テルル化カドミウム水銀（ＣＭＴ）を製造する方法が開示される。方法は、分子ビームエピタキシ（ＭＢＥ）によって１つまたは複数のバッファ層を基板上に成長させることを含む。その後、ｘを０と１を含めて、その間としてテルル化カドミウム水銀Ｈｇ_１−ｘＣｄ_ｘＴｅの少なくとも１つの層が、有機金属気相エピタキシ（ＭＯＶＰＥ）によって成長される。バッファ層を成長させるためにＭＢＥを使用することにより、ある範囲の基板がＣＭＴ成長に使用されることが可能になる。ＭＢＥバッファ層は、ＣＭＴの後続のＭＯＶＰＥ成長について正確な配向を提供し、また、ＭＯＶＰＥ中のＣＭＴの化学汚染および基板の侵食を防止する。方法は、ＣＭＴ層のデバイス処理が、結晶ＣＭＴ層および／またはパッシベーション層の他のＭＯＶＰＥ成長と共に実施されることをも可能である。本発明は、この方法によって形成される新規なデバイスにも関する。
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エピタキシャル炭化ケイ素層が、結晶学的方向に向かってオフアクシスに方向付けられた炭化ケイ素基板の表面内に形態を形成することによって作製される。これらの形態は、結晶学的方向に対して非平行（すなわち、斜めまたは直角）に方向付けられた少なくとも１つの側壁を備える。次いで、エピタキシャル炭化ケイ素層が、形態を備える炭化ケイ素基板の表面上に成長される。
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第１ステージと第２ステージとを有する、ツリーの形態を持つナノ構造を形成する方法。第１ステージは、基板表面上に少なくとも１つの触媒粒子を供給し、かつ、各触媒粒子を介して第１ナノウィスカーを成長させる工程を含む。第２ステージは、各第１ナノウィスカーの周囲に、１つ以上の第２触媒粒子を供給し、各第１ナノウィスカーの周囲から横方向に伸びる第２ナノウィスカーを成長させる工程を含む。更なるステージは、以前のステージのナノウィスカーから伸びる１つ以上のさらなるナノウィスカーを成長させる工程を含み得る。ヘテロ構造は、ナノウィスカー中に形成され得る。このようなナノ構造は、太陽電池アレイまたは光放出フラットパネルのコンポーネントを形成し得る。その構造において、ナノウィスカーは光電性材料から形成される。神経ネットワークは、複数の第１ナノウィスカーを近くに一緒に配置し、連続するステージで成長したナノウィスカーを通して隣接するツリーが互いに接触し、ナノウィスカー内のヘテロ結合が電流の流れに対してトンネル障壁を形成するようにすることによって、形成され得る。
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【数１】


方向または
【数２】


方向に主に向かう＜０００１＞方向から、約０．２〜約１０度の範囲のオフカット角度でオフカットされた（０００１）表面を含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物、例えばＧａＮ基板。表面が５０×５０μｍ^２ＡＦＭ走査により測定された１ｎｍ未満のＲＭＳ粗さと、３Ｅ６ｃｍ^−２未満の転位密度とを有する。この基板は相当するブールまたはウェハブランクのオフカットスライスにより、オフカットラッピングまたは相当する微傾斜へテロエピタキシャル基板、例えばオフカットサファイア上の基板本体の成長により形成することができる。この基板はＩＩＩ−Ｖ族窒化物系超小型電子および光電子デバイスの作製におけるホモエピタキシャル蒸着に有用に用いられる。
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高い熱伝導率の金属マトリックスを含む非連続なダイヤモンド粒子、およびこれらの複合材料を製造する方法が提供される。この製造方法は、ダイヤモンド粒子上に、拡散して結合され、機能的に勾配を有するインタラクティブＳｉＣ表面層が形成される薄層反応を含む。インタラクティブ表面転化ＳｉＣコーティングされたダイヤモンド粒子は、ついで型内に配置され、加圧下に、粒子間で急速に個体化される。ダイヤモンド粒子上の表面転化インタラクティブＳｉＣコーティングは、金属マトリックスと最小の界面熱抵抗、良好な機械的強度および複合材料の剛性を与え、複合材料の理論的な熱伝導率に近いレベルを達成する。ダイヤモンド金属複合材料は二次的に薄いシート製品を製造するために使用することができる。 （もっと読む）

本発明は、ＩＩＩ族窒化物の自立基板の作製に関するものである。本発明は、より詳細には、エピタキシによって初期基板からＩＩＩ族窒化物、とくに窒化ガリウム（ＧａＮ）の自立基板を実現する方法であって、ＩＩＩ族窒化物のエピタキシ工程の際に自然に蒸発させるための犠牲層として、単結晶珪素ベースの中間層の蒸着を含むことを特徴とする方法を対象とする。この方法はとくに、平坦で直径が２”を超えるＩＩＩ族窒化物自立基板を得ることを可能にする。 （もっと読む）