【課題】半導体膜上に波長変換部を有する半導体発光装置において、光出力の低下を伴うことなく発光色のむらを解消することができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】
半導体膜２０は、発光層を含む。支持基板１０は、半導体膜２０に光反射層３０を介して接合され且つ半導体膜２０を支持する支持面と半導体膜２０の側面よりも外側に配置されたエッジ部とを有する。遮光部４０は、半導体膜２０の側面と半導体膜２０の周囲の支持面を覆う。波長変換部５０は、蛍光体を含み、半導体膜２０および遮光部４０を埋設するように支持基板１０上に設けられる。波長変換部５０は、エッジ部から半導体膜２０の中央に向けて厚さが増大する曲面形状を有している。 （もっと読む）

【課題】優れた発光効率を示すエレクトロルミネッセンス素子のパルス光の発光制御を効率よく行う。
【解決手段】順方向バイアス電圧に基づいて発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れかの層の表面形状及び／又はドーパント分布を変化させることを繰り返し、近接場光が発生した箇所では反転分布に基づき非断熱過程により複数段階で誘導放出させることが可能なＥＬ素子１と、コンデンサ４０とを互いに並列に接続し、これらに対して電源４１から電圧を印加し続けることにより、ＥＬ素子１からパルス光を発光させる。 （もっと読む）

【課題】実装性を向上可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００において、リード１２は、土台部１２１ｃを有する。土台部１２１ｃは、パッケージ１０の底面１０Ｃにおいて、第１及び第２端子部１２１ｂ，１２２ｂの間であって第１及び第２端子部１２１ｂ，１２２ｂよりも光出射面１０Ａ側で成形体１１から露出する。 （もっと読む）

【課題】フォトルミネッセンスを用いることにより、発光素子を容易かつ迅速に識別するための発光素子の検査方法などを提供する。
【解決手段】検査工程は、発光素子１に通電を行わずに、通電により発光する波長（第１波長）より波長が短い光（第２波長の光）を励起光として照射する光照射工程（ステップ２０１）と、第２波長の光の照射により発光素子１が出射する光を検出する検出工程（ステップ２０２）と、発光素子１が出射する第１波長の光の強度に基づき、発光素子１の電流リークの状態を判別する判別工程（ステップ２０３）とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させず、小型の発光装置でも、実装の安定性の高い発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】光出射面１１ａ、光出射面１１ａに連なる下面１１ｃ及び光出射面１１ａと反対側の背面を有する成形体１１と、その一部が成形体１１に埋設され、下面１１ｃから突出し、光出射面１１ａ又は背面のいずれか一方側に屈曲する端部１２ａ、１３ａを有する一対のリード１２、１３とによって構成されたパッケージならびに一対のリード１２、１３の一方のリード１２上に配置された発光素子を備えた発光装置であって、成形体１１は、下面１１ｃのリード１２、１３間において、光出射面１１ｃ側で突出する前突出部１４ａと、背面側で突出する後突出部１４ｂとを有する発光装置。 （もっと読む）

【課題】シリコン及びゲルマニウム発光素子として作成可能な、注入キャリアを発光領域に閉じ込めるための素子構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】電極と発光領域の間にキャリアにとって狭い通路、すなわち１次元的または２次元的量子閉じ込め領域を作成する。量子閉じ込めにより、その部分ではバンドギャップが開くため、電子にとっても正孔にとってもエネルギー障壁となり、通常のＩＩＩ−Ｖ族半導体レーザーのダブルへテロ構造と同様の効果が得られる。素子の形状を制御するだけで、通常のシリコンプロセスで使用する元素以外は使わないため、安価に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体を破損することなく効率的に基板上に実装する方法の提供。
【解決手段】第１基板の上に犠牲層を介して形成された半導体層を第２基板に移設して半導体装置を製造する方法であって、第１の粘着面に移設用基板が接合された両面粘着材の第２の粘着面を前記半導体層の上に接合する工程と、エッチングを行って前記犠牲層を除去することにより、前記第１基板から前記両面粘着材に接合された前記半導体層を分離し、前記分離された前記半導体層を第２基板に接着剤を介して接合する工程と、前記両面粘着材から前記移設用基板を分離し、その後、前記半導体層から前記両面粘着材を剥離する工程とを含み、前記第１の粘着面における粘着力は、前記第２の粘着面における粘着力よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】良好なＰＮ接合を側面に有して、良好な電気的特性を有する半導体素子等を提供すること。
【解決手段】第１導電型の半導体コア１１を覆うように第１導電型の半導体シェル１２を形成する。また、第１導電型の半導体シェル１２を覆うように第２導電型の半導体シェル１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】成長用基板に形成された窒化物半導体層を容易に剥離できる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子の製造方法では、第１のサイズｄ１を有する第１基板３１に窒化物半導体層１１を形成する。窒化物半導体層１１上に第１のサイズｄ１より小さい第２のサイズｄ２を有する第１接着層１２ａを形成し、第２基板３２上に第２接着層１２ｂ形成する。第１および第２接着層１２ａ、１２ｂを重ね合わせ、第１および第２基板３１、３２を張り合わせる。第２のサイズｄ２より大きいまたは等しい第３のサイズｄ３を有する凹部３１ａを生じるように第１基板３１を除去する。凹部３１ａに薬液を注入し、窒化物半導体層１１が露出するまで第１基板３１をエッチングする。薬液で、露出した窒化物半導体層１１を更にエッチングし、窒化物半導体層１１の露出面を粗面化する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、横方向エピタキシャル成長方式によって半導体構造内の積層欠陥と転位密度の低下を抑制するのに有効であり、発光層の結晶品質を高め、漏れ電流を減少させ、同時に半導体構造表面に粗化構造を形成して外部量子効率を高めることができるナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオードは、基板と、基板上に位置する接合金属層と、接合金属層上に位置する第一電極と、第一電極上に位置し横方向エピタキシャル成長により形成される半導体構造と、半導体構造上に位置する第二電極であり、上述の半導体構造は第二電極によって被蓋していない上表面にナノスケール粗化構造を形成する第二電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】
複数の領域に異なる特性を有するシリコン量子ドットを有するシリコン量子ドット装置を提供する。
【解決手段】
シリコン量子ドット装置は、基板と、基板上方に配置され、第１の平均ドットサイズのシリコン量子ドットを含む第１酸化シリコンマトリクス層と、第１酸化シリコンマトリクス層を挟む１対の第１酸化シリコン層とを含む、第１量子ドット構造と、基板上方に配置され、第１の平均ドットサイズと異なる第２の平均ドットサイズのシリコン量子ドットを含む第２酸化シリコンマトリクス層と、第２酸化シリコンマトリクス層を挟む１対の第２酸化シリコン層とを含む、第２量子ドット構造と、を有する。 （もっと読む）

【課題】良好なレンズ形状のレンズを形成でき、更にレンズの耐熱性を高めることができる光半導体装置用レンズ材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用レンズ材料は、下記式（１）で表され、かつ珪素原子に結合したアルケニル基を有する第１のオルガノポリシロキサン（但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除く）と、下記式（５１）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有する第２のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化珪素粒子とを含む。上記第１，第２のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合したアリール基の含有比率はそれぞれ５モル％以下である。
【化１】
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【課題】製造過程でエピタキシャル層の表面部に形成されるエッチピットに起因するリーク電流を抑えること。
【解決手段】ダイオードの製造方法は、エピタキシャル層の表面にキャップ層を形成するキャップ層形成工程（Ｓ３）と、キャップ層が形成されている状態でドーパントを活性化させるアニール工程（Ｓ４）と、キャップ層を除去するキャップ層除去工程（Ｓ５）と、エッチング技術を利用してエピタキシャル層の表面を洗浄する洗浄工程（Ｓ６）と、エピタキシャル層の表面に第２エピタキシャル層を結晶成長させる工程と（Ｓ７）と、エピタキシャル層の表面に形成されている第２エピタキシャル層を研磨する研磨工程（Ｓ８）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】既存のシリコン集積回路との親和性の高い薄層シリコン層を用いた発光素子で、発光波長が変更できるようにする。
【解決手段】この半導体発光素子は、シリコンから構成されて量子効果が示される範囲の層厚とされた発光層１０１と、発光層１０１にキャリアを注入するキャリア注入部１０２と、発光層１０１に印加する電界を制御する電界制御部１０３とを備える。こ半導体発光素子では、キャリア注入部１０２によりキャリアを注入することで発光する発光層１０１に、電界制御部１０３により任意の電界を印加し、量子閉じ込めシュタルク効果（ＱＣＳＥ）を生じさせることで、発光と同時に発光波長の変調を行う。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどの基板上に形成した高品質な結晶を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ＧａＮを含む下地層と、窒化物半導体を含む機能部と、前記下地層と前記機能部との間に設けられ、ＡｌＮを含む層を含む中間層と、を備えた半導体装置が提供される。前記下地層のうちの前記中間層とは反対側の第１領域におけるシリコン原子の濃度は、前記下地層のうちの前記中間層の側の第２領域におけるシリコン原子の濃度よりも高く、前記下地層の前記中間層とは反対側の第１面は、複数の凹部を有する。 （もっと読む）

【課題】パターン化された格子緩衝層を用いて窒化物の結晶性を向上させることができ、エアホールを形成することによって輝度を向上させることができる窒化物系発光素子及びその製造方法について開示する。
【解決手段】本発明に係る窒化物系発光素子の製造方法は、基板上にウルツ鉱型格子構造を有する物質を蒸着して蒸着層を形成し、前記蒸着層の表面にエッチングパターンを形成することによって、パターン化された格子緩衝層を形成し、前記パターン化された格子緩衝層上に窒化物を成長させることを含み、前記パターン化された格子緩衝層上に窒化物を成長させるとき、前記パターン化された格子緩衝層を除去し、前記除去された部分にエアギャップを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯパウダーのようなウルツ鉱型格子構造を有する物質のパウダーを用いた窒化物系発光素子及びその製造方法について開示する。
【解決手段】本発明に係る窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上に形成される格子緩衝層と、前記格子緩衝層上に形成され、複数の窒化物層が積層されている発光構造体とを含み、前記格子緩衝層は、ウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーで形成されることを特徴とする。このとき、前記格子緩衝層はＺｎＯパウダーで形成され、窒化物の成長時に発生する線欠陥を最少化することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光機能層の一方の面に２つの電極を形成した構成の発光素子において、長手方向で均一な発光強度を得る。
【解決手段】ｐ型ＧａＮ層２３の表面には、左端部側から右端部側に向かって延伸する形態で、ｐ型ＧａＮ層２３の右端部（Ｔの位置）付近まで透明電極３１が形成されている。更に、この構造全体を覆う形態で絶縁層３２が形成されている。この左端部の領域にはｐ側電極３３が接続されている。ｎ側電極３４は、ｐ型ＧａＮ層２３とＭＱＷ層２２とが部分的に除去された領域の左側の領域、すなわち、図１（ａ）における半導体発光機能層２０の右端部（図１（ａ）におけるＴの位置）を越えて、これよりも左側の発光機能層２０の上面も覆っている。 （もっと読む）

【課題】電極パッドによる光吸収を低減した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】一対の主表面間に複数の化合物半導体層を備える化合物半導体発光ユニットＵと、一方の主表面１１上の表面電極２８１と電気的に導通する電極パッドＥ２を支持基板Ｓ上に並設する。これにより、電極パッドＥ２の直下に化合物半導体発光ユニットＵの発光層として機能する活性層２３２が存在しない構成を実現している。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高い発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、支持基板２０と、支持基板２０の上に設けられる第１導電型の第１導電型層と、第１導電型層の上に設けられ、光を発する活性層１６と、活性層１６の上に設けられ、第１導電型とは異なる第２導電型の第２導電型層と、第１導電型層の表面の一部に接する第１電極と、第２導電型層の表面の一部に接する第２電極とを備え、第１電極が、活性層１６の直上又は直下に対応する第１導電型層の表面とは異なる第１導電型層の表面に接し、第２電極が、活性層１６の直上又は直下に対応する第２導電型層の表面とは異なる第２導電型層の表面に接する。 （もっと読む）