半導体製造方法
【課題】製造コストを大幅に減少させることができる、新規な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造方法は、成長基板を提供する工程Ｓ１１と、前記成長基板に半導体基板を形成する工程Ｓ１２と、前記成長基板と前記半導体基板との間に複数の溝を有する第一構造を形成する工程Ｓ１３と、後続の素子の製造を進め、半導体素子を半導体基板に形成する工程Ｓ１４と、前記成長基板の温度と前記半導体基板を変更する工程Ｓ１５とを含んでいる。工程Ｓ１５において、成長基板と半導体基板とは膨張係数が異なるので、応力が集中し、互いに剥離する。このように、レーザ剥離技術によって成長基板を除去する工程を必要としないため、コストを効果的に減少させることができる。
【解決手段】半導体製造方法は、成長基板を提供する工程Ｓ１１と、前記成長基板に半導体基板を形成する工程Ｓ１２と、前記成長基板と前記半導体基板との間に複数の溝を有する第一構造を形成する工程Ｓ１３と、後続の素子の製造を進め、半導体素子を半導体基板に形成する工程Ｓ１４と、前記成長基板の温度と前記半導体基板を変更する工程Ｓ１５とを含んでいる。工程Ｓ１５において、成長基板と半導体基板とは膨張係数が異なるので、応力が集中し、互いに剥離する。このように、レーザ剥離技術によって成長基板を除去する工程を必要としないため、コストを効果的に減少させることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造工程に関し、特に、剥離（ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）法による半導体製造工程に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の発光ダイオード（ＬＥＤ）の製造工程において、成長基板に高品質の窒化物半導体（例えば、ガリウム系（ＧａＮ）エピタキシャル薄膜を形成する）を形成させるために、一般的には、窒化ガリウム（ＧａＮ）の結晶構造と似ているサファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板を成長基板として選択されている。しかし、サファイア基板は、悪い（低い）電気伝導度と低い熱伝導率を有し、故に、ＧａＮ系ＬＥＤは、散熱性及びＬＥＤの信頼性が悪く、高電流、高出力かつ長時間の動作でＬＥＤチップの発光面積と発光効率が悪影響を受けるという欠点を有している。従って、ＬＥＤの生産性及び発光効率の向上を妨げている。
【０００３】
上記欠点を改善するために、従来の方法は、サファイア基板を除去することである。又、従来技術では、窒化物半導体素子は、ＬＥＤ素子の特性を高めるように、ウェハ接合技術により、サファイア成長基板から接合基板へ移行される。すなわち、ＧａＮエピタキシャル層は、サファイア基板から剥離され、高い電気伝導性と高い熱伝導率を有する基板に移行される。上記工程では、レーザ剥離法は、通常、サファイア成長基板を除去するために適用される。しかし、レーザー剥離法は、ＬＥＤ素子の特性を低下させ、その歩留りに悪影響を与える。また、レーザー剥離法は高コストである。したがって、もし窒化物半導体素子は、レーザ剥離法を利用せずに、ウェハ接合工程において、成長基板から剥離できれば、その製造コストが大幅に減少するだろう。
【０００４】
したがって、本発明はこのような従来の課題を解決するため、実験と研究を重ねた結果を通じて、得られたものである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の主な目的は、新規な半導体製造方法を提供することにより、製造コストを大幅に減少させることができる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
従来技術に鑑みて、本発明では、新しい工程技術を提供し、成長基板と窒化物半導体基板との間の接触面積を減らす。ウェハ接合工程においての加熱による温度変化工程では、成長基板と窒化物半導体基板とは異なる膨張係数を有しているので、応力が集中して、成長基板と窒化物半導体基板を互いに剥離する。従って、本発明は、レーザ剥離技術によって成長基板を除去する工程を必要としないため、コストを効果的に減少させる。
【０００７】
上述の目的を達成するために、本発明の半導体製造方法を提供する。本発明の半導体製造方法は、成長基板を提供する工程と、前記成長基板に半導体基板を形成する工程と、前記成長基板と前記半導体基板との間に複数の溝を有する第一構造を形成する工程と、前記成長基板と前記半導体基板の温度を変更する工程と、を含んでいることを特徴とする。
【０００８】
上記工程の本発明に係る半導体製造方法において、前記変更工程は、前記成長基板及び前記半導体基板を加熱し、圧力を加えることにより前記半導体基板を接合基板に接合する工程を更に含み、前記変更工程の前には、前記半導体基板に半導体素子を形成する工程を更に含み、前記接合基板は、銅（Ｃｕ）材料、アルミニウム（Ａｌ）材料、シリコン（Ｓｉ）材料、ダイヤモンド材料、銅合金材料及びアルミニウム合金材料からなる群から選ばれた一つであり、前記半導体基板は、窒化物半導体基板であり、前記成長基板は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）材料、サファイア材料、炭化ケイ素（ＳｉＣ）材料とシリコン（Ｓｉ）材料からなる群から選ばれた一つである。
【０００９】
上記工程の本発明に係る半導体製造方法において、前記第一構造は、前記成長基板と前記半導体基板との間の接触面積を減らすように、化学ウェットエッチング及びドライエッチングのいずれかで前記半導体基板をパターン形成することにより製造され、前記化学ウェットエッチングは、水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液によって実行され、前記半導体基板を形成する工程の前には、前記成長基板に誘電体層を形成する工程と、露光、現像及びエッチング法によって誘電体層に複数の溝を有する第二構造を形成する工程と、を更に含み、前記第一構造を形成する工程の前には、前記第二構造に前記半導体基板を形成する工程と、ウェットエッチングによって前記誘電体層を除去し、前記第一構造を形成する工程と、を更に含み、前記ウェットエッチングは、水素フッ化物（ＨＦ）溶液によって実行され、前記誘電体層は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の材料を有し、前記第二構造は、前記成長基板を見せるとともに連続的な溝構造である。
【００１０】
上述の目的を達成するために、新規の他の半導体製造方法を提供する。本発明の半導体製造方法は、上面を有する第一基板を提供する工程と、下面を有する第二基板を提供する工程と、前記上面と前記下面との間の接触面積を減らす工程と、を含んでいることを特徴とする。
【００１１】
上記工程の本発明に係る半導体製造方法において、前記第一基板及び前記第二基板を加熱する工程を更に含んでいる。
【００１２】
上述の目的を達成するために、新規の更に他の半導体製造方法を提供する。本発明の半導体製造方法は、上面を有する第一基板を提供する工程と、前記上面に接触する下面を有する第二基板を提供する工程と、前記第一及び前記第二基板を分離するように、前記第一及び前記第二基板を加熱する工程と、を含んでいることを特徴とする。
【００１３】
上記工程の本発明に係る半導体製造方法において、前記加熱工程の前には、前記上面と前記下面との間の接触面積を減らす工程を更に含んでいる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、レーザ剥離技術によって成長基板を除去する工程を必要としないため、コストを効果的に減少させる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第一実施形態に係る半導体製造方法を例示するフローチャートである。
【図２】図１に示した工程Ｓ１２を説明する構造を示す図である。
【図３】図１に示した工程Ｓ１３を説明する構造を示す図である。
【図４】図１に示した工程Ｓ１４を説明する構造を示す図である。
【図５】図１に示した工程Ｓ１５を説明する構造を示す図である。
【図６】本発明の第二実施形態による係るフローチャートである。
【図７】図６に示した工程Ｓ２２を説明する構造を示す図である。
【図８】図６に示した工程Ｓ２２を説明する構造を示す上面図（ａ）および断面図（ｂ）である。
【図９】図６に示した工程Ｓ２３を説明する構造を示す図である。
【図１０】図６に示した工程Ｓ２４を説明する構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下のように、本発明を実施例に基づいて詳述するが、あくまでも例示であって、本発明の範囲はこれらの実施形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲に記載されており、さらに特許請求の範囲の記載と均等な意味及び範囲内での全ての変更を含んでいる。
【００１７】
（第一の実施形態）
第一の実施形態を図１から図５を用いて説明する。
【００１８】
図１は、本発明の第一実施形態に係る半導体製造方法を例示するフローチャートである。図２から図５は、本発明の第一実施形態による構造を示す図である。本発明の第一実施形態は、図１に示した工程Ｓ１１〜Ｓ１５を含み、以下のように説明する。
【００１９】
工程Ｓ１１は、成長基板１のような第一基板を提供する工程である。成長基板１は、好ましくは、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）材料、サファイア（Ｓａｐｐｈｉｒｅ）材料、炭化ケイ素（ＳｉＣ）材料とシリコン（Ｓｉ）材料からなる群から選ばれた一つを有している。
【００２０】
工程Ｓ１２は、図２に示すように、半導体基板２のような第二基板を、前記成長基板に形成する工程である。半導体基板２は、好ましくは、窒化ガリウム（ＧａＮ）などの窒化物半導体基板である。成長基板１と半導体基板２は、従来の半導体加工法により形成することができる。
【００２１】
工程Ｓ１３は、図３に示すように、前記成長基板と前記半導体基板との間の接触面積を減らすように、化学ウェットエッチング又はドライエッチングで半導体基板２をパターン形成し、成長基板１と半導体基板２との間に複数の溝を有する第一構造２２を形成する工程である。第一構造２２は、好ましくは、化学ウェットエッチング（例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液によって実行される）又はドライエッチングにより、半導体基板２にパターンを形成することを通じて形成されることができるということが当業者にとって理解できる。
【００２２】
工程Ｓ１４は、後続の素子の製造を進め、図４に示すように、半導体素子３を半導体基板２に形成する工程である。
【００２３】
工程Ｓ１５は、図４に示すように、ウェハ接合を進めながら、成長基板１と半導体基板２の温度を変更する工程である。成長基板１と半導体基板２とを加熱するとともに矢印で示すように、圧力を与えることにより、半導体素子３が形成された半導体基板２を接合基板４に接合する。接合基板４は、好ましくは、銅（Ｃｕ）材料、アルミニウム（Ａｌ）材料、シリコン（Ｓｉ）材料、ダイヤモンド材料、銅合金材料及びアルミニウム合金材料からなる群から選ばれた一つを有している。
【００２４】
成長基板１と半導体基板２の温度は、図４に示すウェハ接合工程の間に変更される。成長基板１と窒化物半導体基板とは、膨張係数が異なるので、応力が集中して、図５に示すように成長基板１と半導体基板２とが互いに剥離する。
【００２５】
第一構造２２が、成長基板１と半導体基板２の間の接触面積を減少させるために使用されていることは、当業者にとって理解されただろう。従って、第一構造２２は、ウェハ接合工程の前かつ半導体基板２成形工程の後でさえあれば任意の工程において形成することができる。更に、第一構造２２は、図２〜図５における規則的な配置に限定されていないとともに、成長基板１と半導体基板２との間の接触面積を減らすための全ての構造は、本発明による効果を達成することができる。
【００２６】
（第二の実施形態）
上記第一構造２２を形成する方法は、第一の実施形態により提供されるフローチャートに限定されていない。第二の実施形態を図６から図１０を用いて詳細に説明する。図６は、本発明の第二実施形態によるフローチャートである。図７から図１０は、本発明の第二実施形態による構造を示す図である。第二実施形態には、第一実施形態と同様に、複数の溝を有する第一構造３３は、半導体基板３１と成長基板１との間の接触面積を減らすために、成長基板１に隣接する場所で形成される。第二実施形態の第一構造３３を形成する方法は、第一実施形態と異なり、その手順は以下のように示す。
【００２７】
工程Ｓ２１は、成長基板１を提供する工程である。第一実施形態に示すように、成長基板１は、好ましくは、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）材料、サファイア（Ｓａｐｐｈｉｒｅ）材料、炭化ケイ素（ＳｉＣ）材料とシリコン（Ｓｉ）材料からなる群から選ばれた一つを有いている。
【００２８】
工程Ｓ２２は、図７に示すように、成長基板１に誘電体層２ａを形成する工程、及び、図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように露光、現像及びエッチング法によって誘電体層２ａに複数の溝を有する第二構造２ａ１を形成する工程である。誘電体層２ａは、好ましくは、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の材料を有している。
【００２９】
図８（ｂ）は、第二構造２ａ１が成長基板１に形成されていることを示す断面図である。図８（ａ）は、図８（ｂ）に対応する上面図である。図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、第二構造２ａ１は、成長基板１を見せ、好ましくは、連続的な溝構造である。
【００３０】
工程Ｓ２３は、図９に示すように、第二構造２ａ１に半導体基板３１を形成する工程である。本実施形態に示すように、半導体基板３１は、好ましくは、ＧａＮ等の窒化物半導体基板である。
【００３１】
工程Ｓ２４は、誘電体層２ａにより形成された第二構造２ａ１を、ウェットエッチング法により除去し、半導体基板３１の下面には、複数の溝を有する第二構造２ａ１に対応する複数の溝を有する第一構造３３が形成する工程である。前述ウエットエッチング法は、水素フッ化物（ＨＦ）溶液によって実行される。
【００３２】
工程Ｓ２５は、複数の溝を有する第一構造体３３が形成された後、後続の素子の製造とウェハ接合工程とを連続的に進め、第一実施形態と同様に、成長基板１と半導体基板３１とを、成長基板１と半導体基板３１の温度が変更されるように、ウェハ接合工程の間、加熱する工程である。成長基板と窒化物半導体基板とは、膨張係数が異なるので、応力が集中することによって成長基板１が半導体基板３１から剥離される。
【００３３】
第一実施形態と同様に、第二実施形態での複数の溝を有する第二構造２ａ１は、任意の位置に配置でき、図８（ａ）および図８（ｂ）における配置に限定されない。第二構造２ａ１に応じて形成された第一構造３３は、図１０に示された規則的に配置された溝構造に限定されるものではない。成長基板１と半導体基板３１との間の接触面積を減らすための全ての構造は、本発明による効果を達成することができる。
【００３４】
以上の説明によると、当業者であれば本発明の技術思想を逸脱しない範囲で、多様な変更及び修正が可能であることが分かる。従って、本発明の技術的な範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限らず、特許請求の範囲によって定めなければならない。
【符号の説明】
【００３５】
１ 成長基板
２ 半導体基板
３ 半導体素子
４ 接合基板
２２ 第一構造
２ａ 誘電体層
２ａ １第二構造
３１ 半導体基板
３３ 第一構造
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造工程に関し、特に、剥離（ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）法による半導体製造工程に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の発光ダイオード（ＬＥＤ）の製造工程において、成長基板に高品質の窒化物半導体（例えば、ガリウム系（ＧａＮ）エピタキシャル薄膜を形成する）を形成させるために、一般的には、窒化ガリウム（ＧａＮ）の結晶構造と似ているサファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板を成長基板として選択されている。しかし、サファイア基板は、悪い（低い）電気伝導度と低い熱伝導率を有し、故に、ＧａＮ系ＬＥＤは、散熱性及びＬＥＤの信頼性が悪く、高電流、高出力かつ長時間の動作でＬＥＤチップの発光面積と発光効率が悪影響を受けるという欠点を有している。従って、ＬＥＤの生産性及び発光効率の向上を妨げている。
【０００３】
上記欠点を改善するために、従来の方法は、サファイア基板を除去することである。又、従来技術では、窒化物半導体素子は、ＬＥＤ素子の特性を高めるように、ウェハ接合技術により、サファイア成長基板から接合基板へ移行される。すなわち、ＧａＮエピタキシャル層は、サファイア基板から剥離され、高い電気伝導性と高い熱伝導率を有する基板に移行される。上記工程では、レーザ剥離法は、通常、サファイア成長基板を除去するために適用される。しかし、レーザー剥離法は、ＬＥＤ素子の特性を低下させ、その歩留りに悪影響を与える。また、レーザー剥離法は高コストである。したがって、もし窒化物半導体素子は、レーザ剥離法を利用せずに、ウェハ接合工程において、成長基板から剥離できれば、その製造コストが大幅に減少するだろう。
【０００４】
したがって、本発明はこのような従来の課題を解決するため、実験と研究を重ねた結果を通じて、得られたものである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の主な目的は、新規な半導体製造方法を提供することにより、製造コストを大幅に減少させることができる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
従来技術に鑑みて、本発明では、新しい工程技術を提供し、成長基板と窒化物半導体基板との間の接触面積を減らす。ウェハ接合工程においての加熱による温度変化工程では、成長基板と窒化物半導体基板とは異なる膨張係数を有しているので、応力が集中して、成長基板と窒化物半導体基板を互いに剥離する。従って、本発明は、レーザ剥離技術によって成長基板を除去する工程を必要としないため、コストを効果的に減少させる。
【０００７】
上述の目的を達成するために、本発明の半導体製造方法を提供する。本発明の半導体製造方法は、成長基板を提供する工程と、前記成長基板に半導体基板を形成する工程と、前記成長基板と前記半導体基板との間に複数の溝を有する第一構造を形成する工程と、前記成長基板と前記半導体基板の温度を変更する工程と、を含んでいることを特徴とする。
【０００８】
上記工程の本発明に係る半導体製造方法において、前記変更工程は、前記成長基板及び前記半導体基板を加熱し、圧力を加えることにより前記半導体基板を接合基板に接合する工程を更に含み、前記変更工程の前には、前記半導体基板に半導体素子を形成する工程を更に含み、前記接合基板は、銅（Ｃｕ）材料、アルミニウム（Ａｌ）材料、シリコン（Ｓｉ）材料、ダイヤモンド材料、銅合金材料及びアルミニウム合金材料からなる群から選ばれた一つであり、前記半導体基板は、窒化物半導体基板であり、前記成長基板は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）材料、サファイア材料、炭化ケイ素（ＳｉＣ）材料とシリコン（Ｓｉ）材料からなる群から選ばれた一つである。
【０００９】
上記工程の本発明に係る半導体製造方法において、前記第一構造は、前記成長基板と前記半導体基板との間の接触面積を減らすように、化学ウェットエッチング及びドライエッチングのいずれかで前記半導体基板をパターン形成することにより製造され、前記化学ウェットエッチングは、水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液によって実行され、前記半導体基板を形成する工程の前には、前記成長基板に誘電体層を形成する工程と、露光、現像及びエッチング法によって誘電体層に複数の溝を有する第二構造を形成する工程と、を更に含み、前記第一構造を形成する工程の前には、前記第二構造に前記半導体基板を形成する工程と、ウェットエッチングによって前記誘電体層を除去し、前記第一構造を形成する工程と、を更に含み、前記ウェットエッチングは、水素フッ化物（ＨＦ）溶液によって実行され、前記誘電体層は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の材料を有し、前記第二構造は、前記成長基板を見せるとともに連続的な溝構造である。
【００１０】
上述の目的を達成するために、新規の他の半導体製造方法を提供する。本発明の半導体製造方法は、上面を有する第一基板を提供する工程と、下面を有する第二基板を提供する工程と、前記上面と前記下面との間の接触面積を減らす工程と、を含んでいることを特徴とする。
【００１１】
上記工程の本発明に係る半導体製造方法において、前記第一基板及び前記第二基板を加熱する工程を更に含んでいる。
【００１２】
上述の目的を達成するために、新規の更に他の半導体製造方法を提供する。本発明の半導体製造方法は、上面を有する第一基板を提供する工程と、前記上面に接触する下面を有する第二基板を提供する工程と、前記第一及び前記第二基板を分離するように、前記第一及び前記第二基板を加熱する工程と、を含んでいることを特徴とする。
【００１３】
上記工程の本発明に係る半導体製造方法において、前記加熱工程の前には、前記上面と前記下面との間の接触面積を減らす工程を更に含んでいる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、レーザ剥離技術によって成長基板を除去する工程を必要としないため、コストを効果的に減少させる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第一実施形態に係る半導体製造方法を例示するフローチャートである。
【図２】図１に示した工程Ｓ１２を説明する構造を示す図である。
【図３】図１に示した工程Ｓ１３を説明する構造を示す図である。
【図４】図１に示した工程Ｓ１４を説明する構造を示す図である。
【図５】図１に示した工程Ｓ１５を説明する構造を示す図である。
【図６】本発明の第二実施形態による係るフローチャートである。
【図７】図６に示した工程Ｓ２２を説明する構造を示す図である。
【図８】図６に示した工程Ｓ２２を説明する構造を示す上面図（ａ）および断面図（ｂ）である。
【図９】図６に示した工程Ｓ２３を説明する構造を示す図である。
【図１０】図６に示した工程Ｓ２４を説明する構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下のように、本発明を実施例に基づいて詳述するが、あくまでも例示であって、本発明の範囲はこれらの実施形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲に記載されており、さらに特許請求の範囲の記載と均等な意味及び範囲内での全ての変更を含んでいる。
【００１７】
（第一の実施形態）
第一の実施形態を図１から図５を用いて説明する。
【００１８】
図１は、本発明の第一実施形態に係る半導体製造方法を例示するフローチャートである。図２から図５は、本発明の第一実施形態による構造を示す図である。本発明の第一実施形態は、図１に示した工程Ｓ１１〜Ｓ１５を含み、以下のように説明する。
【００１９】
工程Ｓ１１は、成長基板１のような第一基板を提供する工程である。成長基板１は、好ましくは、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）材料、サファイア（Ｓａｐｐｈｉｒｅ）材料、炭化ケイ素（ＳｉＣ）材料とシリコン（Ｓｉ）材料からなる群から選ばれた一つを有している。
【００２０】
工程Ｓ１２は、図２に示すように、半導体基板２のような第二基板を、前記成長基板に形成する工程である。半導体基板２は、好ましくは、窒化ガリウム（ＧａＮ）などの窒化物半導体基板である。成長基板１と半導体基板２は、従来の半導体加工法により形成することができる。
【００２１】
工程Ｓ１３は、図３に示すように、前記成長基板と前記半導体基板との間の接触面積を減らすように、化学ウェットエッチング又はドライエッチングで半導体基板２をパターン形成し、成長基板１と半導体基板２との間に複数の溝を有する第一構造２２を形成する工程である。第一構造２２は、好ましくは、化学ウェットエッチング（例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液によって実行される）又はドライエッチングにより、半導体基板２にパターンを形成することを通じて形成されることができるということが当業者にとって理解できる。
【００２２】
工程Ｓ１４は、後続の素子の製造を進め、図４に示すように、半導体素子３を半導体基板２に形成する工程である。
【００２３】
工程Ｓ１５は、図４に示すように、ウェハ接合を進めながら、成長基板１と半導体基板２の温度を変更する工程である。成長基板１と半導体基板２とを加熱するとともに矢印で示すように、圧力を与えることにより、半導体素子３が形成された半導体基板２を接合基板４に接合する。接合基板４は、好ましくは、銅（Ｃｕ）材料、アルミニウム（Ａｌ）材料、シリコン（Ｓｉ）材料、ダイヤモンド材料、銅合金材料及びアルミニウム合金材料からなる群から選ばれた一つを有している。
【００２４】
成長基板１と半導体基板２の温度は、図４に示すウェハ接合工程の間に変更される。成長基板１と窒化物半導体基板とは、膨張係数が異なるので、応力が集中して、図５に示すように成長基板１と半導体基板２とが互いに剥離する。
【００２５】
第一構造２２が、成長基板１と半導体基板２の間の接触面積を減少させるために使用されていることは、当業者にとって理解されただろう。従って、第一構造２２は、ウェハ接合工程の前かつ半導体基板２成形工程の後でさえあれば任意の工程において形成することができる。更に、第一構造２２は、図２〜図５における規則的な配置に限定されていないとともに、成長基板１と半導体基板２との間の接触面積を減らすための全ての構造は、本発明による効果を達成することができる。
【００２６】
（第二の実施形態）
上記第一構造２２を形成する方法は、第一の実施形態により提供されるフローチャートに限定されていない。第二の実施形態を図６から図１０を用いて詳細に説明する。図６は、本発明の第二実施形態によるフローチャートである。図７から図１０は、本発明の第二実施形態による構造を示す図である。第二実施形態には、第一実施形態と同様に、複数の溝を有する第一構造３３は、半導体基板３１と成長基板１との間の接触面積を減らすために、成長基板１に隣接する場所で形成される。第二実施形態の第一構造３３を形成する方法は、第一実施形態と異なり、その手順は以下のように示す。
【００２７】
工程Ｓ２１は、成長基板１を提供する工程である。第一実施形態に示すように、成長基板１は、好ましくは、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）材料、サファイア（Ｓａｐｐｈｉｒｅ）材料、炭化ケイ素（ＳｉＣ）材料とシリコン（Ｓｉ）材料からなる群から選ばれた一つを有いている。
【００２８】
工程Ｓ２２は、図７に示すように、成長基板１に誘電体層２ａを形成する工程、及び、図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように露光、現像及びエッチング法によって誘電体層２ａに複数の溝を有する第二構造２ａ１を形成する工程である。誘電体層２ａは、好ましくは、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の材料を有している。
【００２９】
図８（ｂ）は、第二構造２ａ１が成長基板１に形成されていることを示す断面図である。図８（ａ）は、図８（ｂ）に対応する上面図である。図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、第二構造２ａ１は、成長基板１を見せ、好ましくは、連続的な溝構造である。
【００３０】
工程Ｓ２３は、図９に示すように、第二構造２ａ１に半導体基板３１を形成する工程である。本実施形態に示すように、半導体基板３１は、好ましくは、ＧａＮ等の窒化物半導体基板である。
【００３１】
工程Ｓ２４は、誘電体層２ａにより形成された第二構造２ａ１を、ウェットエッチング法により除去し、半導体基板３１の下面には、複数の溝を有する第二構造２ａ１に対応する複数の溝を有する第一構造３３が形成する工程である。前述ウエットエッチング法は、水素フッ化物（ＨＦ）溶液によって実行される。
【００３２】
工程Ｓ２５は、複数の溝を有する第一構造体３３が形成された後、後続の素子の製造とウェハ接合工程とを連続的に進め、第一実施形態と同様に、成長基板１と半導体基板３１とを、成長基板１と半導体基板３１の温度が変更されるように、ウェハ接合工程の間、加熱する工程である。成長基板と窒化物半導体基板とは、膨張係数が異なるので、応力が集中することによって成長基板１が半導体基板３１から剥離される。
【００３３】
第一実施形態と同様に、第二実施形態での複数の溝を有する第二構造２ａ１は、任意の位置に配置でき、図８（ａ）および図８（ｂ）における配置に限定されない。第二構造２ａ１に応じて形成された第一構造３３は、図１０に示された規則的に配置された溝構造に限定されるものではない。成長基板１と半導体基板３１との間の接触面積を減らすための全ての構造は、本発明による効果を達成することができる。
【００３４】
以上の説明によると、当業者であれば本発明の技術思想を逸脱しない範囲で、多様な変更及び修正が可能であることが分かる。従って、本発明の技術的な範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限らず、特許請求の範囲によって定めなければならない。
【符号の説明】
【００３５】
１ 成長基板
２ 半導体基板
３ 半導体素子
４ 接合基板
２２ 第一構造
２ａ 誘電体層
２ａ １第二構造
３１ 半導体基板
３３ 第一構造
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成長基板を提供する工程と、
前記成長基板に半導体基板を形成する工程と、
前記成長基板と前記半導体基板との間に複数の溝を有する第一構造を形成する工程と、
前記成長基板と前記半導体基板の温度を変更する工程と、
を含んでいることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項２】
前記変更工程は、前記成長基板及び前記半導体基板を加熱し、圧力を加えることにより前記半導体基板を接合基板に接合する工程を更に含み、
前記変更工程の前には、前記半導体基板に半導体素子を形成する工程を更に含み、
前記接合基板は、銅（Ｃｕ）材料、アルミニウム（Ａｌ）材料、シリコン（Ｓｉ）材料、ダイヤモンド材料、銅合金材料及びアルミニウム合金材料からなる群から選ばれた一つであり、
前記半導体基板は、窒化物半導体基板であり、前記成長基板は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）材料、サファイア材料、炭化ケイ素（ＳｉＣ）材料とシリコン（Ｓｉ）材料からなる群から選ばれた一つであることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造方法。
【請求項３】
前記第一構造は、前記成長基板と前記半導体基板との間の接触面積を減らすように、化学ウェットエッチング及びドライエッチングのいずれかで前記半導体基板をパターン形成することにより製造され、
前記化学ウェットエッチングは、水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液によって実行され、
前記半導体基板を形成する工程の前には、
前記成長基板に誘電体層を形成する工程と、
露光、現像及びエッチング法によって誘電体層に複数の溝を有する第二構造を形成する工程と、を更に含み、
前記第一構造を形成する工程の前には、
前記第二構造に前記半導体基板を形成する工程と、
ウェットエッチングによって前記誘電体層を除去し、前記第一構造を形成する工程と、を更に含み、
前記ウェットエッチングは、水素フッ化物（ＨＦ）溶液によって実行され、
前記誘電体層は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の材料を有し、
前記第二構造は、前記成長基板を見せるとともに連続的な溝構造であることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造方法。
【請求項４】
上面を有する第一基板を提供する工程と、
下面を有する第二基板を提供する工程と、
前記上面と前記下面との間の接触面積を減らす工程と、
を含んでいることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項５】
前記第一基板及び前記第二基板を加熱する工程を更に含んでいることを特徴とする請求項４に記載の半導体製造方法。
【請求項６】
上面を有する第一基板を提供する工程と、
前記上面と接触する下面を有する第二基板を提供する工程と、
前記第一及び前記第二基板を分離するように、前記第一及び前記第二基板を加熱する工程と、
を含んでいることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項７】
前記加熱工程の前には、前記上面と前記下面との間の接触面積を減らす工程を更に含んでいることを特徴とする請求項６に記載の半導体製造方法。
【請求項１】
成長基板を提供する工程と、
前記成長基板に半導体基板を形成する工程と、
前記成長基板と前記半導体基板との間に複数の溝を有する第一構造を形成する工程と、
前記成長基板と前記半導体基板の温度を変更する工程と、
を含んでいることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項２】
前記変更工程は、前記成長基板及び前記半導体基板を加熱し、圧力を加えることにより前記半導体基板を接合基板に接合する工程を更に含み、
前記変更工程の前には、前記半導体基板に半導体素子を形成する工程を更に含み、
前記接合基板は、銅（Ｃｕ）材料、アルミニウム（Ａｌ）材料、シリコン（Ｓｉ）材料、ダイヤモンド材料、銅合金材料及びアルミニウム合金材料からなる群から選ばれた一つであり、
前記半導体基板は、窒化物半導体基板であり、前記成長基板は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）材料、サファイア材料、炭化ケイ素（ＳｉＣ）材料とシリコン（Ｓｉ）材料からなる群から選ばれた一つであることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造方法。
【請求項３】
前記第一構造は、前記成長基板と前記半導体基板との間の接触面積を減らすように、化学ウェットエッチング及びドライエッチングのいずれかで前記半導体基板をパターン形成することにより製造され、
前記化学ウェットエッチングは、水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液によって実行され、
前記半導体基板を形成する工程の前には、
前記成長基板に誘電体層を形成する工程と、
露光、現像及びエッチング法によって誘電体層に複数の溝を有する第二構造を形成する工程と、を更に含み、
前記第一構造を形成する工程の前には、
前記第二構造に前記半導体基板を形成する工程と、
ウェットエッチングによって前記誘電体層を除去し、前記第一構造を形成する工程と、を更に含み、
前記ウェットエッチングは、水素フッ化物（ＨＦ）溶液によって実行され、
前記誘電体層は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の材料を有し、
前記第二構造は、前記成長基板を見せるとともに連続的な溝構造であることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造方法。
【請求項４】
上面を有する第一基板を提供する工程と、
下面を有する第二基板を提供する工程と、
前記上面と前記下面との間の接触面積を減らす工程と、
を含んでいることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項５】
前記第一基板及び前記第二基板を加熱する工程を更に含んでいることを特徴とする請求項４に記載の半導体製造方法。
【請求項６】
上面を有する第一基板を提供する工程と、
前記上面と接触する下面を有する第二基板を提供する工程と、
前記第一及び前記第二基板を分離するように、前記第一及び前記第二基板を加熱する工程と、
を含んでいることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項７】
前記加熱工程の前には、前記上面と前記下面との間の接触面積を減らす工程を更に含んでいることを特徴とする請求項６に記載の半導体製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１２−１８８３４２（Ｐ２０１２−１８８３４２Ａ）
【公開日】平成２４年１０月４日（２０１２．１０．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４５３６９（Ｐ２０１１−２４５３６９）
【出願日】平成２３年１１月９日（２０１１．１１．９）
【出願人】（５９８１３９７４８）國立交通大學 (92)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月４日（２０１２．１０．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月９日（２０１１．１１．９）
【出願人】（５９８１３９７４８）國立交通大學 (92)
【Ｆターム（参考）】
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