を利用して形成されるFETの動作特性に影響を与えることがない程度の大きさにすることが可能となるという効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】保持基板上に成長したＩＩＩ族窒化物結晶を、結晶品質を劣化させることなく剥離することができる
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）保持基板２０上の表側主面に、第１のＩＩＩ族窒化物結晶層２２を形成する工程と、（ｂ）前記保持基板２０裏側主面からレーザ光を照射して、前記第1のＩＩＩ窒化物結晶層２２の裏面側をレーザ加工する工程と、（ｃ）前記第1のＩＩＩ族窒化物結晶層２２の表側主面に第２のＩＩＩ族窒化物結晶層２４を成長する工程と、（ｄ）前記保持基板２０と前記第1のＩＩＩ族窒化物層２２の界面から分離する工程とを備え、（ｅ）前記工程（ｂ）において、前記第1のＩＩＩ族窒化物結晶層２２の表側主面にレーザ加工時に発生する分解ガスを放出するガス放出構造体を設ける。これにより、レーザ加工部の基板全体に対する面積を大きくすることができるので、剥離の際の応力による結晶のクラックを低減できる。 （もっと読む）

【課題】特性を向上させることができる窒化物半導体素子、その窒化物半導体素子の製造方法および窒化物半導体発光素子、ならびに結晶性を向上させることができるとともに表面の平坦性に優れた窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化珪素層上に窒化珪素層の表面に対して傾いた表面を有する第１の窒化物半導体層を積層した後に、第１の窒化物半導体層上に第２の窒化物半導体層を積層する窒化物半導体層の製造方法、その窒化物半導体層を含む窒化物半導体素子および窒化物半導体発光素子ならびにその窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

発光ダイオードの製造方法であって、シリコン表面（１ａ）を有するキャリア基板（１）を形成するステップと、シリコン表面（１ａ）上に、成長方向（Ｒ）に一連の層（１００）を堆積させるステップと、一連の層（１００）上に発光ダイオード構造（１６）を堆積させるステップと、を含んでおり、一連の層（１００）が、窒化ガリウムを使用して形成されるＧａＮ層（５）を含んでおり、一連の層が、窒化珪素を使用して形成されるマスキング層（１２）を含んでおり、成長方向（Ｒ）においてＧａＮ層（５）の少なくとも一部分の後ろにマスキング層（１２）が続いている、方法、を提供する。 （もっと読む）

【課題】 非極性面上に低抵抗な半導体結晶が形成された半導体を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体は、基板１０１と、前記基板１０１の主面上に積層されたｐ型層１０８および１０９とを含み、前記基板主面は、非極性面であり、前記ｐ型層１０８および１０９は、ＩＩＩ族窒化物半導体およびＩＩ族酸化物半導体の少なくとも一方から形成され、且つ、前記ｐ型層１０８および１０９の上面が、前記基板主面と面方位が異なるファセット面を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、クラックの発生を防止し、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層を形成し、電流リークパスやダメージの無い半導体素子及びその製造方法を提案することを目的とする。
【解決手段】本発明は、凹部からなる掘り込み領域を備えた加工基板において、丘の両端部双方にＳｉＯ₂壁を形成し、丘表面の上面成長部からマイグレーションにより窒化物半導体薄膜の原料となる原子・分子が掘り込み領域内に移動して窒化物半導体薄膜を形成することを抑制することで、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層が形成でき、歩留まり良く半導体素子を製造できる。 （もっと読む）

【課題】実用的な発光効率を有する緑色発光デバイスを実現可能な立方晶型窒化物半導体ウェハ及びその製造方法、並びに立方晶型窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】立方晶の種結晶基板１の表面に、窒化物半導体２が成長しにくい材料で覆い且つ周期的に又はランダムに種結晶基板１の表面が露出した開口部４を有するマスク３を形成し、マスク３の開口部４から窒化物半導体２を成長し、種結晶基板１と局所的に接触した連続膜とした窒化物半導体２を形成する。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥及び貫通転位の密度が十分に低いダイヤモンド薄膜構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１の主方位面の一部を覆うマスク材１０２と、基板１０１の主方位面の表面からエピタキシャル成長するダイヤモンド薄膜１０３とで構成されるダイヤモンド薄膜構造であって、ダイヤモンド薄膜１０３は、マスク材１０２の上に形成され、ダイヤモンド薄膜１０３の結晶方位は基板１０１の結晶方位とそろっている。ダイヤモンド基板１０１に存在する貫通転位１０４ａは、マスク材１０２で覆われていない部分のダイヤモンド基板１０１の主方位面を介してダイヤモンド薄膜１０３まで貫通するが、貫通転位１０４ｂは、マスク材１０２によってダイヤモンド薄膜１０３への伝播が遮られるため、ダイヤモンド薄膜１０３の貫通転位密度は低下し、結晶性が向上する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子のクラックの発生を防ぎ、かつ基板の掘り込み領域以外の領域上における窒化物半導体層の組成変動を抑制して、高い歩留まりで窒化物半導体発光素子を得る。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、掘り込み領域（１６）が形成された主面を有する窒化物半導体基板（１０ａ）と、掘り込み領域上に形成された結晶成長抑制膜（１０ｂ）と、結晶成長抑制膜（１０ｂ）および基板（１０ａ）の主面を覆うように堆積された複数の窒化物半導体層（１１）を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体と絶縁性材料との界面に形成される界面準位が低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する３−５族化合物半導体と、３−５族化合物半導体の（１１１）面、（１１１）面と等価な面、または、（１１１）面もしくは（１１１）面と等価な面から傾いたオフ角を有する面に接する絶縁性材料と、絶縁性材料に接し、金属伝導性材料を含むＭＩＳ型電極とを備える半導体装置を提供する。 （もっと読む）