【課題】各種条体が処理ヘッドの移動に支障を来たすのを防止し、更にパーティクルの発生を防止し、表面処理の品質を良好に保つ。
【解決手段】被処理物９を支持部３によって支持する。処理ヘッド１０の電極１１による電界印加で処理ガスをプラズマ化し、処理空間１５に供給し、被処理物９に接触させ、被処理物９を表面処理する。処理ヘッド１０を支持部３に対し支持面３ａに沿って移動させる。処理ヘッド１０に繋がる条体４１〜４４を条体収納筒３０に収容する。条体収納筒３０の湾曲部３３を処理空間１５より支持部３の側に配置する。 （もっと読む）

【課題】多結晶のＧａＮ結晶の成長を抑制できるＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、下地基板上に、開口部を有し、かつＳｉＯ₂よりなるマスク層が形成される（ステップＳ２）。そして、下地基板およびマスク層上に、ＧａＮ結晶が成長される（ステップＳ５）。マスク層の曲率半径が８ｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料および窒化物半導体デバイスを形成するための方法を提供する。
【解決手段】１つ以上の非極性（１１２０）ａ平面ＧａＮ層が、金属・有機化学気相成長ＭＯＣＶＤを使用して、ｒ平面（１１０２）サファイア基板上で成長される。これらの非極性（１１２０）ａ平面ＧａＮ層は、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを製造するためのテンプレートを備える。 （もっと読む）

【課題】多結晶のＧａＮ結晶の成長を抑制できるＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＧａＮ結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、レジストを用いて、下地基板上に開口部を有するマスク層が形成される（ステップＳ２）。そして、下地基板およびマスク層を酸性溶液が洗浄される（ステップＳ３）。そして、酸性溶液で洗浄するステップＳ３後に、下地基板およびマスク層を有機溶媒で洗浄される（ステップＳ４）。そして、下地基板およびマスク層上に、ＧａＮ結晶が成長される（ステップＳ５）。 （もっと読む）

【課題】高品位で且つ低コストな発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型基板２上に、少なくともｎ型クラッド層６、活性層８、ｐ型クラッド層を順次積層する化合物半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｎ型基板２として、ほぼ円形であるｎ型基板の直径を（ａ）、ｎ型基板の厚さを（ｂ）としたとき、（ｂ）／（ａ）が０．００４７以下であるｎ型基板を用いて作製したものである。 （もっと読む）

【課題】支持基板の上に結晶性及び平坦性が高い窒素とガリウムを含む半導体層を有する半導体ウェハを提供する。
【解決手段】支持基板１と、上面２ｂが少なくとも単結晶となっているIII族窒化物系半導体の第１の窒化物系半導体層２と、第１の窒化物系半導体層２の上面２ｂに設けられ、窒素とガリウムを含む第２の窒化物系半導体層３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 窒素を含有する酸化亜鉛膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 窒素及び酸素の混合ガスを、非平衡大気圧プラズマ化して反応性ガスとし、気化した有機亜鉛化合物と混合させ、該有機亜鉛化合物を分解し、基板上に堆積させる窒素含有酸化亜鉛膜の製造方法である。
本発明により製造した酸化亜鉛薄膜は、窒素を含有することでｐ型特性を実現する薄膜になりうる可能性がある。よって、これを用いてなる半導体製品は、酸化亜鉛が透明であることから、発光部材としての適用を期待できるものである。 （もっと読む）

【課題】製造効率に優れ、光損失が低減した異機能領域を有するモノリシック半導体光集積素子、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光集積素子は、同一基板４０１に一方向に連続して配列された互いに機能が異なる第一領域、第二領域、および第三領域を有し、基板４０１に、光導波路層と上部クラッド層とが順次積層された層構造を有し、上部クラッド層を含むリッジＲが形成され、光導波路層は、第一領域に設けられた光導波路層４０３、および、第二、第三領域にわたって設けられた光導波路層４０６で構成され、光導波路層４０３と光導波路層４０６とが第一領域と第二領域との界面において接合し、上部クラッド層は、第一、第二領域にわたって設けられた上部クラッド層４０９、および、第三領域に設けられた上部クラッド層４１２で構成され、上部クラッド層４０９と上部クラッド層４１２とが、第二領域と第三領域との界面において接合している。 （もっと読む）

【課題】 ハイドライド気相成長法を用いてＧａＰ電流拡散層を厚く形成する際にＧａＰ電流拡散層にピットが形成されることを抑制し、反りを生じた状態で研磨やダイシングなどの素子化加工を行った際に該ピットを基点とした割れ等を生じにくくする。
【解決手段】 ＧａＡｓ単結晶基板１上に、２種以上のＩＩＩ族元素を含む（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１，０＜ｙ≦１）にて構成される発光層部２４と、第一ＧａＰ層７ａとをこの順序にて有機金属気相成長法により形成する。そして、第一ＧａＰ７ａ層上に第二ＧａＰ層７をハイドライド気相成長法により形成する。第二ＧａＰ層７は、発光層部に近い側に位置するＧａＰ高速成長層７ｂと該ＧａＰ高速成長層７ｂに続くＧａＰ低速成長層７ｃとを有するものとして、ＧａＰ高速成長層７ｂを第一成長速度により、ＧａＰ低速成長層７ｃを第一成長速度よりも低い第二成長速度により、それぞれ成長する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の成膜有効面積の減少を回避し、サセプタへの反応ガスの侵入による膜厚の均一性を損なわず、かつサセプタのメンテナンスの頻度を低減し得るトレイ、気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】被処理基板２４を載置した状態で搬送され、サセプタ７上に載置される。表面に少なくとも一つの凹部２１ｃを有し、その凹部２１ｃ内に上記被処理基板２４が載置した状態で収納する基板載置プレート２１と、基板載置プレート２１を搬送するときに基板載置プレート２１の外周張出部２１ａを下側から保持する段差部２２ｂを備えたプレート搬送保持部材２２と、基板載置プレート２１の周辺部とプレート搬送保持部材２２における、基板載置プレート２１の周辺部からのはみ出し部分とを上から覆うカバープレート２３とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスに好適に用いられるＩＩＩ族窒化物結晶基板ならびにその基板を含む発光デバイスおよびその発光デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板は、面積が１０ｃｍ²以上の主面を有し、主面の外周からの距離が５ｍｍ以下の外周領域を除く主領域において、総転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以上５×１０⁵ｃｍ^-2以下であり、総転位密度に対する螺旋転位密度の比が０．５以上である。 （もっと読む）

【課題】活性化アニールを行うことなく、ｐ型ドーパントを含む窒化ガリウム系半導体を提供可能な、ｐ型窒化ガリウム系半導体を作製する方法を提供する。
【解決手段】支持体１３上に、ｐ型ドーパントを含むＧａＮ系半導体領域１７を成長炉１０で形成する。有機金属原料及びアンモニアを成長炉１０に供給して、ＧａＮ系半導体層１５上にＧａＮ系半導体層１７を成長する。このＧａＮ系半導体にはｐ型ドーパントが添加されており、ｐ型ドーパントとしては例えばマグネシウムである。ＧａＮ系半導体領域１５、１７の形成の後に、モノメチルアミン及びモノエチルアミンの少なくともいずれかを含む雰囲気１９を成長炉１０に形成する。雰囲気１９が提供された後に、ＧａＮ系半導体領域１７の成長温度から基板温度を下げる。成膜を完了して、基板温度を室温近傍まで低下させたとき、ｐ型ＧａＮ系半導体１７ａ及びエピタキシャルウエハＥの作製は完了している。 （もっと読む）

【課題】高純度で光学特性に優れた窒化アルミニウム単結晶基板を提供する。
【解決手段】無機ベース基板１１上に、第一の窒化アルミニウム単結晶層１２を成長させて、第一の積層体１５を製造し、第一の積層体１５から無機ベース基板１１を分離して窒化アルミニウム単結晶自立基板１６を準備する。前記窒化アルミニウム単結晶自立基板１６は、酸素濃度を、例えば、２．５×１０^１７ａｔｏｍ／ｃｍ^３を超え２．０×１０^１９ａｔｏｍ／ｃｍ^３以下とする。続いて、前記窒化アルミニウム単結晶自立基板１６の温度を１４００〜１９００℃の範囲に制御し、かつ、該窒化アルミニウム単結晶自立基板１６の窒素極性を有する面１４上に、ハロゲン化アルミニウムガス、および窒素源ガスを供給し、窒化アルミニウム単結晶層１７を成長させて積層体１８を製造し、該窒化アルミニウム単結晶自立基板１６を分離することにより、窒化アルミニウム単結晶基板１９を製造する。 （もっと読む）

【課題】ｎ型層の透光性などを悪化させることなしにｎ電極の接触抵抗が低減されたIII 族窒化物半導体発光素子を実現すること。
【解決手段】発光素子１のｎ型層１１は、サファイア基板１０上に第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２、第３ｎ型層１１３の順に積層された構造であり、Ｖ／Ａｌからなるｎ電極１６は第２ｎ型層１１２上に形成されている。第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２はｎ−ＧａＮであり、第３ｎ型層１１３はｎ−ＩｎＧａＮである。第２ｎ型層１１２のｎ型不純物濃度は、第１ｎ型層１１１、第３ｎ型層１１３のｎ型不純物濃度よりも高い。この構造によると、第２ｎ型層１１２が露出するまで正確にエッチングすることができ、ｎ型層１１の透光性などを悪化させることなくｎ電極１６の接触抵抗を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体発光素子のｐ型層の熱処理条件を緩和しつつ活性層中のＩｎを含む半導体層の結晶性を向上させたIII族窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】Ｉｎを含む半導体層を備える活性層の上にｐクラッド層を第１の温度（８００〜９００℃）で成長させ、その後、窒素ガスとアンモニアガスのみを流通させながら、第１の温度より高い第２の温度（９００〜１０００℃）で半導体の積層体を熱処理する。その後、ｐクラッド層の上にｐコンタクト層を第２の温度より低い第３の温度（８００〜９００℃）で成長させる。 （もっと読む）

【目的】
基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛系半導体結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れ、量産性に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法において、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、（ａ）２５０℃〜４５０℃の範囲内の第１の低成長温度及び１ｋＰａ〜３０ｋＰａの範囲内の低成長圧力で結晶成長を行って第１の単結晶層を形成するステップと、（ｂ）上記第１の低成長温度よりも高い第２の低成長温度及び上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第１の単結晶層上に第２の単結晶層を形成するステップと、（ｃ）高成長温度及び上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第２の単結晶層上に第３の単結晶層を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上にＧａＮ膜を形成することを可能にし、光デバイス、トランジスタなどの電子デバイスへの応用展開を工業的に提供可能にする化合物半導体積層体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｓｉ基板１上に、Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_zＮ（ｘ，ｙ，ｚ：０以上、１以下）である活性層２が直接形成されている。この活性層２とＳｉ基板１の単結晶層の界面にＡｓを含む物質が島状に存在している。Ｓｉ基板１は、バルク単結晶基板又は最上層がＳｉである薄膜基板である。 （もっと読む）

本開示は、ｎ型窒化物半導体層、ｐ型ドーパントにドーピングされたｐ型窒化物半導体層、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間に位置して、電子と正孔の再結合を通じて光を生成するように量子井戸層を具備する活性層、および、量子井戸層とｐ型窒化物半導体層の間で量子に接触するように位置して、ｐ型窒化物半導体層との界面が滑らかになるようにその表面を形成して、ｐ型ドーパントの量子井戸層での拡散を防止する拡散防止膜を含むことを特徴とする３族窒化物半導体発光素子に関するものである。
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【課題】励起子発光を実現し、整流特性に優れた半導体結晶微粒子薄膜、およびその成膜方法、および上記薄膜を含有する電界発光素子を提供する。
【解決手段】基板温度を２５０℃以下とした基板上に、ヘキサ−μ−アセタト−μ4−オキソ−四亜鉛粉末を原料に使用した反応性ＣＶＤ法により成膜してなる酸化亜鉛からなる半導体結晶微粒子薄膜であって、該結晶微粒子の数平均粒径が０．３〜２０．０ｎｍであり、かつ一定量のカルボン酸が亜鉛に配位している。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体領域の半極性主面上に、良好な発光特性を有する窒化物系半導体光素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０６では、成長炉１０の温度を温度Ｔ_Ｗに保ち、半極性主面２３ａ上に時刻ｔ４〜ｔ５の期間でＩｎ_ＸＧａ_１−ＸＮ井戸層２５ａを成長する。工程Ｓ１０７では、井戸層２５ａの成長完了の直後に、温度Ｔ_Ｗで、井戸層２５ａの主面を覆う保護層２７ａの成長を開始する。保護層２７ａは、井戸層２５ａのバンドギャップエネルギより大きく障壁層２３のバンドギャップエネルギ以下の窒化ガリウム系半導体からなる。工程Ｓ１０８では、障壁層を成長する前に成長温度Ｔ_Ｗから成長温度Ｔ_Ｂに成長炉１０の温度を変更する。成長炉１０の温度を成長温度Ｔ_Ｂに保ちながら、時刻ｔ８〜ｔ９で、窒化ガリウム系半導体からなる障壁層２９ａを保護層２７ａ上に成長する。 （もっと読む）