【課題】好適な有機金属化学気相成長法による、高品質のＮ面ＧａＮ、ＩｎＮおよびＡｌＮならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法を提供する。
【解決手段】Ｎ面ＩＩＩ族窒化物膜を成長させるための方法であって、（ａ）ミラー指数結晶面に対して誤配向角を伴う成長表面を有する基板を提供すること、（ｂ）前記成長表面上または前記成長表面の上方で層を形成することであって、前記層は、前記層上で形成される１つ以上の後続の層に対するＮ極性配向を設定すること、および、（ｃ）前記層上でＮ面ＩＩＩ族窒化物膜を成長させることであって、前記Ｎ面ＩＩＩ族窒化物膜は、前記層によって設定されるＮ極性配向を有することを含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層に加わるダメージを抑制しながら、窒化物半導体層と電極との間でオーミック接触を得ることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この発光素子（窒化物半導体素子）１は、主面１０ａを有する基板１０と、ｎ型層２０ａ、ｎ型コンタクト層２０ｂおよびｐ型層２０ｄを含む半導体層２０と、を備える。主面１０ａはｍ面に対してａ軸方向に所定のオフ角度を有する。半導体層２０は、傾斜領域２１と非傾斜領域２２とを含む。傾斜領域２１において、ｎ型層２０ａおよびｎ型コンタクト層２０ｂの所定領域上にｎ電極４０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】キャリア密度に疎密を設けて全体として発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０では、半導体発光層１５は第１導電型の第１半導体層１２と第２導電型の第２半導体層１４の間に設けられている。網目状の第１電極１６は、半導体発光層１５と反対側の第１半導体層１２上に設けられている。ドット状の第２電極１８ａは、半導体発光層１５と反対側の第２半導体層１４上に、第２半導体層１４の表面に対して平行な平面視で第１電極１６の網目の中心と重なるように設けられている。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３基板上の窒化物半導体層の上面の転位密度が低い結晶積層構造体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態において、Ｇａ_２Ｏ_３基板２と、Ｇａ_２Ｏ_３基板２上のＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなるバッファ層３と、バッファ層３上の、酸素を不純物として含むＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなる窒化物半導体層４と、を含む結晶積層構造体１を提供する。窒化物半導体層４のＧａ_２Ｏ_３基板２側の２００ｎｍ以上の厚さの領域４ａの酸素濃度は、１．０×１０^１８／ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第１下側層と、第１ドープ層と、第１上側層と、を含む。第１下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第１ドープ層は、第１下側層の上に設けられ第１下側層の格子定数以上の格子定数を有し１×１０^１８ｃｍ^−３以上１×１０^２１ｃｍ^−３未満の濃度であり第１下側層よりも高い濃度で不純物を含有する。第１上側層は、第１ドープ層の上に設けられ第１ドープ層の格子定数以上で第１下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】LEDまたはSiCデバイスのコスト低減のために、GaN、AlNまたはSiCバファー膜を大量に堆積できる装置、及び、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスの低減法、基板形成方法を提供する。
【解決手段】縦型ホットウォールタイプのクリーニング用プラズマ手段つき、減圧CVDおよびリモートプラズマCVD装置によりデバイスのコストを低減する。基板のデバイス形成領域の周辺に深い溝を形成することで、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスを低減する。さらに基板表面を異方性、等方性パターンをエッチングにより形成する基板形成する。LEDデバイス基板に関しては、その表面にSiO₂パターンを形成し、マイクロチャネルエピタキシーによって良好なエピタキシャル膜を形成し、欠陥の少ない良好な膜を得るようにする。 （もっと読む）

【課題】基板の両面に窒化物半導体層を形成するに際し、基板に被着した堆積物の除去が容易な窒化物半導体積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体積層構造体の製造方法では、第１および第２の面１１ａ、１１ｂと第１熱膨張係数α１を有する基板１１の第２の面１１ｂに、第1保護膜３１を形成する。第１保護膜３１が形成された基板１１の第１の面１１ａに、第１熱膨張係数α１と異なる第２熱膨張係数α２を有する第１窒化物半導体層１２を形成する。第１窒化物半導体層１２に、第２保護膜３４を形成する。第１保護膜３１を除去し、基板１１の第２の面１１ｂを露出させる。露出した基板１１の第２の面１１ｂに、第２熱膨張係数α２に略等しい第３熱膨張係数α３を有する第２窒化物半導体層１３を形成する。第２保護膜３４を除去し、第１窒化物半導体層１２を露出させる。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で光抽出効率を向上させた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子の製造方法は、互いに対向する第１及び第２の主面を有する基板を設ける段階と、基板の第１の主面に柱状を有する複数の凸部を形成する段階と、凸部が形成された第１の主面上に第１の導電型半導体層、活性層、及び第２の導電型半導体層を含む発光積層体を形成する段階と、発光積層体のうちの凸部の周囲の溝部に対応する領域に形成された部分を除去して複数の発光構造物を形成する段階と、基板上に形成された複数の発光構造物から個別素子が得られるように溝部に沿って基板を分離する段階と、を有する。 （もっと読む）

【課題】互いに異なる流動ガスを交互に注入して工程温度を変化させる化学気相蒸着方法を使用した発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の化学気相蒸着方法を使用した発光素子の製造方法は、第１工程温度で、サテライトディスクに載置された基板上に量子ウェル層を形成する段階と、第２工程温度で、量子ウェル層上に量子障壁層を形成する段階と、を有し、量子ウェル層と量子障壁層とを形成する段階を少なくとも一回遂行する。 （もっと読む）

【課題】複数種の原料ガスを、複数の隔絶空間に同等のガス供給量で導入できて、同等のガス流量で基板に供給できるようにした簡単な構成の真空処理装置用のガス供給装置を提供する。
【解決手段】反応室１ａ内を臨むガス導入部４を備え、このガス導入部は複数の隔絶空間４ａ、４ｂを有し、各隔絶空間に、原料ガスを供給する、流量制御手段５１を介設したガス供給管５_１、５_２が夫々接続されると共に、各隔絶空間から夫々反応室に通じるガス導入口４２ａ、４２ｂが設けられている。また、各ガス供給管に、他の流量制御手段７１を介設した１本のガス管７を分岐した分岐管が７_１、７_２夫々接続され、このガス管を流れるガスの流量を、ガス供給管を流れる原料ガスの流量差より多くなるように制御する。 （もっと読む）

【課題】反応ガスを供給するノズルが詰まる現象を緩和して工程効率及び生産性を向上させた半導体エピ薄膜の成長方法及びこれを用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体エピ薄膜の成長方法は、ウェハーホルダーに積載された複数のウェハーを反応チャンバの内部に配置する段階と、ウェハーの積載方向に沿って延長されて備えられたガス供給部を通じて塩素系有機金属化合物を含む反応ガスをウェハーに噴射し、各ウェハーの表面に半導体エピ薄膜を成長させる段階と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ｐコンタクト層をｐ型化し、かつ電極とのコンタクト抵抗を低減すること。
【解決手段】ｐクラッド層１４上に、ＭＯＣＶＤ法によって、ＭｇがドープされたＧａＮである第１のｐコンタクト層１５１を形成する（図２（ｂ））。次に、次工程で形成する第２のｐコンタクト層１５２の成長温度である７００℃まで降温した後、アンモニアの供給を停止し、キャリアガスを水素から窒素へと切り換えて置換する。これにより、第１のｐコンタクト層１５１のＭｇは活性化され、第１のｐコンタクト層１５１はｐ型化する。次に、前工程の温度である７００℃を維持し、キャリアガスには窒素を用いてＭＯＣＶＤ法によって、第１のｐコンタクト層１５１上に、ＭｇがドープされたＩｎＧａＮである第２のｐコンタクト層１５２を形成する（図２（ｃ））。 （もっと読む）

【課題】ｐ型化合物半導体層の形成の際に、ｐ型不純物と水素の結合を遮断するｐ型化合物半導体層の形成方法を、提供する。
【解決手段】
ｐ型化合物半導体層の形成方法が開示される。この方法では、反応チェンバ内に、III族元素のソースガス、ｐ型不純物のソースガス、及び水素を含有する窒素のソースガスを供給し、ｐ型化合物半導体層を成長させる。また、ｐ型化合物半導体層の成長が完了した後、III族元素のソースガス及びｐ型不純物のソースガスの供給を中断し、基板の温度が４００〜９００℃である間に、水素を含有する窒素のソースガスの供給を中断及び排出し、冷却ガスで常温まで冷却させる。これにより、基板の温度を冷却させる過程で、ｐ型化合物半導体層に含まれたｐ型不純物に水素が結合することを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】過剰なエッチングを抑制するとともに半導体表面の突起物を除去する半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子の製造方法は、エッチストップ層１３及び複数の半導体層を含み、半導体光素子のための半導体積層１０を半導体基板１１の主面１１ａにエピタキシャル成長させる半導体積層成長工程と、半導体積層１０の最表面から突出する突起物の先端部が露出するように、最表面にマスク層を形成するマスク層形成工程と、マスク層を用いて、ウェットエッチングにより突起物をエッチングするウェットエッチング工程と、ウェットエッチングの後に、ドライエッチングにより突起物を除去するドライエッチング工程と、突起物を除去した後に、最表面からマスク層を除去するマスク層除去工程と、マスク層を除去した後に、半導体積層１０に半導体光素子のための加工を行う加工工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】低転位であり、特に、窒化物半導体基板に内在する応力を抑制させて、反りの少ない窒化物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】サファイア基板の（０００１）面上に、第１の窒化物半導体パターンを形成し、該第１の窒化物半導体パターンを成長核として第２の窒化物半導体層を成長させ、少なくとも前記サファイア基板を除去することを含む窒化物半導体基板の製造方法であって、第１の窒化物半導体パターンは、平面形状が三角形の複数の枠体によって形成され、該枠体の頂点のみを、隣接する枠体と共有するように規則的に配置されて構成される窒化物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】特定の一部の領域にのみ加工歪みが存在する場合であっても、短時間で容易に歪みを評価することのできる方法による評価の結果合格した窒化ガリウム基板、その窒化ガリウム基板を含む発光素子もしくは電界効果トランジスタ、及びそのガリウム基板上に結晶を成長させるエピタキシャル膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、窒化ガリウム基板１のバンドギャップに対応する波長のフォトルミネッセンスピーク強度を、窒化ガリウム基板１の表面の測定範囲３内において１ｍｍ×１ｍｍの正方形の測定領域２ごとに測定したときの、全測定領域２におけるフォトルミネッセンスピーク強度の最小値が平均値の４５％以上であり、測定領域２は測定範囲３内に隙間無く連続する、窒化ガリウム基板１が提供される。 （もっと読む）

【課題】成長用基板の剥離の際の半導体層の損傷を抑制した半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子用ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、凹凸が設けられた主面を有する第１基板の主面上に、発光層を含む窒化物半導体層を形成する工程と、窒化物半導体層と第２基板とを接合する工程と、第１基板を介して窒化物半導体層に光を照射して第１基板を窒化物半導体層から分離する工程と、を含む半導体発光素子の製造方法が提供される。窒化物半導体層を形成する工程は、凹凸の凹部の内壁面上に窒化物半導体層の少なくとも一部と同じ材料を含む薄膜を形成しつつ、凹部の内側の空間内に空洞を残すことを含む。分離する工程は、薄膜に光の少なくとも一部を吸収させて、窒化物半導体層のうちで凹部に対向する部分に照射される光の強度を、窒化物半導体層のうちで凹凸の凸部に対向する部分に照射される光の強度よりも低くすることを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成される、低転位密度で結晶品質が優れた窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、機能層と、を備えた窒化物半導体層が提供される。下地層は、シリコン基板の上に形成されたＡｌ含有窒化物半導体層の上に形成され、不純物濃度が低く、ＧａＮを含む。機能層は、下地層の上に設けられる。機能層は、下地層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有し第１導電形のＧａＮを含む第１半導体層を含む。Ａｌ含有窒化物半導体層は、多層構造体を含む。多層構造体は、Ａｌを含む窒化物半導体を含む複数の第２層と、複数の第２層の間に設けられ第２層におけるＡｌ組成比よりも低いＡｌ組成比を有する窒化物半導体を含む第１層と、を含む。下地層の厚さは、第１層の厚さよりも厚く、第１半導体層の厚さよりも薄い。 （もっと読む）

【課題】金属塩化物ガス濃度の安定性の向上と金属塩化物ガスの濃度変化の応答性の向上が図れる金属塩化物ガスの発生装置を提供する。
【解決手段】金属原料Ｍを収容する原料容器１と、原料容器１内に塩素系ガスを含む塩素系含有ガスＧ１を供給する、原料容器１に設けられたガス供給口２と、塩素系含有ガスＧ１に含まれる塩素系ガスと金属原料Ｍとの反応により生成される金属塩化物ガスを含む金属塩化物含有ガスＧ２を原料容器１外に排出する、原料容器１に設けられたガス排出口２と、原料容器１内の金属原料Ｍの上方の空間Ｓを仕切って、ガス供給口２からガス排出口３へと続くガス流路Ｐを形成する仕切板６とを備え、ガス流路Ｐは、ガス供給口２からガス排出口３へと至る一通りの経路Ｒとなるように形成され、ガス流路Ｐの水平方向の流路幅Ｗが５ｃｍ以下であり、且つガス流路Ｐには屈曲部Ｅを有する金属塩化物ガスの発生装置である。 （もっと読む）