【課題】高い光利得を得ながら閾値電流値を低減することができる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に形成された複数の量子ドット層１２と、複数の量子ドット層１２間に位置する中間層と、が設けられている。量子ドット層１２に含まれる量子ドット１２ａの組成が、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓ_yＳｂ_1-y（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）で表わされる。中間層には、組成がＩｎ_aＧａ_1-aＡｓ_bＰ_1-b（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１）で表わされ、厚さが１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下のＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５と、ＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５の底面から１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満の高さに位置し、厚さが０．３ｎｍ以上２ｎｍ以下のＩｎＰ層１４と、が含まれている。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を含む半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族物質を含む半導体素子及びその製造方法に係り、該半導体素子は、溝を含むシリコン基板３０と、溝周囲の基板上に形成されたハードマスク３２と、溝を充填する、ハードマスク上に形成された第１物質層３４と、第１物質層上に形成された上部物質層３６、及び上部物質層上に形成された素子層と、を含み、該第１物質層は、ＩＩＩ−Ｖ族物質層であり、該上部物質層は、第１物質層の一部でもあり、該上部物質層は、第１物質層と同一物質または異なる物質であってもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ（ストライプ状の活性層）が高密度に配置された半導体レーザを提供すること。
【解決手段】互いに離間してストライプ状に設けられた、複数の活性層１０と、活性層１０のそれぞれに対応して、活性層１０の上側に設けられた複数の電極１２と、半導体からなり、活性層１０の間の領域にそれぞれに設けられ、電極１２よりも高い位置にその上面が位置する支持部４０と、複数の電極１２のうち１つと電気的に接続されるとともに、複数の支持部４０によって支えられて、当該複数の支持部４０の間に位置する電極１２と離間した構造を備える配線１６と、を備えることを特徴とする半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥が発生することを防止した発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１０は、基板１００と、第一半導体層１２０と、第二半導体層１４０と、活性層１３０と、第一電極１５０と、第二電極１６０と、を含む。第一半導体層、活性層、及び第二半導体層は、基板から離れる方向に沿って、基板に順次的に積層され、第一電極は、第一半導体層に電気的に接続され、第二電極は、第二半導体層に電気的に接続され、第一半導体層の基板と隣接する表面は、複数の空隙を含むパターン化されたカーボンナノチューブ層１０２である。第一半導体層のパターン化された表面が基板に接続することによって複数のキャビティが形成される。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質な単結晶炭化シリコン膜を形成することが可能な半導体基板及び半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン１１と、単結晶シリコン１１の表面に形成された、開口部１２ｈを有するマスク材１２と、単結晶シリコン１１の開口部１２ｈから露出した部分に形成された炭化シリコン膜１３と、炭化シリコン膜１３及びマスク材１２を覆って形成された単結晶炭化シリコン膜１４と、を含み、マスク材１２の粘度が９５０℃以上１４００℃以下の温度範囲において１０^５Ｐａ・ｓ以上１０^１４．５Ｐａ・ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体積層体の結晶欠陥密度が低減可能な窒化物半導体の積層構造およびその製造方法並びに窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体の積層構造は、基板１０、第１バッファ層１２、第１結晶層１４、第２バッファ層１６、第２結晶層２０とを備える。基板１０には、段差部１０ｄが形成されている。第１バッファ層１２は、ＩｎＡｌＧａＮを含み、段差下面１０ｂと段差側面１０ｃとを覆う。第１結晶層１４は、前記第１バッファ層１２の上に設けられ、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記基板１０の上面１０ａよりも上方に設けられた上面１４ａを有する。第２バッファ層１６は、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記第１結晶層１４の前記上面１４ａと前記基板１０の前記上面１０ａとを連続して覆う。第２結晶層２０は、前記第２バッファ層１６を覆い、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記第１の面２０ａを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の結晶面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板の結晶面にエピタキシャル層を成長させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】空隙の発生を抑制しつつ、迅速に開口を埋め込むことができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】Siからなる金属膜２０２上に絶縁膜２０４が形成されたウエハ１２であって、絶縁膜２０４の一部に開口部２０６が形成されこの開口部２０６に金属膜２０２が露出したウエハ１２を処理室１０６内へ搬送し処理室１０６内へ少なくともDCSとCl₂とを供給してウエハ１２の金属膜２０２上に選択的に第１のSi膜２５２を形成し、処理室１０６内へ少なくともDCSを供給してウエハ１２の絶縁膜２０４及び第１のSi膜２５２上に第２のSi膜２５４を形成する。 （もっと読む）

【課題】Si基板内に形成される低抵抗層の抵抗率が、このGaN系エピタキシャル成長基板を利用して形成されるFETの動作特性に影響を与えることがない程度の大きさに形成されている。
【解決手段】Si基板10の主面とバッファ層60-1との間にストライプ状絶縁膜26が形成されている。このストライプ状絶縁膜が形成されていることによって、Si基板内に形成される低抵抗層11の抵抗率がこのGaN系エピタキシャル成長基板を利用して形成されるFETの動作特性に影響を与えることがない程度の大きさにすることが可能となるという効果が得られる。 （もっと読む）

本発明は、電子デバイス用の、好ましくは、光電子デバイス用の、電流遮断構造を提供する。電流遮断構造が、ｎ−型ルテニウムドープリン化インジウム（Ｒｕ−ＩｎＰ）層を備えた半導体材料配列と、第１ｐ−型半導体材料層と、を備え、ｎ−型Ｒｕ−ＩｎＰ層が、０．６μｍ未満の厚さである。半導体材料配列と、ｐ−型半導体材料層と、が、電流遮断ｐ−ｎ接合を形成する。電流遮断構造が、他のｎ−型層および／または多数のｎ−型Ｒｕ−ＩｎＰ層および／または真性／ドープされていない層をさらに備えてよく、ｎ−型Ｒｕ−ＩｎＰ層が、０．６μｍよりも厚くてよい。
（もっと読む）

本発明の実施例として、半導体装置上のエピタキシャル領域を示した。ある実施例では、エピタキシャル領域は、成膜−エッチングプロセスを経て基板に成膜される。周期的な成膜−エッチングプロセスの間に、スペーサの下側に形成されるキャビティは、エピタキシャルキャップ層によって埋め戻される。エピタキシャル領域およびエピタキシャルキャップ層は、チャネル領域での電子移動度を改善し、短チャネル効果が抑制され、寄生抵抗が低下する。
（もっと読む）

発光ダイオードの製造方法であって、シリコン表面（１ａ）を有するキャリア基板（１）を形成するステップと、シリコン表面（１ａ）上に、成長方向（Ｒ）に一連の層（１００）を堆積させるステップと、一連の層（１００）上に発光ダイオード構造（１６）を堆積させるステップと、を含んでおり、一連の層（１００）が、窒化ガリウムを使用して形成されるＧａＮ層（５）を含んでおり、一連の層が、窒化珪素を使用して形成されるマスキング層（１２）を含んでおり、成長方向（Ｒ）においてＧａＮ層（５）の少なくとも一部分の後ろにマスキング層（１２）が続いている、方法、を提供する。 （もっと読む）

【課題】微細孔内にヘテロ構造を形成することができるヘテロ構造の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上にナノサイズの金属微粒子を形成し、次いで、該金属微粒子上に第一の物質をＶＬＳ成長法により選択的に成長させることによりナノワイヤである柱状構造を形成し、引き続き、前記柱状構造の高さよりも下まで前記基板１上に第二の物質４を充填した後、前記第一の物質と前記第二の物質４の反応性の違いを利用した選択エッチングにより前記第一の物質である柱状構造を除去して、微細孔４ａを形成し、微細孔４ａ内に、前記第一の物質を成長させた温度より高い温度で、ヘテロ構造の結晶（７、８、９）を成長させる。 （もっと読む）

【課題】所望の電気的特性を得やすい半導体基板、半導体装置及び半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、第１エピタキシャル層を形成する第１エピタキシャル層形成工程Ｓ１と、第１エピタキシャル層にトレンチを形成するトレンチ形成工程Ｓ２と、第１エピタキシャル層及びトレンチ内にエピタキシャル層を、異なる成長速度を含む複数の成長条件を用いて、トレンチ内を埋めるように形成し、複数の成長条件のそれぞれにおいてエピタキシャル層に取り込まれるドーパント濃度を一定にするエピタキシャル層形成工程Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５と備える。 （もっと読む）

【課題】成長用基板の剥離をウェットエッチング処理によって容易に行うことができ、更に、光取り出し効率向上と半導体膜の機械的強度の確保を両立させた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
複数の第１の空洞を含む第１空洞含有層を成長用基板上に形成する工程と、複数の第２の空洞を含み、互いに隣接する第２の空洞間の隔壁部の各々が第１の空洞の各々の上部に設けられた第２空洞含有層を第１空洞含有層上に形成する工程と、第２空洞含有層上に半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、半導体層上に支持基板を接着する工程と、第１および第２の空洞の各々にエッチャントを流入させて、第１の空洞の各々と第２の空洞の各々とを結合させて成長用基板を半導体層から除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】成長用基板上に選択成長用のマスクを配した後、横方向成長法を用いて半導体層を形成する工程を含む半導体発光装置の製造方法において、従来よりも成長過程の早い段階で平坦な膜を得ることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
成長用基板上を部分的に覆う選択成長用のマスクを成長用基板上に形成する。次に、成長用基板上のマスクで覆われていない非マスク部から半導体膜を横方向成長させてマスクを覆う貫通転位遮断層を形成する。次に、貫通転位遮断層の上に発光層を含むデバイス機能層をエピタキシャル成長させる。貫通転位遮断層を形成する工程は、常圧且つデバイス機能層の成長温度よりも低い温度雰囲気の下、互いに異なる成長速度で半導体膜の成長を行う第１ステップおよび第２ステップを交互に複数回実施する。 （もっと読む）

【課題】光の外部取り出し効率を向上させ、かつ素子の駆動電圧を低減させることのできる窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】支持基板上に形成された反射層と、反射層上方に順次積層されたｐ型窒化物系半導体層、発光層およびｎ型窒化物系半導体層とを含む窒化物系半導体発光素子であって、ｎ型窒化物系半導体層上方に位置する光取り出し面に凹凸が形成されており、凹凸は、成長用基板上にｎ型窒化物系半導体層、発光層およびｐ型窒化物系半導体層を成長した後に成長用基板を除去したｎ型窒化物系半導体層面上にｎ型窒化物系半導体層と同じ結晶からなる凹凸を設けることにより形成された窒化物系半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】 Ruドーピング半絶縁半導体層を用いた埋め込み型光半導体素子の実用化のため、水素の大量に存在する成長環境下においても、より絶縁性の高いRuドーピング半絶縁半導体層を再現よく、容易に形成する。
【解決手段】 Ruドーピング半絶縁半導体層の成長時に、化合物半導体の原料ガス、キャリアガスとは別に、ハロゲン原子を含有するガスを水素と同時に添加することで、Ruと水素との結合を抑制することで実現する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、回折格子の形状が製造工程中に変化せず所望の形状とすることができる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に光ガイド層を形成する工程と、該光ガイド層上にキャップ層を形成する工程と、該光ガイド層の一部が該回折格子を形成するように該光ガイド層と該キャップ層の一部に開口部を形成する工程とを備える。そして更に該基板を該キャップ層の成長温度未満かつ該キャップ層のマストランスポートが起こる温度以上に昇温し、該開口部において露出している該光ガイド層の側面を該キャップ層の一部で覆うマストランスポート工程と、該マストランスポート工程後に該基板上に該回折格子の埋め込み層を形成する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】埋め込み再成長型の端面窓構造を形成する工程における不純物の拡散を抑制して、半導体レーザの出力特性の向上、及び出射端面の劣化を回避する。
【解決手段】基板１１の上に第１クラッド層１２、第１光ガイド層１３、活性層１４、第２光ガイド層１５、及び第２クラッド層１６を含む積層構造を結晶成長させる工程と、積層構造の一部をエッチングにより除去して開口部を形成する工程と、開口部に活性層より禁制帯幅が大きな材料からなる結晶を埋め込み成長させて埋め込み成長部１９ｂを形成する工程と、光導波路を形成する工程と、埋め込み成長部をへき開面が通るようにへき開することにより、出射端面を形成する工程とを含む。埋め込み成長部を形成する工程において、結晶の成長を、開口部の側壁面から進行し、且つ開口部を除く領域の表面から進行し難い条件により行う。 （もっと読む）