【課題】良好な界面特性をもつ強磁性薄膜、絶縁性薄膜、及び化合物半導体からなる強磁性積層構造を得る。
【解決手段】この磁性体積層構造１０においては、化合物半導体１上に絶縁性薄膜２及び強磁性薄膜３が順次形成されている。絶縁性薄膜２は、蛍石型構造をもつフッ化化合物からなる。強磁性薄膜３は、Ｆｅ又はＦｅＣｏ合金からなる強磁性体である。この強磁性積層構造１０は、強磁性薄膜３から絶縁性薄膜２を通して化合物半導体１にスピン偏極電子が注入されて使用される。例えば、この強磁性積層構造１０をスピンＬＥＤに用い、化合物半導体１を発光層としても用いることができる。この場合には、この構造における各界面の結晶欠陥が少ないために、スピン偏極電子の発光層への高い注入効率が得られるため、高効率のスピンＬＥＤを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】
ナノテクノロジー、特にナノスケールでのエレクトロニクス用途に適したナノスケールワイヤ及び関連デバイスをを提供することを目的とする。
【解決手段】
少なくとも10¹²バイト/cm²の密度をもつメモリ素子のアレイを含み、
少なくともひとつのメモリ素子は、自立型バルクドープ半導体を含む物品を含み、該自立型バルクドープ半導体は、500ナノメートル未満の最小幅をもつ少なくとも一つの部分
を含む、
デバイスを使用する。 （もっと読む）

【課題】 全体が直線状の原子ステップ及び表面に凹凸のない平坦なテラス部を表面に有する二硼化物単結晶から成る基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法、及び二硼化物単結晶から成る基板の表面処理方法を提供すること。
【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法は、成膜装置内において、化学式ＸＢ₂（ただし、ＸはＴｉ及びＺｒの少なくとも１種を含む。）で表される二硼化物単結晶から成るとともに表面に自然酸化膜が形成された基板に、真空中での加熱処理を施すことによって、自然酸化膜を除去するとともに基板の表面に原子ステップ構造を表出させる工程と、引続き成膜装置内において、基板の表面が大気に触れない状態で基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】高いコストと多くのスペースが必要な外部レーザー源なしで有機半導体レーザーを励起させ得る手段とそのような有機半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】光学的ポンプ源を有機半導体レーザーと一体的に接続させる。 （もっと読む）

【課題】青色、白色ＬＥＤや各種電子デバイスなどに好適なサファイア単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】適度な温度勾配を有する単結晶育成装置１内部に設置した容器３内で原料（酸化アルミニウム）を溶融させ、酸化アルミニウム融液４の液面にサファイアの種結晶５を接触させ、その後種結晶５を周速０〜１２ｍｍ／ｓｅｃの速度で回転させ、種結晶５の引き上げ距離ｄは育成初期の酸化アルミニウム融液４の液面高ｈ１の０〜２０％未満とし、種結晶５を酸化アルミニウム融液４に接触させた後、炉２の温度を０．２〜２°Ｃ／ｈｒで降下させながら育成し、溶融した酸化アルミニウムを固化させて、大型で高品質なサファイア単結晶Ｓを得る。 （もっと読む）

【課題】高い歩留まりで、特性のばらつきが小さい混色光を放射する発光素子を提供する。
【解決手段】Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂単結晶相２１とＡｌ₂Ｏ₃単結晶相２２からなるＭＧＣ２上にＧａＮ系の発光層３を形成し、Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂単結晶相２１にＣｅ³⁺イオンをドーピングする。これにより、発光層３で放射した青色光は、Ａｌ₂Ｏ₃単結晶相２２を透過するとともに、Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂単結晶相２１を通過し、Ｃｅ³⁺イオンを励起して黄色光を放射する。青色光と黄色光が混色することにより白色光を得ることができる。また、この発光素子の特性はＭＧＣ２の厚みを調節することで制御できる。 （もっと読む）

【課題】ガリウム酸化物の基板上に形成した発光素子を、劈開性の強い方向には劈開を利用し、劈開性の弱い方向にはダイシング加工等を行うことにより、加工部近傍で剥がれやクラック等を発生させずに、ガリウム酸化物の基板上に結晶成長させて形成され、劈開を利用して作製された発光素子、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】所定の面方位を有するガリウム酸化物の基板上に化合物半導体薄膜を結晶成長により形成され、矩形形状に切出された発光素子であって、発光素子の一の端面は劈開により形成されると共に、端面と垂直な他の端面は劈開以外の方法により形成されたものとする。 （もっと読む）

【課題】 高温のアニール処理を長時間に亘って行うことにより発生する窒素空孔の形成という問題を生じさせることなく、アクセプタの活性化を行い、キャリア濃度の高い（低抵抗の）ｐ形の窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子の製法を提供する。
【解決手段】 基板１上に窒化物半導体からなる半導体積層部６を形成し、その半導体積層部６の表面側から、λ＝ｈ・ｃ／Ｅ以下（ＥはＭｇとＨとの結合を切り離し得るエネルギー）の波長λのレーザ光を照射する。その後に、３００〜４００℃の熱処理を行う。そして、通常の窒化物半導体ＬＥＤの製造工程と同様に透光性導電層７を設け、半導体積層部６の一部をエッチングにより除去して露出するｎ形層３にｎ側電極９を、透光性導電層７の表面にｐ側電極８を形成する。 （もっと読む）

【課題】 発効効率が高く寿命の長い窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 Ａｌ₂Ｏ₃を主成分とするＡｌ₂Ｏ₃基板１１０と、Ａｌ₂Ｏ₃基板１１０上に形成されている、不純物を含有するＩｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ層（０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜０．５、０≦ｘ＋ｙ≦１）（たとえば、ＧａＮ層１２０）とを含むことを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。ここで、上記基板のＡｌ₂Ｏ₃成分を５１モル％以上９９．９９９９９９モル％未満とすること、上記基板の厚さを１μｍ以上５ｍｍ以下とすることができる。また、上記不純物を、Ｏ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂｅ、ＭｇおよびＣａの少なくともいずれかとすること、上記不純物の濃度を、１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上１×１０²⁰ｃｍ^-3以下の範囲とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 間接遷移型ではあってもバンドギャップから予測される発光波長よりも短い波長の光を放射することができ、ダイヤモンドの発光を実用のレベルまで引き上げることができるようにする。
【解決手段】 この発明のダイヤモンド半導体発光素子は、ｐ型ダイヤモンド半導体層２３と、ｐ型ダイヤモンド半導体層２３に接して形成されたダイヤモンド以外の材料からなるｎ型半導体層２４と、ｐ型ダイヤモンド半導体層２３とｎ型半導体層２４との間の界面に形成された活性化領域層２９と、を備え、ｐ型ダイヤモンド半導体層２３とｎ型半導体層２４とのそれぞれに形成した電極２５，２６に電流を注入したとき、ダイヤモンド材料が有するバンドギャップから予測される発光波長よりも短い波長の発光が活性化領域層から出力する、ことを特徴としている。 （もっと読む）

本発明は、配向されたカーボンナノチューブアレイから形成される層を利用するスピントロニックデバイスと、該デバイスを含むエレクトロニックデバイス（スピンバルブやスピントンネルジャンクション、スピントランジスタ等）とに関する。スピントロニックデバイスは、底部電極と、第一の強磁性層と、ＣＮＴアレイと、第二の強磁性層と、上部電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】分子スケールの発光デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の発光デバイスは、ゲート電極（１０１）と、電気刺激によって発光する分子を含み、その分子がゲート電極（１０１）の有効範囲内に配置されているチャネル（１０３）と、チャネルの第１の端部に結合され、チャネルに電子を注入するソース（１０４）と、チャネルの第２の端部に結合され、チャネルにホールを注入するドレイン（１０５）とを備える。
（もっと読む）