窒化物半導体基板の製造方法
【課題】低転位であり、特に、窒化物半導体基板に内在する応力を抑制させて、反りの少ない窒化物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】サファイア基板の（０００１）面上に、第１の窒化物半導体パターンを形成し、該第１の窒化物半導体パターンを成長核として第２の窒化物半導体層を成長させ、少なくとも前記サファイア基板を除去することを含む窒化物半導体基板の製造方法であって、第１の窒化物半導体パターンは、平面形状が三角形の複数の枠体によって形成され、該枠体の頂点のみを、隣接する枠体と共有するように規則的に配置されて構成される窒化物半導体基板の製造方法。
【解決手段】サファイア基板の（０００１）面上に、第１の窒化物半導体パターンを形成し、該第１の窒化物半導体パターンを成長核として第２の窒化物半導体層を成長させ、少なくとも前記サファイア基板を除去することを含む窒化物半導体基板の製造方法であって、第１の窒化物半導体パターンは、平面形状が三角形の複数の枠体によって形成され、該枠体の頂点のみを、隣接する枠体と共有するように規則的に配置されて構成される窒化物半導体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体基板の製造方法に関し、より詳細には、転位かつ反りを低減した窒化物半導体基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＬＥＤ、ＬＤ等の発光素子又は電子デバイスを形成するために利用され、一般式ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される窒化物半導体は、バルク単結晶を得るのが困難であることが知られている。そのため、サファイア、炭化ケイ素、スピネル、シリコンのような窒化物半導体と異なる異種基板上に、窒化物半導体を、低転位欠陥で、成長させる研究が種々検討されている（例えば、特許文献１及び２等）。
このような方法により、転位欠陥を低減させるために、種々の材料及び形状のパターンを異種基板上に形成し、その上に窒化物半導体層を成長させることにより（１１−２２）面を形成し、さらに、成長を続けて、面同士を接合させる。
【０００３】
しかし、窒化物半導体層の面接合部には転位が発生する。例えば、ストライプ状のパターンを用いる場合には、基板上において、直線的に生じる接合面に沿って転位が発生することとなるため、転位欠陥を低減させるには限界がある。
また、異種基板と窒化物半導体との、格子定数、熱膨張係数差等から、窒化物半導体層内に応力が発生し、窒化物半導体層を異種基板から切り離して、フリースタンディングの状態とした時に、反りが発生するという問題もある。
【０００４】
さらに、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、正三角形又は正六角形の開口を配列したパターンを用いる場合（例えば、特許文献３）においても、窒化物半導体層の接合面に沿って（つまり、正三角形又は正六角形の交差する頂点部に）発生する転位に起因する転位欠陥を低減させるには至っていない。
【特許文献１】特開平１１−１９１６５７号公報
【特許文献２】特開２００１−１０２３０７号公報
【特許文献３】特開２０００−２２３４１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
素子を成長させるために用いる窒化物半導体基板には、低転位であって、かつ基板に内在する応力が抑制されたものが要求される。
しかし、このような要求に応える窒化物半導体基板は実用化されていないのが現状である。
本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであり、低転位であり、特に、窒化物半導体基板に内在する応力を抑制させて、反りの少ない窒化物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の窒化物半導体基板の製造方法は、基板上に第１の窒化物半導体を成長させ、該第１の窒化物半導体に、（１１−２０）面と等価である面で囲まれ、平面形状において相似である２以上の凹部を有するパターンを形成し、該第１の窒化物半導体パターンにおける（１１−２０）面と等価である面を成長核として第２の窒化物半導体層を成長させることを含むか、あるいは、基板上に、第１の窒化物半導体パターンを形成し、該第１の窒化物半導体パターンを成長核として第２の窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体基板の製造方法であって、第１の窒化物半導体パターンは、平面形状が略正三角形の複数の枠体によって形成され、該枠体の頂点のみを隣接する枠体と共有するように規則的に配置されて構成されることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の窒化物半導体基板は、基板上に、（１１−２０）面と等価である面で囲まれ、平面形状において相似である２以上の凹部を有するパターンが形成された第１の窒化物半導体と、該第１の窒化物半導体上に形成された第２の窒化物半導体層とを有するか、基板上に、第１の窒化物半導体パターンと、該第１の窒化物半導体パターン上に形成された第２の窒化物半導体層とを有する窒化物半導体基板であって、第１の窒化物半導体パターンは、平面形状が略正三角形の複数の枠体によって形成され、該枠体の頂点のみを、隣接する枠体と共有するように規則的に配置されて構成される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、転位を低減させることができ、さらに、窒化物半導体基板に内在する応力を分散させて基板の反りを制御、つまり、反りを緩和したり、反対方向に反らせたりすることができる。このような窒化物半導体基板上に成長させた素子の特性は良好とすることができ、チップ化も容易にすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の窒化物半導体基板の製造方法は、主として、基板上に、所定形状のパターンを有する第１の窒化物半導体層を成長させ、次いで、この第１の窒化物半導体層を成長核として、第２の窒化物半導体層を成長させることを含む。
【００１０】
本発明において用いる基板としては、窒化物半導体を成長させることが可能な基板であればよく、例えば、Ｃ面、Ｒ面、及びＡ面のいずれかを主面とするサファイア、シリコン、ＳｉＣ又はＧａＡｓ、ＺｎＳ、ＺｎＯ等が挙げられる。なかでも、サファイア基板が好ましい。なお、基板には１０°以下、さらに０．１°〜１°のオフ角が形成されていることが好ましい。
【００１１】
例えば、サファイアであれば窒化物半導体を成長させる面を（０００１）面とする。これにより窒化物半導体も（０００１）面成長することができるため、第１の窒化物半導体層に（１１−２０）面と等価である面を容易に形成することができる。また、サファイアの（０００１）面以外に（１１−２０）面や（１−１００）面を窒化物半導体を成長させる面としてもよい。
【００１２】
まず、基板上に、第１の窒化物半導体層によるパターンを形成する。
本発明における第１の窒化物半導体層は、式ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される窒化物半導体からなる層を意味する。これに加えて、III族元素としてＢを一部に有してもよいし、Ｖ族元素としてＮの一部をＰ、Ａｓで置換したものであってもよい。また、この窒化物半導体層はｉ型として成長させてもよいし、ｎ型不純物として、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ、Ｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＣｄなどのＩＶ族元素、あるいはＶＩ族元素等のいずれか１以上を含有していてもよいし、ｐ型不純物として、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｓｒ等を含有していてもよい。不純物を含有させる場合には、その濃度は、例えば、５×１０16／ｃｍ3以上、１×１０21／ｃｍ3以下の範囲とすることが適当である。
【００１３】
窒化物半導体の成長方法は、特に限定されないが、例えば、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）など、窒化物半導体の成長方法として知られている全ての方法を好適に用いることができる。なお、窒化物半導体は、種々の窒化物半導体の成長方法を使用目的により適宜選択して成長させることが好ましい。なかでも、ＭＯＣＶＤは、窒化物半導体を結晶性良く成長させることができるので、好ましい。具体的には、９５０〜１２００℃程度の高温下、第１の窒化物半導体層を構成する元素を含むガス（例えば、アンモニアガス、ＴＭＧガス等）を、所定の流量で供給する方法が挙げられる。第１の窒化物半導体層は、例えば、５μｍ以下の膜厚とすることが好ましい。これにより、第１の窒化物半導体層から成長させる、後述の第２の窒化物半導体層のファセット成長を容易かつ確実に行わせることができる。
【００１４】
パターンの形成は、当該分野で公知の方法、例えば、フォトリソグラフィ及びエッチング工程によって形成することができる。具体的には、ＣＶＤ法により、酸化シリコンを成膜し、この上にレジストを塗布し、所定形状のパターンを露光する。その後、現像処理を行ってレジストを所定のパターン形状に形成する。このレジストパターンを用いて、酸化シリコンをエッチングし、さらに、第１の窒化物半導体層をエッチングすることにより、第１の窒化物半導体層を所定の形状の凸部と凹部とを有するパターンにパターニングすることができる。なお、ここで凹部とは、凸部よりも膜厚が小さければよいが、第１の窒化物半導体層が存在しない部分であることが好ましい。また、凸部の上面は（０００１）面と等価である面である。凹部の底面に第１の窒化物半導体層が存在する場合には、この面は特に限定されないが、例えば（０００１）面と等価である面である。
【００１５】
パターンは、第１の窒化物半導体層に（１１−２０）面と等価である面で囲まれたものとして形成する。ここで、（１１−２０）面と等価である面とは、いわゆるＡ面を意味し、（１１−２０）面のほか、（１−２１０）、（−２１１０）が挙げられる。（１１−２０）面と等価である面で囲まれるとは、例えば、このパターンの縦断面形状、つまり基板表面に垂直な方向の断面形状が略四角形で、その縦断面形状の側面が（１１−２０）面と等価である面となるように形成されていることを意味する。単にＡ面を成長面の一部とする第１の窒化物半導体層を形成するのではなく、本願発明の上記パターンを形成することにより、後述する第２の窒化物半導体層を容易にファセット成長させることが可能となる。また、転位を有効に低減することができる。
【００１６】
また、別の観点から、パターンの平面形状は、相似である２以上の凹部を有する形状、相似である２以上の凹部が三角形である形状、三角形を形作る複数のパターンがマトリクス状に配置された形状、凸形状のパターンに内周と外周とを有する形状、この内周と外周とが相似である形状、この内周と外周とが正三角形である形状、特に、三角形を形作る複数のパターンに内周と外周とを有する形状であることが適している。ここで、三角形を形作るパターンの側面、内周及び外周を形作るパターンの側面は、いずれも、上述したように、（１１−２０）面と等価である面で形成されていることが適している。また、相似である２以上の凹部、並びに、相似である内周と外周とは、例えば、１５０〜５０％の間で大きさが異なることが適当である。
【００１７】
さらに言い換えると、パターンは、図１に示すように、一単位が、平面形状において、複数の略正三角形の枠体１１によって形成され、それらの頂点Ｐのみを、隣接する枠体１１と共有するように規則的に配置されて構成されるか、あるいは、それら複数の略正三角形の三つの頂点がそれぞれ同一方向に向いて配置され（さらに、複数の正三角形の各辺が直線状に配列するように配置され）、かつ、隣接する略正三角形の枠体と頂点のみで接触して構成される。なお、この枠体は、凸状に形成されていることが好ましい。これらの場合、３つの略正三角形の枠体に包囲されて、枠体の外周形状と略同じ形状の凹部が形成されてなることが好ましい。パターン（枠体）の全ての一単位は、図１に示したように、パターンを構成する基本形状（例えば、三角形状又は正三角形状）と同じ形状であり、かつそれぞれ同じ形状となる。これは、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、三角形状又は六角形状の枠体の各単位が、隣接する枠体とそれぞれその一部を共有するため、その一単位の形状（例えば、図６（ａ）及び（ｂ）中、破線内Ｘ及びＹ）を取り出した場合に、それに隣接する一単位の形状（ＸX及びＹY）が、必ずしも基本形状とは同じ形状とならず、かつそれぞれが同じ形状でないことと相違する。ここで、「頂点のみでの接触」とは、厳密には接触する領域は「点」を意味するが、パターンの形成方法、その精度等を考慮して、若干のずれがあってもよい。このずれは、例えば、後述する枠の太さの１／２以下を直径とする略円形の領域又は一辺とする多角形の領域、さらに、１／３以下、１／４以下、１／５以下、１／８以下、１／１０以下を直径（又は一辺）とする領域である、言い換えると、隣接する枠体（枠自体）の中心線が交差しない程度であることが例示される。
【００１８】
ここで、三角形とは、好ましくは正三角形又は略正三角形であり、三角形の一辺の長さは、４０〜１００μｍ程度が適当であり、５０〜７０μｍ程度がより好ましく、６０μｍ前後がさらに好ましい。また、枠体、つまり、内周と外周とを有する場合は、外周における一辺の長さが上述した範囲が適当である。さらに、内周と外周とを有する場合は、内周における一辺の長さは、２０〜６０μｍ程度、４０〜５５μｍ程度がより好ましい。つまり、三角形の枠体の枠の太さ（図１中、ｔ）は、１０μｍ以下、好ましくは１〜５μｍ程度である。また、頂点部分の枠の太さ（図１中、（Ｂ−Ａ）／２）は、１０μｍ以下、好ましくは１．５〜６μｍ程度である。これにより、後述する第２の窒化物半導体層の成長時間を短縮し、得られる窒化物半導体基板の転位欠陥の密度を最小限に抑えることができる。加えて、フリースタンディング状態にした場合の基板の反りを最小限にすることができる。言い換えると、後述するように、ＬＥＤ、ＬＤ等の素子を構成する半導体層を積層した後の反りを最小限にすることができる。
【００１９】
このパターンは、規則的に、一様に配列されていることが好ましい。これにより、転位欠陥の高密度部分を規則的に、かつ最小限の面積とすることができる。また、パターンにおける三角形状、特に三角形の枠体は、隣接する三角形の枠体と、各頂点でのみ接触し、辺を共有せず又は辺で接触しないように配置されている。言い換えると、三角形の枠体は、頂点部分は若干枠体の幅が太くなるか又はほとんど太くならず、ほとんどの部分において、略均一な太さを有している。このように、成長核である第１の窒化物半導体層の面積を最小限に止めることにより、後述する第２の窒化物半導体層の成長において、ファセット成長、つまり（１１−２２）面と等価である面を成長面として成長させた場合に、第２の窒化物半導体層に転位が伝播することを抑止することができる。また、第１の窒化物半導体パターンを上述した形状とすることでファセット形成時に転位を止めることができる。そのため、パターン（例えば、三角形）の中心に対応する点にのみ転位を集中させることができ、六角形状等のパターンに比べて、より低転位化が可能となる。
【００２０】
なお、本発明においては、第１の窒化物半導体パターンを形成する前に、窒化物半導体層によるバッファ層、中間層等を形成してもよい。このようなバッファ層としては、いわゆる低温バッファ層と呼ばれるもの等が該当する。例えば、このような層は、４５０〜６００℃程度の低温下、得ようとする窒化物半導体層を構成する元素を含むガス（例えば、アンモニアガス、ＴＭＧガス等）を、所定の流量で供給する方法が挙げられる。例えば、このような層は、膜厚０．１μｍ以下が適当である。
【００２１】
また、本発明においては、第１の窒化物半導体層を形成した後、露出した基板表面を、例えば、酸化シリコン、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、窒化ケイ素、これらの多層膜又は１２００℃以上の融点の高融点金属（例えば、タングステン、モリブデン等）によって被覆してもよい。つまり、後述する第２の窒化物半導体層を、酸化シリコンと第１の窒化物半導体層との表面に成長させてもよい。このように酸化シリコンを被覆する方法は、第１の窒化物半導体パターンを含む基板上全面に酸化シリコンを所定厚さで形成し、当該分野で公知のエッチング法を用いて、第１の窒化物半導体パターン上の酸化シリコンのみをエッチングする方法が挙げられる。保護膜の形成方法としては、ＣＶＤ、スパッタリング及び蒸着法が挙げられる。保護膜を除去する方法には、ドライエッチング又はウェットエッチングを用いることができ、どちらの方法も窒化物半導体の結晶性を低下させることなく保護膜を除去することができる。さらに、ドライエッチングは、保護膜を除去する深さを簡単に制御することができる。
【００２２】
所定形状にパターニングされた第１の窒化物半導体パターンの上に、第２の窒化物半導体層を成長させる。第２の窒化物半導体層の成長方法は、上述した第１の窒化物半導体層の成長方法と同様のものが挙げられる。ただし、第１の窒化物半導体パターンが形成されているために、第２の窒化物半導体層は、第１の窒化物半導体パターンにおける（１１−２０）面と等価である面を成長核として成長することとなり、第１の窒化物半導体パターンの中央を頂点とする、いわゆるファセット成長により成長させることができる。ここでファセット成長とは、当初の又は本来の窒化物半導体層の成長方向とは異なる方向に成長することを意味する。通常、ｃ面とは異なる面、好ましくは（１１−２２）面で窒化物半導体層が成長することである。
【００２３】
第２の窒化物半導体層の成長を続けることで、いわゆるファセット成長面が徐々に平坦な面へと変化する。この際、第２の窒化物半導体層において、ファセット成長の頂点で転移の進行を有効に阻止することができる（図２（ｂ）参照）。また、隣接するファセット成長面同士が接合される部分で、空洞を構成する（図２（ｅ）参照）又は接合面が密着することによって、貫通転移が存在したとしてもあるいは貫通転移が新たに発生したとしても、その空洞又は接合した点の直上にのみ貫通転位が進行することとなる。最終的に、平坦で、基板表面に水平、つまり、いわゆるｃ面方向を全面に成長させることができる。なお、第２の窒化物半導体に上記パターンを形成して、新たに第３の窒化物半導体を再成長させてもよい。これによりさらに転位を低減することができる。第２の窒化物半導体層の膜厚は、例えば、５０μｍ以上、好ましくは１００μｍ以上である。この膜厚があれば、基板剥離を容易に行うことができる。
【００２４】
上述したように、基板上に、第１の窒化物半導体層のパターンと、第２の窒化物半導体層とを形成した窒化物半導体基板は、光学的顕微鏡等による裏面観察、この基板の上に素子が形成されている場合には電極等を除去した表面観察、断面観察等、種々の方法により、ファセット成長、成長面の接合面及び／又は転位の方向等を観察することにより、上述した所定形状の第１の窒化物半導体層によるパターンを用いて形成したものであると判断することができる。
【００２５】
なお、第２の窒化物半導体層を形成した後、基板を除去することが好ましい。これにより、フリースタンディングの窒化物半導体基板を得ることができる。基板の除去の方法は、当該分野で公知の方法のいずれを利用してもよい。例えば、研磨、エッチング、レーザ照射等により除去することができる。この際、基板のみならず、任意に、上述したバッファ層、中間層、第１の窒化物半導体層、さらに第２の窒化物半導体層の一部を除去してもよい。また、上述した観察によって、所定形状の第１の窒化物半導体層によるパターンを用いて形成した層であることを認識できる層を完全に除去してもよい。
【００２６】
このようにして得られたフリースタンディングの窒化物半導体基板（つまり、少なくとも窒化物半導体層の成膜のために使用した基板を除去したもの）は、通常、マイナス方向に反り（表に凸）が生じる。この場合の反りは、例えば、−３００μｍ程度以下が適している。これにより、ＬＥＤ及びＬＤ等を構成する半導体層がこの窒化物半導体基板上に積層された場合に、窒化物半導体層自体の反りをこの基板によって相殺又は緩和することができる。
【００２７】
以下に、本発明の窒化物半導体基板の製造方法の実施例を詳細に説明する。
実施例
Ｃ面を主面とし、オリフラ面をＡ面とし、約０．５°のオフ角を有するサファイア基板を準備した。
このサファイア基板上に、ＭＯＣＶＤ装置を用いて、５００℃にて、キャリアガスとして水素、原料ガスとして、ＮＨ3を８ｓｌｍ、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）を３５μｍｏｌ／分で供給しながら、３分間、バッファ層を成長させた。得られたバッファ層の膜厚は０．０２μｍであった。
【００２８】
次に、上記と同様に、１１００℃にて、ＮＨ3を４ｓｌｍ、ＴＭＧを２３０μｍｏｌ／分供給しながら、６０分間、第１の窒化物半導体であるＧａＮを成長させた。得られたＧａＮ層の膜厚は２μｍであった。
【００２９】
次いで、このＧａＮ層の上に、ＣＶＤ装置を用いて、膜厚１μｍでＳｉＯ2膜を成膜した。その上にレジストを塗布し、ステッパにより、マスクパターンを露光した。その後、レジストの現像処理を行い、ドライエッチングにより、ＳｉＯ2膜、続いて、第１の窒化物半導体層であるＧａＮ層をエッチングした。残留したＳｉＯ2膜を除去することにより、図２（ａ）に示すように、基板１４上に、図１に示す形状のＧａＮ層からなるパターン１０を形成した。
【００３０】
このパターン１０は、凸形状の正三角形の枠体１１が均一に配列している。言い換えると、平面形状において相似である２つの凹部Ｑ、Ｗを有する。全ての正三角形の枠体１１は、３つの頂点が、それぞれ同じ方向に向いて配置している。正三角形の外周の一辺の長さＢは約６０μｍ、内周の一辺の長さＡは約５０μｍ、枠体の幅ｔは約３μｍとした。このパターン１０では、隣接する三角形の枠体１１とは、頂点Ｐのみで点接触している。つまり、３つの三角形の枠体１１が、頂点Ｐのみで点接触している。さらに言い換えると、平面形状において、３つの正三角形の枠体１１に包囲されて、枠体１１の外周形状と略同じ形状の凹部Ｑが形成されている。
【００３１】
次に、図２（ｂ）に示すように、この第１の窒化物半導体によるパターン１０を成長核として、上記と同様に、１０００℃にて、ＮＨ3を４ｓｌｍ、ＴＭＧを６０μｍｏｌ／分供給しながら、６時間、第２の窒化物半導体層１２であるＧａＮを成長させた。このとき、パターン１０を成長核とすることにより、第２の窒化物半導体層１２は、ファセット面、つまり（１１−２２）面と等価である面を形成するように成長した。この際、貫通転位の進行がファセット面の頂点で阻止される。
【００３２】
引き続き、１１００℃にて、ＮＨ3を４ｓｌｍ、ＴＭＧを２００μｍｏｌ／分供給しながら、１２時間、ＧａＮを成長させることにより、図２（ｃ）及び（ｄ）に示すように、徐々に第２の窒化物半導体層１２の表面がｃ面に変化しながら、ファセット面が成長し、最終的に、図２（ｅ）に示すように、接合部分において空洞１３を形成しながら、平坦な面が得られた。
【００３３】
その後、裏面側からレーザを照射することにより、サファイア基板を除去し、膜厚１５０μｍの窒化物半導体基板を得た。
得られた窒化物半導体基板について、転位密度と反りを測定するとともに、ＣＬ（カソードルミネセンス）像を撮影した。
【００３４】
なお、比較のために、第１の窒化物半導体層によるパターン形状を、線幅１０μｍ、ピッチ２０μｍのストライプ状としたもの、図６（ｂ）に示すように、正六角形のパターンを隣接する正六角形のパターンとの距離を５０μｍで規則正しく配置したものとする以外、上記実施例と同様にして、窒化物半導体基板を形成した。
それらの結果を表１に示す。また、ＣＬ像は、実施例のものを図３、ストライプ状のパターンを用いたものを図４、正六角形のパターンを用いたものを図５に示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】
表１から明らかなように、パターンが、ストライプ状である場合には、ファセット結合が線状で行われるために、転位が直線状に、連続的に発生し、十分な低転位化が図れなかった。また、基板を剥離後の反りが増大した。
また、六角形形状のパターンでは、基板剥離後の反りは減少するが、六角形の頂点にそれぞれ貫通転位が発生するために、ストライプ状のものよりも転位が少ないものの、やはり、十分な低転位化が図れなかった。
【００３７】
一方、実施例１のパターンでは、横方向成長のためのファセット成長を等方的に結合させることができ、これにより、結合が、例えば、三角形の枠体の中心点に集中することにより、貫通転位が存在するとしても、その転位自体が三角形の枠体の中心点に集中することとなり、低転位化を十分に図ることができた。また、基板剥離後の反りも、ゼロからマイナス方向への反り（表に凸）を実現することができた。
【００３８】
これにより、このような基板上に、窒化物半導体層（例えば、３０〜１０００μｍ程度、好ましくは１００〜９００μｍ程度）を積層して、ＬＥＤ、ＬＤ等の半導体素子を形成する場合、窒化物半導体層自体の反りをこの基板によって相殺又は緩和することができるため、基板自体の形状安定性が良好となり、あるいは基板上に形成された半導体素子のハンドリング、安定性を改善し、半導体素子のチップ化等の工程の歩留まりを向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明の窒化物半導体基板の製造方法は、窒化物半導体を用いる全ての半導体装置の製造に用いることが適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の窒化物半導体基板の製造方法で用いるパターンを示す平面図である。
【図２】図１のパターンのｃ−ｃ'線断面図であり、このパターン上に第２窒化物半導体層を成長させた場合の窒化物半導体層の断面図である。
【図３】実施例のパターンを用いて形成された窒化物半導体基板表面のＣＬ像を示す写真である。
【図４】比較例のストライプ形状のパターンを用いて形成された窒化物半導体基板表面のＣＬ像を示す写真である。
【図５】別の比較例の正六角形のパターンを用いて形成された窒化物半導体基板表面のＣＬ像を示す写真である。
【図６】従来のパターンの平面図を示す図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０ パターン（第１の窒化物半導体パターン）
１１ 枠体
１２ 第２の窒化物半導体層
１３ 空洞
１４ 基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体基板の製造方法に関し、より詳細には、転位かつ反りを低減した窒化物半導体基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＬＥＤ、ＬＤ等の発光素子又は電子デバイスを形成するために利用され、一般式ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される窒化物半導体は、バルク単結晶を得るのが困難であることが知られている。そのため、サファイア、炭化ケイ素、スピネル、シリコンのような窒化物半導体と異なる異種基板上に、窒化物半導体を、低転位欠陥で、成長させる研究が種々検討されている（例えば、特許文献１及び２等）。
このような方法により、転位欠陥を低減させるために、種々の材料及び形状のパターンを異種基板上に形成し、その上に窒化物半導体層を成長させることにより（１１−２２）面を形成し、さらに、成長を続けて、面同士を接合させる。
【０００３】
しかし、窒化物半導体層の面接合部には転位が発生する。例えば、ストライプ状のパターンを用いる場合には、基板上において、直線的に生じる接合面に沿って転位が発生することとなるため、転位欠陥を低減させるには限界がある。
また、異種基板と窒化物半導体との、格子定数、熱膨張係数差等から、窒化物半導体層内に応力が発生し、窒化物半導体層を異種基板から切り離して、フリースタンディングの状態とした時に、反りが発生するという問題もある。
【０００４】
さらに、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、正三角形又は正六角形の開口を配列したパターンを用いる場合（例えば、特許文献３）においても、窒化物半導体層の接合面に沿って（つまり、正三角形又は正六角形の交差する頂点部に）発生する転位に起因する転位欠陥を低減させるには至っていない。
【特許文献１】特開平１１−１９１６５７号公報
【特許文献２】特開２００１−１０２３０７号公報
【特許文献３】特開２０００−２２３４１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
素子を成長させるために用いる窒化物半導体基板には、低転位であって、かつ基板に内在する応力が抑制されたものが要求される。
しかし、このような要求に応える窒化物半導体基板は実用化されていないのが現状である。
本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであり、低転位であり、特に、窒化物半導体基板に内在する応力を抑制させて、反りの少ない窒化物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の窒化物半導体基板の製造方法は、基板上に第１の窒化物半導体を成長させ、該第１の窒化物半導体に、（１１−２０）面と等価である面で囲まれ、平面形状において相似である２以上の凹部を有するパターンを形成し、該第１の窒化物半導体パターンにおける（１１−２０）面と等価である面を成長核として第２の窒化物半導体層を成長させることを含むか、あるいは、基板上に、第１の窒化物半導体パターンを形成し、該第１の窒化物半導体パターンを成長核として第２の窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体基板の製造方法であって、第１の窒化物半導体パターンは、平面形状が略正三角形の複数の枠体によって形成され、該枠体の頂点のみを隣接する枠体と共有するように規則的に配置されて構成されることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の窒化物半導体基板は、基板上に、（１１−２０）面と等価である面で囲まれ、平面形状において相似である２以上の凹部を有するパターンが形成された第１の窒化物半導体と、該第１の窒化物半導体上に形成された第２の窒化物半導体層とを有するか、基板上に、第１の窒化物半導体パターンと、該第１の窒化物半導体パターン上に形成された第２の窒化物半導体層とを有する窒化物半導体基板であって、第１の窒化物半導体パターンは、平面形状が略正三角形の複数の枠体によって形成され、該枠体の頂点のみを、隣接する枠体と共有するように規則的に配置されて構成される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、転位を低減させることができ、さらに、窒化物半導体基板に内在する応力を分散させて基板の反りを制御、つまり、反りを緩和したり、反対方向に反らせたりすることができる。このような窒化物半導体基板上に成長させた素子の特性は良好とすることができ、チップ化も容易にすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の窒化物半導体基板の製造方法は、主として、基板上に、所定形状のパターンを有する第１の窒化物半導体層を成長させ、次いで、この第１の窒化物半導体層を成長核として、第２の窒化物半導体層を成長させることを含む。
【００１０】
本発明において用いる基板としては、窒化物半導体を成長させることが可能な基板であればよく、例えば、Ｃ面、Ｒ面、及びＡ面のいずれかを主面とするサファイア、シリコン、ＳｉＣ又はＧａＡｓ、ＺｎＳ、ＺｎＯ等が挙げられる。なかでも、サファイア基板が好ましい。なお、基板には１０°以下、さらに０．１°〜１°のオフ角が形成されていることが好ましい。
【００１１】
例えば、サファイアであれば窒化物半導体を成長させる面を（０００１）面とする。これにより窒化物半導体も（０００１）面成長することができるため、第１の窒化物半導体層に（１１−２０）面と等価である面を容易に形成することができる。また、サファイアの（０００１）面以外に（１１−２０）面や（１−１００）面を窒化物半導体を成長させる面としてもよい。
【００１２】
まず、基板上に、第１の窒化物半導体層によるパターンを形成する。
本発明における第１の窒化物半導体層は、式ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される窒化物半導体からなる層を意味する。これに加えて、III族元素としてＢを一部に有してもよいし、Ｖ族元素としてＮの一部をＰ、Ａｓで置換したものであってもよい。また、この窒化物半導体層はｉ型として成長させてもよいし、ｎ型不純物として、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ、Ｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＣｄなどのＩＶ族元素、あるいはＶＩ族元素等のいずれか１以上を含有していてもよいし、ｐ型不純物として、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｓｒ等を含有していてもよい。不純物を含有させる場合には、その濃度は、例えば、５×１０16／ｃｍ3以上、１×１０21／ｃｍ3以下の範囲とすることが適当である。
【００１３】
窒化物半導体の成長方法は、特に限定されないが、例えば、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）など、窒化物半導体の成長方法として知られている全ての方法を好適に用いることができる。なお、窒化物半導体は、種々の窒化物半導体の成長方法を使用目的により適宜選択して成長させることが好ましい。なかでも、ＭＯＣＶＤは、窒化物半導体を結晶性良く成長させることができるので、好ましい。具体的には、９５０〜１２００℃程度の高温下、第１の窒化物半導体層を構成する元素を含むガス（例えば、アンモニアガス、ＴＭＧガス等）を、所定の流量で供給する方法が挙げられる。第１の窒化物半導体層は、例えば、５μｍ以下の膜厚とすることが好ましい。これにより、第１の窒化物半導体層から成長させる、後述の第２の窒化物半導体層のファセット成長を容易かつ確実に行わせることができる。
【００１４】
パターンの形成は、当該分野で公知の方法、例えば、フォトリソグラフィ及びエッチング工程によって形成することができる。具体的には、ＣＶＤ法により、酸化シリコンを成膜し、この上にレジストを塗布し、所定形状のパターンを露光する。その後、現像処理を行ってレジストを所定のパターン形状に形成する。このレジストパターンを用いて、酸化シリコンをエッチングし、さらに、第１の窒化物半導体層をエッチングすることにより、第１の窒化物半導体層を所定の形状の凸部と凹部とを有するパターンにパターニングすることができる。なお、ここで凹部とは、凸部よりも膜厚が小さければよいが、第１の窒化物半導体層が存在しない部分であることが好ましい。また、凸部の上面は（０００１）面と等価である面である。凹部の底面に第１の窒化物半導体層が存在する場合には、この面は特に限定されないが、例えば（０００１）面と等価である面である。
【００１５】
パターンは、第１の窒化物半導体層に（１１−２０）面と等価である面で囲まれたものとして形成する。ここで、（１１−２０）面と等価である面とは、いわゆるＡ面を意味し、（１１−２０）面のほか、（１−２１０）、（−２１１０）が挙げられる。（１１−２０）面と等価である面で囲まれるとは、例えば、このパターンの縦断面形状、つまり基板表面に垂直な方向の断面形状が略四角形で、その縦断面形状の側面が（１１−２０）面と等価である面となるように形成されていることを意味する。単にＡ面を成長面の一部とする第１の窒化物半導体層を形成するのではなく、本願発明の上記パターンを形成することにより、後述する第２の窒化物半導体層を容易にファセット成長させることが可能となる。また、転位を有効に低減することができる。
【００１６】
また、別の観点から、パターンの平面形状は、相似である２以上の凹部を有する形状、相似である２以上の凹部が三角形である形状、三角形を形作る複数のパターンがマトリクス状に配置された形状、凸形状のパターンに内周と外周とを有する形状、この内周と外周とが相似である形状、この内周と外周とが正三角形である形状、特に、三角形を形作る複数のパターンに内周と外周とを有する形状であることが適している。ここで、三角形を形作るパターンの側面、内周及び外周を形作るパターンの側面は、いずれも、上述したように、（１１−２０）面と等価である面で形成されていることが適している。また、相似である２以上の凹部、並びに、相似である内周と外周とは、例えば、１５０〜５０％の間で大きさが異なることが適当である。
【００１７】
さらに言い換えると、パターンは、図１に示すように、一単位が、平面形状において、複数の略正三角形の枠体１１によって形成され、それらの頂点Ｐのみを、隣接する枠体１１と共有するように規則的に配置されて構成されるか、あるいは、それら複数の略正三角形の三つの頂点がそれぞれ同一方向に向いて配置され（さらに、複数の正三角形の各辺が直線状に配列するように配置され）、かつ、隣接する略正三角形の枠体と頂点のみで接触して構成される。なお、この枠体は、凸状に形成されていることが好ましい。これらの場合、３つの略正三角形の枠体に包囲されて、枠体の外周形状と略同じ形状の凹部が形成されてなることが好ましい。パターン（枠体）の全ての一単位は、図１に示したように、パターンを構成する基本形状（例えば、三角形状又は正三角形状）と同じ形状であり、かつそれぞれ同じ形状となる。これは、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、三角形状又は六角形状の枠体の各単位が、隣接する枠体とそれぞれその一部を共有するため、その一単位の形状（例えば、図６（ａ）及び（ｂ）中、破線内Ｘ及びＹ）を取り出した場合に、それに隣接する一単位の形状（ＸX及びＹY）が、必ずしも基本形状とは同じ形状とならず、かつそれぞれが同じ形状でないことと相違する。ここで、「頂点のみでの接触」とは、厳密には接触する領域は「点」を意味するが、パターンの形成方法、その精度等を考慮して、若干のずれがあってもよい。このずれは、例えば、後述する枠の太さの１／２以下を直径とする略円形の領域又は一辺とする多角形の領域、さらに、１／３以下、１／４以下、１／５以下、１／８以下、１／１０以下を直径（又は一辺）とする領域である、言い換えると、隣接する枠体（枠自体）の中心線が交差しない程度であることが例示される。
【００１８】
ここで、三角形とは、好ましくは正三角形又は略正三角形であり、三角形の一辺の長さは、４０〜１００μｍ程度が適当であり、５０〜７０μｍ程度がより好ましく、６０μｍ前後がさらに好ましい。また、枠体、つまり、内周と外周とを有する場合は、外周における一辺の長さが上述した範囲が適当である。さらに、内周と外周とを有する場合は、内周における一辺の長さは、２０〜６０μｍ程度、４０〜５５μｍ程度がより好ましい。つまり、三角形の枠体の枠の太さ（図１中、ｔ）は、１０μｍ以下、好ましくは１〜５μｍ程度である。また、頂点部分の枠の太さ（図１中、（Ｂ−Ａ）／２）は、１０μｍ以下、好ましくは１．５〜６μｍ程度である。これにより、後述する第２の窒化物半導体層の成長時間を短縮し、得られる窒化物半導体基板の転位欠陥の密度を最小限に抑えることができる。加えて、フリースタンディング状態にした場合の基板の反りを最小限にすることができる。言い換えると、後述するように、ＬＥＤ、ＬＤ等の素子を構成する半導体層を積層した後の反りを最小限にすることができる。
【００１９】
このパターンは、規則的に、一様に配列されていることが好ましい。これにより、転位欠陥の高密度部分を規則的に、かつ最小限の面積とすることができる。また、パターンにおける三角形状、特に三角形の枠体は、隣接する三角形の枠体と、各頂点でのみ接触し、辺を共有せず又は辺で接触しないように配置されている。言い換えると、三角形の枠体は、頂点部分は若干枠体の幅が太くなるか又はほとんど太くならず、ほとんどの部分において、略均一な太さを有している。このように、成長核である第１の窒化物半導体層の面積を最小限に止めることにより、後述する第２の窒化物半導体層の成長において、ファセット成長、つまり（１１−２２）面と等価である面を成長面として成長させた場合に、第２の窒化物半導体層に転位が伝播することを抑止することができる。また、第１の窒化物半導体パターンを上述した形状とすることでファセット形成時に転位を止めることができる。そのため、パターン（例えば、三角形）の中心に対応する点にのみ転位を集中させることができ、六角形状等のパターンに比べて、より低転位化が可能となる。
【００２０】
なお、本発明においては、第１の窒化物半導体パターンを形成する前に、窒化物半導体層によるバッファ層、中間層等を形成してもよい。このようなバッファ層としては、いわゆる低温バッファ層と呼ばれるもの等が該当する。例えば、このような層は、４５０〜６００℃程度の低温下、得ようとする窒化物半導体層を構成する元素を含むガス（例えば、アンモニアガス、ＴＭＧガス等）を、所定の流量で供給する方法が挙げられる。例えば、このような層は、膜厚０．１μｍ以下が適当である。
【００２１】
また、本発明においては、第１の窒化物半導体層を形成した後、露出した基板表面を、例えば、酸化シリコン、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、窒化ケイ素、これらの多層膜又は１２００℃以上の融点の高融点金属（例えば、タングステン、モリブデン等）によって被覆してもよい。つまり、後述する第２の窒化物半導体層を、酸化シリコンと第１の窒化物半導体層との表面に成長させてもよい。このように酸化シリコンを被覆する方法は、第１の窒化物半導体パターンを含む基板上全面に酸化シリコンを所定厚さで形成し、当該分野で公知のエッチング法を用いて、第１の窒化物半導体パターン上の酸化シリコンのみをエッチングする方法が挙げられる。保護膜の形成方法としては、ＣＶＤ、スパッタリング及び蒸着法が挙げられる。保護膜を除去する方法には、ドライエッチング又はウェットエッチングを用いることができ、どちらの方法も窒化物半導体の結晶性を低下させることなく保護膜を除去することができる。さらに、ドライエッチングは、保護膜を除去する深さを簡単に制御することができる。
【００２２】
所定形状にパターニングされた第１の窒化物半導体パターンの上に、第２の窒化物半導体層を成長させる。第２の窒化物半導体層の成長方法は、上述した第１の窒化物半導体層の成長方法と同様のものが挙げられる。ただし、第１の窒化物半導体パターンが形成されているために、第２の窒化物半導体層は、第１の窒化物半導体パターンにおける（１１−２０）面と等価である面を成長核として成長することとなり、第１の窒化物半導体パターンの中央を頂点とする、いわゆるファセット成長により成長させることができる。ここでファセット成長とは、当初の又は本来の窒化物半導体層の成長方向とは異なる方向に成長することを意味する。通常、ｃ面とは異なる面、好ましくは（１１−２２）面で窒化物半導体層が成長することである。
【００２３】
第２の窒化物半導体層の成長を続けることで、いわゆるファセット成長面が徐々に平坦な面へと変化する。この際、第２の窒化物半導体層において、ファセット成長の頂点で転移の進行を有効に阻止することができる（図２（ｂ）参照）。また、隣接するファセット成長面同士が接合される部分で、空洞を構成する（図２（ｅ）参照）又は接合面が密着することによって、貫通転移が存在したとしてもあるいは貫通転移が新たに発生したとしても、その空洞又は接合した点の直上にのみ貫通転位が進行することとなる。最終的に、平坦で、基板表面に水平、つまり、いわゆるｃ面方向を全面に成長させることができる。なお、第２の窒化物半導体に上記パターンを形成して、新たに第３の窒化物半導体を再成長させてもよい。これによりさらに転位を低減することができる。第２の窒化物半導体層の膜厚は、例えば、５０μｍ以上、好ましくは１００μｍ以上である。この膜厚があれば、基板剥離を容易に行うことができる。
【００２４】
上述したように、基板上に、第１の窒化物半導体層のパターンと、第２の窒化物半導体層とを形成した窒化物半導体基板は、光学的顕微鏡等による裏面観察、この基板の上に素子が形成されている場合には電極等を除去した表面観察、断面観察等、種々の方法により、ファセット成長、成長面の接合面及び／又は転位の方向等を観察することにより、上述した所定形状の第１の窒化物半導体層によるパターンを用いて形成したものであると判断することができる。
【００２５】
なお、第２の窒化物半導体層を形成した後、基板を除去することが好ましい。これにより、フリースタンディングの窒化物半導体基板を得ることができる。基板の除去の方法は、当該分野で公知の方法のいずれを利用してもよい。例えば、研磨、エッチング、レーザ照射等により除去することができる。この際、基板のみならず、任意に、上述したバッファ層、中間層、第１の窒化物半導体層、さらに第２の窒化物半導体層の一部を除去してもよい。また、上述した観察によって、所定形状の第１の窒化物半導体層によるパターンを用いて形成した層であることを認識できる層を完全に除去してもよい。
【００２６】
このようにして得られたフリースタンディングの窒化物半導体基板（つまり、少なくとも窒化物半導体層の成膜のために使用した基板を除去したもの）は、通常、マイナス方向に反り（表に凸）が生じる。この場合の反りは、例えば、−３００μｍ程度以下が適している。これにより、ＬＥＤ及びＬＤ等を構成する半導体層がこの窒化物半導体基板上に積層された場合に、窒化物半導体層自体の反りをこの基板によって相殺又は緩和することができる。
【００２７】
以下に、本発明の窒化物半導体基板の製造方法の実施例を詳細に説明する。
実施例
Ｃ面を主面とし、オリフラ面をＡ面とし、約０．５°のオフ角を有するサファイア基板を準備した。
このサファイア基板上に、ＭＯＣＶＤ装置を用いて、５００℃にて、キャリアガスとして水素、原料ガスとして、ＮＨ3を８ｓｌｍ、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）を３５μｍｏｌ／分で供給しながら、３分間、バッファ層を成長させた。得られたバッファ層の膜厚は０．０２μｍであった。
【００２８】
次に、上記と同様に、１１００℃にて、ＮＨ3を４ｓｌｍ、ＴＭＧを２３０μｍｏｌ／分供給しながら、６０分間、第１の窒化物半導体であるＧａＮを成長させた。得られたＧａＮ層の膜厚は２μｍであった。
【００２９】
次いで、このＧａＮ層の上に、ＣＶＤ装置を用いて、膜厚１μｍでＳｉＯ2膜を成膜した。その上にレジストを塗布し、ステッパにより、マスクパターンを露光した。その後、レジストの現像処理を行い、ドライエッチングにより、ＳｉＯ2膜、続いて、第１の窒化物半導体層であるＧａＮ層をエッチングした。残留したＳｉＯ2膜を除去することにより、図２（ａ）に示すように、基板１４上に、図１に示す形状のＧａＮ層からなるパターン１０を形成した。
【００３０】
このパターン１０は、凸形状の正三角形の枠体１１が均一に配列している。言い換えると、平面形状において相似である２つの凹部Ｑ、Ｗを有する。全ての正三角形の枠体１１は、３つの頂点が、それぞれ同じ方向に向いて配置している。正三角形の外周の一辺の長さＢは約６０μｍ、内周の一辺の長さＡは約５０μｍ、枠体の幅ｔは約３μｍとした。このパターン１０では、隣接する三角形の枠体１１とは、頂点Ｐのみで点接触している。つまり、３つの三角形の枠体１１が、頂点Ｐのみで点接触している。さらに言い換えると、平面形状において、３つの正三角形の枠体１１に包囲されて、枠体１１の外周形状と略同じ形状の凹部Ｑが形成されている。
【００３１】
次に、図２（ｂ）に示すように、この第１の窒化物半導体によるパターン１０を成長核として、上記と同様に、１０００℃にて、ＮＨ3を４ｓｌｍ、ＴＭＧを６０μｍｏｌ／分供給しながら、６時間、第２の窒化物半導体層１２であるＧａＮを成長させた。このとき、パターン１０を成長核とすることにより、第２の窒化物半導体層１２は、ファセット面、つまり（１１−２２）面と等価である面を形成するように成長した。この際、貫通転位の進行がファセット面の頂点で阻止される。
【００３２】
引き続き、１１００℃にて、ＮＨ3を４ｓｌｍ、ＴＭＧを２００μｍｏｌ／分供給しながら、１２時間、ＧａＮを成長させることにより、図２（ｃ）及び（ｄ）に示すように、徐々に第２の窒化物半導体層１２の表面がｃ面に変化しながら、ファセット面が成長し、最終的に、図２（ｅ）に示すように、接合部分において空洞１３を形成しながら、平坦な面が得られた。
【００３３】
その後、裏面側からレーザを照射することにより、サファイア基板を除去し、膜厚１５０μｍの窒化物半導体基板を得た。
得られた窒化物半導体基板について、転位密度と反りを測定するとともに、ＣＬ（カソードルミネセンス）像を撮影した。
【００３４】
なお、比較のために、第１の窒化物半導体層によるパターン形状を、線幅１０μｍ、ピッチ２０μｍのストライプ状としたもの、図６（ｂ）に示すように、正六角形のパターンを隣接する正六角形のパターンとの距離を５０μｍで規則正しく配置したものとする以外、上記実施例と同様にして、窒化物半導体基板を形成した。
それらの結果を表１に示す。また、ＣＬ像は、実施例のものを図３、ストライプ状のパターンを用いたものを図４、正六角形のパターンを用いたものを図５に示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】
表１から明らかなように、パターンが、ストライプ状である場合には、ファセット結合が線状で行われるために、転位が直線状に、連続的に発生し、十分な低転位化が図れなかった。また、基板を剥離後の反りが増大した。
また、六角形形状のパターンでは、基板剥離後の反りは減少するが、六角形の頂点にそれぞれ貫通転位が発生するために、ストライプ状のものよりも転位が少ないものの、やはり、十分な低転位化が図れなかった。
【００３７】
一方、実施例１のパターンでは、横方向成長のためのファセット成長を等方的に結合させることができ、これにより、結合が、例えば、三角形の枠体の中心点に集中することにより、貫通転位が存在するとしても、その転位自体が三角形の枠体の中心点に集中することとなり、低転位化を十分に図ることができた。また、基板剥離後の反りも、ゼロからマイナス方向への反り（表に凸）を実現することができた。
【００３８】
これにより、このような基板上に、窒化物半導体層（例えば、３０〜１０００μｍ程度、好ましくは１００〜９００μｍ程度）を積層して、ＬＥＤ、ＬＤ等の半導体素子を形成する場合、窒化物半導体層自体の反りをこの基板によって相殺又は緩和することができるため、基板自体の形状安定性が良好となり、あるいは基板上に形成された半導体素子のハンドリング、安定性を改善し、半導体素子のチップ化等の工程の歩留まりを向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明の窒化物半導体基板の製造方法は、窒化物半導体を用いる全ての半導体装置の製造に用いることが適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の窒化物半導体基板の製造方法で用いるパターンを示す平面図である。
【図２】図１のパターンのｃ−ｃ'線断面図であり、このパターン上に第２窒化物半導体層を成長させた場合の窒化物半導体層の断面図である。
【図３】実施例のパターンを用いて形成された窒化物半導体基板表面のＣＬ像を示す写真である。
【図４】比較例のストライプ形状のパターンを用いて形成された窒化物半導体基板表面のＣＬ像を示す写真である。
【図５】別の比較例の正六角形のパターンを用いて形成された窒化物半導体基板表面のＣＬ像を示す写真である。
【図６】従来のパターンの平面図を示す図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０ パターン（第１の窒化物半導体パターン）
１１ 枠体
１２ 第２の窒化物半導体層
１３ 空洞
１４ 基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サファイア基板の（０００１）面上に、第１の窒化物半導体パターンを形成し、該第１の窒化物半導体パターンを成長核として第２の窒化物半導体層を成長させ、
少なくとも前記サファイア基板を除去することを含む窒化物半導体基板の製造方法であって、
第１の窒化物半導体パターンは、平面形状が三角形の複数の枠体によって形成され、該枠体の頂点のみを、隣接する枠体と共有するように規則的に配置されて構成される窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項２】
第１の窒化物半導体パターンは、平面形状において枠体の内周及び外周が、大きさが異なる互いに相似である２以上の凹部を構成している請求項１に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項３】
第１の窒化物半導体パターンは、平面形状において枠体の内周及び外周が正三角形である請求項１又は２に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項４】
第２の窒化物半導体層を、ファセット成長させる請求項１〜３のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項５】
ファセット成長は、（１１−２２）面と等価である面を成長面とするものである請求項４に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項６】
第２の窒化物半導体層を成長させた後、基板を除去する請求項１〜５のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項７】
サファイア基板の（０００１）面上に形成された第１の窒化物半導体パターンと、該第１の窒化物半導体パターン上に成長させた第２の窒化物半導体層とを有する窒化物半導体基板であって、
第１の窒化物半導体パターンは、平面形状が三角形の複数の枠体によって形成され、該枠体の頂点のみを、隣接する枠体と共有するように規則的に配置されて構成された窒化物半導体基板。
【請求項８】
第１の窒化物半導体パターンは、平面形状において枠体の内周及び外周が相似である請求項７に記載の窒化物半導体基板。
【請求項９】
第１の窒化物半導体パターンにおける枠体の一単位が、平面形状において内周及び外周が正三角形である請求項７又は８に記載の窒化物半導体基板。
【請求項１０】
前記第２の窒化物半導体層が、ファセット成長面の接合部位と、該接合部位の近傍に位置する空洞とを含む請求項７〜９のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板。
【請求項１１】
前記第１の窒化物半導体パターンと、前記第２の窒化物半導体層とを含んでなる窒化物半導体基板が、ゼロからマイナス方向への反りを有する請求項７〜１０のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板。
【請求項１２】
請求項７〜１１のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板と、窒化物半導体層とを備えることを特徴とする発光素子。
【請求項１】
サファイア基板の（０００１）面上に、第１の窒化物半導体パターンを形成し、該第１の窒化物半導体パターンを成長核として第２の窒化物半導体層を成長させ、
少なくとも前記サファイア基板を除去することを含む窒化物半導体基板の製造方法であって、
第１の窒化物半導体パターンは、平面形状が三角形の複数の枠体によって形成され、該枠体の頂点のみを、隣接する枠体と共有するように規則的に配置されて構成される窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項２】
第１の窒化物半導体パターンは、平面形状において枠体の内周及び外周が、大きさが異なる互いに相似である２以上の凹部を構成している請求項１に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項３】
第１の窒化物半導体パターンは、平面形状において枠体の内周及び外周が正三角形である請求項１又は２に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項４】
第２の窒化物半導体層を、ファセット成長させる請求項１〜３のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項５】
ファセット成長は、（１１−２２）面と等価である面を成長面とするものである請求項４に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項６】
第２の窒化物半導体層を成長させた後、基板を除去する請求項１〜５のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項７】
サファイア基板の（０００１）面上に形成された第１の窒化物半導体パターンと、該第１の窒化物半導体パターン上に成長させた第２の窒化物半導体層とを有する窒化物半導体基板であって、
第１の窒化物半導体パターンは、平面形状が三角形の複数の枠体によって形成され、該枠体の頂点のみを、隣接する枠体と共有するように規則的に配置されて構成された窒化物半導体基板。
【請求項８】
第１の窒化物半導体パターンは、平面形状において枠体の内周及び外周が相似である請求項７に記載の窒化物半導体基板。
【請求項９】
第１の窒化物半導体パターンにおける枠体の一単位が、平面形状において内周及び外周が正三角形である請求項７又は８に記載の窒化物半導体基板。
【請求項１０】
前記第２の窒化物半導体層が、ファセット成長面の接合部位と、該接合部位の近傍に位置する空洞とを含む請求項７〜９のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板。
【請求項１１】
前記第１の窒化物半導体パターンと、前記第２の窒化物半導体層とを含んでなる窒化物半導体基板が、ゼロからマイナス方向への反りを有する請求項７〜１０のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板。
【請求項１２】
請求項７〜１１のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板と、窒化物半導体層とを備えることを特徴とする発光素子。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１３−１６８５６（Ｐ２０１３−１６８５６Ａ）
【公開日】平成２５年１月２４日（２０１３．１．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２１２３９８（Ｐ２０１２−２１２３９８）
【出願日】平成２４年９月２６日（２０１２．９．２６）
【分割の表示】特願２００６−２２４０２３（Ｐ２００６−２２４０２３）の分割
【原出願日】平成１８年８月２１日（２００６．８．２１）
【出願人】（０００２２６０５７）日亜化学工業株式会社 (993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月２４日（２０１３．１．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年９月２６日（２０１２．９．２６）
【分割の表示】特願２００６−２２４０２３（Ｐ２００６−２２４０２３）の分割
【原出願日】平成１８年８月２１日（２００６．８．２１）
【出願人】（０００２２６０５７）日亜化学工業株式会社 (993)
【Ｆターム（参考）】
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